FI125958B - Parannettu paineanturi - Google Patents
Parannettu paineanturi Download PDFInfo
- Publication number
- FI125958B FI125958B FI20135487A FI20135487A FI125958B FI 125958 B FI125958 B FI 125958B FI 20135487 A FI20135487 A FI 20135487A FI 20135487 A FI20135487 A FI 20135487A FI 125958 B FI125958 B FI 125958B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- diaphragm
- side walls
- structure according
- pressure sensor
- sensor structure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/007—For controlling stiffness, e.g. ribs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L7/00—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
- G01L7/02—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
- G01L7/08—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type
- G01L7/082—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type construction or mounting of diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
- G01L9/0048—Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/12—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Claims (18)
1. Mikrosähkömekaaninen paineanturirakenne, joka käsittää runkorakenteen ja kalvolevyn (26), jolloin runkorakenne käsittää tasomaisen pohjan (21) ja sivuseinät (23); ensimmäinen pinta (24) ulottuu olennaisesti tasomaista pohjaa (21) pitkin; sivuseinät (23) ulottuvat kehänä poispäin tasomaisesta pohjasta (21); kalvolevy (26) ulottuu sivuseinillä (23) toista pintaa (28) pitkin; tasomainen pohja (21), sivuseinät (23) ja kalvolevy (26) on kiinnitetty toisiinsa siten, että ensimmäinen pinta (24), toinen pinta (28) ja sivuseinien (23) sisäpinnat muodostavat ilmatiiviisti suljetun raon referenssipaineessa; tunnettu siitä, että sivuseinien (23) sisäpintojen yläreuna muodostaa kalvon (27) kehän, jolla on toisen pinnan (28) suuntainen pituus (27a) ja leveys (27b), jolloin pituus (27a) on kalvon (27) pisimmän ulottuvuuden suuntainen, ja leveys (27b) on ensimmäisellä pinnalla (24) pituuden (27a) suuntaan nähden kohtisuorassa suunnassa; kalvon (27a) pituus on vähintään kolme kertaa kalvon (27) leveys (27b); yksi tai useampi ontelo (110) ulottuu ensimmäisestä pinnasta (115) tasomaiseen pohjaan (111).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että sivuseinät (23) ulottuvat kehänä poispäin tasomaisesta pohjasta (21) ensimmäiseen pintaan (24) nähden kohtisuoraan suuntaan.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että kalvo (27) on järjestetty taipumaan käytön aikana siten, että toisessa pinnassa (28) olevassa kohdassa oleva piste liikkuu ensimmäistä pintaa (24) kohti ensimmäiseen pintaan (24) nähden kohtisuorassa suunnassa.
4. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että kalvon pituus (27a) on vähintään viisi kertaa kalvon leveys (27b).
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että yksi tai useampi ontelo (110) muodostavat jonon.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että jono on yhdensuuntainen ainakin sivuseinien (113) sisäpinnan osan kanssa.
7. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että jono käsittää vähintään yhden pitkänomaisen ontelon, jolloin ontelon pituus on vähintään kaksi kertaa ontelon keskileveys.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että pitkänomainen ontelo on suoraviivainen muodostaen viivamaisen ontelon.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että osa ontelon kehästä on asetettu linjaan ainakin sivuseinien (111) sisäpinnan osan kanssa.
10. Patenttivaatimuksen 6 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että jono ulottuu kalvon pisimmän ulottuvuuden päässä.
11. Patenttivaatimuksen 8 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että paineanturi käsittää kaksi viivamaista onteloa, joista kumpikin ulottuu kalvon pisimmän ulottuvuuden vastakkaisessa päässä.
12. Patenttivaatimuksen 5 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että yksi tai useampi ontelo esiintyy yhdellä tai useammalla onteloalueella (114) ensimmäisellä pinnalla (115); onteloalueella oleva kohta vastaa toisessa pinnassa olevaa kohtaa, kun kohdat yhdistävä linja on kohtisuorassa ensimmäisen pinnan (115) tasoon nähden; kalvolle on järjestetty enimmäistaipuma, joka vastaa kalvon suurinta sallittua siirtymää käytön aikana; onteloalueita (114) esiintyy kohdissa, joissa kalvon taipuma vastaavassa kohdassa on pienempi kuin enimmäistaipuma.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että onteloalueita (114) esiintyy kohdissa, joissa kalvon taipuma vastaavassa kohdassa on pienempi kuin kaksi kolmasosaa enimmäistaipumasta.
14. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että tasomainen pohja (121), sivuseinät (123) ja kalvolevy (126) on kiinnitetty toisiinsa siten, että ensimmäinen pinta (125), toinen pinta (128) ja sivuseinien (123) sisäpinnat muodostavat kaksi tai useampia ilmatiiviisti suljettuja rakoja; sivuseinien (123) sisäpintojen yläreunat muodostavat toisessa pinnassa (128) kahden tai useampien kalvojen (127) kehiä, joilla on toisen pinnan (128) suuntainen pituus ja leveys, jolloin kalvon (127) pituus on kalvon pisimmän ulottuvuuden suuntainen, ja leveys on toisella pinnalla (128) pituuden suuntaan nähden kohtisuoran suuntainen; kunkin kalvon (127) pituus on vähintään kolme kertaa kalvon leveys.
15. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että paineanturirakenne käsittää kiinteän elektrodin ensimmäisellä pinnalla (35) ja kalvoelektrodin toisella pinnalla (38) raon yli olevassa kapasitanssissa ilmenevien muutoksien havaitsemiseksi.
16. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-15 mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että tasomainen pohja ja/tai kalvo on valmistettu sähköä johtavasta materiaalista ja ne aikaansaavat kondensaattorirakenteen raon yli olevassa kapasitanssissa ilmenevien muutoksien havaitsemiseksi.
17. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen mukainen paineanturirakenne, tunnettu siitä, että: anturirakenteella on ensimmäiseen pintaan nähden kohtisuoran suuntainen (24) paksuus; anturirakenteen ulkopinta ulottuu anturirakenteen ensimmäiseen pintaan nähden kohtisuoran suuntaisesti; sivuseinien (23) leveys vastaa lyhyintä etäisyyttä sivuseinien sisäpintojen yläreunasta anturirakenteen ulkopintaan; anturirakenteen paksuus on pienempi kuin kaksi kertaa sivuseinien leveys.
18. Paineanturi, joka käsittää jonkin patenttivaatimuksen 1-17 mukaisen paineanturirakenteen.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20135487A FI125958B (fi) | 2013-05-10 | 2013-05-10 | Parannettu paineanturi |
TW103116053A TWI620921B (zh) | 2013-05-10 | 2014-05-06 | 經改良的壓力感測器 |
US14/270,813 US9442032B2 (en) | 2013-05-10 | 2014-05-06 | Microelectromechanical pressure sensor with robust diaphragm |
CN201480026198.9A CN105229438B (zh) | 2013-05-10 | 2014-05-08 | 改进的压力传感器 |
EP14727070.6A EP2994733B1 (en) | 2013-05-10 | 2014-05-08 | An improved pressure sensor |
JP2016512463A JP6128278B2 (ja) | 2013-05-10 | 2014-05-08 | 改良された圧力センサー |
PCT/IB2014/061282 WO2014181274A1 (en) | 2013-05-10 | 2014-05-08 | An improved pressure sensor |
KR1020157032082A KR101830618B1 (ko) | 2013-05-10 | 2014-05-08 | 개선된 압력 센서 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20135487A FI125958B (fi) | 2013-05-10 | 2013-05-10 | Parannettu paineanturi |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20135487A FI20135487A (fi) | 2014-11-11 |
FI125958B true FI125958B (fi) | 2016-04-29 |
Family
ID=50841916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20135487A FI125958B (fi) | 2013-05-10 | 2013-05-10 | Parannettu paineanturi |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9442032B2 (fi) |
EP (1) | EP2994733B1 (fi) |
JP (1) | JP6128278B2 (fi) |
KR (1) | KR101830618B1 (fi) |
CN (1) | CN105229438B (fi) |
FI (1) | FI125958B (fi) |
TW (1) | TWI620921B (fi) |
WO (1) | WO2014181274A1 (fi) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI125447B (fi) * | 2013-06-04 | 2015-10-15 | Murata Manufacturing Co | Parannettu paineanturi |
US20200315539A1 (en) | 2017-11-08 | 2020-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Rapid exchange catheter system for fractional flow reserve measurement |
FR3074096B1 (fr) * | 2017-11-27 | 2019-12-20 | Safran Electronics & Defense | Dispositif autonome de mesure de pression embarque procede de mesure de pression |
WO2019225205A1 (ja) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 株式会社村田製作所 | 圧力検出素子および圧力検出装置 |
US11988566B2 (en) * | 2018-12-13 | 2024-05-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Pulling detection device and moving body system comprising same |
DE102018222770A1 (de) | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Sensoreinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer mikromechanischen Sensoreinrichtung |
DE102018222758A1 (de) | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Sensor mit einer Membran sowie Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors |
DE102018222738A1 (de) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren |
CN110243532A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-09-17 | 西安石油大学 | 一种管道油气压力监测的光纤光栅压力传感器 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5241794A (en) * | 1975-09-29 | 1977-03-31 | Toshiba Corp | Underwater exploring device |
DE69210041T2 (de) * | 1991-12-13 | 1996-10-31 | Honeywell Inc | Entwurf von piezoresistivem drucksensor aus silizium |
FR2687783B1 (fr) * | 1992-02-20 | 1994-05-20 | Sextant Avionique | Micro-capteur de pression. |
US5528452A (en) * | 1994-11-22 | 1996-06-18 | Case Western Reserve University | Capacitive absolute pressure sensor |
US6388279B1 (en) | 1997-06-11 | 2002-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
JP2001050841A (ja) | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
JP2002181648A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
JP2002195903A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
FI114825B (fi) | 2002-02-13 | 2004-12-31 | Vti Technologies Oy | Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne |
US7499604B1 (en) * | 2004-12-12 | 2009-03-03 | Burns David W | Optically coupled resonant pressure sensor and process |
JP4585426B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-11-24 | アルプス電気株式会社 | 静電容量型圧力センサ |
JP2007225344A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサ |
JP4916006B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-04-11 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
WO2011055734A1 (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-12 | ローム株式会社 | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
JP2011220927A (ja) | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Yamatake Corp | 圧力センサ |
US8569851B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-29 | General Electric Company | Sensor and method for fabricating the same |
FR2963099B1 (fr) | 2010-07-22 | 2013-10-04 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de pression dynamique mems, en particulier pour des applications a la realisation de microphones |
TWI506249B (zh) * | 2011-04-15 | 2015-11-01 | Ind Tech Res Inst | 微機電感測裝置 |
TWI442035B (zh) * | 2011-07-22 | 2014-06-21 | Univ Nat Taiwan | 壓力感測器及感測陣列 |
JP5737148B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-06-17 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサとその製造方法及び入力装置 |
US8590389B2 (en) * | 2012-02-10 | 2013-11-26 | Metrodyne Microsystems Corporation, R.O.C. | MEMS pressure sensor device and manufacturing method thereof |
JP2016519293A (ja) | 2013-03-15 | 2016-06-30 | エンドトロニクス インコーポレイテッド | 圧力検知インプラント |
EP2796844B1 (en) * | 2013-04-25 | 2019-12-25 | ams international AG | Mems capacitive pressure sensor |
FI125959B (fi) * | 2013-05-10 | 2016-04-29 | Murata Manufacturing Co | Mikroelektromekaaninen laite ja mikroelektromekaanisen laitteen valmistusmenetelmä |
FI125960B (fi) * | 2013-05-28 | 2016-04-29 | Murata Manufacturing Co | Parannettu paineanturi |
FI125447B (fi) * | 2013-06-04 | 2015-10-15 | Murata Manufacturing Co | Parannettu paineanturi |
FI126999B (fi) * | 2014-01-17 | 2017-09-15 | Murata Manufacturing Co | Parannettu paineanturi |
-
2013
- 2013-05-10 FI FI20135487A patent/FI125958B/fi active IP Right Grant
-
2014
- 2014-05-06 TW TW103116053A patent/TWI620921B/zh active
- 2014-05-06 US US14/270,813 patent/US9442032B2/en active Active
- 2014-05-08 JP JP2016512463A patent/JP6128278B2/ja active Active
- 2014-05-08 CN CN201480026198.9A patent/CN105229438B/zh active Active
- 2014-05-08 KR KR1020157032082A patent/KR101830618B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-08 WO PCT/IB2014/061282 patent/WO2014181274A1/en active Application Filing
- 2014-05-08 EP EP14727070.6A patent/EP2994733B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150140794A (ko) | 2015-12-16 |
KR101830618B1 (ko) | 2018-02-21 |
CN105229438A (zh) | 2016-01-06 |
US9442032B2 (en) | 2016-09-13 |
US20150226624A1 (en) | 2015-08-13 |
JP6128278B2 (ja) | 2017-05-17 |
TW201502483A (zh) | 2015-01-16 |
JP2016526157A (ja) | 2016-09-01 |
EP2994733B1 (en) | 2018-01-31 |
EP2994733A1 (en) | 2016-03-16 |
CN105229438B (zh) | 2017-11-10 |
FI20135487A (fi) | 2014-11-11 |
WO2014181274A1 (en) | 2014-11-13 |
TWI620921B (zh) | 2018-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI125958B (fi) | Parannettu paineanturi | |
JP6256619B2 (ja) | 改良された圧力センサ構造 | |
US9453775B2 (en) | Pressure sensor | |
US8833171B2 (en) | Pressure sensor | |
KR100486322B1 (ko) | 반도체압력센서 | |
JP6195011B2 (ja) | 改良された圧力センサー構造 | |
TWI630169B (zh) | 製造微機電系統裝置的方法 | |
JP6209270B2 (ja) | 加速度センサ | |
US9493339B2 (en) | Micro electro mechanical system | |
JP2007225344A (ja) | 圧力センサ | |
ES2627013B1 (es) | Sensor de presión capacitivo con capacitancias de referencia y método de obtención del mismo | |
JP2013148495A (ja) | 半導体センサ | |
US20230339741A1 (en) | Three-dimensional stress-sensitive device | |
WO2015163300A1 (ja) | 加速度センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. |
|
FG | Patent granted |
Ref document number: 125958 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |