KR101162592B1

KR101162592B1 - 기판을 패키징하는 방법 및 기기

Info

Publication number: KR101162592B1
Application number: KR1020110140059A
Authority: KR
Inventors: 로렌 팔마티어; 윌리엄 제이. 쿠밍스; 브라이언 제임스 갈리; 마크 더블유. 마일즈; 제프리 비. 샘프셀; 클라렌스 추이; 마니시 코타리
Original assignee: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.
Priority date: 2004-09-27
Filing date: 2011-12-22
Publication date: 2012-07-13
Also published as: CN102141679A; EP1640330A3; TW200626472A; JP2006099057A; TWI353335B; US20120002266A1; US7424198B2; KR101162593B1; KR20060087382A; AU2005203257A1; RU2374171C2; BRPI0503853A; US8682130B2; US8045835B2; RU2005129955A; SG121045A1; EP1640330A2; KR20120003420A; US20060067641A1; MXPA05010095A

Abstract

간섭 변조기의 패키지 구조 및 패키징 방법이 개시되어 있다. 박막 재료는 간섭 변조기 및 투명 기판 상에 침적되어 간섭 변조기를 캡슐화한다. 간섭 변조기와 박막 사이의 갭 또는 캐비티는 간섭 변조기의 기계적인 부분이 움직일 수 있는 공간을 형성한다. 갭은 간섭 변조기 상에 침적된 희생층을 제거함으로써 만들어진다.

Description

기판을 패키징하는 방법 및 기기{METHOD AND DEVICE FOR PACKAGING A SUBSTRATE}

본 발명의 기술분야는 미소 기전 시스템(MEMS: Micro Elelcro-Mechanical Systems) 및 이러한 시스템의 패키징에 관련된다. 보다 상세하게는, 본 발명은 간섭 변조기(interferometric modulator) 및 박막 백플레인(backplane)을 가지고 그러한 변조기를 제조하는 방법에 관한 것이다.

미소 기전 시스템(MEMS)은 미소 기계 소자, 액추에이터, 및 전자 기기를 포함한다. 미소 기계 소자는 침적(deposition), 에칭, 및/또는 기판의 일부를 에칭으로 제거하거나 전기 기기 및 기전 기기를 만들기 위해 층을 부가하는 그 밖의 기타 미소 기계 가공 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 미소 기전 시스템 기기의 한 형태로서 간섭 변조기(interferometric modulator)가 있다. 간섭 변조기는 한 쌍의 도전성 플레이트를 포함하고, 이들 중 하나 또는 양자 모두는 전체적으로 또는 부분적으로 투명하거나 및/또는 반사성을 가지고 있을 수 있고, 적절한 전기 신호가 인가되면 상대적으로 이동할 수 있다. 하나의 플레이트는 기판 상에 배치된 고정층을 포함하여 구성되고, 다른 하나의 플레이트는 에어갭에 의해 상기 고정층으로부터 이격된 금속막을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 기기는 그 응용분야가 넓고, 이러한 형태의 기기의 특성을 활용 및/또는 개조하여, 그 특성이 기존의 제품을 개선하고 아직까지 개발되지 않은 새로운 제품을 창출하는 데에 이용될 수 있도록 하는 것은 해당 기술분야에서 매우 유익할 것이다.

본 발명은 별도의 백플레인, 건조제, 및 밀봉재가 필요 없이 간섭 변조기를 패키징하는 방법 및 그 패키지 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 시스템, 방법 및 기기는 각각 여러 가지 실시태양을 가지고 있고, 그들 중 하나가 단독으로 모든 바람직한 특성을 나타내는 것은 아니다. 이하에서 본 발명의 주요 특징을 설명하겠지만, 이것이 본 발명의 권리범위를 제한하는 것은 아니다. 이러한 점을 고려하여, "발명의 상세한 설명"을 읽고 나면, 본 발명의 특징적 구성이 어떻게 다른 디스플레이 기기에 비해 더 나은 장점을 제공하는지를 이해하게 될 것이다.

일실시예는 별개의 백플레인, 건조제 및 밀봉재가 필요없는 간섭 변조기 디스플레이 기기용 패키지 구조를 제공한다. 이 디스플레이 기기는, 투명 기판, 상기 투명 기판을 투과한 광을 변조하는 간섭 변조기, 상기 간섭 변조기 상에 위치하며, 상기 투명 기판과의 사이의 패키지 내에 상기 간섭 변조기를 밀봉하는 박막 백플레인을 포함한다. 상기 변조기와 상기 박막 백플레인 사이에는 갭(gap)이 존재하며, 이는 희생층을 제거함으로써 생성된다.

또 다른 실시예로서, 디스플레이 기기의 제조방법이 제공된다. 이러한 방법에 따르면, 투명 기판이 제공되고, 그 투명 기판 상에 간섭 변조기가 형성된다. 그 후, 상기 투명 기판과 상기 박막 백플레인 사이에 변조기를 밀봉하기 위해, 상기 간섭 변조기 및 상기 투명 기판 상에 박막 백플레인을 형성한다. 상기 박막 백플레인을 형성하기 전에 상기 간섭 변조기 상에 희생층이 형성된다. 상기 박막 백플레인의 형성 후에 이 희생층을 제거하여, 상기 간섭 변조기와 상기 박막 백플레인 사이에 갭을 만든다.

또 다른 실시예에 따르면, 투명 기판, 이 투명 기판 상에 형성된 간섭 변조기, 상기 투명 기판과 상기 박막 백플레인 사이에 간섭 변조기를 캡슐화하기 위해 투명 기판에 밀봉된 박막 백플레인을 포함한 미소 기전 시스템 디스플레이 기기가 제공된다. 상기 간섭 변조기와 상기 박막 백플레인 사이에 캐비티가 존재한다. 이 캐비티는 상기 간섭 변조기와 상기 박막 백플레인 사이의 희생층을 제거함으로써 형성된다.

또 다른 실시예에 따르면, 투명 기판, 간섭 변조기, 이 간섭 변조기 상에 형성된 박막 백플레인, 상기 간섭 변조기와 상기 박막 백플레인 사이의 캐비티를 포함하는 디스플레이 기기가 제공된다. 상기 간섭 변조기는 상기 투명 기판 상에 형성되어, 상기 투명 기판을 투과한 광을 변조하도록 구성된다. 상기 박막 백플레인은 상기 간섭 변조기 상에 형성되어, 상기 투명 기판과 상기 박막 백플레인 사이의 패키지 내에 상기 간섭 변조기를 밀봉한다. 상기 캐비티는 희생 재료를 제거함으로써 형성된다.

또 다른 실시예에 따르면, 디스플레이 기기가 제공된다. 이 디스플레이 기기는 광을 투과시키는 투과 장치, 상기 투과 장치를 투과한 광을 변조하도록 형성되어 있는 변조 장치, 상기 투과 장치와의 사이의 패키지 내에 상기 변조 장치를 밀봉하기 위한 밀봉 장치를 포함한다. 상기 변조 장치는 간섭 변조기를 포함하며, 상기 밀봉 장치는 박막을 포함한다.　

본 발명에 따르면, 별도의 백플레인, 건조제, 및 밀봉재가 필요 없이 간섭 변조기를 패키징하는 방법 및 그 패키지 구조를 얻을 수 있다.　

이들 및 다른 본 발명의 태양이 이하의 설명 및 첨부된 도면에서 보여지겠지만, 이들은 본 발명을 예시적으로 나타내기 위한 것이지 본 발명을 한정하는 것이 아니다.
도 1은, 제1 간섭 변조기의 이동가능한 반사층이 해방 위치에 있고, 제2 간섭 변조기의 이동가능한 반사층은 작동 위치에 있는, 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예의 일부를 도시한 등각투영도이다.
도 2는 3x3 간섭 변조기 디스플레이를 포함하는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다.
도 3은, 도 1의 간섭 변조기의 일실시예에서, 인가된 전압에 대응한 이동가능한 미러의 위치를 나타낸 도면이다.
도 4는 간섭 변조기 디스플레이를 구동하기 위해 사용될 수 있는 한 세트의 수평열 및 수직열 전압을 나타낸 것이다.
도5a 및 5b은 도 2의 3x3 간섭 변조기 디스플레이에 한 프레임의 디스플레이 데이터를 기록하기 위해 사용될 수 있는 수평열 및 수직열 신호에 대한 타이밍도의 일례를 나타낸 것이다.
도 6a는 도 1에 도시된 기기의 단면도이다.
도 6b는 간섭 변조기의 다른 실시예의 단면도이다.
도 6c는 간섭 변조기의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 7은 실시예에 따라, 종래의 백플레인 없이 간섭 변조기가 패키지화된 패키지 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 간섭 변조기를 패키징하는 방법에 관한 실시예의 흐름도이다.
도 9는, 일실시예에 따라, 간섭 변조기 상에 희생층이 형성된 패키지 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 10은 박막이 상기 희생층 위에 형성되어 있는 패키지 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 11은 박막(820)이 형성되고 및 패터닝된 후 희생층(850)이 제거되기 전의 패키지 구조(800)의 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 12는, 간섭 변조기가 일실시예에 따라 패키징되고 보호층을 가지고 있는 패키지 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 13a 및 13b는 복수의 간섭 변조기를 포함하는 시각 디스플레이 기기의 실시예를 보여주는 시스템 블록도이다.

