FI71015B - Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare - Google Patents
Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare Download PDFInfo
- Publication number
- FI71015B FI71015B FI840701A FI840701A FI71015B FI 71015 B FI71015 B FI 71015B FI 840701 A FI840701 A FI 840701A FI 840701 A FI840701 A FI 840701A FI 71015 B FI71015 B FI 71015B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- silicon
- plate
- glass
- layer
- thermal expansion
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
71015 Lämpötilasta riippumaton kapasitiivinen paineanturi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen kapasitiivinen paineanturi.
Tekniikan tason osalta viitattakoon seuraaviin julkaisuihin: [1] US-patenttijulkaisu 4,386,453 (Giachino et ai.).
[2] «. *4,257,274 (Shimada et ai.) [3] » 4,332,000 (Petersen) C4] .. 4,390,925 (Freud) [5] n 3,397,278 (Pomerantz) [6] K.E. Bean: Anisotropic Etching of Silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. ED-25 (1978)
No. 10, pp. 1185-93.
On tunnettua, että miniatyrisoituja kapasitiivisia painean-tureita voi valmistaa piistä ja lasista (viitteet [1]...[4]). Piitä voi työstää kemiallisella syövytyksellä (viite [6]), kuvioida mikrolitografiän keinoin, ja pii- ja lasiosat voi liittää toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite (53).
Antureissa sopii käytettäväksi esim. Corning Glass, tyyppi 7740, "Pyrex"- tai Schott'in *'Tempax"-lasi. Ne sisältävät alkalimetalli-ioneja, mikä on edullista sähköstaattisen liitoksen synnylle. Näiden lasien lämpölaajeneminen on myös samaa suuruusluokkaa piin kanssa. Huoneen lämpötilassa piin laajenemiskerroin on 2,5 ppm/°C ja mainittujen lasien n. 3,2 ppm/°C. Korkeammissa lämpötiloissa pii laajenee epälineaari-sesti ja ohittaa lasin vastaavan kertoimen.
Lämpölaajenemiskertoimien ero, n. 0,7 ppm/°C, on tärkein piilasi-rakenteisten kapasitiivisten paineantureiden lämpötilariippuvuuteen vaikuttava tekijä.
Kuviossa 1 on esitetty kaavamaisesti kapasitiivisen paineanturin lämpötilariippuvuuden synty. Lasilevyyn 1 on liitetty 2 71015 sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]) piikappale 2, jossa on ohut, paineen vaikutuksesta taipuva osa 3. Osan 3 yli vaikuttava paine-ero taivuttaa kyseistä osaa 3 ja muuttaa sen ja lasilevyllä 1 olevan kiinteän kondensaattorilevyn 4 etäisyyttä sekä niiden välistä kapasitanssia.
Jos piin ja lasin lämpölaajenemiskertoimet ovat erisuuret, syntyy lämpötilan kohotessa paineherkkään osaan 3 vaakasuora voima F. Jos lasi laajenee enemmän kuin pii, pyrkii voima F pienentämään paineen P osaan 3 aiheuttamaa taipumaa. Jos taipuman paineherkkyys ilman voimaa F on S^, on se voiman F vaikuttaessa S© s = --- , (1) 1+K (a/h) ^ j missä a on kalvon 3 sivu (jos se on neliömäinen) tai halkaisija (jos se on pyöreä), kerroin K on 0,27 neliömäiselle ja 0,2 pyöreälle kalvolle ja e§i on voiman F piikalvoon 3 aiheuttama muodonmuutos (venymä).
Jos lasiosa 1 on paljon paksumpi kuin piiosa 2, on likimain voimassa ε Si = AaAt , (2) missä Δα on piin ja lasin lämpölaajeneraiskertoimien ero ja At on lämpötilan muutos.
S0 ja esi ovat lämpötilasta riippuvia. S0:n lämpötilariippuvuus johtuu piin kimmokertodmien lämpötilariippuvuudesta. Herkkyyden S lämpötilakerroin on 1 3S K(a/h)2Aa 1 as0 - — ---;- + - - (3)
S 9T 1+K(a/h)2cSi 3o aT
piillä (100)-tasossa (1(S0)( S0/aT) £* 70 ppm/°C. Jos valitaan a/h = 20, saadaan (1/S)(3S/3T) ^ o, eli ilmiöt kumoavat 3 71015 toisensa. Kuitenkin suhde a/h = 20 sopii vain melko suuria paineita (n. 50 bar) mittaaviin antureihin.
