JPH06340452A - 静電容量型センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリコン構造体とガラス部材に形成された固
定電極とを陽極接合時に接続して、両部材間の静電気力
の発生を防止し、シリコン可動部と固定電極とに形成さ
れる間隙を狭くすることにより、高感度な静電容量型加
速度センサを得る。 【構成】 シリコン構造体７０の表面の絶縁膜７２上に
形成した可動電極出力端子７３と固定電極出力端子７４
とを接続する接続配線７５を形成し、ガラス部材８０に
形成した固定電極リード８４とシリコン構造体７０に形
成した固定電極出力端子リード７８とがシリコン構造体
７０上にガラス部材８０を載置することにより接合領域
内で当接する。これによりガラス部材８０の固定電極８
２とシリコン構造体７０は電気的に接続され、陽極接合
時に両部材７０、８２が同電位となり静電気力の発生を
防ぐことができる。陽極接合後は可動電極出力端子７３
と固定電極出力端子７４とを接続した接続配線７５を切
断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は静電容量型センサの製造
方法、特に陽極接合法を用いた製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】陽極接合技術のセンサへの応用として
は、例えば静電容量型加速度センサが知られている。図
７、図８に静電容量型加速度センサにおける陽極接合方
法が示されている。ヒータ１の表面上に設けた陽極電極
板４０上にエッチング加工により形成された薄肉の梁部
２０ａ及びおもり部２０ｂから成るシリコン可動部２０
を具備したシリコン構造体１０を載置し、このシリコン
構造体１０の接合面１０ａには固定電極２１を備えたガ
ラス部材３０が載置され、この上端面には陰極電極板５
０が当接される。前記おもり部２０ｂはシリコンの電気
的特性を利用し、可動電極として機能する。前記ガラス
部材３０の接合面３０ａ側にはシリコン可動部２０を覆
うように所望の深さの座ぐり加工が施されており、前記
固定電極２１はこの座ぐり加工面３１にシリコン可動部
２０に対向するように形成されている。前記シリコン構
造体１０の表面には絶縁膜１１が形成され、陽極接合領
域の外側の絶縁膜１１上に固定電極出力端子１３および
可動電極出力端子１２が形成されている。可動電極出力
端子１２はその下の絶縁膜１１の一部に接続孔１４を形
成し、シリコン構造体１０と接続される。次に、前記シ
リコン構造体１０の接合領域１０ａの一部に固定電極出
力接続端子１３ｂが形成される。この固定電極出力接続
端子１３ｂは固定電極出力端子リード１３により前記固
定電極出力端子１３と接続される。そして、前記ガラス
部材３０の接合面３０ａには固定電極接続端子２１ｂが
形成されており、この固定電極接続端子２１ｂは固定電
極２１と固定電極リード２１ａにより接続されている。
前記固定電極出力接続端子１３ｂと前記固定電極接続端
子２１ｂは前記シリコン構造体１０の接合面１０ａと前
記ガラス部材３０の接合面３０ａを位置合わせし、載置
することにより当接するように配置する。このシリコン
構造体１０とガラス部材３０との陽極接合はヒータ１に
より両接合部材１０、３０を約４００℃に加熱昇温し、
電源６０から両電極板４０、５０に所望の電圧、例えば
８００Ｖの電圧を印加することによりシリコン構造体１
０とガラス部材３０は互いに接合面１０ａ、３０ａにて
陽極接合される。

【０００３】このような静電容量型加速度センサの加速
度検出原理は以下のごとくである。すなわち、加速度印
加によりシリコン構造体１０の可動電極として機能する
おもり部２０ｂが変位し、この変位をおもり部２０ｂと
ガラス部材３０の固定電極２１との間の静電容量の変化
として加速度を検出する。従って、静電容量型加速度セ
ンサにおいては可動電極として機能するおもり部２０ｂ
と固定電極２１との間隙を微小にすればわずかな変位も
静電容量の変化として検知することができ、高感度化を
図ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記接
合方法においてガラス部材３０の固定電極２１および座
ぐり加工面３１と対向するシリコン可動部２０とには陽
極接合時の電圧印加により静電気力が発生し、間隙寸法
によってはシリコン可動部２０が静電気力により固定電
極２１に引き付けられ変位し、固定電極２１に接触して
固着されることがあった。また、座ぐり加工面３１が露
出している部分は接合されてしまうこともあった。従っ
て、従来の接合方法では静電気力によって生じるシリコ
ン可動部２０の変位よりもシリコン可動部２０と固定電
極２１との間隙を広くする必要があり、高感度なセンサ
を製作することが困難であった。

【０００５】本発明はこのような従来の課題に鑑み成さ
れたものであり、その目的はシリコン可動部と固定電極
を備えたガラス部材とが固着あるいは接合されることな
く、シリコン可動部周囲の接合領域のみを陽極接合さ
せ、これによりおもり部２０ｂと固定電極２１との間隙
の微小化を可能として高感度の静電容量型センサを得る
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、請求項１記載の静電容量型センサの製造
方法は、可動部が形成された第１部材と前記可動部に対
向する位置に固定電極が形成された第２部材を加熱及び
電圧印加により陽極接合して前記可動部と固定電極との
間に静電容量を形成する静電容量型センサの製造方法で
あって、陽極接合時には前記固定電極と前記可動部とを
電気的に接続して前記第１部材と前記第２部材の前記固
定電極以外の領域とを陽極接合し、前記陽極接合後は前
記固定電極と前記可動部との電気的接続を切断すること
を特徴とする。

【０００７】さらに、請求項２記載の静電容量型センサ
の製造方法は、可動部が形成された第１部材と前記可動
部に対向する位置に第１固定電極が形成された第２部材
及び前記可動部に対向する位置に第２固定電極が形成さ
れた第３部材を加熱及び電圧印加により陽極接合して前
記可動部と第１固定電極、及び前記可動部と前記第２固
定電極との間に静電容量を形成する静電容量型センサの
製造方法であって、陽極接合時には前記第１固定電極と
前記可動部、及び前記第２固定電極と前記可動部とを電
気的に接続して前記第１部材と前記第２部材の前記第１
固定電極以外の領域とを陽極接合するとともに、前記第
１部材と前記第３部材の前記第２固定電極以外の領域と
を陽極接合し、前記陽極接合後は前記第１固定電極と前
記可動部との電気的接続、及び前記第２固定電極と前記
可動部との電気的接続を切断することを特徴とする。

【０００８】このように、本発明はシリコン可動部を具
備したシリコン構造体と静電容量検出用の固定電極を具
備したガラス部材との陽極接合において、シリコン構造
体の表面上の絶縁膜上に形成した可動電極端子と固定電
極出力端子とを電気的に接続し、ガラス部材側に形成し
た固定電極端子とシリコン構造体側に形成した固定電極
出力端子とがシリコン構造体上にガラス部材を載置する
ことにより接合領域内で当接させる。これによりガラス
部材の固定電極とシリコン構造体は電気的に接続され、
陽極接合時に両部材が同電位となり静電気力の発生を防
ぐことができる。従って、シリコン可動部とガラス部材
の固定電極とに微小な間隙を形成することができ、高感
度な静電容量型加速度センサの製作が可能となる。な
お、陽極接合後は可動電極端子と固定電極出力端子とを
接続した接続配線はシリコン構造体を分割除去すると同
時に切断され、シリコン構造体とガラス部材の固定電極
とを電気的に分離する。これにより、加速度印加によっ
て変位するシリコン可動部とガラス部材の固定電極との
静電容量変化をそれぞれに接続された固定電極端子と可
動電極端子を用いて検出することにより加速度の計測が
可能となる。

