JPH03104287A - 半導体受光素子の製造方法 - Google Patents
半導体受光素子の製造方法Info
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- JPH03104287A JPH03104287A JP1243026A JP24302689A JPH03104287A JP H03104287 A JPH03104287 A JP H03104287A JP 1243026 A JP1243026 A JP 1243026A JP 24302689 A JP24302689 A JP 24302689A JP H03104287 A JPH03104287 A JP H03104287A
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体受光素子の製造方法の改良に関し、ｐｎ接合位置
を正確にコントロールすることによって、所定の特性を
有する受光素子を安定して製造することができ、ウェー
ハ内に形成される各素子相互間に特性のばらつきが発生
しないようにする半導体受光素子の製造方法を提供する
ことを目的とし、 半絶縁性の半導体基板上に一導電型の半導体層を形成し
、この一導電型の半導体層をパターニングして、前記の
半絶縁性の半導体基板の一部領域上に残留し、このパタ
ーニングされた一導電型の半導体層を囲んで反対導電型
の半導体層を形成し、この反対導電型の半導体層と前記
のパターニングされた一導電型の半導体層との上に反対
導電型の半導体層と反対導電型を有し、前記の半導体よ
り禁制帯幅の大きな第２の半導体の層とを順次形成し、
前記の半導体基板を選択的にエッチングして、前記の一
導電型の半導体層に対応する領域に光入射窓を形戒し、
前記の反対導電型の第２の半導体の層上に反対極性側の
電極を形成し、前記の半導体基板上に前記の一導電型の
層の周縁部に接触して一極性側の電極を形戒するように
構戒する．〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体受光素子の製造方法の改良に関する．
特に、アバランシフォトダイオードのｐｎ接合位置を正
確にコントロールできるようにする改良に関する． （従来の技術） ＩｎＰ／ｌｎＧａＡｓヘテロ構造を有するアバランシフ
ォトダイオードの従来の代表的な製造方法について以下
に説明する． 第６図参照 ｎ中−１ｎＰ基板１０１上にｎ−１ｎＰよりなるバッフ
ァ層１０２とｎ− −１ｎＧａＡｓよりなる光吸収層１
０３とｎ− −ＩｎＧａＡｓＰｌよりなる中間１１０４
とｎ−ＩｎＰよりなる増倍層１０５とｎ−−１ｎＰＪｉ
ｌ０６とを液相エビタキシャル或長法を使用して順次形
成し、ｎＩｎＰ層１０６にカドミウム、亜鉛等を熱拡散
するか、または、ベリリウムをイオン注入してｐ゛−拡
敗層１０９を形戒し、ｐ゛一拡散層１０９の周縁部の電
界強度を低くするためｐ゛一拡敗層１０９を囲んでｐ−
ガードリング１０８を形成する，ｎ−−１ｎＰ層１０６
上に二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁膜１０７を
形成し、これをパターニングしてｐ′″拡散層１０９の
周縁部に対応する領域に開口を形成し、この開口に接触
してｐ！ｉｔ極１１０を形成し、ｎ”−１ｎＰ基板１０
１上にｎ側電極１１１を形或する．〔発明が解決しよう
とするＩ１１１） ところで、ｐ型不純物を熱拡散するか、または、イオン
注入してｎ−−１ｎＰ層１０６中にｐ′″拡散層１０９
を形或する場合に、拡散深さを正確に制御することは現
在の技術をもってしてはｌｎｌｌｉであるため、ｐ′″
拡散層１０９とｎ−−１ｎＰ層１０６との間に形或され
るｐｎ接合の位置を正確にコントロールすることは困雛
となり、所定の特性を有する受光素子を安定して製造す
ることは難しい．また、ｎ−−１ｎＰＩｉｌ０６内にｐ
ｎ接合を形成するためには、ｎ−−１ｎＰ層１０６をか
なり厚く形成しなければならないが、エビタキシャル或
長膜厚が厚くなるとウェーハ面内における或長ＩＩ厚に
ばらつきが生じ、ウェーハ内に形或される各受光素子相
互間の特性にばらつきが発生する． 本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
ｐｎ接合位置を正確にコントロールすることによって、
所定の特性を有する受光素子を安定して製造することが
でき、ウェーハ内に形戊される各素子相互間に特性のば
らつきが発生しないようにする半導体受光素子の製造方
法を提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的は、半絶縁性の半導体基板（１）上に一導電
型の半導体層（２）を形成し、この一導電型の半導体層
（２）をパターニングして、前記の半絶縁性の半導体基
板（１）の一部領域上に残留し、このパターニングされ
た一導電型の半導体層（２）を囲んで反対導電型の半導
体層（４）を形成し、この反対導電型の半導体層（４）
と前記のパターニングされた一導電型の半導体１１ （
２）との上に反対導電型の半導体層（５）と反対導電型
であり、前記の半導体より禁制帯幅の大きな第２の半導
体の層（７）とを順次形成し、前記の半導体基板（１）
を選択的にエッチングして、前記の一導電型の半導体層
（２）に対応する領域に光入射窓（１３）を形成し、前
記の反対導電型の第２の半導体の層（７）上に反対極性
側の電極（１０）を形戒し、前記の半導体基板（１）上
に前記の一導電型の半導体層（２）の周縁部に接触して
一極性側の電極（１ｌ）を形戒する工程を有する半導体
受光素子の製造方法によって達威される．〔作用〕 本発明に係る半導体受光素子の製造方法においては、半
導体受光素子を構或する各層がすべてエビタキシャル或
長法を使用して形成されるので、ｐｎ接合位置は一導電
型の半導体層（ｐ型のＩｎＰ層）２から反対導電型であ
り前記の半導体より禁制帯幅の大きな第２の半導体より
なる光吸収層（ｎ型のＩ ｎＣｒａＡｓ光吸収層）７ま
での間に形成される各エビタキシャル戒長層の膜厚によ
って決定される．従来技術において必要であった熱拡散
等によるＰ’−１ｎＰ層（受光部を構威し、逆バイアス
の印加によって光非照射時空乏層を発生するｐｎ接合を
形戒する層）の形成工程が不要であるので、エビタキシ
ャル威長層の膜厚を従来に比べて薄くすることができる
．したがって、エビタキシャル威長層の膜厚は正確に制
御することができるので、ｐｎ接合位置を正確にコント
ロールすることが可能である。また、ウェーハ面内にお
けるエビタキシャル或長膜厚のばらつきが少なくなって
ウエーハ内に形或される素子相互間の特性のばらつきも
少なくなる． 〔実施例〕 以下、図面を参照しつ＼、本発明の一実施例に係る半導
体受光素子の製造方法について説明する．第２図参照 ３００〜３５０ｎ厚程度の半絶縁性１ｎＰ基板１上に、
液相エビタキシャル成長法を使用して不純物濃度Ｉ Ｘ
１ ０ ”ｃｔａ−”程度のｐ−１ｎＰ層２を２ｎ厚
程度に形戒する．なお、導入するｐ型の不純物としては
カドミウム等が適当である．ＣＶＤ法を使用して二酸化
シリコン等の［１膜を２，０００人厚程度に形成し、こ
れをパターニングしてｐｎ接合形成領域に対応する領域
に幅５（１＋ｎ程度の絶緑ＩＩ！３を形戒する． 第３図参照 絶縁１１Ｉ３をマスクとして、フェリシアン系エッチャ
ント等を使用してｐ−１ｎＰ層２をエッチングする． 第４図参照 絶縁Ｍ３を除去し、液相エピタキシャル或長法を使用し
て、ｐ−１ｎＰ層２の周囲に不純物濃度５ Ｘ Ｉ Ｑ
’ Ｓ Ｏ− ｓ程度のｎ−−１ｎＰ層４を１．５４
厚程度に形成してｐ−１ｎＰ層２を埋め込む．この時、
ｐ−１ｎＰ層２上にはｎ− −ＩｎＰ層は殆ど戒長しな
い。
を正確にコントロールすることによって、所定の特性を
有する受光素子を安定して製造することができ、ウェー
ハ内に形成される各素子相互間に特性のばらつきが発生
しないようにする半導体受光素子の製造方法を提供する
ことを目的とし、 半絶縁性の半導体基板上に一導電型の半導体層を形成し
、この一導電型の半導体層をパターニングして、前記の
半絶縁性の半導体基板の一部領域上に残留し、このパタ
ーニングされた一導電型の半導体層を囲んで反対導電型
の半導体層を形成し、この反対導電型の半導体層と前記
のパターニングされた一導電型の半導体層との上に反対
導電型の半導体層と反対導電型を有し、前記の半導体よ
り禁制帯幅の大きな第２の半導体の層とを順次形成し、
前記の半導体基板を選択的にエッチングして、前記の一
導電型の半導体層に対応する領域に光入射窓を形戒し、
前記の反対導電型の第２の半導体の層上に反対極性側の
電極を形成し、前記の半導体基板上に前記の一導電型の
層の周縁部に接触して一極性側の電極を形戒するように
構戒する．〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体受光素子の製造方法の改良に関する．
特に、アバランシフォトダイオードのｐｎ接合位置を正
確にコントロールできるようにする改良に関する． （従来の技術） ＩｎＰ／ｌｎＧａＡｓヘテロ構造を有するアバランシフ
ォトダイオードの従来の代表的な製造方法について以下
に説明する． 第６図参照 ｎ中−１ｎＰ基板１０１上にｎ−１ｎＰよりなるバッフ
ァ層１０２とｎ− −１ｎＧａＡｓよりなる光吸収層１
０３とｎ− −ＩｎＧａＡｓＰｌよりなる中間１１０４
とｎ−ＩｎＰよりなる増倍層１０５とｎ−−１ｎＰＪｉ
ｌ０６とを液相エビタキシャル或長法を使用して順次形
成し、ｎＩｎＰ層１０６にカドミウム、亜鉛等を熱拡散
するか、または、ベリリウムをイオン注入してｐ゛−拡
敗層１０９を形戒し、ｐ゛一拡散層１０９の周縁部の電
界強度を低くするためｐ゛一拡敗層１０９を囲んでｐ−
ガードリング１０８を形成する，ｎ−−１ｎＰ層１０６
上に二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁膜１０７を
形成し、これをパターニングしてｐ′″拡散層１０９の
周縁部に対応する領域に開口を形成し、この開口に接触
してｐ！ｉｔ極１１０を形成し、ｎ”−１ｎＰ基板１０
１上にｎ側電極１１１を形或する．〔発明が解決しよう
とするＩ１１１） ところで、ｐ型不純物を熱拡散するか、または、イオン
注入してｎ−−１ｎＰ層１０６中にｐ′″拡散層１０９
を形或する場合に、拡散深さを正確に制御することは現
在の技術をもってしてはｌｎｌｌｉであるため、ｐ′″
拡散層１０９とｎ−−１ｎＰ層１０６との間に形或され
るｐｎ接合の位置を正確にコントロールすることは困雛
となり、所定の特性を有する受光素子を安定して製造す
ることは難しい．また、ｎ−−１ｎＰＩｉｌ０６内にｐ
ｎ接合を形成するためには、ｎ−−１ｎＰ層１０６をか
なり厚く形成しなければならないが、エビタキシャル或
長膜厚が厚くなるとウェーハ面内における或長ＩＩ厚に
ばらつきが生じ、ウェーハ内に形或される各受光素子相
互間の特性にばらつきが発生する． 本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
ｐｎ接合位置を正確にコントロールすることによって、
所定の特性を有する受光素子を安定して製造することが
でき、ウェーハ内に形戊される各素子相互間に特性のば
らつきが発生しないようにする半導体受光素子の製造方
法を提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的は、半絶縁性の半導体基板（１）上に一導電
型の半導体層（２）を形成し、この一導電型の半導体層
（２）をパターニングして、前記の半絶縁性の半導体基
板（１）の一部領域上に残留し、このパターニングされ
た一導電型の半導体層（２）を囲んで反対導電型の半導
体層（４）を形成し、この反対導電型の半導体層（４）
と前記のパターニングされた一導電型の半導体１１ （
２）との上に反対導電型の半導体層（５）と反対導電型
であり、前記の半導体より禁制帯幅の大きな第２の半導
体の層（７）とを順次形成し、前記の半導体基板（１）
を選択的にエッチングして、前記の一導電型の半導体層
（２）に対応する領域に光入射窓（１３）を形成し、前
記の反対導電型の第２の半導体の層（７）上に反対極性
側の電極（１０）を形戒し、前記の半導体基板（１）上
に前記の一導電型の半導体層（２）の周縁部に接触して
一極性側の電極（１ｌ）を形戒する工程を有する半導体
受光素子の製造方法によって達威される．〔作用〕 本発明に係る半導体受光素子の製造方法においては、半
導体受光素子を構或する各層がすべてエビタキシャル或
長法を使用して形成されるので、ｐｎ接合位置は一導電
型の半導体層（ｐ型のＩｎＰ層）２から反対導電型であ
り前記の半導体より禁制帯幅の大きな第２の半導体より
なる光吸収層（ｎ型のＩ ｎＣｒａＡｓ光吸収層）７ま
での間に形成される各エビタキシャル戒長層の膜厚によ
って決定される．従来技術において必要であった熱拡散
等によるＰ’−１ｎＰ層（受光部を構威し、逆バイアス
の印加によって光非照射時空乏層を発生するｐｎ接合を
形戒する層）の形成工程が不要であるので、エビタキシ
ャル威長層の膜厚を従来に比べて薄くすることができる
．したがって、エビタキシャル威長層の膜厚は正確に制
御することができるので、ｐｎ接合位置を正確にコント
ロールすることが可能である。また、ウェーハ面内にお
けるエビタキシャル或長膜厚のばらつきが少なくなって
ウエーハ内に形或される素子相互間の特性のばらつきも
少なくなる． 〔実施例〕 以下、図面を参照しつ＼、本発明の一実施例に係る半導
体受光素子の製造方法について説明する．第２図参照 ３００〜３５０ｎ厚程度の半絶縁性１ｎＰ基板１上に、
液相エビタキシャル成長法を使用して不純物濃度Ｉ Ｘ
１ ０ ”ｃｔａ−”程度のｐ−１ｎＰ層２を２ｎ厚
程度に形戒する．なお、導入するｐ型の不純物としては
カドミウム等が適当である．ＣＶＤ法を使用して二酸化
シリコン等の［１膜を２，０００人厚程度に形成し、こ
れをパターニングしてｐｎ接合形成領域に対応する領域
に幅５（１＋ｎ程度の絶緑ＩＩ！３を形戒する． 第３図参照 絶縁１１Ｉ３をマスクとして、フェリシアン系エッチャ
ント等を使用してｐ−１ｎＰ層２をエッチングする． 第４図参照 絶縁Ｍ３を除去し、液相エピタキシャル或長法を使用し
て、ｐ−１ｎＰ層２の周囲に不純物濃度５ Ｘ Ｉ Ｑ
’ Ｓ Ｏ− ｓ程度のｎ−−１ｎＰ層４を１．５４
厚程度に形成してｐ−１ｎＰ層２を埋め込む．この時、
ｐ−１ｎＰ層２上にはｎ− −ＩｎＰ層は殆ど戒長しな
い。
引き続き、液相エビタキシャル戒長法を使用して、不純
物濃度５Ｘ１０”程度、厚さ０． ３ ｎ程度のｎ−Ｉ
ｎＰ増倍１１５と不ｖ＠＠ＩＪ濃度５ＸｌＯ”程度、厚
さ０． ４ ｎ程度のｎ−−１ｎｌＣａＡｓＰ中間層６
と不純物濃度５Ｘ１０”程度、厚さ１．５，ＩＦｍ程度
のｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層７と不純物濃度５Ｘ１
０ｌＳ程度、厚さ０．５ｎ程度のｎ−−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層８と不純物濃度３Ｘ１０”程度、厚さ０． ５ ｎ
程度のｎ−１ｎＰＩｉ９とを順次形戊する．なお、導入
するｎ型の不純物としては錫等が適当である． 上記の液相エピタキシャル戒長過程における加熱によっ
て、ｐ−ＩｎＰ層２に導入されているｐ型不純物がｎ−
−１ｎＰ層４中に同相拡散し、ｎ−−１ｎＰ層４のｐ−
１ｎＰ層２に隣接する頷域１２がｐ型に反転する．この
ｐ型に反転した領域１２はガードリングとして機能する
． 第５図参照 ＩｎＰ基板１を研磨により、１００ｎ厚程度に蒲＜シた
後、レジストマスクとフェリシアン系エッチャントとを
使用してなすフォトリソグラフィー法を使用して選択的
にエッチングをなし、ｐ−１ｎＰＪｉ２に対応する領域
に光入射窓１３を形戒する． 第１図参照 ｎ−１ｎＰ層９上に金／ゲルマニウム等を蒸着してｎ側
電極１０を形成し、光入射窓１３の側壁を含むＩｎＰ基
板１上にｐ−ＩｎＰ層２の周縁部に接触して金／亜鉛等
を蒸着してｐ側電極１１を形成する． 〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係る半導体受光素子の製
造方法においては、受光素子を構或するすべての層をエ
ビタキシャル戒蚕法を使用して形成し、各エビタキシャ
ル戒長層の膜厚を薄くすることができるので、エビタキ
シャル或長による或長膜厚の制御が正確にできることか
ら、ｐｎ接合位置を正確にコントロールすることができ
、所定の特性を有する受光素子を安定して製造すること
ができる．また、ウェーハ面内における、エビタキシャ
ル或長膜厚のばらつきが小さくなり、ウェーハ内に形成
される素子相互間の特性のばらつきが小さくなる．また
、ｐ−１ｎＰ層は受光領域のみに形成されるのでｐｎ接
合領域の面積は十分小さくなり、したがって、接合容量
が小さくなって高速応答が可能になる．
物濃度５Ｘ１０”程度、厚さ０． ３ ｎ程度のｎ−Ｉ
ｎＰ増倍１１５と不ｖ＠＠ＩＪ濃度５ＸｌＯ”程度、厚
さ０． ４ ｎ程度のｎ−−１ｎｌＣａＡｓＰ中間層６
と不純物濃度５Ｘ１０”程度、厚さ１．５，ＩＦｍ程度
のｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層７と不純物濃度５Ｘ１
０ｌＳ程度、厚さ０．５ｎ程度のｎ−−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層８と不純物濃度３Ｘ１０”程度、厚さ０． ５ ｎ
程度のｎ−１ｎＰＩｉ９とを順次形戊する．なお、導入
するｎ型の不純物としては錫等が適当である． 上記の液相エピタキシャル戒長過程における加熱によっ
て、ｐ−ＩｎＰ層２に導入されているｐ型不純物がｎ−
−１ｎＰ層４中に同相拡散し、ｎ−−１ｎＰ層４のｐ−
１ｎＰ層２に隣接する頷域１２がｐ型に反転する．この
ｐ型に反転した領域１２はガードリングとして機能する
． 第５図参照 ＩｎＰ基板１を研磨により、１００ｎ厚程度に蒲＜シた
後、レジストマスクとフェリシアン系エッチャントとを
使用してなすフォトリソグラフィー法を使用して選択的
にエッチングをなし、ｐ−１ｎＰＪｉ２に対応する領域
に光入射窓１３を形戒する． 第１図参照 ｎ−１ｎＰ層９上に金／ゲルマニウム等を蒸着してｎ側
電極１０を形成し、光入射窓１３の側壁を含むＩｎＰ基
板１上にｐ−ＩｎＰ層２の周縁部に接触して金／亜鉛等
を蒸着してｐ側電極１１を形成する． 〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係る半導体受光素子の製
造方法においては、受光素子を構或するすべての層をエ
ビタキシャル戒蚕法を使用して形成し、各エビタキシャ
ル戒長層の膜厚を薄くすることができるので、エビタキ
シャル或長による或長膜厚の制御が正確にできることか
ら、ｐｎ接合位置を正確にコントロールすることができ
、所定の特性を有する受光素子を安定して製造すること
ができる．また、ウェーハ面内における、エビタキシャ
ル或長膜厚のばらつきが小さくなり、ウェーハ内に形成
される素子相互間の特性のばらつきが小さくなる．また
、ｐ−１ｎＰ層は受光領域のみに形成されるのでｐｎ接
合領域の面積は十分小さくなり、したがって、接合容量
が小さくなって高速応答が可能になる．
第１図は、本発明の一実施例に係る半導体１受光素子の
製造方法を使用して製造された半導体受光素子の断面図
である． 第２図〜第５図は、本発明の一実施例に係る半導体受光
素子の製造方法を説明する工程図である．第６図は、従
来技術に係る半導体受光素子の製造方法を説明する断面
図である． 半絶縁性１ｎＰ基板、 ｐ−ＩｎＰ層、 絶縁膜、 ｎ−−ｆｎＰ層、 ｎ−１ｎＰ増倍層、 ｎ− −１ｎＣａＡｓＰ中間層、 ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、 ｎ−−１ｎＧａＡｓＰ層、 ｎ−１ｎＰ層、 ｎ側電極、 ｐｇｇ電極、 ｐ型反転領域、 光入射窓、 ・ｎ”−１ｎＰ基板、 ・ｎ−１ｎＰバッファ層、 ・ｎ−−１ｎＧａＡｓ光吸収層、 ・ｎ−−１ｎＧａＡｓＰ中間層、 ・ｎ−１ｎＰ増倍層、 ・ｎ−−１ｎＰ層、 ・絶縁膜、 ・ｐ−ガードリング、 ・ｐ゛拡散層、 ・ｐ側電極、 ・ｎ側電極．
製造方法を使用して製造された半導体受光素子の断面図
である． 第２図〜第５図は、本発明の一実施例に係る半導体受光
素子の製造方法を説明する工程図である．第６図は、従
来技術に係る半導体受光素子の製造方法を説明する断面
図である． 半絶縁性１ｎＰ基板、 ｐ−ＩｎＰ層、 絶縁膜、 ｎ−−ｆｎＰ層、 ｎ−１ｎＰ増倍層、 ｎ− −１ｎＣａＡｓＰ中間層、 ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、 ｎ−−１ｎＧａＡｓＰ層、 ｎ−１ｎＰ層、 ｎ側電極、 ｐｇｇ電極、 ｐ型反転領域、 光入射窓、 ・ｎ”−１ｎＰ基板、 ・ｎ−１ｎＰバッファ層、 ・ｎ−−１ｎＧａＡｓ光吸収層、 ・ｎ−−１ｎＧａＡｓＰ中間層、 ・ｎ−１ｎＰ増倍層、 ・ｎ−−１ｎＰ層、 ・絶縁膜、 ・ｐ−ガードリング、 ・ｐ゛拡散層、 ・ｐ側電極、 ・ｎ側電極．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半絶縁性の半導体基板（１）上に一導電型の半導体層（
２）を形成し、 該一導電型の半導体層（２）をパターニングして、前記
半絶縁性の半導体基板（１）の一部領域上に残留し、 該パターニングされた一導電型の半導体層（２）を囲ん
で反対導電型の半導体層（４）を形成し、該反対導電型
の半導体層（４）と前記パターニングされた一導電型の
半導体層（２）との上に反対導電型の半導体層（５）と
反対導電型を有し、前記半導体より禁制帯幅の大きな第
２の半導体の層（７）とを順次形成し、 前記半導体基板（１）を選択的にエッチングして、前記
一導電型の半導体層（２）に対応する領域に光入射窓（
１３）を形成し、 前記反対導電型の第２の半導体の層（７）上に前記反対
極性側の電極（１０）を形成し、前記半導体基板（１）
上に前記一導電型の半導体層（２）の周縁部に接触して
前記一極性側の電極（１１）を形成する工程を有する ことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243026A JPH03104287A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243026A JPH03104287A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体受光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104287A true JPH03104287A (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=17097766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243026A Pending JPH03104287A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03104287A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1989
- 1989-09-19 JP JP1243026A patent/JPH03104287A/ja active Pending
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