JP2008066437A - 太陽電池パネルの製造方法 - Google Patents

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Giyoumi Takano
暁巳 高野
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芳一 縄田
Kazumasa Uchihashi
一雅 内橋
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和彦 小川
Tsukasa Yamane
司 山根
Nobuki Yamashita
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Abstract

【課題】発電検査時に、結果がばらつかず精度よく測定の行うことのできる太陽電池パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、太陽電池膜を積層して太陽電池モジュールを形成するモジュール形成工程と、前記太陽電池モジュールの発電検査を行うモジュール検査工程と、前記太陽電池モジュールをパネル化して太陽電池パネルを形成するパネル化工程と、前記太陽電池パネルの光入射面を洗浄するパネル洗浄工程と、前記太陽電池パネルの発電検査を行うパネル検査工程と、を具備し、前記パネル洗浄工程は、前記パネル発電検査工程の直前に実施される。
【選択図】図2

Description

本発明は、太陽電池パネルの製造方法に関する。
太陽光を受けて発電を行う太陽電池パネルの製造方法が知られている。その太陽電池パネルの製造方法は、太陽電池モジュールを形成する工程と、その太陽電池モジュールをパネル化する工程と、を有している。太陽電池モジュールを形成する工程では、透光性基板上に太陽電池膜が積層されて、その太陽電池膜が複数の太陽電池セルにレーザーエッチングなどを用いてパターニングされ、セルを直列接合に集積化される。パネル化工程では、その太陽電池モジュールに対して、発電しない領域の太陽電池膜の除去、カバーシート等の貼り付け、電力を取り出す為の配線や端子箱の取りつけ、等が施されてパネル化される。また、必要に応じて、一枚の基板が複数枚に分割されることもある。
太陽電池パネルは、光入射面に光の到達を遮る付着物や汚れ(以下、異物と記載することもある)が付着していると、その部分が影になって発電量が低下することがある。特に短冊状のセルが直列接合され集積化された薄膜太陽電池パネルでは、一部のセルに集中した発電量が低下することがあるとこの低下セルがパネル全体の抵抗となり太陽電池パネル全体の出力低下に影響する。そのため、製造過程において、基板洗浄工程を設けて異物の除去が行われる。一方、製造工程における太陽電池パネルの発電検査は、通常の観点からは数10μm〜100μmを超える目視で確認が出来る異物が太陽電池パネルの光入射面に集中して存在しないように除去を確認したうえで発電検査を実施してきたが、100μmに満たない小さな異物については影響が無いと考えて問題視をしていなかった。
基板洗浄に関する技術としては、例えば、特許文献1に記載されたものが知られている。特許文献1には、複数の洗浄段と、各洗浄段で使用された洗浄液を貯留する貯溜部と、一の洗浄段に対応する貯溜部内の洗浄段と後の洗浄段に対応する貯溜部内の洗浄液とを混合して、一の洗浄段に供給する為の通路と、を有する洗浄装置が記載されている。
ところで、上述のような太陽電池パネルを製造するにあたっては、製造途中又は太陽電池パネル完成後に、発電検査が行われ品質を管理する。その発電検査は、ソーラーシミュレータにより太陽電池パネルに模擬太陽光を照射して発電させ、発電特性(電流、電圧、出力など)を測定することで行われる。
ここで、太陽電池パネル完成後に発電検査を行うと、同一条件下で製造したにも関わらず、発電検査の結果がばらつくことや出力が低下することがあった。結果のばらつきが大きいことや出力が低下することは、太陽電池パネルの生産歩留まりを落とすことになる。このような結果のばらつきや出力低下の一因として、太陽電池パネルの光入射面に付着した異物の影響が考えられる。しかしながら、従来の方法により洗浄方法を工夫しても、依然として検査結果のばらつきや出力の低下があった。
即ち、同一条件下では結果がばらつかず出力低下がないように、より精度よく発電検査を行うことのできる技術の提供が望まれる。
特許第3057599号 公報
発明者らが各種調査試験を行った結果、ソーラーシミュレータによる発電検査を行うに当たり、今までは全く注目していなかった光入射面の目視では確認しにくい細かい異物や汚れの付着が影響していることが明確になった。太陽電池パネルは屋外に設置して発電に利用されるが、屋外の太陽光のもとでは直達光のみならず散乱光が入射するために目視確認できないような小さな異物や汚れの付着により太陽電池パネルへの入射光が遮られて発電性能へ影響度合いは少なく問題にはなっていない。今回、特に太陽電池パネルの製造工程内にある発電検査装置による評価精度への影響が明確になった。従って、本発明の目的は、発電検査時に、同一条件下であれば結果がばらつかず出力低下がないように、精度よく測定の行うことのできる太陽電池パネルの製造方法を提供することにある。
その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧()つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも1つの実施の形態又は1つの実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。
本発明にかかる太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板(1)上に、太陽電池膜(2)を積層して太陽電池モジュール(3)を形成するモジュール形成工程(ステップS10)と、太陽電池モジュール(3)の発電検査を行うモジュール検査工程(ステップS20)と、太陽電池モジュール(3)をカバーシートのラミネート工程などを行い端子箱を取り付けてパネル化して太陽電池パネル(4)を形成するパネル化工程(ステップS30)と、太陽電池パネル(4)の光入射面を洗浄するパネル洗浄工程(ステップS40)と、太陽電池パネル(4)の発電検査を行うパネル検査工程(ステップS50と、を具備する。パネル洗浄工程(S40)は、パネル発電検査工程(S50)の直前に実施される。
