KR100846529B1 - 정전용량형 반도체물리량 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

정전용량형 반도체물리량 센서 및 그 제조방법 Download PDF

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코우지 사카이
아츠시 이시가미
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마츠시다 덴코 가부시키가이샤
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Abstract

정전용량형 반도체물리량 센서는, 유리기판과 실리콘기판의 서로 대향(對向)하는 주변영역(접합영역)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서, 일체화하고 있다. 유리기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되며, 실리콘기판의 접합면측에는 가동전극이 설치되고 있으며, 양극접합 전에, 고정전극과 가동전극을 단락하는 방전 대책용의 동전위배선을, 접합영역의 안쪽에서 유리기판의 접합면측에 형성해 두고, 양극접합 후에, 동전위배선을 절단하고, 제거한다. 이렇게 해서 센서를 제조하는 것에 의해, 절연기판과 반도체기판을 양극접합할 때에 절연기판측의 고정전극과 반도체기판측의 가동전극이 동전위가 되고, 방전이 생기지 않게 된다. 따라서, 접합 보이드의 발생이나 센서 칩의 대형화를 초래하는 일없이, 높은 접합강도와 원하는 센서특성을 얻을 수 있다.
양극접합, 반도체기판

Description

정전용량형 반도체물리량 센서 및 그 제조방법{SEMICONDUCTOR PHYSICAL QUANTITY SENSOR OF ELECTROSTATIC CAPACITANCE TYPE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, MEMS(Micro Electro Mechanical System)디바이스로서의 정전용량(靜電容量)형 반도체물리량 센서 및 그 제조방법에 관한 것이고, 특히, 양극접합(陽極接合)시의 방전 대책에 관한 것이다.
종래의 정전용량형 반도체물리량 센서의 일례를 도 8에 나타낸다. 본 도면에 나타낸 바와 같이, 실리콘 반도체기판(1)(이하, 실리콘기판이라고 한다)의 상면에 절연성의 유리기판(2)을 배치하고, 양쪽 기판(1, 2)은, 그 주변영역(접합영역)(5)에 있어서 양극접합법에 의해 접합되어 있다. 실리콘기판(1)은, 에칭 가공에 의해 프레임 모양의 지지 테두리(3)에 대하여, 두께를 얇게 하여 탄성을 갖게 해서 상하로 변위 가능하게 한 감압부(4)가 형성되어 있다. 이 감압부(4)의 상하 양면이 가동전극이 되고, 이 가동전극에 대향시켜서 위쪽의 유리기판(2)의 내면에는 고정전극(7)이 설치되어 있다. 그리고, 가동전극과 고정전극과의 사이에는, 갭(6)에 따른 정전용량이 발생하고, 압력이 가해지는 것에 의해, 감압부(4)가 이동하기 때문에 갭(6)이 변화되고, 양쪽 전극간에 발생하는 정전용량도 변화된다. 그 정전용량의 변화를 검출하는 것에 의해, 갭의 변화, 즉 압력을 구하게 되고 있다.
외부회로로의 신호취득은, 유리기판(2)에 형성된 스루홀(8a, 8b)을 통하고, 실리콘기판(1), 즉 가동전극과 도통시킨 도전막(9a)과, 실리콘기판(1)과는 절연막(10)을 통해서 절연 상태에서 고정전극(7)에 그 리드부(7c)를 통해서 도통시킨 도체막(9b)으로부터 행하여지게 되고 있다. 또, 11은 실리콘기판(1)과 유리기판(2)을 양극접합법에 의해 접합할 때의 전원을 나타낸다. 이 실리콘기판(1)과 유리기판(2)과의 양극접합은, 접합을 위한 고전압 인가시에, 변위 가능한 감압부(4)가 정전인력에 의해 유리기판(2)에 형성된 고정전극(7)과 접근하고, 그 사이에 방전A가 발생하고, 고정전극(7)이 열에 의해 합금화해서 감압부(4)과 용착(溶着)할 우려가 있다. 이러한 사태가 생기면, 감압부(4)는 변위하지 않게 되고, 압력을 검출할 수 없게 된다는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 도 9, 도 10에 나타낸 바와 같이, 상기와 동등한 센서에 있어서의 유리기판(2)에, 유리기판(2)의 고정전극(7)과 실리콘기판(1)의 가동전극을 도통하는 단락 도전패턴(동전위배선)(70)을 미리 설치해 두고, 양극접합을 위한 고전압 인가시에는, 동전위배선(70)을 통해서 양쪽전극을 도통시키는 것이 알려져 있다(예컨대, 특개평10-090300호 공보참조). 이것에 의해, 양극접합시에는, 고정전극과 실리콘기판이 동전위가 되므로, 양극접합시에 방전이 생기는 일이 없고, 양쪽전극이 접촉해서 융착하는 일이 없으며, 높은 접합강도도 얻을 수 있다. 그렇지만, 동전위배선인 채로는 원하는 센서특성을 얻을 수 없다.
