JP2007093234A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】 可動基板と固定基板との接合に伴う面内歪みの低減がなされた圧力センサを提供する。
【解決手段】 圧力センサ1は、可動基板10、及び固定基板20を有しており、それぞれの対向面10a,20aが対向するように密着接合されている。可動基板10には、第1の薄肉部としてのダイアフラム11が形成されており、ダイアフラム11の周辺に導電膜14aが形成されている。固定基板20には、その両面に形成された凹部25a,25bの底面部で構成された第2の薄肉部としての緩衝部24が形成されて、その外周に接合部35が形成されている。可動基板10と固定基板20との接合は、固定基板20の接合部35の接合面35aと、可動基板10に形成されている導電膜14aとが陽極接合されることによって行われている。
【選択図】 図1
【解決手段】 圧力センサ1は、可動基板10、及び固定基板20を有しており、それぞれの対向面10a,20aが対向するように密着接合されている。可動基板10には、第1の薄肉部としてのダイアフラム11が形成されており、ダイアフラム11の周辺に導電膜14aが形成されている。固定基板20には、その両面に形成された凹部25a,25bの底面部で構成された第2の薄肉部としての緩衝部24が形成されて、その外周に接合部35が形成されている。可動基板10と固定基板20との接合は、固定基板20の接合部35の接合面35aと、可動基板10に形成されている導電膜14aとが陽極接合されることによって行われている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ダイアフラムの変形量によって圧力を検出する圧力センサに関する。
従来、ダイアフラム(薄肉部)の変形状態に基づいて圧力を検知する圧力センサとして、特許文献1に開示するようなものがある。この文献に係る圧力センサは、可動電極として機能するダイアフラムを有するシリコン基板(可動基板)がガラス基板(固定基板)と接合されることで、ダイアフラムの一面側が圧力基準室として封止された構造となっている。
ダイアフラムは、使用環境下において外圧と圧力基準室における基準圧力との圧力差を反映して撓み変形し、ガラス基板上の誘電体膜と接触した状態となる。ガラス基板の誘電体膜下には固定電極が形成されており、かくして、外圧に依存した当該接触面積変化を電極間容量の変化として検出することで、圧力センサとしての機能を発揮するようになっている。このような構成の圧力センサは、タッチモード容量型の圧力センサとよばれ、高い検出感度と耐圧性を備えるものである。
この圧力センサは、シリコン基板とガラス基板との接合に陽極接合が用いられている。この陽極接合は、接合材(ロウ材など)を用いた接合に比べ、ガスの発生を伴わないため圧力基準室内における基準圧力を適正に合わせ込むのに適しており、また、可動電極と固定電極(誘電体層)とのギャップを厳密に規定するのにも適した手法である。
しかしながら、陽極接合は、その工程において基板を加熱する必要があるため、接合する基板間の熱膨張係数が異なる場合、基板に面内歪みを生じるという問題がある。特に、ダイアフラムは変形しやすい部分であるためにこのような歪みの影響を受けやすく、特性ばらつきを引き起こしてしまうことにもなる。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、基板同士の接合に伴う面内歪みの低減がなされた圧力センサを提供することを目的としている。
本発明の圧力センサは、固定基板と、可撓性を有する第1の薄肉部を有し、前記第1の薄肉部が前記固定基板と空隙を有して対向するように前記第1の薄肉部の周囲部分に対向して設けられた接合部が前記固定基板と接合されている可動基板と、を備え、圧力に応じて変形する前記第1の薄肉部の変形状態に基づいて前記圧力を検出する圧力センサであって、前記固定基板及び前記可動基板の少なくとも一方には、平面視における前記第1の薄肉部の領域より外周側、且つ前記接合部の内側の領域に、可撓性を有する第2の薄肉部が形成されていることを特徴とする。
本発明の圧力センサによれば、固定基板と可動基板との少なくとも一方の基板に、平面視における第1の薄肉部の領域より外周側、且つ接合部の第1の内側の領域、即ち、接合部と第1の薄肉部との間の領域に、可撓性を有する第2の薄肉部を有している。固定基板と可動基板とは、接合部で固定されるが、接合の際の応力によって面内歪みを生じる。この面内歪みを、第2の薄肉部の有している可撓性によって吸収することができる。これによって、この面内歪みが、圧力の検出部分である第1の薄肉部、及びそれに対応する部分に到達することを防止することが可能となる。この結果、圧力センサの特性のばらつきを抑制することが可能となる。
また、前記固定基板は、単結晶材料から形成されており、前記可動基板は、アルカリを含有したガラス材から形成されており、前記固定基板と前記可動基板とは、前記接合部で陽極接合によって接合されていることが望ましい。
