JPS59119773A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPS59119773A JPS59119773A JP57233054A JP23305482A JPS59119773A JP S59119773 A JPS59119773 A JP S59119773A JP 57233054 A JP57233054 A JP 57233054A JP 23305482 A JP23305482 A JP 23305482A JP S59119773 A JPS59119773 A JP S59119773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- protection ring
- layer
- compound semiconductor
- type inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、光通信、その他光エレクトロニクス装置に使
用される半導体受光素子に関する。
用される半導体受光素子に関する。
従来技術と問題点
従来、フォト・ダイオードとしてプレーナ型のものが知
られている。このフォト・ダイオードでは、受光部での
みブレイク・ダウンを生じ、接合の周辺でのブレイク・
ダウンを防止する為、接合の周辺に、所謂、ガード・リ
ングを形成しなければならない。
られている。このフォト・ダイオードでは、受光部での
みブレイク・ダウンを生じ、接合の周辺でのブレイク・
ダウンを防止する為、接合の周辺に、所謂、ガード・リ
ングを形成しなければならない。
また、ガード・リングを形成することなく、接合周辺で
のブレイク・ダウンを防止するものとして、第１図に見
られる逆メサ型のものが知られている。
のブレイク・ダウンを防止するものとして、第１図に見
られる逆メサ型のものが知られている。
図に於いて、１はｐ＋型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰ増
倍層、３はｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層、４はｎ＋型ＩｎＰ
コンタクト層をそれぞれ示す。
倍層、３はｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層、４はｎ＋型ＩｎＰ
コンタクト層をそれぞれ示す。
このフォト・ダイオードでは、ガード・リングを形成し
なくとも接合周辺でのブレイク・ダウンを防止すること
ができるが、表面に段差を生しる為、パンシベイション
膜の形成、電極・配線の形成等に問題がある。
なくとも接合周辺でのブレイク・ダウンを防止すること
ができるが、表面に段差を生しる為、パンシベイション
膜の形成、電極・配線の形成等に問題がある。
発明の目的
本発明は、ガード・リングを形成することが不要で、且
つ、表面が平坦である半導体受光素子を提供するもので
ある。
つ、表面が平坦である半導体受光素子を提供するもので
ある。
発明の実施例
第２図は、本発明一実施例の要部切断側面図である。
図に於いて、１１はｐ＋型Ｌ ｎ Ｐ半導体基板、１２
はｎ型１ｎＰ増倍層、１３はｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層、
１４はｎ＋型ＩｎＰコンタクト層、１５はパッシベイシ
ョン膜、１６は電極をそれぞれ示す。
はｎ型１ｎＰ増倍層、１３はｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層、
１４はｎ＋型ＩｎＰコンタクト層、１５はパッシベイシ
ョン膜、１６は電極をそれぞれ示す。
この実施例では、空乏層がｐ＋型ＩｎＰ半導体基板１１
とｎ型ＩｎＰ増倍層１２とで形成されるｐｎ接合からｎ
型ＩｎＰ増倍層の方向に延び、曲率が大きい部分では、
図に矢印で指示しであるようにｐ＋梨型１ｎＰ導体基板
１１の方向に向って電界が広がることになり、接合面外
周のエツジ部分での最高電界は平面部分に於けるそれよ
りも低くなり、ガード・リング効果が得られる。
とｎ型ＩｎＰ増倍層１２とで形成されるｐｎ接合からｎ
型ＩｎＰ増倍層の方向に延び、曲率が大きい部分では、
図に矢印で指示しであるようにｐ＋梨型１ｎＰ導体基板
１１の方向に向って電界が広がることになり、接合面外
周のエツジ部分での最高電界は平面部分に於けるそれよ
りも低くなり、ガード・リング効果が得られる。
第３図乃至第７図は本発明一実施例を製造する場合を説
明する為の工程要所に於ける半導体受光素子の要部切断
側面図であり、以下これらの図を参照しつつ説明する。
明する為の工程要所に於ける半導体受光素子の要部切断
側面図であり、以下これらの図を参照しつつ説明する。
第３図参照
■ ｐ＋梨型１ｎＰ導体基板１１に二酸化シリコン絶縁
膜２１を形成する。
膜２１を形成する。
■ 通常のフォト・リソグラフィ技術にて前記二酸化シ
リコン絶縁膜２１をパターニングして開口２１Ａを形成
する。
リコン絶縁膜２１をパターニングして開口２１Ａを形成
する。
■ 二酸化シリコン絶縁膜２１をマスクとしてｐ＋Ｉｎ
Ｐ半導体基板１１をエツチングして直径１００〜３００
〔μｍ〕程度のリセス（凹所）１１Ａを形成する。
Ｐ半導体基板１１をエツチングして直径１００〜３００
〔μｍ〕程度のリセス（凹所）１１Ａを形成する。
第４図参照
■ エピタキシャル成長法を適用して前記リセス１１Ａ
中にｎ型１ｎＰ増倍［１２を成長させる。
中にｎ型１ｎＰ増倍［１２を成長させる。
尚、エピタキシャル成長法は気相でも液相でも可能であ
る。
る。
第５図参照
■ 同じく、エピタキシャル成長法を適用してリセスＩ
ＩＡ内にｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層１３を成長させる。
ＩＡ内にｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層１３を成長させる。
第６図参照
■ 同じく、エピタキシャル成長法を適用してリセスＩ
ＩＡ内にｎ＋梨型１ｎＰンタクト層１４を形成する。
ＩＡ内にｎ＋梨型１ｎＰンタクト層１４を形成する。
第７図参照
■ エツチング、研摩等の技術にて二酸化シリコン絶縁
膜２１その他不要部分を除去して表面を平坦にする。
膜２１その他不要部分を除去して表面を平坦にする。
■ この後、通常の技法にて、パッシベイション膜の形
成、受光窓の形成、電極の形成を行なうことに依り第２
図に関して説明した半導体受光素子が得られる。
成、受光窓の形成、電極の形成を行なうことに依り第２
図に関して説明した半導体受光素子が得られる。
尚、前記実施例に於ける導電型を全て逆にした実施例も
可能であることは云うまでもない。
可能であることは云うまでもない。
発明の効果
本発明の半導体受光素子に依れば、−導電型化合物半導
体基板にリセスを形成し、その中に反対導電型化合物半
導体増倍層と反対導電型化合物半導体吸収層と反対導電
型化合物コンタクト層を半導体基板側から順にエピタキ
シャル成長させた構造にしであるので、ｐｎ接合に於け
る曲率が大である部分では電界が粗になり、ガード・リ
ングがなくてもブレイク・ダウンは生じない。しかも、
その表面は平坦になっているので受光窓を有するパッシ
ベイション膜の形成、電極・配線の形成等に何等の不都
合も生じない。
体基板にリセスを形成し、その中に反対導電型化合物半
導体増倍層と反対導電型化合物半導体吸収層と反対導電
型化合物コンタクト層を半導体基板側から順にエピタキ
シャル成長させた構造にしであるので、ｐｎ接合に於け
る曲率が大である部分では電界が粗になり、ガード・リ
ングがなくてもブレイク・ダウンは生じない。しかも、
その表面は平坦になっているので受光窓を有するパッシ
ベイション膜の形成、電極・配線の形成等に何等の不都
合も生じない。
第１図は従来例の要部切断側面図、第２図は本発明一実
施例の要部切断側面図、第３図乃至第７図は第２図に見
られる実施例を製造する場合について説明する為の工程
要所に於ける半導体受光素子の要部切断側面図である。 図に於いて、１１はｐ＋梨型１ｎＰ導体基板、１２はｎ
型ＩｎＰ増倍層、１３はｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層、１４
はｎ＋梨型１ｎＰンタクト層、１５はパッシベイション
膜、１６は電極である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 玉蟲 久五部 （外３名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ４ ３３７− 第７図
施例の要部切断側面図、第３図乃至第７図は第２図に見
られる実施例を製造する場合について説明する為の工程
要所に於ける半導体受光素子の要部切断側面図である。 図に於いて、１１はｐ＋梨型１ｎＰ導体基板、１２はｎ
型ＩｎＰ増倍層、１３はｎ型１ｎＧａＡｓ吸収層、１４
はｎ＋梨型１ｎＰンタクト層、１５はパッシベイション
膜、１６は電極である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 玉蟲 久五部 （外３名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ４ ３３７− 第７図
Claims (1)
- 一導電型化合物半導体基板、該半導体基板に形成された
りセス、該リセス中に前記半導体基板側から順に形成さ
れ且つ露出表面が平坦である反対導電型化合物半導体増
倍層及び同じく反対導電型化合物半導体吸収層及び同じ
く反対導電型変化合物半導体コンタクト層を備えてなる
ことを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233054A JPS59119773A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233054A JPS59119773A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119773A true JPS59119773A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16949069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57233054A Pending JPS59119773A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111029417A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-04-17 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光电探测器及其制备方法 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP57233054A patent/JPS59119773A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111029417A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-04-17 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光电探测器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6015721A (en) | Method of manufacturing an avalanche photodiode | |
| US5239193A (en) | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits | |
| US7259439B2 (en) | Semiconductor photodetector and its production method | |
| US5141878A (en) | Silicon photodiode for monolithic integrated circuits and method for making same | |
| JP6879617B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS6058686A (ja) | 光検出器及びその製造方法 | |
| JP4095746B2 (ja) | 半導体受光装置および製造方法 | |
| JP2009004812A (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| JP4109159B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH03104287A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JP2002083993A (ja) | 光半導体受光素子およびその製造方法 | |
| JPS59119773A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP4137568B2 (ja) | 受信器 | |
| US5416030A (en) | Method of reducing leakage current in an integrated circuit | |
| JPH0316275A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JPS6360562A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS63237484A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05226687A (ja) | 受光素子及びその製造方法 | |
| JPS6222475B2 (ja) | ||
| JPH02226777A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPS6328349B2 (ja) | ||
| JPS61144076A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH05291606A (ja) | 受光素子及びその製造方法 | |
| JPS6259905B2 (ja) | ||
| JPH01202873A (ja) | 半導体光検出装置およびその製造方法 |