JPS6146076B2

JPS6146076B2 -

Info

Publication number: JPS6146076B2
Application number: JP55093025A
Authority: JP
Inventors: Fukunobu Aisaka
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1980-07-08
Filing date: 1980-07-08
Publication date: 1986-10-11
Also published as: JPS5718373A

Description

【発明の詳細な説明】本発明はアバランシエフオトダイオード型半導
体受光素子（以下APDという。）に関する。詳し
くは、インジユウムガリユウム砒素又はインジユ
ウムガリユウム砒素燐よりなる層を光吸収層と
し、インジユウム燐よりなる層を増倍層とする多
層構造APDに関する。

受光部を透過して光吸収層に入射した光の有す
るエネルギーにより、光吸収層において光電効果
により発生した正孔又は電子が、増倍量中に形成
され逆バイアス電圧が印加されているPN接合に
おいてアバランシエ増倍されることにより高効率
の光電変換作用を実現することを基本原理とする
APDにおいて、高増倍率、低暗電流、高感度、
低雑音、高速応答性等の望ましい特性を実現する
ためには、均一なPN接合を製作し、受光部の全
面において均一なアバランシエ作用が行なわれる
ことが望ましいが、その前提として、受光部以外
の領域においては降伏現象が発生しないことが必
須である。

そこで、インジユウム燐よりなる基板上に光吸
収層としてインジユウムガリユウム砒素又はイン
ジユウムガリユウム砒素燐よりなる層を有し、更
にその上に受光部を兼ねる増倍層としてインジユ
ウム燐よりなる層を有する多層構造の、従来技術
におけるAPDにおいては、第１図に示すような
自己ガードリング構造がとられていることは公知
である（Applied Physics Letters、Vol.35(3)、
Aug.1、1979）。第１図において、１は一方の電
極であり、２はｎ型又はｐ型の導電型を有する不
純物を含有するインジユウム燐よりなる基板であ
る。３は基板上に結晶格子整合の上形成されたイ
ンジユウムガリユウム砒素又はインジユウムガリ
ユウム砒素燐よりなる光吸収層であり、基板と同
一の導電型を有する不純物を含有する。４は光吸
収層３の上に形成されたインジユウム燐よりなる
増倍層であり、光吸収層３と同一の導電型を有す
る不純物を含有する。そして、受光部６に対接す
る領域にPN接合５が設けられる。すなわち、PN
接合５に囲まれる増倍層４の一部の領域４′に含
有される不純物の導電型はPN接合５の外側の領
域４における増倍層の含有する不純物の導電型と
は反対である。PN接合５に囲まれる領域４′の上
面は受光部６を構成し、無反射コート膜をなす比
較的薄い絶縁層で覆われている。PN接合５の外
側の領域４の上面は比較的厚い絶縁層で覆われて
いる。受光部６を囲む領域には、増倍層４中に形
成されたPN接合５の周辺部に他方の電極８が配
設されている。ここで、自己ガードリング構造を
有する従来技術におけるAPDにおいて特徴的な
ことは、PN接合５が増倍量をなすインジユウム
燐層４と光吸収層をなすインジユウムガリユウム
砒素又はインジユウムガリユウム砒素燐層３との
ヘテロ界面のごく近傍に設けられていることであ
る。その結果、光吸収層３中の電界強度は、この
PN接合５に対接する領域において、このPN接合
に対接していない領域における電界強度より大き
くなり、光吸収層３に対接した領域におけるPN
接合部の降伏電圧が光吸収層３に対接していない
領域におけるPN接合部の降伏電圧より小さくな
り、光吸収層３に対接する領域におけるPN接合
部でのみアバランシエ現象が発生し、ガードリン
グ効果が発生する。この効果は、インジユウムガ
リユウム砒素又はインジユウムガリユウム砒素燐
のバンドギヤツプがインジユウム燐のバンドギヤ
ツプよりも狭く、前者の降伏電圧が後者の降伏電
圧より低いことを利用したものであり、極めて有
効であることは公知である。

ところが、この自己ガードリング構造において
は、光吸収層３の中の電界強度は、PN接合に対
接する領域において必然的に高くなり、この領域
において発生するトンネル電流による悪影響が大
きな欠点である。ところで、インジユウムガリユ
ウム砒素やインジユウムガリユウム砒素燐のよう
にバンドギヤツプの小さい物質にあつてトンネル
効果が大きいことは周知であり、ある物質の基礎
吸収端波長λが、不等式λ≦hC／EGに従い、バ
ンドギヤツプにより決定されることも周知であ
る。一方、近時、光通信技術の発達により、光フ
アイバ中の伝播損失の小さな長波長光に感度を有
する受光素子に対する要請が高まり、そのため、
バンドギヤツプの小さなインジユウムガリユウム
砒素やインジユウムガリユウム砒素燐よりなる受
光素子の開発が求められているのであるから、従
来技術における自己ガードリング構造に本質的に
附随するトンネル電流による悪影響は、基礎吸収
端波長の長い、バンドギヤツプの小さな物質、例
えば、インジユウムガリユウム砒素やインジユウ
ムガリユウム砒素燐を使用してなすAPDにあつ
ては看過し難い重大な欠点である。

本発明の目的は上記の欠点を解消することにあ
り、1.2乃至1.65μｍの波長域の光に対し感度を
有し、高増倍率、低暗電流、高感度、低雑音、高
速応答性等優れた特性を有するAPDを提供する
ことにあり、(イ)インジユウム燐よりなる基板の上
に、好ましくはインジユウム燐よりなるバツフア
層を有し、その上に、順次、インジユウムガリユ
ウム砒素又はインジユウムガリユウム砒素燐より
なる光吸収層、インジユウム燐の第層及び第
層よりなる増倍層を有する多層構造のAPDにお
いて、(ロ)すべての層に含有される不純物の導電型
を同一とし、その濃度はInP第層のそれを最も
高くし、InP第層のそれを次に高くし、光吸収
層のそれはInP第層のそれと同程度又はそれよ
り多少低くし、バツフア層及び基板のそれはなる
べく低く、すなわち、光吸収層のそれと同程度又
は更にそれより低くなし、(ハ)増倍層表層の一部か
ら、各層に含有される不純物と異なる導電型の不
純物を高濃度に導入してInP第層中に増倍用PN
接合を形成して、接合の中央部を受光部となし、
(ニ)増倍用PN接合すなわち受光部を囲むInP第層
表層の一部から、各層に含有される不純物と異な
る導電型の不純物をInP第層に達する迄深くか
つ高濃度に導入して、InP第層中にガードリン
グPN接合を形成し、(ホ)ガードリングPN接合と、
InP第層と光吸収層とのヘテロ界面迄の距離
は、この領域においてトンネル電流が発生するこ
とを制御するに十分な程度の厚さ、すなわち、
ほゞ0.8μｍ程度となし、(ヘ)ガードリングPN接合
の表層に近い側の外周の一部はその周囲のInP第
層とともに除去してあり、(ト)その結果、PN接
合に逆バイアスが印加された場合に発生する空乏
層の深さを、増倍用PN接合に対接する領域にお
けるよりもガードリングPN接合に対接する領域
において深くなし、ガードリングPN接合の降伏
電圧を増倍用PN接合の降伏電圧よりも大きくな
し、増倍用PN接合の全面において均一なアバラ
ンシエ現象が発生し、しかも、ガードリングPN
接合においてはアバランシエ現象は発生しないよ
うになし、更にガードリングPN接合に対接する
領域においてはトンネル電流の発生が抑制され、
これらが相乗効果を発揮して、高増倍、低暗電
流、高感度、低雑音、高速応答性等の望ましい特
性を実現することを要旨とする。

以下に、本発明の一実施例について、図面を参
照しつゝ、その構成をその製作工程とともに説明
し、本発明の構造と特有の作用効果とをあわせて
明らかにする。

各層の含有する不純物の導電型はｐ型でもｎ型
でも本質的にはさしつかえないが、一例としてｎ
型を想定する。従つて、PN接合の表層側すなわ
ち受光部側の高濃度領域の不純物導電型はｐ型で
ある。更に、各層の成長法は液相エピタキシヤル
成長法が最も利点が多いのでこれを使用すること
を想定するが、一例であることは言うまでもな
い。

第１の工程は本発明に必須な工程ではないがそ
の実施が望ましい工程であり、10¹⁶個／cm³程度の
ｎ型不純物を含有するインジユウム燐よりなる基
板上に、液相エピタキシヤル成長法を使用して、
基板の不純物濃度と同程度の濃度を有するｎ型不
純物を含有するインジユウム燐よりなる厚さ10μ
ｍ程度のバツフア層を形成する工程である。不純
物濃度の選択は、本発明の要旨と関連した技術的
意味を有さない。バツフア層を形成する目的が結
晶状態の調整にあることは勿論である。基板の厚
さには全く制限はない。すなわち、取り扱い上便
利であり、資材的に無駄のない程度が適当であ
る。バツフア層の厚さも全く自由である。

第２の工程は、前記基板上に、好ましくは第１
の工程において形成された前記バツフア層上に、
結晶格子整合の上、液相エピタキシヤル成長法を
使用して、基板の含有する不純物と同一の導電型
を有する不純物を比較的低濃度に、一般には10¹⁶
個／cm³程度の濃度に、含有するインジユウムガリ
ユウム砒素燐よりなる光吸収層を厚さ２μｍ程度
に形成する工程である。インジユウムガリユウム
砒素燐に代えてインジユウムガリユウム砒素を使
用しても、ほゞ同様の効果を期待することができ
る。厚さは、光吸収に必要な厚さと本発明の要旨
であるガードリングに対接する領域における空乏
層の伸張とを考慮して選定される。一般的には２
μｍ又はそれより多少厚い程度が適当であるが、
液相エピタキシヤル成長法を使用する場合はプロ
セス上の制限もある。

第３の工程は、光吸収層の上に、結晶格子整合
の上、液相エピタキシヤル成長法を使用して、光
吸収層の含有する不純物と同一の導電型を有する
不純物を、光吸収層の含有する不純物濃度と同程
度又は多少更に高濃度に、一般には１乃至２×
10¹⁶個／cm³の濃度に含有するインジユウム燐より
なるInP第層を厚さを例えば１μｍ程度に形成
する工程である。InP第層の厚さは、その層中
にガードリングPN接合が形成でき、しかも、そ
のPN接合と、InP第層と光吸収層とのヘテロ界
面とのの間に、トンネル電流の発生を抑制しうる
に十分な厚さ、すなわち、ほゞ0.5μｍ程度の間
隔を残留することができる。程度の厚さを基準と
して選定されるが、プロセス上の制限等もあり、
上述のとおり、１μｍ程度が適当である。

第４の工程は、InP第層の上に、液相エピタ
キシヤル成長法を使用して、InP第層の含有す
る不純物と同一の導電型を有する不純物を、InP
第層の不純物濃度より高い濃度に、一般には４
×10¹⁶個／cm³の濃度に含有するインジユウム燐よ
りなるInP第層を厚さ１μｍ程度に形成する工
程である。この工程完了後のウエーハ断面図を第
２図に示す。図において、２は基板であり、２１
はバツフア層であり、３１は光吸収層であり、４
１′はInP第層であり４１はInP第層である。
InP第層４１の不純物濃度は、本発明の要旨で
ある増倍用PN接合の降伏電圧を下げるために、
高いことが望ましく、上述のとおり、４×10¹⁶
個／cm³程度が適当である。InP第層４１の厚さ
はその層中に増倍用PN接合を形成しうる厚さと
して選定されるが、上述のとおり１μｍ程度が適
当である。

第５の工程は、InP第層４１の表層の受光部
を構成する一部領域に、二酸化シリコン膜をマス
クとして、InP第層４１の含有する不純物と異
る導電型を有する不純物を高濃度に、一般には
10¹⁸個／cm³又はこれ以上の高濃度に導入して、増
倍作用をなす増倍用PN接合を形成する工程であ
る。この工程完了後のウエハー断面図を第３図に
示す。図において、７１はマスクとして使用され
た二酸化シリコン層であり、４２は増倍用PN接
合５２の高濃度Ｐ層であり受光部６１を構成す
る。不純物導入の方法はカドミユウム燐等をソー
スとした拡散法、カドミユウム等のイオン注入法
等が使用しうる。この高濃度Ｐ層４２は、不純物
濃度は高く厚さは薄いことが望ましい。この二つ
の要請は排反的であるから、上記のとおり、10¹⁸
個／cm³程度の濃度で0.5μｍ程度の厚さに形成す
ることが適当である。

第６の工程は、InP第層４１の表層に形成さ
れた増倍用PN接合５２の高濃度Ｐ層４２を囲み
一部これと重なる領域を占めるInP第層４１の
表層の一部から、二酸化シリコン膜をマスクとし
て、増倍用PN接合５２の高濃度Ｐ層４２に含有
される不純物と同一の導電型を有する不純物を高
濃度に、かつ、InP第層４１′に達する迄深く
導入して、ガードリング機能を果すガードリング
PN接合を、InP第層４１とInP第層４１′にま
たがつて、形成する工程である。この工程完了後
のウエーハ断面図を第４図に示す。図において、
７２はマスクとして使用された二酸化シリコン層
であり、４３はガードリングPN接合５３の高濃
度Ｐ層である。不純物導入の方法等は第５の工程
の場合と全く同様であるが、このガードリング
PN接合５３と増倍用PN接合５２との間には高さ
の差があることが望ましく、又、ガードリング
PN接合５３と、InP第層４１′と光吸収層３１
とのヘテロ界面の間隔は、この領域においてトン
ネル電流の発生を抑制しうるに十分な距離が残留
していることが望ましい。そこで、前者はほゞ１
μｍ程度が適当であり、後者は少なくとも0.5μ
ｍ程度必要である。

第７の工程は、ガードリングPN接合５３の高
濃度Ｐ層４３を囲み一部これと重なる領域にある
InP第層４１を、化学的エツチング法を用いて
除去してメサ型段差を形成する工程である。この
工程完了後のウエーハ断面図を第５図に示す。図
において、７３はマスクとして使用されたフオト
レジスト膜又は二酸化シリコン膜であり、ガード
リングPN接合５３の高濃度Ｐ層４３の左右のInP
第層４１が除去されてメサ型段差が形成されて
いる状態が明らかである。

第８の工程は、第７の工程においてマスクとし
て使用されたフオトレジスト膜７３又は二酸化シ
リコン膜７３を除去した後、受光部６１すなわち
増倍用PN接合５２の高濃度Ｐ層４２の表面には
厚さ2000Å程度の二酸化シリコン層を無反射コー
ト膜として形成し、一方、次工程において電極を
形成する領域を除いたガードリングPN接合５３
の高濃度Ｐ層４３の表面と前記メサの表面とガー
ドリングPN接合５３を囲むInP第層４１′の表
面とには、二酸化シリコン等よりなる絶縁性保護
膜を、受光素子保護のために十分な厚さになるよ
う比較的厚く形成する工程である。この工程完了
後のウエーハ断面図を第６図に示す。図におい
て、７４は二酸化シリコン層よりなる無反射コー
ト膜であり、７５は絶縁性保護膜である。これら
の二酸化シリコン膜７４，７５又はPSG等類似の
絶縁性保護膜７５を形成する方法は通常の熱酸化
法が適当である。

第９の工程は、基板２の下面及びInP第層４
１の表層に形成された受光部６１すなわち増倍用
PN接合５２の高濃度Ｐ層４２を囲む周辺部表層
に、夫々、金ゲルマニユウム及び金亜鉛よりなる
電極を形成する工程である。この工程完了後の、
すなわち、完成したAPDのウエーハの断面図を
第７図に示す。図において、８１は基板２の下面
に形成された金ゲルマニユウムよりなる一方の電
極を示し、８２はInP第層４１の表層に形成さ
れた受光部６１すなわち増倍用PN接合５２の高
濃度Ｐ層４２の周辺部表層に形成された金亜鉛よ
りなる他方の電極を示す。これらの電極のうち、
電極８１には蒸着を使用することが適当であり、
電極８２は素子表面に全面蒸着をなした後フオト
エツチング等により不要箇所を選択的に除去する
方法が適当である。尚、これらの電極材料は一例
である。

一例としてあげた以上の如き工程によつて製作
され、一例として第７図に示す如き構成を有する
APDについて、本発明に特有の作用効果を説明
する。上述のとおり、APDはその使用状態にあ
つては、電極８１に正電圧が電極８２に負電圧が
印加されている。そして、この電圧はPN接合５
２，５３にとつて逆バイアスであるから、これら
の接合の両側には空乏層が発生する。ところで、
空乏層の広がりがその領域における濃度すなわち
多数キヤリヤの量によつて決定されることは周知
であるから、定性的には、PN接合５２，５３の
両側の空乏層の広がりは第８図に概念的に示す如
くなる。すなわち、上述のとおり、増倍用PN接
合５２もガードリングPN接合５３もこれらのＰ
層側不純物濃度は10¹⁸個／cm³又はそれ以上と高濃
度であるから、Ｐ層側空乏層はその限界を図にお
いて９２で示すように極めて小さくなる。一方、
増倍用PN接合５２のＮ層側の不純物濃度は４×
10¹⁶個／cm³（InP第層）、１乃至２×10¹⁶個／cm³
（InP第層）、10¹⁶個／cm³（光吸収層）と重なつ
ているに反し、ガードリングPN接合５３のＮ層
側の不純物濃度は１乃至２×10¹⁶個／cm³（InP第
層）、10¹⁶個／cm³（光吸収層）と重なつている
ので、図にその限界を９１で示すように、増倍用
PN接合５２のＮ層側に伸張する空乏層の長さは
ガードリングPN接合５３のＮ層側に伸張する空
乏層の長さより短かくなる。上述の逆バイアス電
圧はこの空乏層限界相互間に印加されるのである
から、空乏層限界相互間の距離の短かい領域にお
いて電界強度が高くなり、より低いバイアス電圧
の印加によつて降伏することになる。

以上に述べた空乏層の広がりを、第９図、第１
０図を参照して、より明瞭に説明する。説明の便
宜上、InP第層４１とInP第層４１′の厚さを
夫々１μｍ、光吸収層の厚さを２μｍとし、増倍
用PN接合５２とガードリングPN接合５３を夫々
表面から0.5ｍと1.5ｍの位置にあるものとする。
図において、実線Ａ，Ｂが増倍用PN接合５２と
ガードリングPN接合５３の夫々において降伏現
象を発生させた状態における各層各部における電
界強度を表わす。降伏現象の発生はPN接合の電
界強度が一定値に達した場合におこるから、第
９，１０図いづれにおいてもＹ軸の最高値は一定
である。そして、その最高電界強度の位置はPN
接合の位置であるから、表面から夫々0.5μｍ及
び1.5μｍの位置となる。各層における不純物濃
度は上記のとおりであるから、実線Ａ，Ｂの勾配
は夫々図示するとおりとなり、実線Ａ，ＢとＸ軸
とで囲まれる面積が降伏電圧であるから、ガード
リングPN接合５３の降伏電圧が72Vとなり増倍
用PN接合５２の降伏電圧39Vより大きく、した
がつて、本発明の一実施例である第７図に示す構
造にあつては、アバランシエ現象は増倍用PN接
合５２においてのみ発生し、ガードリングPN接
合５３においては発生せず、所期の目的を達する
ことができる。

一方、増倍用PN接合５２においてアバランシ
エ現象が発生した場合、ガードリングPN接合５
３に印加される電界強度は増倍用PN接合５２に
印加される電界強度より数10％低くなるため、こ
の接合に対接する領域において発生するトンネル
電流の大きさは増倍用PN接合５２の直径を100μ
ｍとした場合約10^-9A以下となり、他の原因によ
つて発生する暗電流と比較して無視しうる程度で
あり、本発明の目的の他の重要な要素であるトン
ネル電流の抑制も十分達成される。

更に、ガードリングPN接合５３を囲む領域に
おいては降伏電圧が低くなるので、この領域を除
去してあり、この領域においてアバランシエ現象
が発生することも有効に防止されている。

以上説明せるとおり、本発明によれば、(イ)ｎ型
又はｐ型から任意に選択された導電型の不純物を
含有するインジユウム燐よりなる基板の上に好ま
しくは結晶状態を整えるために基板と同一材料を
もつてバツフア層が形成され、(ロ)その上に、結晶
格子整合の上、基板の含有する不純物と同一の導
電型を有する不純物を比較的低濃度に、一般的に
は１×10¹⁶個／cm³程度の濃度に含有するインジユ
ウムガリユウム砒素又はインジユウムガリユウム
砒素燐よりなる光吸収層が例えば２μｍ程度の厚
さに形成され、(ハ)その上に光吸収層の含有する不
純物と同一の導電型を有する不純物を光吸収層の
含有する不純物濃度と同程度又はいくらか高い濃
度に、一般的には１乃至２×10¹⁶個／cm³程度の濃
度に含有するインジユウム燐よりなるInP第層
が例えば１μｍ程度の厚さに形成され、(ニ)更にそ
の上にInP第層の含有する不純物と同一の導電
型を有する不純物をInP第層の不純物濃度より
更に高い濃度に、一般的には４×10¹⁶個／cm³程度
の濃度に有するインジユウム燐よりなるInP第
層が例えば１μｍの厚さに形成され、(ホ)そのInP
第層表層の一部の領域には、InP第層の含有
する不純物とは反対の導電型を有する不純物を高
濃度に、一般的には10¹⁸個／cm³又はこれ以上の濃
度にドープして増倍用PN接合が形成され、(ヘ)こ
の増倍用PN接合すなわち受光部を囲む領域を占
めるInP第層表層の一部には、増倍用PN接合の
Ｐ層すなわち受光部が含む不純物と同一の導電型
を有する不純物を高濃度に、一般的には10¹⁸個／
cm³又はこれ以上の濃度に、かつ、InP第層に達
する迄深くドープしてガードリングPN接合が形
成され、結果的に、このガードリングPN接合面
は増倍用PN接合面より一般的には１μｍ近い厚
さ深くなつており、しかも、このガードリング
PN接合面と、InP第層と光吸収層とのヘテロ界
面との間にはトンネル電流抑制に十分な厚さ一般
には0.5μｍ程度の間隔が残留しており、(ト)ガー
ドリングを囲む領域においてはInP第層は除去
されており、(チ)受光部の表面には無反射コート膜
として二酸化シリコン層が形成されており、(リ)二
つの電極の一方は基板の一部に、一般的には基板
の底面全面に、配設されており、他方は受光部表
面の一部に、一般には受光部周辺の高濃度領域
に、配設されているので、(ヌ)この受光素子に逆バ
イアス電圧が印加された場合は、第８，９，１０
図に示すように、空乏層が、ガードリングPN接
合に対接する光吸収層領域において、増倍用PN
接合に対接する光吸収層領域におけるよりも長く
伸張して増倍用PN接合の降伏電圧をガードリン
グPN接合の降伏電圧よりも低くなり、しかも、
ガードリングPN接合を囲む領域においてはInP第
層は除去されているので、増倍用PN接合にお
いて最も低い降伏電圧を示すことになり、この状
態で、1.2乃至1.65μｍの波長域にある光が受光
部を透過して光吸収層に入射し、ここで光電効果
により正孔と電子とが発生した場合は、正孔は
InP第層のＰ層に電子はバツフアを経て基板に
吸引され、増倍用PN接合のみが降伏するので、
この増倍用PN接合全面で均一に増倍作用がなさ
れ、しかも、ガードリングPN接合に対接する領
域は電界強度がそう大きくならないのでトンネル
電流の大きさも無視しうる程度であり、これらが
相乗効果を発揮して、所期の目的である高増倍
率、低暗電流、高感度、低雑音、高速応答性等の
好ましい特性を有するAPDを提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術における自己ガードリング構
造を有するAPDの断面図である。第２乃至第７
図は、本発明に係る一実施例における、夫々、第
４乃至第９の工程完了後におけるウエーハの断面
図である。第８図は本発明に係る一実施例におけ
る特有の作用効果を説明するための説明図であ
る。第９，１０図は本発明に係る一実施例におけ
る電界強度対層厚の関係を示すグラフである。２……基板、２１……バツフア層、３１……光
吸収層、４１′……InP第層、４１……InP第
層、４２……受光部すなわち増倍層PN接合のＰ
層、４３……ガードリングすなわちガードリング
PN接合のＰ層、５２……増倍用PN接合、５３…
…ガードリング用PN接合、６１……受光部、７
４……無反射コート膜、７５……保護絶縁膜、８
１……一方の電極、８２……他方の電極。

Claims

【特許請求の範囲】

１ (イ)その片面に配設された一方の電極を有しｎ
型又はｐ型の導電型を有する不純物を含有するイ
ンジユウム燐よりなる基板と、(ロ)該基板上に、好
ましくは該基板上に形成された前記不純物と同一
の導電型を有する不純物を含有するインジユウム
燐よりなる薄層（バツフア層）上に、結晶格子整
合の上形成された前記不純物と同一の導電型を有
する不純物を比較的低濃度に含有するインジユウ
ムガリユウム砒素又はインジユウムガリユウム砒
素燐よりなる薄層（光吸収層）と、(ハ)該光吸収層
上に形成された前記不純物と同一の導電型を有す
る不純物を該光吸収層の含有する不純物濃度と同
程度又はいくらか高い濃度に含有するインジユウ
ム燐よりなる薄層（InP第層）と、(ニ)該InP第
層上に形成された前記不純物と同一の導電型を
有する不純物を該InP第層の含有する不純物濃
度より更に高い濃度に含有するインジユウム燐よ
りなる薄層（InP第層）とを有し、(ホ)該InP第
層表層の一部領域には、前記不純物とは異なる
導電型を有する不純物を高濃度に含有する薄層
（受光部）を有し、(ヘ)該受光部を囲み一部これと
重なることある領域を占める前記InP第層の表
層の一部には、前記受光部に含まれる不純物と同
一の導電型を有する不純物を高濃度に含有する薄
層（ガードリング）を有し、該ガードリングは前
記InP第層中迄伸延しており、(ト)該ガードリン
グを囲み一部これと重なることある領域において
は、前記InP第層は除去されており、(チ)前記受
光部表面の一部には他方の電極を有することを特
徴とする、アバランシエフオトダイオード型半導
体受光素子。