このようにすれば、固定基板と可動基板とが陽極接合で接合されているため、接合部分からのガス発生が少なく圧力センサの特性への影響を抑えることができる。また、陽極接合の際に、それぞれの基板の異なった熱膨張係数によって生じる面内歪みを、第2の薄肉部の有している可撓性によって吸収することができる。これによって、この面内歪みが、圧力の検出部分である第1の薄肉部、及びそれに対応する部分に到達することを防止することが可能となる。
加えて、固定基板と可動基板とが、それぞれ接合部材との陽極接合によって接合されているため、接合時に基板間のギャップの精度が損なわれるのを抑制することが可能となる。これらにより、圧力センサの特性のばらつきを抑制することが可能となる。
加えて、固定基板と可動基板とが、それぞれ接合部材との陽極接合によって接合されているため、接合時に基板間のギャップの精度が損なわれるのを抑制することが可能となる。これらにより、圧力センサの特性のばらつきを抑制することが可能となる。
また、前記可動基板には、水晶板が用いられていることが望ましい。
このようにすれば、機械変形におけるヒステリシスの小さい水晶で第1の薄肉部が形成されているため、検出特性の安定性を向上することが可能となる。また、第1の薄肉部の形成時において、その圧電共振特性をモニタすることができるため、その変形特性に関わる形状寸法の加工精度を高めることができる。
また、前記可動基板には、ATカットにより切り出された水晶板が用いられていることが望ましい。
このようにすれば、ATカットで切り出された水晶板を用いることにより、変形特性に鋭敏に影響する第1の薄肉部の厚みについての加工精度を高めることができる。
また、前記第2の薄肉部を有する基板は、前記第2の薄肉部の表面と、前記接合部の接合面との間の寸法L1と、前記第2の薄肉部の表面と、当該基板が接合される他の基板と前記第1の薄肉部の外周部近傍で当接する当接面との間の寸法L2とが、L1<L2の関係に形成されていることが望ましい。
このようにすれば、固定基板と可動基板とが接合される際に、L1<L2となっているため、接合される基板と接合面が接触する前に、当接面が当接(接触)することになる。
固定基板と可動基板の接合は、常に当接面が当接し、第1の薄肉部が僅かに変形した状態で行われるため、第1の薄肉部と該第1の薄肉部に対向する固定基板面との距離は常に一定とすることができる。これにより、圧力センサの検出精度のばらつきを抑えることが可能となる。
固定基板と可動基板の接合は、常に当接面が当接し、第1の薄肉部が僅かに変形した状態で行われるため、第1の薄肉部と該第1の薄肉部に対向する固定基板面との距離は常に一定とすることができる。これにより、圧力センサの検出精度のばらつきを抑えることが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係る圧力センサについて、図面を参照して説明する。本実施形態の圧力センサは、外圧に応じて撓み変形する可動電極と、誘電体層で覆われた固定電極との接触面積の変化を、電極間の静電容量の変化として検出し、圧力を検知するタッチモード容量型の圧力センサである。
先ず、図1〜図4を参照して本実施形態の圧力センサの構成について説明する。図1は、本実施形態の圧力センサ概略を示す図であり、(a)は、断面図、(b)は、(a)の可動電極側の基板(可動基板)と固定電極側の基板(固定基板)との接合部分を上下に分離し、個々に表した断面図である。図2は、圧力センサの概略の内部構成を示す分解斜視図である。図3は、圧力センサの使用環境下における断面図を示している。図4は、可動電極側の基板(可動基板)と固定電極側の基板(固定基板)との接合部分を示す断面図である。
図1、図2、及び図3に示すように、圧力センサ1は、可動基板10、及び固定基板20を有しており、それぞれの対向面10a,20aが対向するように接合されている。本実施形態では、可動基板10が、ATカットにより切り出された略正方形の水晶板で形成されており、固定基板20が、陽極接合に必要なアルカリが含有された略正方形のガラスで構成されている。
可動基板10の略中央には、可撓性を有する第1の薄肉部(以下、「ダイアフラム」という)11が形成されている。ダイアフラム11は、可動基板10の対向面10a及び外面10bの双方に形成された凹部12a,12bの底面部で構成されており、略正方形形状になっている。
可動基板10の対向面10a側には、アルミニウム等により可動電極13及び導電膜14a,14bが一体的に形成されている。ここで、可動電極13は、ダイアフラム11上(凹部12aの底面上)に形成されており、導電膜14aは、可動基板10の外縁部10cに沿うように枠状に形成されている。導電膜14bは、可動電極13と導電膜14aとを接続するように形成されている。なお、導電膜14a,14bは、具体的には、外縁部10cや図示しないスルーホール等を経由して、端子として外面10bまで配線されるものであるが、本明細書では詳しい説明は省略する。
固定基板20の対向面20a側には、アルミニウム等により固定電極21及び導電膜22bが一体的に形成されている。固定電極21は、可動電極13に対向する位置に形成されており、SiO2等でパターン形成された誘電体膜23によって覆われている。さらに、固定基板20の固定電極21の外周側には、可撓性を有する第2の薄肉部(以下、「緩衝部」という)24が、略正方形の枠状に形成されている。この緩衝部24は、可動基板10と固定基板20とが接合される際に、対向面20aが、対向する導電膜14a或いは対向面10aに当接する領域を有し、その外周側に形成されている。
また、緩衝部24は、固定基板20の対向面20a及び外面20bの双方に形成された枠状の凹部25a,25bの底面部で構成されている。導電膜22bは、固定電極21から延出されており、一例としてのスルーホール32などを経由して外面20bに形成される図示しない端子に接続されている。
また、緩衝部24は、固定基板20の対向面20a及び外面20bの双方に形成された枠状の凹部25a,25bの底面部で構成されている。導電膜22bは、固定電極21から延出されており、一例としてのスルーホール32などを経由して外面20bに形成される図示しない端子に接続されている。
固定基板20と可動基板10とは、固定基板20の接合部35の接合面35aと、可動基板10に形成されている導電膜14aとが陽極接合されることによって密着接合されている。
図4に示すように、固定基板20の接合面35aは、当接面20dが導電膜14bと当たっても導電膜14aとの間に隙間L3を有するように形成されている。即ち、接合面35aと緩衝部24の表面24aとの間の距離寸法L1は、当接面20dと緩衝部24の表面24aとの間の距離寸法L2よりも小さくなるように形成されている。なお、当接面20dは、対向面20aが導電膜14bと当たる(当接する)部分であり、本例では、対向面20aと同一面である。
図4に示すように、固定基板20の接合面35aは、当接面20dが導電膜14bと当たっても導電膜14aとの間に隙間L3を有するように形成されている。即ち、接合面35aと緩衝部24の表面24aとの間の距離寸法L1は、当接面20dと緩衝部24の表面24aとの間の距離寸法L2よりも小さくなるように形成されている。なお、当接面20dは、対向面20aが導電膜14bと当たる(当接する)部分であり、本例では、対向面20aと同一面である。
固定基板20と可動基板10との接合は、当接面20dと導電膜14bとが当接した状態で、矢印の方向に力を加えて陽極接合が行われる。このため、接合部35は、図示上方に押し上げられ、緩衝部24が撓んだ状態で陽極接合される。これにより、ダイアフラム11と、固定基板20の対向面20aとの間隔はばらつきなく常に一定とすることができる。
なお、可動基板10と固定基板20とが接合された状態では、ダイアフラム11を構成する凹部12aは、圧力基準室2として封止された状態(図1(a)参照)となっており、圧力基準室2の内圧は、所定の基準圧力(一般には減圧状態)に保たれている。
可動電極13と誘電体膜23とは、基準圧力と外圧との均衡がとれている状態において、図1(a)に示すように微小な間隙を隔てて対向した状態にある。そして、圧力センサ1が使用環境下(例えば、大気圧下)に置かれると、図3に示すように、ダイアフラム11は基準圧力と外圧との圧力差によって撓み変形を起こす。かくして、外圧に依存したダイアフラム11の変形量に応じて可動電極13と誘電体膜23との接触面積が変化するので、当該接触面積の変化に対応した電極間の静電容量の変化を、導電膜14a,14b,22bのそれぞれに接続された端子を介して検出し、外圧を検知することができる。
本実施形態では、可動基板10が絶縁体(水晶板)で、可動電極13がダイアフラム11上にパターン形成された金属膜となっている。このため、特許文献1のようにシリコン基板全体が導体化されて可動電極を構成した圧力センサに比べると、両電極からの導線間で余分な(電極間容量に対しての)並列容量が発生せず、相対的な容量変化の感度に優れている。
また、本実施形態では、ダイアフラム11が形成される可動基板10として、機械変形のヒステリシスの小さい水晶板が用いられている。このため、この圧力センサ1は、ダイアフラム11の変形特性、ひいては検出特性の安定性に優れている。
さらに、本実施形態では、当接面20dと導電膜14bとが当接した状態で、矢印の方向に力を加えて陽極接合が行われるため、接合部35が、図4で示す上方に押し上げられ、緩衝部24が変形された状態で接合される。これにより、この圧力センサ1は、ダイアフラム11と、固定基板20の対向面20aとの間隔は、ばらつきなく常に一定とすることができ、さらに、ダイアフラム11の変形特性、ひいては検出特性の安定性に優れている。
次に、図5を参照して、圧力センサ1の製造方法について説明する。図5は、圧力センサ1の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、ウエハ状の基板を用いることにより、一度に多数個の個体(圧力センサ1)を形成することが可能になっているが、本説明では、その中の1つの個体に着目して説明を行う。
図5に示すように、圧力センサ1は、可動基板10については、工程S11,S12、固定基板20については、工程S21,S22,S23の加工処理によってそれぞれを形成し、可動基板10、及び固定基板20を接合(工程S42)した後、個体毎に分離(工程S43)することによって製造される。以下、各工程の詳細について説明を行う。
まず、工程S11では、例えば100〜200μm程度の厚さを有する可動基板10に、必要に応じてスルーホール(図示せず)等を形成した後、その両面にエッチング処理等を施して凹部12a,12b、即ちダイアフラム11を形成する。ダイアフラム11の形状寸法は、使用環境下において適切な変形特性が得られるように設計されており、その一辺の寸法は例えば0.9mm程度、その厚みは例えば10μm程度である。また、凹部12aの深さ、即ち対向面10aからダイアフラム11の表面までの窪みの深さは、使用環境下において可動電極13と誘電体膜23との接触面積が適切な範囲となるように設計されており、例えば6μm程度である。
ダイアフラム11の厚み寸法はその変形特性に特に鋭敏に影響するため、特性のばらつきを抑えるためには、当該厚み寸法についての高精度な加工制御が必要である。ATカット等の厚み滑り振動片では、厚み寸法と共振周波数が反比例の関係にあることが知られている。そこで本実施形態では、ダイアフラム11について厚みすべりモードないし厚み縦モードの圧電振動特性を測定することで、厚み寸法の正確な測定を行い、微調整エッチングによるロット間ないし個体間での寸法の合わせこみを行うようになっている。可動基板10にATカットで切り出された水晶板が用いられているのは、この圧電振動特性の測定の便宜のためである。
工程S12では、気相法或いはフォトリソグラフィー法等を用い、可動基板10の対向面10a側に可動電極13及び導電膜14a,14bを形成する。その後、図示しないスルーホールの内面や基板の外縁部10c、外面10bに、必要に応じて配線や端子を形成すると、可動基板10の形成が完了する。
工程S21では、例えば数百μm程度の厚さを有する固定基板20の両面に、エッチング処理等によって凹部25a,25bを形成することにより緩衝部24を形成する。緩衝部24は、その厚さが例えば20μm程度であり、凹部25aの深さ、即ち対向面20aからの緩衝部24の表面までの窪みの深さは、例えば35μm程度である。
工程S22では、気相法或いはフォトリソグラフィー法等を用い、固定基板20の対向面20a側に固定電極21及び導電膜22bを形成する。
工程S23では、気相法或いはフォトリソグラフィー法等を用い、固定電極21上に誘電体膜23を形成する。その後、必要に応じて他の配線や端子を形成すると、固定基板20の形成が完了する。
工程S42では、固定基板20に可動基板10を接合する。具体的には、図4に示すように、可動基板10と固定基板20とを、それぞれの対向面10aの導電膜14bと対向面20aの当接面20dが当接するように重ね合わせる。この状態では、接合部35の接合面35aと導電膜14aの間には隙間が存在している。その後、加圧並びに加熱処理を行いつつ、導電膜14aを陽極、接合部35を支える図示しない電極部を陰極として両者間に高電圧を印加して、可動基板10と固定基板20とを陽極接合する。加圧する際に緩衝部24が、その可撓性によって撓み、接合面35aと導電膜14a(可動基板10)とが密着接合される(図1(a)参照)。なお、この工程S42は、基準圧力と同じ圧力下で行われ、これにより圧力基準室2の基準圧力が規定される。
可動基板10、固定基板20は、陽極接合後の冷却の過程においてそれぞれの熱膨張係数に依存した分だけ収縮しようとするため、それぞれの熱膨張係数の差に依存して、それぞれの基板10,20内には面内歪み(残留応力)が発生する。しかしながら、緩衝部24が可撓性を有しているため、このような歪みを緩和することが可能となっている。
最後に、工程S43において、ダイシング等を行って個体毎に分離し、個体としての圧力センサ1が完成する。
以上説明したように、本実施形態の圧力センサ1によれば、以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態の圧力センサ1によれば、固定基板20と可動基板10とが、固定基板20に形成された第2の薄肉部(緩衝部24)より外周側で接合されているため、可動基板10と固定基板20の熱膨張係数の違いに起因する面内歪を緩衝部24の可撓性により緩和することが可能となる。この結果、圧力センサの特性のばらつきを抑制することが可能となる。
(2)本実施形態の圧力センサ1によれば、固定基板20と可動基板10とが、当接面20dと導電膜14bとが当接した状態で、接合部35に圧力が加えられて陽極接合が行われる。このため、接合部35は、導電膜14bの方向に押しつけられ、緩衝部24が撓んだ状態で陽極接合される。これにより、ダイアフラム11と、固定基板20の対向面20aとの間隔はばらつきなく常に一定とすることができ、接合時の基板間のギャップの精度が損なわれるのを抑制することが可能となる。
(3)本実施形態の圧力センサ1によれば、可動基板10に、ATカットにより切り出された水晶板を用いている。つまり、機械変形におけるヒステリシスの小さい水晶でダイアフラム11が形成されているため、検出特性の安定性を向上することが可能となる。また、ダイアフラム11の形成時において、その圧電共振特性をモニタすることができるため、その変形特性に関わる形状寸法の加工精度を高めることができる。さらに、ATカットで切り出された水晶板を用いているため、変形特性に鋭敏に影響するダイアフラム11の厚みについての加工精度を高めることができる。
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
(変形例1)
前記実施形態では、緩衝部24が、固定基板20の対向面20a及び外面20bの双方に形成された枠状の凹部25a,25bの底面部で構成されているが、図6に示すように、外面20bに形成された凹部25bの底面で形成されていてもよい。つまり、対向面20aには、凹部は形成されず、対向面20aと緩衝部24の一面が同一面となっている。この場合、可動基板10と固定基板20とは、緩衝部24のうちの外周側に位置する枠状の接合領域33と導電膜14aとが陽極接合されることによって密着接合される。
(変形例1)
前記実施形態では、緩衝部24が、固定基板20の対向面20a及び外面20bの双方に形成された枠状の凹部25a,25bの底面部で構成されているが、図6に示すように、外面20bに形成された凹部25bの底面で形成されていてもよい。つまり、対向面20aには、凹部は形成されず、対向面20aと緩衝部24の一面が同一面となっている。この場合、可動基板10と固定基板20とは、緩衝部24のうちの外周側に位置する枠状の接合領域33と導電膜14aとが陽極接合されることによって密着接合される。
(変形例2)
前記実施形態では、緩衝部24を固定基板20に形成しているが、図7に示すように、可動基板10側に形成するようにしてもよい。図7に示した例では、ダイアフラム11の外周を囲む可動基板10の両面に、枠状の凹部25c,25dを形成し、その底面部を第2の薄肉部としての緩衝部34としている。可動基板10と固定基板20を接合する際には、導電膜14aと固定基板20の接合部35とが、陽極接合によって密着接合されている。
前記実施形態では、緩衝部24を固定基板20に形成しているが、図7に示すように、可動基板10側に形成するようにしてもよい。図7に示した例では、ダイアフラム11の外周を囲む可動基板10の両面に、枠状の凹部25c,25dを形成し、その底面部を第2の薄肉部としての緩衝部34としている。可動基板10と固定基板20を接合する際には、導電膜14aと固定基板20の接合部35とが、陽極接合によって密着接合されている。
(変形例3)
前記実施形態では、緩衝部24が、固定基板20の対向面20a及び外面20bの双方に形成された枠状の凹部25a,25bの底面部で構成されているが、図8に示すように、対向面20aに形成された凹部25aの底面で形成されていてもよい。つまり、外面20bには、凹部は形成されず、外面20bと緩衝部24の外側の一面が同一面となっている。この場合、可動基板10と固定基板20とは、緩衝部24のうちの外周側に位置する枠状の接合部35と導電膜14aとが陽極接合されることによって密着接合される。
前記実施形態では、緩衝部24が、固定基板20の対向面20a及び外面20bの双方に形成された枠状の凹部25a,25bの底面部で構成されているが、図8に示すように、対向面20aに形成された凹部25aの底面で形成されていてもよい。つまり、外面20bには、凹部は形成されず、外面20bと緩衝部24の外側の一面が同一面となっている。この場合、可動基板10と固定基板20とは、緩衝部24のうちの外周側に位置する枠状の接合部35と導電膜14aとが陽極接合されることによって密着接合される。
また、本発明は、前記実施形態や前記変形例に限定されず実施することができる。例えば、可動基板10や固定基板20には、水晶やガラスの他に、シリコン、セラミック等を用いることもできる。また、ダイアフラム11における可動電極13は、特許文献1に係る圧力センサのように、シリコン基板に形成されたダイアフラム領域に不純物をドーピングした態様とすることもできる。
また、本発明は、可動電極と誘電体膜とが接触しない(タッチモードではない)タイプの容量型圧力センサについても適用することができる。
また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
また、本発明は、可動電極と誘電体膜とが接触しない(タッチモードではない)タイプの容量型圧力センサについても適用することができる。
また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
1…圧力センサ、2…圧力基準室、10…可動基板、10a…対向面、10b…外面、10c…外縁部、11…第1の薄肉部としてのダイアフラム、12a,12b…凹部、13…可動電極、14a,14b…導電膜、20…固定基板、20a…対向面、20b…外面、21…固定電極、23…誘電体膜、24,34…第2の薄肉部としての緩衝部、25a,25b…凹部、33…接合領域、35…接合部、35a…接合面。
Claims (5)
- 固定基板と、
可撓性を有する第1の薄肉部を有し、前記第1の薄肉部が前記固定基板と空隙を有して対向するように、前記第1の薄肉部の周囲部分に対向して設けられた接合部が前記固定基板と接合されている可動基板と、を備え、
圧力に応じて変形する前記第1の薄肉部の変形状態に基づいて前記圧力を検出する圧力センサであって、
前記固定基板及び前記可動基板の少なくとも一方には、平面視における前記第1の薄肉部の領域より外周側、且つ前記接合部の内側の領域に、可撓性を有する第2の薄肉部が形成されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1に記載の圧力センサであって、
前記固定基板は、単結晶材料から形成されており、
前記可動基板は、アルカリを含有したガラス材から形成されており、
前記固定基板と前記可動基板とは、前記接合部で陽極接合によって接合されていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1又は請求項2に記載の圧力センサであって、
前記可動基板には、水晶板が用いられていることを特徴とする圧力センサ。 - 請求項3に記載の圧力センサであって、前記可動基板には、ATカットにより切り出された水晶板が用いられていることを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の圧力センサであって、
前記第2の薄肉部を有する基板は、
前記第2の薄肉部の表面と、前記接合部の接合面との間の寸法L1と、
前記第2の薄肉部の表面と、当該基板が接合される他の基板と前記第1の薄肉部の外周部近傍で当接する当接面との間の寸法L2とが、
L1<L2の関係に形成されていることを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005279256A JP2007093234A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005279256A JP2007093234A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 圧力センサ |
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Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=37979151
Family Applications (1)
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JP2005279256A Withdrawn JP2007093234A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007093234A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022080080A1 (ja) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサ装置 |
US11662264B2 (en) * | 2019-05-22 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pressure measuring apparatus for measuring a discharge pressure of a liquid discharged onto a wafer |
-
2005
- 2005-09-27 JP JP2005279256A patent/JP2007093234A/ja not_active Withdrawn
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US11662264B2 (en) * | 2019-05-22 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pressure measuring apparatus for measuring a discharge pressure of a liquid discharged onto a wafer |
WO2022080080A1 (ja) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサ装置 |
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