このように、パネル発電検査工程の直前で太陽電池パネルを洗浄することで、発電検査時において光入射面の汚れを殆どなくすことができる。光入射面の汚れによる発電検査時の特性ばらつきと出力低下を抑制させることができる。
上記の太陽電池パネルの製造方法では、モジュール検査工程(S20)及びパネル検査工程(S50)において、光源にソーラーシミュレータによる直達光を用いて発電検査を行うことが一般的である。
上記の太陽電池パネルの製造方法では、略100μm以上の集中して存在する異物は基板洗浄器で除去済で目視観察による是非判断も行われているが、さらにパネル洗浄工程(S40)において、0.1μm以上100μm以下の異物を除去するように洗浄を行うことが好ましい。
太陽電池パネルの光入射面において、100μmよりも大きい異物は、目視で判別することができる。よって、各工程間に設置した基板洗浄器の出口付近にて目視観察や監視カメラの画像解析により、略100μm以上の異物の有無を確認して必要に応じてこの異物を取り除くことができる。また、光入射面における0.1μmより小さい異物は、発電に寄与する光の波長(300nm〜800nm)よりも小さいため発電特性に与える影響が小さく無視しても構わない。一方、粒径が0.1μm〜100μmの異物は、目視観察で判別しづらい。目視で判別しづらいにも関わらず、発電検査時には、入射する光を遮り、製造工程における発電検査での発電特性に影響を及ぼすことがある。上述のように0.1μm以上100μm以下の異物を除去するように洗浄を行うことで、目視では判別しづらく発電検査精度に影響を及ぼす原因を排除できる。
上記の太陽電池パネルの製造方法では、モジュール検査工程(S20)は太陽電池モジュールのレーザーエッチング工程が完了した後の中間検査として行われ、一般にはモジュール製造は太陽電池の発電領域内への異物混入による発電特性低下を抑制するためにクリーンルーム内で実施されることに合わせて、その検査工程もクリーンルーム内で実施される。パネル化工程(S30)以降は、直接的に発電領域内への異物混入による発電特性低下となる工程がないとともに、クリーンルームのクリーン度を下げる工程が含まれることからクリーンルーム外で実施されることがある。
上記の太陽電池パネルの製造方法では、パネル洗浄工程(S40)において、有機溶媒を用いて洗浄を行うことが好ましい。
このように、有機溶媒を用いて洗浄を行うことで、樹脂成分などの基板(1)との粘着性を有する異物の粘着力を低減させて除去することができる。
上記の太陽電池パネルの製造方法では、一観点から、パネル洗浄工程(S40)において、超音波洗浄により洗浄を行うことが好ましい。超音波によりμmオーダ前後サイズの異物に加振力を加えて基板(1)からの異物離脱を促進させることができる。
上記の太陽電池パネルの製造方法では、他の一観点から、パネル洗浄工程(S40)において、圧力水シャワー洗浄により洗浄を行うことが好ましい。圧力水の水流力で異物が物理的に離脱して洗い流すことで再付着を抑制させることができる。
本発明に依れば、製造工程における発電検査時に精度よく測定を行うことのできる太陽電池パネルの製造方法を提供することができる。
図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1は、太陽電池パネルを製造するための太陽電池パネル製造システム10のレイアウトを模式的に示す図である。太陽電池製造システム10には、基板搬入装置11、透明電極製膜装置12、透明電極をレーザーエッチングするレーザーエッチング装置13、光電変換層製膜装置14、光電変換層をレーザーエッチングするためのレーザーエッチング装置15、裏面電極製膜装置16、裏面電極をレーザーエッチングするためのレーザーエッチング装置17、絶縁溝を形成するためのレーザーエッチング装置18、太陽電池モジュールの発電検査を行う発電検査装置19、膜研磨装置20、レイアップ装置21、ラミネータ装置22、基板分断装置23、端子箱取りつけ装置24、太陽電池パネルの発電検査を行う発電検査装置25、及び性能仕分保管庫26が配置されている。基板搬入装置11によって太陽電池パネル製造システム10内に搬入された透光性基板1は、上に記載した順に各装置によって処理されて、太陽電池パネル4が製造される。尚、図示されていないが、各装置間には搬送ローラーなどの基板搬送器が設けられている。基板は、その基板搬送装置によって、上流から下流側へ搬送される。
また、透明電極製膜装置12、レーザーエッチング装置13、裏面電極製膜装置16、膜研磨装置20の下流側には、それぞれ基板洗浄器が配置されている。これらの基板洗浄器は、圧力水シャワー洗浄装置である。一部の基板洗浄器は異物の除去促進のために最初にロールブラシ洗浄を行う場合がある。これらの基板洗浄器は、各装置で処理中や搬送中に製造中の太陽電池パネル基板に付着した異物を、圧力水シャワー水洗により取り除くために配置されている。
また、太陽電池パネル製造システム10は、クリーンルーム30内とクリーンルーム30外とに分かれている。レーザーエッチング装置13、光電変換層製膜装置14、レーザーエッチング装置15、裏面電極製膜装置16、レーザーエッチング装置17、18、及び発電検査装置19は、クリーンルーム30内に配置されている。その他の装置は、クリーンルーム30外に配置されている。
レーザーエッチング装置13から発電検査装置19までをクリーンルーム内に配置することで、光電変換層や裏面電極層を製膜する前後工程において異物が製造中の太陽電池モジュール基板の入射面上に付着することで、発電検査特性が低下や変動することを抑制することができている。
基板搬送装置11から透明電極製膜装置12までをクリーンルーム外に配置するのは、透明電極膜製膜装置12から出た基板上には、異物が載っていることが多く、クリーンルームのクリーン度を下げないようにするためである。透明電極製膜装置12から搬出された基板上に異物が多いのは、透明電極製膜装置12として一般的に熱CVD装置が用いられるからである。熱CVD装置を用いた場合、気相中で成長したパーティクルが基板上に乗った状態で排出され易い。
