FR2605382A1 - Valve asservissable electriquement - Google Patents

Valve asservissable electriquement Download PDF

Info

Publication number
FR2605382A1
FR2605382A1 FR8714732A FR8714732A FR2605382A1 FR 2605382 A1 FR2605382 A1 FR 2605382A1 FR 8714732 A FR8714732 A FR 8714732A FR 8714732 A FR8714732 A FR 8714732A FR 2605382 A1 FR2605382 A1 FR 2605382A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
valve
plate
valve plate
valve according
cutouts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8714732A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2605382B1 (fr
Inventor
Ulrich Heim
Scato Albarda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Draegerwerk AG and Co KGaA
Original Assignee
Draegerwerk AG and Co KGaA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Draegerwerk AG and Co KGaA filed Critical Draegerwerk AG and Co KGaA
Publication of FR2605382A1 publication Critical patent/FR2605382A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2605382B1 publication Critical patent/FR2605382B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15CFLUID-CIRCUIT ELEMENTS PREDOMINANTLY USED FOR COMPUTING OR CONTROL PURPOSES
    • F15C5/00Manufacture of fluid circuit elements; Manufacture of assemblages of such elements integrated circuits
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/02Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
    • F16K31/025Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic actuated by thermo-electric means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/86493Multi-way valve unit
    • Y10T137/86718Dividing into parallel flow paths with recombining
    • Y10T137/86759Reciprocating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
  • Temperature-Responsive Valves (AREA)

Abstract

VALVE ASSERVISSABLE ELECTRIQUEMENT, NOTAMMENT POUR FLUIDES GAZEUX. LA VALVE POSSEDE UN ELEMENT DE VALVE 8 EN VIS-A-VIS D'UNE PLAQUE DE VALVE 7 MUNIE DE PLUSIEURS DECOUPURES 24. L'ELEMENT DE VALVE ET LA PLAQUE DE VALVE PEUVENT, PAR UN DISPOSITIF D'ENTRAINEMENT A FAIBLE COURSE, COULISSER L'UN PAR RAPPORT A L'AUTRE PERPENDICULAIREMENT A LA SURFACE DE LA PLAQUE EN DEGAGEANT PLUSIEURS LIGNES D'ETANCHEITE. POUR OBTENIR UN BON FONCTIONNEMENT DE LA VALVE, NOTAMMENT DANS LE CAS DE VALVES RELATIVEMENT PETITES, LA PLAQUE DE VALVE 7 MUNIE DE PLUSIEURS DECOUPURES 24 EST DOTEE D'UNE STRUCTURE SUPERFICIELLE SELON LAQUELLE DES CANAUX D'ECOULEMENT 23, OUVERTS VERS LE COTE DE L'ELEMENT DE VALVE 8 ET DEBOUCHANT SUR LE BORD DE LA PLAQUE DE VALVE 7, SONT PRESENTS ENTRE DES PARTIES 22 SAILLANTES CONSTITUANT DES SURFACES D'APPUI POUR L'ELEMENT DE VALVE, LES DECOUPURES 24 ETANT SITUEES A L'INTERIEUR DE CES PARTIES SAILLANTES. L'ELEMENT DE VALVE 8 PRESENTE, AU MOINS DANS LES REGIONS SITUEES EN VIS-A-VIS DES DECOUPURES 24, UNE SURFACE D'APPUI PLANE. APPLICATION A L'EQUIPEMENT DE VALVES POUR APPAREILS MEDICAUX.