이하의 상세한 설명은 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 방법과 방식으로 구현될 수 있다. 이하의 설명에서, 도면이 참조되는데, 전체 도면에 걸쳐 동일한 부분에 대해 동일한 번호가 사용된다. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명은 동화상(예컨대, 비디오)이든 정지화상(예컨대, 스틸 이미지)이든, 또는 텍스트이든 그림이든, 이미지를 디스플레이하도록 구성된 것이라면 어떠한 기기에서도 구현될 수 있다. 보다 상세하게는, 본 발명은 한정되지는 않지만, 예컨대, 이동전화기, 무선 기기, 개인 휴대용 정보 단말기(PDA), 손에 들고 다니거나 휴대할 수 있는 컴퓨터, GPS 수신기/네비게이터, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔, 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비전 모니터, 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 자동차 디스플레이(예컨대, 주행 거리계 디스플레이), 조종석 제어 장치 및/또는 디스플레이, 감시 카메라의 디스플레이(예컨대, 자동차에서의 후방 감시 카메라의 디스플레이), 전자 사진 액자, 전자 게시판 또는 전자 표시기, 프로젝터, 건축 구조물, 포장물, 및 미적 구조물(예컨대, 보석 상의 이미지 디스플레이) 등과 같은 다양한 전자 기기에 구현되거나 결합될 수 있다. 또한, 여기서 개시한 미소 기전 시스템 기기와 유사한 구조의 기기를 전자 스위칭 기기와 같은 비(非)디스플레이 분야에 사용할 수도 있다.

간섭계 미소 기전 시스템 디스플레이 소자를 포함하여 구성된 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예가 도 1에 도시되어 있다. 이러한 기기에서, 픽셀은 밝은 상태 또는 어두운 상태 중 하나의 상태로 된다. 밝은 상태(“온(on) 상태” 또는 “개방 상태”)에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광의 대부분을 사용자에게 반사한다. 어두운 상태(“오프 상태” 또는 “폐쇄 상태”)에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. 실시예에 따라서는, “온 상태”와 “오프 상태”의 광 반사 특성이 반대로 바뀔 수도 있다. 미소 기전 시스템 픽셀은 선택된 컬러를 두드러지게 반사하여 흑백뿐 아니라 컬러 디스플레이도 가능하도록 구성될 수 있다.

도 1은 영상 디스플레이의 일련의 픽셀들에서 인접하는 두 개의 픽셀을 나타낸 등각투영도다. 여기서, 각 픽셀은 미소 기전 시스템의 간섭 변조기를 포함하여 구성된다. 일부 실시예에서, 간섭 변조기 디스플레이는 이들 간섭 변조기들의 행렬 어레이을 포함하여 구성된다. 각각의 간섭 변조기는, 적어도 하나의 치수가 가변적인 공진 광학 캐비티(resonant optical cavity)를 형성하도록 서로 가변적이고 제어가능한 거리를 두고 배치되어 있는 한 쌍의 반사층을 포함한다. 일실시예에서, 이 반사층들 중 하나가 두 개의 위치 사이에서 이동될 수 있다. 제1 위치에서(여기서는 “해방 상태”라고 한다), 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 고정된 층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치한다. 제2 위치에서, 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 층에 보다 가까이 인접하여 위치한다. 두 개의 층으로부터 반사되는 입사광은 이동가능한 반사층의 위치에 따라 보강적으로 또는 상쇄적으로 간섭하여, 각 픽셀을 전체적으로 반사 상태 또는 비반사 상태로 만든다.

도 1에 도시된 부분의 픽셀 어레이는 두 개의 간섭 변조기(12a, 12b)를 포함한다. 좌측에 있는 간섭 변조기(12a)에서는, 고반사성 이동가능한 층(14a)이 부분 반사성 고정된 층(16a)으로부터 소정의 거리를 두고 해방 위치에 있는 것이 도시되어 있다. 우측에 있는 간섭 변조기(12b)에서는, 고반사성 이동가능한 층(14b)이 부분적으로 반사하는 고정된 층(16b)에 인접한 작동 위치에 있는 것이 도시되어 있다.

고정된 층(16a, 16b)은 전기적으로 도전성을 가지고 있고, 부분적으로 투명하며, 부분적으로 반사성을 가지고 있고, 예컨대 투명 기판(20) 상에 크롬과 인듐주석산화물(ITO)로 된 하나 이상의 층을 침적시킴으로써 제조될 수 있다. 이들 층을 병렬 스트립으로 패터닝하여, 이하에서 설명하는 바와 같이, 디스플레이의 수평열 전극(row electrode)을 형성할 수 있다. 이동가능한 층(14a, 14b)은, 포스트(18)와 이 포스트들 사이에 개재된 희생 재료의 표면에 침적된 금속층(들)으로 된 일련의 병렬 스트립(수평열 전극(16a, 16b)에 수직하는)으로 형성될 수 있다. 희생 재료를 에칭하여 제거하면, 변형가능한 금속층이 에어갭(19)에 의해 고정형 금속층으로부터 이격된다. 변형가능한 층은 알루미늄과 같이 도전성과 반사성이 높은 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 이것의 스트립은 디스플레이 기기의 수직열 전극(column electrode)을 형성할 수 있다.

전압이 인가되지 않으면, 층(14a)과 층(16a) 사이에 캐비티(19)가 그대로 존재하게 되어, 변형가능한 층이 도 1의 픽셀(12a)로 도시된 바와 같이 기계적으로 해방된 상태로 있게 된다. 그러나, 선택된 행과 열에 전위차가 인가되면, 해당하는 픽셀에서 수평열 전극과 수직열 전극이 교차하는 지점에 형성된 커패시터가 충전되어, 정전기력이 이들 전극을 서로 당기게 된다. 만일 전압이 충분히 높다면, 이동가능한 층이 변형되어, 도 1에서 우측에 도시된 픽셀(12b)과 같이, 고정된 층에 대해 힘을 받게 된다(도 1에는 도시하지 않았지만, 단락을 방지하고 이격 거리를 제어하기 위해 고정된 층 상에 유전 재료를 배치할 수 있다). 이러한 양상은 인가된 전위차의 극성에 관계없이 동일하다. 이러한 방식으로, 반사와 비반사의 픽셀 상태를 제어할 수 있는 수평열/수직열 구동은 종래의 액정 디스플레이나 다른 디스플레이 기술에서 사용되었던 방식과 여러 가지 면에서 유사하다.

도 2 내지 5는 디스플레이 응용분야에서 간섭 변조기의 어레이를 이용하기 위한 방법 및 시스템의 일례를 보여준다. 도 2는 본 발명의 여러 측면을 포함할 수 있는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. 본 실시예에서는, 전자 기기가 프로세서(21)를 포함한다. 이 프로세서(21)는 ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® 등과 같은 범용의 단일칩 또는 멀티칩 마이크로프로세서나, 또는 디지털 신호 처리기, 마이크로컨트롤러, 프로그래머블 게이트 어레이 등과 같은 특정 목적의 마이크로프로세서일 수 있다. 해당 기술 분야에서 알려진 바와 같이, 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수 있다. 오퍼레이팅 시스템을 실행하는 것 외에도, 프로세서는 웹 브라우저, 전화 응용프로그램, 이메일 프로그램, 또는 임의의 다른 소프트웨어 응용프로그램을 포함하여 하나 이상의 소프트웨어 응용프로그램을 실행하도록 구성될 수 있다.

