JP2010109457A - 音響電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響電子部品を提供する。
【解決手段】実装基板(111)と、前記実装基板上に配置され、音響容量として機能する空洞部及び音響抵抗として機能する溝のいずれか一方又は両方が設けられた部材(112)と、前記部材上に配置され、チップの表面に音響素子が設けられ、チップの裏面における前記音響素子の下部に、音響容量として機能する裏面空洞が設けられたウェハチップ(113)と、を備えることを特徴とする音響電子部品。
【選択図】図2
【解決手段】実装基板(111)と、前記実装基板上に配置され、音響容量として機能する空洞部及び音響抵抗として機能する溝のいずれか一方又は両方が設けられた部材(112)と、前記部材上に配置され、チップの表面に音響素子が設けられ、チップの裏面における前記音響素子の下部に、音響容量として機能する裏面空洞が設けられたウェハチップ(113)と、を備えることを特徴とする音響電子部品。
【選択図】図2
Description
本発明は、音響電子部品に関し、例えば、チップの表面に音響素子、チップの裏面に裏面空洞が設けられた音響トランスデューサに関する。
近年、携帯電話機等の通信機器には、マイク、フィルタ、発振器等の電子部品が数多く用いられている。そして、これらの電子部品に対しては、小型化及び高信頼性が強く求められている。また、これらの電子部品は、これらの電子部品から製品を組み立てる際に、歩留まりよく組み立てができることも求められている。
近年、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術により製造されるMEMSマイクロフォンが注目されている。MEMSマイクロフォンの例であるシリコンマイクロフォンは、シリコン基板上に、薄膜の圧電膜を電極で挟み込んだ圧電素子を形成することで作製される。シリコンマイクロフォンでは、圧電素子が音圧を感知することで、電極間に電荷が発生する。このようにして、機械振動が電気信号に変換される。
MEMSマイクロフォンでは一般に、シリコン基板の表面に圧電素子が設けられ、シリコン基板の裏面における圧電素子の下部にバックキャビティ(裏面空洞)が設けられる。そして、シリコン基板の裏面は、実装基板に接着される。しかしながら、このようなMEMSマイクロフォンには、バックキャビティの体積が小さく、低周波側の感度が低いという欠点がある。
特許文献1及び2には、実装基板の表面に窪みを設けたMEMSマイクロフォンが記載されている。このような窪みにより、バックキャビティの容積を広くすることが可能となっている。しかしながら、この技術には、実装基板の表面に窪みを設けるためのコストがかさむという欠点がある。
特表2008−510427号公報
米国特許出願US2005/0018864号公報
本発明は、低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響電子部品を提供することを課題とする。
本発明の一の態様は例えば、実装基板と、前記実装基板上に配置され、音響容量として機能する空洞部及び音響抵抗として機能する溝のいずれか一方又は両方が設けられた部材と、前記部材上に配置され、チップの表面に音響素子が設けられ、チップの裏面における前記音響素子の下部に、音響容量として機能する裏面空洞が設けられたウェハチップと、を備えることを特徴とする音響電子部品である。
本発明によれば、低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響電子部品を提供することが可能になる。
本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の音響トランスデューサ101の上面図である。図2は、図1の音響トランスデューサ101の側方断面図である。図2は、図1のA−A’線に沿った断面図となっている。本実施形態の音響トランスデューサ101は、本発明の音響電子部品の例である。
図1は、第1実施形態の音響トランスデューサ101の上面図である。図2は、図1の音響トランスデューサ101の側方断面図である。図2は、図1のA−A’線に沿った断面図となっている。本実施形態の音響トランスデューサ101は、本発明の音響電子部品の例である。
本実施形態の音響トランスデューサ101は、図2に示すように、実装基板111と、本発明の部材の例である樹脂部材112と、本発明のウェハチップの例であるシリコン基板113と、蓋114とを備える。
実装基板111は、種々の電子部品を実装するための基板である。実装基板111はここでは、樹脂基板である。実装基板111には、図1に示すように、ワイヤパッド121や、実装基板111と蓋114を接着するための蓋接着部材122が設けられている。
樹脂部材112は、実装基板111上に配置されている。樹脂部材112には、図2に示すように、音響容量として機能する空洞部201が設けられている。本実施形態では、空洞部201は、樹脂部材112を貫通している。そのため、樹脂部材112は、図3のような板状の部材ではなく、図4のような環状の部材となっている。図3,図4は、図中のZ軸方向を垂直方向とする斜視図である。本実施形態では、空洞部201の面積,高さはそれぞれ、2.2mm×2.2mm,0.1mmとなっており、体積は0.48mm3となっている。
シリコン基板113は、樹脂部材112上に配置されている。シリコン基板113は、シリコンウェハがダイシングされたシリコンチップである。シリコン基板113の面積,厚さはそれぞれ、2.5mm×2.5mm,0.43mmとなっている。
図2では、シリコン基板113の表面がS1で示され、シリコン基板113の裏面がS2で示されている。
シリコン基板113の表面S1には、図2に示すように、本発明の音響素子の例である圧電素子131が設けられている。これにより、本実施形態の音響トランスデューサ101は、MEMSマイクロフォンとなっている。圧電素子131は、薄膜の圧電膜を電極で挟み込んだ構造を有している。具体的には、圧電素子131は、シリコン基板113上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された圧電膜と、圧電膜上に形成された上部電極とを備えている。下部電極は、メタル層でも活性層でも構わない。
なお、下部電極を活性層とする場合、当該活性層は、シリコン基板113の表面へのイオン注入により形成される。当該活性層は例えば、シリコン基板113の表面にイオン注入マスクパターンを形成し、シリコン基板113にP(リン)イオンを打ち込むことで形成される。Pイオンの打ち込み条件は例えば、180keV及び1×1015atoms/cm2とする。これにより、圧電素子131の下部電極として機能する活性層が形成される。
シリコン基板113の裏面S2には、図2に示すように、音響容量として機能する裏面空洞202が設けられている。裏面空洞202は、シリコン基板113の裏面S2において、圧電素子131の下部に設けられている。本実施形態では、裏面空洞202の面積,高さはそれぞれ、1.5mm×1.5mm,0.43mmとなっており、体積は0.97mm3となっている。
このように、本実施形態の音響トランスデューサ101には、裏面空洞202に加えて空洞部201が設けられている。これにより、圧電素子131に作用する音響容量が増加している。本実施形態では、空洞部201は、裏面空洞202の下部に設けられ、裏面空洞202と一体化されている。
図5は、音響トランスデューサ101の感度−周波数特性を示したグラフである。図5の横軸は、音圧の周波数を表し、図5の縦軸は、音響トランスデューサ101の感度を表す。また、Cmは空洞部201の音響容量、Ccavは裏面空洞202の音響容量、Rgapは、圧電素子131に作用する音響抵抗を表す。
図5に示すように、音響トランスデューサ101の感度は、低周波側で低くなる。図5には、Roll-Off周波数ωRoll-Offが示されている。音響トランスデューサ101の感度は、Roll-Off周波数よりも高周波側では、周波数によらず一定であり、Roll-Off周波数よりも低周波側では、周波数により変化する。音響トランスデューサ101は通常、Roll-Off周波数よりも高周波側で使用される。Roll-Off周波数よりも高周波側の周波数領域は、感度領域と呼ばれる。
Roll-Off周波数は、図5に示す式(*)で与えられる。このように、Roll-Off周波数は、空洞部201の音響容量Cmと裏面空洞202の音響容量Ccavとの和Cm+Ccavに反比例する。よって、本実施形態では、音響トランスデューサ101に空洞部201を設けることで、Roll-Off周波数を低下させ、音響トランスデューサ101の感度領域を低周波側に広げることができる。
本実施形態では、裏面空洞202の体積は0.97mm3であり、空洞部201の体積は0.48mm3である。よって、裏面空洞202の体積と空洞部201の体積との合計は、1.45mm3となる。これは、裏面空洞202の体積の1.49倍である。よって、Cm+Ccavの値は、Ccavの値の1.49倍になる。そのため、本実施形態では、音響トランスデューサ101に空洞部201を設けることで、Roll-Off周波数が0.67倍に低下し、音響トランスデューサ101の感度領域が低周波側に広くなる。
以上のように、本実施形態では、音響トランスデューサ101に、裏面空洞202と空洞部201とが設けられる。これにより、本実施形態では、音響トランスデューサ101の感度領域を低周波側に広げることができる。このように、本実施形態によれば、低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響トランスデューサ101を提供することが可能になる。
また、本実施形態では、空洞部201は、樹脂部材112に設けられる。これにより、本実施形態では、実装基板111の表面に窪みを設けずに、音響トランスデューサ101の感度領域を低周波側に広げることができる。空洞部201を有する樹脂部材112は、窪みを有する実装基板111に比べ、はるかに低いコストで用意することができる。
本実施形態では、空洞部201は、裏面空洞202の下部に設けられ、裏面空洞202と一体化されている。これは、裏面空洞202の体積が、空洞部201の体積分だけ増加したものと解釈することもできる。即ち、本実施形態では、音響トランスデューサ101に空洞部201を設けることで、裏面空洞202の体積を増加させ、裏面空洞202の音響容量を増加させることができる。その結果、音響トランスデューサ101の感度領域が低周波側に広くなる。
図6は、比較例の音響トランスデューサ101の側方断面図である。図2では、部材112の形状が環状なのに対し、図6では、部材112の形状が板状になっている。図6では、部材112に空洞部201が設けられていない。一方、図2では、部材112の形状を環状にすることで、部材112に空洞部201が設けられている。これにより、図2では、裏面空洞202の体積が増加し、裏面空洞202の音響容量が増加している。
本実施形態では、樹脂部材112の厚さとシリコン基板113の厚さの合計は、蓋114の高さよりも小さくする必要がある。音響トランスデューサ101では、多くの場合、蓋114の高さに仕様上の制限がある。この場合には、樹脂部材112の厚さも、一定値未満に制限されることになる。本実施形態では、樹脂部材112の形状は、環状になっている。これには、樹脂部材112の厚さが薄くても、空洞部201の体積を大きくすることができるという利点がある。
なお、本実施形態では、部材112は、樹脂部材となっているが、樹脂部材以外の部材であっても構わない。また、本実施形態では、基板113は、シリコン基板となっているが、シリコン基板以外の基板であっても構わない。基板113は例えば、半導体基板と、半導体基板上に形成された埋込絶縁膜と、埋込絶縁膜上に形成された半導体層とを備えるSOI(Semiconductor On Insulator)基板であっても構わない。
以下、樹脂部材112の詳細について説明する。
樹脂部材112は例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、Bステージ化可能樹脂、又は紫外線硬化型樹脂で形成される。樹脂部材112は、これらのうちの2種類以上の樹脂を含んでいてもよい。また、樹脂部材112には、シリコン、炭素、金、銀のうちの1種類以上が添加されていてもよい。また、樹脂部材112には、ソルダレジスト、永久レジスト、感光型レジストのうちの1種類以上のレジストが含まれていてもよい。
樹脂部材112は例えば、シート状の樹脂部材を環状の樹脂部材に加工することで形成される。また、樹脂部材112は、樹脂の重ね塗りにより形成してもよい。樹脂の重ね塗りには、樹脂部材112の厚さを厚くすることができるという利点がある。これにより、空洞部201の音響容量を増加させることができる。
本実施形態では、樹脂部材112は、実装基板111とシリコン基板113を接着するためのダイボンド材となっている。よって、本実施形態では、樹脂部材112は、空洞部201を形成する役割と、チップ接着剤としての役割を兼ねている。これには、樹脂部材112の厚さとシリコン基板113の厚さの合計を小さくすることができるという利点がある。
なお、本実施形態では、シリコン基板113上に、圧電素子131に加えて、ドライバが設けられていてもよい。この場合、裏面空洞202及び空洞部201は、ドライバの下部にまで広がっていてもよい。これにより、圧電素子131に作用する音響容量が、更に大きくなる。また、素子131は、圧電素子以外の音響素子でも構わない。また、本実施形態では、電子部品の例として音響トランスデューサ101を取り上げたが、本実施形態は、音響トランスデューサ101以外の音響電子部品にも適用可能である。
以上のように、本実施形態では、ウェハチップ113に裏面空洞202が設けられるとともに、部材112に空洞部201が設けられる。これにより、本実施形態では、低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響トランスデューサ101を提供することが可能になる。
以下、第2実施形態の音響トランスデューサ101について説明する。第2実施形態は第1実施形態の変形例であり、第2実施形態については、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
(第2実施形態)
図7は、第2実施形態の音響トランスデューサ101の上面図である。図8は、図7の音響トランスデューサ101の側方断面図である。図8は、図7のB−B’線に沿った断面図となっている。本実施形態の音響トランスデューサ101は、本発明の音響電子部品の例である。
