ES2652036T3 - Micro-altavoz con cavidad sellada entre el sustrato y la membrana - Google Patents

Abstract

Un micro-altavoz electromecánico que comprende: un único sustrato (305) en el que el sustrato es plano; una membrana deformable (310); y una cavidad de altavoz (304) dispuesta entre el sustrato (305) y la membrana deformable (310) de manera que la membrana deformable (310) abarque la cavidad de altavoz (304), en donde la cavidad de altavoz (304) es una cavidad de altavoz sellada definida por el sustrato (305) y la membrana deformable (310), de manera que esté encerrado por todos los lados; incluyendo la membrana deformable (310) una capa piezo-eléctrica (350) intercalada entre las capas conductoras primera y segunda (320, 340), e incluyendo una capa dieléctrica (325), en donde la membrana deformable (310) está configurada para deformarse al aplicar un voltaje de control a través de la capa piezo-eléctrica (350).

Description

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DESCRIPCION

Micro-altavoz con cavidad sellada entre el sustrato y la membrana CAMPO TECNICO

[001] Esta divulgacion se refiere a dispositivos de sistemas electromecanicos y, mas en particular, a dispositivos de micro-altavoces electromecanicos.

DESCRIPCION DE LA TECNICA RELACIONADA

[002] Los sistemas electromecanicos (EMS) incluyen dispositivos que tienen elementos electricos y mecanicos, activadores, transductores, sensores, componentes opticos (incluso espejos) y electronica. Los sistemas electromecanicos se pueden fabricar en una variedad de escalas incluyendo, pero sin limitarse a, micro-escalas y nano-escalas. Por ejemplo, los dispositivos de sistemas micro-electromecanicos (MEMS) pueden incluir estructuras que tienen tamanos que varian desde aproximadamente un micrometro a cientos de micrometros o mas. Los dispositivos de sistemas nano-electromecanicos (NEMS) pueden incluir estructuras que tienen tamanos menores que un micrometro, incluyendo, por ejemplo, tamanos menores que varios cientos de nanometros. Los elementos electromecanicos pueden ser creados usando deposicion, grabado, litografia y/u otros procesos de micro- mecanizado que eliminan por raspado partes de sustratos y/o capas de material depositadas, o que anaden capas para formar dispositivos electricos y electromecanicos.

[003] Un tipo de dispositivo de EMS se denomina modulador interferometrico (IMOD). El termino modulador interferometrico, o modulador luminico interferometrico, se refiere a un dispositivo que absorbe selectivamente y/o refleja la luz utilizando los principios de interferencia optica. En algunas implementaciones, un IMOD puede incluir un par de placas conductoras, una de las cuales, o ambas, puede(n) ser transparentes y/o reflectante(s), total o parcialmente, y capaces de movimiento relativo tras la aplicacion de una senal electrica adecuada. En una implementacion, una placa puede incluir una capa fija depositada sobre un sustrato y la otra placa puede incluir una membrana reflectante separada de la capa fisica por una brecha aerea. La posicion de una placa en relacion con otra puede cambiar la interferencia optica de la luz incidente en el IMOD. Los dispositivos IMOD tienen una amplia gama de aplicaciones, y se preve que se utilizaran para mejorar los productos existentes y crear nuevos productos, especialmente aquellos con capacidades de visualizacion.

[004] Otro tipo de dispositivo de EMS es un micro-altavoz. Un micro-altavoz puede convertir senales electricas en ondas de sonido.

[005] El documento 2008/0212807 se refiere a un transductor acustico que incluye una o mas capsulas, paredes laterales y una placa de respaldo. Cada capsula contiene una cavidad formada por las paredes laterales y una pluralidad de pilas de peliculas.

RESUMEN

[006] Cada uno de los sistemas, procedimientos y dispositivos de la divulgacion tiene varios aspectos innovadores, ninguno de los cuales es el unico responsable de los atributos deseables divulgados en el presente documento.

[007] Un aspecto innovador del tema descrito en esta divulgacion puede implementarse en un elemento de micro- altavoz electromecanico. El elemento del micro-altavoz puede incluir una membrana dielectrica deformable que abarca una cavidad del altavoz. La membrana dielectrica deformable puede incluir un piezo-activador y una capa dielectrica. Tras la aplicacion de una senal de control al piezo-activador, la capa dielectrica puede curvarse, produciendo sonido. En algunas implementaciones, una formacion de elementos de micro-altavoz puede encapsularse entre un sustrato de vidrio y un cristal de cobertura. El sonido generado por los elementos de micro- altavoz puede emitirse a traves de una rejilla de altavoz formada en el cristal de cobertura.

[008] Otro aspecto innovador del objeto descrito en esta divulgacion puede implementarse en un micro-altavoz electromecanico que incluye un sustrato, una membrana deformable y una cavidad de altavoz dispuesta entre el sustrato y la membrana deformable, de manera que la membrana deformable se extienda por la cavidad del altavoz. La membrana deformable puede incluir una primera capa piezo-electrica intercalada entre las capas conductoras primera y segunda. La membrana deformable puede incluir ademas una capa dielectrica configurada para deformarse al aplicar una tension de control a traves de la primera capa piezo-electrica.

[009] En algunas implementaciones, la primera capa piezo-electrica puede estar dispuesta entre la capa dielectrica y el sustrato. En algunas implementaciones, la capa dielectrica puede estar dispuesta entre la primera capa piezo-electrica y el sustrato. La primera capa piezo-electrica puede tener varias configuraciones. Por ejemplo, la primera capa piezo-electrica puede abarcar la cavidad del altavoz o cubrir solo una parte de la cavidad del altavoz, de acuerdo a la implementacion deseada. En algunas implementaciones, la primera capa piezo-electrica se

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superpone a una region periferica de la cavidad del altavoz. En algunas implementaciones, la primera capa piezo- electrica se centra sobre la cavidad del altavoz.

[0010] La membrana deformable puede incluir ademas una segunda capa piezo-electrica intercalada entre las capas conductoras tercera y cuarta. En algunas implementaciones, las capas piezo-electricas primera y segunda pueden estar ubicadas en lados opuestos de la capa dielectrica.

[0011] Otro aspecto innovador del tema descrito en esta divulgacion es un aparato audiovisual que incluye un micro-altavoz electromecanico, una pantalla y un procesador que esta configurado para comunicarse con la pantalla. El procesador puede estar configurado para procesar datos de imagenes. El aparato puede incluir un dispositivo de memoria que esta configurado para comunicarse con el procesador. El aparato puede incluir un circuito accionador configurado para enviar al menos una senal a la pantalla y un controlador configurado para enviar al menos una parte de los datos de imagenes al circuito accionador. El aparato puede incluir un modulo de origen de imagen configurado para enviar los datos de imagenes al procesador. El modulo de origen de imagen puede incluir al menos uno entre un receptor, un transceptor y un transmisor. El aparato puede incluir un dispositivo de entrada configurado para recibir datos de entrada y para comunicar los datos de entrada al procesador. El procesador puede configurarse para comunicarse con un micro-altavoz electromecanico.

[0012] Otro aspecto innovador del tema descrito en esta divulgacion puede implementarse en un aparato que incluye una formacion de elementos de micro-altavoz piezo-activado. La formacion puede formarse entre los sustratos de vidrio unidos primero y segundo. Cada elemento de micro-altavoz piezo-activado puede incluir una cavidad de altavoz y una membrana deformable que abarca la cavidad del altavoz. La membrana deformable puede incluir una primera capa piezo-electrica intercalada entre las capas conductoras primera y segunda. La membrana deformable puede incluir ademas una capa dielectrica configurada para deformarse al aplicar un voltaje de control a traves de la capa piezo-electrica. El aparato puede incluir uno o mas puertos acusticos formados en un sustrato de vidrio y dispuestos sobre la formacion. El aparato puede incluir un dispositivo de circuito integrado colocado en una cavidad entre los sustratos de vidrio primero y segundo. El circuito integrado puede configurarse para controlar los elementos de micro-altavoz piezo-activado. Los sustratos de vidrio unidos pueden configurarse para unirse a un conector flexible.

[0013] Otro aspecto innovador mas del tema descrito en esta divulgacion se puede implementar en un procedimiento de formacion de un micro-altavoz. El procedimiento puede incluir formar una capa protectora sobre un sustrato, formar un primer piezo-activador sobre la capa protectora, formar una capa dielectrica deformable sobre la capa protectora y el sustrato, y eliminar la capa protectora para formar una cavidad de altavoz entre el sustrato y la capa dielectrica deformable, de modo que la capa dielectrica deformable abarque la cavidad del altavoz. El procedimiento puede incluir formar un segundo piezo-activador sobre la capa protectora. En algunas implementaciones, formar el primer piezo-activador sobre la capa protectora puede incluir formar una primera capa conductora sobre la capa protectora, formar una primera capa piezo-electrica sobre la primera capa conductora y formar una segunda capa conductora sobre la primera capa piezo-electrica.

[0014] Los detalles de una o mas implementaciones del tema descrito en esta memoria descriptiva se exponen en los dibujos adjuntos y la descripcion siguiente. Aunque los ejemplos proporcionados en esta divulgacion se describen principalmente en terminos de sistemas electromecanicos (EMS) y pantallas basadas en sistemas micro- electromecanicos (MEMS), los conceptos proporcionados en el presente documento pueden aplicarse a otros tipos de pantallas, tales como pantallas de cristal liquido (LCD), pantallas organicas de diodos emisores de luz ("OLED") y pantallas de emision de campo. Otras caracteristicas, aspectos y ventajas devendran evidentes a partir de la descripcion, los dibujos y las reivindicaciones. Observese que las dimensiones relativas de las figuras siguientes pueden no estar dibujadas a escala.

BREVE DESCRIPCION DE LOS DIBUJOS

[0015]

La figura 1 muestra un ejemplo de una vista isometrica que representa dos pixeles adyacentes en una serie de pixeles de un dispositivo visualizador modulador interferometrico (IMOD).

La figura 2 muestra un ejemplo de un diagrama de bloques de sistema que ilustra un dispositivo electronico que incorpora una pantalla de IMOD de dimension 3 x 3.

La figura 3 muestra un ejemplo de un diagrama que ilustra la posicion de la capa reflectante movil con respecto al voltaje aplicado para el IMOD de la figura 1.

La figura 4 muestra un ejemplo de una tabla que ilustra varios estados de un IMOD cuando se aplican varios voltajes comunes y de segmento.

La figura 5A muestra un ejemplo de un diagrama que ilustra una trama de datos de visualizacion en la pantalla

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de IMOD de dimension 3 x 3 de la figura 2.

La figura 5B muestra un ejemplo de un diagrama de temporizacion para las senales comunes y de segmento que pueden usarse para escribir la trama de datos de visualizacion ilustrados en la figura 5A.

La figura 6A muestra un ejemplo de una seccion transversal parcial de la pantalla de IMOD de la figura 1.

Las figuras 6B a 6E muestran ejemplos de secciones transversales de diversas implementaciones de IMOD.

La figura 7 muestra un ejemplo de un diagrama de flujo que ilustra un proceso de fabricacion para un IMOD.

Las figuras 8A a 8E muestran ejemplos de ilustraciones esquematicas en seccion transversal de diversas etapas en un procedimiento de fabricacion de un IMOD.

Las figuras 9A a 10B muestran ejemplos de un micro-altavoz encapsulado en vidrio que incluye una formacion de micro-altavoces sobre un sustrato de vidrio con un cristal de cobertura.

La figura 11 muestra un ejemplo de un diagrama de flujo que ilustra un proceso de fabricacion para un micro- altavoz encapsulado en vidrio.

Las figuras 12A a 17 muestran ejemplos de elementos de micro-altavoces electromecanicos que incluyen una membrana dielectrica deformable.

La figura 18 muestra un ejemplo de un diagrama de flujo que ilustra un proceso de fabricacion para un elemento de micro-altavoz.

Las figuras 19A y 19B muestran ejemplos de diagramas de bloques de sistema que ilustran un dispositivo de visualizacion que incluye una pluralidad de los IMOD.

[0016] Los numeros de referencia y designaciones iguales en los diversos dibujos indican elementos iguales. DESCRIPCION DETALLADA

[0017] La siguiente descripcion se refiere a ciertas implementaciones con fines de descripcion de los aspectos innovadores de esta divulgacion. Sin embargo, una persona con conocimientos corrientes de la tecnica reconocera inmediatamente que las ensenanzas en el presente documento pueden aplicarse en multitud de formas diferentes. Las implementaciones descritas pueden implementarse en cualquier dispositivo o sistema que pueda configurarse para mostrar una imagen, ya sea en movimiento (por ejemplo, video) o fija (por ejemplo, imagen fija), ya sea textual, grafica o pictorica. Mas en particular, se contempla que las implementaciones descritas pueden estar incluidas en, o asociadas a, varios dispositivos electronicos tales como, pero no limitados a: telefonos moviles, telefonos celulares de multimedios habilitados para Internet, receptores de television moviles, dispositivos inalambricos, telefonos inteligentes, dispositivos de Bluetooth®, asistentes de datos personales (PDA), receptores inalambricos de correo electronico, ordenadores de mano o portatiles, ordenadores plegables en red, ordenadores plegables, libros inteligentes, tabletas, impresoras, copiadoras, escaneres, dispositivos de facsimil, receptores / navegadores del GPS, camaras, reproductores de MP3, videocamaras, consolas de juegos, relojes de pulsera, relojes, calculadoras, monitores de television, pantallas planas, dispositivos electronicos de lectura (por ejemplo, lectores electronicos), monitores de ordenador, pantallas automaticas (incluidos los indicadores del odometro y del velocimetro, etc.), pantallas y/o controles de cabina, pantallas de visualizacion de camara (como la visualizacion de una camara de vision trasera en un vehiculo), fotografias electronicas, carteleras o carteles electronicos, proyectores, estructuras arquitectonicas, microondas, frigorificos, sistemas estereo, grabadoras o reproductores de casete, reproductores de DVD, reproductores de CD, VCR, radios, chips de memoria portatiles, lavadoras, secadoras, lavadoras / secadoras, parquimetros, embalaje (como en sistemas electromecanicos (EMS), sistemas micro-electromecanicos (MEMS) y aplicaciones no de MEMS), estructuras esteticas (por ejemplo, visualizacion de imagenes en una pieza de joyeria) y varios dispositivos de EMS. Las ensenanzas en el presente documento tambien se pueden usar en aplicaciones sin visualizacion tales como, pero sin limitarse a, dispositivos de conmutacion electronica, filtros de radiofrecuencia, sensores, acelerometros, giroscopios, dispositivos de deteccion de movimiento, magnetometros, componentes inerciales para electronica de consumo, piezas de productos electronicos de consumo, varactores, dispositivos de cristal liquido, dispositivos electroforeticos, sistemas de activacion, procesos de fabricacion y equipos electronicos de pruebas. Por lo tanto, las ensenanzas no estan concebidas para limitarse a las implementaciones representadas unicamente en las figuras, sino que tienen, en cambio, amplia aplicabilidad, como resultara inmediatamente evidente para alguien que tenga conocimientos corrientes en la tecnica.

[0018] Algunas implementaciones descritas en este documento se refieren a elementos de micro-altavoces electromecanicos. En algunas implementaciones, un elemento de micro-altavoz incluye una cavidad de altavoz dispuesta entre un sustrato y una membrana dielectrica deformable. La membrana dielectrica deformable puede incluir una capa dielectrica y uno o mas piezo-activadores. Cada piezo-activador puede incluir al menos una capa

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piezo-electrica y electrodos a los que se puede aplicar una senal de accionamiento. La senal de accionamiento puede curvar la capa piezo-electrica, que curva la capa dielectrica, produciendo sonido por tanto.

[0019] Algunas implementaciones descritas en la presente memoria se refieren a micro-altavoces encapsulados en vidrio. En algunas implementaciones, un micro-altavoz encapsulado en vidrio incluye un sustrato de vidrio, una formacion de elementos de micro-altavoces electromecanicos dispuestos sobre el sustrato de vidrio y un vidrio de cobertura. El vidrio de cobertura se puede pegar al sustrato de vidrio con un adhesivo, tal como epoxi, vidrio fritado o un anillo de union de metal. El vidrio de cobertura puede incluir un hueco que forma una cavidad cuando el vidrio de cobertura se pega a la superficie del sustrato de vidrio. El vidrio de cobertura tambien puede incluir una rejilla de altavoz dispuesta sobre la formacion de elementos de micro-altavoz, para permitir que se emitan ondas de sonido desde la formacion de elementos de micro-altavoz.

[0020] Pueden implementarse implementaciones particulares del asunto descrito en esta divulgacion para realizar una o mas de las siguientes posibles ventajas. En algunas implementaciones, se proporcionan micro-altavoces de bajo costo, tamano pequeno, bajo perfil y bajo consumo de energia. Ademas, los micro-altavoces que se fabrican en sustratos de vidrio pueden ser compatibles con pantallas y otros dispositivos que tambien se fabrican en sustratos de vidrio, ya que los micro-altavoces se pueden fabricar conjuntamente con otros dispositivos o bien se pueden unir como un dispositivo independiente, teniendo la combinacion propiedades de expansion termica bien adaptadas. Los materiales empleados pueden dar lugar a un alto presupuesto termico que permite la soldadura por reflujo o por onda para unir el dispositivo a una placa de circuitos impresos.

[0021] La tapa de vidrio y el sustrato de vidrio de un micro-altavoz acoplado pueden combinarse bien termicamente. Uno o mas puertos acusticos en la parte superior, los lados o la parte inferior brindan flexibilidad cuando se monta el sensor, tal como cuando se monta en un telefono movil para que sirva como altavoz, o en una formacion de altavoces. Las vias de cristal translucido en algunas implementaciones permiten la conexion directa del micro-altavoz a un circuito impreso o tablero de cableado. En algunas implementaciones, un conector flexible se puede conectar al micro-altavoz, lo que permite la conexion electrica a una PCB, permitiendo a la vez que el micro- altavoz se coloque cerca de una pared o cara exterior de un envase, tal como una carcasa de telefono movil.

[0022] Un ejemplo de un dispositivo de EMS o MEMS adecuado, al que pueden aplicarse las implementaciones descritas, es un dispositivo de visualizacion reflectante. Los dispositivos de visualizacion reflectantes pueden incorporar moduladores interferometricos (IMOD) para absorber y/o reflejar selectivamente la luz que incide sobre ellos utilizando principios de interferencia optica. Los IMOD pueden incluir un absorbedor, un reflector que es movible con respecto al absorbedor, y una cavidad resonante optica definida entre el absorbedor y el reflector. El reflector se puede desplazar a dos o mas posiciones diferentes, lo que puede cambiar el tamano de la cavidad resonante optica y, por lo tanto, afectar la reflectancia del IMOD. Los espectros de reflectancia de los IMOD pueden crear bandas espectrales bastante amplias que se pueden desplazar entre las longitudes de onda visibles para generar diferentes colores. La posicion de la banda espectral se puede ajustar cambiando el grosor de la cavidad resonante optica. Una forma de cambiar la cavidad resonante optica es cambiando la posicion del reflector.

[0023] La figura 1 muestra un ejemplo de una vista isometrica que representa dos pixeles adyacentes en una serie de pixeles de un dispositivo visualizador modulador interferometrico (IMOD). El dispositivo visualizador IMOD incluye uno o mas elementos de visualizacion de MEMS interferometricos. En estos dispositivos, los pixeles de los elementos de visualizacion de MEMS pueden estar en un estado brillante u oscuro. En el estado brillante ("relajado", "abierto" o "encendido"), el elemento de visualizacion refleja una gran parte de la luz visible incidente, por ejemplo, para un usuario. Por el contrario, en el estado oscuro ("activado", "cerrado" o "apagado"), el elemento de visualizacion refleja poca luz visible incidente. En algunas implementaciones, las propiedades de reflectancia luminica de los estados encendido y apagado pueden invertirse. Los pixeles de MEMS pueden configurarse para reflejar predominantemente a determinadas longitudes de onda, lo cual permite una visualizacion en color ademas del blanco y negro.

[0024] El dispositivo de visualizacion de IMOD puede incluir una formacion de filas / columnas de los IMOD. Cada IMOD puede incluir un par de capas reflectantes, es decir, una capa reflectante movil y una capa reflectante parcialmente fija, situadas a una distancia variable y controlable entre si para formar una brecha aerea (tambien denominada brecha o cavidad optica). La capa reflectante movil puede desplazarse entre al menos dos posiciones. En una primera posicion, es decir, una posicion relajada, la capa reflectante movil puede colocarse a una distancia relativamente grande de la capa fija parcialmente reflectante. En una segunda posicion, es decir, una posicion activada, la capa reflectante movil puede colocarse mas cerca de la capa parcialmente reflectante. La luz incidente que se refleja desde las dos capas puede interferir de manera constructiva o destructiva, segun la posicion de la capa reflectante movil, produciendo un estado global reflectante o no reflectante para cada pixel. En algunas implementaciones, el IMOD puede estar en un estado reflectante cuando no esta activado, reflejando la luz dentro del espectro visible, y puede estar en un estado oscuro cuando no esta activado, reflejando luz fuera de la gama visible (por ejemplo, luz infrarroja). En algunas otras implementaciones, sin embargo, un IMOD puede estar en un estado oscuro cuando no esta activado, y en un estado reflectante cuando esta activado. En algunas implementaciones, la introduccion de un voltaje aplicado puede hacer que los pixeles cambien de estado. En algunas otras implementaciones, una carga aplicada puede hacer que los pixeles cambien de estado.

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[0025] La parte representada de la formacion de pixeles en la figura 1 incluye dos IMOD 12 adyacentes. En el IMOD 12 a la izquierda (como se ilustra), se ilustra una capa reflectante movil 14 en una posicion relajada a una distancia predeterminada desde una pila optica 16, que incluye una capa parcialmente reflectante. El voltaje V0 aplicado a traves del IMOD 12 a la izquierda es insuficiente para provocar la activacion de la capa reflectante movil 14. En el IMOD 12 a la derecha, la capa reflectante movil 14 se ilustra en una posicion activada cercana o adyacente a la pila optica 16. El voltaje Vsesgo aplicado a traves del IMOD 12 a la derecha es suficiente para mantener la capa reflectante movil 14 en la posicion activada.

[0026] En la figura 1, las propiedades reflectantes de los pixeles 12 se ilustran en general con flechas 13 que indican luz incidente sobre los pixeles 12 y luz 15 que se refleja desde el pixel 12 a la izquierda. Aunque no se ilustra en detalle, alguien medianamente experto en la tecnica entendera que la mayor parte de la luz 13 incidente sobre los pixeles 12 sera transmitida a traves del sustrato transparente 20, hacia la pila optica 16. Una parte de la luz incidente sobre la pila optica 16 sera transmitida a traves de la capa parcialmente reflectante de la pila optica 16, y una parte sera reflejada de nuevo a traves del sustrato transparente 20. La parte de luz 13 que se transmite a traves de la pila optica 16 se reflejara en la capa reflectante movil 14, de nuevo hacia (y a traves de) el sustrato transparente 20. La interferencia (constructiva o destructiva) entre la luz reflejada desde la capa parcialmente reflectante de la pila optica 16 y la luz reflejada desde la capa reflectante movil 14 determinara la(s) longitud(es) de onda de la luz 15 reflejada desde el pixel 12.

[0027] La pila optica 16 puede incluir una sola capa o varias capas. La(s) capa(s) puede(n) incluir una o mas entre una capa de electrodos, una capa parcialmente reflectante y parcialmente transmisora y una capa dielectrica transparente. En algunas implementaciones, la pila optica 16 es electricamente conductora, parcialmente transparente y parcialmente reflectante, y puede fabricarse, por ejemplo, depositando una o mas de las capas anteriores sobre un sustrato transparente 20. La capa de electrodos puede estar formada por varios materiales, tales como diversos metales, por ejemplo, oxido de indio y estano (ITO). La capa parcialmente reflectante puede estar formada por varios materiales que son parcialmente reflectantes, tales como diversos metales, tales el cromo (Cr), semiconductores y dielectricos. La capa parcialmente reflectante puede estar formada por una o mas capas de materiales, y cada una de las capas puede estar formada por un solo material o una combinacion de materiales. En algunas implementaciones, la pila optica 16 puede incluir un unico espesor semitransparente de metal o semiconductor que sirve como absorbente optico y como conductor, mientras que diferentes capas o partes mas conductoras (por ejemplo, de la pila optica 16 o de otras estructuras del IMOD) pueden servir para transmitir por bus senales entre pixeles de IMOD. La pila optica 16 tambien puede incluir una o mas capas aislantes o dielectricas que cubren una o mas capas conductoras o una capa conductora / absorbente.

[0028] En algunas implementaciones, la(s) capa(s) de la pila optica (16) puede(n) ser modelada(s) en tiras paralelas y puede(n) formar electrodos de fila en un dispositivo de visualizacion, como se describe mas adelante. Como entendera alguien que tenga experiencia en la tecnica, el termino "estampado" se usa en el presente documento para referirse a procesos de enmascaramiento, asi como de grabado. En algunas implementaciones, se puede usar un material sumamente conductor y reflectante, tal como el aluminio (Al), para la capa reflectante movil 14, y estas tiras pueden formar electrodos de columna en un dispositivo de visualizacion. La capa reflectante movil 14 puede estar formada como una serie de tiras paralelas de una capa o capas metalicas depositadas (ortogonales a los electrodos de fila de la pila optica 16) para formar columnas depositadas sobre los postes 18 y un material protector intermedio depositado entre los postes 18. Cuando el material protector es eliminado por raspado, puede formarse una brecha definida 19, o cavidad optica, entre la capa reflectante movil 14 y la pila optica 16. En algunas implementaciones, la separacion entre postes 18 puede estar aproximadamente entre 1 y 1.000 pm, mientras que la brecha 19 puede ser aproximadamente inferior a 10.000 Angstroms (A).

[0029] En algunas implementaciones, cada pixel del IMOD, ya sea en el estado activado o relajado, es esencialmente un condensador formado por las capas reflectantes fijas y moviles. Cuando no se aplica ningun voltaje, la capa reflectante movil 14 permanece en un estado mecanicamente relajado, como se ilustra mediante el pixel 12 a la izquierda en la figura 1, con la brecha 19 entre la capa reflectante movil 14 y la pila optica 16. Sin embargo, cuando se aplica una diferencia de potencial, por ejemplo, un voltaje, a al menos una entre una fila y una columna seleccionadas, el condensador formado en la interseccion de los electrodos de fila y columna en el pixel correspondiente se carga y las fuerzas electrostaticas atraen los electrodos entre si. Si el voltaje aplicado supera un umbral, la capa reflectante movil 14 puede deformarse y desplazarse cerca de, o contra, la pila optica 16. Una capa dielectrica (no mostrada) dentro de la pila optica 16 puede evitar el cortocircuito y controlar la distancia de separacion entre las capas 14 y 16, como se ilustra mediante el pixel 12 activado a la derecha en la figura 1. El comportamiento es el mismo independientemente de la polaridad de la diferencia de potencial aplicada. Aunque una serie de pixeles en una formacion se puede denominar en algunos casos "filas" o "columnas", una persona con conocimientos medios en la tecnica comprendera inmediatamente que referirse a una direccion como una "fila" y a otra como una "columna" es arbitrario. Dicho de otro modo, en algunas orientaciones, las filas pueden considerarse columnas, y las columnas considerarse filas. Ademas, los elementos de visualizacion pueden estar dispuestos uniformemente en filas y columnas ortogonales (una "formacion"), o dispuestos en configuraciones no lineales, por ejemplo, con ciertos desplazamientos de posicion de uno con respecto al otro (un "mosaico"). Los terminos "formacion" y "mosaico" pueden referirse a cualquiera de las dos configuraciones. Por lo tanto, a pesar de que se

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hace referenda al visor como que incluye una "formacion" o un "mosaico", los elementos mismos no necesitan estar dispuestos ortogonalmente entre sf, o dispuestos en una distribucion uniforme, en cualquier caso, pero pueden incluir disposiciones que tengan formas asimetricas y elementos distribuidos no uniformemente.

[0030] La figura 2 muestra un ejemplo de un diagrama de bloques de sistema que ilustra un dispositivo electronico que incorpora una pantalla de IMOD de dimension 3x3. El dispositivo electronico incluye un procesador 21 que puede estar configurado para ejecutar uno o mas modulos de software. Ademas de ejecutar un sistema operativo, el procesador 21 puede estar configurado para ejecutar una o mas aplicaciones de software, incluyendo un navegador de la Red, una aplicacion telefonica, un programa de correo electronico o cualquier otra aplicacion de software.

[0031] El procesador 21 puede configurarse para comunicarse con un controlador de formacion 22. El controlador de formacion 22 puede incluir un circuito controlador de filas 24 y un circuito controlador de columnas 26 que proporcionan senales, por ejemplo, a una formacion o panel de visualizacion 30. La seccion transversal del dispositivo de visualizacion de iMOD ilustrado en la figura 1 se muestra mediante las lfneas 1-1 en la figura 2. Aunque la figura 2 ilustra una formacion de dimension 3x3 de los IMOD por razones de claridad, la formacion de visualizacion 30 puede contener un numero muy grande de los IMOD y puede tener un numero diferente de los IMOD en las filas que en las columnas, y viceversa.

[0032] La figura 3 muestra un ejemplo de un diagrama que ilustra la posicion de la capa reflectante movil con respecto al voltaje aplicado para el IMOD de la figura 1. Para los IMOD de MEMS, el procedimiento de escritura de fila / columna (es decir, comun / segmento) puede aprovechar una propiedad de histeresis de estos dispositivos, como se ilustra en la figura 3. Un IMOD puede utilizar, por ejemplo, una diferencia de potencial de alrededor de 10 voltios para hacer que la capa reflectante movil, o espejo, cambie desde el estado relajado al estado activado. Cuando el voltaje se reduce desde ese valor, la capa reflectante movil mantiene su estado cuando el voltaje cae por debajo, por ejemplo, de 10 voltios; sin embargo, la capa reflectante movil no se relaja completamente hasta que el voltaje cae por debajo de 2 voltios. Por lo tanto, existe un intervalo de voltaje, aproximadamente de 3 a 7 voltios, como se muestra en la figura 3, donde existe una ventana de voltaje aplicado dentro de la cual el dispositivo es estable, ya sea en el estado relajado o activado. Esto se denomina en el presente documento la "ventana de histeresis" o "ventana de estabilidad". Para una formacion de visualizacion 30 que tiene las caracterfsticas de histeresis de la figura 3, el procedimiento de escritura de fila / columna puede disenarse para abordar una o mas filas a la vez, de tal manera que durante el abordaje de una fila dada, los pfxeles en la fila abordada que tienen que activarse estan expuestos a una diferencia de voltaje de aproximadamente 10 voltios, y los pfxeles que se han de relajar estan expuestos a una diferencia de voltaje de casi cero voltios. Despues del abordaje, los pfxeles estan expuestos a un estado estable o a una diferencia de voltaje de sesgo de aproximadamente 5 voltios, de tal manera que permanezcan en el estado de estroboscopfa anterior. En este ejemplo, despues de ser abordado, cada pfxel ve una diferencia de potencial dentro de la "ventana de estabilidad" de aproximadamente entre 3 y 7 voltios. Esta caracterfstica de propiedad de histeresis permite que el diseno de pfxeles, por ejemplo, ilustrado en la figura 1, permanezca estable, en un estado preexistente, bien activado o bien relajado, en las mismas condiciones de voltaje aplicado. Puesto que cada pfxel de IMOD, ya sea en el estado activado o relajado, es esencialmente un condensador formado por las capas reflectantes fijas y moviles, este estado estable puede mantenerse a un voltaje constante dentro de la ventana de histeresis, esencialmente sin consumir o perder potencia. Ademas, esencialmente poca, o ninguna, corriente fluye hacia el pfxel de IMOD si el potencial de voltaje aplicado permanece esencialmente fijo.

[0033] En algunas implementaciones, se puede crear una trama de una imagen aplicando senales de datos en forma de voltajes de "segmento" a lo largo del conjunto de electrodos de columna, de acuerdo al cambio deseado (si lo hay) para el estado de los pfxeles en una fila dada. Cada fila de la formacion se puede abordar a su vez, de modo que la trama se escriba una fila por vez. Para escribir los datos deseados en los pfxeles de una primera fila, pueden aplicarse voltajes de segmento correspondientes al estado deseado de los pfxeles en la primera fila, sobre los electrodos de columna, y un pulso de primera fila en forma de un voltaje o senal "comun" se puede aplicar al primer electrodo de fila. El conjunto de voltajes de segmento se puede entonces cambiar para corresponder al cambio deseado (si lo hay) en el estado de los pfxeles en la segunda fila, y se puede aplicar un segundo voltaje comun al segundo electrodo de fila. En algunas implementaciones, los pfxeles en la primera fila no se ven afectados por el cambio en los voltajes de segmento aplicados a lo largo de los electrodos de columna y permanecen en el estado en el que fueron fijados durante el primer pulso de fila de voltaje comun. Este proceso puede repetirse para toda la serie de filas o, de forma alternativa, de columnas, de manera secuencial para producir la trama de imagen. Las tramas se pueden refrescar y/o actualizar con nuevos datos de imagen repitiendo continuamente este proceso a algun numero deseado de tramas por segundo.

[0034] La combinacion de senales de segmento y comunes aplicadas a traves de cada pfxel (es decir, la diferencia de potencial a traves de cada pfxel) determina el estado resultante de cada pfxel. La figura 4 muestra un ejemplo de una tabla que ilustra varios estados de un IMOD cuando se aplican varios voltajes comunes y de segmento. Como entendera inmediatamente alguien medianamente experto en la tecnica, los voltajes de "segmento" se pueden aplicar a los electrodos de columna o a los electrodos de fila, y los voltajes "comunes" se pueden aplicar al otro entre los electrodos de columna y los electrodos de fila.

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[0035] Como se ilustra en la figura 4 (asi como en el diagrama de temporizacion mostrado en la figura 5B), cuando se aplique un voltaje de liberacion VCrel a lo largo de una linea comun, todos los elementos de IMOD a lo largo de la linea comun se pondran en un estado relajado, alternativamente denominado estado liberado o no activado, independientemente del voltaje aplicado a lo largo de las lineas de segmento, es decir, voltaje de segmento alto VSh y voltaje de segmento bajo vSl. En particular, cuando el voltaje de liberacion VCrel se aplica a lo largo de una linea comun, el voltaje de potencial a traves del modulador (de forma alternativa, denominado voltaje de pixel) esta dentro de la ventana de relajacion (vease la figura 3, tambien denominada ventana de liberacion), cuando tanto el voltaje de segmento alto VSh como el voltaje de segmento bajo VSl se aplican a lo largo de la correspondiente linea de segmento para ese pixel.

[0036] Cuando se aplica un voltaje de retencion en una linea comun, tal como un voltaje de retencion alto VCretencion_h o un voltaje de retencion bajo VCretencion_l, el estado del IMOD se mantendra constante. Por ejemplo, un IMOD relajado permanecera en una posicion relajada, y un IMOD activado permanecera en una posicion activada. Los voltajes de retencion pueden seleccionarse de tal manera que el voltaje de pixel permanezca dentro de una ventana de estabilidad, cuando tanto el voltaje de segmento alto VSh como el voltaje de segmento bajo VSl se apliquen a lo largo de la linea de segmento correspondiente. Por lo tanto, la oscilacion del voltaje del segmento, es decir, la diferencia entre el voltaje de segmento alto VSh y el voltaje de segmento bajo VSl, es menor que la anchura de la ventana de estabilidad, ya sea la positiva o la negativa.

[0037] Cuando se aplica un voltaje de abordaje o activacion sobre una linea comun, tal como un voltaje de abordaje alto VCadd_h o un voltaje de abordaje bajo VCadd_l, los datos pueden escribirse selectivamente en los moduladores a lo largo de esa linea mediante la aplicacion de voltajes de segmento a lo largo de las lineas de segmento respectivas. Los voltajes de segmento pueden seleccionarse de tal manera que la activacion dependa del voltaje de segmento aplicado. Cuando se aplica un voltaje de abordaje a lo largo de una linea comun, la aplicacion de un voltaje de segmento dara lugar a un voltaje de pixel dentro de una ventana de estabilidad, haciendo que el pixel permanezca sin activar. Por el contrario, la aplicacion del otro voltaje de segmento dara lugar a un voltaje de pixel mas alla de la ventana de estabilidad, dando como resultado la activacion del pixel. El voltaje particular de segmento que provoca la activacion puede variar segun que voltaje de abordaje se use. En algunas implementaciones, cuando el voltaje de abordaje alto VCadd_h se aplica a lo largo de la linea comun, la aplicacion del voltaje de segmento alto VSh puede hacer que un modulador permanezca en su posicion actual, mientras que la aplicacion del voltaje de segmento bajo VSl puede causar la activacion del modulador. Como un corolario, el efecto de los voltajes de segmento puede ser el opuesto cuando se aplica un voltaje de abordaje bajo VCadd_l, provocando un voltaje de segmento alto VSh la activacion del modulador, y no teniendo el voltaje de segmento bajo VSl ningun efecto (es decir, permaneciendo estable) en el estado del modulador.

[0038] En algunas implementaciones se pueden usar voltajes de retencion, voltajes de abordaje y voltajes de segmento que producen la misma diferencia de potencial de polaridad a traves de los moduladores. En algunas otras implementaciones, se pueden usar senales que alternan la polaridad de la diferencia de potencial de los moduladores. La alternancia de la polaridad a traves de los moduladores (es decir, la alternancia de la polaridad de los procedimientos de escritura) puede reducir o inhibir la acumulacion de carga que podria ocurrir despues de operaciones de escritura repetidas de una sola polaridad.

[0039] La figura 5A muestra un ejemplo de un diagrama que ilustra una trama de datos de visualizacion en la pantalla de IMOD de dimension 3x3 de la figura 2. La figura 5B muestra un ejemplo de un diagrama de temporizacion para las senales comunes y de segmento que pueden usarse para escribir la trama de datos de visualizacion ilustrados en la figura 5A. Las senales pueden aplicarse, por ejemplo, a la formacion de dimension 3x3 de la figura 2, lo cual, en ultima instancia, dara como resultado la disposicion de pantalla del tiempo de linea 60e, ilustrada en la figura 5A. Los moduladores activados en la figura 5A estan en un estado oscuro, es decir, donde una parte sustancial de la luz reflejada esta fuera del espectro visible para dar como resultado un aspecto oscuro, por ejemplo, para un espectador. Antes de escribir la trama ilustrada en la figura 5A, los pixeles pueden estar en cualquier estado, pero el procedimiento de escritura ilustrado en el diagrama de temporizacion de la figura 5B supone que cada modulador se ha liberado y reside en un estado no activado antes del primer tiempo de linea 60a.

[0040] Durante el primer tiempo de linea 60a, se aplica un voltaje de liberacion 70 en la linea comun 1; el voltaje aplicado en la linea comun 2 comienza con un voltaje de retencion alto 72 y pasa a un voltaje de liberacion 70; y se aplica un voltaje de retencion bajo 76 a lo largo de la linea comun 3. Por lo tanto, los moduladores (comun 1, segmento 1), (1, 2) y (1, 3) a lo largo de la linea comun 1 permanecen en un estado relajado, o no activado, durante el primer tiempo de linea 60a, los moduladores (2, 1), (2, 2) y (2, 3) a lo largo de la linea comun 2 se desplazaran a un estado relajado, y los moduladores (3, 1), (3, 2) y (3, 3) a lo largo de la linea comun 3 permaneceran en su estado anterior. Con referencia a la figura 4, los voltajes de segmento aplicados a lo largo de las lineas de segmento 1, 2 y 3 no tendran ningun efecto sobre el estado de los IMOD, ya que ninguna de las lineas comunes 1, 2 o 3 estan exponiendose a niveles de voltaje que causen la activacion durante el tiempo de linea 60a (es decir, VCrel - relajacion y VCretencion_l - estable).

[0041] Durante el segundo tiempo de linea 60b, el voltaje en la linea comun 1 pasa a un voltaje de retencion alto 72 y todos los moduladores a lo largo de la linea comun 1 permanecen en un estado relajado independientemente

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del voltaje de segmento aplicado, porque no se aplico ningun voltaje de abordaje o activacion a la linea comun 1. Los moduladores a lo largo de la linea comun 2 permanecen en un estado relajado debido a la aplicacion del voltaje de liberacion 70 y los moduladores (3, 1), (3, 2) y (3, 3) a lo largo de la linea comun 3 se relajaran cuando el voltaje a lo largo de la linea comun 3 se desplace a un voltaje de liberacion 70.

[0042] Durante el tercer tiempo de linea 60c, la linea comun 1 se aborda aplicando un voltaje de direccionamiento alto 74 en la linea comun 1. Debido a que se aplica un voltaje de segmento bajo 64 a lo largo de las lineas de segmento 1 y 2 durante la aplicacion de esta voltaje de abordaje, el voltaje de pixel entre los moduladores (1, 1) y (1, 2) es mayor que el extremo superior de la ventana de estabilidad positiva (es decir, el diferencial de voltaje supero un umbral predefinido) de los moduladores, y se activan los moduladores (1, 1) y (1,2). A la inversa, debido a que se aplica un voltaje de segmento alto 62 a lo largo de la linea de segmento 3, el voltaje de pixel a traves del modulador (1, 3) es menor que el de los moduladores (1, 1) y (1, 2) y permanece dentro de la ventana de estabilidad positiva del modulador; el modulador (1, 3) permanece por tanto relajado. Tambien durante el tiempo de linea 60c, el voltaje a lo largo de la linea comun 2 disminuye hasta un voltaje de retencion bajo 76, y el voltaje a lo largo de la linea comun 3 permanece a un voltaje de liberacion 70, dejando los moduladores a lo largo de las lineas comunes 2 y 3 en una posicion relajada.

[0043] Durante el cuarto tiempo de linea 60d, el voltaje en la linea comun 1 vuelve a un voltaje de retencion alto 72, dejando los moduladores a lo largo de la linea comun 1 en sus respectivos estados abordados. El voltaje en la linea comun 2 se reduce a un voltaje de abordaje bajo 78. Debido a que se aplica un voltaje de segmento alto 62 a lo largo de la linea de segmento 2, el voltaje de pixel a traves del modulador (2, 2) esta por debajo del extremo inferior de la ventana de estabilidad negativa del modulador, haciendo que el modulador (2, 2) actue. A la inversa, debido a que se aplica una voltaje de segmento bajo 64 a lo largo de las lineas de segmento 1 y 3, los moduladores (2, 1) y (2, 3) permanecen en una posicion relajada. El voltaje en la linea comun 3 aumenta hasta un voltaje de retencion alto 72, dejando los moduladores a lo largo de la linea comun 3 en un estado relajado.

[0044] Finalmente, durante el tiempo de la quinta linea 60e, el voltaje en la linea comun 1 permanece en el voltaje de retencion alto 72 y el voltaje en la linea comun 2 permanece en un voltaje de retencion bajo 76, dejando los moduladores a lo largo de las lineas comunes 1 y 2 en sus respectivos estados abordados. El voltaje en la linea comun 3 aumenta hasta un voltaje de abordaje alto 74 para abordar los moduladores a lo largo de la linea comun 3. A medida que se aplica una voltaje de segmento bajo 64 en las lineas de segmento 2 y 3, los moduladores (3, 2) y (3, 3) actuan, mientras que el voltaje de segmento alto 62 aplicado a lo largo de la linea de segmento 1 hace que el modulador (3, 1) permanezca en una posicion relajada. Por lo tanto, al final de la quinta linea de tiempo 60e, la matriz de pixeles de dimension 3x3 esta en el estado mostrado en la figura 5A, y permanecera en ese estado mientras los voltajes de retencion se apliquen a lo largo de las lineas comunes, independientemente de las variaciones en el voltaje de segmento que pueden ocurrir cuando estan siendo abordados moduladores a lo largo de otras lineas comunes (no mostradas).

[0045] En el diagrama de temporizacion de la figura 5B, un procedimiento de escritura dado (es decir, tiempos de linea 60a a 60e) puede incluir el uso de voltajes altos de retencion y abordaje, o voltajes bajos de retencion y abordaje. Una vez que el procedimiento de escritura se haya completado para una linea comun dada (y el voltaje comun se fije en el voltaje de retencion que tenga la misma polaridad que el voltaje de activacion), el voltaje de pixel permanece dentro de una ventana de estabilidad dada y no atraviesa la ventana de relajacion hasta que se aplique un voltaje de liberacion en esa linea comun. Ademas, dado que cada modulador se libera como parte del procedimiento de escritura antes de abordar el modulador, el tiempo de activacion de un modulador, en lugar del tiempo de liberacion, puede determinar el tiempo de linea necesario. Especificamente, en implementaciones en las que el tiempo de liberacion de un modulador es mayor que el tiempo de activacion, el voltaje de liberacion puede aplicarse durante mas tiempo que un tiempo de linea unica, como se representa en la figura 5B. En algunas otras implementaciones, los voltajes aplicados a lo largo de lineas comunes o lineas de segmento pueden variar para tener en cuenta variaciones en los voltajes de activacion y de liberacion de diferentes moduladores, tales como moduladores de diferentes colores.

[0046] Los detalles de la estructura de los IMOD que funcionan de acuerdo a los principios expuestos anteriormente pueden variar ampliamente. Por ejemplo, las figuras 6A a 6E muestran ejemplos de secciones transversales de diversas implementaciones de los IMOD, incluyendo la capa reflectante movil 14 y sus estructuras de soporte. La figura 6A muestra un ejemplo de una seccion transversal parcial de la pantalla del IMOD de la figura 1, en la que una tira de material metalico, es decir, la capa reflectante movil 14, se deposita sobre soportes 18 que se extienden ortogonalmente desde el sustrato 20. En la figura 6B, la capa reflectante movil 14 de cada IMOD tiene una forma generalmente cuadrada o rectangular y esta unida a soportes en o cerca de las esquinas, en las bridas 32. En la figura 6C, la capa reflectante movil 14 es generalmente de forma cuadrada o rectangular, y esta suspendida de una capa deformable 34, que puede incluir un metal flexible. La capa deformable 34 puede conectarse, directa o indirectamente, al sustrato 20 alrededor del perimetro de la capa reflectante movil 14. Estas conexiones se denominan en el presente documento postes de soporte. La implementacion mostrada en la figura 6C tiene beneficios adicionales obtenidos del desacoplamiento de las funciones opticas de la capa reflectante movil 14 de sus funciones mecanicas, que son llevadas a cabo por la capa deformable 34. Este desacoplamiento permite que el diseno estructural y los materiales utilizados para la capa reflectante 14, y los utilizados para la capa deformable

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34, se optimicen independientemente entre si.

[0047] La figura 6D muestra otro ejemplo de un IMOD, en el que la capa reflectante movil 14 incluye una sub-capa reflectante 14a. La capa reflectante movil 14 reposa sobre una estructura de soporte, tal como los postes de soporte 18. Los postes de soporte 18 proporcionan separacion de la capa reflectante movil 14 del electrodo fijo inferior (es decir, parte de la pila optica 16 en el IMOD ilustrado), de manera que se forme una brecha 19 entre la capa reflectante movil 14 y la pila optica 16, por ejemplo cuando la capa reflectante movil 14 este en una posicion relajada. La capa reflectante movil 14 tambien puede incluir una capa conductora 14c, que puede configurarse para servir como electrodo, y una capa de soporte 14b. En este ejemplo, la capa conductora 14c esta dispuesta en un lado de la capa de soporte 14b, distal del sustrato 20, y la sub-capa reflectante 14a esta dispuesta en el otro lado de la capa de soporte 14b, proximal al sustrato 20. En algunas implementaciones, la sub-capa reflectante 14a puede ser conductora y puede estar dispuesta entre la capa de soporte 14b y la pila optica 16. La capa de soporte 14b puede incluir una o mas capas de un material dielectrico, por ejemplo, oxinitruro de silicio (SiON) o dioxido de silicio (SiO2). En algunas implementaciones, la capa de soporte 14b puede ser una pila de capas, tal como, por ejemplo, una pila de tres capas de SiO2/SiON/SiO2. Una cualquiera, o ambas, entre la sub-capa reflectante 14a y la capa conductora 14c, pueden incluir, por ejemplo, una aleacion de aluminio (Al) con aproximadamente un 0,5% de cobre (Cu) u otro material metalico reflectante. El empleo de capas conductoras 14a, 14c por encima y por debajo de la capa de soporte dielectrico 14b puede equilibrar las tensiones y proporcionar una conduccion mejorada. En algunas implementaciones, la sub-capa reflectante 14a y la capa conductora 14c pueden estar formadas de materiales diferentes para varios fines de diseno, tales como conseguir perfiles de tension especificos dentro de la capa reflectante movil 14.

[0048] Como se ilustra en la figura 6D, algunas implementaciones tambien pueden incluir una estructura de mascara negra 23. La estructura de mascara negra 23 puede formarse en regiones opticamente inactivas (por ejemplo, entre pixeles o debajo de postes 18) para absorber la luz ambiente o dispersa. La estructura de mascara negra 23 tambien puede mejorar las propiedades opticas de un dispositivo de visualizacion al impedir que la luz sea reflejada desde, o transmitida a traves de, partes inactivas de la pantalla, aumentando de ese modo la relacion de contraste. Ademas, la estructura de mascara negra 23 puede ser conductora y estar configurada para funcionar como una capa de transporte electrico. En algunas implementaciones, los electrodos de fila pueden conectarse a la estructura de mascara negra 23 para reducir la resistencia del electrodo de fila conectado. La estructura de mascara negra 23 se puede formar usando varios procedimientos, incluyendo tecnicas de deposicion y modelado. La estructura de mascara negra 23 puede incluir una o mas capas. Por ejemplo, en algunas implementaciones, la estructura de mascara negra 23 incluye una capa de molibdeno-cromo (MoCr) que sirve como absorbente optico, una capa de SiO2 y una aleacion de aluminio que sirve como reflectante y una capa de transporte, con un espesor en el intervalo entre aproximadamente 30 a 80 A, 500 a 1000 A y 500 a 6000 A, respectivamente. Las una o mas capas pueden ser modeladas usando varias tecnicas, incluyendo la fotolitografia y el grabado en seco, incluyendo, por ejemplo, tetrafluoruro de carbono (CF4) y/u oxigeno (O2) para las capas de MoCr y SiO2 y cloro (Cl2) y/o tricloruro de boro (BCl3) para la capa de aleacion de aluminio. En algunas implementaciones, la mascara negra 23 puede ser una estructura de pila interferometrica o etalon. En dichas estructuras de mascara negra de pilas interferometricas 23, los absorbedores conductores se pueden utilizar para transmitir o conducir senales entre electrodos inferiores fijos en la pila optica 16 de cada fila o columna. En algunas implementaciones, una capa separadora 35 puede servir para aislar electricamente de forma general la capa absorbente 16a de las capas conductoras en la mascara negra 23.

[0049] La figura 6E muestra otro ejemplo de un IMOD, en el que la capa reflectante movil 14 es autoportante. A diferencia de la figura 6D, la implementacion de la figura 6E no incluye postes de soporte 18. En cambio, la capa reflectante movil 14 toma contacto con la pila optica subyacente 16 en multiples ubicaciones y la curvatura de la capa reflectante movil 14 proporciona suficiente soporte para que la capa reflectante movil 14 vuelva a la posicion no activada de la figura 6E cuando el voltaje a traves del IMOD es insuficiente para provocar la activacion. La pila optica 16, que puede contener una pluralidad de varias capas diferentes, se muestra aqui para mayor claridad como incluyente de un absorbedor optico 16a y un dielectrico 16b. En algunas implementaciones, el absorbedor optico 16a puede servir tanto como un electrodo fijo como una capa parcialmente reflectante.

[0050] En implementaciones tales como las mostradas en las figuras 6A a 6E, los IMOD funcionan como dispositivos de vista directa, en los que se ven imagenes desde el lado frontal del sustrato transparente 20, es decir, el lado opuesto al lado en el que esta dispuesto el modulador. En estas implementaciones, las partes traseras del dispositivo (es decir, cualquier parte del dispositivo de visualizacion detras de la capa reflectante movil 14, incluyendo, por ejemplo, la capa deformable 34 ilustrada en la figura 6C) se pueden configurar y accionar sin incidir o afectar negativamente en la calidad de imagen del dispositivo de visualizacion, porque la capa reflectante 14 protege opticamente esas partes del dispositivo. Por ejemplo, en algunas implementaciones puede incluirse una estructura de bus (no ilustrada) detras de la capa reflectante movil 14 que proporciona la capacidad de separar las propiedades opticas del modulador de las propiedades electromecanicas del modulador, tales como el abordaje de voltaje y los movimientos resultantes de dicho abordaje. Ademas, las implementaciones de las figuras 6A a 6E pueden simplificar el procesamiento, tal como el modelado.

[0051] La figura 7 muestra un ejemplo de un diagrama de flujo que ilustra un proceso de fabricacion 80 para un

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IMOD, y las figuras 8A a 8E muestran ejemplos de ilustraciones esquematicas en seccion transversal de etapas correspondientes de un proceso de fabricacion 80 de este tipo. En algunas implementaciones, el proceso de fabricacion 80 puede implementarse para fabricar, por ejemplo, los IMOD del tipo general ilustrado en las figuras 1 y 6, ademas de otros bloques no mostrados en la figura 7. Con referencia a las figuras 1, 6 y 7, el proceso 80 comienza en el bloque 82 con la formacion de la pila optica 16 sobre el sustrato 20. La figura 8a ilustra dicha pila optica 16 formada sobre el sustrato 20. El sustrato 20 puede ser un sustrato transparente tal como vidrio o plastico, puede ser flexible o relativamente rigido e inflexible, y puede haber sido sometido a procesos previos de preparacion, por ejemplo, limpieza, para facilitar la formacion eficaz de la pila optica 16. Como se ha expuesto anteriormente, la pila optica 16 puede ser electricamente conductora, parcialmente transparente y parcialmente reflectante, y puede fabricarse, por ejemplo, depositando una o mas capas que tengan las propiedades deseadas sobre el sustrato transparente 20. En la figura 8A, la pila optica 16 incluye una estructura de multiples capas que tiene las sub-capas 16a y 16b, aunque se pueden incluir mas o menos sub-capas en algunas otras implementaciones. En algunas implementaciones, una de las sub-capas 16a, 16b puede configurarse con propiedades tanto opticamente absorbentes como conductoras, tal como la sub-capa combinada conductora / absorbente 16a. Adicionalmente, una o mas de las sub-capas 16a, 16b pueden ser modeladas en tiras paralelas, y pueden formar electrodos de fila en un dispositivo de visualizacion. Tal modelado puede realizarse mediante un proceso de enmascaramiento y grabado u otro proceso adecuado conocido en la tecnica. En algunas implementaciones, una de las sub-capas 16a, 16b puede ser una capa aislante o dielectrica, tal como la sub-capa 16b que se deposita sobre una o mas capas metalicas (por ejemplo, una o mas capas reflectantes y/o conductoras). Ademas, la pila optica 16 puede ser modelada en tiras individuales y paralelas que forman las filas de la pantalla.

[0052] El proceso 80 continua en el bloque 84 con la formacion de una capa protectora 25 sobre la pila optica 16. La capa protectora 25 se retira mas tarde (por ejemplo, en el bloque 90) para formar la cavidad 19 y por lo tanto la capa protectora 25 no se muestra en los IMOD 12 resultantes ilustrados en la figura 1. La figura 8B ilustra un dispositivo parcialmente fabricado que incluye una capa protectora 25 formada sobre la pila optica 16. La formacion de la capa protectora 25 sobre la pila optica 16 puede incluir la deposicion de un material grabable por difluoruro de xenon (XeF2), tal como el molibdeno (Mo) o el silicio amorfo (Si), en un espesor seleccionado para proporcionar, despues de la eliminacion subsiguiente, una brecha o cavidad 19 (veanse tambien las figuras 1 y 8E) con un tamano de diseno deseado. La deposicion del material protector se puede llevar a cabo usando tecnicas de deposicion tales como la deposicion fisica de vapor (PVD, por ejemplo, pulverizacion catodica), la deposicion quimica de vapor mejorada por plasma (PECVD), la deposicion quimica termica de vapor (CVD termica) o el revestimiento por centrifugacion.

[0053] El proceso 80 continua en el bloque 86 con la formacion de una estructura de soporte, por ejemplo, un poste 18 como se ilustra en las figuras 1, 6 y 8C. La formacion del poste 18 puede incluir el modelado de la capa protectora 25 para formar una abertura de estructura de soporte, depositando a continuacion un material (por ejemplo, un polimero o un material inorganico, por ejemplo, oxido de silicio) en la abertura para formar el poste 18, usando un procedimiento de deposicion tal como PVD, PECVD, CVD termica o revestimiento por centrifugacion. En algunas implementaciones, la abertura de la estructura de soporte formada en la capa protectora puede extenderse a traves tanto de la capa protectora 25 como de la pila optica 16 hasta el substrato subyacente 20, de manera que el extremo inferior del poste 18 tome contacto con el sustrato 20 como se ilustra en la figura 6A. De forma alternativa, como se representa en la figura 8C, la abertura formada en la capa protectora 25 puede extenderse a traves de la capa protectora 25, pero no a traves de la pila optica 16. Por ejemplo, la figura 8E ilustra los extremos inferiores de los postes de soporte 18 en contacto con una superficie superior de la pila optica 16. El poste 18, u otras estructuras de soporte, pueden formarse depositando una capa de material de estructura de soporte sobre la capa protectora 25 y modelando partes del material de estructura de soporte situadas lejos de aberturas en la capa protectora 25. Las estructuras de soporte pueden estar situadas dentro de las aberturas, como se ilustra en la figura 8C, pero tambien pueden extenderse, al menos parcialmente, sobre una parte de la capa protectora 25. Como se ha indicado anteriormente, el modelado de la capa protectora 25 y/o de los postes de soporte 18 puede llevarse a cabo mediante un proceso de modelado y grabado, pero tambien puede realizarse mediante procedimientos de grabado alternativos.

[0054] El proceso 80 continua en el bloque 88 con la formacion de una capa o membrana movil reflectante tal como la capa reflectante movil 14 ilustrada en las figuras 1, 6 y 8D. La capa reflectante movil 14 puede formarse empleando una o mas etapas de deposicion, por ejemplo, deposicion de capa reflectante (por ejemplo, aluminio, aleacion de aluminio), junto con una o mas etapas de modelado, enmascaramiento y/o grabado. La capa reflectante movil 14 puede ser electricamente conductora, y mencionada como una capa electricamente conductora. En algunas implementaciones, la capa reflectante movil 14 puede incluir una pluralidad de sub-capas 14a, 14b, 14c, como se muestra en la figura 8D. En algunas implementaciones, una o mas de las sub-capas, tales como las sub-capas 14a, 14c, pueden incluir sub-capas sumamente reflectantes seleccionadas por sus propiedades opticas, y otra sub-capa 14b puede incluir una sub-capa mecanica seleccionada para sus propiedades mecanicas. Puesto que la capa protectora 25 esta todavia presente en el IMOD parcialmente fabricado formado en el bloque 88, la capa reflectante movil 14 habitualmente no es movil en esta etapa. Un IMOD parcialmente fabricado que contiene una capa protectora 25 tambien se puede denominar en el presente documento un IMOD "no liberado". Como se ha descrito anteriormente en relacion con la figura 1, la capa reflectante movil 14 puede ser modelada en tiras individuales y paralelas que forman las columnas de la pantalla.

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[0055] El proceso 80 continua en el bloque 90 con la formacion de una cavidad, por ejemplo, la cavidad 19, como se ilustra en las figuras 1, 6 y 8E. La cavidad 19 puede formarse exponiendo el material protector 25 (depositado en el bloque 84) a un agente grabador. Por ejemplo, un material protector grabable tal como el Mo o el Si amorfo puede eliminarse mediante grabado quimico en seco, por ejemplo, exponiendo la capa protectora 25 a un agente grabador gaseoso o vaporoso, tal como vapores obtenidos del XeF2 solido durante un periodo de tiempo que es eficaz para eliminar la cantidad deseada de material, habitualmente separada selectivamente con respecto a las estructuras que rodean la cavidad 19. Tambien se pueden usar otros procedimientos de grabado, tales como el grabado humedo y/o el grabado en plasma. Dado que la capa protectora 25 se retira durante el bloque 90, la capa reflectante movil 14 es habitualmente movil despues de esta etapa. Despues de la eliminacion del material protector 25, el IMOD resultante, total o parcialmente fabricado, puede denominarse en el presente documento un IMOD "liberado".

[0056] Otro ejemplo de un dispositivo de EMS es un micro-altavoz. En algunas implementaciones, se pueden montar, unir o conectar de otro modo uno, dos o multiples micro-altavoces a uno o mas dispositivos de EMS, tales como un dispositivo de visualizacion de IMOD. En algunas implementaciones, se pueden fabricar uno, dos o multiples micro-altavoces como parte de un dispositivo de visualizacion de IMOD.

[0057] Las figuras 9A y 9B muestran ejemplos de un micro-altavoz encapsulado en vidrio que incluye una formacion de micro-altavoces sobre un sustrato de vidrio con un vidrio de cobertura. La figura 9A muestra un ejemplo de un diagrama de vista en despiece del micro-altavoz encapsulado en vidrio. La figura 9B muestra un ejemplo de una vista isometrica simplificada del micro-altavoz encapsulado en vidrio que se muestra en la figura 9A. Para mayor claridad, algunos componentes que se muestran en la figura 9A no se muestran en la figura 9B.

[0058] El micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 mostrado en el ejemplo de las figuras 9A y 9B incluye un vidrio de cobertura 102, un dispositivo de circuito integrado 104, un sustrato de vidrio 106, una formacion de micro- altavoces 108 y un anillo de union 110. Si bien el vidrio de cobertura 102 y el sustrato de vidrio 106 se representan como transparentes en las figuras 9A y 9B, asi como en algunas otras figuras, el vidrio de cobertura y el sustrato de vidrio pueden ser transparentes o no transparentes. Por ejemplo, el vidrio de cobertura y el sustrato de vidrio pueden estar escarchados, revestidos, pintados u opacados de otro modo.

[0059] Un vidrio de cobertura puede ser un sustrato plano que tiene dos superficies principales esencialmente paralelas y uno o mas huecos. El vidrio de cobertura 102 incluye un hueco 112, como se muestra en la figura 9A. Cuando el vidrio de cobertura 102 se pega al sustrato de vidrio 106, se forma una cavidad 113 como se muestra en la figura 9B. La cavidad 113 es un volumen que puede asimilar diferentes componentes del micro-altavoz 100 encapsulado en vidrio. La cavidad 113 en el ejemplo de las figuras 9A y 9B asimila el dispositivo de circuito integrado 104 y la formacion de micro-altavoces 108.

[0060] En algunas implementaciones, la longitud y el ancho del vidrio de cobertura 102 pueden ser iguales o aproximadamente iguales a la longitud y al ancho del sustrato de vidrio 106. Por ejemplo, una longitud del vidrio de cobertura puede tener aproximadamente 1 a 5 mm, y un ancho del vidrio de cobertura puede tener aproximadamente 1 a 5 mm. En algunas implementaciones, el vidrio de cobertura y el sustrato de vidrio pueden tener aproximadamente las mismas dimensiones y pueden ser rectangulares o cuadrados. En algunas implementaciones, el vidrio de cobertura y el sustrato de vidrio pueden tener aproximadamente las mismas dimensiones y pueden ser circulares, un ovalo u otra forma. En diversas implementaciones, el vidrio de cobertura puede tener un espesor de aproximadamente 50 a 700 micrometros, por ejemplo, de aproximadamente 100 a 300 micrometros de espesor, de aproximadamente 300 a 500 micrometros de espesor, o de aproximadamente 500 micrometros de espesor.

[0061] El dispositivo de circuito integrado 104 se puede configurar para proporcionar entrada a la formacion de micro-altavoces 108 y se puede disponer sobre el sustrato de vidrio 106. En algunas implementaciones, el dispositivo de circuito integrado 104 puede ser un circuito integrado especifico de la aplicacion (ASIC). En el ejemplo de las figuras 9A y 9B, el dispositivo de circuito integrado 104 esta pegado por chips de inversion a las almohadillas de union de la superficie superior 127a sobre el sustrato de vidrio 106. En algunas implementaciones, el dispositivo de circuito integrado 104 puede estar unido por cable a almohadillas de union, o fabricado en la superficie del sustrato de vidrio 106.

[0062] El sustrato de vidrio 106 es generalmente un sustrato plano que tiene dos superficies esencialmente paralelas, una superficie superior 126a y una superficie inferior 126b. Las vias a traves del vidrio 122 proporcionan trayectos conductores entre partes de la superficie superior 126a y la superficie inferior 126b, a traves del sustrato de vidrio 106. Los trazos conductores del lado superior 124 sobre la superficie superior 126a conectan las vias a traves del vidrio 122 a las almohadillas adhesivas de la parte superior 127a, que proporcionan conexiones electricas al dispositivo de circuito integrado 104. Las almohadillas adhesivas del lado inferior 127b sobre la superficie inferior 126b proporcionan conexiones electricas del lado inferior a las vias a traves del vidrio 122. La formacion de micro- altavoces 108 y el dispositivo de circuito integrado 104 pueden estar conectados electricamente a una o mas de las vias a traves del vidrio 122, directa o indirectamente, mediante los trazos conductores de la parte superior 124 sobre el sustrato de vidrio 106. En el ejemplo mostrado, los trazos conductores de la parte superior 128 conectan la

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formacion de micro-altavoces 108 a las almohadillas de union 129; las almohadillas de union 129 pueden usarse para conexiones al dispositivo de circuito integrado 104. Las vfas a traves del vidrio 122 proporcionan asf una conexion electrica directa desde uno o mas trazos, almohadillas de union, dispositivos de circuito integrado, elementos de micro-altavoces y/u otros componentes en un lado del sustrato de vidrio 106, a uno o mas trazos, almohadillas de union y/u otros componentes en el lado opuesto. La disposicion particular de las vfas a traves del vidrio 122, los trazos conductores superiores 124 y las almohadillas de union del lado superior y del lado inferior 127a y 127b, asociadas al sustrato de vidrio 106, son un ejemplo de una posible disposicion, con otras disposiciones posibles de acuerdo a la implementacion deseada.

[0063] En el ejemplo mostrado en las figuras 9A y 9B, el anillo de union 110 rodea las vfas a traves del vidrio 122, las trazas conductoras superiores 124 y las almohadillas de union de la parte superior 127a. En algunas implementaciones, el anillo de union 110 puede solapar algunos de los trazos conductores superiores 124 y/o algunas de las vfas a traves del vidrio 122. En la Solicitud de Patente Estadounidense N° 13/048.768 titulada "VIA DE PELICULA FINA A TRAVES DEL VIDRIO Y PROCEDIMIENTOS PARA FORMAR LA MISMA", presentada el 15 de marzo de 2011, y en la Solicitud de Patente Estadounidense N° 13/221,677, titulada "VIA TROQUELADA A TRAVES DEL VIDRIO Y PROCEDIMIENTOS PARA FORMAR LA MISMA", presentada el 30 de agosto de 2011, puede hallarse una descripcion adicional de los sustratos de vidrio y de las vfas a traves del vidrio electricamente conductoras.

[0064] En algunas implementaciones, partes de los trazos conductores del lado superior 124 en la superficie superior 126a que estan expuestas al entorno exterior pueden ser desactivadas. Por ejemplo, los trazos conductores del lado superior pueden desactivarse con una capa de desactivacion, tal como un recubrimiento de un oxido o un nitruro. La capa de desactivacion puede evitar que los trazos conductores en el lado superior se oxiden y posiblemente causen una falla del micro-altavoz encapsulado en vidrio 100. La capa de desactivacion puede depositarse con un proceso de CVD o un proceso de PVD, u otra tecnica de deposicion adecuada. Ademas, otras superficies metalicas expuestas del micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 tambien pueden desactivarse.

[0065] En algunas implementaciones, una longitud del sustrato de vidrio 106 puede ser de aproximadamente 1 a 5 mm, y una anchura del sustrato de vidrio 106 puede ser de aproximadamente 1 a 5 mm. En diversas implementaciones, el sustrato de vidrio 106 puede tener un grosor de aproximadamente 50 a 700 micrometros, por ejemplo, de aproximadamente 100 a 300 micrometros de espesor, de aproximadamente 300 a 500 micrometros de espesor o de aproximadamente 500 micrometros de espesor.

[0066] El anillo de union 110 pega el vidrio de cobertura 102 al sustrato de vidrio 106. El anillo de union 110 puede estar conformado de cualquier manera adecuada y generalmente esta conformado y dimensionado para corresponder al vidrio de cobertura 102 y al sustrato de vidrio 106 a unir. El anillo de union 110 puede incluir cualquier numero de diferentes materiales de adhesion. En algunas implementaciones, el anillo de union 110 puede ser un adhesivo. Por ejemplo, el anillo de union 110 puede ser un epoxi, que incluye un epoxi curable ultravioleta (UV) o un epoxi curable por calor. En algunas implementaciones, el anillo de union 110 puede ser un anillo de union de vidrio fritado. En algunas implementaciones, el anillo de union 110 puede ser un anillo de union de metal. El anillo de union de metal puede incluir una metalurgia soldable, una metalurgia eutectica, una pasta de soldadura o similar. Ejemplos de metalurgicas soldables incluyen el nfquel / oro (Ni/Au), el nfquel / paladio (Ni/Pd), el nfquel / paladio / oro (Ni/Pd/Au), el cobre (Cu) y el oro (Au). La union metalica eutectica implica formar una capa de aleacion eutectica entre el vidrio de cobertura 102 y el sustrato de vidrio 106. Los ejemplos de aleaciones eutecticas que se pueden usar incluyen el indio / bismuto (InBi), el cobre / estano (CuSn) y el oro / estano (AuSn). Las temperaturas de fusion de estas aleaciones eutecticas son de aproximadamente 150°C para la aleacion eutectica de InBi, de aproximadamente 225°C para la aleacion eutectica de CuSn y de aproximadamente 305° C para la aleacion eutectica de AuSn.

[0067] La formacion de micro-altavoces 108 puede formarse en, o unirse a, el sustrato de vidrio 106. La formacion de micro-altavoces 108 puede incluir cualquier numero de elementos de micro-altavoces individuales. Por ejemplo, la formacion de micro-altavoces 108 puede incluir una formacion de dimension 1x1, 1x2, 2x2, 10x10 o 10x20 de elementos individuales de micro-altavoces. En algunas implementaciones, cada elemento de micro-altavoz incluye una membrana dielectrica deformable que se curva al recibir una senal de activacion, por ejemplo, desde el dispositivo de circuito integrado 104. Mas detalles de las implementaciones de los elementos de micro-altavoces se describen a continuacion con respecto a las figuras 12A a 17. La membrana deformada genera ondas de sonido que se emiten a traves de una rejilla de altavoces 115 en el vidrio de cobertura 102. La rejilla de altavoces 115 incluye multiples puertos acusticos 114 que se extienden a traves del vidrio de cobertura 102, a traves del cual las ondas de sonido pueden transmitirse, por ejemplo, a un usuario. En algunas implementaciones, la membrana deformada puede generar un sonido que tiene una frecuencia entre aproximadamente 20 Hz y 20,000 Hz, o una parte de al misma. En algunas implementaciones, el micro-altavoz, o la formacion de micro-altavoces, se puede dimensionar y controlar para generar ondas de sonido ultrasonicas de hasta 40.000 Hz y mas.

[0068] La rejilla de altavoces 115 permite que las ondas de sonido pasen desde la formacion de micro-altavoces 108, permitiendo a la vez que el vidrio de cobertura 102 proteja los componentes internos del micro-altavoz encapsulado en vidrio 100. Los puertos acusticos 114 en la rejilla de altavoces 115 pueden estar en varias

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configuraciones diferentes, que incluyen un unico orificio o multiples orificios dispuestos en una formacion hexagonal, circular o cuadrada, por ejemplo. Los puertos acusticos 114 tambien pueden tener cualquiera entre una serie de formas diferentes, que incluyen formas circulares, rectangulares o triangulares, por ejemplo. En algunas implementaciones, los puertos acusticos 114 estan disenados de manera que no actuen como un corte acustico para una onda de sonido en la gama de frecuencias que se emitira por el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100. Por ejemplo, el diametro de cada uno de los puertos acusticos 114 puede ser lo suficientemente grande y la profundidad de cada uno de los puertos acusticos 114 puede ser lo suficientemente delgada para permitir que pase el sonido de frecuencia moderadamente baja, media y alta, desalojando a la vez las ondas de sonido a bajas frecuencias. Los diametros ejemplares de los orificios van desde aproximadamente entre 10 y 30 micrometros por lo bajo hasta mas de 500 micrometros por lo alto. En algunas implementaciones, los puertos acusticos 114 pueden recubrirse con un material hidrofobo. Los ejemplos de revestimientos hidrofobos incluyen el politetrafluoroetileno y otros fluoropolimeros.

[0069] Las figuras 10A y 10B muestran otro ejemplo de un micro-altavoz encapsulado en vidrio que incluye una formacion de micro-altavoces sobre un sustrato de vidrio con un vidrio de cobertura. La figura 10A muestra un ejemplo de un diagrama de vista en despiece del micro-altavoz encapsulado en vidrio. La figura 10B muestra un ejemplo de una vista isometrica del micro-altavoz encapsulado en vidrio que se muestra en la figura 10A.

[0070] El micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 que se muestra en las figuras 10A y 10B incluye un vidrio de cobertura 102, un dispositivo de circuito integrado 104, un sustrato de vidrio 106, una formacion de micro-altavoces 108 y un anillo de union 110. El vidrio de cobertura 102 incluye un hueco 112 y una rejilla de altavoces 115 que incluye puertos acusticos a traves del vidrio 114. Cuando el vidrio de cobertura 102 se pega al sustrato de vidrio 106, se forma una cavidad 113 mediante el hueco 112.

[0071] El sustrato de vidrio 106 es un sustrato esencialmente plano que tiene dos superficies esencialmente paralelas, una superficie superior 126a y una superficie inferior 126b. Un reborde 132 admite conexiones electricas a partes de la superficie superior 126a encerradas por el vidrio de cobertura 102. Los trazos conductores del lado superior 124 sobre la superficie superior 126a conectan las almohadillas de union del lado superior 127a a las almohadillas de reborde 127c. Las almohadillas de union del lado superior 127a se pueden usar para las conexiones al dispositivo de circuito integrado 104. La formacion de micro-altavoces 108 y el dispositivo de circuito integrado 104 pueden estar conectados electricamente a una o mas de las almohadillas de reborde 127c, directa o indirectamente, mediante los trazos conductores del lado superior 124 sobre el sustrato de vidrio 106. En el ejemplo mostrado, los trazos conductores del lado superior 128 conectan la formacion de micro-altavoces 108 a las almohadillas de union 129, conectando las almohadillas de union 129 la formacion de micro-altavoces 108 al dispositivo de circuito integrado 104. Los trazos conductores del lado superior 124 y 128 proporcionan asi una conexion electrica desde una o mas almohadillas de enlace 127a y 129, el dispositivo de circuito integrado 104, la formacion de micro- altavoces 108 u otros componentes que puedan estar rodeados por el vidrio de cobertura 102, a una o mas almohadillas de reborde 127c o a otros componentes. La disposicion particular de los trazos conductores, las almohadillas de union y las almohadillas de reborde asociadas al sustrato de vidrio 106 son un ejemplo de una posible disposicion, con otras disposiciones posibles de acuerdo a la implementacion deseada.

[0072] En algunas implementaciones, se pueden desactivar partes de los trazos conductores del lado superior 124 y/o 128 en la superficie superior 126a, que estan expuestas al entorno exterior. Por ejemplo, los trazos conductores del lado superior 124 y/o 128 pueden ser desactivados con una capa de desactivacion, tal como un recubrimiento de un oxido o un nitruro.

[0073] El anillo de union 110 pega el vidrio de cobertura 102 al sustrato de vidrio 106. El anillo de union 110 puede incluir cualquier numero de materiales de adhesion diferentes, como se ha descrito anteriormente con respecto a las figuras 9A y 9B. En algunas implementaciones, cuando el anillo de union 110 es un anillo de union metalica que pega el vidrio de cobertura 102 al sustrato de vidrio 106, los trazos conductores del lado superior 124, que conectan electricamente las almohadillas de union del lado superior 127a a las almohadillas de reborde 127c, pueden aislarse electricamente del anillo de union metalica. Por ejemplo, los trazos conductores del lado superior 124 se pueden aislar electricamente mediante una capa de desactivacion, como se he descrito anteriormente.

[0074] El micro-altavoz encapsulado en vidrio 100, mostrado en las figuras 10A y 10B, puede incluir ademas un conector flexible 140, tambien denominado cable de cinta, cable plano flexible o cinta flexible. El conector flexible 140 puede incluir una pelicula de polimero con conexiones electricas integradas, tales como cables conductores o trazos, que corren paralelos entre si en el mismo plano llano. El conector flexible 140 tambien puede incluir almohadillas de flexion en un extremo y contactos en el otro extremo, conectando electricamente los cables o trazos conductores las almohadillas de flexion individuales con contactos individuales. Las almohadillas flexibles pueden estar en la superficie inferior del conector flexible 140, y no se muestran en las figuras 10A o 10B. Las almohadillas flexibles pueden configurarse para hacer contacto con las almohadillas de reborde 127c. En algunas implementaciones, las almohadillas de flexion del conector flexible 140 pueden estar pegadas a las almohadillas de reborde 127c del micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 con una pelicula conductora anisotropica (ACF). En algunas implementaciones, las almohadillas de flexion del conector flexible 140 pueden estar pegadas a las almohadillas de reborde 127c del micro-altavoz encapsulado en vidrio 100, con soldadura. Los contactos del

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conector flexible 140 se pueden ensamblar en un enchufe u otro conector, por ejemplo, para su conexion a una placa de circuitos impresos (PCB) o a otro componente electronico.

[0075] En algunas implementaciones, el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 con un reborde 132 para la conexion a un conector flexible 140 puede permitir que el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 se ubique lejos de una PCB u otro componente electronico. Cuando el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 se encuentra alejado de una PCB u otro componente electronico, la PCB puede estar encerrada dentro de un recinto resistente al agua, mejorando la confiabilidad del dispositivo electronico que incorpora el micro-altavoz encapsulado en vidrio y la PCB. Ademas, el conector flexible 140 puede permitir que el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 se monte cerca de donde se desea la generacion de sonido, tal como en auriculares intra-auditivos o en la periferia de un dispositivo movil, tal como un telefono celular. Por ejemplo, el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100 puede ubicarse en un auricular interno de un usuario, con algunos de, o todos, los componentes electronicos de control asociados, en un dispositivo de IC ubicado fuera del oido. El uso de un conector flexible tambien puede evitar la necesidad de vias electricas a traves del sustrato de vidrio, lo que puede simplificar los procesos de fabricacion para el micro-altavoz encapsulado en vidrio 100.

[0076] Se pueden realizar diversas modificaciones a los ejemplos de micro-altavoces encapsulados en vidrio, descritos con referencia a las figuras 9A a 10B. En algunas implementaciones, por ejemplo, un vidrio de cobertura de un micro-altavoz encapsulado en vidrio puede incluir dos huecos de manera que, cuando el vidrio de cobertura se pegue al sustrato de vidrio, se formen dos cavidades. En algunas implementaciones, una de estas dos cavidades puede admitir un dispositivo de circuito integrado, mientras que la otra admite una formacion de micro-altavoces. En algunas implementaciones, un anillo de union puede separar un dispositivo de circuito integrado de una formacion de micro-altavoces. En algunas implementaciones, un micro-altavoz encapsulado en vidrio puede no incluir un dispositivo de circuito integrado dispuesto entre un vidrio de cobertura y un sustrato de vidrio. En algunas implementaciones, la formacion de micro-altavoces puede ser controlada por un dispositivo de circuito integrado externo, montado en un conector flexible o una PCB, por ejemplo. En algunas implementaciones, los componentes tales como vias a traves del vidrio, los trazos conductores y las almohadillas se pueden incluir en, o a traves de, un vidrio de cobertura, en lugar, o ademas, de dichos componentes, sobre, o a traves de, un sustrato de vidrio. En algunas implementaciones, el micro-altavoz encapsulado en vidrio puede incluir un gran puerto lateral en el cristal de cobertura, en lugar de una rejilla de altavoces. Caracteristicas adicionales de los envases de vidrio que pueden implementarse con los micro-altavoces encapsulados en vidrio, descritos en este documento, se dan en las Solicitudes de Patente Estadounidense, presentadas conjuntamente, con N° 13/221,701, 13/221,717 y 13/221,744, cada una titulada "VIDRIO COMO MATERIAL DE SUSTRATO Y UN EMBALAJE FINAL PARA MEMS Y DISPOSITIVOS DE IC" y presentadas el 30 de agosto de 2011.

[0077] La figura 11 muestra un ejemplo de un diagrama de flujo que ilustra un proceso de fabricacion para un micro-altavoz encapsulado en vidrio. En el bloque 202 del proceso 200, se proporciona un sustrato de vidrio que tiene una formacion de micro-altavoces electromecanicos sobre una superficie del sustrato de vidrio. Ademas de una formacion de micro-altavoces, cualquier cantidad de otros componentes, tales como anillos de union, rastros conductoras, almohadillas, vias, almohadillas de reborde y similares, pueden estar presentes en cualquier superficie, o a traves, del sustrato de vidrio. Un ejemplo de un proceso de fabricacion para formar elementos de micro-altavoces en la superficie de un sustrato de vidrio se expone a continuacion con respecto a la figura 18. El sustrato de vidrio tambien puede tener un dispositivo de circuito integrado dispuesto sobre la superficie del sustrato de vidrio. Por ejemplo, el dispositivo de circuito integrado puede fabricarse directamente sobre la superficie del sustrato de vidrio, o anadirse como un componente independiente y unirse al sustrato de vidrio. Si esta presente, el dispositivo de circuito integrado puede configurarse para conducir la formacion de micro-altavoces. En el bloque 204, un vidrio de cobertura que incluye un hueco y una rejilla de altavoces esta pegado a la superficie del sustrato de vidrio. El hueco y la rejilla de altavoces pueden formarse previamente, por ejemplo, con un proceso de grabado quimico, un proceso de grabado con iones reactivos o un proceso de chorro de arena. En algunas implementaciones, los puertos de una rejilla de altavoces pueden formarse mediante un proceso de perforacion laser usando, por ejemplo, un laser ultravioleta o excimer. En algunas implementaciones, se pueden formar puertos acusticos despues de que se forma un hueco. Por ejemplo, se puede formar un hueco en un vidrio de cobertura mediante un proceso de grabado, teniendo los ejemplos del espesor resultante de la parte grabada del vidrio de cobertura entre aproximadamente 200 y 300 micrometros. Los puertos que se extienden a traves de la parte grabada del vidrio de cobertura se pueden formar mediante perforacion por laser. Los ejemplos de diametros de puertos perforados con laser pueden estar entre aproximadamente 10 y 30 micrometros. Como se ha descrito anteriormente, el vidrio de cobertura se puede pegar al sustrato de vidrio con un anillo de union que puede incluir cualquier numero de materiales diferentes de adhesion. En algunas implementaciones, el vidrio de cobertura se pega al sustrato de vidrio con un adhesivo. En algunas implementaciones, el vidrio de cobertura se pega al sustrato de vidrio con un epoxi curable por UV o un epoxi curable por calor. Cuando se usa epoxi para pegar el vidrio de cobertura al sustrato de vidrio, el epoxi se puede tamizar o dispensar alrededor de los bordes del vidrio de cobertura o del sustrato de vidrio. Luego, el vidrio de cobertura y el sustrato de vidrio se pueden alinear y prensar juntos y se puede aplicar luz UV o calor al epoxi para curar el epoxi.

