KR101573517B1 - 압전형 마이크로 스피커 - Google Patents

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KR101573517B1
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황준식
정석환
정병길
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삼성전자주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H—ELECTRICITY
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    • H04R17/02—Microphones

Abstract

압전형 마이크로 스피커가 개시된다. 개시된 압전형 마이크로 스피커는, 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트와, 디바이스 플레이트의 전면에서 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트와, 디바이스 플레이트의 후면에서 후면 캐비티와 디바이스 플레이트와 접촉되는 공간인 벤트부를 포함한 후면 플레이트를 포함한다. 디바이스 플레이트에는 벤트부와 연통된 제1벤트홀이 형성되며, 전면 플레이트에는 제1벤트홀과 연통된 제2벤트홀이 형성된다.

Description

압전형 마이크로 스피커{Piezoelectric micro speaker}
압전형 마이크로 스피커에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자 디바이스에 표면실장이 가능한 압전형 마이크로 스피커가 개시된다.
개인 음성 통신 및 데이터 통신을 위한 단말기의 급속한 발전에 따라 주고 받을 수 있는 데이터의 양은 지속적으로 증가하고 있는데도 불구하고 단말기는 소형화 및 다기능화가 기본적인 추세가 되고 있다.
이러한 추세에 부응하여, 최근 들어 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 음향 기기(acoustic device) 관련 연구가 진행되어 왔다. 특히, MEMS 기술 및 반도체 기술을 이용한 마이크로 스피커의 제작은 일괄 공정에 따라 소형화, 저가화 등을 가능하게 하고 주변 회로와의 집적이 용이하다는 장점을 가지고 있다.
이와 같은 MEMS 기술을 이용한 마이크로 스피커는 정전형(electrostatic type)과, 전자기형(electromagnetic type)과, 압전형(piezoelectric type)이 주류를 이루고 있다. 특히, 압전형 마이크로 스피커는 정전형에 비해 낮은 전압으로 구동이 가능하며 전자기형에 비해 구조가 단순하고 슬림화에 유리한 장점을 지니고 있다.
압전형 마이크로 스피커는, 두 개의 전극층들 사이에 형성된 압전층으로 이루어진 압전 구동부(piezoelectric actuator)가 다이어프램의 표면에 적층된 구조를 가진다. 압전형 마이크로 스피커를 전자 디바이스에 표면실장시, 압전형 마이크로 스피커의 배면에 형성된 벤트홀과 인쇄회로기판 표면 사이의 간격이 충분하지 않거나 일정하지 않은 경우, 마이크로 스피커의 음향특성이 바뀔 수 있다.
인쇄회로기판에 실장시 음향특성의 변화가 없는 압전형 마이크로 스피커가 제공된다.
일 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는, 다이어프램과, 상기 다이어프램을 진동시키기 위한 압전 구동부와, 상기 다이어프램의 전방에 위치하는 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트;
상기 디바이스 플레이트의 전면에 접합되는 것으로, 상기 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트; 및
상기 디바이스 플레이트의 후면에 접합되는 것으로, 상기 압전 구동부와 마주 보는 표면에 형성된 후면 캐비티와, 상기 후면 캐비티와 연통되어서 상기 디바이스 플레이트와 접촉되는 공간인 벤트부를 구비한 후면 플레이트;를 구비하며, 상기 디바이스 플레이트에는 상기 벤트부와 연통된 제1벤트홀이 형성되며, 상기 전면 플레이트에는 상기 제1벤트홀과 연통된 제2벤트홀이 형성된다.
상기 제1벤트홀은 상기 전면 캐비티와 이격되며, 상기 제2벤트홀은 상기 방사홀과 이격된다.
상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트부는 상기 후면 플레이트의 변을 따라 길게 형성된다.
상기 후면 플레이트의 마주보는 한쌍의 모서리에는 각각 도전성 플러그가 채 워진 관통홀이 형성되며, 상기 도전성 플러그는 상기 압전 구동부를 이루는 제1전극층 및 제2전극층에 연결된다.
상기 제1벤트홀 및 상기 제2벤트홀은 각각 상기 후면 플레이트의 변을 따라 길게 형성된 슬리트홀(slit hole)이다.
다른 국면에 따르면, 상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트부는 상기 후면 플레이트의 모서리에 형성된다.
다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는:
다이어프램과, 상기 다이어프램을 진동시키기 위한 압전 구동부와, 상기 다이어프램의 전방에 위치하는 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트;
상기 디바이스 플레이트의 전면에 접합되는 것으로, 상기 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트; 및
상기 디바이스 플레이트의 후면에 접합되는 것으로, 상기 압전 구동부와 마주 보는 표면에 형성된 후면 캐비티와, 상기 후면 캐비티와 연통되어서 그 측면을 관통하는 벤트홀을 구비한 후면 플레이트;를 구비한다.
일 국면에 따르면, 상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트홀은 상기 후면 플레이트의 측면을 따라 길게 형성되며, 상기 디바이스 플레이트와 함께 홀을 형성한다.
다른 국면에 따르면, 상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트홀은 상기 후면 플레이트의 측면에 형성된다.
상기한 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 의하면, 벤트홀이 측면 또는 전면을 향해 형성되므로, 전자소자 디바이스에 표면실장시 실장조건에 관계없이 마이크로 스피커의 음향특성이 일정하게 된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 아래에 예시된 실시예들은 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커(100)를 도시한 사시도이며, 도 2는 도 1의 A-A 선단면도이며, 도 3은 도 1의 B-B 선단면도이다.
도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 압전형 마이크로 스피커(100)는, 다이어프램(114)과 압전 구동부(piezoelectric actuator, 120)를 구비한 디바이스 플레이트(110)와, 디바이스 플레이트(110)의 후면에 접합되는 후면 플레이트(130)와, 디바이스 플레이트(110)의 전면에 접합되며 음향을 방사하기 위한 방사홀(151)이 형성된 전면 플레이트(150)를 구비한다.
도 4는 후면 플레이트(130)의 일부 사시도이다. 도 4를 참조하면, 후면 플레이트(130)에는 다이어프램(114)과 압전 구동부(120)의 진동을 위한 공간 확보용 후면 캐비티(131)와 댐핑 억제 및 음향 특성의 튜닝을 위한 벤트부(133)가 형성된다.
벤트부(133)는 후면 캐비티(131)로부터 측면으로 연장된 영역이며, 후술되는 벤트홀들(123, 153)과 연통된다. 벤트부(133)는 사각형상의 후면 플레이트(130)의 변을 따라서 형성되며, 디바이스 플레이트(110)의 저면과 접촉되는 공간을 가진다.
디바이스 플레이트(110)는, 표면상에 소정 두께로 형성된 다이어프램(114)과, 다이어프램(114)의 표면상에 순차 적층된 압전 구동부(120)를 구비한다. 압전 구동부(120)는 원 형상일 수 있다. 압전 구동부(120)는 다이어프램(114) 상에 순차적으로 적층된 제1전극층(121), 압전층(122) 및 제2전극층(123)을 포함한다. 디바이스 플레이트(110)는 실리콘 웨이퍼로 이루어질 수 있다. 다이어프램(114)은 디바이스 플레이트(110)의 표면상에 소정 두께로 증착된 실리콘 질화물, 예컨대 Si3N4로 이루어질 수 있다. 제1전극층(121)과 제2전극층(123)은 도전성 금속물질로 이루어질 수 있으며, 압전층(122)은 압전물질, 예컨대 ZnO(Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
디바이스 플레이트(110)에는 전면 캐비티(111)가 형성된다. 전면 캐비티(111)는 다이어프램(114)과 압전 구동부(120)의 진동이 일어날 수 있도록 하고 다이어프램(114)의 진동에 의해 발생된 음향의 방사를 위해 다이어프램(114)의 전방에 위치한 공간이다.
디바이스 플레이트(110)에 있어서, 제1전극층(121)과 제2전극층(123)을 통해 압전층(122)에 소정의 전압을 인가하면, 압전층(122)이 변형되면서 다이어프램(114)을 진동시키게 된다. 이와 같은 다이어프램(114)의 진동에 의해 음향이 발 생되며, 발생된 음향은 전면 캐비티(111)를 통해 전방으로 방사된다. 다이어프램(114)의 진동에 의해 발생된 음향은 전방뿐만 아니라 후방으로도 방사된다.
디바이스 플레이트(110)에는 벤트부(133)와 연통된 제1벤트홀(113)이 형성된다. 제1벤트홀(113)은 전면 캐비티(111)와 이격되게 형성된다. 제1벤트홀(113)은 사각형상의 디바이스 플레이트(110)의 측벽을 따라 길게 형성된 슬리트 홀이다.
전면 플레이트(150)는 디바이스 플레이트(110)의 전면에 접합되며, 실리콘 웨이퍼로 이루어질 수 있다. 전면 플레이트(150)에는 음향의 방사를 위한 방사 홀(151)과 제2벤트홀(153)이 형성된다. 방사홀(151)은 디바이스 플레이트(110)에 형성된 전면 캐비티(111)와 연통되도록 형성된다. 제2벤트홀(153)은 사각형상의 전면 플레이트(150)의 측벽을 따라 길게 형상된 슬리트 홀이다.
제2벤트홀(153)은 제1벤트홀(113) 및 벤트부(123)와 연통되며, 방사홀(151)과는 이격되게 형성된다. 압전 구동부(120)에 의해서 후면 캐비티(131)에서 형성된 음향은 벤트부(133), 제1벤트홀(113) 및 제2벤트홀(153)을 통해서 방사된다.
후면 플레이트(130)의 마주보는 모서리의 상부에는 각각 비아홀(161, 162)이 형성되며, 비아홀(161, 162)에는 도전성 플러그(163, 164)가 채워진다. 도전성 플러그(163, 164)의 하부에는 하부전극패드(165, 166)가 형성되며, 도전성 플러그(163, 164)의 상부에는 상부전극패드(167, 168)가 형성된다. 하부전극패드(165, 166)는 압전형 마이크로 스피커(100)가 실장되는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결하기 위한 것이며, 솔더볼(solder ball)을 통해서 인쇄회로기판에 연결될 수 있다.
도 5는 도 1의 압전형 마이크로 스피커(100)를 전자 디바이스의 인쇄회로기 판(170) 상에 설치한 상태를 보여주는 단면도이다. 인쇄회로기판(170)에는 마이크로 스피커(100)의 구동을 위한 구동전극패드(171, 172)가 형성되어 있다. 구동전극패드(171, 172)는 솔더볼(173, 174)을 통해 제2전극층(123) 및 제1전극층(121)과 전기적으로 연결된다.
도 3에서 보면, 제1전극층(121)으로부터 우측으로 연장된 배선(121a)은 상부전극패드(168)와 접속된다. 제2전극층(123)으로부터 좌측으로 연장된 배선(123a)은 상부전극패드(167)와 접속된다. 따라서, 외부로부터 제1전극층(121) 및 제2전극층(123)에 전압을 인가하기 위해서 하부전극패드(163, 164)에 전압이 인가된다.
후면플레이트(130)는 실리콘 웨이퍼로 이루어질 수 있으며, 상부전극패드(167, 168) 및 하부전극패드(165, 166)는 도전성 금속 물질, 예컨대 크롬 및/또는 금으로 이루어질 수 있다. 도전성 플러그(163, 164)는 도전성 금속 물질, 예컨대 구리로 이루어질 수 있다. 특히, 상부전극패드(167, 168) 및 하부전극패드(165, 166)는 크롬과 금이 적층된 2중층으로 이루어질 수 있다.
후면 플레이트(130)는 디바이스 플레이트(110)의 후면에 접합되며, 전면 플레이트(150)는 디바이스 플레이트(110)의 전면에 접합된다. 후면 플레이트(130)와 디바이스 플레이트(110)의 접합은 도전성을 가진 금속 컴파운드 또는 고분자를 이용하여 이루어질 수 있다. 전면 플레이트(150)와 디바이스 플레이트(110)의 접합도 도전성을 가진 금속 컴파운드 또는 고분자를 이용하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커(100)에 의하면, 벤트홀이 마이크로 스피커(100)의 배면이 아니라 전면에 형성되므로, 인쇄회로기판에 실장시 접합부(솔더볼)의 두께 등에 의해 실장전 음향특성이 바뀌지 않는다. 즉, 실장조건에 관계없이 일정한 음향특성이 유지될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커(200)를 도시한 사시도이며, 도 7은 도 6의 C-C 선단면도이며, 도 8은 도 6의 D-D 선단면도이다. 상술한 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 명칭을 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 6 내지 도 8을 함께 참조하면, 압전형 마이크로 스피커(200)는 다이어프램(214)과 압전 구동부(piezoelectric actuator, 220)를 구비한 디바이스 플레이트(210)와, 디바이스 플레이트(210)의 후면에 접합되는 후면 플레이트(230)와, 디바이스 플레이트(210)의 전면에 접합되며 음향을 방사하기 위한 방사홀(251)이 형성된 전면 플레이트(250)를 구비한다.
후면 플레이트(230)에는 다이어프램(214)과 압전 구동부(220)의 진동을 위한 공간 확보용 후면 캐비티(231)와 댐핑 억제 및 음향 특성의 튜닝을 위한 벤트홀(233)이 형성된다. 후면 캐비티(231)는 다이어프램(214)과 압전 구동부(220)의 진동을 위한 공간이다.
벤트홀(233)은 후면 캐비티(231)로부터 측면으로 연장된 공간이며, 디바이스 플레이트(210)의 저면과 함께 측면홀을 형성한다. 벤트홀(233)은 사각형상의 후면 플레이트(230)의 변을 따라서 형성되며, 디바이스 플레이트(210)의 저면과 접촉되는 공간을 가진다. 압전 구동부(220)에 의해서 후면 캐비티(231)에서 형성된 음향은 벤트홀(233)을 통해서 외부로 방사된다.
디바이스 플레이트(210)는, 표면상에 소정 두께로 형성된 다이어프램(214)과, 다이어프램(214)의 표면상에 순차 적층된 압전 구동부(220)를 구비한다. 압전 구동부(220)는 원 형상일 수 있다. 압전 구동부(220)는 다이어프램(214) 상에 순차적으로 적층된 제1전극층(221), 압전층(222) 및 제2전극층(223)을 포함한다. 디바이스 플레이트(210)에는 전면 캐비티(211)가 형성된다.
전면 플레이트(250)는 디바이스 플레이트(210)의 전면에 접합된다. 전면 플레이트(250)에는 음향의 방사를 위한 방사 홀(251)이 형성된다. 방사홀(251)은 디바이스 플레이트(210)에 형성된 전면 캐비티(211)와 연통되도록 형성된다.
후면 플레이트(230)의 마주보는 모서리의 상부에는 각각 비아홀(261, 262)이 형성되며, 비아홀(261, 262)에는 도전성 플러그(263, 264)가 채워진다. 도전성 플러그(263, 264)의 하부에는 하부전극패드(265, 266)가 형성되며, 도전성 플러그(263, 264)의 상부에는 상부전극패드(267, 268)가 형성된다. 하부전극패드(265, 266)는 압전형 마이크로 스피커(200)가 실장되는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결하기 위한 것이며, 솔더볼(solder ball)을 통해서 인쇄회로기판에 연결될 수 있다.
도 8에서 보면, 제1전극층(221)으로부터 우측으로 연장된 배선(221a)은 상부전극패드(268)와 접속된다. 제2전극층(223)으로부터 좌측으로 연장된 배선(223a)은 상부전극패드(267)와 접속된다. 따라서, 외부로부터 제1전극층(221) 및 제2전극층(223)에 전압을 인가하기 위해서 하부전극패드(263, 264)에 전압이 인가된다.
후면 플레이트(230)는 디바이스 플레이트(210)의 후면에 접합되며, 전면 플레이트(250)는 디바이스 플레이트(210)의 전면에 접합된다.
도 6 내지 도 8의 실시예에서는 벤트홀(233)이 디바이스 플레이트(230)과 결합하여 홀을 형성하지만 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 9의 변형예에서 보듯이 벤트홀(233')이 후면 플레이트(230')의 측면에 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커(200)에 의하면, 벤트홀이 마이크로 스피커(200)의 배면이 아니라 측면에 형성되므로, 인쇄회로기판에 실장시 접합부(솔더볼)의 두께 등에 의해 실장전 음향특성이 바뀌지 않는다. 즉, 실장조건에 관계없이 일정한 음향특성이 유지될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커(300)의 개략적 사시도이며, 도 11은 도 10의 E-E 선단면도, 도 12는 도 10의 F-F 선단면도이다. 상술한 실시예의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 10 내지 도 12를 함께 참조하면, 압전형 마이크로 스피커(300)는, 다이어프램(314)과 압전 구동부(piezoelectric actuator, 320)를 구비한 디바이스 플레이트(310)와, 디바이스 플레이트(310)의 후면에 접합되는 후면 플레이트(330)와, 디바이스 플레이트(310)의 전면에 접합되며 음향을 방사하기 위한 방사홀(351)이 형성된 전면 플레이트(350)를 구비한다.
디바이스 플레이트(310)는, 표면상에 소정 두께로 형성된 다이어프램(314)과, 다이어프램(314)의 표면상에 순차 적층된 압전 구동부(320)를 구비한다. 압전 구동부(320)는 원 형상일 수 있다. 압전 구동부(320)는 다이어프램(314) 상에 순차 적으로 적층된 제1전극층(321), 압전층(322) 및 제2전극층(323)을 포함한다.
도 13은 후면 플레이트(330)의 일부 사시도이다. 도 13을 참조하면, 후면 플레이트(330)에는 다이어프램(314)과 압전 구동부(320)의 진동을 위한 공간 확보용 후면 캐비티(331)와 댐핑 억제 및 음향 특성의 튜닝을 위한 벤트부(333)가 형성된다. 벤트부(333)는 후면 캐비티(331)로부터 모서리측으로 연장된 영역이며, 후술되는 벤트홀들(323, 353)과 연통된다. 벤트부(333)는 디바이스 플레이트(310)의 저면과 접촉되는 공간을 가진다. 참조번호 367, 368은 상부전극패드이며 후술된다.
디바이스 플레이트(310)에는 전면 캐비티(311)가 형성된다. 전면 캐비티(311)는 다이어프램(314)과 압전 구동부(320)의 진동이 일어날 수 있도록 하고 다이어프램(314)의 진동에 의해 발생된 음향의 방사를 위해 다이어프램(314)의 전방에 위치한 공간이다.
디바이스 플레이트(310)에는 벤트부(333)와 연통된 제1벤트홀(313)이 형성된다. 제1벤트홀(313)은 전면 캐비티(311)와 이격되게 형성된다. 제1벤트홀(313)은 사각형상의 디바이스 플레이트(310)의 모서리에 형성된 홀이다.
전면 플레이트(350)는 디바이스 플레이트(310)의 전면에 접합된다. 전면 플레이트(350)에는 음향의 방사를 위한 방사 홀(351)과 제2벤트홀(353)이 형성된다. 방사홀(351)은 디바이스 플레이트(310)에 형성된 전면 캐비티(311)와 연통되도록 형성된다. 제2벤트홀(353)은 사각형상의 전면 플레이트(350)의 모서리에 형성된 홀이다. 제2벤트홀(353)은 제1벤트홀(313) 및 벤트부(323)와 연통되며, 방사홀(351)과는 이격되게 형성된다. 압전 구동부(320)에 의해서 후면 캐비티(331)에서 형성된 음향은 벤트부(333), 제1벤트홀(313) 및 제2벤트홀(353)을 통해서 방사된다.
후면 플레이트(330)의 마주보는 한쌍의 측면의 상부에는 각각 비아홀(361, 362)이 형성되며, 비아홀(361, 362)에는 도전성 플러그(363, 364)가 채워진다. 도전성 플러그(363, 364)의 하부에는 하부전극패드(365, 366)가 형성되며, 도전성 플러그(363, 364)의 상부에는 상부전극패드(367, 368)가 형성된다. 하부전극패드(365, 366)는 압전형 마이크로 스피커(300)가 실장되는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결하기 위한 것이며, 솔더볼(solder ball)을 통해서 인쇄회로기판에 연결될 수 있다.
도 11에서 보면, 제1전극층(321)으로부터 우측으로 연장된 배선(321a)은 상부전극패드(368)와 접속된다. 제2전극층(323)으로부터 좌측으로 연장된 배선(323a)은 상부전극패드(367)와 접속된다. 따라서, 외부로부터 제1전극층(321) 및 제2전극층(323)에 전압을 인가하기 위해서 하부전극패드(363, 364)에 전압이 인가된다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예들을 기준으로 본 발명이 설명되었다. 그러나, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A 선단면도이며, 도 3은 도 1의 B-B 선단면도이다.
도 4는 도 1의 후면 플레이트의 일부 사시도이다.
도 5는 도 1의 압전형 마이크로 스피커를 전자 디바이스의 인쇄회로기판 상에 설치한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커를 도시한 사시도이다.
도 7은 도 6의 A-A 선단면도이며, 도 8은 도 6의 B-B 선단면도이다.
도 9는 도 6의 변형예를 보여주는 일부 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 개략적 사시도이다.
도 11은 도 9의 A-A 선단면도, 도 12는 도 10의 B-B 선단면도이다.
도 13은 도 10의 후면 플레이트의 일부 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100...마이크로 스피커 110...디바이스 플레이트
111...전면 캐비티 113...제1벤트홀
114...다이어프램 120...압전 구동부
121...제1전극층 122...압전층
123...제2전극층 130...후면 플레이트
131...후면 캐비티 133...벤트부
150...전면 플레이트 151...방사홀
153...제2벤트홀 161,162...비아홀
163,164...도전성 플러그 165,166...하부전극패드
167,168...상부전극패드

Claims (11)

  1. 다이어프램과, 상기 다이어프램을 진동시키기 위한 압전 구동부와, 상기 다이어프램의 전방에 위치하는 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트;
    상기 디바이스 플레이트의 전면에 접합되는 것으로, 상기 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트; 및
    상기 디바이스 플레이트의 후면에 접합되는 것으로, 상기 압전 구동부와 마주 보는 표면에 형성된 후면 캐비티와, 상기 후면 캐비티와 연통되어서 상기 디바이스 플레이트와 접촉되는 공간인 벤트부를 구비한 후면 플레이트;를 구비하며,
    상기 디바이스 플레이트에는 상기 벤트부와 연통된 제1벤트홀이 형성되며, 상기 전면 플레이트에는 상기 제1벤트홀과 연통된 제2벤트홀이 형성되며,
    상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트부는 상기 후면 플레이트의 변을 따라 길게 형성된 압전형 마이크로 스피커.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1벤트홀은 상기 전면 캐비티와 이격되며, 상기 제2벤트홀은 상기 방사홀과 이격된 압전형 마이크로 스피커.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 후면 플레이트의 마주보는 한쌍의 모서리에는 각각 도전성 플러그가 채워진 관통홀이 형성되며, 상기 도전성 플러그는 상기 압전 구동부를 이루는 제1전극층 및 제2전극층에 연결된 압전형 마이크로 스피커.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1벤트홀 및 상기 제2벤트홀은 각각 상기 후면 플레이트의 변을 따라 길게 형성된 슬리트홀인 압전형 마이크로 스피커.
  6. 다이어프램과, 상기 다이어프램을 진동시키기 위한 압전 구동부와, 상기 다이어프램의 전방에 위치하는 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트;
    상기 디바이스 플레이트의 전면에 접합되는 것으로, 상기 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트; 및
    상기 디바이스 플레이트의 후면에 접합되는 것으로, 상기 압전 구동부와 마주 보는 표면에 형성된 후면 캐비티와, 상기 후면 캐비티와 연통되어서 상기 디바이스 플레이트와 접촉되는 공간인 벤트부를 구비한 후면 플레이트;를 구비하며,
    상기 디바이스 플레이트에는 상기 벤트부와 연통된 제1벤트홀이 형성되며, 상기 전면 플레이트에는 상기 제1벤트홀과 연통된 제2벤트홀이 형성되며,
    상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트부는 상기 후면 플레이트의 모서리에 형성된 압전형 마이크로 스피커.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 후면 플레이트의 마주보는 한쌍의 측면상에는 각각 도전성 플러그가 채워진 관통홀이 형성되며, 상기 도전성 플러그는 상기 압전 구동부를 이루는 제1전극층 및 제2전극층에 연결된 압전형 마이크로 스피커.
  8. 다이어프램과, 상기 다이어프램을 진동시키기 위한 압전 구동부와, 상기 다이어프램의 전방에 위치하는 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트;
    상기 디바이스 플레이트의 전면에 접합되는 것으로, 상기 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트; 및
    상기 디바이스 플레이트의 후면에 접합되는 것으로, 상기 압전 구동부와 마주 보는 표면에 형성된 후면 캐비티와, 상기 후면 캐비티와 연통되어서 그 측면을 관통하는 벤트홀을 구비한 후면 플레이트;를 구비하며,
    상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트홀은 상기 후면 플레이트의 측면을 따라 길게 형성되며, 상기 디바이스 플레이트와 함께 상기 벤트홀을 형성한 압전형 마이크로 스피커.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 후면 플레이트의 마주보는 한쌍의 모서리에는 각각 도전성 플러그가 채워진 관통홀이 형성되며, 상기 도전성 플러그는 상기 압전 구동부를 이루는 제1전극층 및 제2전극층에 각각 연결된 압전형 마이크로 스피커.
  11. 다이어프램과, 상기 다이어프램을 진동시키기 위한 압전 구동부와, 상기 다이어프램의 전방에 위치하는 전면 캐비티를 포함하는 디바이스 플레이트;
    상기 디바이스 플레이트의 전면에 접합되는 것으로, 상기 전면 캐비티와 연통되는 방사 홀을 가진 전면 플레이트; 및
    상기 디바이스 플레이트의 후면에 접합되는 것으로, 상기 압전 구동부와 마주 보는 표면에 형성된 후면 캐비티와, 상기 후면 캐비티와 연통되어서 그 측면을 관통하는 벤트홀을 구비한 후면 플레이트;를 구비하며,
    상기 후면 플레이트는 사각 형상이며, 상기 벤트홀은 상기 후면 플레이트의 측면에 형성된 압전형 마이크로 스피커.
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