JP2876530B1 - 固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法 - Google Patents

固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法

Info

Publication number
JP2876530B1
JP2876530B1 JP10041835A JP4183598A JP2876530B1 JP 2876530 B1 JP2876530 B1 JP 2876530B1 JP 10041835 A JP10041835 A JP 10041835A JP 4183598 A JP4183598 A JP 4183598A JP 2876530 B1 JP2876530 B1 JP 2876530B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
fixed
movable portion
movable part
heating element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10041835A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11238890A (ja
Inventor
一慶 伏信
Original Assignee
東京工業大学長
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京工業大学長 filed Critical 東京工業大学長
Priority to JP10041835A priority Critical patent/JP2876530B1/ja
Priority to US09/256,984 priority patent/US6127765A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2876530B1 publication Critical patent/JP2876530B1/ja
Publication of JPH11238890A publication Critical patent/JPH11238890A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002Electrostatic motors
    • H02N1/006Electrostatic motors of the gap-closing type
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0096For avoiding stiction when the device is in use, i.e. after manufacture has been completed
    • B81C1/00968Methods for breaking the stiction bond

Abstract

【要約】 【課題】 可動部を有する超小型素子において、この可
動部が基板などに固着した場合に、その修復を簡単な方
法で行うことができ、かつ製品化後の使用時においても
その修復を行うことが可能な、修復手段を具える素子を
提案する。 【解決手段】 基板と、基板上に形成した、可動部を有
する機能素子部とを具える超小型素子において、前記可
動部と対向する基板上に加熱素子を設け、前記可動部が
前記基板に固着した際に、前記加熱素子で該固着部を加
熱することにより、固着した可動部と前記基板とを分離
させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、超小型素子、特に
圧力センサ、マイクロマシンなどの可動部を有する素子
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】LSIなど超小型素子の製造技術の進歩
に伴い、半導体を用いた圧力センサ、加速度センサなど
の素子が幅広い分野で使用されている。また、近年、こ
れら超小型素子の製造技術を応用して、マイクロマシン
と呼ばれる微小な機械の研究開発が進められている。
【0003】これらのセンサやマイクロマシンの多く
は、例えば図6に簡単な例を示すように、シリコンなど
の基板31上に、いわゆる微細加工技術によりカンチレバ
ー、ダイヤフラムなどの可動部32を形成し、この可動部
の動作によって、その機能を果たしている。
【0004】ところが、これらセンサやマイクロマシン
には、スティクションと呼ばれる現象が発生することが
ある。これは、前述した可動部32が基板31などに固着し
て動かなくなるもので(図7参照)、製造工程、あるい
は実際の使用時において、可動部と基板などとの間に入
った水分が蒸発する過程で表面張力により可動部と基板
とが引き合い、その結果両者が固着してしまうために生
じるものと考えられている。このスティクションは、こ
れらセンサやマイクロマシンの動作不良や故障の原因と
なるため、その解決が望まれている。
【0005】このスティクションを解決するため、固着
した可動部にパルス幅1ps(10-12秒)以下の極短パル
スレーザを照射し、レーザ光のエネルギーによって固着
した部分を切り離すことにより修復を行う方法が提案さ
れている。しかしながら、この方法には、使用するレー
ザ装置が高価であること、および、パッケージに封入さ
れて製品化された素子については使用できない、といっ
た問題点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
したような問題点を解決し、比較的低コストで実現可能
で、かつ製品化された後でも適用できる、スティクショ
ンを生じた可動部の修復を行う修復手段を設けた超小型
素子を提案することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】本
発明による方法は、基板と、基板上に形成した、可動部
を有する機能素子部とを具える超小型素子において、
前記可動部と対向する基板上に加熱素子を設け、前記可
動部が前記基板に固着した際に、前記加熱素子で該固着
