KR101562339B1 - 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 - Google Patents
압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101562339B1 KR101562339B1 KR1020080094096A KR20080094096A KR101562339B1 KR 101562339 B1 KR101562339 B1 KR 101562339B1 KR 1020080094096 A KR1020080094096 A KR 1020080094096A KR 20080094096 A KR20080094096 A KR 20080094096A KR 101562339 B1 KR101562339 B1 KR 101562339B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- diaphragm
- thin film
- piezoelectric
- piezoelectric plate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 6
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
Abstract
압전형 마이크로 스피커가 개시된다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 양상에 따른 압전형 마이크로 스피커는 진동판이 제 1 영역과 제 2 영역으로 구분된다. 이때, 제 1 영역은 그 가진력을 최대화 할 수 있도록 하는 재질로 구성하고 제 2 영역은 제 1 영역보다 상대적으로 초기 응력이 작고 영률이 낮은 재질로 구성할 수 있다. 이에 의하면, 진동판의 변형 효율을 높일 수 있어서 출력 음압이 높아지는 효과가 있다.
마이크로 스피커, 압전형, 진동판, 진동박막, 압전체, 압전박막
Description
마이크로 스피커, 특히 MEMS 기반의 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법이 개시된다.
압전 효과(Piezoelectric Effect)란 압전체를 매개로 기계적 에너지와 전기적 에너지가 상호 변환하는 작용이다. 다시 말해 압전체에 압력이나 진동을 가하면 전위차가 생기고 반대로 전위차를 인가하면 압전체에 변형이나 진동이 생기는 효과를 말한다.
이처럼 압전체에 전위차를 인가하여 변형이나 진동을 일으켜서 이러한 진동에 따라 소리가 발생되는 원리를 이용한 스피커가 압전 스피커이다.
한편, 개인 휴대 통신이 비약적으로 발전됨에 따라 지난 수 십 년간 초소형 acoustic transducer 관련 연구가 진행되어 왔고, 특히 압전형 마이크로 스피커는 구조가 단순하고 낮은 전압으로 구동이 가능하기 때문에 주요 연구 대상이 되고 있다.
일반적인 압전형 마이크로 스피커의 구조는 두께 방향 양 면에 전극층들이 형성된 압전판과 비압전성인 진동판으로 구성되며, 위 전극층을 통해 전압을 가하면 압전판에 형상 변형이 일어나고 이러한 형상 변형이 진동판을 진동시킴으로써 소리를 발생시키는 원리를 이용한다.
그러나 이러한 압전형 마이크로 스피커는 음성 코일 방식의 마이크로 스피커에 비해 음향 출력이 낮기 때문에 실용화 사례가 적다. 이에, 크기도 작고 음향 출력도 높은 압전형 마이크로 스피커가 필요한 실정이다.
본 발명은 전술한 점을 고려하여 안출된 것으로서, 본 발명의 일 양상에 따르면 출력 음압이 높은 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 양상에 따른 압전형 마이크로 스피커는, 전압에 따라 형상이 변형되는 압전판과 상기 압전판의 형상 변형을 전달받아 진동하는 진동판을 구비하는 압전형 마이크로 스피커에 있어서, 상기 진동판은 서로 다른 재질로 형성되는 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하며, 상기 제 1 영역은 상기 압전판과 실질적으로 동일한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성되는 것이 가능하다.
그리고 본 발명의 일 양상에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법은, 기판 위에 절연 박막을 증착하여 진동판을 형성하는 단계; 상기 진동판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판을 형성한 후, 상기 압전판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 진동판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 및 상기 진동판이 제거된 부분을 포함하여 상기 압전판보다 상대적으로 영률이 낮은 폴리머 박막을 증착 및 식각하는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 양상에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법은, 기판 위에 식각방지층을 형성한 후 절연 박막을 증착하여 진동판을 형성하는 단계; 상기 진동판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판을 형성한 후, 상기 압전판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 압전판보다 상대적으로 영률이 낮은 폴리머 박막을 증착 및 식각하는 단계; 상기 기판의 하부를 식각하여 상기 진동판을 릴리스시키는 단계; 상기 기판의 하부에 드러난 상기 진동판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 및 상기 식각방지층을 제거하는 단계; 를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 양상에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법은, 기판 위에 절연 박막을 증착하여 진동판을 형성하는 단계; 상기 진동판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판을 형성한 후, 상기 압전판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 기판의 하부를 식각하여 상기 진동판을 릴리스시키는 단계; 상기 기판 하부를 통해 상기 압전판보다 상대적으로 영률이 낮은 폴리머 박막을 증착하는 단계; 및 상기 진동판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 양상에 따라, 진동판의 제 1 영역은 압전판의 바로 아래쪽에 대응되는 영역이 될 수 있으며, 진동판의 제 2 영역은 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부가 될 수 있다. 압전판과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되는 진동판의 제 1 영역은 압전판과 마찬가지로 약 50Gpa ~ 500Gpa 정도의 영 률을 가질 수 있으며, 진동판의 제 2 영역은 이보다 낮은 약 100Mpa ~ 5Gpa 정도의 영률을 가질 수 있다.
마이크로 스피커의 진동판을 제 1 영역 및 제 2 영역으로 나눈 후, 제 1 영역은 압전판과 실질적으로 동일한 영률을 갖도록 하고 제 2 영역은 이보다 낮은 영률을 갖도록 형성하였기 때문에 진동판의 변형 효율이 높아지고 출력 음압 역시 향상된다.
제 2 영역을 잔류 응력이 작은 폴리머 박막으로 구성할 수 있기 때문에 잔류 응력으로 인한 진동판 변위 억제 효과를 줄일 수 있다.
진동판의 일부가 소프트한 재질로 형성되기 때문에 기계적인 공진 주파수를 낮출 수 있고 이를 통해 저주파 성분의 음압을 높일 수 있으며, 내구성을 향상 시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 관한 평면도이고, 도 2는 상기 도 1의 A-B선을 따른 단면 구조를 도시한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 전압에 따라 형상이 변형되는 압전판(101), 압전판(101)에 전압을 인가하기 위한 상/하부 전극(102)(103) 및 압전판(101)의 형상 변형을 전달 받아 진동하는 진동판(104)을 포함할 수 있다.
상/하부 전극(102)(103)을 통해 압전판(101)에 전압이 인가되면, 압전판(101)이 전압에 따라 형상 변형을 일으키고 이러한 형상 변형이 진동판(104)의 진동을 유발하여 소리를 발생시키는 것이 가능하다.
진동판(104)은 제 1 영역(201) 및 제 2 영역(202)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제 1 영역(201)은 압전판(101)의 바로 아래쪽에 대응되는 영역이 될 수 있으며, 제 2 영역(202)은 제 1 영역(201)을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부가 될 수 있다.
제 1 영역(201) 및 제 2 영역(202)은 서로 다른 영률(Young`s modulus)을 갖는 재질로 형성되는 것이 가능하다. 예컨대, 제 1 영역(201)은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 제 2 영역(202)은 제 1 영역(201)보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성되는 것이 가능하다.
일 예로써, 압전판(101)은 약 50Gpa ~ 500Gpa 정도의 영률을 갖는 질화알루미늄(AlN) 박막 또는 산화아연(ZnO) 박막으로 형성될 수 있다. 그리고 진동판(104)의 제 1 영역(201)은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)로 형성될 수 있으며, 진동판(104)의 제 2 영역(202)은 약 100Mpa ~ 5Gpa 정도의 영률을 갖는 폴리머 박막(105)으로 형성되는 것이 가능하다.
본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 구조를 살펴보면, 진동판(104)의 중앙부는 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 진동판(104)의 주변부는 이것보다 영률이 낮은 소프트한 재질로 형성되므로 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 소프트한 에지(edge)를 갖는 마이크로 스피커로 명명될 수 도 있다.
이와 같이 압전판(101)의 직하부에 대응되는 영역은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로, 그 이외의 부분은 이보다 낮은 영률을 갖는 재질로 진동판(104)을 이중으로 나누어서 형성하였기 때문에 진동판(104)의 변형 효율을 향상시킬 수 있고 구조 강성을 낮추어 저주파 대역의 출력 음압도 향상시키는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정 순서를 도시한다. 이것은 도 2에 따른 압전형 마이크로 스피커를 제조하기 위한 방법의 일 예가 될 수 있다.
도 3 및 도 2를 참조하여 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 3(a)와 같이, 실리콘 기판(106) 상부에 진동판(104)을 형성한다. 예컨대, 진동판(104)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 공정을 이용하여 Low stress silicon nitride를 약 0.5um~3um 두께로 증착하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 3(b)와 같이, 진동판(104) 위에 하부 전극(103)을 형성한다. 예컨대, 하부 전극(103)은 sputtering 이나 evaporation을 이용하여 Au, Mo, Cu, Al 등의 금속을 약 0.1um~3um 두께로 증착시킨 후 이를 패터닝하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 3(c)와 같이, 하부 전극(103) 위에 압전판(101)을 형성한다. 예컨대, 압전판(101)은 sputtering 공정을 통해 AlN, ZnO 등의 압전 물질을 약 0.1um~3um 두께로 증착하고 이를 패터닝하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 3(d)와 같이, 압전판(101) 위에 상부 전극(102)을 형성한다. 예컨대, 상부 전극(102)은 sputtering 이나 evaporation을 이용하여 Au, Mo, Cu, Al 등의 금속을 약 0.1um~3um 두께로 증착시킨 후 이를 패터닝하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 3(e)와 같이, 진동판(104)의 일부를 제거한다. 예컨대, 식각 마스크를 사용하여 압전판(101) 및 상/하부 전극(102)(103)을 가린 후 나머지 진동판(104)을 선택적으로 식각하여 진동판(104)의 일부를 제거하는 것이 가능하다. 이때, 제거되는 진동판(104)은 압전판(101)의 직하부에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부가 될 수 있으며, 제거된 부분은 전술한 제 2 영역(202)이 형성될 공간을 제공한다.
