JP4572686B2 - 静電容量型半導体物理量センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2 ガラス基板(絶縁基板)
4 シリコン基板の感圧部(可動電極)
5 周辺領域(接合領域)
7 固定電極
70 ガラス基板側に設けた同電位配線
71 シリコン基板側に設けた同電位配線
8a,8b スルーホール
9a,9b 導電膜
10 絶縁膜
12 直流バイアス電源
C 配線切断個所
D 細幅部
L レーザ光照射
Claims (9)
- 絶縁基板と半導体基板の互いに対向する周辺領域(接合領域という)を陽極接合のために接触させるとともに、両基板間に陽極接合電圧を印加して陽極接合させて一体化して成り、前記絶縁基板の接合面側には固定電極が設けられ、前記半導体基板の接合面側には可動電極が設けられた静電容量型半導体物理量センサの製造方法において、
前記陽極接合前に前記固定電極と可動電極とを短絡する同電位配線を、前記接合領域の内側で絶縁基板の接合面側に形成しておき、
前記陽極接合後に、前記同電位配線を切断し、除去することを特徴とする静電容量型半導体物理量センサの製造方法。 - 絶縁基板側から透過させたレーザ照射により前記同電位配線を切断することを特徴とする請求項1記載の静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
- 絶縁基板に設けられた固定電極用及び可動電極用の各スルーホール底部に露出した導電膜層間に電圧を印加することにより、同電位配線に電流を流し、それに基づく発熱により同電位配線を切断することを特徴とする請求項1記載の静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
- 同電位配線の切断される部位の配線幅を狭くしたことを特徴とする請求項2又は請求項3記載の静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
- 絶縁基板と半導体基板の互いに対向する周辺領域(接合領域という)を陽極接合のために接触させるとともに、両基板間に陽極接合電圧を印加して陽極接合させて一体化して成り、前記絶縁基板の接合面側には固定電極が設けられ、前記半導体基板の接合面側には可動電極が設けられた静電容量型半導体物理量センサの製造方法において、
前記陽極接合前に前記固定電極と可動電極とを短絡する同電位配線を、前記接合領域の内側で半導体基板の接合面側に形成しておき、
前記陽極接合後に、前記同電位配線を切断し、除去することを特徴とする静電容量型半導体物理量センサの製造方法。 - 絶縁基板側から透過させたレーザ照射により前記同電位配線を切断することを特徴とする請求項5記載の静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
- 絶縁基板に設けられた固定電極用及び可動電極用の各スルーホール底部に露出した導電膜層間に電圧を印加することにより、同電位配線に電流を流し、それに基づく発熱により同電位配線を切断することを特徴とする請求項5記載の静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
- 同電位配線の切断される部位の配線幅を狭くしたことを特徴とする請求項6又は請求項7記載の静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
- 絶縁基板と半導体基板の互いに対向する周辺領域(接合領域という)を陽極接合のために接触させるとともに、両基板間に陽極接合電圧を印加して陽極接合させて一体化して成り、前記絶縁基板の接合面側には固定電極が設けられ、前記半導体基板の接合面側には可動電極が設けられた静電容量型半導体物理量センサにおいて、
前記固定電極と可動電極とを短絡する同電位配線が、前記接合領域の内側で絶縁基板又は半導体基板の接合面側に形成されており、
この同電位配線は、陽極接合後にレーザ照射又は同電位配線への通電により切断可能な構成とされていることを特徴とする静電容量型半導体物理量センサ。
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