JP3070371B2 - 陽極接合法 - Google Patents
陽極接合法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシーニング
技術を用いて可動部を形成したチップが配置されたシリ
コン基板と、上記可動部に相対してこれを静電駆動する
導体電極が形成されたガラス基板とを陽極接合する陽極
接合法に関する。
技術を用いて可動部を形成したチップが配置されたシリ
コン基板と、上記可動部に相対してこれを静電駆動する
導体電極が形成されたガラス基板とを陽極接合する陽極
接合法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の陽極接合法の第１の従来法とし
ては、例えば図３に示すような方法がある。同図におい
て、１１はシリコン基板であり、マイクロマシーニング
技術を用いて形成された可動部１２、溝部１３、梁部１
４とその他の図示省略の周辺回路部により構成されたチ
ップが多数個配置されている。可動部１２、溝部１３、
梁部１４は具体的には、例えばアルカリ溶液を用いたエ
レクトロケミカルエッチングにより実現可能である。１
５はパイレックスガラス基板であり、シリコン基板１１
上の各チップの可動部１２の位置に対応した部分に溝部
１６が形成され、溝部１６内には可動部１２を静電駆動
するための導体電極１７が形成されている。１８は導体
電極１７上の絶縁膜である。通常、溝部１６の深さは数
μｍ程度であり、これは例えば酸溶液を用いたエッチン
グにより実現可能である。
ては、例えば図３に示すような方法がある。同図におい
て、１１はシリコン基板であり、マイクロマシーニング
技術を用いて形成された可動部１２、溝部１３、梁部１
４とその他の図示省略の周辺回路部により構成されたチ
ップが多数個配置されている。可動部１２、溝部１３、
梁部１４は具体的には、例えばアルカリ溶液を用いたエ
レクトロケミカルエッチングにより実現可能である。１
５はパイレックスガラス基板であり、シリコン基板１１
上の各チップの可動部１２の位置に対応した部分に溝部
１６が形成され、溝部１６内には可動部１２を静電駆動
するための導体電極１７が形成されている。１８は導体
電極１７上の絶縁膜である。通常、溝部１６の深さは数
μｍ程度であり、これは例えば酸溶液を用いたエッチン
グにより実現可能である。
【０００３】上記のシリコン基板１１とパイレックスガ
ラス基板１５との陽極接合は、以下のようにして行われ
る。まずシリコン基板１１とパイレックスガラス基板１
５のアラインメントを行う。次に、シリコン基板１１へ
の接合電圧印加用の電極を兼ねたホットプレート１９、
パイレックスガラス基板１５上の電極２０、電極２０上
の電極針２１を介してシリコン基板１１とパイレックス
ガラス基板１５間に直流電源２２から接合電圧を印加す
る回路を形成する。その後、ホットプレート１９を接合
温度まで加熱する。通常、接合温度は３００〜４００℃
程度である。接合温度に到達後、直流電源２２により接
合電圧を印加する。電圧の向きは、パイレックスガラス
基板１５よりシリコン基板１１の方の電位が高くなるよ
うにする。接合電圧を印加すると接合電流が流れ、シリ
コン基板１１とパイレックスガラス基板１５が直接接合
される。
ラス基板１５との陽極接合は、以下のようにして行われ
る。まずシリコン基板１１とパイレックスガラス基板１
５のアラインメントを行う。次に、シリコン基板１１へ
の接合電圧印加用の電極を兼ねたホットプレート１９、
パイレックスガラス基板１５上の電極２０、電極２０上
の電極針２１を介してシリコン基板１１とパイレックス
ガラス基板１５間に直流電源２２から接合電圧を印加す
る回路を形成する。その後、ホットプレート１９を接合
温度まで加熱する。通常、接合温度は３００〜４００℃
程度である。接合温度に到達後、直流電源２２により接
合電圧を印加する。電圧の向きは、パイレックスガラス
基板１５よりシリコン基板１１の方の電位が高くなるよ
うにする。接合電圧を印加すると接合電流が流れ、シリ
コン基板１１とパイレックスガラス基板１５が直接接合
される。