이어서, 도 3(f)와 같이, 진동판(104)이 제거된 부분을 포함하여 전체적으로 폴리머 박막(105)을 증착하고 이를 선택적으로 제거해준다. 예컨대, 페릴린(parylene)을 약 0.5um~10um 두께로 증착한 후, PR을 식각 마스크로 사용한 O2 플라스마 식각을 이용하여 증착된 페릴린을 선택적으로 제거하는 것이 가능하다. 이때 제거되는 부분은 상부 전극(102)의 위쪽 부분을 포함하며, 이를 통해 상부 전극(102)이 외부로 노출되도록 할 수 있다.
마지막으로, 도 3(g)와 같이, 기판(106) 후면을 식각하여 진동판(104)을 릴리스(release)시킨다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 관한 평면 도이고, 도 5는 상기 도 4의 A-B선을 따른 단면 구조를 도시한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 압전판(101), 상/하부 전극(102)(103) 및 진동판(104)을 포함한다. 또한, 진동판(104)은 서로 다른 영률을 갖는 제 1 영역(201) 및 제 2 영역(202)을 포함하며, 제 1 영역(201)은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 제 2 영역(202)은 제 1 영역(201)보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 이러한 점은 도 1 및 도 2에서 설명한 것과 동일하다.
다만, 도 2의 구조와 도 5의 구조를 비교하면, 도 2의 구조는 폴리머 박막(105)이 선택적으로 제거될 때 상부 전극(102)의 위쪽을 식각함으로써 상부 전극(102)이 외부로 노출되는 구조이나, 도 5의 구조는 상부 전극(102)이 외부로 노출되지 않는 구조임을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정 순서를 도시한다. 이것은 도 5에 따른 압전형 마이크로 스피커를 제조하기 위한 방법의 일 예가 될 수 있다.
도 6 및 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 6(a)와 같이, 실리콘 기판(106) 상부에 진동판(104)을 형성한다. 예컨대, 진동판(104)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 공정을 이용하여 Low stress silicon nitride를 약 0.5um~3um 두께로 증착하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 6(b)와 같이, 진동판(104) 위에 하부 전극(103)을 형성한다. 예 컨대, 하부 전극(103)은 sputtering 이나 evaporation을 이용하여 Au, Mo, Cu, Al 등의 금속을 약 0.1um~3um 두께로 증착시킨 후 이를 패터닝하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 6(c)와 같이, 하부 전극(103) 위에 압전판(101)을 형성한다. 예컨대, 압전판(101)은 sputtering 공정을 통해 AlN, ZnO 등의 압전 물질을 약 0.1um~3um 두께로 증착하고 이를 패터닝하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 6(d)와 같이, 압전판(101) 위에 상부 전극(102)을 형성한다. 예컨대, 상부 전극(102)은 sputtering 이나 evaporation을 이용하여 Au, Mo, Cu, Al 등의 금속을 약 0.1um~3um 두께로 증착시킨 후 이를 패터닝하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 6(e)와 같이, 진동판(104)의 일부를 제거한다. 예컨대, 식각 마스크를 사용하여 압전판(101) 및 상/하부 전극(102)(103)을 가린 후 나머지 진동판(104)을 선택적으로 식각하여 진동판(104)의 일부를 제거하는 것이 가능하다. 이때, 제거되는 진동판(104)은 압전판(101)의 직하부에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부가 될 수 있으며, 제거된 부분은 전술한 제 2 영역(202)이 형성될 공간을 제공한다.
이어서, 도 6(f)와 같이, 진동판(104)이 제거된 부분을 포함하여 전체적으로 폴리머 박막(105)을 증착하고 이를 선택적으로 제거해준다. 예컨대, 페릴린(parylene)을 약 0.5um~10um 두께로 증착한 후, PR을 식각 마스크로 사용한 O2 플라스마 식각을 이용하여 증착된 페릴린을 선택적으로 제거하는 것이 가능하다. 이때 상부 전극(102)의 위쪽 부분은 식각에서 제외하여 상부 전극(102)이 외부로 노출되지 않도록 한다.
마지막으로, 도 6(g)와 같이, 기판(106) 후면을 식각하여 진동판(104)을 릴리스(release)시킨다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 관한 평면도이고, 도 8은 상기 도 7의 A-B선을 따른 단면 구조를 도시한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 압전판(101), 상/하부 전극(102)(103) 및 진동판(104)을 포함한다. 또한, 진동판(104)은 서로 다른 영률을 갖는 제 1 영역(201) 및 제 2 영역(202)을 포함하며, 제 1 영역(201)은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 제 2 영역(202)은 제 1 영역(201)보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제 2 영역(202)은 진동판(104)의 일부가 제거되고 그 부분에 폴리머 박막(105)이 채워진 것으로 이해될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정 순서를 도시한다. 이것은 도 8에 따른 압전형 마이크로 스피커를 제조하기 위한 방법의 일 예가 될 수 있다.
도 9 및 도 8을 참조하여 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 9(a)와 같이, 기판(106) 위에 식각방지층(etch stop layer)(107)을 형성하고, 그 위에 진동판(104)을 형성한다. 여기서 진동판(104)은 Low stress silicon nitride를 증착하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 9(b)와 같이, 진동판(104) 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극(103)을 형성하고, 하부 전극(103) 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판(101)을 형성한 후, 압전판(101) 위에 다시 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극(102)을 형성한다.
이어서, 도 9(c)와 같이, 폴리머 박막(105)을 전체적으로 증착하고 이를 선택적으로 제거해준다. 이때 제거되는 부분은 상부 전극(102)의 위쪽부분을 포함할 수 있다. 또한, 상기 폴리머 박막(105)은 압전체(101)보다 상대적으로 영률이 낮은 페릴린 박막이 될 수 있다.
이어서, 도 9(d)와 같이, 기판(106)의 하부를 식각하여 식각방지층(107) 및 진동판(104)을 릴리스(release)시킨다.
이어서, 도 9(e)와 같이, 진동판(104)의 일부를 제거한다. 예컨대, 진동판(104)을 하부방향에서 식각하여 식각방지층(107)이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분의 진동판(104)이 제거되는 것이 가능하다.
마지막으로, 도 9(f)와 같이, 식각방지층(107)을 제거한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 관한 평면도이고, 도 11은 상기 도 4의 A-B선을 따른 단면 구조를 도시한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 압전판(101), 상/하부 전극(102)(103) 및 진동판(104)을 포함한다. 또한, 진동판(104)은 서로 다른 영률을 갖는 제 1 영역(201) 및 제 2 영역(202)을 포함하며, 제 1 영역(201)은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 제 2 영역(202)은 제 1 영역(201)보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 이러한 점은 도 7 및 도 8에서 설명한 것과 같다.
다만, 도 11의 구조와 도 8의 구조를 비교하면, 도 8의 구조는 폴리머 박막(105)이 선택적으로 제거될 때 상부 전극(102)의 위쪽을 식각함으로써 상부 전극(102)이 외부로 노출되는 구조이나, 도 11의 구조는 상부 전극(102)이 외부로 노출되지 않는 구조임을 알 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정 순서를 도시한다. 이것은 도 11에 따른 압전형 마이크로 스피커를 제조하기 위한 방법의 일 예가 될 수 있다.
도 12 및 도 11을 참조하여 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 12(a)와 같이, 기판(106) 위에 식각방지층(etch stop layer)(107)을 형성하고, 그 위에 진동판(104)을 형성한다. 여기서 진동판(104)은 Low stress silicon nitride를 증착하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 12(b)와 같이, 진동판(104) 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극(103)을 형성하고, 하부 전극(103) 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판(101)을 형성한 후, 압전판(101) 위에 다시 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극(102)을 형성한다.
이어서, 도 12(c)와 같이, 폴리머 박막(105)을 전체적으로 증착하고 이를 선 택적으로 제거해준다. 이때 상부 전극(102)의 위쪽부분에 증착된 폴리머 박막(105)은 제거하지 않음으로써 상부 전극(102)이 외부로 노출되지 않도록 하는 것이 가능하다. 또한, 상기 폴리머 박막(105)은 압전체(101)보다 상대적으로 영률이 낮은 페릴린 박막이 될 수 있다.
이어서, 도 12(d)와 같이, 기판(106)의 하부를 식각하여 식각방지층(107) 및 진동판(104)을 릴리스(release)시킨다.
이어서, 도 12(e)와 같이, 진동판(104)의 일부를 제거한다. 예컨대, 진동판(104)을 기판(106)의 하부방향에서 식각하여 식각방지층(107)이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분의 진동판(104)이 제거되는 것이 가능하다. 이때 제거되는 진동판(104)의 일부는 전술한 제 2 영역(202)이 형성될 공간이 될 수 있다.
마지막으로, 도 12(f)와 같이, 식각방지층(107)을 제거한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 관한 평면도이고, 도 14는 상기 도 4의 A-B선을 따른 단면 구조를 도시한다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 압전판(101), 상/하부 전극(102)(103) 및 진동판(104)을 포함한다. 또한, 진동판(104)은 서로 다른 영률을 갖는 제 1 영역(201) 및 제 2 영역(202)을 포함하며, 제 1 영역(201)은 압전판(101)과 비슷한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 제 2 영역(202)은 제 1 영역(201)보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제 2 영역(202)은 진동판(104)의 일부가 제거되고 그 자리에 폴리머 박막(105)이 채워진 것으로 이해할 수도 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정 순서를 도시한다. 이것은 도 14에 따른 압전형 마이크로 스피커를 제조하기 위한 방법의 일 예가 될 수 있다.
도 15 및 도 14를 참조하여 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 15(a)와 같이, 기판(106) 위에 진동판(104)을 형성한다. 예컨대, 진동판(104)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 공정을 이용하여 Low stress silicon nitride를 약 0.5um~3um 두께로 증착하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 15(b)와 같이, 진동판(104) 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극(103)을 형성하고, 하부 전극(103) 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판(101)을 형성한 후, 압전판(101) 위에 다시 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극(102)을 형성한다.
이어서, 도 15(c)와 같이, 기판(106)의 하부를 식각하여 진동판(104)을 릴리스(release)시킨다.
이어서, 도 15(d)와 같이, 기판(106)의 하부를 통해 폴리머 박막(105)을 형성한다. 예컨대, 폴리머 박막(105)은 압전판(101)보다 영률이 낮은 패릴린을 기판(106)의 하부방향을 따라 증착시켜서 형성하는 것이 가능하다.
마지막으로, 도 15(e)와 같이, 진동판(104)의 일부를 제거한다. 예컨대, 식각 마스크를 사용하여 압전판(101) 및 상/하부 전극(102)(103)을 가린 후 나머지 진동판(104)을 선택적으로 식각하여 진동판(104)의 일부를 제거하는 것이 가능하 다. 이때, 제거되는 진동판(104)은 압전판(101)의 직하부에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부가 될 수 있으며, 제거된 부분은 전술한 제 2 영역(202)이 될 수 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커에 관한 평면도이고, 도 17은 상기 도 4의 A-B선을 따른 단면 구조를 도시한다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 도 13 및 도 14에서 설명된 구조와 기본적으로 동일하나 폴리머 박막(105)이 선택적으로 제거된다는 점이 상이하다. 즉, 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커는 폴리머 박막(105)이 선택적으로 식각되어 진동판(104)이 일부 노출되는 구조를 갖는다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정 순서를 도시한다. 이것은 도 17에 따른 압전형 마이크로 스피커를 제조하기 위한 방법의 일 예가 될 수 있다.
도 18 및 도 17를 참조하여 본 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 18(a)와 같이, 기판(106) 위에 진동판(104)을 형성한다. 예컨대, 진동판(104)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 공정을 이용하여 Low stress silicon nitride를 약 0.5um~3um 두께로 증착하여 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 18(b)와 같이, 진동판(104) 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극(103)을 형성하고, 하부 전극(103) 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판(101)을 형성한 후, 압전판(101) 위에 다시 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극(102)을 형성한다.
이어서, 도 18(c)와 같이, 기판(106)의 하부를 식각하여 진동판(104)을 릴리스(release)시킨다.
이어서, 도 18(d)와 같이, 기판(106)의 하부를 통해 폴리머 박막(105)을 형성한다. 예컨대, 폴리머 박막(105)은 압전판(101)보다 영률이 낮은 패릴린을 기판(106)의 하부방향을 따라 증착시켜서 형성하는 것이 가능하다.
이어서, 도 18(e)와 같이, 진동판(104)의 일부를 제거한다. 예컨대, 식각 마스크를 사용하여 압전판(101) 및 상/하부 전극(102)(103)을 가린 후 나머지 진동판(104)을 선택적으로 식각하여 진동판(104)의 일부를 제거하는 것이 가능하다. 이때, 제거되는 진동판(104)은 압전판(101)의 직하부에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부가 될 수 있으며, 제거된 부분은 전술한 제 2 영역(202)이 될 수 있다.
마지막으로, 도 18(f)와 같이, 진동판(104) 하부의 폴리머 박막(105)을 제거하여 진동판(104)이 외부로 노출되도록 한다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였으나 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니한다. 즉, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 첨부된 특허청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능하며, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정의 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 단면도,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정순서도,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 단면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정순서도,
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도,
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 단면도,
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정순서도,
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도,
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 단면도,
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정순서도,
도 13은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도,
도 14는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 단면도,
도 15는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법 에 관한 공정순서도,
도 16은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 평면도,
도 17은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 단면도,
도 18은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법에 관한 공정순서도이다.
<도면의 주요부호에 대한 설명>
101 : 압전판 102 : 상부전극
103 : 하부전극 104 : 진동판
105 : 폴리머 박막 106 : 기판
107 : 식각방지층 201 : 제 1 영역
202 : 제 2 영역
Claims (18)
- 전압에 따라 형상이 변형되는 압전판과상기 압전판의 형상 변형을 전달받아 진동하는 진동판을구비하고,상기 진동판은 서로 다른 재질로 형성되는 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하며, 상기 제 1 영역은 상기 압전판의 직하부에 대응되는 영역으로 상기 압전판과 실질적으로 동일한 영률을 갖는 재질로 형성되고, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역보다 상대적으로 낮은 영률을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 영역의 전부 또는 일부로 정의되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 1 항에 있어서,상기 압전판 및 상기 제 1 영역의 영률은 50Gpa 내지 500Gpa이고, 상기 제 2 영역의 영률은 100Mpa 내지 5Gpa인 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 1 항에 있어서,상기 압전판은 질화알루미늄(AlN) 박막 또는 산화아연(ZnO) 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역은 폴리머 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커.
- 기판 위에 절연 박막을 증착하여 진동판을 형성하는 단계;상기 진동판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판을 형성한 후, 상기 압전판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계;상기 진동판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 및상기 진동판이 제거된 부분을 포함하여 상기 압전판보다 상대적으로 영률이 낮은 폴리머 박막을 증착 및 식각하는 단계; 를 포함하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 폴리머 박막을 식각하는 경우 상기 상부 전극 위쪽을 선택적으로 식각하여 상기 상부 전극이 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제거되는 진동판의 일부는 상기 압전판의 직하부에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 기판 위에 식각방지층을 형성한 후 절연 박막을 증착하여 진동판을 형성하는 단계;상기 진동판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판을 형성한 후, 상기 압전판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계;상기 압전판보다 상대적으로 영률이 낮은 폴리머 박막을 증착 및 식각하는 단계;상기 기판의 하부를 식각하여 상기 진동판을 릴리스시키는 단계;상기 기판의 하부에 드러난 상기 진동판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 및상기 식각방지층을 제거하는 단계; 를 포함하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 폴리머 박막을 식각하는 경우 상기 상부 전극 위쪽을 선택적으로 식각하여 상기 상부 전극이 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 식각방지층은 상기 압전판의 직하부에 대응되는 영역에만 형성되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 기판 위에 절연 박막을 증착하여 진동판을 형성하는 단계;상기 진동판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 하부 전극을 형성하고, 상 기 하부 전극 위에 압전 박막을 증착 및 식각하여 압전판을 형성한 후, 상기 압전판 위에 금속 박막을 증착 및 식각하여 상부 전극을 형성하는 단계;상기 기판의 하부를 식각하여 상기 진동판을 릴리스시키는 단계;상기 기판 하부를 통해 상기 압전판보다 상대적으로 영률이 낮은 폴리머 박막을 증착하는 단계; 및상기 진동판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 를 포함하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제거되는 진동판의 일부는 상기 압전판의 직하부에 대응되는 영역을 제외한 나머지 영역 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 기판 하부를 통해 증착된 폴리머 박막을 선택적으로 식각하여 제거하는 단계; 를 더 포함하는 압전형 마이크로 스피커의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 영역은 기판 위에 절연 박막을 증착하여 형성되는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 1항에 있어서,상기 압전판의 상부 전극 및 하부 전극을 통해 전압이 인가되면, 상기 인가된 전압에 따라 상기 압전판의 형상이 변형되는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 16항에 있어서,상기 상부 전극 위쪽은 외부에 노출되고,상기 하부 전극 및 상기 제 2 영역을 포함하는 상기 진동판의 위쪽은 폴리머 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전형 마이크로 스피커.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 영역은 상기 진동판에서 제 1 영역을 제외한 일부 영역을 식각하고, 상기 식각된 영역을 포함하는 영역에 상기 제 1 영역과 다른 재질로 형성되는 압전형 마이크로 스피커.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080094096A KR101562339B1 (ko) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| CN200910127339.7A CN101686423B (zh) | 2008-09-25 | 2009-03-10 | 压电式微型扬声器及其制造方法 |
| JP2009058163A JP5345877B2 (ja) | 2008-09-25 | 2009-03-11 | 圧電型マイクロスピーカー及びその製造方法 |
| US12/430,652 US8280079B2 (en) | 2008-09-25 | 2009-04-27 | Piezoelectric microspeaker and method of fabricating the same |
| US13/080,927 US8363864B2 (en) | 2008-09-25 | 2011-04-06 | Piezoelectric micro-acoustic transducer and method of fabricating the same |
| JP2013168843A JP2014003675A (ja) | 2008-09-25 | 2013-08-15 | 圧電型マイクロスピーカー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080094096A KR101562339B1 (ko) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100034883A KR20100034883A (ko) | 2010-04-02 |
| KR101562339B1 true KR101562339B1 (ko) | 2015-10-22 |
Family
ID=42037707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080094096A KR101562339B1 (ko) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8280079B2 (ko) |
| JP (2) | JP5345877B2 (ko) |
| KR (1) | KR101562339B1 (ko) |
| CN (1) | CN101686423B (ko) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101520070B1 (ko) | 2008-09-22 | 2015-05-14 | 삼성전자 주식회사 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101562339B1 (ko) | 2008-09-25 | 2015-10-22 | 삼성전자 주식회사 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| US8363864B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Piezoelectric micro-acoustic transducer and method of fabricating the same |
| KR101561660B1 (ko) | 2009-09-16 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 환형 고리 형상의 진동막을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101561661B1 (ko) * | 2009-09-25 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 진동막에 부착된 질량체를 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| JP5911085B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2016-04-27 | 日本電気株式会社 | 振動部材の製造方法 |
| CN102740204A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 美律实业股份有限公司 | 具有立体振膜结构的微机电麦克风晶片及其制造方法 |
| JP5982793B2 (ja) * | 2011-11-28 | 2016-08-31 | 株式会社村田製作所 | 音響素子 |
| US8811636B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-08-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microspeaker with piezoelectric, metal and dielectric membrane |
| US9287488B2 (en) * | 2012-01-31 | 2016-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Piezoelectric actuator device and method for manufacturing same |
| WO2013133794A1 (en) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Intel Corporation | Optical coupling techniques and configurations between dies |
| JP6036114B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-11-30 | ブラザー工業株式会社 | 画像記録装置 |
| US9516428B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-12-06 | Infineon Technologies Ag | MEMS acoustic transducer, MEMS microphone, MEMS microspeaker, array of speakers and method for manufacturing an acoustic transducer |
| KR20150023086A (ko) * | 2013-08-22 | 2015-03-05 | (주)와이솔 | 압전 소자 기반 진동 모듈 |
| US9510103B2 (en) | 2013-09-09 | 2016-11-29 | Audio Pixels Ltd. | Microelectromechanical apparatus for generating a physical effect |
| DE102014217798A1 (de) | 2014-09-05 | 2016-03-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanische piezoelektrische Aktuatoren zur Realisierung hoher Kräfte und Auslenkungen |
| KR101550633B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2015-09-07 | 현대자동차 주식회사 | 마이크로폰 및 그 제조 방법 |
| WO2016172866A1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Tgoertek Inc. | Piezoelectric speaker and method for forming the same |
| CN104811881B (zh) * | 2015-04-29 | 2019-03-19 | 歌尔股份有限公司 | 压电扬声器及其形成方法 |
| US10567883B2 (en) | 2015-07-22 | 2020-02-18 | Audio Pixels Ltd. | Piezo-electric actuators |
| WO2017013665A1 (en) | 2015-07-22 | 2017-01-26 | Audio Pixels Ltd. | Dsr speaker elements and methods of manufacturing thereof |
| CN105072549A (zh) * | 2015-07-24 | 2015-11-18 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 骨传导装置及包含该装置的手机 |
| CN106658317A (zh) * | 2016-11-21 | 2017-05-10 | 歌尔股份有限公司 | 一种mems发声装置及电子设备 |
| DE102017208911A1 (de) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanischer Schallwandler |
| CN107511318B (zh) * | 2017-09-28 | 2019-10-22 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 压电超声换能器及其制备方法 |
| KR102612961B1 (ko) | 2017-12-29 | 2023-12-12 | 삼성전자주식회사 | 스피커용 압전 소자 및 그의 제조 방법 |
| CN110085735A (zh) * | 2018-01-26 | 2019-08-02 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | Mems压电扬声器及其制备方法 |
| CN110113703B (zh) * | 2019-05-18 | 2021-01-12 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构的制备方法 |
| CN110113699B (zh) * | 2019-05-18 | 2021-06-29 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构的制备方法 |
| CN110113702B (zh) * | 2019-05-18 | 2021-10-01 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构的制造方法 |
| JP2023010145A (ja) * | 2021-07-09 | 2023-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002135893A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電スピーカ及びその駆動回路 |
| JP2002238094A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電音響部品およびその製造方法 |
| JP2006245975A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電発音体及び電子機器 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816125A (en) | 1987-11-25 | 1989-03-28 | The Regents Of The University Of California | IC processed piezoelectric microphone |
| US5209118A (en) | 1989-04-07 | 1993-05-11 | Ic Sensors | Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports |
| US5633552A (en) | 1993-06-04 | 1997-05-27 | The Regents Of The University Of California | Cantilever pressure transducer |
| JP4302824B2 (ja) | 1999-07-05 | 2009-07-29 | 北陸電気工業株式会社 | 自励振型マイクロフォン |
| AU7601500A (en) | 1999-09-21 | 2001-04-24 | University Of Hawaii | Method of forming parylene-diaphragm piezoelectric acoustic transducers |
| JP2001119793A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Toko Inc | 圧電スピーカ |
| US6965678B2 (en) * | 2000-01-27 | 2005-11-15 | New Transducers Limited | Electronic article comprising loudspeaker and touch pad |
| US7003125B2 (en) * | 2001-09-12 | 2006-02-21 | Seung-Hwan Yi | Micromachined piezoelectric microspeaker and fabricating method thereof |
| JP3693174B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2005-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 圧電スピーカ |
| KR100416158B1 (ko) | 2002-01-21 | 2004-01-28 | 이승환 | 압축성 박막 다이어프램의 제작방법 및 이 방법으로제작된 압전형 마이크로 스피커 |
| KR100416164B1 (ko) | 2002-01-21 | 2004-01-24 | 이승환 | 압전 바이몰프 마이크로폰 및 그 제작방법 |
| US20040022409A1 (en) * | 2002-05-02 | 2004-02-05 | Hutt Steven W. | Film attaching system |
| KR100466808B1 (ko) | 2002-05-21 | 2005-01-24 | 이승환 | 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR100512960B1 (ko) | 2002-09-26 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰 |
| JP2005142623A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電発音体およびその製造方法 |
| AU2003304673A1 (en) | 2003-11-27 | 2005-06-17 | Seung-Hwan Yi | Piezoelectric microspeaker with corrugated diaphragm |
| KR100565202B1 (ko) | 2004-01-19 | 2006-03-30 | 엘지전자 주식회사 | 압전 구동형 초음파 미세기전 시스템 스피커 및 그 제조방법 |
| JP2006100954A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電型音響変換装置およびその製造方法 |
| JP4804760B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2011-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 積層型圧電構造体の製造方法 |
| KR100756532B1 (ko) | 2005-02-22 | 2007-09-10 | 한국과학기술원 | 복수의 캔틸레버를 구비하는 다채널 마이크로 음향 장치 및그 제조 방법 |
| US7916879B2 (en) * | 2005-12-16 | 2011-03-29 | Novusonic Corporation | Electrostatic acoustic transducer based on rolling contact micro actuator |
| JP4640249B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2011-03-02 | 株式会社デンソー | 超音波センサ |
| KR100791084B1 (ko) | 2006-06-27 | 2008-01-03 | 충주대학교 산학협력단 | 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법 |
| JP4231879B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2009-03-04 | ホシデン株式会社 | 圧電型電気音響変換器 |
| JP4215788B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2009-01-28 | ホシデン株式会社 | 圧電型電気音響変換器 |
| KR101411416B1 (ko) | 2007-12-14 | 2014-06-26 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 스피커 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된마이크로 스피커 |
| KR101520070B1 (ko) | 2008-09-22 | 2015-05-14 | 삼성전자 주식회사 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101562339B1 (ko) | 2008-09-25 | 2015-10-22 | 삼성전자 주식회사 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101545271B1 (ko) | 2008-12-19 | 2015-08-19 | 삼성전자주식회사 | 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법 |
| KR101609270B1 (ko) | 2009-08-12 | 2016-04-06 | 삼성전자주식회사 | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101561663B1 (ko) | 2009-08-31 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 피스톤 다이어프램을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101561660B1 (ko) | 2009-09-16 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 환형 고리 형상의 진동막을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101561661B1 (ko) | 2009-09-25 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 진동막에 부착된 질량체를 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101561662B1 (ko) | 2009-09-29 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 곡선형 리드선들을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| KR101573517B1 (ko) | 2009-10-12 | 2015-12-02 | 삼성전자주식회사 | 압전형 마이크로 스피커 |
-
2008
- 2008-09-25 KR KR1020080094096A patent/KR101562339B1/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-03-10 CN CN200910127339.7A patent/CN101686423B/zh active Active
- 2009-03-11 JP JP2009058163A patent/JP5345877B2/ja active Active
- 2009-04-27 US US12/430,652 patent/US8280079B2/en active Active
-
2013
- 2013-08-15 JP JP2013168843A patent/JP2014003675A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002135893A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電スピーカ及びその駆動回路 |
| JP2002238094A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電音響部品およびその製造方法 |
| JP2006245975A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電発音体及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101686423A (zh) | 2010-03-31 |
| US20100074459A1 (en) | 2010-03-25 |
| US8280079B2 (en) | 2012-10-02 |
| KR20100034883A (ko) | 2010-04-02 |
| JP2010081573A (ja) | 2010-04-08 |
| CN101686423B (zh) | 2014-02-26 |
| JP5345877B2 (ja) | 2013-11-20 |
| JP2014003675A (ja) | 2014-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101562339B1 (ko) | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 | |
| US8526642B2 (en) | Piezoelectric micro speaker including weight attached to vibrating membrane and method of manufacturing the same | |
| JP5478406B2 (ja) | リング状の振動膜を有する圧電型マイクロスピーカ及びその製造方法 | |
| JP5513287B2 (ja) | ピストン・ダイアフラムを有した圧電型マイクロスピーカ及びその製造方法 | |
| KR100931575B1 (ko) | Ｍｅｍｓ를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 및 그 제조방법 | |
| KR101545271B1 (ko) | 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법 | |
| KR101520070B1 (ko) | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 | |
| US8363864B2 (en) | Piezoelectric micro-acoustic transducer and method of fabricating the same | |
| KR20110034960A (ko) | 곡선형 리드선들을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 | |
| WO2015190429A1 (ja) | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2009260723A (ja) | トランスデューサ | |
| KR101758017B1 (ko) | 피에조 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 | |
| WO2022141827A1 (zh) | 一种骨传导传声装置 | |
| KR100791084B1 (ko) | 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법 | |
| WO2005053357A1 (en) | Piezoelectric microspeaker with corrugated diaphragm | |
| CN113301484A (zh) | 一种mems结构及其制造方法 | |
| KR101066102B1 (ko) | 마이크로 스피커 및 그의 제조 방법 | |
| KR101652784B1 (ko) | 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법 | |
| CN115484534A (zh) | 一种压电微机械扬声器 | |
| CN112838158A (zh) | 压电换能及压电换能器器的制备方法 | |
| JP2009267617A (ja) | トランスデューサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180917 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190910 Year of fee payment: 5 |