CN101686423A - 压电式微型扬声器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种压电式微型扬声器及其制造方法。在所述压电式微型扬声器中，振动膜被分为第一区域和第二区域。第一区域可以由能够最大化激振力的材料形成，第二区域可由初始应力和杨氏模量小于第一区域的初始应力和杨氏模量的材料形成。因此，可以改善振动膜的变形效率，使得输出声压级增加。
Description
本申请要求于2008年9月25日提交的第10-2008-0094096号韩国专利申请的优先权，其公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种微型扬声器，更具体地讲，涉及一种微电子机械系统(MEMS)型压电式微型扬声器和一种制造所述压电式微型扬声器的方法。
背景技术
压电效应即利用压电材料可逆地将机械能转变为电能。换句话说，压电效应是当将压力或振动施加到压电材料时产生电势差，并且当施加电势差时压电材料变形或振动的现象。
压电扬声器利用将电势差施加到压电材料使得压电材料变形或振动并根据振动产生声音的原理。
同时，随着个人移动通信的快速发展，已经对微型声学换能器(subminiature acoustic transducer)进行了几十年的研究。具体地讲，由于压电式微型扬声器简单的结构和以低电压运行的能力，所以主要研究了压电式微型扬声器。
通常，压电式微型扬声器包括压电板和振动膜(diaphragm)，电极层形成在压电板的两侧，振动膜没有压电性。当通过电极层施加电压时，压电板变形，这导致振动膜振动并产生声音。
然而，由于压电式微型扬声器的声音输出水平低于音圈式微型扬声器的声音输出水平，所以很少有将其投入实际应用的情况。因此，需要具有小尺寸和高声音输出水平的压电式微型扬声器。
发明内容
本发明公开了一种压电式微型扬声器，所述压电式微型扬声器具有根据电压而变形的压电板和由于压电板的变形而振动的振动膜。这里，振动膜包括由不同材料形成的第一区域和第二区域，第一区域由杨氏模量与压电板材料的杨氏模量基本相同的材料形成，第二区域由杨氏模量小于第一区域的材料的杨氏模量的材料形成。
本发明还公开了一种制造压电式微型扬声器的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上通过沉积薄的绝缘层来形成振动膜；在振动膜上通过沉积并蚀刻金属层来形成下电极，在下电极上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板，并在压电板上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极；蚀刻并去除振动膜的一部分；在包括从中去除了振动膜的一部分的区域的基底上沉积并蚀刻杨氏模量小于压电板的杨氏模量的薄的聚合物层。
本发明还公开了一种制造压电式微型扬声器的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上形成蚀刻停止层之后，在基底上通过沉积薄的绝缘层来形成振动膜；在振动膜上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成下电极，在下电极上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板，并在压电板上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极；沉积并蚀刻杨氏模量小于压电板的杨氏模量的薄的聚合物层；通过从基底的下侧蚀刻基底的一部分来释放振动膜；蚀刻并去除振动膜的暴露于基底的下侧的一部分；去除蚀刻停止层。
本发明还公开了一种制造压电式微型扬声器的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上通过沉积薄的绝缘层来形成振动膜；在振动膜上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成下电极，在下电极上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板，并在压电板上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极；通过从基底的下侧蚀刻基底的一部分来释放振动膜；通过基底的蚀刻的部分沉积杨氏模量小于压电板的杨氏模量的薄的聚合物层；蚀刻并去除振动膜的一部分。
振动膜的第一区域可以在压电板正下方，振动膜的第二区域可以为除了第一区域外的整个或一部分的振动膜。由杨氏模量与压电板材料的杨氏模量类似的材料形成的振动膜的第一区域的杨氏模量可以为大约50Gpa至500Gpa，这与压电板类似，振动膜的第二区域的杨氏模量可以为大约100Mpa至5Gpa，这小于第一区域的杨氏模量。
应该理解的是，前面的一般性的描述和后面的详细的描述均是示例性和说明性的，并意在为要求保护的本发明提供进一步说明。
附图说明
为了提供对本发明的进一步理解而被包括并被包含在本说明书中且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的示例性实施例，并与描述一起用于说明本发明的各方面。
图1是根据本发明示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图；
图2是根据本发明示例性实施例的压电式微型扬声器的剖视图；
图3(a)至图3(g)是示出根据本发明示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图；
图4是根据本发明另一示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图；
图5是根据本发明示例性实施例的图4中示出的压电式微型扬声器的剖视图；
图6(a)至图6(g)是示出根据本发明示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图；
图7是根据本发明第三示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图；
图8是根据本发明第三示例性实施例的压电式微型扬声器的剖视图；
图9(a)至图9(f)是示出根据本发明第三示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图；
图10是根据本发明第四示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图；
图11是根据本发明第四示例性实施例的压电式微型扬声器的剖视图；
图12(a)至图12(f)是根据本发明第四示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图；
图13是根据本发明第五示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图；
图14是根据本发明第五示例性实施例的压电式微型扬声器的剖视图；
图15(a)至图15(e)是示出根据本发明第五示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图；
图16是根据本发明第六示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图；
图17是根据本发明第六示例性实施例的压电式微型扬声器的剖视图；
图18(a)至图18(f)是示出根据本发明第六示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。
具体实施方式
在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式来实施，不应该被理解为局限于在此提出的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开是彻底的，并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图甲，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相同的标号表示相同的元件。
应该理解，当元件或层被称作“在”另一元件或另一层“上”或者“连接到”另一元件或另一层时，该元件或层可以直接在另一元件或另一层上或者直接连接到另一元件或另一层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或另一层“上”或者“直接连接到”另一元件或另一层时，不存在中间元件或中间层。
图1是根据本发明示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图，图2是沿图1的A-B线截取的剖视图。
参照图1和图2，根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器可以包括根据电压而变形的压电板101、用于将电压施加到压电板101的上电极102和下电极103以及由于压电板101的变形而振动的振动膜104。
当通过上电极102和下电极103将电压施加到压电板101时，压电板101根据电压而变形。压电板101的变形导致振动膜104振动并产生声音。
振动膜104可以包括第一区域201和第二区域202。例如，第一区域201可以在压电板101正下方，第二区域202可以为除了第一区域201外的整个或一部分的振动膜104。
第一区域201和第二区域202可以由具有不同的杨氏模量的材料形成。例如，第一区域201可以由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，第二区域202可以由杨氏模量小于第一区域201的杨氏模量的材料形成。
例如，压电板101可以由杨氏模量为大约50Gpa至500Gpa的薄的氮化铝(AlN)层或薄的氧化锌(ZnO)层形成。振动膜104的第一区域201可以由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的氮化硅(SiN)形成，振动膜104的第二区域202可以由杨氏模量为大约100Mpa至5Gpa的薄的聚合物层105形成。
在根据本发明的这个示例性实施例的压电式微型扬声器中，振动膜104的中心由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，振动膜104的边缘由杨氏模量小于中心的杨氏模量的软性材料形成。因此，根据本发明的这个示例性实施例的压电式微型扬声器可以被称为具有软性边缘的微型扬声器。
由于振动膜104的在压电板101正下方的区域由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，振动膜104的其它区域由杨氏模量小于前述区域的杨氏模量的材料形成，所以可以改善振动膜104的变形效率，并可以通过减小结构刚度来增加输出声压级。
图3(a)至图3(g)是示出根据本发明示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。这些可以为制造图2的压电式微型扬声器的方法的示例。
在下面将参照图2和图3(a)至图3(g)来描述根据本发明的这个示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法。
首先，如图3(a)中所示，在硅基底106上形成振动膜104。例如，可以这样形成振动膜104，即，利用化学气相沉积(CVD)工艺将低应力氮化硅沉积为大约0.5μm至3μm的厚度。
然后，如图3(b)中所示，在振动膜104上形成下电极103。例如，可以这样形成下电极103，即，利用溅射或蒸镀将诸如Au、Mo、Cu或Al的金属沉积为大约0.1μm至3μm的厚度，并将沉积的层图案化。
然后，如图3(c)中所示，在下电极103上形成压电板101。例如，可以这样形成压电板101，即，利用溅射工艺将诸如AlN或ZnO的压电材料沉积为大约0.1μm至3μm的厚度，并将沉积的层图案化。
然后，如图3(d)中所示，在压电板101上形成上电极102。例如，可以这样形成上电极102，即，利用溅射或蒸镀将诸如Au、Mo、Cu或Al的金属沉积为大约0.1μm至3μm的厚度，并将沉积的层图案化。
然后，如图3(e)中所示，去除振动膜104的一部分。例如，利用蚀刻掩模覆盖压电板101、上电极102和下电极103，选择性地蚀刻振动膜104的未覆盖部分，并因此可以去除振动膜104的这部分。这里，振动膜104的去除的部分可以为除了在压电板101正下方的区域外的整个或一部分的振动膜104，并提供了其中将形成有上述的第二区域202的空间。
然后，如图3(f)中所示，在包括从中去除了振动膜104的一部分的区域的整个基底106上沉积薄的聚合物层105，并选择性地去除薄的聚合物层105。例如，将聚对亚苯基二甲醛沉积为大约0.5μm至10μm的厚度，然后，利用光致抗蚀剂作为蚀刻掩模通过O2等离子体蚀刻来选择性地去除沉积的聚对亚苯基二甲醛。这里，去除沉积在上电极102上的聚对亚苯基二甲醛，从而使上电极102暴露于外部。
最后，如图3(g)中所示，从下侧蚀刻基底106的一部分，从而释放振动膜104。
图4是根据本发明另一示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图，图5是沿图4的A-B线截取的剖视图。
参照图4和图5，根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器包括压电板101、上电极102、下电极103和振动膜104。振动膜104包括杨氏模量不同的第一区域201和第二区域202。第一区域201可以由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，第二区域202可以由杨氏模量小于第一区域201的杨氏模量的材料形成。这与参照图1和图2的描述相同。
然而，虽然在图2的结构中选择性地去除了沉积在上电极102上的薄的聚合物层105，从而使上电极102暴露于外部，但是在图5的结构中没有使上电极102暴露于外部。
图6(a)至图6(g)是示出根据本发明另一示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。这些可以为制造图5的压电式微型扬声器的方法的示例。
在下面将参照图5和图6(a)至图6(g)来描述根据本发明的这个示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法。
首先，如图6(a)中所示，在硅基底106上形成振动膜104。例如，可以这样形成振动膜104，即，利用CVD工艺将低应力氮化硅沉积为大约0.5μm至3μm的厚度。
然后，如图6(b)中所示，在振动膜104上形成下电极103。例如，可以这样形成下电极103，即，利用溅射或蒸镀将诸如Au、Mo、Cu或Al的金属沉积为大约0.1μm至3μm的厚度，并将沉积的层图案化。
然后，如图6(c)中所示，在下电极103上形成压电板101。例如，可以这样形成压电板101，即，利用溅射工艺将诸如AlN或ZnO的压电材料沉积为大约0.1μm至3μm的厚度，并将沉积的层图案化。
然后，如图6(d)中所示，在压电板101上形成上电极102。例如，可以这样形成上电极102，即，利用溅射或蒸镀将诸如Au、Mo、Cu或Al的金属沉积为大约0.1μm至3μm的厚度，并将沉积的层图案化。
然后，如图6(e)中所示，去除振动膜104的一部分。例如，利用蚀刻掩模覆盖压电板101、上电极102和下电极103，选择性地蚀刻振动膜104的未覆盖部分，并因此可以去除振动膜104的这部分。这里，振动膜104的去除的部分可以为除了在压电板101正下方的区域外的整个或一部分的振动膜104，并提供了其中将形成有上述的第二区域202的空间。
然后，如图6(f)中所示，在包括从中去除了振动膜104的一部分的区域的整个基底106上沉积薄的聚合物层105，并选择性地去除薄的聚合物层105。例如，将聚对亚苯基二甲醛沉积为大约0.5μm至10μm的厚度，然后，利用光致抗蚀剂作为蚀刻掩模通过O2等离子体蚀刻来选择性地去除沉积的聚对亚苯基二甲醛。这里，没有蚀刻沉积在上电极102上的聚对亚苯基二甲醛，从而没有使上电极102暴露于外部。
最后，如图6(g)中所示，从下侧蚀刻基底106的一部分，从而释放振动膜104。
图7是根据本发明又一示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图，图8是沿图7的A-B线截取的剖视图。
参照图7和图8，根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器包括压电板101、上电极102、下电极103和振动膜104。振动膜104包括杨氏模量不同的第一区域201和第二区域202。第一区域201可以由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，第二区域202可以由杨氏模量小于第一区域201的杨氏模量的材料形成。例如，第二区域202可以被理解为这样的区域，即，从该区域去除了振动膜104的一部分，并填充有薄的聚合物层105。
图9(a)至图9(f)是示出根据本发明又一示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。这些可以为制造图8的压电式微型扬声器的方法的示例。
在下面将参照图8和图9(a)至图9(f)来描述根据本发明的这个示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法。
首先，如图9(a)中所示，在基底106上形成蚀刻停止层107，并在基底106上形成振动膜104。这里，可以通过沉积低应力氮化硅来形成振动膜104。
然后，如图9(b)中所示，在振动膜104上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成下电极103，在下电极103上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板101，然后，在压电板101上通过再次沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极102。
然后，如图9(c)中所示，在整个基底106上沉积薄的聚合物层105，并选择性地去除薄的聚合物层105。此时，去除的部分可以包括在上电极102上的一部分。薄的聚合物层105可以为杨氏模量小于压电板101的杨氏模量的薄的聚对亚苯基二甲醛层。
然后，如图9(d)中所示，从下侧蚀刻基底106的一部分，从而释放蚀刻停止层107和振动膜104。
然后，如图9(e)中所示，去除振动膜104的一部分。例如，可以通过从基底106的下侧蚀刻振动膜104来去除除了形成有蚀刻停止层107的部分外的振动膜104。
最后，如图9(f)中所示，去除蚀刻停止层107。
图10是根据本发明又一示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图，图11是沿图10的A-B线截取的剖视图。
参照图10和图11，根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器包括压电板101、上电极102、下电极103和振动膜104。振动膜104包括杨氏模量不同的第一区域201和第二区域202。第一区域201可以由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，第二区域202可以由杨氏模量小于第一区域201的杨氏模量的材料形成。这与参照图7和图8的描述相同。
然而，虽然在图8的结构中选择性地去除了沉积在上电极102上的薄的聚合物层105，从而使上电极102暴露于外部，但是在图11的结构中没有使上电极102暴露于外部。
图12(a)至图12(f)是示出根据本发明又一示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。这些可以为制造图11的压电式微型扬声器的方法的示例。
在将下面参照图11和图12(a)至图12(f)来描述根据本发明的这个示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法。
首先，如图12(a)中所示，在基底106上形成蚀刻停止层107，并在基底106上形成振动膜104。这里，可以通过沉积低应力氮化硅来形成振动膜104。
然后，如图12(b)中所示，在振动膜104上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成下电极103，在下电极103上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板101，然后，在压电板101上通过再次沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极102。
然后，如图12(c)中所示，在整个基底106上沉积薄的聚合物层105，并选择性地去除薄的聚合物层105。此时，可以不去除沉积在上电极上的薄的聚合物层105，并因此可以不使上电极102暴露于外部。薄的聚合物层105可以为杨氏模量小于压电板101的杨氏模量的薄的聚对亚苯基二甲醛层。
然后，如图12(d)中所示，从下侧蚀刻基底106的一部分，从而释放蚀刻停止层107和振动膜104。
然后，如图12(e)中所示，去除振动膜104的一部分。例如，可以通过从基底106的下侧蚀刻振动膜104来去除除了形成有蚀刻停止层107的部分外的振动膜104。这里，振动膜104的去除的部分可以为其中将形成有上述的第二区域202的空间。
最后，如图12(f)中所示，去除蚀刻停止层107。
图13是根据本发明又一示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图，图14是沿图13的A-B线截取的剖视图。
参照图13和图14，根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器包括压电板101、上电极102、下电极103和振动膜104。振动膜104包括杨氏模量不同的第一区域201和第二区域202。第一区域201可以由杨氏模量与压电板101的杨氏模量类似的材料形成，第二区域202可以由杨氏模量小于第一区域201的杨氏模量的材料形成。例如，第二区域202可以被理解为这样的区域，即，从该区域去除了振动膜104的一部分，并填充有薄的聚合物层105。
图15(a)至图15(e)是示出根据本发明又一示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。这些可以为制造图14的压电式微型扬声器的方法的示例。
在下面将参照图14和图15(a)至图15(e)来描述根据本发明的这个示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法。
首先，如图15(a)中所示，在基底106上形成振动膜104。例如，可以这样形成振动膜104，即，利用CVD工艺将低应力氮化硅沉积为大约0.5μm至3μm的厚度。
然后，如图15(b)中所示，在振动膜104上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成下电极103，在下电极103上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板101，然后，在压电板101上通过再次沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极102。
然后，如图15(c)中所示，从下侧蚀刻基底106的一部分，从而释放振动膜104。
然后，如图15(d)中所示，通过基底106的蚀刻的部分在释放的振动膜104上形成薄的聚合物层105。例如，可以这样形成薄的聚合物层105，即，在基底106的蚀刻的部分和释放的振动膜104上沉积杨氏模量小于压电板101的杨氏模量的聚对亚苯基二甲醛。
最后，如图15(e)中所示，去除振动膜104的一部分。例如，利用蚀刻掩模覆盖压电板101、上电极102和下电极103，选择性地蚀刻振动膜104的未覆盖部分，并因此可以去除振动膜104的这部分。这里，振动膜104的去除的部分可以为除了在压电板101正下方的区域外的整个或一部分的振动膜104，并可以为上述的第二区域202。
图16是根据本发明又一示例性实施例的压电式微型扬声器的平面图，图17是沿图16的A-B线截取的剖视图。
参照图16和图17，除了选择性地去除了薄的聚合物层105外，根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器的结构与参照图13和图14描述的结构相同。换句话说，在根据这个示例性实施例的压电式微型扬声器中选择性地蚀刻薄的聚合物层105，从而暴露振动膜104的一部分。
图18(a)至图18(f)是示出根据本发明又一示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法的剖视图。这些可以为制造图17的压电式微型扬声器的方法的示例。
在下面将参照图17和图18(a)至图18(f)来描述根据本发明的这个示例性实施例的制造压电式微型扬声器的方法。
首先，如图18(a)中所示，在基底106上形成振动膜104。例如，可以这样形成振动膜104，即，利用CVD工艺将低应力氮化硅沉积为大约0.5μm至3μm的厚度。
然后，如图18(b)中所示，在振动膜104上通过沉积并蚀刻薄的金属层来形成下电极103，在下电极103上通过沉积并蚀刻薄的压电层来形成压电板101，然后，在压电板101上通过再次沉积并蚀刻薄的金属层来形成上电极102。
然后，如图18(c)中所示，从下侧蚀刻基底106的一部分，从而释放振动膜104。
然后，如图18(d)中所示，通过基底106的蚀刻的部分在释放的振动膜104上形成薄的聚合物层105。例如，可以这样形成薄的聚合物层105，即，在基底106的蚀刻的部分和释放的振动膜104上沉积杨氏模量小于压电板101的杨氏模量的聚对亚苯基二甲醛。
然后，如图18(e)中所示，去除振动膜104的一部分。例如，利用蚀刻掩模覆盖压电板101、上电极102和下电极103，选择性地蚀刻振动膜104的未覆盖部分，并因此可以去除振动膜104的这部分。这里，振动膜104的去除的部分可以为除了在压电板101正下方的区域外的整个或一部分的振动膜104，并可以为上述的第二区域202。
最后，如图18(f)中所示，去除在振动膜104下的薄的聚合物层105，从而使振动膜104暴露于外部。
对于本领域技术人员应该明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和改变。因此，只要对本发明的修改和改变落入权利要求及其等同物的范围内，本发明就意图覆盖这样的修改和改变。
Claims (14)
1、一种压电式微型扬声器，所述压电式微型扬声器具有根据电压而变形的压电板和由于压电板的变形而振动的振动膜，其中，振动膜包括由不同材料形成的第一区域和第二区域，第一区域由杨氏模量与压电板的材料的杨氏模量基本相同的材料形成，第二区域由杨氏模量小于第一区域的材料的杨氏模量的材料形成。
2、如权利要求1所述的压电式微型扬声器，其中，第一区域被限定为在压电板正下方的区域，第二区域被限定为除了第一区域外的整个或一部分的振动膜。
3、如权利要求1所述的压电式微型扬声器，其中，压电板和第一区域的杨氏模量为50Gpa至500Gpa，第二区域的杨氏模量为100Mpa至5Gpa。
4、如权利要求1所述的压电式微型扬声器，其中，压电板由氮化铝AlN层或氧化锌ZnO层形成。
5、如权利要求1所述的压电式微型扬声器，其中，第二区域由聚合物层形成。
6、一种制造压电式微型扬声器的方法，包括如下步骤：
在基底上通过沉积绝缘层来形成振动膜；
在振动膜上通过沉积并蚀刻金属层来形成下电极，在下电极上通过沉积并蚀刻压电层来形成压电板，并在压电板上通过沉积并蚀刻金属层来形成上电极；
蚀刻并去除振动膜的一部分；
在包括从中去除了振动膜的一部分的区域的基底上形成杨氏模量小于压电板的杨氏模量的聚合物层。
7、如权利要求6所述的方法，其中，形成聚合物层的步骤包括通过选择性地蚀刻沉积在上电极上的聚合物层来暴露上电极。
8、如权利要求6所述的方法，其中，从除了在压电板正下方的区域外的其余区域选择振动膜的去除的部分。
9、一种制造压电式微型扬声器的方法，包括如下步骤：
在基底上形成蚀刻停止层，并通过在基底上沉积绝缘层来在基底上形成振动膜；
在振动膜上通过沉积并蚀刻金属层来形成下电极，在下电极上通过沉积并蚀刻压电层来形成压电板，并在压电板上通过沉积并蚀刻金属层来形成上电极；
形成杨氏模量小于压电板的杨氏模量的聚合物层；
通过从基底的下侧蚀刻基底的一部分来释放振动膜；
去除振动膜的暴露于基底的下侧的一部分；
去除蚀刻停止层。
10、如权利要求9所述的方法，其中，形成聚合物层的步骤包括通过选择性地蚀刻沉积在上电极上的聚合物层来暴露上电极。
11、如权利要求9所述的方法，其中，仅在压电板正下方形成蚀刻停止层。
12、一种制造压电式微型扬声器的方法，包括如下步骤：
通过在基底上沉积绝缘层来在基底上形成振动膜；
在振动膜上通过沉积并蚀刻金属层来形成下电极，在下电极上通过沉积并蚀刻压电层来形成压电板，并在压电板上通过沉积并蚀刻金属层来形成上电极；
通过从基底的下侧蚀刻基底的一部分来释放振动膜；
通过基底的蚀刻的部分在释放的振动膜上沉积杨氏模量小于压电板的杨氏模量的聚合物层；
去除振动膜的一部分。
13、如权利要求12所述的方法，其中，从除了在压电板正下方的区域外的其余区域选择振动膜的去除的部分。
14、如权利要求12所述的方法，还包括：
选择性地去除通过基底的蚀刻的部分沉积的聚合物层。
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