FI114825B - Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne - Google Patents

Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne Download PDF

Info

Publication number
FI114825B
FI114825B FI20020292A FI20020292A FI114825B FI 114825 B FI114825 B FI 114825B FI 20020292 A FI20020292 A FI 20020292A FI 20020292 A FI20020292 A FI 20020292A FI 114825 B FI114825 B FI 114825B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
sensor
glass
layer
electrode
silicon
Prior art date
Application number
FI20020292A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20020292A0 (fi
FI20020292A (fi
Inventor
Heikki Kuisma
Risto Mutikainen
Juha Lahdenperae
Original Assignee
Vti Technologies Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vti Technologies Oy filed Critical Vti Technologies Oy
Priority to FI20020292A priority Critical patent/FI114825B/fi
Publication of FI20020292A0 publication Critical patent/FI20020292A0/fi
Priority to AU2003202615A priority patent/AU2003202615A1/en
Priority to DE10392273T priority patent/DE10392273T5/de
Priority to PCT/FI2003/000101 priority patent/WO2003069295A1/en
Priority to US10/503,089 priority patent/US7302857B2/en
Publication of FI20020292A publication Critical patent/FI20020292A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI114825B publication Critical patent/FI114825B/fi

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

114825
Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen menetelmä 5 kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi.
Keksinnön kohteena on myös kapasitiivinen anturirakenne.
Kapasitiivisia antureita käytetään mm. kiihtyvyyden, kulmakiihtyvyyden, 10 kulmanopeuden ja paineen mittaamiseen.
Tunnetun tekniikan mukaisesti kapasitiivisissa antureissa käytetään eristekerrosta mekaanisen rakenteen yhteenliittämiseksi anturin tuenta-alueilta ja kondensaattorirakenteen aikaansaamiseksi. Tuenta-alue voi toimia sekä mekaanisena 15 tukena, sähköisenä eristeenä että kaasutiiviin kammion osana. Usein tuenta-alue sijoitetaan anturin reunoille.
Eriste voi olla yhtenäinen lasikiekko, jonka sisäpinnalle elektrodi on muodostettu esimerkiksi ohutkalvometalloinnilla.
./.:20 Tällainen rakenne aiheuttaa liikkuvan mekaanisen osan sisältävälle piikiekolle ·.*·: suurehkon jännitystilan materiaalien erilaisten lämpölaajenemiskertoimien vuoksi.
Tämä puolestaan aiheuttaa rakenteen muodonmuutoksia lämpötilan muuttuessa ja edelleen lämpötilariippuvuutta sähköisissä ominaisuuksissa.
'· 25 · <' Eristekerros voidaan valmistaa piikerroksen päälle liittämällä pii- ja lasikiekko yhteen :.*·· tai esimerkiksi sulattamalla lasi piikiekon pintaan. Lasipinnan alla oleva pii pienentää rakenteen muodonmuutoksia ja jännityksiä ja mahdollistaa myös tukena olevan : · ‘; piirakenteen käyttämisen sähköisenä terminaalina.
:··: 30 2 114825
Keksinnön tarkoituksena on aikaansaada aivan uudentyyppinen menetelmä ja anturirakenne, jonka avulla edellä kuvatut tunnetun tekniikan ongelmat on mahdollista ratkaista.
5 Keksintö perustuu siihen, että eristekerros muodostetaan ohuemmaksi ainakin anturin aktiivisilla alueilla kuin anturin tuki-alueilla. Anturin aktiivisilla alueilla tarkoitetaan anturin muuttuvaan kapasitanssiin vaikuttavia alueita. Tyypillisesti tämä eristekerros on lasia, piidioksidia tai muuta yleisesti mikroelektroniikassa käytettyä eristemateriaalia.