図7は、第2実施形態の音響トランスデューサ101の上面図である。図8は、図7の音響トランスデューサ101の側方断面図である。図8は、図7のB−B’線に沿った断面図となっている。本実施形態の音響トランスデューサ101は、本発明の音響電子部品の例である。
本実施形態の音響トランスデューサ101は、図8に示すように、実装基板111と、本発明の部材の例である積層部材141と、本発明のウェハチップの例であるシリコン基板113と、蓋114とを備える。
本実施形態では、実装基板111上に積層部材141が配置され、積層部材141上にシリコン基板113が配置されている。積層部材141には、図7に示すように、音響抵抗として機能する溝301が設けられている。溝301は、裏面空洞202の内部と外部とをつなぐ通気孔となっている。
図9は、図7に示す領域Xの拡大図である。図9には、溝301を上方から見た様子が示されている。図10は、図8に示す領域Yの拡大図であり、図7のB−B’線に沿った断面図となっている。また、図11は、図9のC−C’線に沿った断面図である。また、図12は、図9のD−D’線に沿った断面図である。図11及び図12にはそれぞれ、溝301を側方から見た様子が示されている。なお、図9は、図10から図12のE−E’線に沿った断面図となっていることに留意されたい。
積層部材141は、図10から図12に示すように、本発明の第1の部材の例であるメタル層151と、本発明の第2の部材の例であるダイアタッチフィルム152とを有している。積層部材141には更に、ソルダレジスト161が含まれている。メタル層151とダイアタッチフィルム152は、ソルダレジスト161により接合されている。
メタル層151は、実装基板111上に配置されている。メタル層151はここでは、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、又はAu(金)で形成される。メタル層151は、これらのうちの2種類以上を含んでいてもよい。メタル層151(及びソルダレジスト161)には、図11及び図12に示すように、音響容量として機能する空洞部201と、音響抵抗として機能する上記の溝301が設けられている。空洞部201は、裏面空洞202の下部に設けられている。溝301は、空洞部201の側方に設けられている。溝301は、図12に示すように、空洞部201につながっている。
ダイアタッチフィルム152は、メタル層151上に配置されている。ダイアタッチフィルム152には、図11及び図12に示すように、裏面空洞202と空洞部201とを連絡する小さな穴302が設けられている。この小さな穴302は、音響抵抗としても機能する。なお、本実施形態のダイアタッチフィルム152は、ダイアタッチフィルム本来の役割に加えて、溝301の蓋の役割も果たしている。
以下、図5を参照して、音響トランスデューサ101の感度−周波数特性について説明する。
上述のように、音響トランスデューサ101のRoll-Off周波数は、図5に示す式(*)で与えられる。この式を参照すると、Roll-Off周波数は、圧電素子131に作用する音響抵抗Rgapに反比例することが解る。よって、本実施形態では、音響トランスデューサ101に溝301を設けることで、Roll-Off周波数を低下させ、音響トランスデューサ101の感度領域を低周波側に広げることができる。
溝301の音響抵抗は、ハーゲン−ポアズイユの法則により、開口半径の4乗に反比例すると共に、溝301の長さに比例する。そのため、本実施形態では、溝301の長さを長くすることで、Roll-Off周波数を低下させ、音響トランスデューサ101の感度領域を低周波側に広げることができる。
本実施形態の溝301は、図9に示すように、L字形の形状を有している。このように溝301に折れ曲がりを設けることには、溝301の長さを長くすることができるという利点がある。なお、溝301は、折れ曲がりを有していても、折れ曲がりを有していなくても構わない。
本実施形態の溝301は、積層部材141に設けられている。溝301には、音響抵抗Rgapを増加させる作用がある。音響抵抗Rgapは、圧電素子131に穴を設けることでも増加させることができる。しかし、これには、圧電素子131に穴を開けるのが難しいという問題がある。一方、積層部材141に溝301を設けるのは比較的容易である。このように、溝301には、加工が容易であるという利点がある。
以上のように、本実施形態では、音響トランスデューサ101に、裏面空洞202と溝301とが設けられる。これにより、本実施形態では、音響トランスデューサ101の感度領域を低周波側に広げることができる。このように、本実施形態によれば、第1実施形態と同様に、低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響トランスデューサ101を提供することが可能になる。
また、本実施形態では、音響トランスデューサ101にさらに、空洞部201が設けられる。これにより、本実施形態では、音響トランスデューサ101の感度領域をさらに低周波側に広げることができる。
また、本実施形態では、裏面空洞202と空洞部201とを連絡する穴302も、音響抵抗として機能する。これにより、本実施形態では、音響トランスデューサ101の感度領域をさらに低周波側に広げることができる。
以下、積層部材141の詳細について説明する。
本実施形態では、溝301が設けられた第1の部材の例として、メタル層151が示されている。本実施形態では、溝301は、メタル層151及びソルダレジスト161に設けられている。よって、本実施形態の第1の部材には、詳細には、メタル層151とソルダレジスト161とが含まれている。
なお、第1の部材には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、Bステージ化可能樹脂、又は紫外線硬化型樹脂が含まれていてもよい。第1の部材には、これらのうちの2種類以上の樹脂が含まれていてもよい。また、第1の部材に含まれる樹脂には、シリコン、炭素、金、銀のうちの1種類以上が添加されていてもよい。また、第1の部材には、ソルダレジスト、永久レジスト、感光型レジストのうちの1種類以上のレジストが含まれていてもよい。
また、第1の部材に含まれる樹脂は、シート状の樹脂部材を環状の樹脂部材に加工することで形成してもよい。また、第1の部材の一部または全部は、蓋接着部材122と同じプロセスで形成してもよい。
また、本実施形態では、穴302が設けられた第2の部材は、ダイアタッチフィルム152となっているが、その他の部材であっても構わない。
以上のように、本実施形態では、ウェハチップ113に裏面空洞202が設けられるとともに、部材141に溝301及び空洞部201が設けられる。これにより、本実施形態では、低周波側の感度保障が可能な信頼性の高い音響トランスデューサ101を提供することが可能になる。
なお、第1実施形態では、部材112に空洞部201が設けられており、第2実施形態では、部材141に空洞部201及び溝301が設けられている。しかしながら、本発明の実施形態には、空洞部201が設けられておらず、溝301が設けられている部材を備える音響トランスデューサ101も含まれる。このような音響トランスデューサ101の例を、図13及び図14に示す。この例は、第2実施形態の変形例であり、図13及び図14はそれぞれ、図11及び図12に対応する断面図である。この例では、図13及び図14に示すように、裏面空洞202の内部と外部とが、溝301と穴302だけを介してつながっており、部材141に空洞部201は設けられていない。本発明の実施形態には、このような例も含まれる。
以上、本発明の具体的な態様の例を、第1及び第2実施形態により説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。
101 音響トランスデューサ
111 実装基板
112 樹脂部材
113 シリコン基板
114 蓋
121 ワイヤパッド
122 蓋接着部材
131 圧電素子
141 積層部材
151 メタル層
152 ダイアタッチフィルム
161 ソルダレジスト
201 空洞部
202 裏面空洞
301 溝
302 穴
111 実装基板
112 樹脂部材
113 シリコン基板
114 蓋
121 ワイヤパッド
122 蓋接着部材
131 圧電素子
141 積層部材
151 メタル層
152 ダイアタッチフィルム
161 ソルダレジスト
201 空洞部
202 裏面空洞
301 溝
302 穴
Claims (5)
- 実装基板と、
前記実装基板上に配置され、音響容量として機能する空洞部及び音響抵抗として機能する溝のいずれか一方又は両方が設けられた部材と、
前記部材上に配置され、チップの表面に音響素子が設けられ、チップの裏面における前記音響素子の下部に、音響容量として機能する裏面空洞が設けられたウェハチップと、
を備えることを特徴とする音響電子部品。 - 前記部材に前記空洞部が設けられている場合において、
前記部材は、前記空洞部が設けられた環状の部材であり、
前記空洞部は、前記裏面空洞の下部に設けられ、前記裏面空洞と一体化されていることを特徴とする請求項1に記載の音響電子部品。 - 前記部材は、ダイボンド材であることを特徴とする請求項2に記載の音響電子部品。
- 前記部材に前記空洞部及び前記溝が設けられている場合において、
前記部材は、
前記実装基板上に配置され、前記裏面空洞の下部に前記空洞部が設けられ、前記空洞部の側方に前記溝が設けられた第1の部材と、
前記第1の部材上に配置され、前記裏面空洞と前記空洞部とを連絡する穴が設けられた第2の部材と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の音響電子部品。 - 前記第2の部材は、ダイアタッチフィルムであることを特徴とする請求項4に記載の音響電子部品。
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