Jos mitattava paine on alle 1 bar, on sopiva suhde a/h ^ 80. Se johtaa lämpötilakertoimeen £, 1000 ppm/°C.
Lämpölaajenemiskertoimien eroa Δα olisi siis saatava pienennetyksi, jotta myös alhaiselle painealueelle tarkoitetut anturit olisivat stabiileja lämpötilan suhteen. Sopivaa lasi-laatua, jonka lämpölaajenemiskerroin olisi lähempänä piin kerrointa, ei kuitenkaan ole kaupallisesti saatavana. Tuki-levyn 1 lämpölaajenemisen voi kuitenkin saada halutun suuruiseksi kuvan 2 rakenteella.
Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä mainittu haitta ja saada paineanturin tukilevyn lämpölaajeneminen halutun suuruiseksi.
Keksintö perustuu seuraaviin ajatuksiin: - Rapasitiivisen paineanturin herkkyyden lämpötilakerroin voidaan minimoida, kun säädetään eristävän tukilevyn ja piitä olevan paineherkän kalvon lämpölaajenemisero sellaiseksi, että se kumoaa piin kimmo-ominaisuuksien lämpötilariippuvuuden.
- Eristävä tukilevy koostuu yhteen liitetyistä lasi- ja piilevyistä.
- Kerrosrakenteisen tukilevyn lämpölaajenemiskerroin saadaan halutun suuruiseksi valitsemalla pii- ja lasiker-rosten paksuudet sopivasti.
- Pii ja lasi on kerrosrakenteessa liitetty toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]).
- Lasikerroksen paksuus on 50 pm...1 mm.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle paineanturille tunnusomaista on se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
4 71015
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja. Niinpä keksinnön avulla voidaan kapasitiivisen paineanturin eristävän tukilevyn lämpötilakerrointa säädellä halutulla tavalla.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan kuvioiden 2-4 mukaisten suoritusesimerkkien avulla.
Kuvio 2 esittää sivuleikkauskuvantona yhtä keksinnön mukaista anturia.
Kuvio 3 esittää sivuleikkauskuvantona toista keksinnön mukaista anturia.
Kuvio 4 esittää kuvion 3 tasoa A-A myöten tehtyä leikkausta.
Kuviossa 2 on kuvion 1 mukainen paksu lasiosa 1 korvattu yhteen liitetyillä ohuella lasilla 5 ja paksummalla piilevyllä 6. Osat 5 ja 6 voi parhaiten liittää toisiinsa viiteen [5] mukaisella sähköstaattisella menetelmällä.
Kun piilevy 6 on paksu verrattuna lasilevyyn 5, voi taipuman jättää huomiotta ja laskea kerrosrakenteen lämpölaajenemis-kertoimen ou + rana.
a = —-3— . (Ί) 1 - mn missä a2 on piin ja α-j lasin lämpölaajenemiskerroin, m on lasin ja piin paksuuksien suhde ja n on lasin ja piin kimmo-kertoimien suhde.
Piin ja kerrosrakenteen (5, 6) lämpötilakertoimien ero on
mn(a1 - aO
Δα = -±i- (5) 1 + mn
Lasilla ja piillä on n = 0,36. Jos valitaan m = 0,5, saadaan Δα & 0,15 (α-|-α2)· On siis mahdollista pienentää oleellisesti piin ja lasin lämpölaajenemiskertoimien epäsovitusta.
5 71015
Valitsemalla lasi- ja piilevyjen paksuuksien suhde m sopivasti, voidaan saavuttaa tilanne, jossa lämpölaajenemiseron ja kimmokertoimlen lämpötilariippuvuudet kumoavat toisensa.
Keksintöä voi soveltaa myös esim. kuvioiden 3 ja 4 mukaisessa absoluuttisessa paineanturirakenteessa. Piikappaleeseen 13 on työstetty onkalo 14 tyhjökapselia varten ja syvennys 8 paineherkän kondensaattorin levyjen välistä rakoa varten. Tyhjökapseli on suljettu levyllä 15, joka koostuu ohuesta lasikerroksesta 17 ja paksummasta piilevystä 18. Levyt 17 ja 18 on ensin liitetty toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]). Kerrosrakenne 15 on sen jälkeen liitetty tyhjössä piikappaleeseen 13 samalla menetelmällä.
Piikappaleessa kohdalle 13 jää tyhjökapselin 14 ja konden-saattorilevyjen välisen raon 8 kohdalle ohut piikalvo 16. Piikalvo 16 taipuu tyhjökapseliin 14 päin ulkoisen paineen vaikutuksesta. Piikappale 13 on liitetty tukikappaleeseen 19· Tukikappaleen 19 pinta on eristävää ainetta ja siihen on päällystetty ohut metallikalvo, johon on kuvioitu kiinteä kondensaattorilevy 7, johdin 12 ja liitosalueet 10 ja 11. Paineherkkä kondensaattori muodostuu taipuvan piikalvon 16 ja metalliointikuvion 7 väliin. Anturin kapasitanssin voi mitata liitosalueiden 10 ja 11 väliltä. Liitosalue 11 tekee sähköisen kontaktin piikappaleen 13 kanssa, ja liitosalue 10 on johtavassa yhteydessä metallikuvion 7 kanssa johtimen 12 välityksellä, joka kulkee pitkin tunnelia 9. Mittava paine pääsee vaikuttamaan piikalvoon 16 myös tunnelin 9 välityksellä. Tukikappale 19 koostuu ohuesta lasikerroksesta 20 ja piilevystä 21, jotka on liitetty toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]). Piikappale 13 on liitetty tukilevyyn 19 samalla menetelmällä.
Kuvatun paineanturirakenteen lämpötilarakenteen lämpötila-riippuvuus on oleellisesti pienempi kuin sellaisen, jossa tyhjökapselin 14 sulkeva levy 15 Ja tukilevy 19 olisivat kokonaan lasia. Koska paineanturirakenne on symmetrinen, kumoutuvat levyjen 15 ja 19 kerrosrakenteesta johtuvat lämpötilasta riippuvat vääntömomentit.
6 71015
Keksinnön puitteissa voidaan ajatella myös edellä kuvatuista suoritusesimerkeistä poikkeavia ratkaisuja. Niinpä tukilevy-nä voi myös käyttää piilevyä, johon on kasvatettu eristekal-vo. Kuitenkin kalvon on oltava paksu hajakapasitanssien välttämiseksi, ja paksun kalvon kasvatus on hidasta ja kallista. Hiotun lasilevyn liittäminen sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]) on nopea ja halpa työvaihe.
Claims (2)
1. Kapasitiivinen paineanturi, joka käsittää - tukilevyn (5, 6; 19), joka koostuu piikerroksesta (6; 21) ja tämän päällä olevasta lasi kerroksesta (5; 20), - tukilevyn (5, 6; 19) päälle sovitetun kiinteän kondensaattorilevyn (4; 7) ja - tukilevyn (5, 6; 19) päälle kiinteää kondensaattorilevyä (4; 7) ympäröivästi sovitetun piilevyn (2; 13), jonka keskiosa on ohennettu liikkuvana kondensaattorilevynä toimivaksi kalvo-maiseksi rakenteeksi (3; 16), t u n n e t t u siitä, että - lasikerros (5; 20) on piikerrosta (6; 21) siten olennaisesti ohuempi, että näin saadun yhdis-telmälevyn (5, 6; 20, 21) ja piikalvon (3; 16) läm-pölaajenemisero olennaisesti supistuu lasikerroksen (5; 20) ja piikerroksen (6; 21) paksuuksien suhteen pienenemisen vaikuttaessa yhdistelmälevyn (5, 6; 20, 21) lämpölaajenemiskerrointa pienentävästi, ja - lasikerros (5; 20) on levymäisenä yhdistetty pii-kerrokseen (6; 21) sähköstaattisella menetelmällä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturi, jossa absoluuttisena paineanturina toimivana on piilevyn (13) päälle sovitettu tyhjökapselin (14) peittävä kansilevy (15), tunnettu siitä, että myös tämä kansilevy koostuu piikerroksesta (18) ja tähän kiinnitetystä, piilevyä (13) vasten olevasta lasikerroksesta (17), joka on piikerrosta (18) olennaisesti ohuempi (kuviot 3 ja 4).
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI840701A FI71015C (fi) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare |
BR8500735A BR8500735A (pt) | 1984-02-21 | 1985-02-15 | Detector de pressao capacitivo |
US06/701,864 US4589054A (en) | 1984-02-21 | 1985-02-15 | Capacitive pressure detector independent of temperature |
GB08504079A GB2156078B (en) | 1984-02-21 | 1985-02-18 | Electrical pressure sensor |
NL8500466A NL8500466A (nl) | 1984-02-21 | 1985-02-19 | Capacitieve drukdetector. |
FR8502409A FR2559900B1 (fr) | 1984-02-21 | 1985-02-20 | Detecteur de pression capacitif insensible aux variations de temperature |
IT12438/85A IT1186833B (it) | 1984-02-21 | 1985-02-20 | Rivelatore capacitivo di pressione indipendente dalla temperatura |
DE3505925A DE3505925C2 (de) | 1984-02-21 | 1985-02-21 | Kapazitiver Druckmesser |
JP60033645A JPS60202323A (ja) | 1984-02-21 | 1985-02-21 | 圧力用デイテクタ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI840701A FI71015C (fi) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare |
FI840701 | 1984-02-21 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI840701A0 FI840701A0 (fi) | 1984-02-21 |
FI840701A FI840701A (fi) | 1985-08-22 |
FI71015B true FI71015B (fi) | 1986-07-18 |
FI71015C FI71015C (fi) | 1986-10-27 |
Family
ID=8518585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI840701A FI71015C (fi) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4589054A (fi) |
JP (1) | JPS60202323A (fi) |
BR (1) | BR8500735A (fi) |
DE (1) | DE3505925C2 (fi) |
FI (1) | FI71015C (fi) |
FR (1) | FR2559900B1 (fi) |
GB (1) | GB2156078B (fi) |
IT (1) | IT1186833B (fi) |
NL (1) | NL8500466A (fi) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
JPS63149531A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
FI872049A (fi) * | 1987-05-08 | 1988-11-09 | Vaisala Oy | Kondensatorkonstruktion foer anvaendning vid tryckgivare. |
FI84401C (fi) * | 1987-05-08 | 1991-11-25 | Vaisala Oy | Kapacitiv tryckgivarkonstruktion. |
GB8718637D0 (en) * | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Spectrol Reliance Ltd | Sealing electrical feedthrough |
US4960177A (en) * | 1988-06-03 | 1990-10-02 | University Of Hawaii | Silicon membrane micro-scale |
JPH04268725A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Canon Inc | 力学量検出センサおよびその製造方法 |
GB2258050B (en) * | 1991-07-26 | 1994-11-30 | Fuji Electric Co Ltd | Electrostatic capacity type differential pressure detector |
DE4234237C2 (de) * | 1992-10-10 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Temperaturkompensierter Mikroaktor |
WO1994017383A1 (de) * | 1993-01-19 | 1994-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Drucksensor |
US5369544A (en) * | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
FI93059C (fi) * | 1993-07-07 | 1995-02-10 | Vaisala Oy | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
FI93579C (fi) * | 1993-08-20 | 1995-04-25 | Vaisala Oy | Sähköstaattisen voiman avulla takaisinkytketty kapasitiivinen anturi ja menetelmä sen aktiivisen elementin muodon ohjaamiseksi |
NO179651C (no) * | 1994-03-07 | 1996-11-20 | Sinvent As | Trykkmåler |
US5479827A (en) * | 1994-10-07 | 1996-01-02 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment |
US6662663B2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-12-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pressure sensor with two membranes forming a capacitor |
JP4683618B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2011-05-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 隔膜型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2009250874A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Nagano Keiki Co Ltd | 物理量センサおよびその製造方法 |
TWI550261B (zh) * | 2014-03-17 | 2016-09-21 | 立錡科技股份有限公司 | 微機電壓力計以及其製作方法 |
CN104931188A (zh) * | 2014-03-20 | 2015-09-23 | 立锜科技股份有限公司 | 微机电压力计以及其制作方法 |
US20170328800A1 (en) * | 2014-07-11 | 2017-11-16 | Richtek Technology Corporation | Combo micro-electro-mechanical system device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4203128A (en) * | 1976-11-08 | 1980-05-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Electrostatically deformable thin silicon membranes |
US4158217A (en) * | 1976-12-02 | 1979-06-12 | Kaylico Corporation | Capacitive pressure transducer with improved electrode |
JPS55732A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-07 | Tokyo Tokushu Densen Toryo Kk | Preparation of polyimide/polyhydantoin resin coating composition |
JPS5516228A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
US4386453A (en) * | 1979-09-04 | 1983-06-07 | Ford Motor Company | Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers |
JPS5698630A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Capacitive sensor |
US4390925A (en) * | 1981-08-26 | 1983-06-28 | Leeds & Northrup Company | Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer |
JPS5854676A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体圧力変換器 |
US4415948A (en) * | 1981-10-13 | 1983-11-15 | United Technologies Corporation | Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer |
US4467394A (en) * | 1983-08-29 | 1984-08-21 | United Technologies Corporation | Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer |
-
1984
- 1984-02-21 FI FI840701A patent/FI71015C/fi not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-02-15 US US06/701,864 patent/US4589054A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-15 BR BR8500735A patent/BR8500735A/pt unknown
- 1985-02-18 GB GB08504079A patent/GB2156078B/en not_active Expired
- 1985-02-19 NL NL8500466A patent/NL8500466A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-02-20 IT IT12438/85A patent/IT1186833B/it active
- 1985-02-20 FR FR8502409A patent/FR2559900B1/fr not_active Expired
- 1985-02-21 JP JP60033645A patent/JPS60202323A/ja active Granted
- 1985-02-21 DE DE3505925A patent/DE3505925C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2559900B1 (fr) | 1987-02-27 |
FR2559900A1 (fr) | 1985-08-23 |
GB2156078A (en) | 1985-10-02 |
JPH0583854B2 (fi) | 1993-11-29 |
IT1186833B (it) | 1987-12-16 |
US4589054A (en) | 1986-05-13 |
FI840701A (fi) | 1985-08-22 |
DE3505925C2 (de) | 1996-01-11 |
JPS60202323A (ja) | 1985-10-12 |
NL8500466A (nl) | 1985-09-16 |
IT8512438A0 (it) | 1985-02-20 |
FI840701A0 (fi) | 1984-02-21 |
GB2156078B (en) | 1987-05-13 |
GB8504079D0 (en) | 1985-03-20 |
BR8500735A (pt) | 1985-10-08 |
DE3505925A1 (de) | 1985-08-22 |
FI71015C (fi) | 1986-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI71015B (fi) | Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare | |
FI74350C (fi) | Kapacitiv absoluttryckgivare. | |
KR100486322B1 (ko) | 반도체압력센서 | |
AU686916B2 (en) | Capacitive absolute pressure sensor and method | |
FI75426C (fi) | Absoluttryckgivare. | |
EP1093571B1 (en) | Method of fabricating silicon capacitive sensor | |
US4831492A (en) | Capacitor construction for use in pressure transducers | |
JP2517467B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
US5186054A (en) | Capacitive pressure sensor | |
JP3114570B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
US6973835B2 (en) | Pressure sensor | |
KR100507942B1 (ko) | 반도체용 압력 센서 | |
US20040168519A1 (en) | Miniaturized pressure sensor | |
CN110174198B (zh) | 具有机械解耦的温度传感器的应变仪 | |
JPH0726886B2 (ja) | 集積容量性圧力センサ及びその製造方法 | |
EP0672898B1 (en) | Semiconductor pressure sensor with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements and fabrication method therefor | |
JPH06129933A (ja) | 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法 | |
EP0136249A2 (en) | Three plate, silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer | |
US4862317A (en) | Capacitive pressure transducer | |
JPH0324793B2 (fi) | ||
US5744725A (en) | Capacitive pressure sensor and method of fabricating same | |
JP3172953B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
FI114825B (fi) | Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne | |
JP2000004028A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法 | |
CN218646479U (zh) | 压力传感器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MA | Patent expired |
Owner name: VAISALA OY |