일실시예에서, 프로세서(21)는 또한 어레이 컨트롤러(22)와 통신하도록 구성된다. 일실시예에서, 어레이 컨트롤러(22)는 픽셀 어레이(30)에 신호를 제공하는 수평열 구동 회로(24) 및 수직열 구동 회로(26)를 포함한다. 도 2에서 1-1의 선을 따라 절단한 어레이의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. 미소 기전 시스템의 간섭 변조기에 대한 수평열/수직열 구동 프로토콜은 도 3에 도시된 기기의 히스테리시스 특성을 이용할 수 있다. 이동가능한 층을 해방 상태에서 작동 상태로 변형시키기 위해, 예컨대, 10볼트의 전위차가 요구될 수 있다. 그러나, 전압이 그 값으로부터 감소할 때, 전압이 10볼트 이하로 떨어지더라도 이동가능한 층은 그 상태를 유지한다. 도 3의 실시예에서, 이동가능한 층은 전압이 2볼트 이하로 떨어질 때까지는 완전히 해방되지 않는다. 따라서, 기기가 해방 상태 또는 작동 상태 중 어느 하나의 상태로 안정되는 인가 전압 영역이 존재하는 전압의 범위가 있다. 도 3에서는 약 3~7볼트가 예시되어 있다. 이것을 여기서는 “히스테리시스 영역” 또는 “안정 영역”이라고 부른다. 도 3의 히스테리시스 특성을 갖는 디스플레이 어레이에 있어서, 수평열에 스트로브가 인가되는 동안, 수평열/수직열 구동 프로토콜은 스트로브가 인가된 수평열에 있는 픽셀들 중에 작동되어야 픽셀들은 약 10볼트의 전위차에 노출되고, 해방되어야 할 픽셀들은 0(영)볼트에 가까운 전위차에 노출되도록 설계될 수 있다. 스트로브를 인가한 후에는, 픽셀들이 수평열 스트로브에 의해 어떠한 상태가 되었든지 간에 그 상태로 유지되도록 약 5볼트의 정상 상태 전압차(정상 상태 전압)를 적용받는다. 기록된 후에, 각 픽셀은 본 실시예에서는 3-7볼트인 “안정 영역” 내의 전위차를 가진다. 이러한 구성으로 인해, 도 1에 도시된 픽셀 구조가 동일한 인가 전압의 조건 하에서 작동 상태든 해방 상태든 기존의 상태로 안정되게 된다. 작동 상태로 있든 해방 상태로 있든, 간섭 변조기의 각 픽셀은 필연적으로 고정된 반사층과 이동하는 반사층에 의해 형성되는 커패시터이기 때문에, 이 안정된 상태는 히스테리시스 영역 내의 전압에서 거의 전력 낭비 없이 유지될 수 있다. 인가 전위가 고정되어 있으면, 필연적으로 픽셀에 유입되는 전류는 없다.

전형적인 응용예로서, 첫번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 따라 한 세트의 수직열 전극을 어서팅(asserting)함으로써 디스플레이 프레임을 만들 수 있다. 그런 다음, 수평열 펄스를 수평열 1의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 라인에 대응하는 픽셀들을 작동시킨다. 그러면, 수직열 전극의 어서트된 세트가 두번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 대응하도록 변경된다. 그런 다음, 펄스를 수평열 2의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 전극에 따라 수평열 2에서의 해당하는 픽셀을 작동시킨다. 수평열 1의 픽셀들은 수평열 2의 펄스에 영향을 받지 않고, 수평열 1의 펄스에 의해 설정되었던 상태를 유지한다. 이러한 동작을 순차적으로 전체 수평열에 대해 반복하여 프레임을 생성할 수 있다. 일반적으로, 이러한 프레임들은 초당 소정 수의 프레임에 대해 이러한 처리를 계속해서 반복함으로써 리프레시(refresh)되거나, 및/또는 새로운 디스플레이 데이터로 갱신된다. 수평열 및 수직열 전극을 구동하여 디스플레이 프레임을 생성하는 많은 다양한 프로토콜이 잘 알려져 있고, 본 발명과 관련하여 사용될 수 있다.

도 4 및 5는 도 2의 3x3 어레이 상에서 디스플레이 프레임을 생성하기 위한 하나의 가능한 구동 프로토콜을 나타낸 것이다. 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 보여주는 픽셀들에 사용될 수 있는 수직열 및 수평열의 가능한 전압 레벨 세트를 보여준다. 도 4의 실시예에서, 픽셀을 작동시키기 위해, 해당하는 수직열은 -V_bias로 설정하고 해당하는 수평열은 +ΔV로 설정한다. 각각의 전압은 -5볼트 및 +5볼트에 대응할 수 있다. 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당하는 수직열은 +V_bias로 설정하고 해당하는 수평열은 동일한 값의 +ΔV로 설정하여, 픽셀을 걸리는 전위차가 0(영)볼트가 되도록 한다. 수평열의 전압이 0(영)볼트로 되어 있는 수평열에서는, 수직열이 +V_bias이든 -V_bias이든 관계없이 픽셀들이 원래의 상태로 안정된다.

도 5b는 도 2의 3x3 어레이에 인가되는 일련의 수평열 및 수직열 신호를 보여주는 타이밍도이며, 그 결과로서 작동된 픽셀들이 비반사성인 도 5a에 도시된 디스플레이 배열이 얻어진다. 도 5a에 도시된 프레임을 기록하기 전에, 픽셀들은 어떤 상태로 되어 있어도 무방하다. 본 예에서는, 모든 수평열들이 0(영)볼트이고, 모든 수직열들이 +5볼트이다. 이러한 인가 전압으로, 모든 픽셀들은 기존의 작동 상태 또는 해방 상태로 안정되어 있다.

도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3)의 픽셀들이 작동된다. 이를 구현하기 위해, 수평열 1에 대한 “라인 시간” 동안, 수직열 1과 2는 -5볼트로 설정되고, 수직열 3은 +5볼트로 설정된다. 이것은 어느 픽셀의 상태도 바꾸지 않는다. 왜냐하면, 모든 픽셀들이 3-7볼트의 안정영역 내에 있기 때문이다. 그런 다음, 수평열 1에 0볼트에서 5볼트로 상승한 후 다시 0볼트로 되는 펄스를 가진 스트로브를 인가한다. 이것은 (1,1) 및 (1,2)의 픽셀을 작동시키고 (1,3)의 픽셀을 해방시킨다. 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수평열 2를 원하는 대로 설정하기 위해, 수직열 2를 -5볼트로 설정하고, 수직열 1 및 3은 +5볼트로 설정한다. 동일한 스트로브를 수평열 2에 인가하면, (2,2)의 픽셀이 작동되고, (2,1) 및 (2,3)의 픽셀이 해방된다. 여전히, 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수직열 2 및 3을 -5볼트로 설정하고 수직열 1을 +5볼트로 설정함으로써, 수평열 3도 마찬가지의 방법으로 설정될 수 있다. 수평열 3에 대한 스트로브로 인해 수평열 3의 픽셀들도 도 5a에 도시된 바와 같이 설정된다. 프레임을 기록한 후에, 수평열 전위는 0(영)이고, 수직열 전위는 +5볼트 또는 -5볼트로 남아있으므로, 디스플레이는 도 5a의 배열로 안정된다. 수십 또는 수백의 수평열 및 수직열로 된 어레이에 대해 동일한 처리가 행해질 수 있다는 것은 잘 알 수 있을 것이다. 또한, 수평열 및 수직열의 구동을 위해 사용되는 전압의 타이밍, 순서 및 레벨은 위에서 설명한 전반적인 원리 내에서 다양하게 변경될 수 있고, 상술한 예는 예시에 불과하고, 임의의 구동 전압 방법을 본 발명에 적용하여도 무방하다.

위에서 설명한 원리에 따라 동작하는 간섭 변조기의 상세한 구조는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 도 6a 내지 6c는 이동하는 미러(mirror) 구조의 세가지 다른 예를 보여준다. 도 6a는 도 1에 도시된 실시예의 단면도로서, 금속 재료로 된 스트립(14)이 직각으로 연장된 지지대(18) 상에 배치되어 있다. 도 6b에서, 이동가능한 반사 재료(14)가 연결선(32)에 의해 그 코너에서만 지지대에 부착되어 있다. 도 6c에서, 이동가능한 반사 재료(14)가 변형가능한 층(34)에 매달려 있다. 이 실시예는, 반사 재료(14)에 대한 구조적 설계와 재료는 광학 특성에 대해 최적화될 수 있고, 변형가능한 층(34)에 대한 구조적 설계와 재료는 원하는 기계적 특성에 대해 최적화될 수 있기 때문에 유용하다. 여러 가지 형태의 간섭 기기의 제조에 대해, 예컨대 미국특허공개 제2004/0051929호를 포함하여 여러 공개 문헌에 기술되어 있다. 일련의 재료 침적, 패터닝 및 에칭 단계들을 포함하여, 상술한 구조를 제조하기 위해 다양한 공지 기술이 사용될 수 있다.

도 7에는 종래의 백플레인 또는 캡(cap)이 없이 투명 기판(810) 상에 간섭 변조기(830)가 패키징된 패키지 구조(800)가 도시되어 있다. 도 7에 도시된 패키지 구조는, 백플레인뿐만 아니라 별도의 밀봉재 및 건조제를 필요로 하지 않는다.