膜研磨装置20以降の装置をクリーンルーム外に配置するのは、透明電極製膜装置12と同様に、膜研磨時に生じた研磨屑や砥粒が、クリーンルーム内のクリーン度を下げるのを防ぐためである。
続いて、本実施形態にかかる太陽電池パネルの製造方法について説明する。図2は、太陽電池パネルの製造方法のフローチャートである。太陽電池パネルの製造方法は、太陽電池モジュールを形成する工程(ステップS10)、太陽電池モジュールの発電検査を行う工程(ステップS20)、太陽電池モジュールをカバーシートでラミネート処理する工程などを行い端子箱接続までのパネル化する工程(ステップS30)、太陽電池パネルを洗浄する工程(ステップS40)、及び太陽電池パネルの発電検査を行う工程(ステップS50)を有している。
図1に示される太陽電池パネル製造システム10において、基板搬入装置11からレーザーエッチング装置18までの装置によって、太陽電池モジュール3が形成される(ステップS10)。発電検査(ステップS20)は、発電検査装置19によって実行される。これによりモジュール完成段階での中間検査を行い、モジュール製造工程における製造品質の確認を行うことができる。パネル化(ステップS30)は、膜研磨装置20から端子箱取りつけ装置24までの装置によって実行される。洗浄(ステップS40)は、端子箱取りつけ装置24で処理後の太陽電池パネル基板に対して実行される。洗浄の後、太陽電池パネルの発電検査(ステップS50)は、発電検査装置25によって実行される。
図3A、Bは、上述した太陽電池パネルの製造方法における製造過程での被処理基板の構造を示す図である。図2を参照しつつ、ステップS10〜50までの各ステップにおける処理を説明する。尚、ここでは、透光性基板1上に発電セル6として単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いた例について説明する。発電セル6は、単層アモルファスシリコンだけでなく、微結晶シリコン、シリコンゲルマニウム、およびこれらのタンデム積層したものなど、各セルを集積接続する薄膜系太陽電池全般にわたり同様な効果がある。
ステップS10;太陽電池モジュールの形成
図3A(a)に示されるように、透光性基板1としてソーダフロートガラス基板(1.4m×1.1m×板厚:4mm)を用意する。基板端面は、破損防止にコーナー面取りやR面取り加工されていることが望ましい。透光性基板1は、基板搬入装置11によって、太陽電池システム10内へ搬入される。太陽電池システム10内へ搬入された透光性基板1は、基板洗浄器によって洗浄される。
図3A(b)に示されるように、透明導電層2として酸化錫膜(SnO)を主成分とする透明電極膜を約500〜800nm、熱CVD装置(透明電極製膜装置12)にて約500℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層5として、透明電極膜に加えて、透光性基板1と透明電極膜との間に、アルカリバリア膜(図示せず)を形成してもよい。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜(SiO)を50〜150nm、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理することで形成させることができる。
透明電極製膜装置12による処理が終了した太陽電池モジュール製造中の基板(以下、太陽電池モジュール、太陽電池パネルの製造途中における基板を、製造中基板と記載する場合がある)は、基板洗浄器によって洗浄して付着した異物を除去される。
続いて、製造中基板をX−Yテーブルに設置する。図3A(c)に示されるように、YAGレーザー(レーザーエッチング装置13)の第1高調波(1064nm)を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射させる。パルス発振:5〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整する。透明電極膜を、発電セル6の直列接続方向に対して垂直な方向に、幅約6〜10mmの短冊状に区切るように、レーザーエッチングする。
レーザーエッチング装置13による処理が終了した製造中基板は、基板洗浄器によって洗浄され、製造中基板に付着した異物が除去される。
図3A(d)に示されるように、プラズマCVD装置(光電変換層製膜装置14)により、減圧雰囲気:30〜150Pa、約200℃にて光電変換層7としてのアモルファスシリコン薄膜からなるp層膜/i層膜/n層膜を順次製膜する。光電変換層7は、SiHガスとHガスとを主原料に、透明導電層2の上に製膜される。太陽光の入射する側からp層、i層、n層がこの順で積層される。光電変換層7は本実施形態では、p層:BドープしたアモルファスSiCを主とし膜厚10〜30nm、i層:アモルファスSiを主とし膜厚250〜350nm、n層:pドープした微結晶Siを主とし膜厚30〜50nmである。またp層膜とi層膜との間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けてもよい。
続いて、製造中基板がX−Yテーブルに設置される。図3A(e)に示されるように、レーザーダイオード励起YAGレーザー(レーザーエッチング装置15)の第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、光電変換層7の膜面側から入射させる。パルス発振:10〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層5のレーザーエッチングラインの約100μm〜150μmの横側をレーザーエッチングする。