【０００９】以下に本発明の陽極接合方法をさらに具体
的に説明する。

【００１０】図１には本発明に係る基本的な接合方法を
表す平面図が示されており、図２には、その断面説明図
が示されている。

【００１１】エッチング加工により形成された薄肉の梁
部７１ａおよびおもり部７１ｂから成るシリコン可動部
７１を具備したシリコン構造体７０の表面全域に必要に
応じ所望の厚さの絶縁膜７２が被覆形成される。前記シ
リコン構造体７０の接合領域７０ａ外側の前記絶縁膜７
２表面に可動電極出力端子７３および固定電極出力端子
７４が形成される。そして、両電極出力端子７３、７４
を接続する接続配線７５が形成される。前記可動電極出
力端子７３はその下の前記絶縁膜７２の一部に接続孔７
６を形成し、前記シリコン構造体７０と接続される。そ
して、前記シリコン構造体７０の接合領域７０ａの一部
に固定電極出力接続端子７７が形成される。この固定電
極出力接続端子７７は固定電極出力端子リード７８によ
り前記固定電極出力端子７４と接続される。

【００１２】前記シリコン構造体７０と陽極接合するガ
ラス部材８０の接合面８０ａ側には前記シリコン構造体
７０のシリコン可動部７１を覆うように所望の深さの座
ぐり加工が施されており、シリコン可動部７１に対向す
るように前記加工面には固定電極８２が形成されてい
る。そして、前記ガラス部材８０の接合面８０ａ側には
固定電極接続端子８５が形成されており、この固定電極
接続端子８５は固定電極８２と固定電極リード８４によ
り接続されている。前記固定電極出力接続端子７７と前
記固定電極接続端子８５は前記シリコン構造体７０の接
合面７０ａと前記ガラス部材８０の接合面８０ａを位置
合わせし、載置することにより当接するように配置す
る。

【００１３】本発明に係る接合部材は以上の構成からな
り、次に陽極接合方法について説明する。

【００１４】図２において、ヒータ１００の表面上に設
けた陽極電極板１１０上にシリコン構造体７０を載置
し、このシリコン構造体７０上にガラス部材８０を前記
シリコン構造体７０の接合領域に位置合わせし、載置す
る。この際に固定電極出力接続端子７７と固定電極接続
端子８５とが当接され、前記シリコン構造体７０と固定
電極８２が接続される。次に、前記ガラス部材８０の上
端面には陰極電極板１２０が当接される。そして、前記
シリコン構造体７０とガラス部材８０をヒータ１００に
より両接合部材７０、８０を約４００℃に加熱昇温し、
電源１３０から両電極板１１０、１２０に所望の電圧、
例えば８００Ｖの電圧を印加することによりシリコン構
造体７０とガラス部材８０は互いに接合面７０ａ、８０
ａにて陽極接合される。

【００１５】図３には陽極接合後の加工を表す平面図が
示されている。陽極接合後は可動電極出力端子７３と固
定電極出力端子７４とを接続した接続配線７５は分割部
１５０からシリコン構造体７０を分割除去すると同時に
切断され、前記シリコン構造体７０とガラス部材８０の
固定電極８２とを電気的に分離する。これにより、加速
度印加によって変位するシリコン可動部７１とガラス部
材８０の固定電極８２との静電容量変化をそれぞれに接
続された固定電極出力端子７４と可動電極出力端子７３
を用いて検出することにより加速度の計測が可能とな
る。

【００１６】従来例との比較 本発明の静電容量型センサの製造方法の特徴を、従来例
と比較して具体的に説明する。本発明によればシリコン
構造体７０上の可動電極出力端子７３と固定電極出力端
子７４とを接続配線７５により接続されている。そし
て、ガラス部材８０を前記シリコン構造体７０の接合領
域に位置合わせし、載置することにより固定電極出力接
続端子７７と固定電極接続端子８５とが当接され、前記
シリコン構造体７０と前記ガラス部材８０の固定電極と
が接続される。これにより、両部材７０、８０の陽極接
合時には前記シリコン構造体７０と固定電極８２とは電
気的に同電位となり静電気力の発生を防ぐことができ
る。従って、シリコン可動部７１と固定電極８２との間
に静電気力が発生する従来の陽極接合法を用いた製造方
法とは明らかに相違する。

【００１７】

【実施例】第１実施例 図１、図２には本発明の静電容量型センサの製造方法の
好適な第１実施例が示されている。

【００１８】本実施例の陽極接合方法においてシリコン
構造体７０は単結晶シリコンを用いて形成されている。
この単結晶シリコン構造体７０は水酸化カリウム（KOH
）水溶液を用いたエッチング加工により形成された薄
肉の梁部７１ａおよびおもり部７１ｂから成るシリコン
可動部７１を具備している。この単結晶シリコン構造体
７０の表面全域には絶縁膜７２としてシリコン酸化膜が
膜厚５０nmに形成されている。そして、この絶縁膜７２
の表面には可動電極出力端子７３、固定電極出力端子７
４、接続配線７５、固定電極出力接続端子７７および固
定電極出力端子リード７８が厚さ１μm のアルミニウム
膜を被覆して、これをフォトエッチングすることにより
形成される。なお、これらを形成する前に、あらかじめ
可動電極出力端子７３の下の一部にはフォトエッチング
により絶縁膜７２を単結晶シリコン構造体７０に到達す
るよう開口した接続孔７６が形成されており、可動電極
出力端子７３および固定電極出力端子７４を介して固定
電極出力接続端子７７は単結晶シリコン構造体７０と接
続される。

【００１９】単結晶シリコン構造体７０と陽極接合する
ガラス部材８０は非晶質ガラスを用いて形成されてい
る。このガラス部材８０の接合面８０ａ側には単結晶シ
リコン構造体７０のシリコン可動部７１および固定電極
出力接続端子７７を覆うように所望の深さの座ぐり加工
が施されている。更に、この座ぐり加工はガラス部材８
０の固定電極リード８４および固定電極接続端子８５の
形成領域にも行われている。実施例において、この座ぐ
り加工はフッ化水素溶液を用いてエッチング加工されて
いる。そして、シリコン可動部７１に対向するように座
ぐり加工面８１には固定電極８２、固定電極リード８
４、固定電極接続端子８５が厚さ５０nmのチタン膜と厚
さ５０nmのアルミニウム膜を被覆して、これをフォトエ
ッチングにより形成されている。なお、固定電極出力接
続端子７７と固定電極接続端子８５は単結晶シリコン構
造体７０の接合面７０ａとガラス部材８０の接合面８０
ａを位置合わせし、載置することにより当接するように
配置している。

【００２０】実施例の陽極接合においては、ヒータ１０
０の表面上に設けた陽極電極板１１０上に単結晶シリコ
ン構造体７０を載置し、この単結晶シリコン構造体７０
上にガラス部材８０を載置し、それらの接合面７０ａ、
８０ａを位置合わせする。この際の位置合わせはガラス
部材８０の上方から光学顕微鏡を用いて行う。これによ
り固定電極出力接続端子７７と固定電極接続端子８５と
が当接され、単結晶シリコン構造体７０と固定電極８２
とが接続される。

【００２１】次に、ガラス部材８０の上端面には陰極電
極板１２０が当接される。そして、両接合部材７０、８
０をヒータ１００により約４００℃に加熱昇温し、電源
１３０から両電極板１１０、１２０に８００Ｖの電圧を
印加する。このとき、単結晶シリコン構造体７０と固定
電極８２は同電位であるため、静電気力の発生が防止で
き、シリコン可動部７１が固定電極８２に引き付けら
れ、固着される等の問題はなく、単結晶シリコン構造体
７０とガラス部材８０は互いに接合面７０ａ、８０ａに
てのみ陽極接合される。

【００２２】図３には陽極接合後の加工を表す平面図が
示されている。陽極接合後、可動電極出力端子７３と固
定電極出力端子７４とを接続した接続配線７５は分割部
１５０からシリコン構造体７０を分割除去すると同時に
切断され、前記シリコン構造体７０とガラス部材８０の
固定電極８２とを電気的に分離する。これにより、加速
度印加によって変位するシリコン可動部７１とガラス部
材８０の固定電極８２との静電容量変化をそれぞれに接
続された固定電極出力端子７４と可動電極出力端子７３
を用いて検出することにより加速度の計測が可能とな
る。

【００２３】本実施例において、シリコン可動部７１の
おもり部７１ｂの寸法は３mm角、高さ３００μm であ
る。また、梁部７１ａの１本の寸法は長さ６７０μm 、
幅２５０μm 、厚さ１０μm であり、おもり部の両辺に
各２本、合計４本の梁を形成した。そして、ガラス部材
８０の座ぐり加工深さは１μm である。以上の形状寸法
により、シリコン可動部７０と固定電極８２および座ぐ
り加工面８１とが固着あるいは接合されることなく間隙
を維持したままシリコン可動部７０周囲の接合領域のみ
を陽極接合できることは実験により確認された。このこ
とから、この第１実施例によればシリコン可動部７１と
固定電極８２との間隙を狭くでき、小型でかつ高感度な
静電容量型加速度センサが実現可能であることが理解で
きる。

【００２４】第２実施例 次に、本発明の好適な第２実施例を説明する。なお、前
記第１実施例と対応する部材には同一符号を付し、その
説明は省略する。

【００２５】図４には第２実施例の陽極接合方法を示す
平面説明図が示されており、図５にはその断面説明図が
示されている。シリコン構造体７０には下部絶縁膜７９
として、シリコン酸化膜が膜厚５０nmに形成されてい
る。そして、この下部絶縁膜７９の一部にはフォトエッ
チングにより下部絶縁膜７９をシリコン構造体７０に到
達するように開口した下部接続孔９７が形成されてい
る。そして、この下部接続孔９７には厚さ１μm のアル
ミニウム膜から成るシリコン接続端子９８が形成されて
いる。

【００２６】下部ガラス部材９０の接合面９０ａ側には
単結晶シリコン構造体７０のシリコン可動部７１および
固定電極出力接続端子７７を覆うように所望の深さの座
ぐり加工が施されている。更に、この座ぐり加工は下部
ガラス部材９０の下部固定電極リード９３および下部接
続端子９６の形成領域にも行われている。実施例におい
て、下部ガラス部材９０は非晶質ガラスを用いて形成さ
れており、座ぐり加工はフッ化水素溶液を用いてエッチ
ング加工されている。そして、シリコン可動部７１に対
向する座ぐり加工面９１には下部固定電極８２、下部固
定電極リード９３、下部接続端子９６が厚さ５０nmのチ
タン膜と厚さ５０nmのアルミニウム膜を被覆して、これ
をフォトエッチングにより形成されている。なお、下部
接続端子９６は下部ガラス部材９０の接合面９０ａと前
記単結晶シリコン構造体７０の接合面７０ａを位置合わ
せし、載置することにより前記単結晶シリコン構造体７
０の裏面に形成したシリコン接続端子９８に当接するよ
うに配置している。

【００２７】実施例の陽極接合においては、ヒータ１０
０の表面上に設けた下部陰極電極板１５０上に下部ガラ
ス部材９０を載置し、この下部ガラス部材９０の表面に
単結晶シリコン構造体７０を載置し、それらの接合面９
０ａ、７０ａを位置合わせする。この際の位置合わせ方
法は両部材９０、７０の２つの角を合わせることに行
う。これにより下部接続端子９６とシリコン接続端子９
８とが当接され、下部ガラス部材９０と単結晶シリコン
構造体７０とが接続される。次に、前記単結晶シリコン
構造体７０上にガラス部材８０を載置し、それらの接合
面７０ａ、８０ａを位置合わせする。この際の位置合わ
せはガラス部材８０の上方から光学顕微鏡を用いて行
う。これにより固定電極出力接続端子７７と固定電極接
続端子８５とが当接され、単結晶シリコン構造体７０と
固定電極８２とが接続される。

【００２８】次に、ガラス部材８０の上端面には陰極電
極板１２０が当接され、単結晶シリコン構造体７０の可
動電極出力端子７３上には陽極接続端子１１０が当接さ
れる。そして、３つの接合部材７０、８０、９０をヒー
タ１００により約４００℃に加熱昇温し、電源１３０か
ら陽極電極板１１０と陰極電極板１２０、１５０に８０
０Ｖの電圧を印加する。このとき、単結晶シリコン構造
体７０と固定電極８２および下部固定電極９２は同電位
であるため、静電気力の発生が防止でき、シリコン可動
部７１が固定電極８２あるいは下部固定電極９２に引き
付けられ、固着される等の問題はなく、単結晶シリコン
構造体７０とガラス部材８０は互いに接合面７０ａ、８
０ａにてのみ陽極接合され、単結晶シリコン構造体７０
と下部ガラス部材９０は互いに接合面７０ｂ、９０ａに
てのみ陽極接合される。

【００２９】図６には陽極接合後の加工を表す平面説明
図が示されている。陽極接合後、可動電極出力端子７３
と固定電極出力端子７４とを接続した接続配線７５は接
続配線分離部２００をダイシングにより切断し、シリコ
ン構造体７０とガラス部材８０の固定電極８２とを電気
的に分離する。更に、下部固定電極出力端子９４と下部
接続端子９６とを接続した下部接続配線９５は下部接続
配線分離部３００をダイシングにより切断し、シリコン
構造体７０と下部ガラス部材９０の下部固定電極９２と
を電気的に分離する。これにより、加速度印加によって
変位するシリコン可動部７１とガラス部材８０の固定電
極８２および下部ガラス部材９０の下部固定電極９２と
の静電容量変化をそれぞれに接続された可動電極出力端
子７３と固定電極出力端子７４および下部固定電極出力
端子９４を用いて差動方式を用いて検出することにより
高感度な加速度の計測が可能となる。

【００３０】本実施例において、シリコン可動部７０の
おもり部７１ｂの寸法は３mm角、高さ３００μm であ
る。また、梁部７１ａの１本の寸法は長さ６７０μm 、
幅２５０μm 、厚さ１０μm であり、おもり部の両辺に
各２本、合計４本の梁を形成した。そして、ガラス部材
８０および下部ガラス部材９０の座ぐり加工深さは１μ
m である。以上の形状寸法により、シリコン可動部７０
と固定電極８２、下部固定電極９２および両ガラス部材
８０、９０の座ぐり加工面８１、９１とが固着あるいは
接合されることなく間隙を維持したままシリコン可動部
７０周囲の表面および裏面の接合領域のみを陽極接合で
きることを実験により確認された。また、本静電容量型
加速度センサの構造において、シリコン可動部７１と両
ガラス部材８０、９０の固定電極８２、９２との間隙が
座ぐり加工により精度よく制御できることから、定格以
上の加速度が印加された場合にシリコン可動部７１がガ
ラス部材８０の固定電極８２あるいは下部固定電極９２
に接触し、それ以上変位しない過負荷防止構造が可能と
なることが理解できる。前記形状寸法の実施例におい
て、±１０G （１G ＝９. ８m ／sec ２）の印加加速度
によりシリコン可動部７１がガラス部材８０の固定電極
８２あるいは下部固定電極９２に接触することが容量変
化信号から確認できた。

【００３１】前記各実施例においてはシリコン構造体７
０に可動部７１を形成した場合を例にとり説明した。し
かし、本発明はこれに限らず、ガラス部材８０を加工し
て可動部７１を形成しても、何等、本発明の効果が損な
われることはない。

【００３２】また、前記各実施例においては静電容量型
加速度センサを例にとり説明したが、本発明はこれに限
らず、前記実施例の容量変化の検出方向に対して垂直方
向にシリコン可動部７１を振動させる駆動源を設け、そ
の駆動方向に対して垂直軸に印加される角速度を検出す
る角速度センサ、更に、シリコン可動部７１を薄肉のダ
イヤフラムにした静電容量型圧力センサにおいても、前
記実施例と同様な効果を得ることができる。

【００３３】更に、前記各実施例においてはシリコン構
造体７１に形成した接続配線７５を陽極接合後にダイシ
ングにより切断する場合を例にとり説明したが、これ以
外にも、例えば、レーザーを用いてトリミングすること
も可能である。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
陽極接合時にシリコン構造体とガラス部材の固定電極と
に静電気力が発生しないため、シリコン可動部と固定電
極との間隙を狭くすることができ、高感度な静電容量型
センサが製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す平面説明図である。

【図２】図１に示す陽極接合方法の断面概略説明図であ
る。

【図３】図１に示す第１実施例の陽極接合後の加工を示
す平面説明図である。

【図４】本発明の第２実施例を示す平面説明図である。

【図５】図４に示す陽極接合方法の断面概略説明図であ
る。

【図６】図４に示す第２実施例の陽極接合後の加工を示
す平面説明図である。

【図７】従来の陽極接合方法の平面説明図である。

【図８】図７に示す陽極接合方法の断面概略説明図であ
る。

【符号の説明】

７０ シリコン構造体 ７１ シリコン可動部 ７１ａ 梁部 ７１ｂ おもり部 ７２ 絶縁膜 ７３ 可動電極出力端子 ７４ 固定電極出力端子 ７５ 接続配線 ７６ 接続孔 ７７ 固定電極出力接続端子 ７８ 固定電極出力端子リード ８０ ガラス部材 ８１ 座ぐり加工面 ８２ 固定電極 ８４ 固定電極リード ８５ 固定電極接続端子 １００ ヒータ １１０ 陽極電極板 １２０ 陰極電極板 １３０ 電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 雅人 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 船橋 博文 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 藤吉 基弘 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 杉山 進 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 中川 稔章 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 鶴見 康昭 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 可動部が形成された第１部材と前記可動
   部に対向する位置に固定電極が形成された第２部材を加
   熱及び電圧印加により陽極接合して前記可動部と固定電
   極との間に静電容量を形成する静電容量型センサの製造
   方法であって、 陽極接合時には前記固定電極と前記可動部とを電気的に
   接続して前記第１部材と前記第２部材の前記固定電極以
   外の領域とを陽極接合し、 前記陽極接合後は前記固定電極と前記可動部との電気的
   接続を切断することを特徴とする静電容量型センサの製
   造方法。
2. 【請求項２】 可動部が形成された第１部材と前記可動
   部に対向する位置に第１固定電極が形成された第２部材
   及び前記可動部に対向する位置に第２固定電極が形成さ
   れた第３部材を加熱及び電圧印加により陽極接合して前
   記可動部と第１固定電極、及び前記可動部と前記第２固
   定電極との間に静電容量を形成する静電容量型センサの
   製造方法であって、 陽極接合時には前記第１固定電極と前記可動部、及び前
   記第２固定電極と前記可動部とを電気的に接続して前記
   第１部材と前記第２部材の前記第１固定電極以外の領域
   とを陽極接合するとともに、前記第１部材と前記第３部
   材の前記第２固定電極以外の領域とを陽極接合し、 前記陽極接合後は前記第１固定電極と前記可動部との電
   気的接続、及び前記第２固定電極と前記可動部との電気
   的接続を切断することを特徴とする静電容量型センサの
   製造方法。