거기에서, 양극접합시에는 단락 도전패턴을 통해서 고정전극과 실리콘기판이 도통하고, 통상의 물리량 측정시에는 고정전극과 실리콘기판이 비도통이 되는 갭을 구비한 단락 도전패턴을 설치하는 것이 알려져 있다 (예컨대, 특개평9-196700호 공보참조). 그런데, 이 단락 도전패턴은, 유리기판과 실리콘 기판간에 설치되어 있으므로, 단락 도전패턴의 주변에 접합 보이드(접합되지 않고, 기포가 끼어있는 것과 같은 상태)과 생기기 쉽다고 하는 문제가 있다.
또, 단락 도전패턴을 실리콘기판과 유리기판의 접합부의 외측의 실리콘기판위로 설치되어, 이 단락 도전패턴을 양극접합 후에 레이저등을 이용해서 절단하는 것이 제안되어 있다(예컨대, 특개평6-340452호 공보참조). 그렇지만, 이 경우, 단락 도전패턴을 양쪽 기판의 접합부의 외측에 설치하므로, 칩 사이즈가 커지는 문제가 있다.
본 발명은, 상기의 문제를 해소하는 것으로, 절연기판과 반도체기판을 양극접합할 때에 절연기판측의 고정전극과 반도체기판측의 가동전극을 동전위로서 방전이 생기지 않도록 하고, 접합 보이드의 발생이나 센서 칩의 대형화를 초래하는 일없이, 높은 접합강도와 원하는 센서특성을 얻을 수 있는 정전용량형 반도체물리량 센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해소하기 위해서 본 발명은, 절연기판과 반도체기판의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서 일체화해서 이루어지고, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되고, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법에 있어서, 상기 양극접합전에, 상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위배선을, 상기 접합영역의 안쪽에서 절연기판의 접합면측에 형성하는 제1의 공정과, 상기 양극접합을 행하는 제2의 공정과, 상기 양극접합 후에, 상기 동전위배선을 절단하고, 제거하는 제3의 공정을 갖춘 것을 특징으로 한다.
상기 제3의 공정에 있어서, 동전위배선의 절단은, 절연기판측에서 투과시킨 레이저 조사에 의해 행할 수 있다.
상기 제3의 공정에 있어서, 동전위배선의 절단은, 절연기판에 설치된 고정전극용 및 가동전극용의 각 스루홀 저부에 노출한 도전막층간에 전압을 인가함에 의해 동전위배선에 전류를 흘리고, 그것에 근거하는 발열에 의해 용단(溶斷)함에 의해 행할 수 있다.
또, 본 발명은, 절연기판과 반도체기판의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서 일체화해서 이루어지고, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되고, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법에 있어서, 상기 양극접합전에 상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위배선을, 상기 접합영역의 안쪽에서 반도체기판의 접합면측에 형성하는 제1의 공정과, 상기 양극접합을 행하는 제2의 공정과, 상기 양극접합 후에, 상기 동전위배선을 절단하고, 제거하는 제3의 공정을 갖춘 것을 특징으로 한다.
상기 제3의 공정에 있어서, 동전위배선의 절단에는, 상기의 각종방법을 같이 적용할 수가 있다.
상기의 어느 것에 있어서도, 바람직하게는, 동전위배선의 절단되는 부위의 배선 폭을 좁게 해 둔다. 이것에 의해, 절단 때문에 동전위배선에 전류를 흘렸을 때에, 그 가늘어진 부분에 전류 및 전압이 집중하고, 동전위배선의 절단을 용이하게 달성할 수 있다.
본 발명은, 절연기판과 반도체기판의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서 일체화해서 이루어지고, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되어, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서에 있어서, 상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위배선이, 상기 접합영역의 안쪽에서 절연기판 또는 반도체기판의 접합면측에 형성되고 있으며, 이 동전위배선은, 양극접합 후에 레이저 조사 또는 동전위배선으로의 통전에 의해 절단가능한 구성으로 하는 것이다.
본 발명에 의하면, 양극접합할 때는, 반도체기판(가동전극)과 고정전극이 도전 단락패턴인 동전위배선에 의해 접속되어 있으며, 가동전극과 고정전극은 동전위가 되어 있으므로, 양극접합할 때에, 양쪽 전극간에서 방전하는 일이 없어지고, 양극접합이 확실하게 이루어진다. 이 동전위배선은, 접합 종료후에, 절단하고, 제거한다. 이것에 의해, 가동전극과 고정전극을 전기적으로 분리시켜서, 압력, 가속도등의 물리량의 검출이 가능해지고, 원하는 특성의 센서를 얻을 수 있다. 그리고, 도전 단락패턴을 기판간에 끼지 않고 있으므로, 접합 보이드가 발생하는 것과 같은 일이 없다. 또한, 도전 단락패턴을 접합부의 안쪽에서 절연기판에 설치되어 있으므로, 칩 사이즈를 작게 할 수가 있다.
도 1은 본 발명의 1실시형태에 관한 정전용량형 압력센서에 있어서 레이저 광조사에 의해 동전위배선을 절단하는 것을 나타내는 단면도이다.
도 2는 동(同) 센서의 상면도(上面圖)이다.
도 3은 동 센서에 있어서 전압인가에 의해 동전위배선을 절단하는 것을 나타내는 단면도이다.
도 4는 동 센서에 있어서 스루홀을 이용해서 전압인가에 의해 동전위배선을 절단하는 것을 나타내는 단면도이다.
도 5는 동 센서에 있어서 동전위배선의 배선 폭을 좁게 하는 것을 나타내는 상면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 관한 정전용량형 압력센서에 있어서 레이저 광조사에 의해 동전위배선을 절단하는 것을 나타내는 단면도이다.
도 7은 동 센서의 상면도이다.
도 8은 동전위배선이 없는 종래의 정전용량형 압력센서의 단면도이다.
도 9는 동전위배선된 종래의 정전용량형 압력센서의 단면도이다.
도 10은 동전위배선된 종래의 정전용량형 압력센서의 상면도이다.
이하에서, 본 발명의 1실시형태에 관한 정전용량형 반도체물리량 센서 (이 하, 용량형 센서라 약칭한다)에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 1실시형태에 의한 용량형 센서의 단면구성을 나타내고, 도 2는 동 센서의 상면구성이며, 유리기판(2)은 투명하고, 고정전극(7)등이 투시되어 나타내어져 있다. 도시에서는, 1개의 센서 칩 부분에 대응하는 웨이퍼인 실리콘기판(1)(반도체기판) 및 유리기판(2)(절연기판)을 나타내고 있으며, 실제의 제조 공정에서는 큰 유리기판의 표면에 상기 유리기판(2)에 대응하는 영역이 할당된다. 실리콘기판(1)도 동일하다.
