FR2481519A1 - Dispositif photovoltaique et procede de fabrication - Google Patents
Dispositif photovoltaique et procede de fabrication Download PDFInfo
- Publication number
- FR2481519A1 FR2481519A1 FR8009087A FR8009087A FR2481519A1 FR 2481519 A1 FR2481519 A1 FR 2481519A1 FR 8009087 A FR8009087 A FR 8009087A FR 8009087 A FR8009087 A FR 8009087A FR 2481519 A1 FR2481519 A1 FR 2481519A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- recesses
- wafer
- main surface
- thin
- conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 9
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005021 gait Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
LE DISPOSITIF COMPREND: -UNE PLAQUETTE 11 D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN A SYMETRIE CUBIQUE POSSEDANT UN PREMIER TYPE DE CONDUCTIVITE, CETTE PLAQUETTE AYANT DEUX SURFACES PRINCIPALES 12, 13 OPPOSEES PARALLELES, DONT CHACUNE EST PARALLELE A UN PLAN CRISTALLOGRAPHIQUE 100 DE LA PLAQUETTE ET COMPORTANT UN CERTAIN NOMBRE D'EVIDEMENTS 15 DE FORME PYRAMIDALE QUADRANGULAIRE DONT LA BASE EST COPLANAIRE AVEC LA PREMIERE SURFACE PRINCIPALE 12 ET LES FLANCS 16 SONT PARALLELES A UN PLAN 111 DU MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR; -UNE PREMIERE REGION MINCE 21, DE CONDUCTIVITE DE TYPE OPPOSE, CONTIGUE A LA SECONDE SURFACE PRINCIPALE 13 DE LA PLAQUETTE; -UNE SECONDE REGION MINCE 22, DE CONDUCTIVITE DE TYPE OPPOSE, CONTIGUE A LA PREMIERE SURFACE PRINCIPALE 12 DE LA PLAQUETTE; -PLUSIEURS TROISIEMES REGIONS MINCES 23, DE CONDUCTIVITE DE TYPE OPPOSE, CHACUNE CONTIGUE AUX FLANCS DES EVIDEMENTS ET EN CONTACT AVEC LA PREMIERE ET LA SECONDE REGION MINCE; -UNE PREMIERE COUCHE CONDUCTRICE 35 RELIEE A LA SECONDE ET A LA TROISIEME REGION MINCE, ET -UNE SECONDE TOUCHE CONDUCTRICE 32, 34, RELIEE A LA REGION DE LA PLAQUETTE DONT LA CONDUCTIVITE EST DU PREMIER TYPE SUR UNE PARTIE DE LA PREMIERE SURFACE PRINCIPALE. APPLICATION AUX PILES SOLAIRES.
Description
L'invention concerne, d'une manière générale, les dispositifs photovoltaiques à semiconducteur communément appelés piles solaires et les procédés mis en oeuvre pour les fabriquer.
Dans une réalisation destinée à illustrer l'invention, on réalise un corps de matériau semiconducteur monocristallin à symétrie cubique dont la conductivité est d'un premier type, ce corps a deux surfaces principales opposées parallèles; dont chacune est parallèle à un plan cristallographique (100) du corps. On réalise dans le corps une série d'évidements, dont chacun, partant d'une première des surfaces principales, pénètre d'une distance uniforme dans le corps. Les flancs de chacun des évidements constituent des pyramides quadrangulaires dont les bases sont coplanaires avec la première surface principale. Chacun des flancs des évidements est parallèle à un plan (111) du corps. On réalise dans le corps, une première région mince dont la conductivité est de type opposé au premier, cette région étant contiguë à la seconde surface principale du corps.On réalise dans le corps une seconde région mince dont la conductivité est de type opposé au premier, cette région étant contiguë à la première surface principale du corps. On réalise dans le corps une série de troisièmes régions minces dont la conductivité est de type opposé au premier, chacune de ces régions étant contiguë aux flancs d'un des évidements. Chacune des troisièmes régions minces est en contact avec les premières et secondes régions minces. On réalise une première couche conductrice (première électrode), reliée aux secondes et troisièmes régions minces qui ont une conductivité de type opposé au premier. On réalise une seconde couche conductrice (seconde électrode) reliée à la région du corps dont la conductivité est du premier type, cette couche recouvrant une partie de la première surface principale.
La description qui va suivre se réfère aux figures annexées, qui représentent respectivement
- figure 1, une vue en plan d'un dispositif photovoltaïque à semiconducteur correspondant'à une réalisation de la présente invention ; cette vue représente la surface arrière du dispositif, c'est- -dire celle ou se trouve l'interconnexion de ses électrodes
- figure 2, une vue en coupe du dispositif de la figure 1 faite le long des lignes 2-2 ; cette vue représente la structure interne du dispositif
- figure 3, une vue en plan et de dessous du dispositif de la figure 1 ; cette vue représente la surface avant du dispositif, c'est-à-dire qui reçoit le rayonnement
- figure 4, un tableau de marche d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 suivant la présente invention ;
- figures à 5d, des représentations schématiques de coupes verticales à travers un corps de matériau dusemiconducteur (silicium monocristallin) au cours de la fabrication du dispositif à semi-conducteur suivant le procédé indiqué dans le tableau de marche de la figure 4
- figure 6, une vue en plan et de dessus d'un dispositif photovoltaique à semi-conducteur correspondant à une autre réalisation de la présente invention ; cette vue représente la surface arrière du dispositif, c'est-à-dire la surface ou se trouve l'interconnexion de ses électrodes
- figure 7, une vue en coupe du dispositif de la figure 6 faite le long des lignes 7-7 ; cette vue représente la structure interne du dispositif
- figure 8, une vue en plan et de dessous du dispositif de la figure 6 ; cette vue représente la surface avant du dispositif, c'est-à-dire celle qui reçoit le rayonnement
- figure 9, un tableau de marche du procédé de fabrication du dispositif des figures 6 à 8 suivant la présente invention ; et
- figures 10a à 10d, des représentations schématiques de coupes verticales à travers un corps de matériau semi-conducteur (silicium monocristallin) au cours de la fabrication du dispositif à semi-conducteur suivant le procédé indiqué dans le tableau de marche de la figure 9.
- figure 1, une vue en plan d'un dispositif photovoltaïque à semiconducteur correspondant'à une réalisation de la présente invention ; cette vue représente la surface arrière du dispositif, c'est- -dire celle ou se trouve l'interconnexion de ses électrodes
- figure 2, une vue en coupe du dispositif de la figure 1 faite le long des lignes 2-2 ; cette vue représente la structure interne du dispositif
- figure 3, une vue en plan et de dessous du dispositif de la figure 1 ; cette vue représente la surface avant du dispositif, c'est-à-dire qui reçoit le rayonnement
- figure 4, un tableau de marche d'un procédé de fabrication du dispositif des figures 1 à 3 suivant la présente invention ;
- figures à 5d, des représentations schématiques de coupes verticales à travers un corps de matériau dusemiconducteur (silicium monocristallin) au cours de la fabrication du dispositif à semi-conducteur suivant le procédé indiqué dans le tableau de marche de la figure 4
- figure 6, une vue en plan et de dessus d'un dispositif photovoltaique à semi-conducteur correspondant à une autre réalisation de la présente invention ; cette vue représente la surface arrière du dispositif, c'est-à-dire la surface ou se trouve l'interconnexion de ses électrodes
- figure 7, une vue en coupe du dispositif de la figure 6 faite le long des lignes 7-7 ; cette vue représente la structure interne du dispositif
- figure 8, une vue en plan et de dessous du dispositif de la figure 6 ; cette vue représente la surface avant du dispositif, c'est-à-dire celle qui reçoit le rayonnement
- figure 9, un tableau de marche du procédé de fabrication du dispositif des figures 6 à 8 suivant la présente invention ; et
- figures 10a à 10d, des représentations schématiques de coupes verticales à travers un corps de matériau semi-conducteur (silicium monocristallin) au cours de la fabrication du dispositif à semi-conducteur suivant le procédé indiqué dans le tableau de marche de la figure 9.
Les figures 1, 2 et 3 représentent un dispositif pho tovoltaique 10 à semi-conducteur mettant en oeuvre la présente invention. Ce dispositif comporte un corps ou plaquette 11 de matériau semi-conducteur (silicium monocristallin) dont la conductivité est de type p, dont la résistivité est par exemple 0,3 ohm.cm. La plaquette 11 a deux surfaces principales parallèles opposées 12 et 13, dont chacune est parallèle à un plan cristallographique (100) de la plaquette. La plaquette 11 comporte une série d'évidement 15 dont chacun va de la surface principale (surface arrière) 12 à la surface principale opposée (surface avant) 13. Chacun des évidements a quatre flancs 16 de profil identique qui constituent les faces d'une pyramide quadrangulaire tronquée.La base de la pyramide est coplanaire avec la surface arrière 12, et la surface tronquée de la pyramide est coplanaire avec la surface avant 13.
ainsi, chacun des évidements 15 a une grande ouverture dans le plan de la surface arrière 12 et une petite ouverture dans le plan de la surface avant 13. Une première région mince 21 de conductivité de type n a été formée au voisinage immédiat de la surface avant 13 de la plaquette. Une seconde région mince 22 de conductivité de type n a été formée dans la plaquette au voisinage immédiat de la surface arrière 12. Une série de troisièmes régions minces 23 de conductivité de type n ont été formées chacune au voisinage immédiat des flancs 16 des évidements 15. Chacune des troisièmes régions minces 23 est en contact à la fois avec la première région mince 21 et avec la seconde région mince 22.
La plaquette 11 du semi-conducteur (silicium) de type p peut être dopée avec du bore et avoir une concentration d'activateur égale à environ 1017 atomes par centimètre cube, ce qui lui donne une résistivité d'environ 0,3 ohm.cm. La première, la seconde et les troisièmes régions minces respectivement 21, 22 et 23, de conductivité de type n, peuvent avoir en surface une concentration globale d'activateur égale à environ 1020 atomes de phosphore par centimètre cube, ce qui lui donne une résistivité d'environ 0,001 ohm.cm. L'épaisseur de la première région mince 21 est de préférence inférieure à un micron pour qu'une partie importante du rayonnement incident puisse pénétrer au-delà de la jonction p-n formée au voisinage immédiat de la surface avant 13 et être absorbée dans la plaquette 11.La résistance série du dispositif 10 dépend de la résistivité de la première région mince 21 et de son épaisseur, ainsi que de la taille des extrémités tronquées des pyramides et de leur écartement. Pour abaisser la résistance série, il est souhaitable de diminuer la résistivité et d'augmenter l'épaisseur de cette région mince. Mais ces opérations y augmentent l'absorption du rayonnement et y réduisent aussi la durée de vie des porteurs minoritaires ; elles ont donc pour conséquence une réduction du rendement de la transformation du rayonnement incident en électricité. On choisit la résistivité de la première région mince 21 en tenant compte de ces faits, conformément à la technologie éprouvée des piles solaires.La seconde et les troisièmes régions minces de conductivité de type n sont de préférence nettement plus épaisses (leur épaisseur est par exemple de l'ordre de 2 à 10 microns) afin d'être peu résistantes et d'avoir une épaisseur suffisante pour pouvoir y lier des films ou des couches métalliques sans détruire la bonne qualité des jonctions p-n qu'elles forment avec la plaquette 11 de conductivité de type p.
Les évidements 15 représentés sont disposés suivant un motif régulier consistant en groupes d'évidements. Dans le plan de la surface arrière 12, les évidements se présentent sous forme de carrés. Chaque groupe de carrés se compose de trois colonnes et de plusieurs rangées. Sur la figure, les carrés d'une rangée sont équidistants ; il en est de même des carrés d'une colonne. Dans cet exemple, l'écartement des carrés d'une rangée, ainsi que l'écartement des carrés d'une colonne, est égal à la longueur d'un côté d'un carré, mais cette égalité n'est pas fondamentale. La distance entre les colonnes adjacentes des groupes successifs de carrés est égale à trois fois la longueur du côté d'un carré. On donne le nom de "rue" a une zone 31 de la surface arrière 12 orientée comme une colonne et ne comprenant pas la seconde région mince 22 de conductivité de type n. Par ailleurs, on donne le nom d'avenue a une zone 33 de la bande de la surface arrière 12 orientée comme une rangée à une certaine distance au-dessus de la première rangée de carrés et ne comprenant pas la seconde région mince de conductivité de type n.