전술한 바와 같이, 도 7에 도시된 실시예에 따르면, 간섭 변조기(830)를 캡슐화하기 위해 백플레인을 투명 기판에 밀봉하는 대신, 박막 또는 상부구조(superstructure)(820)를 투명 기판(810) 상에 배치하여, 간섭 변조기(830)를 패키지 구조(800) 내에 캡슐화한다. 박막(820)은 간섭 변조기(830)를 주변의 유해요인으로 보호한다.

이하, 도 7에 도시된 실시예에 따라 간섭 변조기를 패키징하는 방법을 보다 상세히 살펴본다. 본 명세서에 기술된 패키지 또는 패키징 방법은, 한정되지는 않지만 전술한 간섭 변조기를 포함하는 임의의 간섭 변조기를 패키징하는 데 사용될 수 있다.

상술한 바와 같이, 간섭 변조기(830)는 투명 기판을 투과하는 광을 반사하도록 형성되며, 이동가능한 미러(movable mirror)(14a, 14b)와 같은 이동하는 부분을 포함한다. 따라서, 그러한 이동하는 부분이 이동할 수 있도록, 그러한 이동하는 부분과 박막(820) 사이에 갭 또는 캐비티(840)를 형성하는 것이 바람직하다. 갭 또는 캐비티(840)는 간섭 변조기(830)의 이동가능한 미러(14a, 14b)와 같은 기계적인 부분이 이동할 수 있도록 한다. 박막(820)을 침적시켜 간섭 변조기(830)를 캡슐화하기 전에, 간섭 변조기(830) 및 투명 기판(810) 상에 희생층(850)(도 9에 도시)을 침적시키고, 이를 제거하여 간섭 변조기(830) 및 박막(820) 사이에 캐비티(840)를 만드는 것이 바람직하다. 이에 대해 아래에서 보다 상세하게 설명하겠다.

도 8은 종래의 백플레인 또는 캡이 없이 간섭 변조기를 패키징하는 방법의 일실시예가 도시되어 있다. 단계 900에서 투명 기판(810)이 제공되며, 단계 910에서 간섭 변조기(830)가 투명 기판 상에 형성된다. 간섭 변조기(830)는 도 1 내지 6에 기술된 공정에 따라 제조되는 것이 바람직하다. 투명 기판(810)은 박막 미소 기전 시스템 기기를 장착할 수 있는 임의의 투명한 기판이다. 그러한 투명 기판은 한정적이지는 않지만, 유리, 플라스틱 및 투명 폴리머를 포함한다. 이미지는 투명 기판(810)을 통해 디스플레이되며, 따라서 투명 기판(810)은 영상 표시면(imaging surface)으로서 기능한다.

투명 기판(810) 상에 간섭 변조기(830)를 형성한 후, 단계 920에서 투명 기판(810) 및 간섭 변조기(830)의 상부면 상에 희생층(850)을 형성하는 것이 바람직하다. 그 후, 930단계에서, 포소리소그라피 기술(photolithographic technique)을 이용해 희생층(850)을 패터닝한다. 바람직하게는 이러한 패터닝 공정을 통해 희생층(850)을 간섭 변조기(830)에 배치하면서, 간섭 변조기(830) 주위로 투명 기판(810)을 노출시킨다. 희생층(850)을 침적하고 패터닝한 후, 단계 940에서 박막(820)을 전체 구조 상에 침적한다. 그리고, 단계 950에서, 포소리소그라피 기술을 이용해 박막(820)을 패터닝한다. 이러한 패터닝 공정을 통해 박막(820)을 희생층(850)에 배치한다. 또한, 이러한 패터닝 단계는 박막(820) 내에 추후 희생층(850)을 제거할 수 있도록 하는 특정 형상을 제공한다. 이 공정 단계에서, 간섭 변조기 구조 내에 부가적인 희생층이 잔존하거나 혹은 그렇지 않도록 할 수 있다. 패터닝 단계 930은 희생층(850)의 제거뿐 아니라, 간섭 변조기(830) 내에 잔존하는 모든 희생층의 제거를 가능하게 한다. 단계 960에서 희생층(850) 및 간섭 변조기(830) 내의 모든 희생층을 제거하고, 간섭 변조기(830)와 박막(820) 사이에 캐비티(840)가 남게 된다. 이로써 간섭 변조기(830)의 가공이 완료된다. 단계 970에서 박막(820)에서의 특정 형상이나 개구(opening)는 밀봉된다.

실시예에 따르면, 간섭 변조기(830)는 투명 기판(810) 상에 형성되는 것이 바람직하다. 간섭 변조기(830)의 고정된 미러(fixed mirror)(16a, 16b)는 투명 기판(810)에 인접하고, 이동가능한 미러(14a, 14b)는 고정된 미러(16a, 16b) 위에 형성되어, 이동가능한 미러(14a, 14b)가 도 7에 도시된 실시예의 패키지 구조의 캐비티(840) 내부에서 이동하게 된다.

간섭 변조기(830)를 형성하기 위해, 일실시예에서 투명 기판(810)은 인듐주석산화물(ITO)로 도포된다. ITO는 표준 침적 기술에 의해 바람직하게는 약 500 Å의 두께로 침적된다. 표준 침적 기술에는 화학 증착법(CVD) 및 스퍼터법(sputtering) 등이 있다. 크롬으로 된 상대적으로 얇은 층이 ITO상에 침적되는 것이 바람직하다.. 그후, ITP/크롬 이중층은 수직열로 에칭 및 패터닝되어 수직열 전극(16a, 16b)를 형성한다. 부분적으로 반사하는 고정된 미러(16a, 16b)를 만들기 위해, ITO/크롬 수직열 상에 이산화규소 (SiO2) 층을 형성하는 것이 바람직하다. 고정된 미러(16a, 16b)와 이동가능한 미러(14a, 14b) 사이에 공진 광학 캐비티를 만들기 위해, 전술한 구조 상에 실리콘 희생층을 도포(차후에 제거되는)하는 것이 바람직하다. 또 다른 실시예에서, 이러한 희생층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다.

알루미늄으로 형성되는 것이 바람직한 또 다른 미러 층이 실리콘 희생층 위에 침적되어, 간섭 변조기(830)의 이동가능한 미러(14a, 14b)를 구성한다. 이러한 미러층은 수직열 전극(16a, 16b)에 직교하는 수평열로 침적 및 패터닝되어, 전술한 행렬 어레이를 형성한다. 다른 실시예에서, 이러한 미러 층은 은(Ag) 또는 금(Au)과 같은 반사성이 높은 금속을 포함할 수 있다. 다르게는, 이러한 미러층은 적절한 광학적, 기계적 속성을 갖도록 형성된 금속 스택(stack)일 수도 있다.

고정된 미러(16a, 16b)와 이동가능한 미러(14a, 14b) 사이에 광학 캐비티를 구성하기 위해, 이동가능한 미러(14a, 14b)를 형성한 후에, 바람직하게는 가스 에칭 공법을 이용하여 실리콘 희생층을 제거한다. 일실시예에서, 이러한 희생층은 박막(820)이 형성된 후에 에칭으로 제거한다. 표준 에칭 기술을 사용하여 실리콘 희생층을 제거할 수 있다. 제거되는 재료에 따라 특정의 제거 에칭법(release etching)이 결정된다. 예를 들어, 이플루오르화크세논(XeF₂)을 이용해 실리콘 희생층을 제거할 수 있다. 일실시예에서, 미러들(16a, 16b, 14a, 14b)사이의 실리콘 희생층은 박막(820)이 형성된 후에 제거된다. 당업자라면 표준 침적 기술 및 표준 포토리소그라피 기술을 이용해 간섭 변조기(830)의 각각의 층을 침적 및 패터닝하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있을 것이다.

도 9에 도시된 바와 같이, 투명 기판(810) 상에 간섭 변조기(830)를 형성한 후, 투명 기판(810) 및 간섭 변조기(830)의 상부면 상에 희생층(850)을 추가로 침적시킨다. 이 희생층(850)은 예컨데, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 또는 티타늄(Ti)과 같은 재료로 구성될 수 있으며, 박막(820)의 침적 후에 제거될 수 있다. 일실시예에서, 희생층(850)은 폴리머, 스핀-온 유리(spin-on glass) 또는 산화물과 같은 재료로 형성된다. 제거 공정은 희생층의 재료에 따라 상이할 수 있으며, 이하에서 상세히 설명한다.