양쪽 기판을 접합하는 양극접합전에, 유리기판(2)의 접합측 표면에는, 증착 또는 스퍼터에 의해 소정 패턴형상으로 이루어지는 고정전극(7) 및 리드부(7c)를 동시에 형성하고, 이 고정전극(7)을 형성할 때에, 그것과 동시에 고정전극(7)로부터 인출되어, 고정전극(7)과 가동전극을 단락하는 단락 도전패턴인 동전위배선(70)을 형성해 둔다(제1의 공정). 동전위배선(70)은, 접합영역의 안쪽, 즉, 유리기판(2)측의 고정전극(7)내에 설치되어 있다. 이 동전위배선(70)의 형성에는, 유리기판(2)의 표면에 소정의 금속을 증착/스퍼터하는 패턴형상을 변경하는 것만으로 무방하다. 실리콘기판(1)에 대하여는, 에칭에 의해 지지 테두리(3), 감압부(4)를 형성해 둔다. 실리콘기판(1)의 감압부(4)를 포함하는 접합면측은 가동전극이 된다.
이러한 실리콘기판(1)과 유리기판(2)을, 그 상대 위치를 맞춰서 접촉시킨다. 여기에, 실리콘기판(1)과 유리기판(2)의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다) (5)을, 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 상세한 것은 후술하는 것과 같이, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합에 의해 일체화한다(제2의 공정). 동전위배선(70)은, 양극접합 후에, 배선 절단개소C에 나타낸 바와 같이, 절단해서 제거한다 (제3의 공정). 동전위배선(70)은, 유리기판(2)의 고정전극(7)과 실리콘기판(1)측의 가동전극을 전기적으로 접속하는 것으로, 양극접합시의 방전 대책용이다.
유리기판(2)이 있는 소정위치에는, 가동전극용 및 고정전극용의, 상하로 관통하는 2개의 스루홀(8a, 8b)이 형성어져 있으며, 실리콘기판(1)에는, 스루홀(8a)의 저부에 노출되도록, 가동전극과 도통시킨 도전막(9a)이 형성되며, 또한, 스루홀(8b)의 저부에 노출되도록, 고정전극(7)에 그 리드부(7c)를 통해서 도통시킨 도전막(9b)이 형성되어 있다. 이 도전막(9b)은, 실리콘기판(1)과는 절연 상태로 하기 위한 절연막(10) 위에 형성되어 있다. 센서 신호는, 스루홀(8a, 8b)을 통해서 도전막(9a, 9b)으로부터 외부회로로 나온다. 각 스루홀의 내벽면에는 도전막이 형성되어, 유리기판(2)의 표면에 서로 분리해서 성막된 도체박막에 각각 도통된다.
이 종류의 정전용량형 압력센서는, 감압부(4)에 압력이 가해지는 것에 의해, 용량 갭(6)이 변화되고, 이 갭장(長)을 d로 하고 고정전극(7)의 면적을 S로 했을 때, 양쪽 전극간의 용량C는, C=ε0S/d의 변화를 출력하는 것이다.
다음에, 용량형 센서의 실리콘기판(1)과 유리기판(2)과의 양극접합에 있어서 상세히 설명한다. 양극접합에 대해서는, 실리콘기판(1)에 양극접합용 전원의 양극을 접속하는 동시에, 유리기판(2)에 양극접합용 전원의 음극을 접속하고, 양극간에 소정의 전압을 인가한다. 이것에 의해, 실리콘기판(1)과 유리기판(2)의 사이에 전류를 흘리고, 양자의 접촉 부분, 본 예에서는 주변영역(접합영역)(5)을 접합 일체 화한다 (양극접합). 이 때, 고정전극(7)과 가동전극은 동전위배선(70)에 의해 단락되어 동전위로 되어 있으므로, 양자간에서의 전위차가 발생하기 어려워진다. 이것에 의해, 양극접합시에 전극간에서 방전하는 일이 없어지고, 따라서, 방전에 따른 전극끼리의 합금화에 의한 용착이 없어지고, 확실하게 양극접합이 이뤄진다.
양극접합 후에, 동전위배선(70)은 절단한다. 그때는, 레이저광조사L(도 1의 화살표)을 이용한다. 레이저광은, CO2, YAG등을 이용하고, 유리기판(2)측으로부터 유리를 투과시켜서 동전위배선(70)의 배선 절단개소 C에 조사(照査)하고, 동전위배선(70)을 절단한다. 이렇게 해서, 원하는 특성의 센서를 얻을 수 있다.
다음으로, 용량형 센서에 있어서의 양극접합 후, 동전위배선(70)을 제거하는 다른 방법에 대해서 설명한다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 직류 바이어스 전원(12)을 동전위배선(70)에 전류가 흐르도록 접속하고, 이 전압인가에 근거한 통전에 의해 동전위배선(70)이 발열하고, 용단한다. 전압은, 유리기판(2)에 설치된, 가동전극용 및 고정전극용의 각 스루홀(8a, 8b)의 저부에 노출한 도전막(9a, 9b)사이에 인가한다. 인가하는 전압은, 서서히 상승시킨 쪽이 일정한 부위에서 절단되는 확률이 높아진다.
상기 전압인가에 의한 동전위배선(70)의 제거 방법에 있어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 전압인가단자로서 유리기판(2)의 스루홀(8a, 8b)을 이용해도 좋다. 스루홀(8a, 8b)의 내벽면에 도전막(13a, 13b)을 형성하고, 유리기판(2)위로 도전막(13a, 13b)을 통해서 실리콘기판(1)상의 도전막(9a, 9b)과 도통상태에 있는 도전막부(14a, 14b)를 형성하고, 이 도전막부(14a, 14b)를 전압인가단자로 한다. 스루 홀 내벽면의 도전막(13a, 13b)의 형성 공정은, 양극접합 전후 어느쪽이여도 좋다.
상기한 레이저 광조사에 의한 동전위배선(70)의 절단 방법에 있어서도, 전압인가에 의한 동전위배선(70)의 절단 방법에 있어서도, 도 5에 나타낸 바와 같이, 동전위배선(70)의 배선 절단개소 부근의 배선 패턴 폭을 좁게 한 세폭부(細幅部)D를 설치하는 것이 바람직하다. 이렇게 동전위배선(70)에 부분적으로 세폭부가 있는 것으로써 레이저 절단법에 있어서는, 레이저 빔 스폿의 절단 목표위치가 이해하기 쉬워지고, 또한, 전압인가절단법에 있어서는, 배선 폭이 좁아진 부분에서의 전기저항을 높게 해서 절단개소를 안정시킬 수 있다.
이상은, 용량형 센서에 있어서의 동전위배선(70)을 유리기판(2)측에 설치한 실시형태를 나타냈지만, 실리콘기판(1)측에 설치한 다른 실시형태의 용량형 센서에 있어서, 도 6, 도 7을 참조해서 이하에서 설명한다. 이 실시형태에 의한 동전위배선(71)은, 실리콘기판(1)측에, 고정전극용의 도전막(9b)과 실리콘기판(1)의 가동전극을 전기적으로 접속하도록 설치한다 (제1의 공정). 이 동전위배선(71)에 의해, 고정전극(7)과 가동전극은 동전위가 된다. 이것 때문에, 양극접합시에, 상기 실시형태와 같이 전극간에서 방전하는 일이 없어지고, 확실한 양극접합이 이뤄진다.
양극접합(제2의 공정)후, 이 동전위배선(71)은 절단한다. 동전위배선(71)의 절단은, 유리기판(2)측보다 유리를 투과해서 배선 절단개소C에 레이저 광조사L 하는 것에 의해 행한다 (제3의 공정).
양극접합 후의 동전위배선(71)의 절단은, 도시하지 않지만, 상기의 도 3 과 같이, 가동전극용과 고정전극용의 도전막에 직류전압을 인가해 행해도 좋고, 또 한, 도 4 와 같이, 유리기판(2)의 스루홀을 이용해 행해도 좋다. 또한, 상기와 같이, 동전위배선(71)의 배선 절단개소 부근의 배선 폭을 좁게 하는 것이 바람직하다.
이상, 본 발명의 각종 실시형태를 설명했지만, 상기 실시형태의 구성에 한정되는 일없이, 여러가지의 변형이 가능해서, 적용 대상의 MEMS디바이스로서도, 정전용량형 압력센서 이외에, 정전용량형 각속도 센서, 기타 피에조식(piezo式) 압력·가속도·각속도 센서, MEMS 메커니컬 릴레이 등을 들 수 있다. 또한, 유리기판(2)으로서는, 절연기판재료이면 좋고, 유리, 기타 투명해서 레이저광을 투과하는 것을 사용할 수 있다. 실리콘기판(1)으로서는, 실리콘 외에, GaAs, Ge등을 사용할 수 있다. 고정전극·도전막의 재료로서는, Cr, Al, 기타, Au, Ag, Cu, Pt, Ti 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 출원은, 일본국특허출원2005-007784호에 근거하고 있고, 그 특허출원의 내용은, 본 출원에 편성된다.

Claims (11)

  1. 절연기판과 반도체기판의 서로 대향(對向)하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극(陽極)접합시켜서 일체화해서 이루어지며, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되고, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법에 있어서,
    상기 양극접합전에, 상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위 배선을, 상기 접합영역의 안쪽에서 절연기판의 접합면 측에 단락도전 패턴으로 형성하는 제1의 공정과,
    상기 양극접합을 행하는 제2의 공정과,
    상기 양극접합 후에, 절연기판측에서 투과시킨 레이저 조사에 의해, 상기 동전위 배선을 절단하고, 제거하는 제3의 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 절연기판과 반도체기판의 서로 대향(對向)하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극(陽極)접합시켜서 일체화해서 이루어지며, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되고, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법에 있어서,
    상기 양극접합전에, 상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위 배선을, 상기 접합영역의 안쪽에서 절연기판의 접합면 측에 단락도전 패턴으로 형성하는 제1의 공정과,
    상기 양극접합을 행하는 제2의 공정과,
    상기 양극접합 후에, 절연기판에 설치된 고정전극용 및 가동전극용의 각 스루홀 저부에 노출한 도전막층간에 전압을 인가함에 의해, 동전위 배선에 전류를 흘리고, 그것에 근거하는 발열에 의해 동전위 배선을 절단하고, 제거하는 제3의 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제1의 공정에서, 동전위 배선의 절단되는 부위의 배선 폭을 좁게 하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법.
  5. 절연기판과 반도체기판의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서 일체화해서 이루어지고, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되어, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법에 있어서,
    상기 양극접합전에 상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위 배선을, 상기 접합영역의 안쪽에서 반도체기판의 접합면측에 단락도전 패턴으로 형성하는 제1의 공정과,
    상기 양극접합을 행하는 제2의 공정과,
    상기 양극접합 후에, 절연기판측에서 투과시킨 레이저 조사에 의해, 상기 동전위 배선을 절단하고, 제거하는 제3의 공정을 갖춘 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 절연기판과 반도체기판의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서 일체화해서 이루어지고, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되고, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서에 있어서,
    상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위 배선이, 상기 접합영역의 안쪽에서 절연기판 또는 반도체기판의 접합면측에 단락도전 패턴으로 형성되어 있고, 상기 동전위 배선은, 양극접합 후에 절연기판 측에서 투과시킨 레이저 조사에 의해 절단되고, 제거되는 구성으로 하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서.
  10. 절연기판과 반도체기판의 서로 대향하는 주변영역(접합영역이라고 한다)을 양극접합을 위해서 접촉시키는 동시에, 양쪽 기판간에 양극접합전압을 인가해서 양극접합시켜서 일체화해서 이루어지고, 상기 절연기판의 접합면측에는 고정전극이 설치되고, 상기 반도체기판의 접합면측에는 가동전극이 설치된 정전용량형 반도체물리량 센서에 있어서,
    상기 고정전극과 가동전극을 단락하는 동전위 배선이, 상기 접합영역의 안쪽에서 절연기판의 접합면측에 단락도전 패턴으로 형성되어 있고, 상기 동전위 배선은 양극접합 후에 절연기판에 설치된 고정전극용 및 가동전극용의 각 스루홀 저부에 노출한 도전막층간에 전압을 인가함에 의해 동전위 배선에 전류를 흘리고, 그것에 근거하는 발열에 의해 절단되고, 제거되는 구성으로 하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 동전위 배선의 절단되는 부위의 배선 폭을 좁게 하는 것을 특징으로 하는 정전용량형 반도체물리량 센서.
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