Ces rues" et des "avenues" ont une conductivité de type p et permettent la réalisation de connexions-ohmiques ou à faible impédance avec la plaquette 11 pour constituer une des électrodes conductrices de courant du dispositif. On voit sur les figures 1 et 2 que des doigts conducteurs 32, orientés comme les colonnes, sont liés aux rues 31. Les doigts conducteurs 32 s'associent au conducteur commun 34 lié à "l'avenue" 33 de la surface arrière 12 pour constituer la seconde électrode du dispositif. La première électrode 35 du dispositif est fournie par une couche conductrice 35 liée à la seconde et aux troisièmes régions à conductivité de type n.
La couche conductrice 35 consiste en larges conducteurs en forme de doigt, orientés comme les colonnes, qui recouvrent chacun un groupe d'évidements et lui sont liés. Les larges conducteurs en forme de doigt sont interconnectés sur leur côté le plus éloigné du conducteur commun 34.
On fera en sorte que la plaquette Il de semi-conducteur ne soit pas si mince qu'il soit difficile de la manipuler en cours de fabrication, ni qu'elle soit si épaisse que les por teurs produits par le rayonnement incident se recombinent dans la plaquette avant d'être collectés par une jonction p-n contiguë.Une bonne épaisseur est 0,25 mm. En opérant avec le procédé d'attaque sélective ici décrit pour obtenir les évidements 15, cette dimension de départ donnera des évidements dont l'ouverture carrée aura environ 0,38 mm de côté, avec la structure représentée sur les figures 1, 2 et 3. On donne au côté d'une ouverture carrée une dimension légèrement supérieure au produit de lMépaisseur de la plaquette par#2.
On se reportera maintenant aux figures 4 et Sa à 5d, qui représentent un mode de fabrication des dispositifs des figures 1 à 3 suivant un autre aspect de la présente invention, pour obtenir une pile solaire composée d'une plaquette de conductivité de type p Dans un lingot de conductivité de type p, on découpe un morceau de silicium monocristallin pour avoir une plaquette 11 ayant deux surfaces principales paral lèves opposées, chacune parallèle à un plan cristallographique (100) de la plaquette.Le lingot de conductivité de type p a été dopé au moyen d'un agent de dopage approprié (tel que le bore) pour conférer à la plaquette une résistivité convenable (par exemple 0,3 ohmOcm)O On attaque les surfaces principales de la plaquette pour avoir une plaquette épaisse d'environ 0,25 mm et possédant deux surfaces planes et lisses 12 et 13. Après un nettoyage standard, on oxyde la plaquette à la vapeur en choisissant un temps et une température qui donnent une couche mince 41 de dioxyde de silicium épaisse d'environ 1 micron sur chacune des surfaces principales 12 et 13 de la plaquette.On traite la couche 41 de dioxyde de silicium recouvrant la surface arrière 12 de la plaquette par des techniques classiques (masquage photorésistant et attaque chimique) pour réaliser dans cette couche des ouvertures carrées qui mettent à nu la surface arrière 12. Les ouvertures carrées sont disposées en groupes comprenant chacun trois colonnes et plusieurs rangées. La distance entre les carrés d'une rangée est égale à la longueur du côté d'un carré, et de même, la distance entre les carrés d'une colonne est égale à la longueur du côté d'un carré. L'axe d'une colonne de carrés et l'axe d'une rangée de carrés sont tous deux parallèles à une direction cristallographique < 110 > de la plaquette sur la surface arrière 12.Dans le sens des rangées, chaque groupe d'ouvertures carrées est séparé d'un groupe contigu d'ouvertures carrées par de larges zones de dioxyde de silicium sans ouvertures et recouvrant la partie de la surface arrière 12 dénommée "rue". Pour une plaquette épaisse de 0,25 mm, on donne aux côtés des ouvertures carrées une longueur de 0,38 mm, de façon que, si le silicium laissé à découvert par les ouvertures carrées est soumis à une attaque anisotrope, comme décrit plus loin, il y ait formation d'un évidement de forme pyramidale allant jusqu'à la surface principale opposée (surface avant) 13, évidement dont les flancs sont parallèles aux plans (111) de la plaquette, lesquels font un angle de 54,7 avec la surface arrière 12.Après nettoyage, on plonge la plaquette dans un agent d'attaque anisotrope approprié, tel qu'un mélange d'environ 3 parties en volume d'une solution d'hydroxyde de potassium à 45 % et de 1 partie en volume d'alcool isopropylique, et on l'y laisse un temps suffisant pour que l'attaque ait lieu dans les parties de la plaquette laissées à découvert par les ouvertures carrées. L'agitation de l'agent d'attaque par les ultra-sons facilite son action.
Les évidements 15 produits par l'attaque vont jusqu'à la surface opposée (surface avant) 13. Les évidements ont la forme de pyramides quadrangulaires dont les bases sont des carrés sur la surface arrière 12 (figure Sa et aussi figures 1, 2 et 3). Ensuite, on recouvre d'une cire de protection la couche 41 de dioxyde de silicium recouvrant les rues 31 et les "avenues" 32, ainsi que la. couche de dioxyde de silicium recouvrant la surface avant 13 de la plaquette.
On plonge ensuite la plaquette dans un agent d'attaque (acide fluorhydrique tamponne) pour faire disparaître de la surface arrière 12 la partie de la couche 41 de dioxyde de silicium non recouverte de cire. Après nettoyage, on fait diffuser dans les surfaces laissées à découvert 12 et 16 (surface arrière et flancs) de la plaquette un donneur tel que le phosphore pour former dans la plaquette la seconde région mince 22 et les troisièmes régions minces 23, qui sont épaisses de 2 à 10 microns environ et présentent une résistivite relativement faible (figure 5b).Cette opération peut être une diffusion en tube ouvert au cours de laquelle un verre (phosphosilicate) se dépose sur la surface laissée à découvert de la plaquette puis diffuse à une certaine tempé- rature pendant un temps suffisant pour donner à la seconde et aux troisièmes régions minces l'épaisseur et la résistivité voulues.