図3A(f)に示されるように、裏面電極層8として、Ag膜/Ti膜をスパッタリング装置(裏面電極製膜装置16)により減圧雰囲気、約150℃にて順次製膜する。裏面電極層8は本実施形態では、Ag膜:200〜500nm、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜:10〜20nmをこの順に積層する。n層と裏面電極層8との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層7と裏面電極層8との間にGZO(GaドープZnO膜)を膜厚50〜100nm、スパッタリング装置により製膜して設けてもよい。
裏面電極製膜装置13による処理が終了した製造中基板は、基板洗浄器によって洗浄して付着した異物が除去される。
続いて、製造中基板がX−Yテーブルに設置される。図3A(g)に示されるように、レーザーダイオード励起YAGレーザー(レーザーエッチング装置17)の第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、透光性基板1側から入射させることで、レーザー光が光電変換層7で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層8が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層5のレーザーエッチングラインの約250μmから400μmの横側を、レーザーエッチングする。
図3A(h)に示されるように、発電領域を区分けして、基板端近傍の膜端部において、レーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。製造中基板がX−Yテーブルに設置される。そして、レーザーダイオード励起YAGレーザー(レーザーエッチング装置18)の第2高調波(532nm)を、透光性基板側から入射させることで、レーザー光が透明導電層5と光電変換層7で吸収され、この時発生する高いガス蒸気圧により裏面電極層8が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整する。基板の4辺のうち対向する2辺に沿って、基板の端部から5〜15mmの位置を、レーザーエッチングして絶縁溝を形成させる。この時、他の2辺に対しては、絶縁溝を設けない。絶縁溝は、基板の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させる。エッチングの終了は、レーザー光の終了でもよいが、簡易的には基板の非レーザーエッチング領域に金属製のマスキング板を設置することでも対応が可能である。このように、基板の端から5〜10mmの位置でエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部から太陽電池モジュール内部へ外部湿分が浸入しづらくなり、好ましい。
以上、図3A(a)〜(h)での動作により、透明光性基板1上に、複数の短冊状の発電セル6が形成された太陽電池モジュール3が形成される。
ステップS20;太陽電池モジュール3の発電検査
続いて、図3A(i)に示されるように、太陽電池製造工程の中間検査として太陽電池モジュール3の発電検査が行われる。太陽電池モジュール3は、発電検査装置19のソーラーシミュレータによって直達光が照射される。光の照射により太陽電池モジュール3が発電する。この時の発電特性(発生電流に対する電圧、出力特性など)が測定される。ここで、発電特性が最終的に製品として管理している出力を得られると判断される規格内であった太陽電池モジュールは、次の工程へ搬送される。一方、規格外であった太陽電池モジュールは、次のパネル化工程へは送られず、不良品として処理される。又は、再生処理が施される。また太陽電池モジュールの中間発電検査を行うことで、太陽電池モジュール形成工程の歩留まりを監視管理することができる。
ステップS30;太陽電池パネルの形成
続いて、図3B(j)に示されるように、膜研磨装置20によって、太陽電池パネルの外周部となる領域の太陽電池膜2が除去される。これは、後工程でEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等を介してバックシートを貼り付ける際に、健在な接着・シール面を確保するためである。基板の端から5〜15mmで、前述の図3A(h)で設けた絶縁溝よりも基板端側における太陽電池膜2(裏面電極層8/光電変換層7/透明導電層5)を研磨除去する。
膜研磨装置20による処理が終了した基板は、基板洗浄器によって純水を用いた圧力水により水洗洗浄される。これにより、研磨屑や砥粒が除去される。
図3B(k)に示されるように、レイアップ装置21によって、EVAシート、及びカバーシートが製造中基板上に載せられる。更に、ラミネータ装置22によって、製造中基板上に載せられたカバーシートをEVAシートを介して加熱して接着させる。
図3B(l)に示されるように、必要に応じて、基板分断装置23によって、太陽電池パネル4のサイズに合わせて、製造中基板を分断する。
図3B(m)に示されるように、端子箱取りつけ装置24によって、端子箱が取りつけられる。更に、図3B(n)に示されるように、端子箱内に封止剤が注入される。これにより、太陽電池パネル4となる。
ステップS40;太陽電池パネルの洗浄
続いて、太陽電池パネル4の光入射面が洗浄される。本発明は、このステップS40の洗浄を行う点で工夫が為されたものである。このステップにおける具体的な動作については、後述する。
ステップS50;太陽電池パネルの発電検査
続いて、図3B(o)に示されるように、発電検査装置25によって、太陽電池パネル4の発電特性が検査される。発電検査は、ステップS40で太陽電池パネルを洗浄した直後に行われる。即ち、S40の洗浄は、発電検査の直前に行われる。本ステップにおける検査は、太陽電池モジュールの発電検査(S20)の処理と同様である。即ち、ソーラーシミュレータによる直達光を照射して太陽電池パネルの発電の特性が検査される。
S50において発電特性は、太陽電池パネルの製品としての出力特性を確認するとともに、S20における発電特性と比較される。比較の結果、S20の結果とS50の結果との差を所定の範囲内であったかを監視管理することでパネル化工程の歩留まりを把握でき、生産処理状況が判断される。発電特性が所定の範囲から外れた太陽電池パネル基板は、不良品として扱われるか、又は、再生処理などが必要に応じて実行される。このように、発電検査を2段階(S20とS50)で行うことにより、問題のある製造中基板を製造工程途中で排除することができるとともに、モジュール形成工程とパネル化工程に分けた歩留まりを把握して、全体処理工程における不良原因の改善を行うことができるので、スループットと歩留まりを向上させることができる。
発電検査(S50)の終了した太陽電池パネル4は、性能仕分け保管庫26に搬送される。発電特性で所定の分類基準に応じて分類を行って、性能仕分け保管庫26において仕分けされる。
以上のステップS10〜50の処理により、太陽電池パネル4が製造される。このような太陽電池パネルの製造方法において、本実施形態では、ステップS40の洗浄処理を実行する点で工夫されている。ステップS40の処理について、以下に説明する。
太陽電池パネル4の洗浄は、発電検査(S50)の直前に実行される。洗浄の形態としては、物理的に吹き取りによる洗浄、有機溶剤を用いた洗浄、圧力水シャワー洗浄装置による洗浄、超音波洗浄装置による洗浄、ロールブラシによる洗浄、などが挙げられる。有機溶剤(イソプロピルアルコールなど)を用いる場合には、有機溶剤を不織布などに染み込ませて、太陽電池パネル4の光入射面を拭くことでも良い。これにより、光入射面に付着した汚れを除去することができる。その不織布としては、ベンコット(商品名;旭化成せんい社製)等が挙げられる。また、有機溶剤を用いることで、樹脂等の基板1との粘着性の強い汚れをも除去することができるので好ましい。また、物理的な吹き取りによる洗浄、有機溶剤を用いた洗浄、圧力水シャワー洗浄装置による洗浄、超音波洗浄装置による洗浄、ロールブラシによる洗浄を適宜に組み合わせた洗浄により、より洗浄効果を高めても良い。
通常、太陽電池パネルは、製品として使用される際には、屋外に設置される。太陽光が光入射面から太陽電池膜に入射することで、発電する。ここで、前述の実施形態のように透光性基板1の光入射面に汚れが存在していると、この部分は影になる。影になった部分では、太陽電池膜への光入射量が減るので、発電特性が低化する。但し、ここで通常に問題となる異物の大きさは、径が略100μmより大きいものである。屋外における太陽光は直達光だけでなく散乱光を含んでいる。従って、異物が存在していたとしても、径の大きさが略100μm以下のもので集中して存在しなければ、異物の直下にも周囲から光が回り込むので、発電の特性を著しく落とすことはない。即ち、略100μmより径の小さい異物は、実用上、大きな問題にはならない。
太陽電池パネルの製造工程では、膜研磨装置を出た後に純水を用いた圧力水による水洗洗浄を行うことなどにより、実用上問題となり得る略100μmより径の大きい異物が除去され、目視観察やカメラを用いた検査装置において残留した異物がないことを確認することができる。膜研磨装置より後の工程では、略100μmより大きい異物が付着する可能性は少ない。よって、従来、膜研磨装置20後に圧力水の水洗がなされれば、その後の工程では、特に必要の無い限り太陽電池パネルを洗浄する必要はないと考えられていた。
しかしながら、本発明者らが検討を重ねたところ、太陽電池パネルの製造工程における発電検査時には、径の大きさが100μm以下の異物であっても、発電特性に影響を与える可能性があることが分かった。これは、以下に述べる理由による。
発電検査は、通常、ソーラーシミュレータにより実施される。ソーラーシミュレータから照射される光は、散乱光は少なく、直達光を主体としている。直達光を太陽電池パネルに照射した際、散乱光と違い、異物の直下への光の回り込みが著しく少なくなる。従って、異物の大きさが100μm以下であったとしても、太陽電池膜への光入射を妨げる可能性があるのである。
既述のように、膜研磨装置20以降の装置は、クリーンルーム外に配置されている。従って、100μm以下の異物は、搬送ローラーからの転着や雰囲気浮遊物の基板1への落下などにより、太陽電池パネルの光入射面に付着することがある。また、圧力水によるシャワー水洗洗浄では、100μm以下の異物までは除去しきれないことがある。
実際に、本発明者らがSEMによって洗浄処理(S40)を実施しない場合の光入射面の状態を観察したところ、光入射面において、0.1μm〜100μmの径の異物が付着していることが確認された。また、この範囲の中でも、特に、1μm〜10μmの径の異物が多く、平均粒径は3μmであり、また2μm以下の粒子が約50%を占めた。直達光を用いた場合、太陽光発電に寄与する波長光(300nm〜800nm)は、0.1μm〜100μm径の異物により吸収・反射・散乱される。従って、このような0.1μm〜100μmの径の異物により、発電検査(S50)における発電特性が影響を受け、結果の発電特性の低下やばらつきを招いている事がわかる。特に10μm以下の粒子は、通常は目視検査では発見しずらいため、発電特性への影響を把握できないままであった。このため洗浄処理工程(S40)が重要であった。
また、太陽電池モジュールの段階で行われる発電検査(S20)はクリーンルーム内で行われるとともに、異物が基板1の入射光側に付着しやすい処理工程がないことより、100μm以下の異物の付着は少ない。従って、太陽電池パネル化工程の歩留まりを、発電検査(S20)と(S50)とにおける発電特性の差から判別する場合には、実用上問題ない大きさ(0.1μm〜100μm)の異物の基板1の光入射面に付着した状況による差がより大きくなってしまう。このことから、発電検査(S50)時には、0.1μm〜100μm径、特に、目視確認が難しく付着量の多い1μm〜10μm径の異物が取り除かれていることが好ましい事がわかる。
本実施形態では、発電検査(S50)の直前に洗浄(S40)を実施するので、発電検査(S50)時の光入射面は、0.1μm〜100μmの径の異物も取り除かれたクリーンな状態である。発電検査(S50)において、光が、光入射面の異物によって遮られないので、安定した検査を実施することができる。異物の影響により、発電検査(S50)の検査結果の発電特性の低下やばらつきを抑えることができる。また、発電検査(S20)と発電検査(S50)との間で、異物の付着量の差によって生じる発電特性の差を抑えることができるため、パネル化工程の歩留まりが向上する。
続いて、洗浄(S40)時に、優先的に洗浄を行う領域について説明する。図4は、太陽電池パネル4を、透光性基板1側から見た図である。尚、位置関係を説明するために、太陽電池膜2も透視させて示している。光入射面のうちで、洗浄時(S40)における優先順位の高い領域は、基板の周縁部分である。基板の周縁部では、膜研磨装置20によって太陽電池膜が除去される。この時、研磨屑や砥粒が、太陽電池パネルの基板の光入射側の周縁部にも付着することが多い。このため、基板の周縁部分を優先して、洗浄(S40)を行うことが好ましい。この時、異物が位置的に連続するように残存していると、その部分が出力低下により抵抗になり易いので、異物が連続して残存しないように洗浄を行うことが好ましい。
また、周縁部のうちでも、短冊状に区切られた発電セル6の長辺方向に平行な領域(図4に斜線で示された領域)は、更に優先度を高くすることが好ましい。本発明者が検討を行ったところ、S40の洗浄工程を設けない場合には、発電検査(S20)と比較すると、発電検査(S50)時には、開放電圧(Voc)及び短絡電流(Isc)は低下せず、形状因子(FF)のみが低下する傾向にあることが分かった。このような発電特性の挙動は、複数の発電セル6のうち、一部の発電セルのみの性能低下が起こっていることを示唆する。このことから、発電セル6の長手方向に連続して汚れが残り、その発電セル6への光入射量が減少しセル単位での発電量が低下して該セルが太陽電池モジュールの抵抗となっていることが考えられる。よって、基板の4辺のうち、発電セル6の長辺方向に平行な辺に沿った領域を最も優先させて洗浄することが好ましい。ここで、長辺方向とは図4における短冊状のセル長手方向を示しており、太陽電池パネル基板各辺の長短状況に左右されるものではない。
発電セル6の短辺方向に平行な領域については、概略として汚れが付着した面積に応じ光入射量が減少し出力低下が起こる。但し、上述のように一部の発電セル6が長辺側全体が抵抗になってしまうほどのものではない。従って、長辺方向に平行な領域ほどには優先順位を高くする必要は無い。
以下に、図5を参照して、発電検査(S50)の直前に洗浄(S40)を行った場合と、行わなかった場合(比較例)とを比較する。図5において、縦軸は出力変化((S50での出力−S20での出力)/S20での出力)(%)を示す。横軸は、太陽電池パネル製造システム10で処理された基板が、発電検査装置25により検査されたときの時間を示している。時間毎に、洗浄処理(S40)の条件を変えて、比較例1〜2、実施例1〜3とした。比較例1〜2及び実施例1〜3の洗浄(S40)時の条件は以下の通りである。
(比較例1)
比較例1は、時刻t1〜t2までの間に発電検査(S50)された太陽電池パネル基板である。比較例1の太陽電池パネル基板については、洗浄処理(S40)は行われていない。
(比較例2)
比較例2は、時刻t2〜t3までの間に発電検査(S50)された太陽電池パネル基板である。比較例2の太陽電池パネル基板については、太陽電池モジュールの発電検査(S20)の前に実施される洗浄工程において、洗浄を強化した。即ち、裏面電極製膜装置16と裏面レーザーエッチング装置17との間で実施される圧力水シャワー水洗+ロールブラシ洗浄について、ロールブラシと太陽電池パネル基板との距離を若干量縮めることによってロールブラシの押し付け圧力を増加させた。尚、実施例1〜3については、裏面電極製膜装置16と裏面レーザーエッチング装置17間の洗浄は、上記のロールブラシ押し付け圧力を増加させた状態で実施した。
(実施例1)
実施例1は、時刻t4〜t5までの間に発電検査(S50)された太陽電池パネル基板である。実施例1の太陽電池パネル基板については、発電検査(S50)の直前に、光入射面を物理的に拭き取る洗浄(S40)を行った。洗浄(S40)は、搬送ラインに不織布を設置して、光入射面にその不織布を押し付けながら拭き取りを行った。その不織布としては、ベンコット(商品名;旭化成せんい社製)を用いた。
(実施例2)
実施例2は、時刻t6〜t7までの間に発電検査(S50)された基板である。実施例2の基板については、発電検査(S50)の直前に、光入射面の有機溶剤による洗浄(S40)を行った。洗浄(S40)は、不織布に有機溶剤を染み込ませ、その不織布によって光入射面を拭くことで行った。
(実施例3)
実施例3は、時刻t8〜t9に発電検査(S50)された基板である。実施例3の基板については、実施例2と同様に、不織布に有機溶剤を染み込ませて拭いたうえ、実施例1と同様に、不織布による光入射面の物理的押し付け拭き取り洗浄も実行した。
(実験結果)
図6は、比較例1〜2、及び実施例1〜3の結果を表に示した図である。発電検査(S50)と(S20)の間の出力変化(平均)は、比較例1が−4.7%、比較例2が−5.1%であったのに対して、実施例1が−3.3%、実施例2が−2.5%、実施例3が−0.8%であった。即ち、比較例1に対して比較例2のモジュール形成工程における洗浄処理強化効果は低く、実施例1〜3においてパネル化工程終了後に基板1の光入射面を洗浄することで出力変化が改善されていると判った。
また、統計的に結果を処理して分散を求めたところ、比較例1は2.4%、比較例2は2.0%であったのに対して、実施例1は1.2%、実施例2は0.9%、実施例3は0.3%であった。即ち、比較例1、2に対して実施例1〜3は、出力変化のばらつきが低減されていることが分かった。
また、実施例1〜3のなかでは、発電検査(S50)の直前の洗浄(S40)として、実施例3のように、有機溶剤を用いた上で、光入射面に不織布の押し付け拭き取りを行うと、出力変化及び分散が、より低減でき、太陽電池パネルの発電特性をより精度良く検査できることが示された。
太陽電池パネル製造システム10の構成を示す図である。 太陽電池パネルの製造方法のフローチャートである。 太陽電池パネルの製造過程を説明する図である。 太陽電池パネルの製造過程を説明する図である。 ステップS40における洗浄を優先的に行う領域を説明する図である。 実施例1〜3、比較例1、2の結果を示すグラフである。 実施例1〜3、比較例1、2の結果を示す表である。
符号の説明
1 透光性基板
2 太陽電池膜
3 太陽電池モジュール
4 太陽電池パネル
5 透明導電層
6 発電セル
7 光電変換層
8 裏面電極層
10 太陽電池パネル製造システム
11 基板搬入装置
12 透明電極製膜装置
13 レーザーエッチング装置
14 光電変換層製膜装置
15 レーザーエッチング装置
16 裏面電極製膜装置
17 レーザーエッチング装置
18 レーザーエッチング装置
19 発電検査装置
20 膜研磨装置
21 レイアップ装置
22 ラミネータ装置
23 基板分断装置
24 端子箱取りつけ装置
25 発電検査装置
26 性能仕分け保管庫

Claims (7)

  1. 透光性基板上に、太陽電池膜を積層して太陽電池モジュールを形成するモジュール形成工程と、
    前記太陽電池モジュールの発電検査を行うモジュール検査工程と、
    前記太陽電池モジュールをパネル化して太陽電池パネルを形成するパネル化工程と、
    前記太陽電池パネルの光入射面を洗浄するパネル洗浄工程と、
    前記太陽電池パネルの発電検査を行うパネル検査工程と、
    を具備し、
    前記パネル洗浄工程は、前記パネル発電検査工程の直前に実施される
    太陽電池パネルの製造方法。
  2. 請求項1に記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
    前記モジュール検査工程及び前記パネル検査工程において、光源として直達光を用いて発電検査を行う
    太陽電池パネルの製造方法。
  3. 請求項1又は2に記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
    前記パネル洗浄工程において、0.1μm以上100μm以下の異物を除去するように洗浄を行う
    太陽電池パネルの製造方法。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
    前記モジュール検査工程は、前記太陽電池モジュールのレーザーエッチング工程が完了した後に実施され、
    前記パネル化工程以降は、端子箱取り付け後に実施される
    太陽電池パネルの製造方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
    前記パネル洗浄工程において、有機溶媒を用いて洗浄を行う
    太陽電池パネルの製造方法。
  6. 請求項1乃至4のいずれかに記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
    前記パネル洗浄工程において、超音波洗浄により洗浄を行う
    太陽電池パネルの製造方法。
  7. 請求項1乃至4のいずれかに記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
    前記パネル洗浄工程において、圧力水シャワー洗浄により洗浄を行う
    太陽電池パネルの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012077401A1 (ja) * 2010-12-07 2012-06-14 富士電機株式会社 太陽電池の製造方法
WO2014010310A1 (ja) * 2012-07-10 2014-01-16 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110201143A1 (en) * 2008-10-13 2011-08-18 Solibro Research Ab Method for manufacturing a thin film solar cell module
TWI403738B (zh) * 2009-06-18 2013-08-01 Au Optronics Corp 測試裝置及其去膠模組以及太陽能電池的製造方法
US20110109336A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Yu-Hsing Lin Positioning method and apparatus for inspecting solar battery panel
KR101097252B1 (ko) * 2009-11-17 2011-12-21 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자
US8403945B2 (en) 2010-02-25 2013-03-26 Covidien Lp Articulating endoscopic surgical clip applier
WO2011154910A2 (en) * 2010-06-09 2011-12-15 Pasan Sa System and method for monitoring pv device
US9299226B2 (en) * 2012-02-14 2016-03-29 Diebold Self-Service Systems Division Of Diebold, Incorporated Banking apparatus with deposit accepting device
ITAN20130079A1 (it) * 2013-04-24 2014-10-25 Mc Energy Gts S R L Impianto fotovoltaico comprendente un dispositivo di rilevazione dello sporco.
US10043937B2 (en) 2014-12-05 2018-08-07 Solarcity Corporation Systems and method for precision automated placement of backsheet on PV modules
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
