JPH01202873A - 半導体光検出装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体光検出装置およびその製造方法Info
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- JPH01202873A JPH01202873A JP63027249A JP2724988A JPH01202873A JP H01202873 A JPH01202873 A JP H01202873A JP 63027249 A JP63027249 A JP 63027249A JP 2724988 A JP2724988 A JP 2724988A JP H01202873 A JPH01202873 A JP H01202873A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体光検出装置およびその製造方法に関し、
特に、基板上に形成されたブレーナ型半導体光検出装置
に係るものである。
特に、基板上に形成されたブレーナ型半導体光検出装置
に係るものである。
半導体光検出装置は小型軽量であり、光信号の変化に高
速に追従できるので、光通信や光情報処理に不可欠とさ
れている。そして、最近では、機能素子としての受光素
子の集積化、応答特性やスペクトル感度特性の一段の高
性能化等が要望されている。
速に追従できるので、光通信や光情報処理に不可欠とさ
れている。そして、最近では、機能素子としての受光素
子の集積化、応答特性やスペクトル感度特性の一段の高
性能化等が要望されている。
第4図は従来の代表的なプレーナ型の半導体光検出装置
の構造を示す断面図である。図示の通り、n型半導体基
板1の上にはn型半導体層2、真性(i型)半導体層5
およびp型半導体層6が順次に積層され、p型半導体層
6の上には透明導電層61が設けられて一方の電極とさ
れ、半導体基板1の裏面層6が他方の電極をなしている
。そして、図示の構造によれば、光検出(゛こ直接作用
するp−1−n構造は、異なる導電型の半導体層2,5
゜6が導電性基板1の上に積層されることにより形成さ
れていた。
の構造を示す断面図である。図示の通り、n型半導体基
板1の上にはn型半導体層2、真性(i型)半導体層5
およびp型半導体層6が順次に積層され、p型半導体層
6の上には透明導電層61が設けられて一方の電極とさ
れ、半導体基板1の裏面層6が他方の電極をなしている
。そして、図示の構造によれば、光検出(゛こ直接作用
するp−1−n構造は、異なる導電型の半導体層2,5
゜6が導電性基板1の上に積層されることにより形成さ
れていた。
ところが、上記の従来技術によれば、半導体基板が導電
性を有するので、基板上に形成された各々の受光素子を
電気的に分離できず、基板を経由する漏れ電流が特性を
劣化させていた。また、同一基板上にトランジスタなど
を形成したときには、ラッチアップやパンチスルーなど
が生じていた。
性を有するので、基板上に形成された各々の受光素子を
電気的に分離できず、基板を経由する漏れ電流が特性を
劣化させていた。また、同一基板上にトランジスタなど
を形成したときには、ラッチアップやパンチスルーなど
が生じていた。
このため、周辺回路や複数の受光素子を集積化すること
が困難であった。
が困難であった。
また゛、入射光は基板上に形成された最上層の透明導電
層およびp型半導体層を経由し、i型半導体層に到達す
る。ところが、半導体層を積層してい〈従来の構造では
、受光部の空乏層を十分に深くすることができない。こ
のため、第1に、半導体層中の深いところで光゛生成さ
れたキャリアが空乏層に至るまでの時間遅れにより、受
光素子としての周波数応答特性が害される。第2に、空
乏層より深い位置での光生成キャリアの収集は、キャリ
アの拡散を経てなされるため、収集効率が低い。
層およびp型半導体層を経由し、i型半導体層に到達す
る。ところが、半導体層を積層してい〈従来の構造では
、受光部の空乏層を十分に深くすることができない。こ
のため、第1に、半導体層中の深いところで光゛生成さ
れたキャリアが空乏層に至るまでの時間遅れにより、受
光素子としての周波数応答特性が害される。第2に、空
乏層より深い位置での光生成キャリアの収集は、キャリ
アの拡散を経てなされるため、収集効率が低い。
ところが一般に、長波長の入射光による光生成キャリア
は深い位置で発生し、短波長の入射光による光生成キャ
リアは浅い位置で発生するため、波長によって収集され
るまでの時間が異なる。このため、スペクトル感度特性
が積層構造により左右されてしまうという問題点があっ
た。
は深い位置で発生し、短波長の入射光による光生成キャ
リアは浅い位置で発生するため、波長によって収集され
るまでの時間が異なる。このため、スペクトル感度特性
が積層構造により左右されてしまうという問題点があっ
た。
本発明は、上記の従来技術が有していた問題点を解決す
るためになされたもので、集積化に適し、しかも応答特
性とスペクトル感度特性に優れた半導体光検出装置と、
その製造方法を提供することを目的とする。
るためになされたもので、集積化に適し、しかも応答特
性とスペクトル感度特性に優れた半導体光検出装置と、
その製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体光検出装置は、絶縁性または半絶縁性の
基板上に形成された第1導電型の半導体層に端面を設け
、端面を覆う真性半導体層に接して基板上に第2導電型
の半導体層を設け、これにより基板の面に沿ったp−1
−n構造を形成することを特徴とする。
基板上に形成された第1導電型の半導体層に端面を設け
、端面を覆う真性半導体層に接して基板上に第2導電型
の半導体層を設け、これにより基板の面に沿ったp−1
−n構造を形成することを特徴とする。
また、本発明の半導体光検出装置の製造方法は、絶縁性
または半絶縁性の基板の上に第1導電型の第1の半導体
層を堆積したのち、この半導体層を選択的に除去して基
板上に層の端面を形成し、次いで、第1の半導体層の端
面を覆って基板の上に真性半導体層を被着し、この後、
真性半導体層の上に第2導電型の第2の半導体層を形成
することを特徴とする。
または半絶縁性の基板の上に第1導電型の第1の半導体
層を堆積したのち、この半導体層を選択的に除去して基
板上に層の端面を形成し、次いで、第1の半導体層の端
面を覆って基板の上に真性半導体層を被着し、この後、
真性半導体層の上に第2導電型の第2の半導体層を形成
することを特徴とする。
本発明の半導体光検出装置は、以上のように構成したの
で、絶縁性または半絶縁性の基板はこれを介して生じる
漏れ電流を阻止するように作用し、光は第1の半導体層
、真性半導体層および第2の半導体層の各々の表面に入
射してキャリアを生成し、キャリアは真性半導体層とそ
の近傍に深く形成された空乏層に流入し、第1および第
2の電極経由で外部に取り出される。
で、絶縁性または半絶縁性の基板はこれを介して生じる
漏れ電流を阻止するように作用し、光は第1の半導体層
、真性半導体層および第2の半導体層の各々の表面に入
射してキャリアを生成し、キャリアは真性半導体層とそ
の近傍に深く形成された空乏層に流入し、第1および第
2の電極経由で外部に取り出される。
また、本発明の半導体光検出装置の製造方法によれば、
基板面に沿って第1の半導体層、真性半導体層および第
2の半導体層を積層することにより、p−1−n構造の
受光素子を簡単に形成することができる。
基板面に沿って第1の半導体層、真性半導体層および第
2の半導体層を積層することにより、p−1−n構造の
受光素子を簡単に形成することができる。
以下、添付図面の第1図ないし第3図を参照して、本発
明のいくつかの実施例について説明する。
明のいくつかの実施例について説明する。
なお、同一要素には同一符号を付して、重複する説明を
省略する。
省略する。
第1図は本発明の第1の実施例に係る半導体光検出装置
の構造を説明する断面図である。図示の通り、半絶縁性
のインジウムリン(InP)からなる基板1の一方の側
には、端面が傾斜したn型インジウムガリウムヒ素(I
n Gs As )からなる第1の半導体層2が形成さ
れ、この基板1の他方の側は所定の深さで掘り下げられ
ている。そして、第1の半導体層2の端面と掘り下げら
れた基板1の上面には、例えばi型1nGaAsからな
る真性半導体層5が所定の厚さで形成され、この真性半
導体層5の上には例えばp型In Ga Asからなる
第2の半導体層6が形成されている。この第1の半導体
層2と第2の半導体層6の上面はほぼ同一の高さとなっ
ており、ここにはn 型InGaAsからなる第1のコ
ンタクト層3と、p 型1nGaAsか°らなる第2の
コンタクト層7が形成されている。第1のコンタクト層
3および第2のコンタクト層7に挾まれた真性半導体層
5の上端部近傍において、第1および第2の半導体層2
,6は掘り下げらけれて窓部をなし、ここに窒化シリコ
ン(SiN)あるいはバンドギヤツブエネルギーがGa
InAsより大きい層、例えばInPからなる窓層81
が形成され、さらに第1のコンタクト層3および第2の
コンタクト層7の上面には、これらにオーミック接触す
る第1および第2の電極10 a、 10 bが形成
されている。
の構造を説明する断面図である。図示の通り、半絶縁性
のインジウムリン(InP)からなる基板1の一方の側
には、端面が傾斜したn型インジウムガリウムヒ素(I
n Gs As )からなる第1の半導体層2が形成さ
れ、この基板1の他方の側は所定の深さで掘り下げられ
ている。そして、第1の半導体層2の端面と掘り下げら
れた基板1の上面には、例えばi型1nGaAsからな
る真性半導体層5が所定の厚さで形成され、この真性半
導体層5の上には例えばp型In Ga Asからなる
第2の半導体層6が形成されている。この第1の半導体
層2と第2の半導体層6の上面はほぼ同一の高さとなっ
ており、ここにはn 型InGaAsからなる第1のコ
ンタクト層3と、p 型1nGaAsか°らなる第2の
コンタクト層7が形成されている。第1のコンタクト層
3および第2のコンタクト層7に挾まれた真性半導体層
5の上端部近傍において、第1および第2の半導体層2
,6は掘り下げらけれて窓部をなし、ここに窒化シリコ
ン(SiN)あるいはバンドギヤツブエネルギーがGa
InAsより大きい層、例えばInPからなる窓層81
が形成され、さらに第1のコンタクト層3および第2の
コンタクト層7の上面には、これらにオーミック接触す
る第1および第2の電極10 a、 10 bが形成
されている。
次に、上記実施例に係る装置の作用と効果を説明する。
このような半導体光検出装置は、通常は逆バイアスにな
った状態で使用−され、このバイアス電圧の印加は電極
IQa、10bを介してなされる。
った状態で使用−され、このバイアス電圧の印加は電極
IQa、10bを介してなされる。
このように本実施例では、電極10a、10bを基板1
の上面側でとることができるので、配線(図示せず)の
形成やボードへの実装を容易に行なうことができる。
の上面側でとることができるので、配線(図示せず)の
形成やボードへの実装を容易に行なうことができる。
バイアスが印加されると、真性半導体層5を介して第1
の半導体層2と第2の半導体層6のp−i−n接合によ
り空乏層が発生する。ところが、この接合面は基板1に
対して縦方向に傾斜して現れているので、従来の積層構
造のものに比べて空乏層の深さ方向の広がりを、第1半
導体層2および第2の半導体層6の厚さに応じて著しく
大きくすることができる。このため、入射光によって深
い位置で生成されたキャリアは、すみやかに空乏層に収
集されるので、周波数応答性が改善される。
の半導体層2と第2の半導体層6のp−i−n接合によ
り空乏層が発生する。ところが、この接合面は基板1に
対して縦方向に傾斜して現れているので、従来の積層構
造のものに比べて空乏層の深さ方向の広がりを、第1半
導体層2および第2の半導体層6の厚さに応じて著しく
大きくすることができる。このため、入射光によって深
い位置で生成されたキャリアは、すみやかに空乏層に収
集されるので、周波数応答性が改善される。
さらに、深い位置で発生したキャリアについても、浅い
位置で発生したキャリアについても、拡散電流成分は共
に少なくできるので、入射光スペクトルに対する感度の
依存性もなくすことができる。
位置で発生したキャリアについても、拡散電流成分は共
に少なくできるので、入射光スペクトルに対する感度の
依存性もなくすことができる。
空乏層に収集された光生成キャリアは、それぞれ導電型
に応じて第1半導体層2および第2半導体層6中を流れ
、一方は、第1コンタクト層3を介して電極10aに流
れ、他方は第2コンタクト層7を介して電極10bに流
れる。ここで、受光素子は半絶縁性の基板l上に形成さ
れているので、基板1を経由する漏れ電流を少なくする
ことができる。また、基板1の上にトランジスタや発光
素子などを集積するときには、pn接合分離、誘電体分
離あるいはトレンチ(溝)による分離を行なえば、基板
1は半絶縁性であるのでアイソレーションはほぼ完全と
なり、ラッチアップやバンチスルーなどを十分に抑える
ことができる。
に応じて第1半導体層2および第2半導体層6中を流れ
、一方は、第1コンタクト層3を介して電極10aに流
れ、他方は第2コンタクト層7を介して電極10bに流
れる。ここで、受光素子は半絶縁性の基板l上に形成さ
れているので、基板1を経由する漏れ電流を少なくする
ことができる。また、基板1の上にトランジスタや発光
素子などを集積するときには、pn接合分離、誘電体分
離あるいはトレンチ(溝)による分離を行なえば、基板
1は半絶縁性であるのでアイソレーションはほぼ完全と
なり、ラッチアップやバンチスルーなどを十分に抑える
ことができる。
次に、上記実施例に係る半導体光検出装置の製造方法を
説明する。
説明する。
−第2図は製造工程別の素子断面図である。半絶縁性の
i型インジウムリン(InP)からなる基板1の上には
、通常のエピタキシャル成長法等によりn型インジウム
ガリウムヒ素(In Ga As )からなる第1導電
型の第1の半導体層2が堆積され、その上にn 型のI
nGaAsから成る第1のコンタクト層3が堆積される
(第2図(a)参照)。
i型インジウムリン(InP)からなる基板1の上には
、通常のエピタキシャル成長法等によりn型インジウム
ガリウムヒ素(In Ga As )からなる第1導電
型の第1の半導体層2が堆積され、その上にn 型のI
nGaAsから成る第1のコンタクト層3が堆積される
(第2図(a)参照)。
次いで、第1のコンタクト層3の上には通常のフォトリ
ソグラフィ技術により、図示しないマスクが設けられる
。マスクにより覆われていない第1のコンタクト層3と
第1の半導体層2の露出部分は、通常の化学的蝕刻技術
によりエツチングされて除去され、基板1上には、これ
らの第1のコンタクト層3と第2の半導体層2の傾斜し
た端面4が形成される(第2図(b)参照)。
ソグラフィ技術により、図示しないマスクが設けられる
。マスクにより覆われていない第1のコンタクト層3と
第1の半導体層2の露出部分は、通常の化学的蝕刻技術
によりエツチングされて除去され、基板1上には、これ
らの第1のコンタクト層3と第2の半導体層2の傾斜し
た端面4が形成される(第2図(b)参照)。
その後、上記により形成された端面4と露出された基板
1の両方の面には、i型In Ga Asから成る真性
半導体層5が、例えばエピタキシャル成長法により被着
される。続いて、真性半導体層5にはp型InGaAs
からなる第2の半導体層6が堆積され、第2の半導体層
6の上にはp+型In Ga Asからなる第1のコン
タクト層7が積層される。このとき、第1のコンタクト
層3の上面と第2のコンタクト層7の上面は、はぼ同一
平面を成すように基板1がエツチングされ、あるいは、
第2の半導体層6の厚みまたは第2の導電型のコンタク
ト層7の厚みが設定される(第2図(c)参照)。
1の両方の面には、i型In Ga Asから成る真性
半導体層5が、例えばエピタキシャル成長法により被着
される。続いて、真性半導体層5にはp型InGaAs
からなる第2の半導体層6が堆積され、第2の半導体層
6の上にはp+型In Ga Asからなる第1のコン
タクト層7が積層される。このとき、第1のコンタクト
層3の上面と第2のコンタクト層7の上面は、はぼ同一
平面を成すように基板1がエツチングされ、あるいは、
第2の半導体層6の厚みまたは第2の導電型のコンタク
ト層7の厚みが設定される(第2図(c)参照)。
次いで、基板1上に露出する真性半導体層5の端面と、
その近傍のコンタクト層2.7および半導体層2.6が
所定の形状にエツチングされ、光を入射するための窓8
が形成される(第2図(d)参照)。その後、窓8の部
分には、その周囲のコンタクト層3,7の上面にまで延
びたSIN からなる透光性の窓層81が被着される
。また、適当なマスクを用いて窓8の部分に窓層となる
結晶を選択的に再成長することもできる。次いで、第1
のコンタクト層3の上には第1の電極10aがオーミッ
ク接続され、第2のコンタクト層7の上には第2の電極
10bがオーミック接続されると、第1図の装置が得ら
れる。
その近傍のコンタクト層2.7および半導体層2.6が
所定の形状にエツチングされ、光を入射するための窓8
が形成される(第2図(d)参照)。その後、窓8の部
分には、その周囲のコンタクト層3,7の上面にまで延
びたSIN からなる透光性の窓層81が被着される
。また、適当なマスクを用いて窓8の部分に窓層となる
結晶を選択的に再成長することもできる。次いで、第1
のコンタクト層3の上には第1の電極10aがオーミッ
ク接続され、第2のコンタクト層7の上には第2の電極
10bがオーミック接続されると、第1図の装置が得ら
れる。
次に、第3図(a)および(b)の断面図を参照して、
他のいくつかの実施例の構造について説明する。
他のいくつかの実施例の構造について説明する。
第2図(a)に図示される実施例の構造では、第1の半
導体層2と第1のコンタクト層3に形成される端面4が
、基板1に対してほぼ直角をなしている。この実施例に
よれば、深い位置と浅い位置とで空乏層の水平方向の位
置が異ならないので、受光位置によってスペクトル感度
が微妙に異なるようなことはない。また、p−i−n構
造が小面積で形成されるので、応答速度の高速化や集積
度を高めることができる。
導体層2と第1のコンタクト層3に形成される端面4が
、基板1に対してほぼ直角をなしている。この実施例に
よれば、深い位置と浅い位置とで空乏層の水平方向の位
置が異ならないので、受光位置によってスペクトル感度
が微妙に異なるようなことはない。また、p−i−n構
造が小面積で形成されるので、応答速度の高速化や集積
度を高めることができる。
第2図(b)に図示される実施例の構造では、真性半導
体層5の上部端面と、その近傍の第1および第2の半導
体層2.6の上面に、亜鉛(Zn )を拡散した拡散領
域11が形成されている。これによりn層で、ZnCp
型のドーパント)による補償効果が生じ、高抵抗となる
領域が生じる。このため、窓層81の近傍での漏れ電流
が少なくなる。
体層5の上部端面と、その近傍の第1および第2の半導
体層2.6の上面に、亜鉛(Zn )を拡散した拡散領
域11が形成されている。これによりn層で、ZnCp
型のドーパント)による補償効果が生じ、高抵抗となる
領域が生じる。このため、窓層81の近傍での漏れ電流
が少なくなる。
本発明は上記実施例に限られるものではない。
例えば、第1導電型をp型とし、第2導電型をn型とす
ることも可能である。第1および第2の半導体層2.6
については、InPあるいはIn Ga As Pとす
ることもできる。また、コンタクト層3.7や真性半導
体装置5は、InGaAsPとすることも可能である。
ることも可能である。第1および第2の半導体層2.6
については、InPあるいはIn Ga As Pとす
ることもできる。また、コンタクト層3.7や真性半導
体装置5は、InGaAsPとすることも可能である。
更にまた、窓層81を二酸化シリコン(SIO2)ある
いはInPとすることもできる。
いはInPとすることもできる。
以上の通り本発明によれば、絶縁性または半絶練性の基
板上に形成した第1の半導体層に端面を設け、端面を覆
う真性半導体層に接して第2の半導体層を設けるように
したので、受光素子が基板により電気的に分離され、集
積化が容易になり、しかも、基板面に沿ってp−1−n
構造が形成されるので、周波数応答性とスペクトル感度
特性に優れた半導体光検出装置を提供できる。従って、
本発明は光通信用の検知器や、スペクトル測定用の検知
器に用いるのに適している。
板上に形成した第1の半導体層に端面を設け、端面を覆
う真性半導体層に接して第2の半導体層を設けるように
したので、受光素子が基板により電気的に分離され、集
積化が容易になり、しかも、基板面に沿ってp−1−n
構造が形成されるので、周波数応答性とスペクトル感度
特性に優れた半導体光検出装置を提供できる。従って、
本発明は光通信用の検知器や、スペクトル測定用の検知
器に用いるのに適している。
また、本発明の製造方法によれば、通常の半導体装置の
製造工程により基板上にほぼ平坦な半導体光検出装置を
形成でき、従って簡単な工程でチップ上に複数の受光素
子や他の半導体デバイスを集積化できる。
製造工程により基板上にほぼ平坦な半導体光検出装置を
形成でき、従って簡単な工程でチップ上に複数の受光素
子や他の半導体デバイスを集積化できる。
第1図は本発明の第1の実施例に係る半導体光検出装置
の断面図、第2図はその製造工程別の構造を示す断面図
、第3図は本発明の他の実施例の構造を説明する断面図
、第4図は従来の技術を示す断面図である。 1・・・基板、2・・・第1導電型の第1の半導体層、
3・・・第1導電型の第1のコンタクト層、4・・・端
面、5・・・真性半導体層、6・・・第2導電型の第2
の半導体層、7・・・第2導電型の第2のコンタクト層
、10a、10b・・・第1および第2の電極、11・
・・拡散領域、81・・・窓層。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹実施例の断面構
造 第1図 従来例の断面構造 第4図 第2図
の断面図、第2図はその製造工程別の構造を示す断面図
、第3図は本発明の他の実施例の構造を説明する断面図
、第4図は従来の技術を示す断面図である。 1・・・基板、2・・・第1導電型の第1の半導体層、
3・・・第1導電型の第1のコンタクト層、4・・・端
面、5・・・真性半導体層、6・・・第2導電型の第2
の半導体層、7・・・第2導電型の第2のコンタクト層
、10a、10b・・・第1および第2の電極、11・
・・拡散領域、81・・・窓層。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹実施例の断面構
造 第1図 従来例の断面構造 第4図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁性または半絶縁性の基板と、 この基板の上に被着されて当該基板上で層の端面を形成
する第1導電型の第1の半導体層と、少なくとも前記第
1の半導体層の端面を覆う真性半導体層と、 この真性半導体層に接して前記基板の上に形成された第
2導電型の第2の半導体層と、 前記基板の上面側で前記第1および第2の半導体層にそ
れぞれ接続される第1および第2の電極と、 を有することを特徴とする半導体光検出装置。 2、前記第1および第2の半導体層に挟まれる前記真性
半導体層の上端面及びその近傍には、不純物が拡散され
た拡散領域が設けれられていることを特徴とする請求項
1記載の半導体光検出装置。 3、絶縁性または半絶縁性の基板の上に、第1導電型の
第1の半導体層を堆積する第1の工程と、この第1の半
導体層を前記基板にまで達して選択的に除去し、当該第
1の半導体層の端面を前記基板上に形成する第2の工程
と、 前記第1の半導体層が除去された前記基板の上面、及び
前記第1の半導体層の端面に真性半導体層を堆積する第
3の工程と、 この真性半導体層に接して第2導電型の第2の半導体層
を堆積する第4の工程と、 前記第1および第2の半導体層に接続される第1および
第2の電極を形成する第5の工程とを有することを特徴
とする半導体光検出装置の製造方法。 4、前記第5の工程に先駆けて、前記第1の半導体層と
第2の半導体層及びこれらに挟まれた前記真性半導体層
の上端面及びその近傍を、所定の深さで除去する表面除
去工程を有することを特徴とする請求項3記載の半導体
光検出装置の製造方法。 5、前記表面除去工程に引続き、前記第5の工程に先駆
けて、上面が除去された前記真性半導体層及びその近傍
の第1および第2の半導体層に所定の深さで不純物を拡
散する拡散工程を有することを特徴とする請求項4記載
の半導体光検出装置の製造方法。 6、前記表面除去工程に引続き、前記第5の工程に先駆
けて、前記上面が除去された前記真性半導体層及びその
近傍の第1および第2の半導体層の表面に窓層を堆積す
る窓層形成工程を有することを特徴とする請求項3また
は4記載の半導体光検出装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63027249A JPH01202873A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 半導体光検出装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63027249A JPH01202873A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 半導体光検出装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01202873A true JPH01202873A (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=12215800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63027249A Pending JPH01202873A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 半導体光検出装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01202873A (ja) |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP63027249A patent/JPH01202873A/ja active Pending
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