【０００４】しかし、このような陽極接合法では、接合
電圧印加時にシリコン基板１１の梁部１４で支えられた
可動部１２と、静電駆動用の導体電極１７との間に接合
電圧相当の電圧が加わる。可動部１２の上面と導体電極
１７との間隔は数μｍ程度であるので接合電圧による静
電引力により可動部１２の上面は絶縁膜１８の表面に接
触する。この接触により絶縁膜１８は高電場により絶縁
破壊を起し、この結果、可動部１２と導体電極１７が電
気的にショートしてしまったり、絶縁破壊時に発生する
パーティクルにより動作不良を引き起したりして陽極接
合の歩留り低下を招いていた。
電圧印加時にシリコン基板１１の梁部１４で支えられた
可動部１２と、静電駆動用の導体電極１７との間に接合
電圧相当の電圧が加わる。可動部１２の上面と導体電極
１７との間隔は数μｍ程度であるので接合電圧による静
電引力により可動部１２の上面は絶縁膜１８の表面に接
触する。この接触により絶縁膜１８は高電場により絶縁
破壊を起し、この結果、可動部１２と導体電極１７が電
気的にショートしてしまったり、絶縁破壊時に発生する
パーティクルにより動作不良を引き起したりして陽極接
合の歩留り低下を招いていた。
【０００５】このような第１の従来法の問題を解決する
ようにした陽極接合法の第２の従来法として図４に示す
ような方法が知られている（特公平４−６８８８号公
報）。同図において、パイレックスガラス基板１５に
は、シリコン基板１１上の可動部１２に対応する部分に
溝部１６及びスルーホール２３が形成され、可動部１２
を静電駆動するための導体電極２４がスルーホール２３
を通じてシリコン基板１１との接合面とは反対の面にま
で及ぶように形成されている。２５は接合電圧印加用の
電極、２６，２７はそれぞれ接合電圧印加用の電極棒で
あり、電極棒２７は陽極接合の際、図示省略の専用治具
でスルーホール２３に位置合わせされて接続されるよう
になっている。また電極棒２７の電位は、ホットプレー
ト１９と同電位となるように直流電源２２に接続されて
いる。従って、接合電圧印加時には、可動部１２と静電
駆動用の導体電極２４は同電位となり、可動部１２の上
面と導体電極２４とは接触することはない。
ようにした陽極接合法の第２の従来法として図４に示す
ような方法が知られている（特公平４−６８８８号公
報）。同図において、パイレックスガラス基板１５に
は、シリコン基板１１上の可動部１２に対応する部分に
溝部１６及びスルーホール２３が形成され、可動部１２
を静電駆動するための導体電極２４がスルーホール２３
を通じてシリコン基板１１との接合面とは反対の面にま
で及ぶように形成されている。２５は接合電圧印加用の
電極、２６，２７はそれぞれ接合電圧印加用の電極棒で
あり、電極棒２７は陽極接合の際、図示省略の専用治具
でスルーホール２３に位置合わせされて接続されるよう
になっている。また電極棒２７の電位は、ホットプレー
ト１９と同電位となるように直流電源２２に接続されて
いる。従って、接合電圧印加時には、可動部１２と静電
駆動用の導体電極２４は同電位となり、可動部１２の上
面と導体電極２４とは接触することはない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】陽極接合法の第１の従
来法では、接合電圧印加時にシリコン基板上の可動部と
パイレックスガラス基板上の静電駆動用の導体電極との
間に接合電圧相当の電圧が加わるため、静電引力により
可動部の上面が絶縁膜の表面に接触し、この接触により
絶縁膜が高電場により絶縁破壊を起すことがある。この
結果、可動部と導体電極が電気的にショートしてしまっ
たり、絶縁破壊時に発生するパーティクルにより動作不
良を引き起したりして陽極接合の歩留りが低下するとい
う問題があった。
来法では、接合電圧印加時にシリコン基板上の可動部と
パイレックスガラス基板上の静電駆動用の導体電極との
間に接合電圧相当の電圧が加わるため、静電引力により
可動部の上面が絶縁膜の表面に接触し、この接触により
絶縁膜が高電場により絶縁破壊を起すことがある。この
結果、可動部と導体電極が電気的にショートしてしまっ
たり、絶縁破壊時に発生するパーティクルにより動作不
良を引き起したりして陽極接合の歩留りが低下するとい
う問題があった。
【０００７】また、この第１の従来法の問題を解決する
ようにした第２の従来法では、パイレックスガラス基板
上の静電駆動用の導体電極をスルーホールを通じて接合
面とは反対側の面にまで及ぶように形成し、接合電圧印
加時には専用治具で電極棒をスルーホール部に位置合わ
せするようになっていたため、パイレックスガラス基板
にスルーホール及び貫通配線を形成することが必要でプ
ロセスが複雑になり、また、シリコン基板とパイレック
スガラス基板とを接合する際には、アラインメントずれ
等を生じさせないようなスルーホール部に精度よく電極
棒を位置合わせ挿入できる専用治具が必要になる。した
がって、陽極接合時の歩留りが向上しても製造コストが
上昇してしまうという問題があった。
ようにした第２の従来法では、パイレックスガラス基板
上の静電駆動用の導体電極をスルーホールを通じて接合
面とは反対側の面にまで及ぶように形成し、接合電圧印
加時には専用治具で電極棒をスルーホール部に位置合わ
せするようになっていたため、パイレックスガラス基板
にスルーホール及び貫通配線を形成することが必要でプ
ロセスが複雑になり、また、シリコン基板とパイレック
スガラス基板とを接合する際には、アラインメントずれ
等を生じさせないようなスルーホール部に精度よく電極
棒を位置合わせ挿入できる専用治具が必要になる。した
がって、陽極接合時の歩留りが向上しても製造コストが
上昇してしまうという問題があった。
【０００８】本発明は、このような従来の問題に着目し
てなされたもので、複雑なプロセスや専用治具を用いる
ことなしに、シリコン基板上の可動部とガラス基板側の
静電駆動用の導体電極の電位を同一にし、製造コストを
上昇させることなく陽極接合時の製造歩留りを向上させ
ることのできる陽極接合法を提供することを目的とす
る。
てなされたもので、複雑なプロセスや専用治具を用いる
ことなしに、シリコン基板上の可動部とガラス基板側の
静電駆動用の導体電極の電位を同一にし、製造コストを
上昇させることなく陽極接合時の製造歩留りを向上させ
ることのできる陽極接合法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、第１に、マイクロマシーニング技術を用
いて可動部を形成したチップが配置されたシリコン基板
と、溝部内に前記可動部に相対してこれを静電駆動する
ための導体電極が形成されたガラス基板とを位置合わせ
し、所要の接合温度下で接合電圧を印加して前記シリコ
ン基板とガラス基板とを陽極接合する陽極接合法におい
て、前記接合電圧の印加時に前記導体電極に接続された
共通電極を前記チップ以外の領域で前記シリコン基板と
電気的に接続するようにしたことを要旨とする。
に、本発明は、第１に、マイクロマシーニング技術を用
いて可動部を形成したチップが配置されたシリコン基板
と、溝部内に前記可動部に相対してこれを静電駆動する
ための導体電極が形成されたガラス基板とを位置合わせ
し、所要の接合温度下で接合電圧を印加して前記シリコ
ン基板とガラス基板とを陽極接合する陽極接合法におい
て、前記接合電圧の印加時に前記導体電極に接続された
共通電極を前記チップ以外の領域で前記シリコン基板と
電気的に接続するようにしたことを要旨とする。
【００１０】第２に、上記第１の構成において、前記シ
リコン基板における前記チップ以外の領域に溝部を形成
し、前記共通電極とシリコン基板との電気的接続は当該
溝部内に配置した前記接合温度以下の融点を有する合金
塊を介して行うようにしたことを要旨とする。
リコン基板における前記チップ以外の領域に溝部を形成
し、前記共通電極とシリコン基板との電気的接続は当該
溝部内に配置した前記接合温度以下の融点を有する合金
塊を介して行うようにしたことを要旨とする。
【００１１】第３に、上記第２の構成において、前記シ
リコン基板とガラス基板との陽極接合後に、前記合金塊
周囲の前記溝部形成による肉薄部を切断し、前記共通電
極とシリコン基板との電気的接続を遮断するようにした
ことを要旨とする。
リコン基板とガラス基板との陽極接合後に、前記合金塊
周囲の前記溝部形成による肉薄部を切断し、前記共通電
極とシリコン基板との電気的接続を遮断するようにした
ことを要旨とする。
【００１２】
【作用】上記構成において、第１に、接合電圧の印加時
に、導体電極に接続された共通電極がチップ以外の領域
でシリコン基板と電気的に接続されることにより、シリ
コン基板上の可動部と静電駆動用の導体電極とは同電位
となり、静電引力は働かず、可動部が導体電極に接触す
ることはない。したがって導体電極上の絶縁膜等の絶縁
破壊は生じない。
に、導体電極に接続された共通電極がチップ以外の領域
でシリコン基板と電気的に接続されることにより、シリ
コン基板上の可動部と静電駆動用の導体電極とは同電位
となり、静電引力は働かず、可動部が導体電極に接触す
ることはない。したがって導体電極上の絶縁膜等の絶縁
破壊は生じない。
【００１３】第２に、陽極接合に際し、シリコン基板と
ガラス基板とがアラインメントされ、シリコン基板が接
合温度に加熱されると合金塊が融解する。次いでアライ
ンメント済みのガラス基板とシリコン基板がコンタクト
されると合金塊の先端がガラス基板側の共通電極に押し
付けられ、接合電圧の印加時にはチップ以外の領域にお
けるシリコン基板と共通電極との電気的接続が容易且つ
確実になされる。
ガラス基板とがアラインメントされ、シリコン基板が接
合温度に加熱されると合金塊が融解する。次いでアライ
ンメント済みのガラス基板とシリコン基板がコンタクト
されると合金塊の先端がガラス基板側の共通電極に押し
付けられ、接合電圧の印加時にはチップ以外の領域にお
けるシリコン基板と共通電極との電気的接続が容易且つ
確実になされる。
【００１４】第３に、シリコン基板とガラス基板との陽
極接合後に、合金塊周囲の溝部形成による肉薄部を切断
し、共通電極とシリコン基板との電気的接続を遮断する
ことにより、静電駆動用の導体電極に駆動電圧を印加し
て各チップの機能を適切にチェックすることが可能とな
る。
極接合後に、合金塊周囲の溝部形成による肉薄部を切断
し、共通電極とシリコン基板との電気的接続を遮断する
ことにより、静電駆動用の導体電極に駆動電圧を印加し
て各チップの機能を適切にチェックすることが可能とな
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１及び図２を参照
して説明する。まず被接合部材及び接合装置等の構成か
ら説明する。図１、図２において、１はシリコン基板、
４はパイレックスガラス基板であり、これらの図には図
示省略されているが、前記図３とほぼ同様に、シリコン
基板１には、マイクロマシーニング技術を用いて形成さ
れた可動部、溝部、梁部とその他の周辺回路部により構
成されたチップが多数個配置されている。またパイレッ
クスガラス基板４には、シリコン基板１上の各チップの
可動部の位置に対応した部分に溝部が形成され、その溝
部内に可動部を静電駆動するための導体電極が形成され
ている。本実施例では、これらの構成に加え、陽極接合
の際の接合電圧の印加時に、シリコン基板１上の可動部
とパイレックスガラス基板４側の静電駆動用の導体電極
とを同電位にするため、まずシリコン基板１には、チッ
プ以外の所定の領域に溝部２が形成されている。３は溝
部２形成による肉薄部である。溝部２及び肉薄部３の形
状はエレクトロケミカルエッチング時のマスクを変える
ことにより任意に変化させることが可能であり、チップ
内の溝部等の形成時に同時に形成される。また、パイレ
ックスガラス基板４には、シリコン基板上の溝部２に対
応した位置に溝部５が形成され、その溝部５内に静電駆
動用の各導体電極を相互に接続する共通電極６が形成さ
れている。溝部５は深さが数μｍ程度であり、前記可動
部の位置に対応した溝部の形成時に同時に形成され、ま
た共通電極６は導体電極の形成時に同時に形成される。
そして、シリコン基板１上の溝部２とパイレックスガラ
ス基板４上の溝部５との間に、融点２００〜３００℃、
即ち接合温度以下の融点を有する合金塊７、具体的には
半田塊が配置されている。合金塊７の配置個所はシリコ
ン基板１の大きさ及びシリコン基板１上のチップ数等に
応じて複数個所設けてもよい。８，９はヒータである。
また、図１には図示省略されているが、前記図３とほぼ
同様に、パイレックスガラス基板４上の電極、電極上の
電極針等を介してシリコン基板１とパイレックスガラス
基板４との間には直流電源から接合電圧を印加する回路
が形成されている。
して説明する。まず被接合部材及び接合装置等の構成か
ら説明する。図１、図２において、１はシリコン基板、
４はパイレックスガラス基板であり、これらの図には図
示省略されているが、前記図３とほぼ同様に、シリコン
基板１には、マイクロマシーニング技術を用いて形成さ
れた可動部、溝部、梁部とその他の周辺回路部により構
成されたチップが多数個配置されている。またパイレッ
クスガラス基板４には、シリコン基板１上の各チップの
可動部の位置に対応した部分に溝部が形成され、その溝
部内に可動部を静電駆動するための導体電極が形成され
ている。本実施例では、これらの構成に加え、陽極接合
の際の接合電圧の印加時に、シリコン基板１上の可動部
とパイレックスガラス基板４側の静電駆動用の導体電極
とを同電位にするため、まずシリコン基板１には、チッ
プ以外の所定の領域に溝部２が形成されている。３は溝
部２形成による肉薄部である。溝部２及び肉薄部３の形
状はエレクトロケミカルエッチング時のマスクを変える
ことにより任意に変化させることが可能であり、チップ
内の溝部等の形成時に同時に形成される。また、パイレ
ックスガラス基板４には、シリコン基板上の溝部２に対
応した位置に溝部５が形成され、その溝部５内に静電駆
動用の各導体電極を相互に接続する共通電極６が形成さ
れている。溝部５は深さが数μｍ程度であり、前記可動
部の位置に対応した溝部の形成時に同時に形成され、ま
た共通電極６は導体電極の形成時に同時に形成される。
そして、シリコン基板１上の溝部２とパイレックスガラ
ス基板４上の溝部５との間に、融点２００〜３００℃、
即ち接合温度以下の融点を有する合金塊７、具体的には
半田塊が配置されている。合金塊７の配置個所はシリコ
ン基板１の大きさ及びシリコン基板１上のチップ数等に
応じて複数個所設けてもよい。８，９はヒータである。
また、図１には図示省略されているが、前記図３とほぼ
同様に、パイレックスガラス基板４上の電極、電極上の
電極針等を介してシリコン基板１とパイレックスガラス
基板４との間には直流電源から接合電圧を印加する回路
が形成されている。
【００１６】次に、上記のシリコン基板１とパイレック
スガラス基板４との陽極接合法を説明する。シリコン基
板１とパイレックスガラス基板４をアラインメントする
前に、シリコン基板１上の溝部２の中に予め合金塊７を
配置しておく。次いでシリコン基板１とパイレックスガ
ラス基板４をアラインメントし、コンタクトせずにそれ
ぞれの基板１，４をヒータ８，９で昇温する。シリコン
基板１の温度が溝部２内の合金塊７の融点を超えると合
金塊７が融解する。従って、合金塊７の融点付近で予め
アラインメント済みのパイレックスガラス基板４とシリ
コン基板１とをコンタクトさせると、合金塊７の先端が
共通電極６に押し付けられ、シリコン基板１と共通電極
６とが電気的に接続される。よって接合電圧の印加時に
は、シリコン基板１上の可動部とパイレックスガラス基
板４側の静電駆動用の導体電極とは同電位となり、静電
引力は働かず、可動部が導体電極に接触することはな
い。また、合金塊７は少なくとも一部が融解しているた
め、共通電極６に押し付けられても合金塊７の変形によ
りパイレックスガラス基板４とシリコン基板１双方の歪
みを防ぐことができる。
スガラス基板４との陽極接合法を説明する。シリコン基
板１とパイレックスガラス基板４をアラインメントする
前に、シリコン基板１上の溝部２の中に予め合金塊７を
配置しておく。次いでシリコン基板１とパイレックスガ
ラス基板４をアラインメントし、コンタクトせずにそれ
ぞれの基板１，４をヒータ８，９で昇温する。シリコン
基板１の温度が溝部２内の合金塊７の融点を超えると合
金塊７が融解する。従って、合金塊７の融点付近で予め
アラインメント済みのパイレックスガラス基板４とシリ
コン基板１とをコンタクトさせると、合金塊７の先端が
共通電極６に押し付けられ、シリコン基板１と共通電極
６とが電気的に接続される。よって接合電圧の印加時に
は、シリコン基板１上の可動部とパイレックスガラス基
板４側の静電駆動用の導体電極とは同電位となり、静電
引力は働かず、可動部が導体電極に接触することはな
い。また、合金塊７は少なくとも一部が融解しているた
め、共通電極６に押し付けられても合金塊７の変形によ
りパイレックスガラス基板４とシリコン基板１双方の歪
みを防ぐことができる。
【００１７】シリコン基板１とパイレックスガラス基板
４の接合後に各チップの機能をチェックする場合、シリ
コン基板１と共通電極６が電気的に分離されていないと
静電駆動用の導体電極に駆動電圧を印加しても、可動部
と導体電極間には静電力が働かず、可動部の動作チェッ
クができない。そこで、接合後に合金塊７の周囲の肉薄
部３を切断することにより、シリコン基板１と共通電極
６を電気的に分離することが可能である。肉薄部３はマ
イクロマシーニング技術により数１０μｍ以下の厚さに
することが可能であり、肉薄部３の切断は、例えばピン
セット等の金属棒を肉薄部３に押し付けることで容易に
実現可能である。
４の接合後に各チップの機能をチェックする場合、シリ
コン基板１と共通電極６が電気的に分離されていないと
静電駆動用の導体電極に駆動電圧を印加しても、可動部
と導体電極間には静電力が働かず、可動部の動作チェッ
クができない。そこで、接合後に合金塊７の周囲の肉薄
部３を切断することにより、シリコン基板１と共通電極
６を電気的に分離することが可能である。肉薄部３はマ
イクロマシーニング技術により数１０μｍ以下の厚さに
することが可能であり、肉薄部３の切断は、例えばピン
セット等の金属棒を肉薄部３に押し付けることで容易に
実現可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、第１に、接合電圧の印加時に静電駆動用の導体電極
に接続された共通電極をチップ以外の領域でシリコン基
板と電気的に接続するようにしたため、複雑なプロセス
や専用治具を用いることなしに、接合電圧の印加時にシ
リコン基板上の可動部とガラス基板側の静電駆動用の導
体電極の電位を同一にすることができる。したがって可
動部が導体電極に接触することはなく、導体電極上の絶
縁膜の絶縁破壊等が防止され、製造コストを上昇させる
ことなく陽極接合時の製造歩留りを向上させることがで
きる。
ば、第１に、接合電圧の印加時に静電駆動用の導体電極
に接続された共通電極をチップ以外の領域でシリコン基
板と電気的に接続するようにしたため、複雑なプロセス
や専用治具を用いることなしに、接合電圧の印加時にシ
リコン基板上の可動部とガラス基板側の静電駆動用の導
体電極の電位を同一にすることができる。したがって可
動部が導体電極に接触することはなく、導体電極上の絶
縁膜の絶縁破壊等が防止され、製造コストを上昇させる
ことなく陽極接合時の製造歩留りを向上させることがで
きる。
【００１９】第２に、シリコン基板におけるチップ以外
の領域に溝部を形成し、共通電極とシリコン基板との電
気的接続は当該溝部内に配置した接合温度以下の融点を
有する合金塊を介して行うようにしたため、接合電圧の
印加時にチップ以外の領域におけるシリコン基板と共通
電極との接続を容易且つ確実に行うことができる。
の領域に溝部を形成し、共通電極とシリコン基板との電
気的接続は当該溝部内に配置した接合温度以下の融点を
有する合金塊を介して行うようにしたため、接合電圧の
印加時にチップ以外の領域におけるシリコン基板と共通
電極との接続を容易且つ確実に行うことができる。
【００２０】第３に、シリコン基板とガラス基板との陽
極接合後に、合金塊周囲の溝部形成による肉薄部を切断
し、共通電極とシリコン基板との電気的接続を遮断する
ようにしたため、静電駆動用の導体電極に駆動電圧を印
加して各チップの機能を適切にチェックすることができ
る。
極接合後に、合金塊周囲の溝部形成による肉薄部を切断
し、共通電極とシリコン基板との電気的接続を遮断する
ようにしたため、静電駆動用の導体電極に駆動電圧を印
加して各チップの機能を適切にチェックすることができ
る。
【図１】本発明に係る陽極接合法の実施例における被接
合部材等の構成を一部断面で示す構成図である。
合部材等の構成を一部断面で示す構成図である。
【図２】上記実施例における肉薄部の平面形状等を示す
図である。
図である。
【図３】陽極接合の第１の従来法を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】陽極接合の第２の従来法を説明するための図で
ある。
ある。
１ シリコン基板 ２ シリコン基板上の溝部 ３ 肉薄部 ４ パイレックスガラス基板 ５ ガラス基板上の溝部 ６ 共通電極 ７ 合金塊
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/84 H01L 21/02
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロマシーニング技術を用いて可動
部を形成したチップが配置されたシリコン基板と、溝部
内に前記可動部に相対してこれを静電駆動するための導
体電極が形成されたガラス基板とを位置合わせし、所要
の接合温度下で接合電圧を印加して前記シリコン基板と
ガラス基板とを陽極接合する陽極接合法において、前記
接合電圧の印加時に前記導体電極に接続された共通電極
を前記チップ以外の領域で前記シリコン基板と電気的に
接続するようにしたことを特徴とする陽極接合法。 - 【請求項２】 前記シリコン基板における前記チップ以
外の領域に溝部を形成し、前記共通電極とシリコン基板
との電気的接続は当該溝部内に配置した前記接合温度以
下の融点を有する合金塊を介して行うようにしたことを
特徴とする請求項１記載の陽極接合法。 - 【請求項３】 前記シリコン基板とガラス基板との陽極
接合後に、前記合金塊周囲の前記溝部形成による肉薄部
を切断し、前記共通電極とシリコン基板との電気的接続
を遮断するようにしたことを特徴とする請求項２記載の
陽極接合法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317751A JP3070371B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 陽極接合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317751A JP3070371B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 陽極接合法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176771A JPH07176771A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3070371B2 true JP3070371B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=18091637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5317751A Expired - Fee Related JP3070371B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 陽極接合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3070371B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP5317751A patent/JP3070371B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176771A (ja) | 1995-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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