Tout en protégeant la couche 41 de dioxyde de silicium qui recouvre les "rues" et avenues 31 et 33 en déposant sur elles de la cire, la couche de dioxyde de silicium qui se trouve sur la surface avant 13 est enlevée dans un agent d'attaque approprie tel que l'acide fluorhydrique tam ponné. Après quoi, la plaquette 11 est soumise à une opération de diffusion, au cours de laquelle du phosphore diffuse sur une faible profondeur dans la surface avant 13 pour donner la première région mince 21 du dispositif des figures 1, 2 et 3 celle-ci aura par exemple moins de 1 micron d'épaisseur et présentera une faible résistivité. On pourrait aussi utiliser le processus de diffusion#en tube ouvert mentionné. plus haut pour obtenir cette première région mince 21. Le temps et la température utilisés sont choisis de façon à donner à cette première région mince 21 la profondeur et la résistivité voulues. Dans l'opération suivante, la couche de dioxyde de silicium recouvrant les "rues" et les avenues de la plaquette, et le verre (phosphosilicate) recouvrant les parties restantes de la surface arrière 12, les flancs 16 des évidements 15 et la surface avant 13 est retirée par attaque dans un agent approprié tel que l'acide fluorhydrique tam ponné, puis on nettoie la plaquette. Ensuite, on métallise la surface arrière 12 ainsi que les flancs 16 des évidements 15 avec un métal tel que l'aluminium jusqu'à obtention d'une épaisseur convenable, par exemple 2 microns.Puis on attaque sélectivement la couche d'aluminium en employant les techniques bien connues des spécialistes que sont le masquage photorésistant et l'attaque chimique, pour obtenir une première couche conductrice (première électrode) 35 qui assure le contact avec la seconde région mince 22, de conductivité de type n, contiguë à la surface arrière 12 et avec les troisièmes régions minces 23, de conductivité de type n, contiguës aux flancs des évidements, et une seconde couche conductrice (doigt 32 et conducteur commun 34 constituant la seconde électrode) qui recouvre les "rues" et les "avenues" et assure le contact avec la plaquette 11 en matériau semi-conducteur de type p sur la surface arrière de celle-ci.
On se reportera maintenant aux figures 6, 7 et 8, qui représentent une autre mise en oeuvre conforme à la présente invention et semblable à celle des figures 1, 2 et 3. Les éléments du dispositif des figures 6, 7 et8 qui sont identiques à ceux du dispositif des figures 1, 2 et 3 ont la même désignation. La différence essentielle entre ce dispositif et le précédent est que les évidements 15 s'arrêtent en un point 37 situé à faible distance de la surface avant 13. Cette distance est inférieure à l'épaisseûr des troisièmes régions minces 23, de conductivité de type opposé, contiguës aux flancs 16 des évidements, si bien que les troisièmes régions minces 23 sont reliées avec la première région mince 21.On remarquera, en se référant aux figures 8, 9 et 10, qu'on obtient ce résultat en donnant aux côtés des ouvertures carrées une longueur legerement inferieure au produit de l'épaisseur de la plaquette par\È2.
On se reportera maintenant aux figures 9 et 10a à 10d, qui représentent un mode de fabrication du dispositif des figures 6 à 8 suivant un autre aspect de la présente invention. Le procédé correspondant aux figures 9 et 10a à 10d est semblable à celui correspondant aux figures 4 et 5a à 5d, la seule différence étant que l'on fait les troisièmes régions minces 23 plus épaisses et que l'on donne aux côtés des ouvertures carrées une longueur inférieure au produit de
L'épaisseur de la plaquette par go Si bien que les évidements 15 représentés sur la figure 10a s'enfoncent dans la plaquette jusqu'à ces points 37 qui sont à courte distance de la surface avant 13.On fait en sorte que la distance prédéterminée entre le point 37 (sommet de 1'évidement) et la surface avant 13 soit inférieure à l'épaisseur des troisiemes régions minces 23 à conductivité de type opposé, pour que, lors de la formation des différentes régions minces (première, seconde et troisièmes) dans la plaquette, les troisièmes régions minces soient au contact de la première région mince 21 et assurent avec celle-ci une connexion à faible résistance. Si l'on suppose que les troisièmes régions minces 23 ont une épaisseur de 40 microns, on peut prendre comme distance entre le point 37 et la surface avant 13 environ 20 microns.On obtiendrait des évidements pénétrant à environ 20 microns de la surface avant 13 en partant dsou- vertures carrées dont le côté est égal au produit par < de l'épaisseur de la plaquette diminuée de 20 microns. Pour une plaquette de 0,25 mm, les côtés des carrés devraient faire 0,33 mm. L'attaque anisotrope de la plaquette s'arrêterait quand le point 37, représentant l'intersection des plans (111), est atteint.
L'épaisseur de la plaquette par go Si bien que les évidements 15 représentés sur la figure 10a s'enfoncent dans la plaquette jusqu'à ces points 37 qui sont à courte distance de la surface avant 13.On fait en sorte que la distance prédéterminée entre le point 37 (sommet de 1'évidement) et la surface avant 13 soit inférieure à l'épaisseur des troisiemes régions minces 23 à conductivité de type opposé, pour que, lors de la formation des différentes régions minces (première, seconde et troisièmes) dans la plaquette, les troisièmes régions minces soient au contact de la première région mince 21 et assurent avec celle-ci une connexion à faible résistance. Si l'on suppose que les troisièmes régions minces 23 ont une épaisseur de 40 microns, on peut prendre comme distance entre le point 37 et la surface avant 13 environ 20 microns.On obtiendrait des évidements pénétrant à environ 20 microns de la surface avant 13 en partant dsou- vertures carrées dont le côté est égal au produit par < de l'épaisseur de la plaquette diminuée de 20 microns. Pour une plaquette de 0,25 mm, les côtés des carrés devraient faire 0,33 mm. L'attaque anisotrope de la plaquette s'arrêterait quand le point 37, représentant l'intersection des plans (111), est atteint.
Les dispositifs photovoltalques de la présente invention possèdent un certain nombre de caractéristiques qui augmentent leur rendement par rapport aux dispositifs photovoltaïques classiques. La surface avant, qui reçoit le rayonnement, n'a pas de grille métallique, ce qui supprime les pertes dues aux ombres. L e absence de grille obtenue par métallisation sur la surface avant supprime la dégradation qu'entraîne pour la mince jonction p-n de la surface avant le métal qui la recouvre dans les dispositifs classiques. On réalise plus profondément la jonction p-n contiguë à la surface arrière du présent dispositif pour éviter cet inconvénient. La résistance série en est notablement réduite.La résistance d'étalement dans la première région mince 21 des figures 1 à 3, qui est contiguë à la surface avant, autour des petits trous de celle-ci, est de beaucoup inférieure à celle d'un réseau de contacts en lignes parallèles ayant la même surface, et la chute ohmique le long de ces lignes ellesmêmes est supprimée. Par ailleurs, les couches de métallisation sur la seconde région mince 22 et sur les troisièmes régions minces 23 fournissent un trajet à basse impédance vers la première région mince 21, au même titre que la seconde région 22 et les troisièmes régions minces 23. De plus, la collecte du courant se fait à la fois sur la surface avant et sur la surface arrière des dispositifs, ce qui réduit les pertes par recombinaison des porteurs.L'orientation cristallographique (100) nécessaire pour la formation des évidements pyramidaux permet aussi la création d'une surface avant texturée, ce qui réduit les pertes par réflexion. Enfin, on peut appliquer des couches antiréfléchissantes sur la surface avant pour en réduire encore les pertes par réflexion. Le rendement du dispositif est indépendant de la surface ou du diamètre de la plaquette de semi-conducteur utilisée dans le dispositif.
Comme le dispositif est plan à l'avant, il est également plus facile à assembler en modules.
Suivant la présente invention, on a mis au point un procédé de fabrication de piles solaires relativement simple et bon marché Le seul masquage photorésistant à faire ne demande pas le repérage d'un motif antérieur. La métallisation utilisée n'est pas à haute définition. Toute la réalisation du motif se fait sur la surface arrière de la plaquette de semi-conducteur, si bien qu'il n'y a pas de conflit avec la surface avant, dont la surface est texturée.
Bien que les dispositifs décrits en rapport avec les figures 1 à 3 et 6 à 8 aient des évidements 15 à ouverture carrée dans le plan de la surface arrière 12, on aurait pu, si on l'avait voulu, utiliser des ouvertures rectangulaires, pour avoir des évidements pyramidaux à base rectangulaire.
Par ailleurs, bien que l'on ait produit les ouvertures carrées au moyen de masques à ouvertures carrées, on aurait tout aussi bien pu les produire au moyen de masques à ouvertures circulaires. Dans ce dernier cas, l'attaque anisotrope relative à chaque ouverture circulaire se produirait sur une région de la surface limitée par des ouvertures carrées ayant leurs côtés parallèles aux directions < 110 > et circonscrites à l'ouverture circulaire. L'ouverture ainsi obtenue serait une pyramide quadrangulaire dont chacun des flancs serait parallèle à un plan (111) du matériau semi-conducteur.
Bien que, dans la fabrication des dispositifs représentes sur les figures 1 à 3 et 6 à 8, la seconde région mince 22 et les troisièmes régions minces 23 aient été formées d'abord par une première diffusion, puisque la première région mince 21, contiguë à la surface avant 13, ait été formée par une seconde diffusion, l'ensemble de ces régions aurait pu être formé simultanément pour implantation ionique initiale dans la couche 41 de dioxyde de silicium qui recouvre la couche avant 13 d'activateurs donneurs à diffusion plus lente, tels que l'arsenic ; ceci permet donc de former la première région mince 21, en même temps que se forment comme précédemment la seconde région mince 22 et les troisièmes régions minces 23.
Les dispositifs des figures 1, 2 et 3, et ceux des figures 6, 7 et 8 ne représentent que quelques groupes dlévi- dements, mais on pourrait y placer autant de ces groupes qu'on le veut dans le sens des rangées et des colonnes, la seule limitation étant la taille de la plaquette sur laquelle on forme ces évidements.
Bien que chacun des groupes représentés comprenne une rangée de trois évidements, on peut augmenter ou réduire à volonté le nombre des évidements d'une rangée. Par ailleurs, on peut modifier à volonté l'écartement des évidements conti- gus appartenant à un groupe pour augmenter ou réduire la den- sité d'ouvertures dans la plaquette. Bien entendu, la taille des évidements sera différente quand les plaquettes auront une épaisseur différente. C'est la résistivité de la plaquette et l'intensité solaire qui déterminent le choix à faire parmi les valeurs à donner aux variables.
La présente invention a été présentée dans le cas de dispositifs utilisant comme matériau semi-conducteur le silicium, mais on peut utiliser conformément à la présente invention d'autres matériaux semi-conducteurs monocristallins à symétrie cubique, tels que le germanium et les matériaux semi-conducteurs de composés des groupe III-.groupe V. L'utilisation de ces matériaux obligerait à modifier les détails des opérations de fabrication des dispositifs en accord avec leurs technologies respectives.
Bien que l'on ait illustré la fabrication du dispositif dans le cas d'une plaquette en matériau semi-conducteur à conductivité de type p, il doit naturellement être bien entendu que l'on peut utiliser tout aussi bien un matériau semi-conducteur de type n. L'emploi d'un tel matériau exigerait évidemment que la première, la seconde et les troisièmes régions minces aient une conductivité de type p.
Claims (16)
1. Dispositif photovoltalque, caractérisé en ce qu'il comprend
une plaquette (11) d'un matériau semi-conducteur monocristallin à symétrie cubique possédant un premier type de conductivité, cette plaquette ayant deux surfaces principales (12, 13) opposées parallèles, dont chacune est paral lele à un plan cristallographique (100) de la plaquette
dans cette plaquette, un certain nombre d'evidements (15) ayant chacun la forme d'une pyramide quadrangulaire dont la base est coplanaire avec la première surface principale (12) et s'enfonçant dans la plaquette sur une distance uniforme, chacun des flancs(î6) des évidements étant parallèle à un plan (111) du matériau semi-conducteur monocristallin
dans cette plaquette, une première région mince (21), de conductivité de type opposé, contiguë à la seconde (13) des deux surfaces principales de la plaquette
dans cette plaque"cte, une seconde région mince (22), de conductivité de type opposé, contigue à la première surface principale (12) de la plaquette
dans cette plaquette, plusieurs troisièmes régions minces (23), de conductivité de type opposé, chacune contiguë aux flancs des évidements et étant en contact avec la première et la seconde région mince
une première couche conductrice (35) reliée à la seconde et à la troisième région mince de conductivité de type opposé
une seconde couche conductrice (32, 34), reliée à la région de la plaquette dont la conductivité est du premier type sur une partie de la première surface principale.
2. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'on choisit le matériau semi-conducteur monocristallin à symétrie cubique dans la classe du silicium, du germanium et des semi-conducteurs de composés de groupe Tii-groupe V.
3. Dispositif suivant les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur monocristallin à syrnetrie cubique est du silicium.
4. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que chacun des évidements est une ouverture allant de la première surface principale à la seconde surface principale.
5. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que chacun des évidements va de la première surface principale à un point (37) situé à courte distance de la seconde surface principale.
6. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les évidements sont disposés dans la plaquette en motif régulier.
7. Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la première région mince a moins d'un micron d'épaisseur.
8. Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la première région mince est notablement moins épaisse que la seconde et les troisièmes régions minces.
9. Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la partie de la première surface principale comporte des zones séparées par des intervalles, la seconde couche conductrice étant liée à ces zones.
10. Procédé de fabrication d'un dispositif photovoltalque, caractérisé en ce qu'il comprend
la réalisation d'un substrat en matériau semiconducteur monocristallin à symétrie cubique possédant un premier type de conductivité, ce substrat ayant deux surfaces principales parallèles dont chacune est parallèle à un plan cristallographique (100) du matériau semi-conducteur monocristallin lin
la réalisation d'un premier masque sur la première surface principale et d'un second masque sur la deuxième surface principale
la formation, dans le premier masque, de plusieurs premières ouvertures pour mettre à découvert des zones dans une première partie de la première surface principale, chaque ouverture ayant la même forme et étant limitée, dans la première surface principale, par deux paires de bords opposés parallèles, chacune de ces paires de bords étant sensiblement parallèle à une direction < 110 > dans la première surface principale, la distance qui sépare dans chaque ouverture les bords parallèles de chaque paire étant légèrement supérieure au produit de la distance entre les surfaces principales par
Vz
l'attaque chimique des zones à découvert du substrat par un agent d'attaque anisotrope, afin de former une série d'évidements ayant chacun la forme d'une pyramide dont la base est coplanaire avec la première surface principale et qui vont de la première surface principale vers la seconde surface principale, chacun des flancs de ces évidements étant parallèle à un plan (111) du matériau semi-conducteur monocristallin ;;
l'élimination du premier masque sur au moins la première partie de la première surface principale
l'introduction d'un premier agent de dopage à type opposé de conductivité dans la seconde surface principale pour former dans le substrat une première région mince, de type opposé de conductivité, contiguë à la seconde surface principale
l'introduction d'un second agent de dopage à type opposé de conductivité dans la première partie de la première surface principale pour former dans le substrat une seconde région mince, de type opposé de conductivité, contiguë à la première partie de la première surface principale ;;
l'introduction d'un troisième agent de dopage à type opposé de conductivité dans les flancs des évidements pour former dans le substrat des troisièmes régions minces, de type opposé de conductivité, contiguës aux flancs des évidements
l'enlèvement des couches de matériau les recouvrant sur la première surface principale, sur la seconde surface principale et sur les flancs des évidements
le dépôt d'une couche de matériau conducteur sur la première surface principale et sur les flancs des évidements
la réalisation d'un motif sur cette couche conductrice pour avoir une première électrode en contact avec les régions de type opposé de conductivité contiguës à la première partie de la première surface principale et avec les flancs des évidements, et une seconde électrode en contact avec le substrat de premier type de conductivité sur une autre partie de la première surface principale.
11. Procédé suivant la revendication 10, caractérisé en ce que l'évidement va jusqu t à la seconde surface principale et y forme une seconde ouverture sensiblement plus petite que l'ouverture correspondante appartenant aux premières ouvertures formées sur la première surface principale.
12. Procédé suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le sommet de-la pyramide se trouve à une faible distance prédéterminée de la seconde surface principale, l'épaisseur des troisièmes régions minces étant supérieure à cette faible distance prédéterminée.
13. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 12, caractérisé en ce que le premier, le second et le troisième agent de dopage sont introduits dans le substrat par diffusion.
14. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que le premier, le second et le troisième agent de dopage sont introduits simultanément dans le substrat pour former simultanément la première, la seconde et les troisièmes régions minces.
15. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que le second et le troisième agent de dopage sont introduits dans le substrat pour former la seconde et les troisièmes régions minces, puis en ce que le premier agent de dopage est introduit dans le substrat pour former la première région mince.
16. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 10 à 12, caracterise en ce que chacune des premières ouvertures est carré,
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/032,117 US4227942A (en) | 1979-04-23 | 1979-04-23 | Photovoltaic semiconductor devices and methods of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2481519A1 true FR2481519A1 (fr) | 1981-10-30 |
| FR2481519B1 FR2481519B1 (fr) | 1984-01-06 |
Family
ID=21863196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8009087A Granted FR2481519A1 (fr) | 1979-04-23 | 1980-04-23 | Dispositif photovoltaique et procede de fabrication |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4227942A (fr) |
| JP (1) | JPS55160476A (fr) |
| AU (1) | AU526783B2 (fr) |
| DE (1) | DE3015355A1 (fr) |
| FR (1) | FR2481519A1 (fr) |
| GB (1) | GB2050053B (fr) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2579832A1 (fr) * | 1985-03-26 | 1986-10-03 | Centre Nat Etd Spatiales | Procede d'allegement de cellules solaires et cellules ainsi obtenues |
| EP0450827A1 (fr) * | 1990-04-02 | 1991-10-09 | AT&T Corp. | Photodiode en silicium pour circuits intégrés monolithiques et méthode de fabrication |
| US5239193A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-24 | At&T Bell Laboratories | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits |
Families Citing this family (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4559695A (en) * | 1981-03-27 | 1985-12-24 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an infrared radiation imaging device |
| US4360701A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-23 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Heat transparent high intensity high efficiency solar cell |
| US4570173A (en) * | 1981-05-26 | 1986-02-11 | General Electric Company | High-aspect-ratio hollow diffused regions in a semiconductor body |
| US4527183A (en) * | 1981-07-10 | 1985-07-02 | General Electric Company | Drilled, diffused radiation detector |
| JPS58154278A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 放射エネルギ−検出器 |
| US4420650A (en) * | 1982-03-09 | 1983-12-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wedged channel vertical junction silicon solar cell |
| US4409423A (en) * | 1982-03-09 | 1983-10-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hole matrix vertical junction solar cell |
| GB2145875B (en) * | 1983-08-12 | 1986-11-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Infra-red-detector |
| US4501636A (en) * | 1983-12-28 | 1985-02-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Apparatus for etching vertical junction solar cell wafers |
| AU570309B2 (en) * | 1984-03-26 | 1988-03-10 | Unisearch Limited | Buried contact solar cell |
| NL8501769A (nl) * | 1984-10-02 | 1986-05-01 | Imec Interuniversitair Micro E | Bipolaire heterojunctie-transistor en werkwijze voor de vervaardiging daarvan. |
| US4603258A (en) * | 1984-11-16 | 1986-07-29 | Sri International | Photocapacitive detector array |
| US4721938A (en) * | 1986-12-22 | 1988-01-26 | Delco Electronics Corporation | Process for forming a silicon pressure transducer |
| US5081049A (en) * | 1988-07-18 | 1992-01-14 | Unisearch Limited | Sculpted solar cell surfaces |
| US4933021A (en) * | 1988-11-14 | 1990-06-12 | Electric Power Research Institute | Monolithic series-connected solar cells employing shorted p-n junctions for electrical isolation |
| US4933022A (en) * | 1988-11-14 | 1990-06-12 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Univ. & Electric Power Research Institute | Solar cell having interdigitated contacts and internal bypass diodes |
| US4927770A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
| US4992699A (en) * | 1989-09-05 | 1991-02-12 | Eastman Kodak Company | X-ray phosphor imaging screen and method of making same |
| DE4310206C2 (de) * | 1993-03-29 | 1995-03-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe |
| US6084175A (en) * | 1993-05-20 | 2000-07-04 | Amoco/Enron Solar | Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts |
| JP3360919B2 (ja) * | 1993-06-11 | 2003-01-07 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法，及び薄膜太陽電池 |
| US5468652A (en) * | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
| DE4426347A1 (de) * | 1993-07-29 | 1995-02-02 | Gerhard Dr Willeke | Flaches Bauelement mit einem Gitternetz von Durchgangslöchern |
| JP3578539B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2004-10-20 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法および太陽電池構造 |
| US8076568B2 (en) | 2006-04-13 | 2011-12-13 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US8138413B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US7507903B2 (en) | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US7898053B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US7898054B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| JP3818906B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2006-09-06 | シャープ株式会社 | マイクロコーナーキューブアレイ、その作製方法、および表示装置 |
| GB2392307B8 (en) * | 2002-07-26 | 2006-09-20 | Detection Technology Oy | Semiconductor structure for imaging detectors |
| US7170001B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-30 | Advent Solar, Inc. | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias |
| US7649141B2 (en) * | 2003-06-30 | 2010-01-19 | Advent Solar, Inc. | Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers |
| DE10352423B3 (de) * | 2003-11-10 | 2005-01-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflächen |
| US7144751B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-12-05 | Advent Solar, Inc. | Back-contact solar cells and methods for fabrication |
| US7335555B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-02-26 | Advent Solar, Inc. | Buried-contact solar cells with self-doping contacts |
| US20050172996A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Advent Solar, Inc. | Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells |
| US20060060238A1 (en) * | 2004-02-05 | 2006-03-23 | Advent Solar, Inc. | Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells |
| US7838868B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic architecture having compound conducting substrate |
| US7276724B2 (en) * | 2005-01-20 | 2007-10-02 | Nanosolar, Inc. | Series interconnected optoelectronic device module assembly |
| US7732229B2 (en) | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
| US8927315B1 (en) | 2005-01-20 | 2015-01-06 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput assembly of series interconnected solar cells |
| US20060289777A1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-12-28 | Wen Li | Detector with electrically isolated pixels |
| WO2007025062A2 (fr) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Wakonda Technologies, Inc. | Modele photovoltaique |
| US10873045B2 (en) * | 2005-11-29 | 2020-12-22 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof |
| US8816191B2 (en) * | 2005-11-29 | 2014-08-26 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof |
| US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| JP2008066437A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池パネルの製造方法 |
| US8937243B2 (en) * | 2006-10-09 | 2015-01-20 | Solexel, Inc. | Structures and methods for high-efficiency pyramidal three-dimensional solar cells |
| CA2568136C (fr) * | 2006-11-30 | 2008-07-29 | Tenxc Wireless Inc. | Implementation de matrice de butler |
| EP2654089A3 (fr) * | 2007-02-16 | 2015-08-12 | Nanogram Corporation | Structures de cellules solaires, modules photovoltaïques et procédés correspondants |
| JP2011503847A (ja) * | 2007-11-02 | 2011-01-27 | ワコンダ テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 結晶質薄膜光起電力構造およびその形成方法 |
| EP2289110A2 (fr) * | 2008-04-29 | 2011-03-02 | Applied Materials, Inc. | Modules photovoltaïques fabriqués en utilisant des techniques d'assemblage de module monolithe |
| US8236603B1 (en) | 2008-09-04 | 2012-08-07 | Solexant Corp. | Polycrystalline semiconductor layers and methods for forming the same |
| BRPI0920233A2 (pt) * | 2008-10-31 | 2016-08-02 | Chromasun Pty Ltd | método para blindar conexões elétricas associadas com um receptor pv e estrutura de receptor pv |
| FR2938972B1 (fr) * | 2008-11-21 | 2011-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Cellule photovoltaique a emetteur distribue dans un substrat et procede de realisation d'une telle cellule |
| WO2010088366A1 (fr) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | Wakonda Technologies, Inc. | Structures de film mince cristallin à gros grains, et dispositifs et procédés de formation de telles structures |
| DE102009015563B4 (de) * | 2009-03-30 | 2018-02-22 | Siemens Healthcare Gmbh | Röntgenstrahlungsdetektor zur Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System |
| US20100294349A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes |
| US20100294352A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation |
| US8247243B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-08-21 | Nanosolar, Inc. | Solar cell interconnection |
| US20130014814A1 (en) * | 2010-01-08 | 2013-01-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanostructured arrays for radiation capture structures |
| US8912083B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
| US8129215B1 (en) | 2011-04-01 | 2012-03-06 | James P Campbell | Method for producing high temperature thin film silicon layer on glass |
| US9153713B2 (en) | 2011-04-02 | 2015-10-06 | Csi Cells Co., Ltd | Solar cell modules and methods of manufacturing the same |
| US9281435B2 (en) | 2011-05-27 | 2016-03-08 | Csi Cells Co., Ltd | Light to current converter devices and methods of manufacturing the same |
| CN102222706B (zh) * | 2011-06-28 | 2012-11-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种高倍聚光太阳能电池芯片 |
| CN112466967B (zh) * | 2020-11-23 | 2023-08-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3150999A (en) * | 1961-02-17 | 1964-09-29 | Transitron Electronic Corp | Radiant energy transducer |
| US3682708A (en) * | 1969-10-07 | 1972-08-08 | Westinghouse Electric Corp | Solar cell |
| FR2353137A1 (fr) * | 1976-05-26 | 1977-12-23 | Massachusetts Inst Technology | Cellule solaire a semiconducteur de forte intensite |
| US4128732A (en) * | 1977-08-15 | 1978-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Solar cell |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3020412A (en) * | 1959-02-20 | 1962-02-06 | Hoffman Electronics Corp | Semiconductor photocells |
| DE2120388A1 (de) * | 1970-04-28 | 1971-12-16 | Agency Ind Science Techn | Verbindungshalbleitervorrichtung |
| JPS51150287A (en) * | 1975-06-19 | 1976-12-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
| US4135950A (en) * | 1975-09-22 | 1979-01-23 | Communications Satellite Corporation | Radiation hardened solar cell |
| US4133698A (en) * | 1977-12-27 | 1979-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Tandem junction solar cell |
-
1979
- 1979-04-23 US US06/032,117 patent/US4227942A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-04-16 GB GB8012474A patent/GB2050053B/en not_active Expired
- 1980-04-22 AU AU57661/80A patent/AU526783B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1980-04-22 JP JP5241980A patent/JPS55160476A/ja active Pending
- 1980-04-22 DE DE19803015355 patent/DE3015355A1/de not_active Withdrawn
- 1980-04-23 FR FR8009087A patent/FR2481519A1/fr active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3150999A (en) * | 1961-02-17 | 1964-09-29 | Transitron Electronic Corp | Radiant energy transducer |
| US3682708A (en) * | 1969-10-07 | 1972-08-08 | Westinghouse Electric Corp | Solar cell |
| FR2353137A1 (fr) * | 1976-05-26 | 1977-12-23 | Massachusetts Inst Technology | Cellule solaire a semiconducteur de forte intensite |
| US4128732A (en) * | 1977-08-15 | 1978-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Solar cell |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/80 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2579832A1 (fr) * | 1985-03-26 | 1986-10-03 | Centre Nat Etd Spatiales | Procede d'allegement de cellules solaires et cellules ainsi obtenues |
| WO1986005923A1 (fr) * | 1985-03-26 | 1986-10-09 | Centre National D'etudes Spatiales | Procede d'allegement de cellules solaires et cellules ainsi obtenues |
| EP0197832A1 (fr) * | 1985-03-26 | 1986-10-15 | Centre National D'etudes Spatiales | Procédé d'allègement de cellules solaires et cellules ainsi obtenues |
| EP0450827A1 (fr) * | 1990-04-02 | 1991-10-09 | AT&T Corp. | Photodiode en silicium pour circuits intégrés monolithiques et méthode de fabrication |
| US5141878A (en) * | 1990-04-02 | 1992-08-25 | At&T Bell Laboratories | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits and method for making same |
| US5239193A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-24 | At&T Bell Laboratories | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU5766180A (en) | 1980-10-30 |
| US4227942A (en) | 1980-10-14 |
| GB2050053B (en) | 1983-04-13 |
| FR2481519B1 (fr) | 1984-01-06 |
| JPS55160476A (en) | 1980-12-13 |
| AU526783B2 (en) | 1983-01-27 |
| GB2050053A (en) | 1980-12-31 |
| DE3015355A1 (de) | 1980-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2481519A1 (fr) | Dispositif photovoltaique et procede de fabrication | |
| EP0140772B1 (fr) | Limiteur de puissance élevée à diodes PIN pour ondes millimétriques et procédé de réalisation des diodes | |
| US7875794B2 (en) | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area | |
| EP0985233B1 (fr) | Un procédé de fabrication d'une cellule solaire | |
| FR2463978A1 (fr) | Cellule solaire integree avec une diode de derivation et son procede de fabrication | |
| FR2488733A1 (fr) | Procede de fabrication de transistor mos a effet de champ, de forte puissance, a haute densite de porteur repartie lateralement au-dessous de l'oxyde de gachette | |
| WO1995010856A1 (fr) | Cellule photovoltaique et procede de fabrication d'une telle cellule | |
| AU2002220348A1 (en) | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area | |
| JP2008543067A (ja) | 片面コンタクト型ソーラーセルの製造方法および片面コンタクト型ソーラーセル | |
| JP2001274447A (ja) | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| FR2756664A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a porte mos a canal p avec implantation de base au travers de la fenetre de contact, et dispositif ainsi fabrique | |
| EP0322962A1 (fr) | Circuit intégré présentant un transistor latéral | |
| EP0002087B1 (fr) | Dispositif semiconducteur monolithique comprenant deux transistors complémentaires et son procédé de fabrication | |
| FR2499316A1 (fr) | Perfectionnement a la realisation d'une cellule solaire en vue, notamment, de modeler l'epaisseur de sa couche active, et cellule ainsi obtenue | |
| JPH05275722A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2001177128A (ja) | 太陽電池の製法 | |
| FR3038143A1 (fr) | Procede d'isolation des bords d'une cellule photovoltaique a heterojonction | |
| FR3112429A1 (fr) | Fabrication de cellules solaires | |
| EP1066653A1 (fr) | Procede de fabrication et d'assemblage de cellules photovolta ques | |
| JPH05218466A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| AU2013201557A1 (en) | Process for decreasing the reflectivity of a semiconductor material | |
| FR2513017A1 (fr) | Fabrication d'une cellule solaire a partir du bisulfure de molybdene et sulfure de mercure semiconducteur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |