JPS58154278A - 放射エネルギ−検出器 - Google Patents
放射エネルギ−検出器Info
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- JPS58154278A JPS58154278A JP57218487A JP21848782A JPS58154278A JP S58154278 A JPS58154278 A JP S58154278A JP 57218487 A JP57218487 A JP 57218487A JP 21848782 A JP21848782 A JP 21848782A JP S58154278 A JPS58154278 A JP S58154278A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の分野〕
本発明は、一般的には、梃波長の放射エネルギー検出器
に関するものであり、特に、９００ｎｍの波長領域にお
いて高速度で高効率である検出器及びこのような噴出器
を製造する方法に関するものでるる。
に関するものであり、特に、９００ｎｍの波長領域にお
いて高速度で高効率である検出器及びこのような噴出器
を製造する方法に関するものでるる。
さらに特定すれば、本発明は、装置の表面が原ノ
予約に平行でるり、入射光が全く検出器内で吸収される
、ＰＸＮ元演出器に関すると言えるものでオ夛、また、
残留ウェブ（ｒｅｍａｉｎｉｎｇ ｗｅｂ）が接点間に
非常に小さな間隔ｒ有して光検出器中に形成され得るよ
うな方法で、置数のＶ溝を有する半導体基板を異方性食
刻する方法に関すると言えるものでろる。本発明により
、高速度で高効率の元険出器が達成される。
、ＰＸＮ元演出器に関すると言えるものでオ夛、また、
残留ウェブ（ｒｅｍａｉｎｉｎｇ ｗｅｂ）が接点間に
非常に小さな間隔ｒ有して光検出器中に形成され得るよ
うな方法で、置数のＶ溝を有する半導体基板を異方性食
刻する方法に関すると言えるものでろる。本発明により
、高速度で高効率の元険出器が達成される。
Ｉ ＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｔｓｃｌ’ｏｓｕ
ｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ。
ｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ。
ＶＯｌ、２３．４７Ｂ、Ｄｅｃ、１９８０．Ｉ）Ｉ）−
３４５６−５７ｉ、Ｖ溝がシリコン・ウェハの一万の側
から異方性食刻された、ソーラ・セル構造体を示してい
る。この又献は、ｎ及びｐの領域間の距離が変わるよう
に、ｎ及びｐの領域間のシリコン領域が広がることｔ示
している。
３４５６−５７ｉ、Ｖ溝がシリコン・ウェハの一万の側
から異方性食刻された、ソーラ・セル構造体を示してい
る。この又献は、ｎ及びｐの領域間の距離が変わるよう
に、ｎ及びｐの領域間のシリコン領域が広がることｔ示
している。
米国特許第４２００４７２号は、ｎ及びｐの領域の間の
シリコン牝動領域が装置の長さ方向に変わる、類似の構
造体ｒ示している。
シリコン牝動領域が装置の長さ方向に変わる、類似の構
造体ｒ示している。
米国特許第４２９４５１０号は、オプティカル・パスの
長さが装置の長さよりも長いような、オプテイカル・フ
ァイバ用の台形形状にされた検出器ｒ提供する、光検出
器の構成を示している。この米国特許の構造体は、装置
が台形的で長い方の次元についてのみ平行であるので、
ｐ−’及びｎ−１の接合が２次元について平行である本
発明とは異なる。
長さが装置の長さよりも長いような、オプテイカル・フ
ァイバ用の台形形状にされた検出器ｒ提供する、光検出
器の構成を示している。この米国特許の構造体は、装置
が台形的で長い方の次元についてのみ平行であるので、
ｐ−’及びｎ−１の接合が２次元について平行である本
発明とは異なる。
オプティカル・ファイバｋｍ出器にアライメントするの
にＶ溝を用いることは、米国特許第４２９４５１０号及
び第３９９４５５９号に示されている。
にＶ溝を用いることは、米国特許第４２９４５１０号及
び第３９９４５５９号に示されている。
本発明の目的は、入射光の全吸収及び短い通過時間を提
供する光検出器を達成することである。
供する光検出器を達成することである。
本発明の実施により、基板の表面が原子的に平行な光検
出器が提供される。
出器が提供される。
また、本発明の実施によ一゛：り←半導体基板の両側か
らの異方性食刻が入射光を斜めに結合し全体的に吸収で
きるような構造体２生じるプロセスが提供δれる。
らの異方性食刻が入射光を斜めに結合し全体的に吸収で
きるような構造体２生じるプロセスが提供δれる。
本発明は、放射エネルギー検出用の高速度、昼効率の装
置及びその製造方法に関するものである。
置及びその製造方法に関するものである。
装置は、ウェハの各側からＶｆｆｌｊｋ異万性良刻した
後に、ウェブの厚さ寸法だけ互いからオフセット（ｏｆ
ｆｓｅｔ）？ｆ”残すような、ウェハのウェブ中に形成
される。ウェブの面がドープされ、適切に配線される。
後に、ウェブの厚さ寸法だけ互いからオフセット（ｏｆ
ｆｓｅｔ）？ｆ”残すような、ウェハのウェブ中に形成
される。ウェブの面がドープされ、適切に配線される。
結果として侍らｎる装置は、同等の光吸収を有する公刊
の装置に比べて、よＶ速い通過時間を有し、又は同等の
速度を有する装置に比べてより大きな光吸収ｔＭする、
ＰＩＮ元検比検出器る。装置は、オン及びオフのチップ
・コミュニケーション並びに赤外線及びＸ線の検出のた
めに、検出器として、オプティカル・ファイバと共に用
いられ得る。
の装置に比べて、よＶ速い通過時間を有し、又は同等の
速度を有する装置に比べてより大きな光吸収ｔＭする、
ＰＩＮ元検比検出器る。装置は、オン及びオフのチップ
・コミュニケーション並びに赤外線及びＸ線の検出のた
めに、検出器として、オプティカル・ファイバと共に用
いられ得る。
本発明の目的、特許及び利点は、以下のより特定した好
笑ｔＩｆｆＡ例の説明から、より明らかになるであろう
。
笑ｔＩｆｆＡ例の説明から、より明らかになるであろう
。
さて、第１図ケ参照するに、この図には、高速度、高効
率の好検出器１の断面図が示されている。
率の好検出器１の断面図が示されている。
光検出器１は、半導体物質、好ましくは、高抵抗率のシ
リコンである基板即ちウェブ２から成シ、ウェブ２の原
子的に平行な表面からウェブ２中へ小さな距離伸びてい
るｐ及びｎ導電型の領域ろ及び４が各々設けらｎている
。ウェブ２の残る中央領域は、特性的に真性である。第
」の金属接点５がｐ導電型領域３に接続して示されてお
り、一方、第２の金帆接点６が、ｎ導電型領域４に接続
して示ざｎている。金属接点５及び６は、アルミニウム
その他の適切々金属から成る。最後に、特性的には反射
防止性である、二酸化シリコンその池の透明な物質の層
７は、光線８がウェブ２内で多重反射し、衝突する光線
８が通る長いパスの長さのためにそこで？く吸収される
ような方法で、光線８がウェブ２中へ結合さｎるように
、ウェブ２の露出された端部の土に伸びている部分を有
する。
リコンである基板即ちウェブ２から成シ、ウェブ２の原
子的に平行な表面からウェブ２中へ小さな距離伸びてい
るｐ及びｎ導電型の領域ろ及び４が各々設けらｎている
。ウェブ２の残る中央領域は、特性的に真性である。第
」の金属接点５がｐ導電型領域３に接続して示されてお
り、一方、第２の金帆接点６が、ｎ導電型領域４に接続
して示ざｎている。金属接点５及び６は、アルミニウム
その他の適切々金属から成る。最後に、特性的には反射
防止性である、二酸化シリコンその池の透明な物質の層
７は、光線８がウェブ２内で多重反射し、衝突する光線
８が通る長いパスの長さのためにそこで？く吸収される
ような方法で、光線８がウェブ２中へ結合さｎるように
、ウェブ２の露出された端部の土に伸びている部分を有
する。
ウェブ２内での放射エネルギーの全吸収のために、光線
は、また、装置ｉｉｉの底で−７を通るように入射され
得る。このように、２つの別々の光源からの出力が重複
しないなら、罎−の装置は、それらの出力に応答するよ
うに、時間分割され得る。
は、また、装置ｉｉｉの底で−７を通るように入射され
得る。このように、２つの別々の光源からの出力が重複
しないなら、罎−の装置は、それらの出力に応答するよ
うに、時間分割され得る。
検出されている波長における半導体の吸収係数の逆数に
比べて、元のパス長りが非常に長い限り、光線８は、全
く吸収される。接点５及び６０間の幅Ｗは、衝突する元
の高速度検出を提供するために、できるだけ小さくある
がきである。＠Ｗが非常に小さいなら、光学的に発生さ
れたキャリヤは、小さな距離のみｔ移動すれば良く、領
域３及び４の間で寸ｉＬに沿ってウェブ２内の発生地点
から収集さｎる。第１図では、ウェブ２は、それｔドー
プしないか若しくはわずかにドープしたシリコンで作る
ことにより、乃至は、キャリヤの領域ｔディプリート（
ｄｅｐｌｅｔｅ）するように適切にバイアスすることに
より、十分にキャリヤがディプリートされる。領域３及
び４の広がりがウェブ２の真性な中央領域ｔなくしてし
まうような構成では、逆バイアスすることによシ、キャ
リヤが十分にディプリートさｎる。
比べて、元のパス長りが非常に長い限り、光線８は、全
く吸収される。接点５及び６０間の幅Ｗは、衝突する元
の高速度検出を提供するために、できるだけ小さくある
がきである。＠Ｗが非常に小さいなら、光学的に発生さ
れたキャリヤは、小さな距離のみｔ移動すれば良く、領
域３及び４の間で寸ｉＬに沿ってウェブ２内の発生地点
から収集さｎる。第１図では、ウェブ２は、それｔドー
プしないか若しくはわずかにドープしたシリコンで作る
ことにより、乃至は、キャリヤの領域ｔディプリート（
ｄｅｐｌｅｔｅ）するように適切にバイアスすることに
より、十分にキャリヤがディプリートされる。領域３及
び４の広がりがウェブ２の真性な中央領域ｔなくしてし
まうような構成では、逆バイアスすることによシ、キャ
リヤが十分にディプリートさｎる。
第１図の装＠１では、元によ、つて発生されるキャリャ
は、非常に遅い拡散機構に比べて、非常に速いドリフト
機構で転送される。検出器の応答速度は、小さな距離Ｗ
のために非常に速くなシ得る、キャリヤの通過時間によ
って、結局、決められる。
は、非常に遅い拡散機構に比べて、非常に速いドリフト
機構で転送される。検出器の応答速度は、小さな距離Ｗ
のために非常に速くなシ得る、キャリヤの通過時間によ
って、結局、決められる。
幅Ｗは、ウェブ２中に光？ｆ−元学的に結合するために
使用さｎる結合成分のある寸法により、しばしば決めら
れることｔ認識すべきだ。従って、オプティカル・ファ
イバがウェブ２に結合される場合には、幅Ｗは、オプテ
ィカル・ファイノ（の直径により、しばしば、決められ
る。
使用さｎる結合成分のある寸法により、しばしば決めら
れることｔ認識すべきだ。従って、オプティカル・ファ
イバがウェブ２に結合される場合には、幅Ｗは、オプテ
ィカル・ファイノ（の直径により、しばしば、決められ
る。
高速度応答に加えて、第１図の装置は、ウェブ２内で光
学的に発生されるキャリヤについて、高い収集効率を有
する。なぜなら、正孔−電子対が発生されるところから
数ミクロン以内に、領域３及び４が位置しているからで
ある。その上、−７について光学的に反射防止性の膜を
用いることにより、ウェブ２中への光学的転癲の高い効
率が保証され、そして、特性的に反射性である金属接点
６及び７が、ウェブ２に沿って伝わる元エネルギーに対
する内部の反射物として働く。
学的に発生されるキャリヤについて、高い収集効率を有
する。なぜなら、正孔−電子対が発生されるところから
数ミクロン以内に、領域３及び４が位置しているからで
ある。その上、−７について光学的に反射防止性の膜を
用いることにより、ウェブ２中への光学的転癲の高い効
率が保証され、そして、特性的に反射性である金属接点
６及び７が、ウェブ２に沿って伝わる元エネルギーに対
する内部の反射物として働く。
第１図の光検出器の立上り時間を示すために、以下の例
が提供される。この例は、装置１の幅Ｗ間のキャリヤの
ドリフト時間を示す。１２１３ち、等式１：ｔ、”−９
− ここで、ｖ ＝６μは、キャリヤのドリフト速度である
。ドリフト電界ε＝１０’Ｖ／α及び移１０’ｃ＊ｇ−
”である飽和速度に近づく。従って、この装置の立上り
時間は、約３００ｐｓである。
が提供される。この例は、装置１の幅Ｗ間のキャリヤの
ドリフト時間を示す。１２１３ち、等式１：ｔ、”−９
− ここで、ｖ ＝６μは、キャリヤのドリフト速度である
。ドリフト電界ε＝１０’Ｖ／α及び移１０’ｃ＊ｇ−
”である飽和速度に近づく。従って、この装置の立上り
時間は、約３００ｐｓである。
プレーナ検出器で通常得られる小さな吸収は、９００ｎ
ｍの波長の元信号を用いる以下の例から理解され得る。
ｍの波長の元信号を用いる以下の例から理解され得る。
このような波長は、ガリウム砒素の注入レーザ源から利
用できる。６ミクロンの幅Ｗに対して、吸収される光の
量は、以下の等式から決定され得る。１口ち、 等式２ ： Ｐ／Ｐ ＝ｅｘｐ’にａ ｗ）ｏ
Ｓｔ ここで、Ｐは、距離Ｗにおける屈折力（ｏｐ口ｃａｌｐ
ｏｗｅｒ）である。Ｐ は、ウェブ２に入る屈折力であ
る。αＳ、は、光吸収係数である。９００ｎｍにおける
α 、は３ＱＱｍ−”に等しい。もしＷ＝Ｒ ６μｍなら、Ｐ／Ｐ ＝ａｘｐ（−３００Ｘ ３ ）
＝０．９１４である。
用できる。６ミクロンの幅Ｗに対して、吸収される光の
量は、以下の等式から決定され得る。１口ち、 等式２ ： Ｐ／Ｐ ＝ｅｘｐ’にａ ｗ）ｏ
Ｓｔ ここで、Ｐは、距離Ｗにおける屈折力（ｏｐ口ｃａｌｐ
ｏｗｅｒ）である。Ｐ は、ウェブ２に入る屈折力であ
る。αＳ、は、光吸収係数である。９００ｎｍにおける
α 、は３ＱＱｍ−”に等しい。もしＷ＝Ｒ ６μｍなら、Ｐ／Ｐ ＝ａｘｐ（−３００Ｘ ３ ）
＝０．９１４である。
このように、衝突する光のほぼ１チが吸収される。それ
故に、ウェブ２の内部で反射を生じるように検出器の境
界における反射物を用いて光学的パスｒ折り曲げること
により、電気的パスＷよシもずつと大きい光学的な実効
長を作ることが、望ましい。例えば、装置１内における
ほぼ１５の内部反射では、はとんど全ての入射光が吸収
される。
故に、ウェブ２の内部で反射を生じるように検出器の境
界における反射物を用いて光学的パスｒ折り曲げること
により、電気的パスＷよシもずつと大きい光学的な実効
長を作ることが、望ましい。例えば、装置１内における
ほぼ１５の内部反射では、はとんど全ての入射光が吸収
される。
さて、第２．１図乃至第２．８図を参照するに、こｎら
の図には、第１図の装置が、その製造の種々の段階にお
いて示されている。そして、第２．７図には、第１図に
示された装置に類似する構造体が示されている。
の図には、第１図の装置が、その製造の種々の段階にお
いて示されている。そして、第２．７図には、第１図に
示された装置に類似する構造体が示されている。
さて、第２，１図を参照するに、真性又はホウ素のよう
なｐ導電型ドーパンｉｌ用いてわずかにドープされたシ
リコン基板即ちウェブ２は、向い合う表面に形成された
二酸化シリコン又は窒出シリコンのような絶縁１１１及
び１２ｉ有する。シリコン基板２の表面は、（１００）
の結晶方向ケ有している。層１１及び１２は、周知の方
法により二酸化シリコンの熱酸化で、又は二酸１ヒシリ
コン若しくは窒Ｉｔｓシリコンの地学気相付着で形成さ
れ得る。
なｐ導電型ドーパンｉｌ用いてわずかにドープされたシ
リコン基板即ちウェブ２は、向い合う表面に形成された
二酸化シリコン又は窒出シリコンのような絶縁１１１及
び１２ｉ有する。シリコン基板２の表面は、（１００）
の結晶方向ケ有している。層１１及び１２は、周知の方
法により二酸化シリコンの熱酸化で、又は二酸１ヒシリ
コン若しくは窒Ｉｔｓシリコンの地学気相付着で形成さ
れ得る。
第２，２図は、幅Ｘｔ有する開口１３が、周知の７万ト
リソグラフイ及び食刻の技術を用いてｒ＠１１に開けら
れた陵の基板２？Ｉ？示す。
リソグラフイ及び食刻の技術を用いてｒ＠１１に開けら
れた陵の基板２？Ｉ？示す。
第２．３図は、基板の全厚さにわたって異方性食刻され
た陵の基板２を示す。（１００）の結晶方向を有するシ
リコン基板に対する異方性食刻ば、シリコン基板の〔１
１１〕結晶軸に平行に位置合せされたＶ溝表面に垂直に
、基板の表面から５４゜７°の角度で、基板２を食刻す
る。シリコンＶｃ対する異方性の食刻剤及び食刻のプロ
セスは、半導体技術においては周知である。１つの方法
として、異方性のＶ溝食刻を実行するために、エチレン
ジアミン１２０ｍｔ、ピロカテコール２２ｆ及び水６０
ｍｔの混合溶液が用いられる。シリコン基板２を食刻す
るのに必要々時間の間、食刻剤の温度が、１０４°Ｃ乃
至１１０°Ｃに維持される。食刻の時間に、基板２の厚
さで変わるが、異方性食刻は、幅Ａｉ有する層１２の部
分１２′が露出されるまで、続けられるべきである。食
刻後、基板２−１熱いメチル・アルコール中で洗浄され
、イオンを除去した水でリンスされる。それから、Ｖ溝
１６の露出した表面にｎ型ドーパンｔｆ拡散すること６
ｒ４より、領域１４及び１５が形成される。ドープされ
る領域１４及び１５は、導電性のタイプが・１となるよ
うに濃くドープされる。領域１４及び１５のドーピング
は、当業者に周知の方法で笑翔される。
た陵の基板２を示す。（１００）の結晶方向を有するシ
リコン基板に対する異方性食刻ば、シリコン基板の〔１
１１〕結晶軸に平行に位置合せされたＶ溝表面に垂直に
、基板の表面から５４゜７°の角度で、基板２を食刻す
る。シリコンＶｃ対する異方性の食刻剤及び食刻のプロ
セスは、半導体技術においては周知である。１つの方法
として、異方性のＶ溝食刻を実行するために、エチレン
ジアミン１２０ｍｔ、ピロカテコール２２ｆ及び水６０
ｍｔの混合溶液が用いられる。シリコン基板２を食刻す
るのに必要々時間の間、食刻剤の温度が、１０４°Ｃ乃
至１１０°Ｃに維持される。食刻の時間に、基板２の厚
さで変わるが、異方性食刻は、幅Ａｉ有する層１２の部
分１２′が露出されるまで、続けられるべきである。食
刻後、基板２−１熱いメチル・アルコール中で洗浄され
、イオンを除去した水でリンスされる。それから、Ｖ溝
１６の露出した表面にｎ型ドーパンｔｆ拡散すること６
ｒ４より、領域１４及び１５が形成される。ドープされ
る領域１４及び１５は、導電性のタイプが・１となるよ
うに濃くドープされる。領域１４及び１５のドーピング
は、当業者に周知の方法で笑翔される。
第２．４図でに、基板２が反転され、そして開口１３′
が第２．２図に関して述べたのと類似の方法で鳴１２に
開けられた後の基板２が示されている。
が第２．２図に関して述べたのと類似の方法で鳴１２に
開けられた後の基板２が示されている。
開口１３′は、第１図に示肇れた寸法Ｗよシもわずかに
大きな寸法だけ、１ｉｉ１２の露出した部分１２′の端
部から変位されるべきである。
大きな寸法だけ、１ｉｉ１２の露出した部分１２′の端
部から変位されるべきである。
これｒ行なうことによシ、続く異方性ステップの間に、
形成されるべきウェブの厚さを制御し、結局、第１図に
示されたような検出器の速度ケ制御することになる、マ
スクが提供される。
形成されるべきウェブの厚さを制御し、結局、第１図に
示されたような検出器の速度ケ制御することになる、マ
スクが提供される。
第２．５図は、第２．３図に関して述べたのと同じ方法
で、第２の異方性食刻ステップが開口１６′を経て実施
でれた後の基板２を示す。第２．５図は、明らかに、幅
Ｗが、層１２の露出した１分１２′の端部から開口１３
′の変位だけ制御され得ることｔ示している。第２．５
図の異方性食刻ステップが第２．３図の異方性食刻ステ
ップ後に行なわｎる点で、Ｖ溝１６は、過剰食刻を防ぐ
ためにマスクさｎなければならない。
で、第２の異方性食刻ステップが開口１６′を経て実施
でれた後の基板２を示す。第２．５図は、明らかに、幅
Ｗが、層１２の露出した１分１２′の端部から開口１３
′の変位だけ制御され得ることｔ示している。第２．５
図の異方性食刻ステップが第２．３図の異方性食刻ステ
ップ後に行なわｎる点で、Ｖ溝１６は、過剰食刻を防ぐ
ためにマスクさｎなければならない。
Ｖ溝１６′がＶ溝１６と同時に異方性食刻δれ得る点で
、拡散の間に両方のＶ溝へ同じ型の不純物が拡散するの
ケ防ぐために、Ｖ溝のうちσ】一方が、それから他方が
、マスクさｎなければならなくなるであろう。し易化な
がら、もしドーパントのイオン注入が第２．６図に関し
て示されているように用いらｎるなら、拡散プロセスに
必要とされるようなマスキングは避けられ得る。
、拡散の間に両方のＶ溝へ同じ型の不純物が拡散するの
ケ防ぐために、Ｖ溝のうちσ】一方が、それから他方が
、マスクさｎなければならなくなるであろう。し易化な
がら、もしドーパントのイオン注入が第２．６図に関し
て示されているように用いらｎるなら、拡散プロセスに
必要とされるようなマスキングは避けられ得る。
さて、第２，６図を参照するに、Ｖ溝１６′の両側が、
周知のイオン注入技術を用いてホウ素でドープさｎる。
周知のイオン注入技術を用いてホウ素でドープさｎる。
Ｖ溝１６′の表面に注入さｎるドー十
パントの濃度は、導電性が特性的にｐ となるようなも
のである。この時点で、Ｖ溝１６及び１６′の異方性食
刻が、原子的に平行で非常に接近した間隔にされた表面
を有するウェブ２を提供していることヶ認識すべきであ
る。イオン注入ステップ後に、アルミニウムのような金
属が付着さｎ１ｖ十 溝１６のｎ 導電型領域への接点１９’ｉｚ提供するよ
うに画成される。同様に、第２．７図に示されているよ
うに、アルミニウムのよう々金属が、付着＋ され、Ｖ溝１６′のｐ 導電型領域に接点２０１に形成
するように、Ｖ溝１６′中で画成される。第２．７図に
示されている構成成分は、金属接点が付＋ ＋ 着されているｐ 及びｎ のドープされた領域間に真性
領域が設けられている光検出器を形成する。
のである。この時点で、Ｖ溝１６及び１６′の異方性食
刻が、原子的に平行で非常に接近した間隔にされた表面
を有するウェブ２を提供していることヶ認識すべきであ
る。イオン注入ステップ後に、アルミニウムのような金
属が付着さｎ１ｖ十 溝１６のｎ 導電型領域への接点１９’ｉｚ提供するよ
うに画成される。同様に、第２．７図に示されているよ
うに、アルミニウムのよう々金属が、付着＋ され、Ｖ溝１６′のｐ 導電型領域に接点２０１に形成
するように、Ｖ溝１６′中で画成される。第２．７図に
示されている構成成分は、金属接点が付＋ ＋ 着されているｐ 及びｎ のドープされた領域間に真性
領域が設けられている光検出器を形成する。
衝突する元の完壁な吸収がａＴａな光検出器を形成する
ことに加えて、光がウェブ２′に入る、ウェブ２′の端
部の上にある１１１及び１２の部分に、窓が自動的に形
成される。さらに、光が全く吸収嘔れるように、半導体
物質の内部で反射されるようにする、衝突する光に対し
てるる角度に、光検出器は配置されている。
ことに加えて、光がウェブ２′に入る、ウェブ２′の端
部の上にある１１１及び１２の部分に、窓が自動的に形
成される。さらに、光が全く吸収嘔れるように、半導体
物質の内部で反射されるようにする、衝突する光に対し
てるる角度に、光検出器は配置されている。
第２．１図乃至！２．７図は、案内されない光について
用いられ得る検出器を提供するプロセス？示している。
用いられ得る検出器を提供するプロセス？示している。
オプティカル・ファイバにより第１図の検出器に元を結
合することは、オプティカル・ファイバが設けられる溝
ｒ提供する、もう１つの異方性食刻ステップのみｔ伴う
だけである。もし、イオン注入が行なわれた後で、且つ
、配線１９が第２．６図に示されているように画成さｎ
る前に、第２．８図に示芒れているように、もう１つの
開口２１がｆｉｌ ２に開けらＩＬるナラ、Ｖ溝１６と
直角ケなすもう１つのＶ溝２２が、オフティカル・ファ
イバを受けるために、先に述べたようなのと同じ方法で
食刻され得る。
合することは、オプティカル・ファイバが設けられる溝
ｒ提供する、もう１つの異方性食刻ステップのみｔ伴う
だけである。もし、イオン注入が行なわれた後で、且つ
、配線１９が第２．６図に示されているように画成さｎ
る前に、第２．８図に示芒れているように、もう１つの
開口２１がｆｉｌ ２に開けらＩＬるナラ、Ｖ溝１６と
直角ケなすもう１つのＶ溝２２が、オフティカル・ファ
イバを受けるために、先に述べたようなのと同じ方法で
食刻され得る。
第３図は、Ｖ溝２２が基板２に食刻され、そして、第２
．７図の配線ステップが完了した後における、光検出器
１の端部ｒ示している。シース又は被覆２４に保持され
たオプティカル・ファイバ２３が、Ｖ溝２２に配置され
て示されている。この■溝２２は、光線８がオプティカ
ル・ファイバ２３から、光線８が全く吸収される装置１
中へ入り…るよつな深さまで食刻されている。第３図の
装置１が２つのオプティカル・ファイバカ）らの入力に
し答し得るように、ファイバ２３のようなもう１つのフ
ァイバが、ウェブ２′の底部で、Ｖ溝２２に類似する溝
内に配置され得る。別個の電気的出力ｒ提供するために
、それらの入力は、時間的に、十分変えられるべきであ
る。
．７図の配線ステップが完了した後における、光検出器
１の端部ｒ示している。シース又は被覆２４に保持され
たオプティカル・ファイバ２３が、Ｖ溝２２に配置され
て示されている。この■溝２２は、光線８がオプティカ
ル・ファイバ２３から、光線８が全く吸収される装置１
中へ入り…るよつな深さまで食刻されている。第３図の
装置１が２つのオプティカル・ファイバカ）らの入力に
し答し得るように、ファイバ２３のようなもう１つのフ
ァイバが、ウェブ２′の底部で、Ｖ溝２２に類似する溝
内に配置され得る。別個の電気的出力ｒ提供するために
、それらの入力は、時間的に、十分変えられるべきであ
る。
第１図は、原子的に平行な表面を有する半導体ＰＩＮ装
置を示す本発明による光検出器の透視図である。第２．
１図乃至第２．８図は、製造プロセスの各段階における
第１図の装置を示す。第３図は、もう１つのＶ溝が基板
に食刻されそして第２．７ 薗・ ・・１ の配線ステップが完了した後における元検出装皺１の端
部を示す。 １・・・・光検出器、２・・・・ウェブ、７・・・・透
明な物質９層、８・・・・光線。 ａｆ 人 インクｉ升／町りい巳タス・マンーンス・コ
〒ボレー／ヨンＦＩＧ、 ２．２ ＦＩＧ、２．４
置を示す本発明による光検出器の透視図である。第２．
１図乃至第２．８図は、製造プロセスの各段階における
第１図の装置を示す。第３図は、もう１つのＶ溝が基板
に食刻されそして第２．７ 薗・ ・・１ の配線ステップが完了した後における元検出装皺１の端
部を示す。 １・・・・光検出器、２・・・・ウェブ、７・・・・透
明な物質９層、８・・・・光線。 ａｆ 人 インクｉ升／町りい巳タス・マンーンス・コ
〒ボレー／ヨンＦＩＧ、 ２．２ ＦＩＧ、２．４
Claims (1)
- 互いに平行な関係に配置された、放射エネルギーに対し
て透過な１組の部材と、前記部材間ケ斜めに伸びる半導
体物質のウェブであって、当該ウェブの向い合う表面が
平行になっているものと、を備える放射エネルギー検出
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US35499082A | 1982-03-05 | 1982-03-05 | |
| US354990 | 1989-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154278A true JPS58154278A (ja) | 1983-09-13 |
| JPS6260822B2 JPS6260822B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=23395796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218487A Granted JPS58154278A (ja) | 1982-03-05 | 1982-12-15 | 放射エネルギ−検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0088216A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58154278A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3152926A (en) * | 1961-04-18 | 1964-10-13 | Tung Sol Electric Inc | Photoelectric transducer |
| JPS51150287A (en) * | 1975-06-19 | 1976-12-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
| US4227942A (en) * | 1979-04-23 | 1980-10-14 | General Electric Company | Photovoltaic semiconductor devices and methods of making same |
| US4294510A (en) * | 1979-12-10 | 1981-10-13 | International Business Machines Corporation | Semiconductor fiber optical detection |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP57218487A patent/JPS58154278A/ja active Granted
-
1983
- 1983-01-26 EP EP83100687A patent/EP0088216A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260822B2 (ja) | 1987-12-18 |
| EP0088216A3 (en) | 1986-06-04 |
| EP0088216A2 (en) | 1983-09-14 |
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