당업자라면 희생층의 재료가 각 단계를 충분히 만족하고, 원하는 두께로 침적될 수만 있으면, 몰리브덴 (Mo), 실리콘 (Si), 텅스텐 (W), 티타늄 (Ti), 폴리머, 스핀-온 유리, 또는 산화물 중 어느 것으로도 형성할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 희생층(850)의 두께는 박막(820)과 간섭 변조기(830)를 분리할 수 있을 만큼 충분해야 한다. 일실시예에서, 상부 희생층(850)은 그 두께가 약 1000 Å 내지 1 μm 범위, 보다 바람직하게는 약 1000 Å 내지 5000 Å 범위가 되도록 침적된다. 일실시예에서, 희생층(850)은 표준 포토리소그라피 기술을 이용해 패터닝 및 에칭된다.

일실시예에서, 도 10에 도시된 바와 같이 희생층(850)의 전체 상부면 상에 박막(820)이 침적될 수 있다. 박막(820)은 종래의 침적 기술을 이용해 희생층(850) 상에 형성될 수 있다. 박막(820)이 패터닝 및 에칭된 후, 도 8에 도시된 바와 같이 희생층(850)이 제거되어 캐비티(840)가 형성되는데, 이동가능한 미러(14a, 14b)가 이 캐비티(840) 내에서 이동할 수 있다.

박막(820)은 패터닝 및 에칭되어 적어도 하나의 개구를 형성하는 것이 바람직하다. 이 개구를 통하여 이플루오르화크세논(XeF₂)과 같은 제거 물질을 패키지 구조(800)의 내부로 유입하여, 희생층(850)을 제거한다. 이러한 개구의 수와 크기는 원하는 희생층(850)의 제거 속도에 따라 정해진다. 개구는 박막(820)의 어디에나 설치될 수 있다. 소정의 실시예에서, 이 희생층(850) 및 (고정된 미러(16a, 16b)와 이동가능한 미러(14a, 14b) 사이의)간섭 변조기의 희생층은 동시에 제거될 수 있다. 다른 실시예에서, 이 희생층(850) 및 간섭 변조기 내의 희생층은 동시에 제거되지 않고, 간섭 변조기 내의 희생층 제거에 앞서 이 희생층(850)을 제거한다.

대안적인 제거 기법이 도 11의 실시예에 도시되어 있다. 도 11에는 박막(820)이 침적 및 패터닝된 후, 희생층(850)이 제거되기 전에 패키지 구조(800)의 실시예의 평면도가 도시되어 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 희생층(850)은 복수의 돌기부(855)를 구비하도록 침적 및 패터닝된다. 그 후, 박막(820)은 희생층(850) 및 투명 기판(810) 상에 침적된다. 박막(820)이 침적된 후, 도 11에 도시된 바와 같이, 박막의 각 측면이 에칭되는 것이 바람직하다. 그 후, 패키지 구조(800)를 이플루오르화크세논(XeF₂)과 같은 제거 물질에 노출시킨다. 이 제거 물질은 노출된 희생층(850) 재료와 먼저 반응하고, 이 후 패키지 구조의 측면에 희생층(850)의 제거로 돌기부(855)에 형성된 개구를 통해, 패키지 구조(800) 내로 유입된다. 돌기부(855)의 수와 크기는 원하는 희생층(850)의 제거 속도에 좌우된다.

몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 또는 티타늄(Ti) 희생층을 제거하기 위해, 이플루오르화크세논(XeF₂)이 박막(820)의 개구를 통해 패키지 구조(800) 내부로 유입될 수 있다. 이러한 박막(820)의 개구는 에칭으로 만드는 것이 바람직하다. 이플루오르화크세논(XeF₂)은 희생층(850)과 반응해 이를 제거하고, 간섭 변조기(830)와 박막(820) 사이에 캐비티(840)를 만든다. 박막(820)이 침적된 후, 스핀-온 유리 또는 산화물로 형성된 희생층(850)은 가스 에칭 또는 증기 에칭으로 제거되는 것이 바람직하다. 제거 공정은 희생층(850)으 재료에 좌우된다.

또한, 캐비티(840)는 필수적으로 간섭 변조기(830)의 이면에 위치하여, 이동가능한 미러(14a, 14b)와 같은 간섭 변조기(830)의 기계적인 부분이 자유롭게 이동할 수 있도록 해야 한다. 캐비티(840)의 높이(h)는 희생층(850)의 두께에 따라 정해진다.

몇몇 실시예에서, 박막(820)은, 한정되지는 않지만, 니켈, 알루미늄 및 다른 종류의 금속 및 금속박(foil)을 포함하는 밀폐성(hermetic) 또는 소수성(hydrophobic) 재료일 수 있다. 또한 박막(820)은, 한정되지는 않지만, 이산화규소, 산화알루미늄 또는 질화물을 포함하는 절연재로 구성될 수 있다.

대안적으로, 박막(820)은 비밀폐성 재료(non-hermetic material)로 형성될 수 있다. 적절한 비밀폐성 재료로는, 예컨대 PMMA, 에폭시, 및 유기 또는 무기 스핀-온 유리(SOG) 형태 재료와 같은 폴리머가 있다. 박막(820)으로서 비밀폐성 재료가 사용되면, 도 12에 도시된 바와 같이 비밀폐성 박막 위에 보호층(860)을 형성하여, 희생층(850)이 제거된 후에 간섭 변조기(830)를 추가적으로 보호하는 것이 바람직하다. 그러한 보호층(860)은 증기 장벽으로 형성되며, 약 1000 Å 내지 10,000 Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 일실시예에서, 미국 캘리포니아 산호세에 위치한 바이텍스 시스템사(Vitex Systems, Inc.)가 제조하였으며 상업적으로 입수가능한 Barix™가 보호층(860)으로 사용된다. 이러한 보호층은 다층으로 구성될 수 있는데, 다층 구조에서 몇몇 층은 가스 밀폐 작용을 하고, 다른 몇몇 층은 이하에서 설명할 기계적인 작용을 한다.

박막(820)이 소수성 재료인 소정의 실시예에서, 필수적으로 밀폐 구조를 형성하지는 않지만, 종래의 백플레인을 사용할 필요성은 없앨 수 있다. 추가적으로 필요한 습기 장벽은 모듈 레벨에서의 패키징의 다음 단계에서 결합될 수 있다.

박막(820)은 화학 증착법(CVD) 또는 다른 적절한 침적 방법에 의해 약 1 μm 두께로 침적될 수 있다. 박막(820)의 두께는 선택된 재료의 특성에 따라 결정될 수 있다.

박막(820)은 투명 또는 불투명일 수 있다. 이미지가 박막(820)을 통해 보여지는 것이 아니라 투명 기판(810)을 통해 보여지는 것이므로, 박막(820)이 투명할 필요는 없다. 스핀-온 유리와 같은 투명한 재료는, 간섭 변조기(830)의 보호를 위해 박막(820)으로 사용하기에 적합한 재료 특성을 갖고 있기 때문에, 박막(820)을 형성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 투명한 스핀-온 유리와 같은 재료는 패키지 구조(800) 내의 간섭 변조기(830)의 보호 및 강도를 더욱 강화시킬 수 있다.

희생층(850)이 제거된 후, 박막(820)의 개구는 밀봉되는 것이 바람직하다. 실시예에서, 이러한 개구를 밀봉하는 데 에폭시가 사용되었다. 또한, 다른 재료가 사용될 수도 있으며, 점도가 높은 재료가 바람직하다. 개구가 충분히 작으면(예를 들어 1 μm 이하), 개구를 밀봉하기 위해 또 다른 박막층(820)이 사용될 수 있다.

한정되지는 않지만, 밀폐성 박막(820)을 가진 소정의 실시예를 포함하는 몇몇 실시예에서, 도 12에 도시된 바와 같이 희생층(850)이 제거된 후, 박막(820) 상에 보호층(860)이 적층될 수 있다. 보호층은 폴리머로 형성되는 것이 바람직하며, 약 1 μm 내지 수 mm의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 보호층(860)은 박막(820)의 강도 및 강성을 더해준다. 박막(820)의 개구가 충분히 작은(예를 들어, 1 μm 이하) 소정의 실시예에서는, 전술한 바와 같이 또 다른 박막층(820)을 사용하는 대신, 보호층(860)을 사용하여 개구를 밀봉하게 된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 박막(820)은 패키지 구조(800)의 내부를 주변 환경으로부터 밀봉하는 것이 바람직하다. 박막(820)이 밀폐 구조를 제공하므로, 습기가 주변 환경으로부터 패키지 구조(800)로 유입되지 않고, 따라서 건조제를 사용할 필요가 없다. 또 다른 실시예에서, 박막(820)은 반밀폐 구조를 제공하므로, 과도하게 초과하는 습기를 흡수하기 위해 패키지 구조(800) 내에 건조제가 포함된다.

건조제는 패키지 구조(800) 내에 있는 습기를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 박막(820)이 선택된 재료에 따라 밀폐성 밀봉을 제공할 수도 있으므로, 대기 중의 습기가 패키지 구조(800)의 내부로 유입되는 것을 방지하기 위해 건조제가 반드시 요구되는 것은 아니다. 반밀폐성 박막(820)을 사용하는 경우에, 요구되는 건조제의 양은 감소한다.

본 실시예에 따른 간섭 변조기의 패키징 방법에 의해, 패키지 구조(800)의 밀봉은 전단 공정(front-end processing)에 병합되며, 별개의 백플레인, 건조제, 밀봉재를 불필요하게 함으로써, 패키징 비용이 감소한다. 또 다른 실시예에서, 박막(820)에 의해 건조제가 불필요하게 된 것은 아니지만, 건조제의 양을 감소시킨다. 이러한 실시예에 따른 패키징 방법으로 건조제 및 밀봉재에 대한 재료의 제한 조건이 감소하고, 따라서 재료 및 형상의 선택의 폭, 및 비용 절감 기회가 증가한다. 박막(820)은 밀폐성에 대한 요구조건을 완화시킬 수 있으며, 이는 백플레인을 제거할 수 있게 할뿐 아니라, 어떠한 부가적인 습기 장벽(moisture barrier)에 대한 요구 조건을 모듈 레벨의 패키징에 병합시킬 수 있도록 한다. 일반적으로 패키지 구조를 가능한 얇게 유지하는 것이 바람직하며, 도 7에 도시되어 있는 패키지 구조(800)는 얇은 구조를 제공한다.

또한, 건조제의 필요성을 제거함으로써, 패키지 구조(800)의 두께는 더욱 얇아질 수 있다. 일반적으로, 건조제를 포함한 패키지에 있어서, 기기의 예상 수명은 건조제의 수명에 따라 좌우된다. 건조제가 완전히 소모되면, 패키지 구조 내로 간섭 변조기를 손상시킬 수 있을 만큼 충분한 습기가 유입되므로, 간섭 변조기 디스플레이는 고장을 일으킬 것이다. 기기의 이론적 최대 수명은 패키지 내로의 수증기 유입 및 건조제의 형태와 양에 따라 결정된다. 본 실시예에 따른 패키지 구조(800)는 건조제를 포함하지 않기 때문에, 건조제의 소모로 인한 고장이 발생하지 않을 것이다.

또 다른 실시예에서, 박막(820)을 밀폐시키지 않고 이플루오르화크세논(XeF₂) 또는 다른 제거 가스(removal gas)가 침투할 수 있게 함으로써, 희생층(850)과 반응해 이를 제거하여, 간섭 변조기(830)와 박막(820) 사이에 캐비티(840)를 만든다. 본 실시예에 따르면, 박막(820)으로서 적절한 몇몇 재료는, 한정적이지는 않지만, 다공성 알루미나(porous alumina) 및 소정의 에어로젤(aerogel)을 포함한다. 본 실시예에서, 박막(820)에 이플루오르화크세논(XeF₂) 또는 다른 제거 가스가 침투할 수 있다면, 반드시 개구를 형성할 필요는 없다. 희생층(850)이 제거된 후에는, 밀폐성 보호층(860)을 박막(820) 상에 침적하여 패키지 구조(800)를 밀봉하는 것이 바람직하다. 이러한 실시예에서, 보호층(860)은 금속으로 형성되는 것이 바람직하다.

도 13a 및 13b는 디스플레이 기기(2040)의 실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. 디스플레이 기기(2040)는, 예컨대, 휴대 전화기일 수 있다. 그러나, 텔레비전이나 휴대용 미디어 플레이어와 같이 디스플레이 기기(2040)와 동일한 구성품이나 약간 변형된 것도 디스플레이 기기의 여러 가지 형태의 예에 해당한다.

디스플레이 기기(2040)는 하우징(2041), 디스플레이(2030), 안테나(2043), 스피커(2045), 입력 기기(2048), 및 마이크(2046)를 포함한다. 하우징(2041)은 일반적으로 사출 성형이나 진공 성형을 포함하여 해당 기술분야에서 잘 알려진 여러 가지 제조 공정 중 어느 것에 의해서도 제조될 수 있다. 또한, 하우징(2041)은, 한정되는 것은 아니지만, 플라스틱, 금속, 유리, 고무, 및 세라믹 또는 이들의 조합을 포함하여 여러 가지 재료 중 어느 것으로도 만들어질 수 있다. 일실시예에서, 하우징(2041)은 분리가능한 부분(도시되지 않음)을 포함하고, 이 분리가능한 부분은 다른 색깔이나 다른 로고, 그림 또는 심볼을 가진 다른 분리가능한 부분으로 교체될 수 있다.

본 예의 디스플레이 기기(2040)의 디스플레이(2030)는, 여기서 개시한 쌍안정(bi-stable) 디스플레이를 포함하여, 여러 가지 디스플레이 중 어느 것이어도 무방하다. 다른 실시예에서, 디스플레이(2030)는, 상술한 바와 같은, 플라즈마, EL, OLED, STN LCD, 또는 TFT LCD 등과 같은 평판 디스플레이와, 해당 기술분야에서 당업자에게 잘 알려진 바와 같은, CRT나 다른 튜브 디스플레이 기기 등과 같은 비평판 디스플레이를 포함한다. 그러나, 본 실시예를 설명하기 위해, 디스플레이(2030)는 여기서 설명하는 바와 같이 간섭 변조기 디스플레이를 포함한다.

예시된 디스플레이 기기(2040)의 일실시예에서의 구성요소가 도 13b에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 예의 디스플레이 기기(2040)는 하우징(2041)을 포함하고, 적어도 부분적으로 하우징 내에 배치되어 있는 구성요소들을 추가로 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 본 예의 디스플레이 기기(2040)가 송수신기(2047)와 연결된 안테나(2043)를 포함하는 네트워크 인터페이스(2027)를 포함할 수 있다. 송수신기(2047)는 프로세서(2021)에 연결되어 있고, 프로세서(2021)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning 하드웨어)(2052)에 연결되어 있다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 신호를 고르게 하도록(예컨대, 신호를 필터링하도록) 구성될 수 있다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 스피커(2045)와 마이크(2046)에 연결되어 있다. 프로세서(2021)는 입력 기기(2048)와 드라이버 컨트롤러(2029)에도 연결되어 있다. 드라이버 컨트롤러(2029)는 프레임 버퍼(2028)와 어레이 드라이버(2022)에 연결되어 있고, 어레이 드라이버는 디스플레이 어레이(2030)에 연결되어 있다. 전원(2050)은 예시된 디스플레이 기기(2040)의 특정 설계에 따라 요구되는 모든 구성요소에 전력을 공급한다.

네트워크 인터페이스(2027)는 예시된 디스플레이 기기(2040)가 네트워크를 통해 하나 이상의 기기들과 통신할 수 있도록 안테나(2043)와 송수신기(2047)를 포함한다. 일실시예에서, 네트워크 인터페이스(2027)는 프로세서(2021)의 부담을 경감하기 위해 어느 정도의 처리 능력을 가질 수도 있다. 안테나(2043)는 신호를 송수신하는 것으로서, 해당 기술분야의 당업자에게 알려진 어떠한 안테나라도 무방하다. 일실시예에서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b), 또는 (g)를 포함하여 IEEE802.11 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 다른 실시예에서, 안테나는 블루투스 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 휴대 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS 또는 무선 휴대폰 네트워크를 통한 통신에 사용되는 공지의 다른 신호를 수신하도록 설계된다. 송수신기(2047)는 안테나(2043)로부터 수신한 신호를, 프로세서(2021)가 수신하여 처리할 수 있도록 전처리한다. 또한, 송수신기(2047)는 프로세서(2021)로부터 수신한 신호를, 안테나(2043)를 통해 본 예의 디스플레이 기기(2040)로부터 전송될 수 있도록 처리한다.

다른 실시예에서, 송수신기(2047)를 수신기로 대체할 수 있다. 또다른 실시예에서, 네트워크 인터페이스(2027)는 프로세서(2021)로 전송될 이미지 데이터를 저장하거나 생성할 수 있는 이미지 소스로 대체될 수 있다. 예컨대, 이미지 소스는 이미지 데이터를 담고 있는 DVD나 하드디스크 드라이브일 수도 있고, 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈일 수도 있다.

프로세서(2021)는 일반적으로 본 예의 디스플레이 기기(2040)의 전반적인 동작을 제어한다. 프로세서(2021)는 네트워크 인터페이스(2027)나 이미지 소스로부터 압축된 이미지 데이터 등을 수신하여, 이를 본래의 이미지 데이터 또는 본래의 이미지 데이터로 처리될 수 있는 포맷으로 가공한다. 그런 다음, 프로세서(2021)는 가공된 데이터를 드라이버 컨트롤러(2029)나 저장을 위한 프레임 버퍼(2028)로 보낸다. 전형적으로, 본래의 데이터는 이미지 내의 각 위치에 대한 이미지 특성을 나타내는 정보를 말한다. 예컨대, 그러한 이미지 특성은 컬러, 채도, 명도(그레이 스케일 레벨)를 포함할 수 있다.

일실시예에서, 프로세서(2021)는 마이크로컨트롤러, CPU, 또는 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어하는 논리 유닛을 포함한다. 일반적으로, 컨디셔닝 하드웨어(2052)는, 스피커(2045)로 신호를 보내고 마이크(2046)로부터 신호를 받기 위해, 증폭기와 필터를 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 예시된 디스플레이 기기(2040) 내의 별도의 구성요소일 수도 있고, 또는 프로세서(2021)나 다른 구성요소 내에 통합되어 있을 수도 있다.

드라이버 컨트롤러(2029)는 프로세서(2021)에 의해 생성된 본래의 이미지 데이터를 이 프로세서(2021)로부터 직접 또는 프레임 버퍼(2028)로부터 받아서, 이를 어레이 드라이버(2022)에 고속으로 전송하기에 적합한 포맷으로 재구성한다. 구체적으로, 드라이버 컨트롤러(2029)는 디스플레이 어레이(2030)를 가로질러 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가지도록 본래의 이미지 데이터를 래스터(raster)와 같은 포맷을 가진 데이터 흐름으로 재구성한다. 그런 다음, 드라이버 컨트롤러(2029)는 재구성된 정보를 어레이 드라이버(2022)로 보낸다. 종종 액정 디스플레이의 컨트롤러 등과 같은 드라이버 컨트롤러(2029)가 독립형 집적 회로(stand-alone IC)로서 시스템 프로세서(2021)와 통합되기도 하지만, 이러한 컨트롤러는 여러 가지 방법으로 구현될 수 있다. 이러한 컨트롤러는 프로세서(2021)에 하드웨어 또는 소프트웨어로서 내장될 수도 있고, 또는 어레이 드라이버(2022)와 함께 하드웨어로 완전히 통합될 수도 있다.

전형적으로, 어레이 드라이버(2022)는 드라이버 컨트롤러(2029)로부터 재구성된 정보를 받아서, 이 비디오 데이터를 디스플레이의 x-y 행렬의 픽셀들로부터 이어져 나온 수 백 때로는 수 천 개의 리드선에 초당 수 회에 걸쳐 인가되는 병렬의 파형 세트로 변환한다.

일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029), 어레이 드라이버(2022), 및 디스플레이 어레이(2030)는 여기서 기술한 어떠한 형태의 디스플레이에 대해서도 적합하다. 예컨대, 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029)는 종래의 디스플레이 컨트롤러 또는 쌍안정 디스플레이 컨트롤러(예컨대, 간섭 변조기 컨트롤러)이다. 다른 실시예에서, 어레이 드라이버(2022)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플레이 드라이버(예컨대, 간섭 변조기 디스플레이)이다. 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029)는 어레이 드라이버(2022)와 통합되어 있다. 그러한 예는 휴대폰, 시계 및 다른 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에서는 일반적인 것이다. 또다른 실시예에서, 디스플레이 어레이(2030)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예컨대, 간섭 변조기 어레이를 포함하는 디스플레이)이다.

입력 기기(2048)는 사용자로 하여금 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어할 수 있도록 한다. 일실시예에서, 입력 기기(2048)는 쿼티(QWERTY) 키보드나 전화기 키패드 등의 키패드, 버튼, 스위치, 터치 스크린, 압력 또는 열 감지 막을 포함한다. 일실시예에서, 마이크(2046)는 예시된 디스플레이 기기(2040)의 입력 기기이다. 기기에 데이터를 입력하기 위해 마이크(2046)가 사용되는 경우에, 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어하기 위해 사용자는 음성 명령을 제공할 수 있다.

전원(2050)은 해당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 에너지 저장 기기를 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 전원(2050)은 니켈-카드뮴 전지나 리튬-이온 전지와 같은 재충전가능한 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(2050)은 재생가능한 에너지원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지와 태양 전지 도료를 포함하는 태양 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(2050)은 콘센트로부터 전력을 공급받도록 구성된다.

몇몇 구현예에서는, 상술한 바와 같이, 전자 디스플레이 시스템 내의 여러 곳에 위치될 수 있는 드라이버 컨트롤러의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수 있다. 어떤 경우에는, 어레이 드라이버(2022)의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수도 있다.. 해당 기술분야의 당업자라면 임의의 수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성요소로도 상술한 최적화 상태를 구현할 수 있고, 또 여러 가지 다양한 구성으로 구현할 수도 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다.

이상의 설명에서는 여러 가지 실시예에 적용된 본 발명의 신규한 특징을 보여주고, 설명하고 또 지적하였지만, 본 발명의 사상으로부터 이탈하지 않는 범위 내에서 당업자가 예시된 기기 또는 공정의 상세한 구성이나 형태로부터 다양하게 생략하고 대체하고 변경하는 것이 가능하다는 것을 알아야 한다. 인식하고 있는 바와 같이, 몇몇 특징은 다른 특징들과 분리되어 사용되거나 실현될 수 있으므로, 본 발명은 여기에 개시된 특징과 장점을 모두 가지고 있지는 않은 형태로 구현될 수도 있다.

Claims

광을 간섭 방식으로 변조하도록 구성된 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 디스플레이 기기에 있어서,
투명 기판;
상기 이동가능한 미러의 어레이를 포함하고, 상기 투명 기판을 투과한 광을 변조시키도록 구성된 간섭 변조기: 및
상기 투명 기판과의 사이의 패키지 내에 상기 이동 가능한 미러의 어레이를 밀봉시키는 박막 백플레인(thin film backplane)
을 포함하며,
상기 이동가능한 미러의 어레이와 상기 박막 백플레인 사이에 갭이 존재하는,
디스플레이 기기.
제1항에 있어서,
상기 갭은 상기 이동가능한 미러의 어레이와 상기 박막 백플레인 사이에 위치하는 희생층을 제거함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제1항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 밀폐성 재료(hermetic material)를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제1항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 니켈로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제1항에 있어서
상기 박막 백플레인은 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
광을 간섭 방식으로 변조하도록 구성된 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 디스플레이를 제조하는 방법에 있어서,
투명 기판을 제공하는 단계;
상기 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 간섭 변조기를 상기 투명 기판 상에 형성하는 단계; 및
상기 이동가능한 미러의 어레이 및 상기 투명 기판 위에 박막 백플레인을 형성하여, 상기 투명 기판과 상기 박막 백플레인 사이에 상기 이동가능한 미러의 어레이를 밀봉하는 단계
를 포함하며,
상기 이동가능한 미러의 어레이와 상기 박막 백플레인 사이에 갭이 존재하는,
디스플레이 기기의 제조방법.
제6항에 있어서,
상기 박막 백플레인을 형성하기 전에, 상기 간섭 변조기 상에 희생층을 형성하는 단계; 및
상기 간섭 변조기와 상기 박막 백플레인 사이에 갭을 만들기 위해, 상기 박막 백플레인을 형성한 후 상기 희생층을 제거하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제7항에 있어서,
상기 박막 백플레인을 패터닝하여, 상기 박막 백플레인에 하나 이상의 개구를 만드는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제7항에 있어서,
상기 희생층의 일부를 노출시키도록 상기 박막 백플레인을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제6항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제6항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 니켈로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제6항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 스핀-온 유리(spin-on glass)로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제6항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 밀폐성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제7항에 있어서,
상기 희생층이 스핀-온 유리로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
광을 간섭 방식으로 변조하도록 구성된 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기에 있어서,
투명 기판;
상기 투명 기판 상에 형성되고, 상기 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 간섭 변조기; 및
상기 이동가능한 미러의 어레이를 상기 투명 기판과의 사이에 캡슐화(encapsulation)하도록 상기 투명 기판에 밀봉되는 박막 백플레인
을 포함하고,
상기 박막 백플레인과 상기 이동가능한 미러의 어레이 사이에 캐비티(cavity)가 존재하는,
미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제15항에 있어서,
상기 캐비티가 상기 이동가능한 미러의 어레이와 상기 박막 백플레인 사이의 희생층을 제거함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제15항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 이동가능한 미러의 어레이에서의 하나 이상의 이동가능한 미러가 이동할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제15항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 밀폐성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제15항에 있어서,
상기 박막 백플레인 상에 형성된 보호층(overcoat layer)을 더 포함하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제19항에 있어서,
상기 보호층이 증기 장벽 재료(vapor barrier material)를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제19항에 있어서,
상기 보호층이 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제15항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
제15항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 기전 시스템 디스플레이 기기.
광을 간섭 방식으로 변조하도록 구성된 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 디스플레이 기기에 있어서,
투명 기판;
상기 이동가능한 미러의 어레이를 포함하며, 상기 투명 기판 상에 형성되고, 상기 투명 기판을 투과한 광을 변조하도록 구성된 간섭 변조기;
상기 이동가능한 미러의 어레이 상에 형성되고, 상기 투명 기판과의 사이의 패키지 내에 상기 이동가능한 미러의 어레이를 밀봉하는 박막 백플레인; 및
상기 이동가능한 미러의 어레이와 상기 박막 백플레인 사이에 위치하며, 희생 재료를 제거함으로써 형성되는 캐비티
를 포함하는 디스플레이 기기.
제24항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 밀폐성인 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제24항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 금속인 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제24항에 있어서,
상기 박막 백플레인이 폴리머인 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
광을 간섭 방식으로 변조하도록 구성된 이동가능한 미러의 어레이를 포함하는 디스플레이 기기에 있어서,
광을 투과시키는 투과 수단;
상기 투과 수단을 투과한 광을 변조하도록 구성되고, 상기 이동가능한 미러의 어레이를 구비하는 간섭 변조기를 포함하는 변조 수단; 및
상기 투과 수단과의 사이의 패키지 내에 상기 이동가능한 미러의 어레이를 밀봉하는 밀봉 수단
을 포함하며,
상기 밀봉 수단이 박막을 포함하고,
상기 이동가능한 미러의 어레이와 상기 밀봉 수단 사이에 캐비티가 존재하는,
디스플레이 기기.
제28항에 있어서,
상기 밀봉 수단이 밀폐성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제28항에 있어서,
상기 박막은 이플루오르화크세논(xenon diflouride)이 침투할 수 있는 것이고, 상기 밀봉 수단은 상기 박막 상에 형성된 밀폐성 재료를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
제6항에 있어서,
상기 박막 백플레인을 형성하기 전에 상기 이동가능한 미러의 어레이 위에 희생층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제31항에 있어서,
상기 이동가능한 미러의 어레이 위에 희생층을 형성하는 단계는, 상기 희생층의 일부 또는 전부 위에 상기 박막 백플레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제1항에 있어서,
상기 간섭 변조기는 어레이로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
기판 상에 배치되고 제1 개구를 가지며, 제1 희생층과 상기 제1 희생층의 적어도 일부 위에 위치하는 이동가능한 층을 포함하는 기전 기기;
상기 기전 기기 위에 위치하고, 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 희생층에 노출되는 제2 희생층; 및
제2 개구를 가진 박막 백플레인
을 포함하고,
상기 박막 백플레인은, 상기 제2 희생층 위에 위치하고 상기 기판과 상기 박막 백플레인 사이에 형성된 패키지 내에 상기 기전 기기를 밀폐하고,
상기 제1 희생층과 상기 제2 희생층은 서로 다른 재료로 형성되는,
디스플레이 기기.
제34항에 있어서,
상기 박막 백플레인과 상기 기전 기기 사이의 패키지 내에 배치된 건조제를 더 포함하는 디스플레이 기기.
제34항에 있어서,
상기 박막 백플레인의 적어도 일부 위에 침적된 보호층을 더 포함하는 디스플레이 기기.
기판 상에 기전 기기를 제공하는 단계-상기 기전 기기는 제1 개구를 가지며 제1 희생층과 상기 제1 희생층의 적어도 일부 위에 위치하는 이동가능한 층을 포함함-;
상기 기전 기기 위에, 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 희생층에 노출되도록 제2 희생층을 침적시키는 단계; 및
상기 제2 희생층 위에 박막 백플레인을 침적시켜서 상기 기판과 상기 박막 백플레인 사이에 형성된 패키지 내에 상기 기전 기기를 밀폐시키는 단계
를 포함하고,
상기 제1 희생층과 상기 제2 희생층은 서로 다른 재료로 형성되며,
상기 박막 백플레인은 제2 개구를 가지는,
디스플레이 기기의 제조방법.
제37항에 있어서,
상기 박막 백플레인의 적어도 일부 위에 보호층을 침적시키는 단계를 더 포함하는 디스플레이 기기의 제조방법.
기판 상에 배치되고 제1 개구를 가지며, 제1 희생층의 적어도 일부 위에 위치하는 이동가능한 층을 포함하는 기전 기기;
상기 기전 기기 위에 위치하고, 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 희생층의 일부에 노출된 제2 희생층;
상기 제2 희생층 위에 위치하여 상기 기판과의 사이에 패키지 구조가 형성되도록 하는 박막 백플레인; 및
상기 패키지 구조 내에 배치된 건조제
를 포함하는 디스플레이 기기.
제39항에 있어서,
상기 건조제는 상기 박막 백플레인과 상기 기전 기기 사이에 배치되는, 디스플레이 기기.
제39항에 있어서,
상기 박막 백플레인의 적어도 일부 위에 배치된 보호층을 더 포함하는 디스플레이 기기.
기판 상에 기전 기기를 제공하는 단계-상기 기전 기기는 제1 개구를 가지며 제1 희생층 위에 위치하는 이동가능한 층을 포함함-;
상기 기전 기기 위에 제2 희생층을 침적시키는 단계-상기 제2 희생층은 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 희생층의 일부에 노출됨-;
상기 제2 희생층 위에 박막 백플레인을 침적시켜서 상기 박막 백플레인과 상기 기판 사이에 패키지 구조가 형성되도록 하는 단계-상기 패키지 구조 내에 건조제가 포함됨-; 및
상기 제1 희생층 및 제2 희생층을 제거하는 단계-상기 제2 희생층을 제거함으로써 상기 기전 기기 위 상기 박막 백플레인 아래에 갭이 제공되고, 상기 건조제의 적어도 일부는 상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층과 함께 제거되지 않음-;
을 포함하는 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 박막 백플레인 위에 보호층을 침적시키는 단계를 더 포함하고,
상기 보호층은 폴리머로 형성되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
삭제
제34항에 있어서,
상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층 중 적어도 하나는 이플루오르화크세논(xenon diflouride)을 이용하여 제거되도록 구성되는, 디스플레이 기기.
제34항에 있어서,상기 제1 희생층은 몰리브덴(molibdenum), 실리콘(silicon), 텅스텐(tungsten) 및 티타늄(titanium) 중 적어도 하나로 형성되는, 디스플레이 기기.
제34항에 있어서,
상기 제2 희생층은 몰리브덴(molibdenum), 실리콘(silicon), 텅스텐(tungsten) 및 티타늄(titanium) 중 적어도 하나로 형성되는, 디스플레이 기기.
제34항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 밀폐성 재료(hermetic material)로 형성되는, 디스플레이 기기.
제36항에 있어서,
상기 보호층은 상기 박막 백플레인의 전체 위에 침적되는, 디스플레이 기기.
제36항에 있어서,
상기 보호층은 밀폐성 재료, 증기 장벽 재료(vapor barrier material), 및 폴리머 중 적어도 하나로 형성되는, 디스플레이 기기.
제34항에 있어서,
상기 기판은 투명 기판을 포함하는, 디스플레이 기기.
제34항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 금속 및 폴리머 중 적어도 하나로 형성되는, 디스플레이 기기.
제37항에 있어서,
상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층 중 적어도 하나가 이플루오르화크세논(xenon diflouride)을 이용하여 제거되는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제39항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 금속 또는 폴리머로 형성되는, 디스플레이 기기.
제42항에 있어서,
상기 제1 희생층의 적어도 일부는 상기 제2 희생층의 적어도 일부와 동시에 제거되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층 모두가 실질적으로 동시에 제거되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층 중 적어도 하나는 이플루오르화크세논(xenon diflouride)을 이용하여 제거되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층은 서로 다른 재료로 형성되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 제1 희생층 또는 상기 제2 희생층은 몰리브덴(molibdenum), 실리콘(silicon), 텅스텐(tungsten) 또는 티타늄(titanium) 중 적어도 하나로 형성되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 밀폐성 재료(hermetic material)로 형성되는, 디스플레이 기기의 제조방법.
제42항에 있어서,
상기 박막 백플레인은 금속으로 형성되는, 디스플레이 기기의 제조방법.