[0078] En algunas implementaciones, el vidrio de cobertura esta pegado al sustrato de vidrio con un anillo de union de vidrio fritado. El vidrio fritado se puede aplicar al sustrato de vidrio, al vidrio de cobertura, o a ambos,

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mediante el uso de dispensadores, enmascaramiento de sombras u otra tecnica adecuada. Cuando se usa un anillo de union de vidrio fritado para pegar el vidrio de cobertura al sustrato de vidrio, se pueden aplicar calor y presion al vidrio de cobertura, al sustrato de vidrio y al anillo de union de vidrio fritado, cuando estos componentes estan en contacto entre si, de tal manera que anillo de union de vidrio fritado se funda y pegue las dos piezas de vidrio.

[0079] En algunas implementaciones, el vidrio de cobertura esta pegado al sustrato de vidrio con un anillo de union de metal. Cuando se usa un anillo de union de metal para pegar el vidrio de cobertura al sustrato de vidrio, se puede aplicar calor al vidrio de cobertura, al sustrato de vidrio y al anillo de union de metal, cuando estos componentes estan en contacto entre si, de manera que el anillo de union metalica se derrita y pegue las dos piezas de vidrio entre si.

[0080] Si bien el proceso 200 describe un ejemplo de un proceso de fabricacion para un micro-altavoz encapsulado en vidrio, se puede fabricar una pluralidad de micro-altavoces encapsulados en vidrio con el proceso 200, con o sin variaciones. Por ejemplo, pueden proporcionarse decenas, cientos, miles, o mas, de formaciones de micro-altavoces en un unico panel de sustrato de vidrio. Del mismo modo, se pueden proporcionar decenas, cientos, miles, o mas, de huecos y rejillas de altavoces en un panel de vidrio de una sola cubierta. El panel de vidrio de cobertura se puede pegar a la superficie del panel de sustrato de vidrio, formando una hoja de micro-altavoces encapsulados en vidrio, empaquetados individualmente. Los micro-altavoces encapsulados en vidrio se pueden separar luego uno del otro, por ejemplo, cortando en cubos con una cuchilla de diamante o un laser, mediante un proceso de rotulacion y rotura, u otra tecnica adecuada para cortar los paneles unidos de vidrio de cobertura y de sustrato de vidrio.

[0081] Como se ha indicado anteriormente, una formacion de micro-altavoces puede incluir cualquier numero de elementos de micro-altavoces individuales. Los elementos de micro-altavoces individuales en la formacion pueden disponerse en filas y columnas o de forma irregular, de forma que la formacion general tenga la forma de un poligono, un circulo, un marco, un anillo u otra forma. En algunas implementaciones, cada elemento de micro- altavoz incluye una membrana dielectrica deformable que puede curvarse al recibir una senal de voltaje de accionamiento. Las figuras 12A a 17 muestran ejemplos de elementos de micro-altavoces electromecanicos que incluyen una membrana dielectrica deformable. Las figuras 12A y 12B muestran ejemplos de un elemento de micro- altavoz electromecanico. La figura 12A muestra un ejemplo de una vista de arriba abajo del elemento de micro- altavoz 300. La figura 12B muestra un ejemplo de una vista esquematica en seccion transversal del elemento de micro-altavoz 300 a traves de la linea 1-1 de la figura 12A. El elemento de micro-altavoz 300 mostrado en las figuras 12A y 12B incluye un sustrato 305 y una membrana dielectrica deformable 310, que incluye una capa dielectrica 325 y uno o mas piezo-activadores 330. El piezo-activador 330 puede incluir un material piezo-electrico 350 intercalado entre un primer electrodo 320 y un segundo electrodo 340. Una cavidad de altavoz 304 esta dispuesta entre el sustrato 305 y la membrana dielectrica deformable 310. En funcionamiento, se puede aplicar un voltaje de accionamiento a traves del primer electrodo 320 y del segundo electrodo 340, para curvar el material piezo-electrico 350. La capa dielectrica 325 se curva a su vez, produciendo sonido. Los trazos conductores 335 pueden conectar los electrodos primero y segundo 320 y 340 a un circuito de control (no mostrado), que puede estar ubicado dentro o fuera del sustrato 305. En implementaciones en las que el elemento de micro-altavoz 300 es uno entre una formacion de multiples elementos de micro-altavoces, el elemento de micro-altavoz 300 puede conectarse en paralelo con los otros elementos de micro-altavoces de la formacion, por ejemplo, con el primer electrodo 320 conectado electricamente a los electrodos inferiores y el segundo electrodo 340 conectado electricamente a los electrodos superiores de los piezo-activadores de los otros elementos de micro-altavoces. Ademas, en las implementaciones en las que el elemento de micro-altavoz 300 es uno entre una formacion de multiples elementos de micro-altavoces, cada elemento de micro-altavoz 300 puede accionarse en fase o con un retardo de fase, y con la misma amplitud o amplitud diferente.

[0082] En algunas implementaciones, el sustrato 305 puede ser un sustrato de vidrio 106, como se ha descrito anteriormente con referencia a las figuras 9A a 10B. Es decir, el elemento de micro-altavoz 300 puede fabricarse sobre un sustrato de vidrio que forma parte de un micro-altavoz encapsulado en vidrio, como se ha descrito anteriormente. En algunas implementaciones, el elemento de micro-altavoz 300 puede fabricarse sobre un sustrato de vidrio, con ese sustrato de vidrio incorporado en un micro-altavoz encapsulado en vidrio, como se he descrito anteriormente, o empaquetado de otro modo. En algunas implementaciones, el sustrato 305 puede ser un sustrato no de vidrio, tal como un sustrato plastico, ceramico, de silicio o conductor, con el sustrato no de vidrio incorporado en un micro-altavoz encapsulado en vidrio, como se ha descrito anteriormente, o embalado de otro modo. En algunas implementaciones, al menos la parte del sustrato 305 que define la cavidad del altavoz 304 es sustancialmente plana y se puede desgrabar. Como alternativa, una parte del sustrato 305 puede ser grabada o conformada de otro modo para formar una cavidad acustica debajo de la membrana dielectrica deformable 310.

[0083] En el ejemplo representado en la figura 12A, la membrana dielectrica deformable 310 es circular; sin embargo, en algunas otras implementaciones, la membrana dielectrica deformable 310 puede tener cualquier forma adecuada, incluyendo la forma rectangular, triangular, cuadrada u ovalada. Los ejemplos de materiales dielectricos que se pueden usar incluyen oxidos de silicio, nitruros de silicio, oxinitruros de silicio, nitruros de aluminio y oxidos de aluminio. El espesor de la capa dielectrica 325 puede estar entre 1 y 10 micrometros, por ejemplo. La cavidad de altavoz 304 puede tener entre aproximadamente 1 y 5 micrometros de espesor, por ejemplo. La distancia en que la

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membrana dielectrica deformable 310 se extiende sobre la cavidad de altavoz 304, tambien denominada extension de la membrana dielectrica deformable 310, puede estar entre aproximadamente 100 y 3000 micrometros en algunas implementaciones. Una region anular periferica 336 de la membrana dielectrica deformable 310 se puede anclar al sustrato 305. En algunas implementaciones, la region anular periferica 336 esta anclada completamente alrededor de la membrana dielectrica deformable 310. En algunas implementaciones, la membrana dielectrica deformable 310 se puede anclar en posiciones separadas alrededor de su circunferencia.

[0084] La cavidad de altavoz 304 puede sellarse o abrirse a las condiciones ambientales, de acuerdo a la implementacion deseada. En algunas implementaciones, la cavidad de altavoz 304 esta sellada para evitar la amortiguacion viscosa. La cavidad de altavoz 304 puede estar a presion de vacio, sub-atmosferica o atmosferica, de acuerdo a la implementacion deseada. En algunas implementaciones, la cavidad de altavoz 304 esta esencialmente encerrada por todos los lados, de modo que es un volumen esencialmente cerrado. Por ejemplo, una cavidad de altavoz sellada 304 puede definirse por el sustrato 305 y la membrana dielectrica deformable 310, de manera que este encerrada por todos los lados. En otro ejemplo, una cavidad de altavoz 304 abierta al entorno puede definirse por el sustrato 305 y la membrana dielectrica deformable 310, de manera que este esencialmente encerrada por todos los lados. Uno o mas orificios de ventilacion, por ejemplo, entre la membrana dielectrica deformable 310 y el sustrato 305, pueden estar presentes para permitir el equilibrio de la presion de una cavidad de altavoz 304 que este esencialmente encerrada por todos los lados. Los orificios de ventilacion tambien se pueden formar en la membrana dielectrica deformable 310 y/o el sustrato 305.

[0085] El primer electrodo 320 y el segundo electrodo 340 pueden incluir uno o mas de varios materiales diferentes electricamente conductores, y combinaciones de los mismos. Por ejemplo, en varias implementaciones, el primer y el segundo electrodo 320 y 340 pueden incluir metales tales como cobre (Cu), niquel (Ni), rutenio (Ru), tungsteno (W), platino (Pt), molibdeno (Mo), aluminio (Al), titanio (Ti) y/u oro (Au). En algunas implementaciones, el primer electrodo 320 y el segundo electrodo 340 pueden tener, cada uno, aproximadamente entre 100 y 3.000 Angstroms de espesor. Los trazos conductores 335 se pueden formar a partir del mismo material que el primer electrodo 320 y el segundo electrodo 340. El material piezo-electrico 350 puede ser cualquier material adecuado, tal como el nitruro de aluminio (AlN), el oxido de cinc (ZnO) o el titanato de zirconato de plomo (PZT). Los espesores ejemplares del material piezo-electrico pueden estar entre aproximadamente 1 y 3 micrometros.

[0086] En el ejemplo de la figura 12A, el piezo-activador 330 se muestra como un anillo anular en, o cerca de, una region periferica de la parte de la membrana dielectrica deformable 310 que se extiende por la cavidad del altavoz 304. En algunas implementaciones, el piezo-activador puede tener cualquier forma adecuada, incluyendo anillos rectangulares, triangulares, de forma cuadrada u ovalada, por ejemplo. En el ejemplo de la figura 12B, se ilustra una dimension S que representa la luz de la membrana dielectrica deformable 310, como lo es una dimension D1 que representa una distancia desde el borde de la cavidad del altavoz 304 al diametro interior del piezo-activador 330. En algunas implementaciones, D1 puede ser igual a aproximadamente un sexto de la dimension S; sin embargo, se pueden usar otras razones, tanto mayores como menores, por ejemplo. El ancho del piezo-activador 330 puede o no ser aproximadamente igual a D1, segun la implementacion deseada. Los anchos ejemplares del piezo-activador 330 varian desde unos pocos micrometros hasta unas pocas centenas de micrometros, o mas. El piezo-activador 330 puede contener uno o mas segmentos de material piezo-electrico 350 y electrodos asociados 320 y 340.

[0087] Mientras que el piezo-activador 330 mostrado en la figura 12B y otras figuras es un piezo-activador unimorfo, los piezo-activadores de los elementos de micro-altavoces descritos en el presente documento pueden ser, alternativamente, piezo-activadores bimorfos. Los piezo-activadores bimorfos pueden incluir dos pilas de electrodos / piezo-electricas / electrodos, separadas por una capa elastica. Los ejemplos de capas elasticas incluyen nitruros de silicio, oxinitruros de silicio, oxidos de silicio y nitruros de aluminio.

[0088] En algunas implementaciones, los elementos de micro-altavoces descritos en este documento dejan expuesta una region de la capa dielectrica para permitir que la capa dielectrica se contraiga y se expanda en respuesta a una senal de activacion. Por ejemplo, los piezo-activadores anulares, tales como el piezo-activador 330 representado en las figuras 12A y 12B, dejan expuesta una region central de la capa dielectrica 325. Las figuras 13A y 13B muestran ejemplos de un elemento de micro-altavoz electromecanico que incluye un piezo-activador que ocupa una region central de la membrana dielectrica deformable. La figura 13A muestra un ejemplo de una vista de arriba abajo del elemento de micro-altavoz 300. La figura 13B muestra un ejemplo de una vista esquematica en seccion transversal del elemento de micro-altavoz 300 a traves de la linea 1-1 de la figura 13A. El elemento de micro-altavoz 300 mostrado en las figuras 13A y 13B incluye un sustrato 305, una cavidad de altavoz 304, una membrana dielectrica deformable 310 y uno o mas trazos conductores 335, como se ha descrito anteriormente con respecto a las figuras 12A y 12B. La membrana dielectrica deformable 310 incluye un piezo-activador 330 y una capa dielectrica 325. El piezo-activador 330 ocupa una region central de la membrana dielectrica deformable 310, dejando una region periferica de la capa dielectrica 325 no cubierta por el piezo-activador 330. El piezo-activador 330 incluye un material piezo-electrico 350 intercalado entre un primer electrodo 320 y un segundo electrodo 340.

[0089] En el ejemplo representado en la figura 13A, el piezo-activador 330 es circular; sin embargo, en algunas otras implementaciones, el piezo-activador 330 puede ser de cualquier forma adecuada, incluyendo la rectangular, la triangular, la de forma cuadrada o la ovalada. En el ejemplo de la figura 13B, se ilustra una dimension S que

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representa el espacio de la membrana dielectrica deformable, como lo es una dimension D2 que representa una distancia desde el borde de la cavidad del altavoz 304 al diametro exterior del piezo-activador 330. En algunas implementaciones, D2 puede ser igual a aproximadamente un sexto de la dimension S; sin embargo, tambien pueden usarse otras razones, tanto mayores como menores, por ejemplo.

[0090] Las figuras 14A y 14B muestran ejemplos de un elemento de micro-altavoz electromecanico que incluye un piezo-activador "enterrado". La figura 14A muestra un ejemplo de una vista de arriba abajo del elemento de micro- altavoz 300. La figura 14B muestra un ejemplo de una vista esquematica en seccion transversal del elemento de micro-altavoz 300 a traves de la linea 1-1 de la figura 14A. El elemento de micro-altavoz 300 mostrado en las figuras 14A y 14B incluye un sustrato 305, una cavidad de altavoz 304, una membrana dielectrica deformable 310 y uno o mas trazos conductores 335, como se ha descrito anteriormente con respecto a las figuras 12A y 12B. La membrana dielectrica deformable 310 incluye una capa dielectrica 325 y un piezo-activador 330 en la posicion central. El piezo- activador 330 incluye un material piezo-electrico 350 intercalado entre un primer electrodo 320 y un segundo electrodo 340. En el ejemplo de las figuras 14A y 14B, el piezo-activador 330 esta dispuesto entre la cavidad de altavoz 304 y la capa dielectrica 325. En algunas implementaciones, enterrar el piezo-activador 330 puede permitir que la capa dielectrica 325 proteja el piezo-activador 330 de la humedad y de otras condiciones ambientales. Un piezo-activador que se encuentra en, o cerca de, la periferia de la cavidad, tal como se muestra en las figuras 12A y 12B, tambien se puede enterrar.

[0091] En algunas implementaciones, el elemento de micro-altavoz puede incluir una cavidad acustica que puede mejorar la respuesta del altavoz a la senal de activacion, en particular, a bajas frecuencias. La figura 15 muestra un ejemplo de un elemento de micro-altavoz electromecanico conectado a una cavidad acustica. El elemento de micro- altavoz 300 incluye un sustrato 305, una membrana dielectrica deformable 310 y una cavidad de altavoz 304, incluyendo la membrana dielectrica deformable 310 una capa dielectrica 325 y un piezo-activador 330. La cavidad de altavoz 304 esta conectada a una cavidad acustica 311, que esta formada en, y se extiende a traves de, el sustrato 305.

[0092] En algunas implementaciones, el elemento de micro-altavoz puede incluir piezo-activadores en ambos lados de la capa dielectrica. Las figuras 16A a 16C muestran ejemplos de un elemento de micro-altavoz electromecanico que incluye piezo-activadores en ambos lados de una capa dielectrica de la capa dielectrica deformable. La figura 16A muestra un ejemplo de una vista de arriba abajo del elemento de micro-altavoz 300. Las figuras 16B y 16C muestran ejemplos de vistas esquematicas en seccion transversal del elemento de micro-altavoz 300 a traves de la linea 1-1 de la figura 16A. El elemento de micro-altavoz 300 mostrado en las figuras 16A a 16C incluye un sustrato 305, una cavidad de altavoz 304 y una membrana dielectrica deformable 310. La membrana dielectrica deformable 310 incluye una capa dielectrica 325, un primer piezo-activador 330a y un segundo piezo- activador 330b. El primer piezo-activador 330a incluye un primer electrodo 320a, una primera capa piezo-electrica 350a y un segundo electrodo 340a. El segundo piezo-activador 330b incluye un tercer electrodo 320b, una segunda capa piezo-electrica 350b y un cuarto electrodo 340b. Los rastros conductores 335a y 335b pueden conectar el primer piezo-activador 330a y el segundo piezo-activador 330b, respectivamente, a un circuito controlador (no mostrado). En algunas implementaciones, el primer piezo-activador 330a y el segundo piezo-activador 330b pueden accionarse por separado. En algunas implementaciones, el primer piezo-activador 330a y el segundo piezo-activador 330b pueden estar en una modalidad de empuje / traccion, con respuestas iguales y opuestas a la senal de activacion. En algunas implementaciones, uno o mas electrodos estan conectados a tierra. Por ejemplo, los electrodos internos, es decir, el primer electrodo 320a y el cuarto electrodo 340b, se pueden conectar a tierra.

[0093] Los piezo-activadores primero y segundo se pueden situar independientemente en el centro o en la periferia de la membrana dielectrica deformable. En el ejemplo de la figura 16B, el primer piezo-activador 330a y el segundo piezo-activador 330b ocupan, ambos, regiones centrales de la membrana dielectrica deformable 310. En el ejemplo de la figura 16C, el primer piezo-activador 330a esta centrado, mientras que el segundo piezo-activador 330b esta situado en, o cerca de, la periferia de la parte de la membrana dielectrica deformable 310, que abarca la cavidad del altavoz 304.

[0094] En algunas implementaciones, el micro-altavoz puede incluir un piezo-activador que abarca la cavidad del micro-altavoz. La figura 17 muestra un ejemplo de un elemento de micro-altavoz electromecanico 300 que incluye una membrana dielectrica deformable 310 sobre un sustrato 305. La membrana dielectrica deformable incluye una capa dielectrica 325 y un piezo-activador 330. El piezo-activador 330 incluye un primer electrodo 320, una capa piezo-electrica 350 y un segundo electrodo 340. Tanto la capa dielectrica 325 como las partes del piezo-activador 330 abarcan la cavidad del altavoz 304. El primer electrodo 320 y el segundo electrodo 340 se extienden alrededor de la periferia de la membrana dielectrica deformable 310. Como alternativa, el primer electrodo 320 y el segundo electrodo 340 pueden colocarse en el centro de la membrana dielectrica deformable 310, uno en la parte superior y el otro en la parte inferior de la capa piezo-electrica 350. El piezo-activador 330 en la figura 17 esta enterrado debajo de la capa dielectrica 325. En otras implementaciones, el piezo-activador puede estar encima de la capa dielectrica de manera que la capa dielectrica este dispuesta entre la cavidad del altavoz y el piezo-activador.

[0095] La figura 18 muestra un ejemplo de un diagrama de flujo que ilustra un proceso de fabricacion para un elemento de micro-altavoz. Observese que las operaciones del procedimiento 400 pueden combinarse y/o

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reordenarse para formar cualquiera de los elementos de micro-altavoz descritos en este documento. Observese tambien que el modelado y el grabado de las diferentes capas, como se describe a continuacion, se pueden realizar para lograr diferentes patrones de las capas en diferentes regiones de un elemento de micro-altavoz. Debido a que las operaciones del procedimiento 400 pueden realizarse a temperatura aproximadamente ambiente hasta 400°C (es decir, los procesos del procedimiento pueden realizarse a aproximadamente 400°C, o menos), el procedimiento 400 es compatible con el vidrio y con tecnologias de vidrio de pantallas de panel plano.

[0096] En el bloque 402, se forma una capa protectora sobre un sustrato. Como se ha descrito anteriormente, el sustrato puede ser un sustrato de vidrio que forma un micro-altavoz encapsulado en vidrio o un sustrato de vidrio, o no de vidrio, que se puede pegar al sustrato de vidrio que forma un micro-altavoz encapsulado en vidrio, o se embala de otra manera. Antes de formar la capa protectora sobre el sustrato de vidrio, el sustrato se puede metalizar para formar vias a traves del vidrio, trazos conductores, almohadillas de union, almohadillas de reborde y similares. En algunas implementaciones, se puede depositar un oxido o un nitruro para desactivar el metal.

[0097] La formacion de la capa protectora puede incluir la deposicion de un material protector mediante una tecnica de deposicion adecuada, tal como la pulverizacion catodica, la evaporacion o la CVD. Los ejemplos de materiales protectores incluyen materiales que se pueden grabar con gas, tales como el Mo, el MoCr, el Si amorfo o el Si policristalino. La capa protectora se elimina en el procesamiento posterior para formar una cavidad de altavoz, tal como la cavidad de altavoz 304 en la figura 14B; en consecuencia, se deposita en un espesor del tamano deseado de la cavidad del altavoz, que puede ser de aproximadamente entre 1 y 5 micrometros. La formacion de la capa protectora puede incluir ademas el modelado del material protector despues de la deposicion para formar una forma deseada de la cavidad. Para formar un elemento de micro-altavoz 300 en la figura 14B, por ejemplo, el material protector puede modelarse para formar una forma circular. En algunas implementaciones, la formacion de capas protectoras para una formacion de elementos de micro-altavoces, o para una pluralidad de formaciones de elementos de micro-altavoces, se puede realizar simultaneamente depositando y modelando una pelicula de material protector a traves de un sustrato o parte del mismo. El material protector puede ser modelado usando procesos de litografia y grabado utilizados en la fabricacion de circuitos integrados, tal como lo conoce una persona con experiencia media en la tecnica.

[0098] En el bloque 404, se forma un piezo-activador sobre la capa protectora. En algunas implementaciones, la formacion del piezo-activador puede implicar la deposicion y el modelado de una primera capa de electrodo / capa piezo-electrica / segunda capa de electrodo, apiladas sobre la capa protectora para formar el piezo-activador en una forma deseada. Para formar un piezo-activador 330 como se muestra en la figura 14B, por ejemplo, la pila de primer electrodo / capa piezo-electrica / segundo electrodo puede modelarse para formar una forma circular. Se pueden depositar y modelar uno o mas rastros conductores para cada uno de los electrodos primero y segundo durante la deposicion y el modelado del electrodo asociado. El modelado, que incluye litografia y grabado quimico, segun lo conocido por una persona con experiencia media en la tecnica, puede realizarse despues de la deposicion de cada capa o solo despues de la deposicion de la primera capa de electrodo / capa piezo-electrica / segunda capa de electrodo, de acuerdo a la implementacion deseada. En algunas implementaciones, la formacion del primer electrodo y de las segundas capas de electrodos puede incluir la deposicion de un metal tal como Cu, Ni, Ru, W, Pt, Mo, Al, Ti y/o Au, mediante un proceso de deposicion adecuado, tal como la pulverizacion catodica o la evaporacion.

[0099] En algunas implementaciones, la formacion de la capa piezo-electrica puede incluir la deposicion de fluoruro de polivinilideno (PVDF), nitruro de aluminio (AlN), titanato de zirconato de plomo (Pb[ZrxTh-x]O3, 0 < x < 1), arseniuro de galio (GaAs), oxido de zinc (ZnO) u otro material adecuado, mediante un proceso de pulverizacion ionica reactiva, un proceso de bombardeo de corriente continua (CC) u otro proceso adecuado. En algunas implementaciones, la formacion de piezo-activadores para una formacion de elementos de micro-altavoces, o para una pluralidad de formaciones de elementos de micro-altavoces, se puede realizar simultaneamente depositando y modelando una pelicula de material protector a traves de un sustrato o parte del mismo.

[00100] En el bloque 406, se forma una capa dielectrica sobre la capa protectora. Los ejemplos de materiales dielectricos incluyen oxidos de silicio, nitruros de silicio, oxinitruros de silicio, nitruros de aluminio y oxidos de aluminio. La formacion de la capa dielectrica puede incluir la deposicion del material dielectrico mediante CVD termica, tecnica de PECVD u otra tecnica de deposicion adecuada. La formacion de la capa dielectrica puede incluir ademas el modelado del material dielectrico depositado. Una parte de la capa dielectrica puede formarse sobre el sustrato de vidrio para proporcionar soporte para la parte de la capa dielectrica formada sobre la capa protectora. Al igual que con la capa protectora y el piezo-activador, la formacion de capas dielectricas para una formacion de elementos de micro-altavoces, o para una pluralidad de formaciones de elementos de micro-altavoces, se puede realizar simultaneamente.

[00101] De acuerdo a diversas implementaciones, el bloque 404 puede realizarse antes o despues del bloque 406. Por ejemplo, para formar un elemento de micro-altavoz 300, como se representa en el ejemplo de la figura 12B, el bloque 404 se puede realizar despues del bloque 406, de manera que el piezo-activador se forme en la capa dielectrica. En algunas implementaciones, el bloque 404 se puede realizar antes y despues del bloque 406.

[00102] En el bloque 408 se elimina la capa protectora. En algunas implementaciones, eliminar la capa protectora

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implica exponerla a un grabador. Por ejemplo, un material que puede grabarse con gas, tal como el Mo o el Si amorfo, se puede eliminar mediante grabado qufmico en seco con vapores obtenidos de XeF2 solido o de otro grabador basado en fluor. Tambien pueden usarse otras combinaciones de material protector grabable y procedimientos de grabado, por ejemplo, grabado en humedo y/o grabado con plasma.

[00103] Como se ha indicado anteriormente, se pueden hacer varias modificaciones para el procedimiento 400, para formar cualquiera de los elementos de micro-altavoz descritos en este documento. En implementaciones de elementos de micro-altavoces que incluyen capas elasticas no piezo-electricas, una capa elastica que incluye nitruro de silicio (SiN), oxinitruro de silicio (SiON), oxido de silicio (SiO2), silicio (Si), nitruro de aluminio (AlN), un metal, o un polfmero, por ejemplo, se puede formar usando una tecnica de procesamiento adecuada, tal como la conocida por una persona con experiencia media en la tecnica. Por ejemplo, se puede formar una capa elastica con un proceso de bombardeo ionico, un proceso de deposicion qufmica de vapor (CVD), un proceso de deposicion ffsica de vapor (PVD) o un proceso de electro-deposicion.

[00104] Como se ha indicado anteriormente, en algunas implementaciones, un paquete de vidrio, como se describe en el presente documento, puede ser parte de un dispositivo de visualizacion. En algunas otras implementaciones, los dispositivos no de visualizacion, fabricados en sustratos de vidrio, pueden ser compatibles con pantallas y otros dispositivos que tambien se fabrican en sustratos de vidrio, con los dispositivos no de visualizacion fabricados conjuntamente con un dispositivo de visualizacion o conectados como un dispositivo individual, teniendo la combinacion propiedades de expansion termica bien combinadas. En algunas implementaciones, se pueden implementar uno o mas elementos de micro-altavoces en un aparato audiovisual tal como un televisor, una tableta, reproductores de medios portatiles u otros dispositivos de visualizacion.

[00105] Las figuras 19A y 19B muestran ejemplos de diagramas de bloques de sistema que ilustran un dispositivo de visualizacion 40 que incluye una pluralidad de IMOD. El dispositivo de visualizacion 40 puede ser, por ejemplo, un telefono celular o movil. Sin embargo, los mismos componentes del dispositivo de visualizacion 40, o ligeras variaciones de los mismos, son tambien ilustrativos de diversos tipos de dispositivos de visualizacion tales como televisores, tabletas, lectores electronicos, dispositivos manuales y reproductores de medios portatiles.

[00106] El dispositivo de visualizacion 40 incluye una carcasa 41, un visor 30, una antena 43, un altavoz 45, un dispositivo de entrada 48 y un microfono 46. La carcasa 41 puede estar formada a partir de cualquiera entre varios procesos de fabricacion, incluyendo el moldeo por inyeccion y la formacion en vacfo. Ademas, la carcasa 41 puede estar hecha de cualquiera entre varios materiales, incluyendo, pero sin limitarse a: plastico, metal, vidrio, caucho y ceramica, o una combinacion de los mismos. La carcasa 41 puede incluir partes desmontables (no mostradas) que pueden ser intercambiadas con otras partes desmontables de color diferente, o que contienen diferentes logotipos, imagenes o sfmbolos.

[00107] La pantalla 30 puede ser cualquiera entre varias pantallas, incluyendo una pantalla bi-estable o analogica, como se describe en el presente documento. La pantalla 30 tambien se puede configurar para incluir una pantalla de panel plano, tal como de plasma, EL, OLED, STN LCD o TFT LCD, o una pantalla de panel no plano, tal como un CRT u otro dispositivo tubular. Ademas, la pantalla 30 puede incluir una pantalla de IMOD, como se describe en el presente documento.

[00108] Los componentes del dispositivo de visualizacion 40 se ilustran esquematicamente en la figura 19B. El dispositivo de visualizacion 40 incluye una carcasa 41 y puede incluir componentes adicionales al menos parcialmente contenidos en el mismo. Por ejemplo, el dispositivo de visualizacion 40 incluye una interfaz de red 27 que incluye una antena 43 que esta acoplada a un transceptor 47. El transceptor 47 esta conectado a un procesador 21, que esta conectado al hardware de acondicionamiento 52. El hardware de acondicionamiento 52 puede estar configurado para acondicionar una senal (por ejemplo, filtrar una senal). El hardware de acondicionamiento 52 esta conectado a un altavoz 45 y a un microfono 46. El procesador 21 esta tambien conectado a un dispositivo de entrada 48 y a un controlador de activacion 29. El controlador de activacion 29 esta acoplado a una memoria intermedia de tramas 28, y a un controlador de formaciones 22, que a su vez esta acoplado a una formacion de visualizacion 30. En algunas implementaciones, una fuente de alimentacion 50 puede suministrar energfa a esencialmente todos los componentes en el diseno particular del dispositivo de visualizacion 40. El altavoz 45 puede ser un micro-altavoz electromecanico o una formacion de micro-altavoces electromecanicos, como se ha descrito anteriormente.

[00109] La interfaz de red 27 incluye la antena 43 y el transceptor 47 para que el dispositivo de visualizacion 40 pueda comunicarse con uno o mas dispositivos por una red. La interfaz de red 27 tambien puede tener algunas capacidades de procesamiento para aliviar, por ejemplo, los requisitos de procesamiento de datos del procesador 21. La antena 43 puede transmitir y recibir senales. En algunas implementaciones, la antena 43 transmite y recibe senales de RF de acuerdo al estandar IEEE 16.11, incluyendo el IEEE 16.11 (a), (b) o (g), o el estandar IEEE 802.11, incluyendo el IEEE 802.11a, b, g, n e implementaciones adicionales de los mismos. En algunas otras implementaciones, la antena 43 transmite y recibe senales de RF de acuerdo al estandar BLUETOOTH. En el caso de un telefono celular, la antena 43 esta disenada para recibir senales de acceso multiple por division de codigo (CDMA), de acceso multiple por division de frecuencia (FDMA), de acceso multiple por division del tiempo (TDMA),

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del sistema global para comunicaciones moviles (GSM), del GSM / Servicio general de radio por paquetes (GPRS), del entorno mejorado del GSM de datos (EDGE), de la radio troncalizada terrestre (TETRA), del CDMA de banda ancha (W-CDMA), de datos de evolucion optimizados (EV-DO), de 1xEV-DO, de EV-DO Rev A, de EV-DO Rev B, del Acceso de Paquetes de Alta Velocidad (HSPA), del Acceso de Paquetes de Enlace Descendente de Alta Velocidad (HSDPA), de Acceso de Paquetes de Enlace Ascendente de Alta Velocidad (HSUPA), de Acceso de Paquetes de Alta Velocidad Evolucionado (HSPA+), de la Evolucion a Largo Plazo (LTE), del AMPS u de otras senales conocidas que se utilizan para comunicarse dentro de una red inalambrica, tal como un sistema que utiliza tecnologia 3G o 4G. El transceptor 47 puede preprocesar las senales recibidas desde la antena 43 de manera que puedan ser recibidas y manipuladas adicionalmente por el procesador 21. El transceptor 47 tambien puede procesar las senales recibidas desde el procesador 21 para que puedan ser transmitidas desde el dispositivo de visualizacion 40 a traves de la antena 43.

[00110] En algunas implementaciones, el transceptor 47 puede ser reemplazado por un receptor. Ademas, en algunas implementaciones, la interfaz de red 27 puede ser reemplazada por un origen de imagen, que puede almacenar o generar datos de imagen que se enviaran al procesador 21. El procesador 21 puede controlar el funcionamiento general del dispositivo de visualizacion 40. El procesador 21 recibe datos, tales como datos de imagenes comprimidas desde la interfaz de red 27 o un origen de imagenes, y procesa los datos en datos de imagen en bruto o en un formato que sea procesado inmediatamente en datos de imagen en bruto. El procesador 21 puede enviar los datos procesados al controlador de activacion 29 o a la memoria intermedia de tramas 28 para su almacenamiento. Los datos sin procesar se refieren habitualmente a la informacion que identifica las caracteristicas de la imagen en cada ubicacion dentro de una imagen. Por ejemplo, tales caracteristicas de imagen pueden incluir color, saturacion y nivel de escala de grises.

[00111] El procesador 21 puede incluir un micro-controlador, una CPU o una unidad logica para controlar el funcionamiento del dispositivo de visualizacion 40. El hardware de acondicionamiento 52 puede incluir amplificadores y filtros para transmitir senales al altavoz 45 y para recibir senales desde el microfono 46. El hardware de acondicionamiento 52 pueden ser componentes discretos dentro del dispositivo de visualizacion 40, o puede incorporarse dentro del procesador 21 o de otros componentes.

[00112] El controlador de activacion 29 puede tomar los datos de imagenes en bruto, generados por el procesador 21, ya sea directamente desde el procesador 21 o desde la memoria intermedia de tramas 28, y puede volver a formatear los datos de imagenes en bruto adecuadamente para su transmision a alta velocidad al controlador de formaciones 22. En algunas implementaciones, el controlador de activacion 29 puede volver a formatear los datos de imagenes en bruto en un flujo de datos que tenga un formato de tipo cuadriculado, de tal manera que tenga un orden temporal adecuado para escanear la formacion de visualizacion 30. A continuacion, el controlador de activacion 29 envia la informacion formateada al controlador de formaciones 22. Aunque un controlador de activacion 29, tal como un controlador de LCD, esta a menudo asociado al procesador del sistema 21 como un circuito integrado (IC) independiente, tales controladores pueden ser implementados de muchas maneras. Por ejemplo, los controladores pueden estar integrados en el procesador 21 como hardware, integrados en el procesador 21 como software o totalmente integrados en hardware con el controlador de formaciones 22.

[00113] El controlador de formaciones 22 puede recibir la informacion formateada desde el controlador de activacion 29 y puede volver a formatear los datos de video en un conjunto paralelo de ondas que se aplican muchas veces por segundo a los cientos y, a veces, miles (o mas) de conductores que vienen desde la matriz x-y de pixeles de la pantalla.

[00114] En algunas implementaciones, el controlador de activacion 29, el controlador de formaciones 22 y la formacion de visualizacion 30 son adecuados para cualquiera de los tipos de pantallas descritas en el presente documento. Por ejemplo, el controlador de activacion 29 puede ser un controlador de pantalla convencional o un controlador de pantalla bi-estable (por ejemplo, un controlador de IMOD). Ademas, el controlador de formaciones 22 puede ser un controlador convencional o un controlador de pantalla bi-estable (tal como un controlador de pantalla de IMOD). Ademas, la formacion de visualizacion 30 puede ser una formacion de visualizacion convencional o una formacion de visualizacion bi-estable (por ejemplo, un visor que incluye una formacion de los IMOD). En algunas implementaciones, el controlador de activacion 29 se puede integrar con el controlador de formaciones 22. Tal implementacion puede ser util en sistemas sumamente integrados, por ejemplo, telefonos moviles, dispositivos electronicos portatiles, relojes o pantallas de area pequena.

[00115] En algunas implementaciones, el dispositivo de entrada 48 puede configurarse para permitir, por ejemplo, que un usuario controle el funcionamiento del dispositivo de visualizacion 40. El dispositivo de entrada 48 puede incluir un panel de teclas, tal como un teclado QWERTY o un panel de teclas de telefono, un boton, un interruptor, un interruptor de balancin, una pantalla tactil integrada con la formacion de visualizacion 30 o una membrana sensible a la presion o al calor. El microfono 46 puede configurarse como un dispositivo de entrada para el dispositivo de visualizacion 40. En algunas implementaciones, se pueden usar comandos de voz a traves del microfono 46 para controlar las operaciones del dispositivo de visualizacion 40.

[00116] La fuente de alimentacion 50 puede incluir varios dispositivos de almacenamiento de energia. Por ejemplo,

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la fuente de alimentacion 50 puede ser una bateria recargable, tal como una bateria de niquel-cadmio o una bateria de iones de litio. En las implementaciones que usan una bateria recargable, la bateria recargable puede ser cargable usando energia que proviene, por ejemplo, de un enchufe de pared o de un dispositivo o formacion fotovoltaicos. Alternativamente, la bateria recargable puede cargarse de forma inalambrica. La fuente de alimentacion 50 tambien puede ser una fuente de energia renovable, un condensador o una celula solar, incluyendo una celula solar de plastico o una pintura de celula solar. La fuente de alimentacion 50 tambien se puede configurar para recibir energia desde una toma de corriente de pared.

[00117] En algunas implementaciones, la programabilidad de control reside en el controlador de activacion 29 que puede estar situado en varios lugares en el sistema de visualizacion electronico. En algunas otras implementaciones, la programabilidad de control reside en el controlador de formaciones 22. La optimizacion descrita anteriormente se puede implementar en cualquier numero de componentes de hardware y/o software y en diversas configuraciones.

[00118] Las diversas logicas, bloques logicos, modulos, circuitos y etapas de algoritmo ilustrativos, descritos en relacion con las implementaciones divulgadas en el presente documento pueden implementarse como hardware electronico, software informatico o combinaciones de ambos. La intercambiabilidad de hardware y software se ha descrito en general en terminos de funcionalidad y se ha ilustrado en los diversos componentes ilustrativos, bloques, modulos, circuitos y procesos descritos anteriormente. Si dicha funcionalidad se implementa como hardware o software depende de la aplicacion especifica y de las restricciones de diseno impuestas al sistema completo.

[00119] El hardware y el aparato de procesamiento de datos utilizados para implementar las diversas logicas, bloques logicos, modulos y circuitos ilustrativos descritos en relacion con los aspectos divulgados en el presente documento pueden implementarse o realizarse con un procesador de proposito general de un unico chip, o de multiples chips, un procesador de senales digitales (DSP), un circuito integrado especifico de la aplicacion (ASIC), una formacion de compuertas programables en el terreno (FPGA) u otro dispositivo de logica programable, logica de transistor o de compuertas discretas, componentes de hardware discretos o cualquier combinacion de los mismos disenada para realizar las funciones descritas en el presente documento. Un procesador de proposito general puede ser un microprocesador o cualquier procesador, controlador, micro-controlador o maquina de estados convencional. Un procesador tambien puede implementarse como una combinacion de dispositivos informaticos, por ejemplo, una combinacion de un DSP y un microprocesador, una serie de microprocesadores, uno o mas microprocesadores junto con un nucleo de DSP o cualquier otra configuracion de este tipo. En algunas implementaciones, etapas y procedimientos especificos pueden realizarse mediante circuitos que sean especificos para una funcion dada.

[00120] En uno o mas aspectos, las funciones descritas pueden implementarse en hardware, circuitos electronicos digitales, programas informaticos, firmware, incluyendo las estructuras divulgadas en esta memoria descriptiva y sus equivalentes estructurales, o en cualquier combinacion de las mismas. Las implementaciones del asunto descrito en esta memoria descriptiva tambien pueden implementarse como uno o mas programas de ordenador, es decir, uno o mas modulos de instrucciones de programas informaticos, codificados en un medio de almacenamiento informatico para su ejecucion mediante, o para controlar el funcionamiento de, un aparato de procesamiento de datos.

[00121] Si se implementan en software, las funciones, como una o mas instrucciones o codigos, se pueden almacenar en, o transmitir por, un medio legible por ordenador. Las etapas de un procedimiento o algoritmo divulgadas en el presente documento pueden implementarse en un modulo de software ejecutable por un procesador que pueda residir en un medio legible por ordenador. Los medios legibles por ordenador incluyen tanto medios de almacenamiento informatico como medios de comunicacion que incluyan cualquier medio que facilite la transferencia de un programa informatico de un lugar a otro. Un medio de almacenamiento puede ser cualquier medio disponible al que pueda accederse mediante un ordenador. A modo de ejemplo, y no de limitacion, dichos medios legibles por ordenador pueden comprender una RAM, una ROM, una EEPROM, un CD-ROM u otro almacenamiento de disco optico, almacenamiento de disco magnetico u otros dispositivos de almacenamiento magnetico, o cualquier otro medio que pueda usarse para almacenar el codigo de programa deseado en forma de instrucciones o estructuras de datos y al que pueda accederse mediante un ordenador. Tambien, cualquier conexion puede denominarse debidamente como un medio legible por ordenador. Los discos, como se usan en el presente documento, incluyen el disco compacto (CD), el disco laser, el disco optico, el disco versatil digital (DVD), el disco flexible y el disco Blu-ray, donde algunos discos reproducen usualmente datos de forma magnetica, mientras que otros discos reproducen datos de forma optica con laseres. Las combinaciones de lo anterior deberian incluirse tambien dentro del alcance de los medios legibles por ordenador. Adicionalmente, las operaciones de un procedimiento o algoritmo pueden residir como un codigo o como cualquier combinacion o conjunto de codigos e instrucciones en un medio legible por maquina y un medio legible por ordenador, que puedan incorporarse a un producto de programa informatico.

[00122] Diversas modificaciones para las implementaciones descritas en esta divulgacion pueden ser inmediatamente evidentes para los expertos en la tecnica, y los principios genericos definidos en el presente documento pueden aplicarse a otras implementaciones. Por tanto, las reivindicaciones no esta concebidas para limitarse a las implementaciones mostradas en el presente documento, sino que ha de concederseles el alcance mas amplio coherente con esta divulgacion, los principios y caracteristicas novedosas divulgados en el presente

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documento. La palabra "ejemplar" se usa de forma exclusiva en el presente documento para significar "que sirve de ejemplo, caso o ilustracion". No ha de interpretarse necesariamente cualquier implementacion, descrita en el presente documento como "ejemplar", como preferente o ventajosa con respecto a otras implementaciones. Adicionalmente, una persona con experiencia media en la tecnica apreciara inmediatamente que los terminos "superior" e "inferior" a veces se usan para facilitar la descripcion de las figuras e indican posiciones relativas que corresponden a la orientacion de la figura en una pagina orientada adecuadamente, y pueden no reflejar la orientacion adecuada de un IMOD tal como se implementa.

[00123] Ciertas caracteristicas que se describen en esta memoria descriptiva en el contexto de implementaciones independientes pueden implementarse tambien en combinacion en una unica implementacion. Por el contrario, diversas caracteristicas que se describen en el contexto de una unica implementacion pueden implementarse tambien en multiples implementaciones, por separado o en cualquier sub-combinacion adecuada. Ademas, aunque las caracteristicas puedan haberse descrito anteriormente como que actuan en ciertas combinaciones e incluso reivindicarse inicialmente como tales, una o mas caracteristicas de una combinacion reivindicada pueden eliminarse en algunos casos de la combinacion, y la combinacion reivindicada puede orientarse a una sub-combinacion o variacion de una sub-combinacion.

[00124] De manera similar, aunque las operaciones se representen en los dibujos en un orden particular, una persona medianamente experta en la tecnica reconocera inmediatamente que tales operaciones no deben realizarse necesariamente en el orden particular mostrado o en un orden secuencial, o que se realicen todas las operaciones ilustradas, para lograr los resultados deseables. Ademas, los dibujos pueden representar esquematicamente uno o mas procesos ejemplares en forma de un diagrama de flujo. Sin embargo, se pueden incorporar otras operaciones que no se representan en los procesos ejemplares que se ilustran esquematicamente. Por ejemplo, se pueden realizar una o mas operaciones adicionales antes, despues, simultaneamente o entre cualquiera de las operaciones ilustradas. En ciertas circunstancias, el procesamiento de multiples tareas y el procesamiento en paralelo pueden ser ventajosos. Ademas, la separacion de diversos componentes del sistema en las implementaciones descritas anteriormente no deberia entenderse como que se requiere dicha separacion en todas las implementaciones, y deberia entenderse que los componentes y sistemas de programa descritos pueden estar integrados generalmente entre si en un unico producto de software, o envasados en multiples productos de software. Adicionalmente, otras implementaciones estan dentro del alcance de las reivindicaciones siguientes. En algunos casos, las acciones mencionadas en las reivindicaciones pueden realizarse en un orden diferente y lograr todavia los resultados deseables.

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    REIVINDICACIONES

    Un micro-altavoz electromecanico que comprende:

    un unico sustrato (305) en el que el sustrato es plano; una membrana deformable (310); y

    una cavidad de altavoz (304) dispuesta entre el sustrato (305) y la membrana deformable (310) de manera que la membrana deformable (310) abarque la cavidad de altavoz (304), en donde la cavidad de altavoz (304) es una cavidad de altavoz sellada definida por el sustrato (305) y la membrana deformable (310), de manera que este encerrado por todos los lados; incluyendo la membrana deformable (310) una capa piezo-electrica (350) intercalada entre las capas conductoras primera y segunda (320, 340), e incluyendo una capa dielectrica (325), en donde la membrana deformable (310) esta configurada para deformarse al aplicar un voltaje de control a traves de la capa piezo-electrica (350).

    El micro-altavoz electromecanico de la reivindicacion 1, en el que la capa piezo-electrica (350) abarca la cavidad del altavoz (304) o esta centrada sobre la cavidad del altavoz (304) o se superpone sobre una region periferica de la cavidad del altavoz (304) o esta dispuesta entre la capa dielectrica (325) y el sustrato (305).

    El micro-altavoz electromecanico de la reivindicacion 1, en el que la capa piezo-electrica (350) es una primera capa piezo-electrica (350a), y en el que la membrana deformable (310) incluye ademas una segunda capa piezo-electrica (350b) intercalada entre las capas conductoras tercera y cuarta (320b, 340b).

    El micro-altavoz electromecanico de la reivindicacion 3, en el que las capas piezo-electricas primera y segunda (350a, 350b) estan situadas en lados opuestos de la capa dielectrica (325).

    El micro-altavoz electromecanico de cualquier reivindicacion precedente, en el que la primera capa piezo- electrica (350a) incluye nitruro de aluminio, o en el que el sustrato (305) es un sustrato de vidrio.

    El micro-altavoz electromecanico de cualquier reivindicacion precedente, en el que las dimensiones del aparato incluyen uno o mas de los siguientes: un grosor de cavidad de altavoz entre aproximadamente 1 y 5 micrometros, un grosor de capa dielectrica entre aproximadamente 1 y 10 micrometros, o un primer espesor de capa piezo-electrica entre alrededor de 1 y 3 micrometros.

    El micro-altavoz electromecanico de la reivindicacion 1, en el que las capas conductoras primera y segunda (320, 340) tienen, cada una, aproximadamente entre 100 y 3.000 Angstroms de espesor.

    El micro-altavoz electromecanico de cualquier reivindicacion precedente, que comprende ademas una cavidad acustica (311) formada en el sustrato (310), en la que la cavidad acustica (311) esta conectada a la cavidad del altavoz (304).

    El micro-altavoz electromecanico de cualquier reivindicacion precedente, en el que la membrana deformable (310) esta configurada para generar sonido en la aplicacion a traves de la capa piezo-electrica (350) de un voltaje de accionamiento que oscila a una frecuencia de audio.

    Un aparato audiovisual, que comprende:

    al menos un micro-altavoz electromecanico segun cualquier reivindicacion anterior; una pantalla (30);

    un procesador (21) que esta configurado para comunicarse con la pantalla (30), estando configurado el procesador (21) para procesar datos de imagenes; y

    un dispositivo de memoria que esta configurado para comunicarse con el procesador (21).

    Un aparato que comprende:

    una formacion (108) de micro-altavoces electromecanicos segun cualquier reivindicacion anterior, formados entre los sustratos de vidrio unidos primero y segundo (102, 106),

    incluyendo el segundo sustrato de vidrio (102) uno o mas puertos acusticos (114) dispuestos sobre la formacion.

    El aparato de la reivindicacion 11, en el que el aparato comprende ademas un dispositivo de circuito integrado (104) posicionado en una cavidad entre los sustratos de vidrio primero y segundo (102, 106), configurado el dispositivo de circuito integrado (104) para controlar los elementos de altavoces piezo- activados. o en el que la formacion (108) esta configurada para conectarse a un dispositivo de circuito integrado externo.

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    El aparato de la reivindicacion 11, en el que los sustratos de vidrio unidos (102, 106) estan configurados para unirse a un conector flexible (140).

13. 14. 5

    Un procedimiento de formacion de un micro-altavoz, que comprende:

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    formar una capa protectora sobre un sustrato plano (305); formar un primer piezo-activador sobre la capa protectora; formar una capa dielectrica deformable (325) sobre la capa protectora y el sustrato (305); y eliminar la capa protectora para formar una cavidad de altavoz sellada (304) entre el sustrato (305) y la capa dielectrica deformable (325), de manera que la capa dielectrica deformable (325) abarque la cavidad de altavoz (304).

14. 15.

    El procedimiento de la reivindicacion 14, que comprende ademas formar un segundo piezo-activador sobre la capa protectora.