CN112821865B (zh) * 2020-12-30 2022-03-29 南京南瑞继保工程技术有限公司 一种光伏电站低效设备快速定位方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4084985A (en) * 1977-04-25 1978-04-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for producing solar energy panels by automation
US4152824A (en) * 1977-12-30 1979-05-08 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Manufacture of solar cells
US4227942A (en) * 1979-04-23 1980-10-14 General Electric Company Photovoltaic semiconductor devices and methods of making same
JP3073327B2 (ja) * 1992-06-30 2000-08-07 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
US5635408A (en) * 1994-04-28 1997-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device
JP3057599B2 (ja) 1994-07-06 2000-06-26 キヤノン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US6156967A (en) * 1998-06-04 2000-12-05 Tecstar Power Systems, Inc. Modular glass covered solar cell array
JP3364180B2 (ja) * 1999-01-18 2003-01-08 三菱重工業株式会社 非晶質シリコン太陽電池
JP2001007371A (ja) 1999-06-17 2001-01-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 太陽電池モジュール
AU772539B2 (en) * 1999-07-29 2004-04-29 Kaneka Corporation Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus
US20020066473A1 (en) * 2000-12-01 2002-06-06 Gil Levy Solar collector washing system
JP4461656B2 (ja) * 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
JP2003124489A (ja) * 2001-10-12 2003-04-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池モジュール集合体、配線システム及び太陽光発電システム
US6911593B2 (en) * 2002-09-24 2005-06-28 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Transparent self-cleaning dust shield
ES2291523T3 (es) * 2002-12-12 2008-03-01 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Metodo de produccion para un panel solar.
WO2005006393A2 (en) * 2003-05-27 2005-01-20 Triton Systems, Inc. Pinhold porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications
JP4194468B2 (ja) * 2003-10-10 2008-12-10 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
JP2005235916A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜太陽電池製造システム
EP1732139B1 (en) * 2004-03-25 2018-12-12 Kaneka Corporation Method for producing a substrate for thin-film solar cell
KR20070102661A (ko) * 2004-09-24 2007-10-19 플렉스트로닉스, 인크 광기전 전지에서의 헤테로 원자를 갖는 위치 규칙적폴리(3-치환 티오펜)
WO2007149835A2 (en) * 2006-06-20 2007-12-27 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
US7902418B2 (en) * 2006-07-24 2011-03-08 Conocophillips Company Disproportionation of isopentane

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012077401A1 (ja) * 2010-12-07 2012-06-14 富士電機株式会社 太陽電池の製造方法
WO2014010310A1 (ja) * 2012-07-10 2014-01-16 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
CN104321853A (zh) * 2012-07-10 2015-01-28 夏普株式会社 半导体元件的制造方法

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