Description

Valve asservissable électriquement La présente invention concerne une
valve asservissable électriquement, notamment pour fluides gazeux, dans laquelle un élément de valve est disposé en vis-à-vis d'une plaque de valve munie d'un certain nombre de découpures, et l'élément de valve et la plaque de valve peuvent, par un dispositif d'entraîne:nent à faible course, coulisser l'un par rapport à l'autre perpendiculairement à la surface de la plaque en dégageant plusieurs lignes d'étanchéité. Les valves, notamment celles utilisées pour la commande de l'écoulement de fluides gazeux dans des appareils médicaux, sont soumises à des exigences très sévères. Il faut d'une part que la résistance à l'écoulement à l'état ouvert soit minimale. D'autre part, il est important que l'étanchéification à l'état fermé soit totale. En outre, la puissance nécessaire à l'actionnement de la valve doit être faible. Afin de maintenir les plus faibles possibles les chocs engendrés par le déplacement de la valve et le bruit produit, les masses déplacées doivent être maintenues les plus petites possibles. C'est notamment au vu de la dernière de ces exigences qu'ont été introduits des types de valves dans lesquelles deux éléments constitutifs sensiblement en forme de plaques, dénommables respectivement "plaque de valve" et "élément de valve", se trouvent à une distance mutuelle relativement faible. La plaque de valve présente des découpures qui à l'état fermé de la valve sont recouvertes par l'élément de valve. Les lignes d'étanchéité sont donc pour l'essentiel formées par les lignes périphériques
des découpures.
Pour l'actionnement de la valve, il est prévu un entraînement à faible
course qui déplace l'élément et la plaque de valve l'un par rapport à l'autre.
Habituellement, la plaque de valve est montée fixe, et l'entraînement à faible course, dont la longueur de course n'est que d'une fraction du diamètre de la plaque, déplace l'élément de valve perpendiculairement à la surface de
la plaque.
Une valve de ce type est par exemple connue par la demande de brevet
allemand N 30 06 298.
La plaque de valve fixe y présente deux nervures annulaires entre lesquelles se trouve un canal annulaire dans lequel peut pénétrer le fluide à
commander par l'intermédiaire d'une conduite annulaire correspondante.
L'élément de va've possède deux nervures annulaires en vis-à-vis des nervures annulaires de la plaque de valve, de sorte qu'à l'état fernmé les nervures annulaires de l'élément de valve et de la plaque de valve s'appuient les uns contre les autres et constituent les lignes d'étanchéité. L'élément de valve
est déplacé par un entraînement piézo-électrique.
Dans les valves connues, la faible longueur de course permet.d'obtenir une faible puissance d'actionnement et un déplacement peu bruyant. Du fait de la superficie de section relativement grande de la plaque de valve et des découpures qu'elle contient, la résistance à l'écoulement reste relativement faible en dépit de cette faible longueur de course. Toutefois, des dépenses considérables sont nécessaires pour obtenir une étanchéité suffisante, étant considéré les lignes d'étanchéité nécessairement longues. C'est pour cela que les distributeurs plans de ce type n'ont pas pu jusqu'à présent s'imposer dans
la pratique, notamment pour des valves de petite taille.
La présente invention a donc pour but d'améliorer une valve du type décrit en introduction afin d'obtenir, pour un coût de fabrication relativement faible, d'une part une faible résistance à l'écoulement et d'autre part une très bonne étanchéification. Il doit notamment être possible de réaliser sous la forme de distributeurs plans (c'est-à-dire de valves à plaques) même des valves relativement petites telles que celles qui sont souvent nécessaires pour
des app!ications concernant des appareillages médicaux.
Selon l'invention, ce but est, pour une valve du type mentionné en introduction, atteint par le fait que la plaque de valve munie de plusieurs découpures est dotée d'une structure superficielle selon laquelle des canaux d'écoulement, ouverts vers le côté de l'élément de valve et débouchant sur le bord de la plaque de valve, sont présents entre des parties saillantes constituant des surfaces d'appui pour l'élément de valve, les découpures étant situées à l'intérieur de ces parties saillantes, et que l'élément de valve présente, au moins dans les régions situées en vis-à-vis des découpures, des
surfaces d'appui planes vis-à-vis de la plaque de valve.
La plaque de valve de la valve selon l'invention peut être fabriquée aisément. Ce faisant, les découpures sont opportunément prévues coniques, à savoir en forme de cônes tronqués ou de pyramides tronquées. Elles peuvent être par exemple produites dans la plaque de valve par fraisage ou poinçonnage. Les canaux d'écoulement sont avantageusement formés par des
procédés connus d'enlèvement de matière.
De préférence, on utilise pour la réalisation de la plaque de valve une technique de décapage avec masquage, telle qu'elle est connue pour la fabrication de semiconducteurs. Cela permet notamment de fabriquer des plaques de valves de relativement petite taille avec une précision très élevée, en grandes séries et relativement bon marché. Une telle plaque de valve est de préférence réalisée en un matériau semiconducteur, et notamment en silicium. Les parties saillantes, qui constituent les surfaces d'appui pour l'élément de valve et dans lesquelles se trouvent les découpures, peuvent présenter des formes diverses. La forme donnée est fonction d'une part de la nécessité d'assurer un parcours de flux le plus favorable possible et d'autre part de la volonté d'obtenir une fabrication simple. Ce qui convient particulièrement bien, ce sont des parties saillantes oblongues, dans chacune desquelles se trouvent plusieurs découpures, et entre lesquelles sont disposés des canaux d'écoulement également oblongs. De telles parties saillantes peuvent
notamment se présenter la forme de barrettes oblongues.
Pour l'étanchéité de la valve selon l'invention, il est important qu'à l'état fermé, la plaque et l'élément de valve s'appuient l'un sur l'autre à plat sur la totalité de leur surface. C'est pourquoi l'entraînement à faible course est de préférence assemblé par l'intermédiaire d'un élément de jonction à l'élément de valve (ou encore à la plaque de valve si cette dernière est déplacée avec l'élément de valve), élément de jonction permettant d'ajuster la position de la plaque déplacée par rapport à la plaque fixe. L'élément de jonction est de préférence du type articulation à rotule; dans la pratique,
l'emploi d'une articulation à ressort s'est avéré particulièrement satisfaisant.
L'entraînement à faible course peut être obtenu de diverses manières,
par exemple par modification de longueur piézoélectrique ou magnétostrictive.
Mais on préfère tout particulièrement un entraînement à faible course basé sur la dilatation thermnique. Il présente à cet effet une partie extensible chauffable par résistance électrique, partie qui est assemblée d'un côté à
l'élément ou encore la plaque de valve.
La partie extensible peut être tubulaire, et montée d'un côté solidairement au carter dans un support mou élastique; elle peut aussi être filiforme, et l'élément de valve placé sous la précontrainte d'un élément élastique qui pousse l'élément de valve en position d'isolement. Selon une nouvelle forme de réalisation de l'invention. L'élément de valve est disposé contre une membrane annulaire, et une broche de transmission est montée en force entre cette membrane annulaire et une partie extensible en forme de roue à rayons. Enfin, selon une dernière forme de réalisation de l'invention, un dispositif de mesure est prévu pour la mesure capacitive du déplacement
entre l'élément et la plaque de valve.
Des exemples de réalisation de l'invention sont représentés schématiquement sur le dessin annexé, dans lequel: Figure 1 est une représentation en coupe d'une valve d'équerre Figure 2 est une vue en coupe transversale d'une partie de l'élément de valve et de la plaque de valve; Figures 3 et 4 sont des vues de dessus, respectivement du côté inférieur et du côté supérieur, d'une forme de réalisation de la plaque de valve; et Figures 5 et 6 sont des représentations en coupes d'autres formes de
réalisation de l'invention.
La valve représentée à la figure 1 présente un carter ou corps de valve I essentiellement tubulaire, avec un raccord 2 rapporté latéralement qui est également tubulaire. A l'extrémité inférieure du carter 1 se trouve un orifice d'admision 3, et un orifice d'évacuation 4 est prévu dans la tubulure de
raccordement 2.
Un élément de fixation tubulaire 5 est inséré et monté de manière étanche aux gaz dans le carter 1, à l'extrémité inférieure de ce dernier, à l'aide par exemple d'un joint brasé 6. Le long du joint brasé 6, l'élément de fixation 5 présente la forme d'un tube rond, qui se transforme en un tube carré vers la plaque de valve 7. Cela permet un brasage affleuré de l'élément de fixation 5 avec le bord de brasage 45 de la plaque de valve 7. Un élément de valve mobile 8 est prévu au-dessus de cette plaque de valve 7, élément qui est constitué d'une plaque d'étanchéité à surface plane 9 et d'un élément de support 10 assemblé à cette dernière, et qui à l'état fermé s'appuie sur la
plaque de valve 7.
L'élément de valve 8 est assemblé par l'intermédiaire d'une articulation à rotule 11 avec une plaque terminale inférieure 12 d'un entraînement à faible course 13. La plaque terminale inférieure 12 sert simultanément d'élément de guidage dans l'évidement du carter. L'entratnement à faible course 13 comprend comme partie extensible un tube à parois minces 14, sur lequel est fixée une plaque terminale supérieure 15. A la plaque terminale inférieure 12 et à la plaque terminale supérieure 15 sont respectivement fixées des conduites d'alimentation 16 et 17, à l'aide desquelles une tension de chauffage peut, à partir d'une source d'alimentation en tension non
représentée, être appliquée au tube à parois minces 14.
La plaque terminale supérieure 15 est appuyée contre un ressort de compression 20 à l'aide de deux parties de coque 18, 19 réalisées en un matériau électriquement isolant. Ce faisant, ce ressort de compression 20 s'appuie d'un côté, par l'intermédiaire de la partie de coque 19, contre un couvercle vissé 21 qui est vissé sur le carter 1. La plaque terminale supérieure 15 peut coulisser dans la partie de coque inférieure 18 à l'encontre de la précontrainte du ressort. Grâce à ce montage de la plaque terminale supérieure, on obtient d'une part une bonne fixation de l'entraînement à faible course 13 lorsque la valve est ouverte, et on obtient d'autre part, à la position de fermeture, une sécurité contre la surcharge par l'affaissement de
la plaque terminale supérieure 15.
La représentation en coupe fortement agrandie de la figure 2 permet de
distinguer la structure de la plaque de valve 7 et de la plaque d'étanchéité 9.
On distingue dans la plaque de valve 7 des parties saillantes 22 formant des surfaces d'étanchéité et des évidements rainurés 23 servant de canaux d'écoulement, qui s'étendent jusqu'au bord de la surface d'appui de la plaque de valve 7. A l'intérieur des parties saillantes 22 se trouvent des découpures
coniques 24.
La surface 25 de la plaque d'étanchéité 9, qui est tournée vers la plaque de valve 7, présente une configuration plane. Toutefois, pour des cas d'application particuliers, il peut être opportun de structurer non seulement la plaque de valve 7, mais aussi l'élément de valve 8, soit donc la surface 25 de sa plaque d'étanchéité 9. Cela permet d'obtenir des parcours de flux agrandis à la position ouverte. Dans un tel cas toutefois, les régions de la surface de l'élément de valve 8 qui sont en vis-à-vis des surfaces des parties saillantes 22 de la plaque de valve présentent elles-aussi une surface plane, afin d'assurer à la position de fermeture une étanchéification vis-à-vis de ces
régions saillantes.
La figure 3 présente le côté inférieur de la plaque de valve 7, qui est tourné vers l'orifice d'admission 3. Les découpures coniques présentent une section sensiblement carrée. Un bord de brasage 45 mis en place par galvanisation permet de réaliser l'assemblage brasé entre la plaque de valve 7
et l'élément de fixation 5.
Le côté supérieur de la plaque de valve 7, qui est tourné vers la plaque d'étanchéité 9, est représenté à la figure 4: il présente des parties saillantes 26 en forme de barrettes, munies chacune de plusieurs découpures 24. Les évidements rainurés 23 s'étendent ici entre les parties saillantes en forme de
barrettes, et sont parallèles à ces dernières.
La plaque de valve est opportunément réalisée par une technique de masquage. On 5roduit ainsi des découpures 24 et des évidements rainurés 23, respectivement de section conique et de section cunéiforme. Les évidements rainurés 23 sont dégagés par décapage à partir d'un côté de la plaque, tandis que les découpures le sont à partir de l'autre côté. Comme les structures produites lors du décapage s'étendent parallèlement entre elles, on obtient
une plaque de valve de poids relativement faible et de stabilité suffisante.
Comme matériau pour la plaque de valve 7, on emploie opportunément du silicium. Mais on peut éventuellement employer d'autres matériaux semiconducteurs décapables, tels que du verre photochimiquement activable,
du carbure de silicium ou du nitrure de silicium.
La valve en équerre représentée à la figure 1, qui est munie d'une plaque de valve selon les figures 2 à 4, se trouve -à l'état désactivé, c'est-àdire, le tube 27 n'étant pas chauffé, ouverte par la formation d'une fente entre l'élément de valve 8 et la plaque de valve 7. Dans la pratique, on a constaté qu'une course de valve de seulement 0,05 mm suffisait déjà pour dégager à l'état ouvert, grâce à la structuration de la plaque de valve, des parcours de flux fournissant une résistance à l'écoulement suffisamment faible de la valve ouverte. Lorsqu'on fait passer du courant et que le tube 14 est ainsi chauffé, l'élément de valve 8 est pressé contre la plaque de valve 7, et la valve est ainsi fermée. L'articulation à rotule 11 permet un appui entièrement plan'entre les surfaces de l'élément de valve 8 et de la plaque
de valve 7 à la position de fermeture.
Si la valve selon l'invention est munie d'une plaque de valve 7 flexible, la plaque de valve doit toujours être placée du côté sollicité par la pression du fluide en attente lorsque la valve est fermée. Lors de l'ouverture de la valve, la plaque de valve 7 est légèrement bombée en direction de l'écoulement du fluide. A l'état fermé, ce bombement est compensé par la pression d'application de l'élément de valve 8 à surface plane, et on a constaté qu'on obtenait avec un tel agencement une étanchéification
particulièrement satisfaisante.
Dans la valve représentée à la figure 5, l'élément de valve 8 est fixé sur une membrane annulaire 27. La membrane annulaire est fixée de manière étanche sur la paroi intérieure du carter I par son bord extérieur. L'intérieur du carter est ainsi divisé en deux chambres partielles, la chambre d'écoulement 28 et la chambre de commande 29. La chambre de commande 29 peut être'reliée par l'intermédiaire d'une ouverture 30 à un dispositif de commande pneumatique, de sorte que la valve peut être en outre commandée pneumatiquement. Afin de séparer électriquement la partie supérieure du carter, conductrice du courant, de la partie inférieure du carter, une bague
isolante 32 est intercalée entre les deux parties du carter.
Comme partie extensible de l'entraînement à faible course, on utilise ici une roue à rayons 31 de forme conique, laquelle est réalisée à partir d'une mince plaque métallique, et présente un moyeu central, une jante fixée sur le carter, et des rayons entre le moyeu et la jante. Si une tension est; par l'intermédiaire des conduites 16 et 17, appliquée entre le moyeu et la jante, l'échauffement des rayons engendre une extension en direction du sommet du cône. Le déplacement du moyeu 31a de la roue à rayons est, par l'intermédiaire d'une broche de transmission 33 montée en force, transmis à l'élément de valve 8, de sorte que ce dernier se décolle de la plaque de valve 7 sous l'action de la précontrainte de la membrane losque la roue à rayons 31
est traversée par du courant: la valve s'ouvre donc.
La figure 6 représente une valve droite, dont le raccord de sortie 34 est disposé coaxialement au carter tubulaire 1. L'élément de valve 8 est précontraint par l'intermédiaire d'un ressort de compression conique 35 en direction de la plaque de valve 7. On utilise comme partie extensible un fil chauffant 36 courbé sensiblement en V, dont le milieu passe par un oeillet de guidage 37 de l'élément de valve 8. Les deux branches du fil chauffant 36 sont, à l'aide de manchons de torsion 38 et 39, montées dans une partie de
couvercle 40 en matériau isolant.
La longueur du fil chauffant 36 est choisie de telle sorte qu'à la température normale, la valve reste ouverte à l'encontre de la précontrainte du ressort de compression 35. L'application de la tension de chauffage sur le fil chauffant 36 engendre une extension du fil, de sorte que la valve se ferme. Avec une telle valve, et en particulier avec la valve selon la forme de réalisation représentée à la figure 6, il est possible de réaliser une mesure capacitive de déplacement, afin de déterminer la distance d'ouverture entre l'élément de valve 8 et la plaque de valve 7. A cet effet, il est prévu dans la forme de réalisation selon la figure 6 une rondelle de guidage 41 en matériau isolant qui est mobile avec l'élément de valve 8, rondelle qui isole l'élément de valve 8 vis-à-vis du carter I et qui présente des évidements traversants 42. La plaque d'étanchéité 9 de l'élément de valve 8 est également réalisée en matériau isolant, par exemple en céramique. Les parties métalliques de l'élément de valve 8 sont reliées électriquement au fil chauffant 36. On peut ainsi déterminer la capacité du condensateur constitué de l'élément de valve 8 et de la plaque de valve 7 qui se trouve au potentiel de masse. Pour la mesure, on utilise un dispositif connu 43 de mesures de capacité. La valeur mesurée de capacité constitue une mesure de la distance entre l'élément de
valve 8 et la plaque de valve 7.

Claims (15)

REVENDICATIONS
1. Valve asservissable électriquement, notamment pour fluides gazeux, dans laquelle un élément de valve (8) est disposé en vis-à-vis d'une plaque de valve (7) munie d'un certain nombre de découpures (24), et l'élément de valve et la plaque de valve peuvent, par un dispositif d'entraînement à faible course, coulisser l'un par rapport à l'autre perpendiculairement à la surface de la plaque en dégageant plusieurs lignes d'étanchéité, caractérisée en ce
que la plaque de valve (7) munie de plusieurs découpures (24) est dotée d'une.
structure superficielle selon laquelle des canaux d'écoulement (23), ouverts vers le côté de l'élément de valve (8) et débouchant sur le bord de la plaque de valve (7), sont présents entre des parties (22) saillantes constituant des surfaces d'appui pour l'élément de valve, les découpures (24) étant situées à l'intérieur de ces parties saillantes (22) , et en ce que l'élément de valve (8) présente, au moins dans les régions situées en vis-à-vis des découpures (24),
une surface d'appui plane vis-à-vis de la plaque de valve.
2. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce que la plaque -de
valve (7) présente des découpures produites par masquage.
3. Valve selon la revendication 2, caractérisée en ce que la plaque de
valve (7) est réalisée en un matériau semiconducteur.
4. Valve selon la revendication 3, caractérisée en ce que le matériau
semiconducteur est du silicium.
5. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'une découpure
(24) est disposée dans chaque partie saillante (22).
6. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce que les parties saillantes (26) sont réalisées en forme de barrettes, présentent un certain nombre de découpures (24) successives dans le sens longitudinal des parties saillantes, et forment des canaux d'écoulement (23) entre les parties
saillantes voisines.
7. Valve selon la revendication 2, caractérisée en ce que les découpures
(24) sont configurées en cônes dans la plaque de valve (7).
8. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'élément de valve (8) ou la plaque de valve (7) présente un élément de jonction (11, 33, 37) vers l'entraînement à faible course, élément qui permet une orientation
de position vis-à-vis de la plaque de valve.
9. Valve selon la revendication 8, caractérisée en ce que l'élément de
jonction est du type articulation à rotule.
10. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'entraînement à faible course présente une partie extensible (14, 31, 36) chauffable par résistance électrique, partie qui est assemblée d'un côté à
l'élément de valve (8) ou la plaque de valve (7).
11. Valve selon la revendication 10, caractérisée en ce que la partie extensible (14) est tubulaire.
12. Valve selon la revendication 10, caractérisée en ce que la partie extensible (36) est filiforme, et en ce que l'élément de valve est placé sous la précontrainte d'un élément élastique (35) qui pousse l'élément de valve (8)
en position d'isolement.
13. Valve selon la revendication 11, caractérisée en ce que la partie extensible tubulaire (14) est montée d'un côté solidairement au carter dans un
support mou élastique (18, 19, 20).
14. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'élément de valve est disposé contre une membrane annulaire (27), et en ce qu'une broche de transmission (33) est montée en force entre cette membrane annulaire (27)
et une partie extensible (31) en forme de roue à rayons.
15. Valve selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'un dispositif de mesure (42) est prévu pour la mesure capacitive de déplacement entre
l'élément de valve (8) et la plaque de valve (7).
FR878714732A 1986-10-16 1987-10-14 Valve asservissable electriquement Expired - Fee Related FR2605382B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863635216 DE3635216A1 (de) 1986-10-16 1986-10-16 Elektrisch ansteuerbares ventil

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2605382A1 true FR2605382A1 (fr) 1988-04-22
FR2605382B1 FR2605382B1 (fr) 1990-05-04

Family

ID=6311835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR878714732A Expired - Fee Related FR2605382B1 (fr) 1986-10-16 1987-10-14 Valve asservissable electriquement

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4750520A (fr)
JP (1) JPS63106476A (fr)
DE (1) DE3635216A1 (fr)
FR (1) FR2605382B1 (fr)
GB (1) GB2197438B (fr)

Families Citing this family (282)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3814150A1 (de) * 1988-04-27 1989-11-09 Draegerwerk Ag Ventilanordnung aus mikrostrukturierten komponenten
JPH02146380A (ja) * 1988-11-25 1990-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流体制御弁
DE3917423C1 (fr) * 1989-05-29 1990-05-31 Buerkert Gmbh & Co Werk Ingelfingen, 7118 Ingelfingen, De
US4973024A (en) * 1989-09-26 1990-11-27 Toki Corporation Kabushiki Kaisha Valve driven by shape memory alloy
DE4344191C1 (de) * 1993-12-23 1995-01-19 Orange Gmbh Steuerventil für eine Kraftstoffeinspritzvorrichtung
US5949522A (en) * 1996-07-03 1999-09-07 Manne; Joseph S. Multimedia linked scent delivery system
TW386150B (en) * 1996-11-08 2000-04-01 Matsushita Electric Works Ltd Flow control valve
US6247678B1 (en) 1999-11-01 2001-06-19 Swagelok Company Shape memory alloy actuated fluid control valve
DE10025749C1 (de) * 2000-05-24 2001-10-31 Continental Ag Ventil für eine Kraftfahrzeug-Luftfeder mit Zusatzvolumen
DE10233601A1 (de) 2002-07-24 2004-02-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ventil mit kompaktem Betätigungsmechanismus
US6843465B1 (en) * 2003-08-14 2005-01-18 Loren W. Scott Memory wire actuated control valve
US7484528B2 (en) * 2004-12-23 2009-02-03 Alfmeier Prazision Ag Baugruppen Und Systemlosungen Valve
DE102005060217B4 (de) * 2004-12-23 2008-10-09 Alfmeier Präzision AG Baugruppen und Systemlösungen Ventil
WO2007013498A1 (fr) * 2005-07-26 2007-02-01 Matsushita Electric Works, Ltd. Petite valve
KR100914745B1 (ko) * 2007-11-13 2009-08-31 세메스 주식회사 밸브 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8585776B2 (en) 2011-02-03 2013-11-19 Ut-Battelle, Llc Mesofluidic controlled robotic or prosthetic finger
US8616237B2 (en) 2011-02-03 2013-12-31 Ut-Battelle, Llc Mesofluidic two stage digital valve
US20120199763A1 (en) * 2011-02-03 2012-08-09 Lind Randall F Mesofluidic shape memory alloy valve
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
EP2781742A1 (fr) * 2013-01-17 2014-09-24 Danfoss A/S Actionneur d'alliage à mémoire de forme pour soupape de système de réfrigération
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
DE102014105100B4 (de) 2014-04-10 2017-11-30 Otto Egelhof Gmbh & Co. Kg Ventil, insbesondere Regel- oder Abschaltventil, für flüssige oder gasförmige Medien
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
EP3156746B1 (fr) 2015-10-14 2020-12-30 Danfoss A/S Soupape d'expansion et système de compression de vapeur
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11067187B2 (en) 2016-01-27 2021-07-20 Regents Of The University Of Minnesota Fluidic control valve with small displacement actuators
US10330212B2 (en) * 2016-01-27 2019-06-25 Regents Of The University Of Minnesota Fluidic control valve with small displacement actuators
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
DE102018112065A1 (de) * 2018-05-18 2019-11-21 Memetis Gmbh Ventil mit Aktuator aus einer Formgedächtnislegierung in flacher Geometrie
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) * 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK72995C (da) * 1949-05-25 1951-08-27 Svend Axel Joergen Mansted Pladeventil, især til stempelkompressorer.
US3465962A (en) * 1968-03-29 1969-09-09 Garrett Corp Electro-pneumatically controlled air conditioning system
DE1523388A1 (de) * 1964-12-09 1970-01-02 Satchwell Controls Ltd Elektrisch betaetigter Waermeausdehnungs-Stellantrieb
US3625002A (en) * 1969-10-21 1971-12-07 Integrated Dev And Mfg Co Electrical actuator
GB1319896A (en) * 1970-08-31 1973-06-13 Bendix Corp Solenoid valve with stroke insensitive port
US3845931A (en) * 1973-06-11 1974-11-05 Texas Instruments Inc Valve
DE2434392A1 (de) * 1974-07-17 1976-01-29 Hahn Meitner Kernforsch Thermomechanisches ventil
DE3006298A1 (de) * 1980-02-20 1981-08-27 Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart Elektrisch angesteuertes ventil, insbesondere vorsteuerventil fuer logistoren
GB2155152A (en) * 1984-03-01 1985-09-18 Allied Corp A microminiature valve
EP0208386A1 (fr) * 1985-02-21 1987-01-14 Ford Motor Company Limited Soupape de silicium

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1150779A (en) * 1915-01-14 1915-08-17 Eugene Lannegrace Valve.
US1300918A (en) * 1918-05-24 1919-04-15 Leon Bloch Valve.
GB377156A (en) * 1930-01-11 1932-07-21 Louis Friedmann Improvements in or relating to a method of and arrangement for regulating heating systems
US2261562A (en) * 1939-06-01 1941-11-04 William A Ray Fluid control valve
US2838068A (en) * 1951-02-10 1958-06-10 Gen Controls Co Electromagnetic valve
AT243420B (de) * 1963-05-08 1965-11-10 Enfo Grundlagen Forschungs Ag Mehrringventil
US3613732A (en) * 1969-07-17 1971-10-19 Robertshaw Controls Co Temperature-responsive valve operators
US3853268A (en) * 1971-03-11 1974-12-10 Rau Fa G Temperature responsive valves
DE2549855A1 (de) * 1975-11-06 1977-09-22 Wipf Ag Ueberdruckventil, insbesondere fuer flexible verpackungsbehaelter
US4300552A (en) * 1978-09-01 1981-11-17 Imed Corporation Apparatus for controlling the flow of intravenous fluid to a patient
US4300595A (en) * 1979-11-28 1981-11-17 The Bendix Corporation Solenoid control valve

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK72995C (da) * 1949-05-25 1951-08-27 Svend Axel Joergen Mansted Pladeventil, især til stempelkompressorer.
DE1523388A1 (de) * 1964-12-09 1970-01-02 Satchwell Controls Ltd Elektrisch betaetigter Waermeausdehnungs-Stellantrieb
US3465962A (en) * 1968-03-29 1969-09-09 Garrett Corp Electro-pneumatically controlled air conditioning system
US3625002A (en) * 1969-10-21 1971-12-07 Integrated Dev And Mfg Co Electrical actuator
GB1319896A (en) * 1970-08-31 1973-06-13 Bendix Corp Solenoid valve with stroke insensitive port
US3845931A (en) * 1973-06-11 1974-11-05 Texas Instruments Inc Valve
DE2434392A1 (de) * 1974-07-17 1976-01-29 Hahn Meitner Kernforsch Thermomechanisches ventil
DE3006298A1 (de) * 1980-02-20 1981-08-27 Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart Elektrisch angesteuertes ventil, insbesondere vorsteuerventil fuer logistoren
GB2155152A (en) * 1984-03-01 1985-09-18 Allied Corp A microminiature valve
EP0208386A1 (fr) * 1985-02-21 1987-01-14 Ford Motor Company Limited Soupape de silicium

Also Published As

Publication number Publication date
FR2605382B1 (fr) 1990-05-04
GB2197438A (en) 1988-05-18
US4750520A (en) 1988-06-14
DE3635216A1 (de) 1988-04-21
GB2197438B (en) 1990-11-21
GB8724141D0 (en) 1987-11-18
JPS63106476A (ja) 1988-05-11
JPH0310832B2 (fr) 1991-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2605382A1 (fr) Valve asservissable electriquement
EP0737273B1 (fr) Micropompe
FR2717262A1 (fr) Détecteur de pression.
EP0112746A1 (fr) Dispositif de liaison perfectionné à assemblage et démontage rapides
FR2865803A1 (fr) Capteur de pression comportant un diaphragme
FR2823683A1 (fr) Filtre a fluide pour moteur de vehicule automobile
FR2731475A1 (fr) Dispositif de montage d'un composant electrique de chauffage et/ou de refroidissement sur un verin thermique
EP1718477A1 (fr) Instrument d'ecriture comportant un dispositif d"alimentation a valve
FR2625788A1 (fr) Vanne mitigeuse thermostatique
EP1217272B1 (fr) Electrovanne
FR2458810A1 (fr) Capteur de vitesse angulaire, et procede pour sa fabrication et son etanchage hermetique
CH687098A5 (fr) Dispositif d'assemblage par pincement d'une pièce élastiquement compressible.
FR2708209A1 (fr) Dispositif de nettoyage, notamment de dépoussiérage, pour un atomiseur.
FR2661478A1 (fr) Robinet tournant pour circuit sous vide.
FR2569813A1 (fr) Soupape a clapet miniature et son procede de fabrication
FR2772913A1 (fr) Capteur de mesure d'une grandeur physique
EP1078229B1 (fr) Compteur de gaz pourvu de moyens de guidage ameliores
FR2474630A1 (fr) Dispositif d'etancheite pour isoler de facon etanche deux espaces dont les pressions sont differentes
EP0521800A1 (fr) Dispositif de raccordement rapide d'un circuit pneumatique sous pression sur un appareil
FR2608382A1 (fr) Porte-cigarette a enlevement de goudron
CH683792A5 (fr) Dispositif de dosage micrométrique.
EP0681129B1 (fr) Valve hydraulique à commande électromagnétique pulsée
FR2460002A1 (fr) Regulateur de debit de liquide
EP0176452A1 (fr) Dispositif de support et de réglage en orientation d'organes divers par rapport à un plan de référence
FR2831640A1 (fr) Raccord pour la jonction de deux tubes

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse