JP2013148495A - 半導体センサ - Google Patents

Abstract

【課題】より多くの物理量を測定することのできる半導体センサを得る。
【解決手段】半導体センサ１は、ダイヤフラム４を有する半導体基台２と、当該半導体基台２に接合される基台３と、を備えている。ダイヤフラム４の一側には、基準流体が存在してダイヤフラム４の変位を許容する空間１４が形成されており、ダイヤフラム４の他側には、ダイヤフラム４の変位を許容する密閉空間５が形成されている。そして、密閉空間５には、基準流体よりも熱膨張率の高い流体が充填されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体センサに関する。

従来、半導体センサとして、ガラス製の基台と、ダイヤフラムを有し、ガラス製の基台に接合された水晶製の基台と、ダイヤフラムに形成された圧電振動素子と、ダイヤフラムの変位を許容する真空室と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

この特許文献１では、ダイヤフラムに応力が加えられて当該ダイヤフラムが変位した際に、ダイヤフラムに接続された圧電振動素子に応力が加えられて周波数が変化するようにし、当該周波数の変化に基づいて半導体センサ周囲の圧力を測定できるようにしている。

特開２００８−０７６０７５号公報

しかしながら、上記従来の半導体センサは、半導体センサ周囲の圧力を測定することを目的とするものであり、このような従来の半導体センサでは、半導体センサ周囲の圧力の測定しかできなかった。

そこで、本発明は、より多くの物理量を測定することのできる半導体センサを得ることを目的とする。

本発明の第１の特徴は、ダイヤフラムを有する半導体基台と、当該半導体基台に接合される基台と、を備える半導体センサであって、前記ダイヤフラムの一側には、基準流体が存在して前記ダイヤフラムの変位を許容する空間が形成されており、前記ダイヤフラムの他側には、前記ダイヤフラムの変位を許容する密閉空間が形成されており、前記密閉空間には、基準流体よりも熱膨張率の高い流体が充填されていることを要旨とする。

本発明の第２の特徴は、前記基準流体が空気であることを要旨とする。

本発明の第３の特徴は、前記ダイヤフラムが前記密閉空間側に湾曲していることを要旨とする。

本発明の第４の特徴は、前記密閉空間内の圧力を前記基準流体が存在する空間の圧力よりも低くなるようにすることで、前記ダイヤフラムを前記密閉空間側に湾曲させるようにしたことを要旨とする。

本発明によれば、ダイヤフラムの変位を許容する密閉空間に、基準流体よりも熱膨張率の高い流体を充填している。そのため、半導体センサの周囲の温度が変化すると、密閉空間の体積が変化して密閉空間が膨張もしくは収縮することとなる。すなわち、半導体センサの周囲の温度が変化すると、密閉空間内の流体が膨張もしくは収縮し、この密閉空間内の流体の膨張もしくは収縮に伴ってダイヤフラムが変位することとなる。

そして、ダイヤフラムの変位から、半導体センサの周囲の温度変化、ひいては、半導体センサの周囲の温度を測定することが可能となる。

また、本発明のダイヤフラムは、当該ダイヤフラムに加えられる応力（圧力）の変化によっても変位するので、通常の半導体センサのように半導体センサ周囲の圧力を測定することも可能である。

このように、本発明によれば、より多くの物理量を測定することのできる半導体センサを得ることができる。

本発明の第１実施形態にかかる半導体センサを概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例にかかる半導体センサを概略的に示す断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体センサを概略的に示す断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例にかかる半導体センサを概略的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。

（第１実施形態）
本実施形態にかかる半導体センサ１は、例えば、車両のタイヤの空気圧（物理量）等を検出する静電容量式のセンサである。この半導体センサ１で検出された静電容量は、図示せぬ回路部（例えば、ＡＳＩＣなど）に送られて、当該空気圧（物理量）等を示すデータが出力されるようになっている。

半導体センサ１は、図１に示すように、シリコン基板上に半導体素子デバイス（本実施形態では、ダイヤフラム４：可動電極４ａ）を形成した半導体基板（半導体基台）２と、半導体基板２の上面に接合されたガラス製の絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）３と、を備えている。以下では、絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）３を絶縁性基板（またはＳｉ基板）３と表記する。

本実施形態では、半導体基板２として、Ｓｉからなるシリコン活性層とＳｉからなる支持基板との間にＳｉＯ_２からなる埋込絶縁層が介在する矩形状のＳＯＩ基板を用いている。

絶縁性基板（またはＳｉ基板）３は、略矩形状に形成されており、この絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の下面（半導体基板２と対向する面）には、ダイヤフラム４の設置領域に対応した固定電極６が設けられている。

半導体基板２は略矩形状に形成されており、この半導体基板２には、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の厚み方向（図１中上下方向：固定電極６と可動電極４ａとの間隔が変化する方向）に変位可能なダイヤフラム４が設けられている。さらに、本実施形態では、ダイヤフラム４が可動電極４ａを構成している。なお、ダイヤフラム４における固定電極６との対向面に可動電極を別途形成するようにしてもよい。

本実施形態では、ダイヤフラム４は薄板状に形成されており、図１における上下方向に変位（たわみ）可能となっている。そして、ダイヤフラム４は、裏面視（図１の下側からみた状態）で略円形をしている。

このダイヤフラム４は、例えば、以下のようにして形成される。

まず、半導体基板２の上面（絶縁性基板（またはＳｉ基板）３と接合する接合面）に、公知のエッチング加工を施すことで、第１の凹部２ａを形成する。本実施形態では、半導体基板２の上部をエッチングにより除去することで略四角錐台状の第１の凹部２ａを形成している。そして、半導体基板２の下面に、公知のエッチング加工を施すことで、第２の凹部２ｂを形成する。本実施形態では、半導体基板２の下部をエッチングにより除去することで略円角錐台状の第２の凹部２ｂを形成している。このように、半導体基板２の上下両面にエッチング加工を施すことで、半導体基板２の中央部に、薄板状のダイヤフラム４を形成している。なお、半導体基板２の上下両面のエッチング加工は、いずれを先に行ってもよいし、同時に行うようにしてもよい。

また、本実施形態では、図１に示すように、半導体基板２の上部の除去領域を半導体基板２の下部の除去領域よりも広くし、後述する絶縁層１０やＡｌ電極１２等を密閉空間５内のダイヤフラム４が形成されていない部位に設けられるようにしている。

さらに、本実施形態では、上述したように、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とが互いに接合されており、この半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３との接合によって第１の凹部２ａが密閉されるようにしている。すなわち、ダイヤフラム４の上方（他側）に密閉空間５が形成されるようにしている。この密閉空間５は、ダイヤフラム４の上方（他側）に形成され、ダイヤフラム４の上方（他側）への変位（たわみ）を許容する密閉空間に相当するものである。

また、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とを接合した際には、固定電極６が可動電極４ａ（ダイヤフラム４）に間隔をもって対向するようにしている。そして、この間隔を検知ギャップとして、間隔を介して相互に対向する固定電極６と可動電極４ａとの間の静電容量を検出するようになっている。

一方、半導体基板２の下部に形成された第２の凹部２ｂは、外部に開放されており、密閉されていない空間１４となっている。すなわち、この空間１４（第２の凹部２ｂ）内には空気（基準流体）が存在することとなる。このように、本実施形態では、第２の凹部２ｂが、ダイヤフラム４の下方（一側）に形成され、ダイヤフラム４の下方（一側）への変位（たわみ）を許容する空間１４に相当するものである。この空間１４内には、空気（基準流体）が存在している。

また、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上に、第１の導電性薄膜８を成膜し、ダイヤフラム４の電位を取得するための配線パターンとして用いている。また、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上に、第２の導電性薄膜９を成膜し、固定電極６の電位を取得するための配線パターンとして用いている。

本実施形態では、図１に示すように、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３における密閉空間５内のダイヤフラム４が形成されていない部位に対応する部位に、サンドブラスト加工等によって第１のスルーホール３ａおよび第２のスルーホール３ｂをそれぞれ形成している。そして、半導体基板２の上面の一部（絶縁層１０やＡｌ電極１２等が設けられる部位）を当該第１のスルーホール３ａおよび第２のスルーホール３ｂの奥にそれぞれ露出させている。なお、半導体基板２の上面には、絶縁層１０およびＡｌ電極１２が設けられている。そして、絶縁層１０の上部には導電層１１が積層されており、Ａｌ電極１２の上部には、導電層１３がＡｌ電極１２の表面を覆うように設けられている。

そして、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上から第１のスルーホール３ａの内周面上および絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上にかけて電気的に接続された一連の第１の導電性薄膜８を成膜する。こうして、第１の導電性薄膜８とダイヤフラム４とが導電層１３やＡｌ電極１２を介して電気的に接続されることとなり、第１の導電性薄膜８からダイヤフラム４の電位を検出できるようになる。なお、導電層１３を形成せず、露出したＡｌ電極１２と直接当接するように、第１の導電性薄膜８を成膜させることも可能である。

一方、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上から第２のスルーホール３ｂの内周面上および絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上にかけて電気的に接続された一連の第２の導電性薄膜９を成膜する。こうして、第２の導電性薄膜９と固定電極６とが導電層１１を介して電気的に接続されることとなり、第２の導電性薄膜９から固定電極６の電位を検出できるようになる。本実施形態では、固定電極６は引出線７に電気的に接続されており、この引出線７と導電層１１とが、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とを接合する際に、互いに踏みつぶされて接触するようにしている。そして、固定電極６と第２の導電性薄膜９とが電気的に接続されるようにしている。

また、第１の導電性薄膜８および第２の導電性薄膜９は、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３のほぼ中央部で分離されており、ダイヤフラム４と第２の導電性薄膜９とは、絶縁層１０によって電気的に絶縁されている。したがって、ダイヤフラム４と固定電極６とは互いに電気的に絶縁されることとなる。

なお、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３の表面３ｃ上は、樹脂層（図示せず）によって被覆（モールド成形）するのが好適である。

ここで、本実施形態では、密閉空間５に、基準流体よりも熱膨張率の高い流体を充填させるようにした。具体的には、空間１４内に存在する空気を基準流体とすることで、半導体センサ１を大気中で使用できるようにした。すなわち、半導体センサ１の大気中での使用が通常の使用状態となるようした。そのため、本実施形態では、密閉空間５内に空気よりも熱膨張率の高い流体（例えば、水素等の気体や水銀等の液体）を充填させるようにした。

このような半導体センサ１は、例えば、水素を密閉空間５内に充填させる場合、水素雰囲気にて半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とを接合することで、形成することができる。

この接合を大気圧（約１気圧）とほぼ同等の条件下で行えば、通常の使用時における密閉空間５内の圧力（内圧）を大気圧（約１気圧）とほぼ同じにすることができる。こうすれば、初期状態（所定温度（例えば、２５℃）における大気圧下）で、ダイヤフラム４が上下にたわまない状態となるようにすることができる。

そして、圧力が一定となる環境（本実施形態では、大気圧下）で、かかる構成の半導体センサ１を用いると、半導体センサ１の周囲の温度が変化した際に、密閉空間５の体積が変化して密閉空間５が膨張もしくは収縮することとなる。すなわち、半導体センサ１の周囲の温度が変化すると、密閉空間５内の流体（水素や水銀等）が膨張もしくは収縮し、この密閉空間５内の流体の膨張もしくは収縮に伴ってダイヤフラム４が変位することとなる。

そして、ダイヤフラム４が変位すると、固定電極６と可動電極４ａとの間の静電容量が変化する。そして、この固定電極６と可動電極４ａとの間の静電容量の変化から、半導体センサ１の周囲の温度変化、ひいては、半導体センサ１の周囲の温度を測定することが可能となる。

一方、周囲の環境温度が一定となる状態で、かかる構成の半導体センサ１を用いると、半導体センサ１の周囲の圧力が変化した際に、ダイヤフラム４に加わる応力（圧力）が変化してダイヤフラム４がたわむこととなる。この場合、固定電極６と可動電極４ａとの間の静電容量の変化から、半導体センサ１の周囲の圧力変化、ひいては、半導体センサ１の周囲の圧力を測定することが可能となる。

このように、本実施形態では、１つのダイヤフラム４に温度検知機能と圧力検知機能の２つの機能を持たせるようにしている。そして、半導体センサ１に１つのダイヤフラム４を形成するだけで、２つ（複数）の物理量（温度や圧力）を個々に測定することができるようにしている。すなわち、１つの半導体センサ１を、温度測定用と圧力測定用のいずれかを選択して用いることができるようにしている。

以上説明したように、本実施形態では、ダイヤフラム４の変位を許容する密閉空間５に、空気（基準流体）よりも熱膨張率の高い流体（水素や水銀等）を充填している。そのため、半導体センサ１の周囲の温度が変化すると、密閉空間５の体積が変化して密閉空間５が膨張もしくは収縮することとなる。すなわち、半導体センサ１の周囲の温度が変化すると、密閉空間５内の流体が膨張もしくは収縮し、この密閉空間５内の流体の膨張もしくは収縮に伴ってダイヤフラム４が変位することとなる。

そして、ダイヤフラム４の変位から、半導体センサ１の周囲の温度変化、ひいては、半導体センサ１の周囲の温度を測定することが可能となる。

また、本実施形態のダイヤフラム４は、当該ダイヤフラム４に加えられる応力（圧力）の変化によっても変位するので、通常の半導体センサのように半導体センサ１の周囲の圧力を測定することも可能である。

このように、本実施形態によれば、より多くの物理量（温度や圧力）を測定することのできる半導体センサ１を得ることができる。すなわち、複数の物理量からいずれか１つの物理量を選択し、当該選択した物理量の測定用として半導体センサ１を用いることができる。

また、本実施形態では、１つのダイヤフラム４に複数の物理量の検知機能を持たせるようにしている。そして、半導体センサ１に１つのダイヤフラム４を形成するだけで、複数の物理量（温度や圧力等）を個々に測定することができるようにしている。その結果、検知機能の異なる複数のダイヤフラムを半導体センサに形成する必要がなくなるため、構成の簡素化を図ることができる上、半導体センサが大型化してしまうのを抑制することができる。

次に本実施形態の変形例を説明する。

本変形例にかかる半導体センサ１Ａは、基本的に上記第１実施形態にかかる半導体センサ１と同様の構成をしている。

すなわち、半導体センサ１Ａは、図２に示すように、シリコン基板上に半導体素子デバイス（ダイヤフラム４：可動電極４ａ）を形成した半導体基板（半導体基台）２と、半導体基板２の上面に接合されたガラス製の絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）３と、を備えている。以下では、絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）３を絶縁性基板（またはＳｉ基板）３と表記する。

また、ダイヤフラム４の上方（他側）に密閉空間５が形成されるようにし、ダイヤフラム４の下方（一側）に、ダイヤフラム４の下方（一側）への変位（たわみ）を許容する空間１４が形成されるようにしている。この空間１４内にも、空気（基準流体）が存在している。

そして、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とを接合した際には、固定電極６が可動電極４ａ（ダイヤフラム４）に間隔をもって対向するようにしている。そして、この間隔を検知ギャップとして、間隔を介して相互に対向する固定電極６と可動電極４ａとの間の静電容量を検出するようにしている。

さらに、ダイヤフラム４の変位を許容する密閉空間５に、空気（基準流体）よりも熱膨張率の高い流体（水素や水銀等）を充填している。

ここで、本変形例にかかる半導体センサ１Ａが、上記第１実施形態にかかる半導体センサ１と主に異なる点は、ダイヤフラム４および固定電極６の電位を取り出す電位取出口の形成方法が異なっている点にある。

具体的には、上記第１実施形態では、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３に第１のスルーホール３ａおよび第２のスルーホール３ｂを形成している。そして、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３との接合後に、第１のスルーホール３ａから露出する導電層１３と当接するように、第１の導電性薄膜８を成膜することで、ダイヤフラム４の電位取出口を形成している。そして、第２のスルーホール３ｂから露出する導電層１１と当接するように、第２の導電性薄膜９を成膜することで、固定電極６の電位取出口を形成している。

これに対して、本変形例では、絶縁性基板（またはＳｉ基板）３に貫通孔配線８Ａおよび貫通孔配線９Ａをあらかじめ作成し、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とを接合した際には、ダイヤフラム４の電位取出口および固定電極６の電位取出口が形成されるようにしている。

以上の本変形例によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。

（第２実施形態）
本実施形態にかかる半導体センサ１Ｂは、基本的に上記第１実施形態にかかる半導体センサ１と同様の構成をしている。

すなわち、半導体センサ１Ｂは、図３に示すように、シリコン基板上に半導体素子デバイス（ダイヤフラム４Ｂ：可動電極４ａ）を形成した半導体基板（半導体基台）２と、半導体基板２の上面に接合されたガラス製の絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）３と、を備えている。以下では、絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）３を絶縁性基板（またはＳｉ基板）３と表記する。

また、ダイヤフラム４Ｂの上方（他側）に密閉空間５が形成されるようにし、ダイヤフラム４Ｂの下方（一側）に、ダイヤフラム４Ｂの下方（一側）への変位（たわみ）を許容する空間１４が形成されるようにしている。この空間１４内にも、空気（基準流体）が存在している。

そして、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３とを接合した際には、固定電極６が可動電極４ａ（ダイヤフラム４Ｂ）に間隔をもって対向するようにしている。そして、この間隔を検知ギャップとして、間隔を介して相互に対向する固定電極６と可動電極４ａとの間の静電容量を検出するようにしている。

さらに、ダイヤフラム４Ｂの変位を許容する密閉空間５に、空気（基準流体）よりも熱膨張率の高い流体（水素や水銀等）を充填している。

ここで、本実施形態にかかる半導体センサ１Ｂが、上記第１実施形態にかかる半導体センサ１と主に異なる点は、ダイヤフラム４Ｂを密閉空間５側にたわませた点にある。

すなわち、初期状態（所定温度（例えば、２５℃）における大気圧下）で、ダイヤフラム４Ｂが密閉空間５側に凸となるように湾曲するようにしている。

具体的には、例えば水素（空気よりも熱膨張率が高い流体）雰囲気のもとで接合を行う際に、圧力条件を大気圧（１気圧）以下の状態とすれば、通常の使用時における密閉空間５内の圧力（内圧）を大気圧（約１気圧）以下となるようにすることができる。かかる状態で形成された半導体センサ１Ｂは、初期状態（所定温度（例えば、２５℃）における大気圧下）では、密閉空間５内の圧力（内圧）と大気圧との圧力差によって、ダイヤフラム４Ｂが大気（空気：基準流体）によって密閉空間５側に押圧される。その結果、ダイヤフラム４Ｂが密閉空間５側にたわみ、図３に示すように、密閉空間５側に凸となるように湾曲することとなる。このように、気圧が低い条件下で接合を行うことで、半導体センサ１Ｂを大気開放したときに、ダイヤフラム４Ｂを密閉空間５側に凸となるように湾曲させることができる。

なお、半導体基板２を単にエッチングすることによりダイヤフラム４Ｂを密閉空間５側に凸となるように湾曲させることも可能である。また、半導体基板２と絶縁性基板（またはＳｉ基板）３との接合時にダイヤフラムにかかる応力を利用して密閉空間５側に凸となるように湾曲させることも可能である。また、半導体基板２をエッチングしてダイヤフラムを形成する際に、ＳｉＯ_２からなる埋込絶縁層を有するようにダイヤフラムを形成し、当該埋込絶縁層による応力を利用することで、ダイヤフラムをたわませることも可能である。

以上の本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。

また、本実施形態によれば、ダイヤフラム４Ｂを密閉空間５側に湾曲させている。すなわち、初期状態で、ダイヤフラム４Ｂが密閉空間５側に凸となるように湾曲するようにしている。

このとき、密閉空間５内の圧力を空気（基準流体）が存在する空間１４の圧力（大気圧）よりも低くなるようにすることで、ダイヤフラム４Ｂを密閉空間５側に湾曲させるようにしている。

このように、ダイヤフラム４Ｂを密閉空間５側に湾曲させることで、上記第１実施形態のようにダイヤフラム４が初期状態でまっすぐ（水平）である場合に比べて、ダイヤフラム４Ｂの下方への移動範囲をより広げることができるようになる。

ところで、半導体センサ１Ｂを温度センサとして用いた場合、周囲の環境温度が上がると密閉空間５内の水素等のほうが周囲の空気よりも熱膨張率が高いため、密閉空間５が膨張する。このとき、ダイヤフラム４Ｂは下方に変位することになる（下に凸となるように湾曲する）が、上記第１実施形態の構成では下方への移動範囲が狭いため、温度上昇に対するダイヤフラム４の応答があまりよくなかった。すなわち、上記第１実施形態の構成では周囲の環境が高温となった際の感度があまりよくなかった。

これに対して、本実施形態によれば、上記第１実施形態の構成よりも下方への移動範囲を広げることができるため、温度上昇に対するダイヤフラム４Ｂの応答がよりよくなり、周囲の環境が高温となった際の感度を向上させることが可能となる。その結果、検出温度範囲を広げることができるようになる。

なお、上記第１実施形態の変形例で示したような貫通配線型の半導体センサに本実施形態を適用することも可能である。

すなわち、図４に示すように、貫通配線型の半導体センサ１Ｃのダイヤフラム４Ｃを密閉空間５側に湾曲させるようにしてもよい。

かかる変形例によっても、上記第２実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。

例えば、上記各実施形態では、ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量の変化を利用して物理量を検知するものを例示したが、ダイヤフラム上にピエゾ抵抗素子を形成し、ホイートストンブリッジ回路を利用して物理量を検知するようにしてもよい。

また、上記各実施形態では、半導体基台に凹部を形成し、当該凹部を覆うように基台を接合することで密閉空間を形成したものを例示したが、凹部は半導体基台および基台のいずれに形成してもよい。また、半導体基台および基台の両方に凹部を形成するようにしてもよい。

また、上記各実施形態では、半導体基台と基台とを直接接合することで、密閉空間を形成したものを例示したが、半導体基台と基台との間に他の部材（例えば、枠状の積層板）を介在させるようにしてもよい。

また、上記各実施形態では、基準流体を空気としたものを例示したが、この基準流体は、半導体センサの使用条件に応じて適宜設定することができる。

また、基台や半導体基台、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 半導体センサ
２ 半導体基板（半導体基台）
３ ガラス製の絶縁性基板または、表面を例えばＳｉＯ_２等で絶縁化したＳｉ基板（基台）
４ ダイヤフラム
５ 密閉空間
１４ 空間

Claims (4)

1. ダイヤフラムを有する半導体基台と、当該半導体基台に接合される基台と、を備える半導体センサであって、
   前記ダイヤフラムの一側には、基準流体が存在して前記ダイヤフラムの変位を許容する空間が形成されており、
   前記ダイヤフラムの他側には、前記ダイヤフラムの変位を許容する密閉空間が形成されており、
   前記密閉空間には、基準流体よりも熱膨張率の高い流体が充填されていることを特徴とする半導体センサ。
2. 前記基準流体が空気であることを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ。
3. 前記ダイヤフラムが前記密閉空間側に湾曲していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体センサ。
4. 前記密閉空間内の圧力を前記基準流体が存在する空間の圧力よりも低くなるようにすることで、前記ダイヤフラムを前記密閉空間側に湾曲させるようにしたことを特徴とする請求項３に記載の半導体センサ。

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