部を加熱することにより、固着した可動部と前記基板と
を分離させることを特徴とするものである。
【0008】本発明に係る超小型素子においては、その
製造に際し、可動部と基板との固着、すなわちスティク
ションが発生した場合に、その修復を行うための手段と
して、加熱素子を可動部と対向する基板上に設け、この
加熱素子でスティクションを生じた部分を加熱すること
により、その表面の分子に熱振動を生じさせ、それによ
って固着した可動部と基板との分離を行う。したがっ
て、スティクションの修復のために従来のような高価な
装置を必要としない。特に、予め素子に加熱素子を組み
込んだことにより、製品化された後の使用時においてス
ティクションが発生しても、その場で修復を行うことが
できるようになる。
【0009】また、本発明は、前記した超小型素子の製
造方法に関するものでもある。
【0010】本発明に係る超小型素子の製造方法は、前
記基板上に前記加熱素子を形成する加熱素子形成工程
と、前記基板上に前記加熱素子に通電するための電極を
形成する電極形成工程と、前記基板上に犠牲層を形成す
る犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に可動部を形成する
可動部形成工程と、前記犠牲層を除去することにより前
記機能素子部を形成する犠牲層除去工程とを具える。す
なわち、本発明によれば、通常の超小型素子の製造設備
に新たな設備を追加することなく、スティクションを生
じた可動部の修復を行うための手段を形成することが可
能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について説明する。
【0012】図1および2は、本発明に係る素子の一つ
の簡単な例を示すものである。図示の素子1は、基板2
上に、カンチレバー3を形成し、図示しない電極に通電
することによりカンチレバー3を動作させるものであ
る。カンチレバー3先端部直下の基板2表面には、抵抗
4および電極5a、5bが形成されている。この抵抗4は加
熱素子として働くものであり、カンチレバー3と基板2
との固着、すなわちスティクションが発生した時に、電
極5a、5bより抵抗4に通電して加熱し、その熱によって
固着したカンチレバー3と基板2とを分離させるもので
ある。
【0013】カンチレバー3と基板2との分離は、以下
のようにして行われると考えられる。すなわち、電極5
a、5bにより抵抗4に通電すると、それによって生じる
熱のために固着した部分が加熱される。そのため、固着
した表面の結晶格子に熱振動が生じる。この熱振動によ
って固着した原子が互いに分離し、その結果、カンチレ
バー3と基板2との分離が行われる。なお、抵抗4への
通電時間は、25ns(1ns=10-9秒)程度で良く、この程度
であれば、周辺部分の熱的な損傷が避けられる。
【0014】図3は、本発明に係る素子の製造工程を概
略示す図である。本図は、先の図1および図2に示す素
子を製造する場合を示すものである。まず、シリコン基
板10表面に、抵抗11を形成するために、n型またはp型
の不純物を注入し(図3(b)参照)、次いでその上に電
極12を形成する(図3(c) 参照)。その後これらの上に
犠牲層13を形成し、可動部を形成するために、エッチン
グにより犠牲層13の一部を除去する(図3(d), (e)参
照)。さらに、多結晶シリコン層14をその上に形成し、
エッチングによりカンチレバー15を形成する(図3(f),
(g)参照)。最後に、残りの犠牲層13をエッチングによ
り全て除去して、素子が完成する(図3(h) 参照)。
【0015】図4および5は、本発明に係る圧力センサ
を示すものである。図示のセンサ20は、シリコン基板21
上にシリコンダイアフラム22を、基板21との間に空間23
を設けるように形成し、ダイアフラム22上には、その変
形により生ずる歪みを電気信号に変換するための歪みゲ
ージ24を形成し、基板21に設けた穴25より流入する気体
または液体の圧力によるダイアフラム22の変形を歪みゲ
ージ24により電気信号に変換するものである。図示のセ
ンサ20においても、ダイアフラム22直下の基板21に、ダ
イアフラム23がスティクションを生じた時にその修復を
行うための加熱素子として抵抗26を設けている。
【0016】なお、図1〜5の例においては、スティク
ションを発生した部分の修復のための抵抗の代わりに、
レーザ素子、例えば面発光型のレーザ素子を用いること
も考えられる。この場合は、素子を製造する工程におい
て、基板上にレーザ素子を形成することとなる。
【0017】以上説明したように、本発明によれば、圧
力センサ、マイクロマシンなどの可動部を有する超小型
素子において、可動部にスティクションが発生した際の
修復手段を素子に設けたことにより、その製造時、ある
いは使用時にスティクションが発生しても、高価な設備
等を必要とせずに、容易にこれを修復することが可能と
なる。また素子の製造も、新たな設備を設けることなく
行うことができる。
【0018】なお、本発明は前述の例に限定されるもの
ではなく、例えば可動部が回転体であれば、この回転体
を支持する軸受部などに加熱素子を設けることも可能で
あり、また、複数の可動部を有する素子において、これ
ら可動部が互いに固着するおそれがある場合には、可動
部自体に加熱素子を設けることとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る素子の一例を示す平面図である。
【図2】図1に示す素子の側面図である。
【図3】本発明に係る素子の製造工程を概略示す図であ
る。
【図4】本発明に係る圧力センサを示す平面図である。
【図5】図4に示すセンサの側面図である。
【図6】可動部を有する素子の一例を概略示す断面図で
ある。
【図7】図6に示す素子がスティクションを生じた状態
を概略示す断面図である。
【符号の説明】
1,30 超微細素子 2,10,31,21 シリコン基板 3,15,32 カンチレバー 4,11,26 加熱素子 5a, 5b,12 電極 13 犠牲層 14 多結晶シリコン層 20 圧力センサ 22 ダイヤフラム 23 空間 24 歪みゲージ 25 穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 49/00 H01L 49/00 Z

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、基板上に形成した、可動部を有
    する機能素子部とを具える超小型素子において、 前記可動部と対向する基板上に加熱素子を設け、前記可
    動部が前記基板に固着した際に、前記加熱素子で該固着
    部を加熱することにより、固着した可動部と前記基板と
    を分離させることを特徴とする、可動部を有する超小型
    素子。
  2. 【請求項2】 基板と、基板上に形成した、可動部を有
    する機能素子部とを具え、前記可動部が前記基板に固着
    した際に、該固着部を加熱することにより固着した可動
    部と前記基板とを分離させるための加熱素子を設けた超
    小型素子の製造において、 前記基板上に前記加熱素子を形成する加熱素子形成工程
    と、 前記基板上に前記加熱素子に通電するための電極を形成
    する電極形成工程と、 前記基板上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 前記犠牲層上に可動部を形成する可動部形成工程と、 前記犠牲層を除去することにより前記機能素子部を形成
    する犠牲層除去工程とを具える、固着した可動部の修復
    手段を具える超小型素子の製造方法。
JP10041835A 1998-02-24 1998-02-24 固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法 Expired - Lifetime JP2876530B1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10041835A JP2876530B1 (ja) 1998-02-24 1998-02-24 固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法
US09/256,984 US6127765A (en) 1998-02-24 1999-02-24 Micro-electromechanical device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10041835A JP2876530B1 (ja) 1998-02-24 1998-02-24 固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2876530B1 true JP2876530B1 (ja) 1999-03-31
JPH11238890A JPH11238890A (ja) 1999-08-31

Family

ID=12619332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10041835A Expired - Lifetime JP2876530B1 (ja) 1998-02-24 1998-02-24 固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6127765A (ja)
JP (1) JP2876530B1 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6860153B2 (en) * 2000-02-22 2005-03-01 Simon Fraser University Gas pressure sensor based on short-distance heat conduction and method for fabricating same
US6552328B1 (en) * 2000-02-22 2003-04-22 Xerox Corporation Microsensor including a VCSEL and method for electro-mechanical coupling of microsensors
US6593666B1 (en) 2001-06-20 2003-07-15 Ambient Systems, Inc. Energy conversion systems using nanometer scale assemblies and methods for using same
WO2003028059A1 (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Hrl Laboratories, Llc Mems switches and methods of making same
KR100416266B1 (ko) * 2001-12-18 2004-01-24 삼성전자주식회사 막힌 희생층 지지대를 갖는 멤스 구조물 및 그의 제작방법
WO2003053353A2 (en) * 2001-12-20 2003-07-03 Bristol-Myers Squibb Company Administration of vasopeptidase inhibitors to reduce pulse pressure
US6876046B2 (en) * 2002-02-07 2005-04-05 Superconductor Technologies, Inc. Stiction alleviation using passivation layer patterning
US6856068B2 (en) * 2002-02-28 2005-02-15 Pts Corporation Systems and methods for overcoming stiction
US7199498B2 (en) * 2003-06-02 2007-04-03 Ambient Systems, Inc. Electrical assemblies using molecular-scale electrically conductive and mechanically flexible beams and methods for application of same
US20040238907A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-02 Pinkerton Joseph F. Nanoelectromechanical transistors and switch systems
US7095645B2 (en) * 2003-06-02 2006-08-22 Ambient Systems, Inc. Nanoelectromechanical memory cells and data storage devices
US7148579B2 (en) * 2003-06-02 2006-12-12 Ambient Systems, Inc. Energy conversion systems utilizing parallel array of automatic switches and generators
TWI251712B (en) 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW593127B (en) 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
US6975043B2 (en) * 2003-12-22 2005-12-13 Rosemount, Inc. Pressurized gas to electrical energy conversion for low-power field devices
US7518283B2 (en) 2004-07-19 2009-04-14 Cjp Ip Holdings Ltd. Nanometer-scale electrostatic and electromagnetic motors and generators
US7446926B2 (en) 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device
US7668415B2 (en) 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7701631B2 (en) 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7184202B2 (en) 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US7573547B2 (en) 2004-09-27 2009-08-11 Idc, Llc System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device
TWI287634B (en) * 2004-12-31 2007-10-01 Wen-Chang Dung Micro-electromechanical probe circuit film, method for making the same and applications thereof
WO2007012028A2 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Pinkerton Joseph P Heat activated nanometer-scale pump
US7732241B2 (en) * 2005-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Microstructure and manufacturing method thereof and microelectromechanical system
EP1979268A2 (en) 2006-04-13 2008-10-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Packaging a mems device using a frame
CN101501330B (zh) 2006-08-14 2013-05-29 罗斯蒙德公司 振动发电装置
US7839028B2 (en) * 2007-04-03 2010-11-23 CJP IP Holding, Ltd. Nanoelectromechanical systems and methods for making the same
US8379392B2 (en) 2009-10-23 2013-02-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light-based sealing and device packaging
KR20110082420A (ko) * 2010-01-11 2011-07-19 삼성전자주식회사 초전 재료를 이용한 에너지 수확 장치
CN103552974B (zh) * 2013-11-14 2015-12-09 东南大学 带有弯梁电热执行器的mems静电驱动式悬臂梁结构
CN103552973B (zh) * 2013-11-14 2015-12-30 东南大学 微机械系统中带有热驱动粘附消除机构的微悬臂梁结构
CN103552979B (zh) * 2013-11-14 2015-10-28 东南大学 一种热-静电强回复型mems四点支撑悬挂梁结构
CN103552978B (zh) * 2013-11-14 2015-12-30 东南大学 一种偏转式助回复型mems悬挂梁结构
JP2015169822A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 船井電機株式会社 プロジェクタ
US10161818B2 (en) * 2015-06-15 2018-12-25 Purdue Research Foundation Microelectromechanical gas sensor based on knudsen thermal force
US11506619B2 (en) * 2015-06-15 2022-11-22 Purdue Research Foundation Microelectromechanical gas sensor based on knudsen thermal force
US10947108B2 (en) * 2016-12-30 2021-03-16 Sonion Nederland B.V. Micro-electromechanical transducer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3609593A (en) * 1966-05-25 1971-09-28 Bell Telephone Labor Inc Vibratory reed device
US5658636A (en) * 1995-01-27 1997-08-19 Carnegie Mellon University Method to prevent adhesion of micromechanical structures
US5959338A (en) * 1997-12-29 1999-09-28 Honeywell Inc. Micro electro-mechanical systems relay
US6040611A (en) * 1998-09-10 2000-03-21 Hughes Electonics Corporation Microelectromechanical device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11238890A (ja) 1999-08-31
US6127765A (en) 2000-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2876530B1 (ja) 固着した可動部の修復手段を具える超小型素子およびその製造方法
Stark et al. A low-temperature thin-film electroplated metal vacuum package
JP4572686B2 (ja) 静電容量型半導体物理量センサ及びその製造方法
JP5195102B2 (ja) センサおよびその製造方法
JP2004505260A (ja) マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープ及びその製造方法
Tien et al. Surface adhesion reduction in silicon microstructures using femtosecond laser pulses
US10257615B2 (en) MEMS and/or NEMS dynamic pressure sensor with improved performances and microphone comprising such a sensor
Wang et al. Shock reliability of vacuum-packaged piezoelectric vibration harvester for automotive application
JP4710700B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
Rogers et al. Process yields for laser repair of aged, stiction-failed, MEMS devices
Iker et al. Three-dimensional self-assembled sensors in thin-film SOI technology
Kim et al. Electrostatic scanning micromirrors using localized plastic deformation of silicon
JP4839466B2 (ja) 慣性力センサおよびその製造方法
JP2020500298A (ja) 応力分離された微小機械圧力センサを製造する方法
US7398588B2 (en) SOI component comprising margins for separation
Phinney et al. Pulsed laser repair of adhered surface-micromachined polycrystalline silicon cantilevers
EP1721865B1 (en) Piezoresistive sensing structure
JP2000246700A (ja) 微小構造の製造方法
JPH0843436A (ja) 加速度センサ
JP6064135B2 (ja) ボンディングウェハにmemsを取付ける方法
JPH07128365A (ja) 半導体加速度センサとその製造方法
JP2001044449A (ja) 力検出センサ及び力検出センサの製造方法
JPH104199A (ja) 半導体加速度センサの製造方法
JP3966155B2 (ja) 可動部を有する構造体の製造方法
Ran et al. An Improved SOI-on-Glass Fabrication Method of Large-Area Sheeting of MEMS Isolator

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19981215

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term