10 Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle menetelmälle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Keksinnön mukaiselle anturirakenteelle on puolestaan tunnusomaista se, mikä on esitetty vaatimuksen 4 tunnusmerkkiosassa.
15
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
Kapasitiivisessa anturissa voidaan yhdistää vaatimukset pienestä parasiittisesta • # ·/.: kapasitanssista ja pienestä kiekon muodonmuutoksesta (taipumasta). Kapasitanssin · .*20 lämpötilakerroin voidaan näin saada pieneksi tietyllä lämpötilavälillä.
Keksintöä tarkastellaan seuraavassa esimerkkien avulla ja oheisiin piirustuksiin viitaten.
Kuvio 1 esittää halkileikattuna sivukuvantona tunnetun tekniikan mukaista 25 anturirakennetta.
Kuvio 2 esittää halkileikattuna sivukuvantona toista tunnetun tekniikan mukaista anturirakennetta.
30 Kuvio 3 esittää halkileikattuna sivukuvantona kuvioiden 1 ja 2 mukaisten ratkaisujen 1: ’ *: alaosaa.
Kuvio 4 esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaisen anturin osaa.
3 114825
Kuvio 5 esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista kiihtyvyysanturia.
Kuvio 6 esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista paineanturia.
5
Kuviota 1 selitetään kuvion koordinaattien (ylä/alaosa) mukaisesti. Normaalitilanteessa anturi voi luonnollisesti olla missä tahansa asennossa käyttöympäristössään. Valmistusteknisesti voi kuvion koordinaatisto vastata todellista valmistuskoordinaatistoa tai olla käännetty 180°.
10
Kuvion 1 anturirakenne rakentuu substraattina toimivan paksun piikerroksen 2 päälle. Piikerros 2 on tyypillisesti sähköä johtava. Piikerroksen 2 päälle on muodostettu lasikerros 5, joka toimii eristeenä. Lasikerroksen 5 läpi on jäljestetty läpivientinystyt 11. Läpivientinystyjen 11 tarkoituksena on tuoda sähköinen kontakti elektrodirakenteelle 8, 15 joka on muodostettu lasikerroksen 5 päälle. Lasikerroksen 5 päällä on johtava piikerros 3, johon on muodostettu esimerkiksi piimikromekaanisin keinoin liikkuva anturirakenne 6 sekä tämän kannatinrakenteena toimivat joustavat kiinnikkeet 7. Kuvion 1 ratkaisussa liikkuva anturirakenne 6 on tehty massiiviseksi ja kiinnitysrakenteet 7 mahdollisimman ·.'·· joustaviksi, koska kyseessä on kiihtyvyysanturirakenne. Piikerroksen 3 päälle on ’.· 20 sijoitettu kerroksien 2 ja 5 peilikuvana rakenne, jossa yläelektrodi 9 on toisen '. · f lasikerroksen 4 alapuolella ja lasikerroksen yläpuolella on puolestaan toinen piikerros 1.
Kuten alarakenteessakin, on elektrodi 9 yhdistetty sähköisesti piikerrokseen 1 • läpivientinystyn 12 avulla. Elektrodirakenteet 8 ja 9 on muodostettu liikkuvan * « • · · ’ anturirakenteen 6 alueelle, käytännössä hiukan liikkuvan elektrodin 6 pystyprojektiota 25 suuremmaksi. Elektrodi voidaan rajata myös esimerkiksi rengasmaisella ; ·’ suojaelektrodilla. Sähköteknisesti johtava liikkuva anturirakenne 6 muodostaa kondensaattoriparin kiihtyvyyden mittausta varten. Ensimmäinen kondensaattori '· i muodostuu liikkuvan anturirakenteen 6 alapinnan ja elektrodin 8 välille ja vastaavasti ··' toinen kondensaattori liikkuvan anturirakenteen 6 yläpinnan ja elektrodin 9 välille.
• ‘ : 30 Rakenteen tyypillisiä mittoja on esitetty seuraavassa:
Piikerrosten 1 ja 2 paksuus: 0,3mm...l,2mm Piikerroksen 3 paksuus: 0,2mm...0,6mm 4 114825
Lasikerrosten 4 ja 5 paksuus: 5pm...l50pm Liikkuvan elektrodin 6 massa: 0,lmilligrammaa...l0 milligrammaa Liikkuvan elektrodin 6 pystyprojektion pinta-ala: 0,01mm2...10mm2 Elektrodien 8 ja 9 pinta-ala: 0,01mm2...10 mm2 5 Liikkuvan elektrodin 6 välimatka elektrodeihin 8 ja 9 levossa: 0,lpm...l0pm
Kuviossa 2 on esitetty absoluuttipaineanturirakenne, jossa kerrokset 2 ja 5 vastaavat kuvion 1 vastaavia kerroksia. Piikerros 3 on taas etsattu siten, että siihen muodostuu yhtenäinen anturikalvo 10, jonka taipuma on ulkoiselle paineelle verrannollinen. Kalvon 10 10 taipuma puolestaan aiheuttaa kapasitanssimuutoksen kondensaattorissa, jonka muodostavat kalvo 10 ja elektrodi 8. Kalvon 10 ja elektrodin 8 väliin jäävään suljettuun tilaan jäljestetään tyhjö tai haluttu vertailupaine.
Kuviossa 3 on havainnollistettu kuvioiden 1 ja 2 mukaisten ratkaisujen ongelmaa, 15 kaareutumista, joka aiheutuu kahden materiaalin termisestä epäyhteensopivuudesta. Rakenne toimii siis "bimetallilevynä".
Kuviossa 4 on esitetty keksinnön mukainen perusrakenne, jossa eristekerros 5 on ·/..* muotoiltu termisen epäyhteensopivuuden minimoimiseksi. Kapasitiivisen ·', * :20 anturirakenteen osana olevan piikiekon pinnalle muodostetussa eristelasikerroksessa 5 • · ·. ’·· on useita eri paksuisia lasialueita, tyypillisesti kahta eri paksuutta niin, että paksun lasin *...·* alueella 14 sijaitsevilla, kuvioissa 5 ja 6 esitetyillä tukialueilla 16 on paksumpi lasi kuin \ ·· aktiivisella alueella 13. Lasikerros 5 voi joissakin kiekon alueissa ulottua pystysuunnassa myös läpi koko kiekon, jolloin tukena olevaan piihin muodostuu 25 toisistaan sähköisesti eristettyjä alueita. Keksinnön mukaista rakennetta voidaan *; ’* soveltaa esim. kapasitiivisissa kiihtyvyysanturirakenteissa (paksu pii-lasi symmetrisesti ohuen piin molemmin puolin) (kuvio 5) tai paineanturirakenteissa (paksu pii-lasi-ohut ·,'*· pii) (kuvio 6).
: ·’; 30 Kapasitiivisen anturin parasiittiseen kapasitanssiin vaikuttavilla tukialueilla (yleensä anturin reunoilla) on keksinnön mukaisesti paksumpi lasieristekerros 14. Tällä saavutetaan pienempi anturin muuttuvan kapasitanssin rinnalla oleva parasiittinen kapasitanssi.
5 114825
Anturin keskiosassa oleva lasi 5 aiheuttaa lämpötilasta riippuvan taipuman lasi-pii -rakenteelle ("bimetallilevy"). Borosilikaattilasin lämpölaajenemiskerroin on yleensä hieman suurempi kuin piillä, jolloin kapasitanssielektrodin 8 alla oleva lasipinnan 5 kaarevuus muuttuu kuperaan suuntaan lämpötilan kasvaessa. Tästä seuraa kapasitanssin kasvaminen lämpötilan kasvaessa, ts. positiivinen kapasitanssin lämpötilariippuvuus.
Jos lasi on kvartsia (S1O2), jonka lämpölaajenemiskerroin on pienempi kuin piillä, aiheutuu taipumisesta negatiivinen kapasitanssin lämpötilariippuvuus (Ilmiö 1).
10 Reunoilla anturirakenteen kehyksen tukena olevan ja keskellä kondensaattorin elektrodin kohdalla olevan lasikerrosten erilaisista paksuuksista dl ja d2 seuraa lasin pinnalla olevan elektrodin pinnan siirtyminen eri tasolle kehysosan kohdalla olevan lasipinnan suhteen. Jos lasin lämpölaajenemiskerroin on suurempi kuin piillä, reunalla oleva paksumpi lasi 14 aiheuttaa tällöin kapasitanssille pienen negatiivisen lämpötilariippu-15 vuuden. Jos lasin lämpölaajenemiskerroin on pienempi kuin piillä, aiheuttaa ilmiö kapasitanssille pienen positiivisen lämpötilariippuvuuden (Ilmiö 2).
Lasin paksuudet dl ja d2 voidaan valita niin, että ilmiöt 1 ja 2 kumoavat täsmälleen *. *: toisensa tietyssä lämpötilassa. Kaikissa lämpötiloissa kapasitanssin lämpötilakerrointa V ;20 ei yleensä saada nollattua. Ilmiö 1 riippuu materiaalien lämpölaajenemiskertoimista ja '· kimmovakioista, ilmiö 2 lämpölaajenemiskertoimista. Materiaaliparametrit riippuvat ‘ yleensä lämpötilasta eri tavalla. Lasin lämpölaajenemiskerroin on vakio ja piin lämpö- ; laajeneminen on kasvava lämpötilan funktio normaalilla toiminta-alueella esim. - ’··’ 40°C...+125°C. Reunoilla olevan lasin paksuudella dl voidaan säädellä kapasitiivisen , t 25 anturin parasiittista kapasitanssia. Lasin paksuuksien suhdetta d2/dl säätämällä voidaan « * * ’ anturirakenteen kapasitanssin lämpötilariippuvuus saada optimaalisen pieneksi. Sopivat ‘ · paksuuksien arvot voidaan määrittää numeerisesti.
* · ! * · 1 * ·
Seuraavassa analyysiä lämpötilan vaikutuksesta anturiin (Kuvio 4). Alkuaan dl ; 30 paksuisen pintakerroksen paksuuden muutokset eri alueissa ΔΤ suuruisessa lämpötilan * * ’ muutoksessa (kaareutumista ei huomioitu)
Al=dl*al*AT (1) 6 114825 Δ2=ά2*α1*ΔΤ+ (dl-d2)*<xSi*AT (2) Δ2- Al=-(dl-d2)*(al- aSi)*AT (3), missä dl= paksumman lasin 14 paksuus tukialueella 16, d2=ohuemman lasin 13 5 paksuus aktiivisella alueella, Δ1- paksumman lasin 14 paksuuden muutos, Δ2= vastaavan paksuisen (=dl) pintakerroksen paksuuden muutos ohuen lasin alueella 13, al=lasin lämpölaajenemiskerroin, aSi=piin lämpölaajenemiskerroin ja ΔΤ lämpötilan muutos.
10 Δ2- Δ1 on siis pinnankorkeuksien muutos ohuen lasin alueen 13 ja paksun lasin alueen 14 välillä lämpötilan muutoksen jälkeen, jos alla olevan (tasapaksun ja jäykän) piikerroksen kaareutumista ei oteta huomioon.
Kuvion 4 perusratkaisussa ohut eristekerros 13 sijaitsee olennaisesti elektrodin 8 15 alapuolella ja paksumpi kerros 14 anturin reuna-alueilla. Ohuen kerroksen 13 ja paksun kerroksen 14 paksuuksien suhde d2/dlon tyypillisesti 0,05-0,8 edullisesti noin 0,5. Ohut kerros 13 ja paksu kerros 14 yhdistyvät toisiinsa siirtymävyöhykkeessä 15. Siirtymävyöhyke pyritään sijoittamaan riittävän kauas tukikehyksestä ja aktiivisesta • t'.: elektrodista, tarvittaessa esimerkiksi suoj aelektrodin alle.
•*T;20 * · •. ‘ · Kuviossa 5 on kuvattu keksinnön mukainen kiihtyvyysanturirakenne, jossa on kuvion 4 mukainen eristerakenne 5. Muutoin kuvion 5 ratkaisu vastaa kuvion 1 tunnettua anturirakennetta. Kuvioissa 5 ja 6 on esitetty myös tukialueet 16, jotka ovat lasin ja » , piikehyksen rajapintojen määräämät alueet. Kuviossa 6 on puolestaan esitetty sama 25 eristerakenneratkaisu 5 paineanturin yhteydessä. Kuvion 6 ratkaisu taas vastaa muilta • ‘ osin kuvion 2 tunnettua ratkaisua.
.' · Piin sij asia voidaan käyttää muutakin sopivaa j ohdetta.
: · 30 Paksumman lasin alueita ja niihin liittyviä kehyksen osia tai mekaanisia tukia voi olla 4 » myös anturirakenteen keskialueella elektrodirakenteen lomassa. Tällöin levyrakenteen kaareutuminen on jo luonnostaan vähäisempää.
7 114825
Olennaista keksinnölle on siis se, että eristekerros on muodostettu ainakin kahdesta eripaksuisesta kerroksesta 13 ja 14 lämpötilan vaikutusten minimoimiseksi mitattavan suureen mittaustuloksiin. Tyypillisiä materiaaleja käytettäessä ohuempi alue on elektrodin alueella, mutta edellä esitettyyn viitaten ohut alue voi ulottua elektrodialuetta 5 laajemmalle tai vastaavasti ohuen eristeen alue voi olla elektrodialuetta jonkin verran pienempikin.
* * 1 » »

Claims (6)

  1. 3 114825
  2. 1. Menetelmä anturirakenteen muodostamiseksi, jossa menetelmässä - johtavan substraatin (2) päälle muodostetaan eristekerros (5), jonka päälle 5 puolestaan muodostetaan johtava elektrodi (8), tunnettu siitä, että - eristekerros (5) muodostetaan ohuemmaksi (13) ainakin osalla elektrodin (8) kohdalla olevaa aluetta verrattuna anturin tukialueen (16) eristekerroksen paksuuteen (dl).
  3. 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä anturirakenteen muodostamiseksi, tunnettu siitä, että eristekerros (5) muodostetaan ohuemmaksi tukialueen ulkopuolella kuin anturin tukialueella (16).
  4. 3. Patenttivaatimusten 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ohuen kerroksen (13) ja paksun kerroksen (14) paksuuksien suhteeksi d2/dl valitaan tyypillisesti 0,05-15 0,8 edullisesti noin 0,5. : 4. Anturirakenne, joka käsittää ' ’ - johtavan substraatin (2), : ’ : - ensimmäisen elektrodirakenteen (8), . ’ - substraatin (2) ja ensimmäisen elektrodirakenteen (8) väliin muodostetun 20 eristekerroksen (5), ja - välimatkan päähän ensimmäisestä elektrodista sijoitetun toisen elektrodirakenteen (6,10), . tunnettu siitä, että ; - eristekerros (5) on muodostettu paksummaksi ainakin anturin tukialueilla (16) 25 kuin eristeen (5) muulla alueella. 9 114825
  5. 5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen anturirakenne tunnettu siitä, että eristekerros (5) on muodostettu ohuemmaksi (13) elektrodin (8) alueella kuin anturin tukialueella (16).
  6. 6. Patenttivaatimuksen 4 tai 5 mukainen anturirakenne, tunnettu siitä, että ohuen kerroksen (13) ja paksun kerroksen (14) paksuuksien suhde d2/dl on tyypillisesti 0.05-0,8 5 edullisesti noin 0,5. * 114825 ίο
FI20020292A 2002-02-13 2002-02-13 Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne FI114825B (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20020292A FI114825B (fi) 2002-02-13 2002-02-13 Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne
AU2003202615A AU2003202615A1 (en) 2002-02-13 2003-02-10 Method for reducing the temperature dependence of a capacitive sensor and a capacitive sensor construction
DE10392273T DE10392273T5 (de) 2002-02-13 2003-02-10 Verfahren zur Reduzierung der Temperaturabhängigkeit eines kapazitiven Sensors und Aufbau eines kapazitiven Sensors
PCT/FI2003/000101 WO2003069295A1 (en) 2002-02-13 2003-02-10 Method for reducing the temperature dependence of a capacitive sensor and a capacitive sensor construction
US10/503,089 US7302857B2 (en) 2002-02-13 2003-02-10 Method for reducing the temperature dependence of a capacitive sensor and a capacitive sensor construction

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20020292 2002-02-13
FI20020292A FI114825B (fi) 2002-02-13 2002-02-13 Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20020292A0 FI20020292A0 (fi) 2002-02-13
FI20020292A FI20020292A (fi) 2003-11-20
FI114825B true FI114825B (fi) 2004-12-31

Family

ID=8563194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20020292A FI114825B (fi) 2002-02-13 2002-02-13 Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7302857B2 (fi)
AU (1) AU2003202615A1 (fi)
DE (1) DE10392273T5 (fi)
FI (1) FI114825B (fi)
WO (1) WO2003069295A1 (fi)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5593613B2 (ja) * 2009-02-12 2014-09-24 ヤマハ株式会社 音響用木質材料及びその製造方法並びにアコースティック楽器
US8724832B2 (en) 2011-08-30 2014-05-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8824706B2 (en) 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8811636B2 (en) 2011-11-29 2014-08-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microspeaker with piezoelectric, metal and dielectric membrane
FI125958B (fi) 2013-05-10 2016-04-29 Murata Manufacturing Co Parannettu paineanturi

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543083C3 (de) * 1975-09-26 1979-01-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Bildsensor sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Bildsensors
US4203128A (en) * 1976-11-08 1980-05-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrostatically deformable thin silicon membranes
US4773972A (en) * 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
GB2202084A (en) * 1987-03-13 1988-09-14 Philips Electronic Associated Thermal-image sensing devices and their manufacture
US4823230A (en) * 1988-03-04 1989-04-18 General Electric Company Pressure transducer
JPH0795602B2 (ja) * 1989-12-01 1995-10-11 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
DE4136995C2 (de) * 1991-11-11 1996-08-08 Sensycon Ind Sensorsyst Kapazitiver Drucksensor
US5365790A (en) * 1992-04-02 1994-11-22 Motorola, Inc. Device with bonded conductive and insulating substrates and method therefore
TW218426B (fi) * 1992-05-11 1994-01-01 Samsung Electronics Co Ltd
JP2625362B2 (ja) * 1993-11-17 1997-07-02 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5600072A (en) * 1995-06-23 1997-02-04 Motorola, Inc. Capacitive pressure sensor and method for making the same
DE19640960A1 (de) * 1996-10-04 1998-04-09 Bosch Gmbh Robert Kapazitiver Drucksensor mit variabler Kavitätenhöhe
US5936164A (en) * 1997-08-27 1999-08-10 Delco Electronics Corporation All-silicon capacitive pressure sensor
DE69908129D1 (de) * 1998-07-07 2003-06-26 Goodyear Tire & Rubber Verfahren zur herstellung eines kapazitiven sensors
US6555870B1 (en) * 1999-06-29 2003-04-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for producing same
US6507475B1 (en) * 2000-06-27 2003-01-14 Motorola, Inc. Capacitive device and method of manufacture
US6842965B2 (en) * 2000-12-28 2005-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing a strain detector
US6860154B2 (en) * 2001-01-16 2005-03-01 Fujikura Ltd. Pressure sensor and manufacturing method thereof
KR100404904B1 (ko) * 2001-06-09 2003-11-07 전자부품연구원 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
FI20020292A0 (fi) 2002-02-13
WO2003069295A1 (en) 2003-08-21
US7302857B2 (en) 2007-12-04
US20050105245A1 (en) 2005-05-19
DE10392273T5 (de) 2005-03-10
AU2003202615A1 (en) 2003-09-04
FI20020292A (fi) 2003-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5801313A (en) Capacitive sensor
US5349492A (en) Capacitive pressure sensor
KR0137965B1 (ko) 최소의 유전 표류를 가지는 용량성 감지기
FI75426C (fi) Absoluttryckgivare.
KR100486322B1 (ko) 반도체압력센서
US8581354B2 (en) Semiconductor device carrying micro electro mechanical system
EP0818046B1 (en) Method for forming a capacitive absolute pressure sensor
US7051595B2 (en) Monolithic multi-functional integrated sensor and method for fabricating the same
KR0137931B1 (ko) 평면운동을 위한 힌지된 격막을 가진 용량성 반도체 감지기
US4831492A (en) Capacitor construction for use in pressure transducers
FI71015B (fi) Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare
US7010976B2 (en) Acceleration sensor and manufacturing method thereof
JPH06331651A (ja) 微細機構を有する加速度計およびその製造方法
JPH06129933A (ja) 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法
US6906392B2 (en) Micromechanical component
TWI630169B (zh) 製造微機電系統裝置的方法
US4862317A (en) Capacitive pressure transducer
JP2002250665A (ja) 静電容量式センサ及びその製造方法
FI114825B (fi) Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne
US20180346321A1 (en) Mems device
US20050066729A1 (en) Capacitance type dynamic quantity sensor
US5440931A (en) Reference element for high accuracy silicon capacitive pressure sensor
TWI593948B (zh) 具有複合腔體的壓力感測器及其製造方法
JP3328710B2 (ja) 半導体静電容量型センサ
JP2007093234A (ja) 圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
PC Transfer of assignment of patent

Owner name: MURATA ELECTRONICS OY

MM Patent lapsed