JP2019204987A - トランスデューサ装置 - Google Patents
トランスデューサ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019204987A JP2019204987A JP2018096872A JP2018096872A JP2019204987A JP 2019204987 A JP2019204987 A JP 2019204987A JP 2018096872 A JP2018096872 A JP 2018096872A JP 2018096872 A JP2018096872 A JP 2018096872A JP 2019204987 A JP2019204987 A JP 2019204987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transducer device
- hole
- mounting substrate
- resistance
- mems element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
- バックチャンバーを備えた支持基板と該支持基板に固定された振動膜とを備えたMEMS素子と、前記MEMS素子を搭載する実装基板と、該実装基板と接合して前記MEMS素子を覆う蓋部と、を備えたトランスデューサ装置において、
前記MEMS素子のバックチャンバーにより形成されたコンデンサと、
前記実装基板と前記蓋部との間の空間内で、あるいは前記空間の内側と外側とで、前記空間の内側あるいは外側の気体が流れる抵抗孔により形成された抵抗とを備え、
前記コンデンサと前記抵抗とで形成されたハイパスフィルタを備え、入力信号が前記ハイパスフィルタを通過して出力されることを特徴とするトランスデューサ装置。 - 請求項1記載のトランスデューサ装置において、
前記蓋部に形成された入力信号が入力する信号入力孔と、
前記実装基板に前記MEMS素子の支持基板が接合し、前記実装基板あるいは前記支持基板の一部に形成された前記バックチャンバーの内側と外側とを連通する前記抵抗孔となる貫通孔とを備えたことを特徴とするトランスデューサ装置。 - 請求項1記載のトランスデューサ装置において、
前記蓋部に形成された入力信号が入力する信号入力孔と、
前記支持基板が接合した前記実装基板に形成された前記バックチャンバーの内側と外側とを連通する前記抵抗孔となる貫通孔とを備えたことを特徴とするトランスデューサ装置。 - 請求項1記載のトランスデューサ装置において、
前記支持基板が接合した前記実装基板の前記バックチャンバーに連通するように形成された入力信号が入力する信号入力孔と、
前記蓋部に形成された前記実装基板と前記蓋部との間の空間の内側と外側とを連通する前記抵抗孔となる貫通孔とを備えたことを特徴とするトランスデューサ装置。 - 請求項1乃至4記載のトランスデューサ装置において、
前記振動膜が圧電膜からなることを特徴とするトランスデューサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018096872A JP7219525B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | トランスデューサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018096872A JP7219525B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | トランスデューサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019204987A true JP2019204987A (ja) | 2019-11-28 |
JP7219525B2 JP7219525B2 (ja) | 2023-02-08 |
Family
ID=68727362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018096872A Active JP7219525B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | トランスデューサ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7219525B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111031460A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-17 | 歌尔微电子有限公司 | 一种mems芯片、制备方法及包括其的mems麦克风 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006325034A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 音響センサ |
JP2010109457A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Toshiba Corp | 音響電子部品 |
JP2010114776A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | 音響トランスデューサ |
US20110272769A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-11-10 | Bse Co., Ltd. | Mems microphone package and packaging method |
US20150014796A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Infineon Technologies Ag | Device with MEMS Structure and Ventilation Path in Support Structure |
WO2017221762A1 (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 株式会社村田製作所 | 電気音響変換装置 |
-
2018
- 2018-05-21 JP JP2018096872A patent/JP7219525B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006325034A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 音響センサ |
JP2010109457A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Toshiba Corp | 音響電子部品 |
JP2010114776A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | 音響トランスデューサ |
US20110272769A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-11-10 | Bse Co., Ltd. | Mems microphone package and packaging method |
US20150014796A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Infineon Technologies Ag | Device with MEMS Structure and Ventilation Path in Support Structure |
WO2017221762A1 (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 株式会社村田製作所 | 電気音響変換装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111031460A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-17 | 歌尔微电子有限公司 | 一种mems芯片、制备方法及包括其的mems麦克风 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7219525B2 (ja) | 2023-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8588435B2 (en) | Microphone | |
JP5502313B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5325555B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP5325554B2 (ja) | 音声入力装置 | |
JP4770605B2 (ja) | 平衡出力マイクロホンおよび平衡出力マイクロホンの製造方法 | |
US20120328132A1 (en) | Perforated Miniature Silicon Microphone | |
US10158951B2 (en) | Silicon microphone with suspended diaphragm and system with the same | |
US20060280319A1 (en) | Micromachined Capacitive Microphone | |
JP2009071813A (ja) | 振動トランスデューサ | |
JP5711860B1 (ja) | 圧電式発音体及び電気音響変換装置 | |
EP2587834A1 (en) | Microphone unit | |
JP2009044600A (ja) | マイクロホン装置およびその製造方法 | |
JP2008099212A (ja) | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 | |
CN107431863A (zh) | 压电扬声器 | |
US11496820B2 (en) | MEMS device with quadrilateral trench and insert | |
JP5097603B2 (ja) | マイクロホンユニット | |
JP2011176533A (ja) | 音響センサ | |
KR101877838B1 (ko) | 멤스 마이크로폰 소자 및 이를 포함하는 멤스 마이크로폰 모듈 | |
US10524060B2 (en) | MEMS device having novel air flow restrictor | |
JP7219525B2 (ja) | トランスデューサ装置 | |
JP2006332799A (ja) | 音響センサ | |
JP2011176534A (ja) | 音響センサ | |
JP2020191359A (ja) | 圧電素子 | |
JP2020178109A (ja) | 圧電素子 | |
KR20080071340A (ko) | 세라믹 패키지를 이용한 콘덴서 마이크로폰 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7219525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |