ES2331606T3 - Procedimiento para la produccion a gran escala de celulas solares de pelicula delgada de cdte/cds. - Google Patents

Procedimiento para la produccion a gran escala de celulas solares de pelicula delgada de cdte/cds. Download PDF

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Abstract

Procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS, depositando dichas películas secuencialmente sobre un sustrato transparente, que comprende las etapas siguientes: - depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre dicho sustrato, - depositar una película de CdS sobre dicha película de TCO, - depositar una película de CdTe sobre dicha película de CdS, - tratar dicha película de CdTe con CdCl 2, - depositar una película de contacto al dorso sobre dicha película de CdTe tratada, caracterizando dicho procedimiento por que el tratamiento de la película de CdTe con CdCl2 comprende las etapas siguientes: - formar una capa de CdCl2 sobre la película de CdTe mediante evaporación, manteniendo simultáneamente el sustrato a temperatura ambiente, - recocido de dicha capa de CdCl2 en una cámara de vacío a una temperatura de entre 380ºC y 420ºC y presión de entre 300 mbar y 1.000 mbar bajo una atmósfera de gas inerte, - eliminar el gas inerte de dicha cámara para producir un vacío, manteniendo el sustrato a una temperatura de entre 350ºC y 420ºC, de manera que se evapore cualquier residuo de CdCl2 de la superficie de la película de CdTe.

Description

Procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS.
Campo de la invención
La presente invención se refiere al campo de la tecnología de las células solares y más particularmente se refiere a un procedimiento para la producción a gran escala de células solares de CdTe/CdS de película delgada.
Antecedentes de la invención
Tal como es conocido, una configuración típica de una célula solar de CdTe/CdS presenta una secuencia de películas en la organización multicapa que comprende un sustrato de vidrio transparente con una película de óxido conductor transparente (TCO), una película de CdS que representa el conductor n, una película de CdTe que representa el conductor p, y una célula metálica de contacto al dorso. Una célula solar con una organización y estructura de capas de este tipo se da a conocer, por ejemplo, en la patente US nº 5.304.499.
Puede utilizarse vidrio flotado comercial como sustrato transparente aunque, a pesar del bajo coste de dicho vidrio, con frecuencia resultan preferentes vidrios especiales para evitar las desventajas del vidrio flotado, en particular la difusión de Na hacia el interior de la película de TCO.
El TCO más común es In_{2}O_{3}, que contiene 10% de Sn (ITO). Este material presenta una resistividad muy baja, del orden de 3x10^{-4} \Omegacm, y una transparencia elevada (>85%) en el espectro visible. Sin embargo, este material se fabrica mediante pulverización catódica y el blanco de ITO tras varias operaciones forma filamentos que contienen un exceso de In y pueden producirse descargas entre filamentos durante la pulverización catódica, dañando la película. Otro material que se utiliza comúnmente es SnO_{2} dopado con flúor, que, sin embargo, muestra una resistividad más alta, próxima a 10^{-3} \Omegacm, en consecuencia, se requiere una capa de 1 \mum de grosor para que la resistencia de la lámina sea de aproximadamente 10 \Omega/_{cuadrado}. Un grosor elevado de TCO reduce la transparencia y, por lo tanto, la fotocorriente de la célula solar. Finalmente, un nuevo material, Cd_{2}SnO_{4}, ha sido desarrollado por el grupo del NREL (X. Wu et al., Thin Solid Films 286:274-276, 1996). Además, este material presenta algunas desventajas, debido a que el blanco está constituido de una mezcla de CdO y SnO_{2} y, al ser CdO altamente higroscópico, el resultado puede ser que la estabilidad del blanco resulte insatisfactoria.
La película de CdS se deposita mediante pulverización catódica o sublimación en espacio cerrado (CSS) a partir de material granulado de CdS. Esta última técnica permite la preparación de películas delgadas a una temperatura de sustrato mucho más alta que la utilización en la simple evaporación en vacío o en la pulverización catódica, debido a que el sustrato y la fuente de evaporación se sitúan muy próximos entre sí, a una distancia de 2 a 6 mm, y la deposición se realiza en presencia de un gas inerte, tal como Ar, He o N_{2} a una presión de entre 10^{-1} y 100 mbar. Una temperatura de sustrato más alta permite el crecimiento de un material de mejor calidad cristalina. Una característica importante de la sublimación en espacio cerrado es una tasa de crecimiento muy alta, de hasta 10 \mum/minuto, que resulta adecuada para la producción a gran escala.
La película de CdTe se deposita sobre la película de CdS mediante sublimación en espacio cerrado (CSS) a una temperatura de sustrato de entre 480ºC y 520ºC. El granulado de CdTe generalmente se utiliza como fuente de CdTe que se vaporiza desde un crisol abierto.
Una etapa importante de la preparación de células solares de CdTe/CdS de elevada eficiencia es el tratamiento de la película de CdTe con CdCl_{2}. La mayoría de grupos de investigación utilizan, para llevar a cabo esta etapa, la deposición sobre CdTe de una capa de CdCl_{2} mediante simple evaporación o sumergiendo el CdTe en una solución de metanol que contiene CdCl_{2} y después recocido del material en aire a 400ºC durante 15 a 20 minutos. Se cree generalmente que el tratamiento del CdCl_{2} mejora la calidad cristalina del CdTe al incrementar el tamaño de los granos pequeños y eliminar varios defectos del material.
Tras el tratamiento del CdCl_{2}, se mordenta el CdTe en una solución de Br-metanol o en una mezcla de ácido nítrico y ácido fosfórico. El mordentado resulta necesario, debido a que generalmente se forma CdO o CdTeO_{3} sobre la superficie del CdTe. Debe eliminarse el CdO y/o el CdTeO_{3} con el fin de conseguir un buen contacto al dorso sobre el CdTe. Además, se cree que, debido a que el mordentado produce una superficie rica en Te, se facilita la formación de un contacto óhmico al depositar un metal sobre el CdTe.
El contacto al dorso eléctrico sobre la película de CdTe generalmente se obtiene mediante deposición de una película de un metal altamente p-dopante para el CdTe, tal como cobre, por ejemplo en los contactos de grafito, que, tras el recocido, pueden difundirse hacia el interior de la película de CdTe. La utilización de una película de Sb_{2}Te_{3} como contacto al dorso en una célula solar de CdTe/CdS ha sido dada a conocer por los mismos solicitantes (N. Romeo et al., Solar Energy Materials & Solar Cells 58:209-218, 1999).
El interés industrial hacia las células solares de película delgada se ha incrementado en los últimos años, también en vista de la elevada eficiencia de conversión alcanzada hasta hoy. Recientemente se ha informado de una eficiencia de conversión récord de 16,5% (ver X. Wu et al., 17th European Photovoltaic Solar Energy Conversion Conference, Munich, Alemania, 22-26 de Octubre de 2001, II, páginas 995 a 1.000). Por lo tanto, se han realizado varios esfuerzos para proporcionar procedimientos adecuados para la producción en línea a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS.
Puede encontrarse un informe del estado de la técnica referente a dicha cuestión en D. Bonnet, Thin Solid Films 361-362:547-552, 2000. Sin embargo, varios problemas todavía dificultan la consecución de dicho resultado, en particular referentes a algunas etapas cruciales que afectan a la estabilidad y eficiencia de las células solares de película delgada de CdTe/CdS o a los costes de las mismas.
Un problema importante de los procedimientos conocidos es la etapa de mordentado a la que debe someterse la superficie de CdTe para eliminar los óxidos CdO o CdTeO_{3} formados sobre la misma. Debido a que el mordentado requiere la inmersión de sustratos que portan las películas de CdTe/CdS tratadas en soluciones ácidas, el enjuague y el secado, en la actualidad no existe maquinaria adecuada para la operación continua. Otro problema significativo que afecta negativamente a la estabilidad de las películas de TCO, así como al coste del producto final son las desventajas presentes actualmente al utilizar los TCOs conocidos, tal como se ha indicado anteriormente. Además de dichas desventajas, los TCOs conocidos requieren la utilización de vidrios especiales, tales como vidrio borosilicato, para evitar el problema de la difusión del Na, que se produce si se utiliza un vidrio de cal sodada, que dañaría la película.
Un problema adicional se refiere a la fuente a partir de la que se producen la película de CdS y la película de CdTe mediante sublimación en espacio cerrado. En el caso de que se utilicen como fuente de sublimación trozos pequeños de dichos materiales que contengan polvo, debido a un contacto térmico diferente algunas micropartículas pueden sobrecalentarse y después partirse sobre el sustrato conjuntamente con el vapor. Con el fin de evitar este inconveniente, en algunos casos se utilizan máscaras metálicas complejas, con las que la operación continua resulta problemática.
Objetivo y Descripción resumida de la invención
Es el objetivo principal de la presente invención proporcionar un procedimiento adecuado para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS estables y eficientes sobre un sustrato de bajo coste.
Un objetivo particular de la presente invención es proporcionar un procedimiento del tipo anteriormente indicado en el que el tratamiento de la película de CdTe con CdCl2 se lleva a cabo de manera que no requiera un tratamiento de mordentado para eliminar los óxidos posiblemente formados sobre la película de CdTe.
Un objetivo adicional de la presente invención es proporcionar un procedimiento del tipo anteriormente indicado, en el que la deposición de la película de TCO se lleva a cabo de manera que pueda depositarse una película de resistividad muy reducida sin formarse ningún filamento metálico sobre el blanco y permitiendo la utilización de un sustrato económico.
Todavía otro objetivo de la invención es proporcionar un procedimiento del tipo anteriormente indicado, que permita la formación de películas de CdS y CdTe completamente libres de polvo.
Un objetivo adicional de la presente invención es proporcionar una célula solar de película delgada de CdTe/CdS estable y eficiente a coste relativamente bajo.
Los objetivos anteriormente indicados se consiguen con el procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS, las características principales de la cual se exponen en la reivindica-
ción 1.
Según un aspecto importante de la invención, el tratamiento de la película de CdTe con CdCl_{2} se lleva a cabo de la manera siguiente: en primer lugar se forma una capa de 100 nm a 200 nm de grosor de CdCl_{2} sobre la película de CdTe mediante evaporación, manteniendo simultáneamente el sustrato a temperatura ambiente; después, la capa de CdCl_{2} se somete a recocido en una cámara de vacío a una temperatura de entre 380ºC y 420ºC y a una presión de entre 300 mbar y 1.000 mbar bajo atmósfera de gas inerte, y finalmente se elimina el gas inerte de dicha cámara para producir un vacío, manteniendo simultáneamente el sustrato a una temperatura de entre 350ºC y 420ºC, de manera que cualquier residuo de CdCl_{2} se evapore de la superficie de la película de CdTe. De esta manera, no resulta necesario el tratamiento de mordentado de la película de CdTe y el procedimiento puede llevarse a cabo en continuo.
Según otro aspecto de la invención, la capa de TCO se forma mediante pulverización catódica bajo una atmósfera de gas inerte que contiene 1% a 3% en volumen de hidrógeno y un compuesto de fluoroalquilo gaseoso, en particular CHF_{3}. De esta manera se dopa el TCO con flúor.
Según otro aspecto importante de la invención, como material de partida para la formación de las películas de CdS y de CdTe mediante pulverización catódica o sublimación en espacio cerrado, se utiliza un material de CdS o de CdTe, respectivamente, en forma de un bloque compacto.
Se exponen características adicionales del procedimiento según la invención en las reivindicaciones dependientes.
Breve descripción de los dibujos
Resultarán evidentes características y ventajas adicionales del procedimiento de producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS según la presente invención a partir de la descripción siguiente de una realización preferente proporcionada haciendo referencia a los dibujos adjuntos, en los que:
- la figura 1 es una representación esquemática de la secuencia de las películas de las células solares de película delgada de CdTe/CdS según la invención,
- la figura 2 es un diagrama esquemático del procedimiento según la invención.
Descripción de una realización de la invención
Con referencia a las figuras, las células solares de CdTe/CdS producidas mediante el procedimiento según la invención comprenden cinco capas depositadas secuencialmente sobre una capa base o sustrato transparente y que consisten de una capa de 300 nm a 500 nm de grosor de un óxido conductor transparente (TCO), una capa de 80 nm a 200 nm de grosor de CdS depositada sobre la capa de TCO, una capa de 4 a 12 \mum de grosor de CdTe sobre la capa de CdS y una capa de contacto al dorso formada por, como mínimo, una capa de 100 nm de grosor de SB_{2}Te_{3} y una capa de 100 nm de grosor de Mo. En particular, el sustrato base transparente consiste de vidrio de cal sodada y el óxido conductor transparente está dopado con flúor (In_{2}O_{3}:F).
La capa de TCO consiste de In_{2}O_{3}, que se dopa con flúor durante el crecimiento. El blanco de In_{2}O_{3}, a diferente de ITO, no forma ningún filamento. Se obtiene una resistividad muy reducida mediante la introducción en la cámara de pulverización catódica de una cantidad reducida de flúor en forma de un compuesto de fluoroalquilo gaseoso, tal como CHF_{3}, y una cantidad reducida de H_{2} en forma de una mezcla con un gas inerte, tal como una mezcla de Ar+H_{2}, en la que 20% de la mezcla es H_{2} con respecto a Ar. Un ejemplo típico es una película de 500 nm de In_{2}O_{3} depositada con una tasa de deposición superior a 10 \ring{A}/segundo a una temperatura de sustrato de 500ºC, con un caudal de Ar de 200 sccm, un caudal de CHF_{3} de 5 sccm y un caudal de Ar+H_{2} de 20 sccm. De esta manera, el gas reactivo de pulverización catódica está compuesto de Ar que contiene 2,5% en volumen de CHF_{3} y 1,8% en volumen de H_{2}. Esta película muestra una resistencia laminar de 5 \Omega/cuadrado, una resistividad de 2,5x10^{-4} \Omegacm y una transparencia superior a 85% en el intervalo de longitudes de onda de 400 nm a 800 nm. Otra característica de dicha película es su buena estabilidad y la capacidad de detener la difusión de Na desde el vidrio de cal sodada. Lo anterior se ha demostrado mediante la fabricación de células solares de CdTe/CdS sobre este tipo de TCO que han demostrado ser muy estables incluso si se calentaban incluso a 180ºC iluminándolas con "diez soles" durante varias horas.
Tras la deposición de la película de CdS y de la película de CdTe de la manera conocida, mediante pulverización catódica o sublimación en espacio cerrado, la superficie de la película de CdTe se trata con CdCl_{2} de la manera siguiente.
Se depositan 200 nm de CdCl_{2} mediante evaporación sobre la película de CdTe, manteniendo el sustrato a temperatura ambiente. Se lleva a cabo un recocido de 15 a 20 minutos a 400ºC en una cámara de vacío en la que se introducen 500 mbar de Ar. Tras el recocido, la cámara se evacua, manteniendo el sustrato a 400ºC durante 5 minutos y, debido a que CdCl_{2} presenta una presión de vapor elevada a 400ºC, se evapora nuevamente cualquier residuo de CdCl_{2} de la superficie de CdTe.
No se forma CdO ni CdTeO_{3} debido a que el recocido se lleva a cabo en una atmósfera inerte, que no contiene O_{2}.
Según la presente invención, no resulta necesaria una superficie rica en Te para obtener un contacto no rectificador si el contacto se realiza mediante deposición sobre la película de CdTe de una película delgada de un semiconductor de tipo p altamente conductor, tal como Sb_{2}Te_{3} o As_{2}Te_{3}. Se obtiene un buen contacto no rectificador sobre una superficie de CdTe limpia en el caso de que se deposite una capa de por lo menos 100 nm de grosor de Sb_{2}Te_{3} o de As_{2}Te_{3} mediante pulverización catódica a temperaturas de sustrato de entre 250ºC y 300ºC y de entre 200ºC y 250ºC, respectivamente. Sb_{2}Te_{3} crece formando naturalmente un conducto de tipo p con una resistividad de 10^{-4} \Omegacm, mientras que As_{2}Te_{3} crece formando un conductor de tipo p con una resistividad de 10^{-3} \Omegacm. El procedimiento de contacto se completa cubriendo el semiconductor de tipo p de baja resistividad con por lo menos 100 nm de Mo, tal como es práctica común de la técnica. Resulta necesaria una capa delgada de Mo para que el contacto al dorso presente una resistencia laminar reducida.
Como fuente de materiales de CdS y de CdTe utilizados para formar las capas respectivas mediante pulverización catódica o CSS, puede utilizarse un material granular, tal como es práctica común en este campo. Sin embargo, en vista de las desventajas indicadas anteriormente al realizar la operación de esta manera, según un aspecto particularmente preferente de la invención puede utilizarse una nueva fuente de sublimación que consiste de un bloque compacto obtenido mediante fusión y solidificación del material en un horno capaz de sostener una temperatura superior a la temperatura de fusión del material. El procedimiento de preparación del bloque compacto de CdS es el siguiente: se introducen trozos de CdS en un recipiente de grafito del volumen deseado conjuntamente con óxido de boro (B_{2}O_{3}), que es un material de bajo punto de fusión (450ºC) y muestra una presión de vapor muy baja durante la fusión. Debido a que el óxido de boro presenta una densidad inferior a la de CdS en el estado fundido, flota sobre el CdS y cubre por completo al mismo tras enfriarse. De esta manera, si se introduce CdS recubierto de B_{2}O_{3} en un horno que contiene un gas inerte a presión superior a 50 atmósferas, no se evapora incluso a una temperatura superior a su punto de fusión. Debido a que el CdS se funde a una temperatura de 1.750ºC, el horno se calienta hasta una temperatura de 1.800ºC o superior y después se enfría hasta la temperatura ambiente. De esta manera, se obtiene un bloque compacto único de CdS que resulta particularmente adecuado para la utilización como fuente de sublimación en un sistema de sublimación en espacio cerrado. Las películas de CdS preparadas con este tipo de fuente resultaron ser muy lisas y se encontraban completamente libres de polvo. Las películas de CdS utilizada para preparar las células solares de CdTe/CdS típicamente presentan un grosor de 100 nm. La temperatura del sustrato se mantiene a una temperatura de entre 200ºC y 300ºC al preparar
el CdS mediante pulverización catódica, y a una temperatura de entre 480ºC y 520ºC al prepararlo mediante sublimación en espacio cerrado. La capa de CdS depositada mediante pulverización catódica requiere un recocido a 500ºC en una atmósfera que contiene O_{2} con el fin de que la célula solar de CdS/CdTe muestre una eficiencia elevada. En el caso de que el CdS se prepare mediante sublimación en espacio cerrado, se introduce O_{2} en la cámara de sublimación durante la deposición. No se conoce cuál es la función del O_{2}, pero se cree que pasiva los límites de grano de CdS.
En una realización preferente de la invención, la fuente de CdTe también es un bloque compacto obtenido mediante fusión y solidificación de trozos de CdTe en un horno a alta presión tal como se ha descrito anteriormente. Debido a que el CdTe se funde a 1.120ºC, el horno debe calentarse hasta 1.200ºC con el fin de fundir por completo los trozos de CdTe. Las películas de CdTe se depositan sobre el CdS mediante sublimación en espacio cerrado a una temperatura de sustrato de entre 480ºC y 520ºC. Las tasas de deposición durante el crecimiento del CdTe típicamente son de
4 \mum/minuto. De esta manera, se depositan 8 \mum de CdTe en 2 minutos.
Mediante el procedimiento descrito anteriormente, se han preparado varias células solares mediante la utilización de un sustrato de 1 pulgada cuadrada de vidrio de cal sodada de bajo coste.
Un área típica de estas células es 1 cm^{2}. Las células acabadas generalmente se someten a entre 10 y 20 soles durante varias horas a una temperatura de 180ºC bajo condiciones de voltaje a circuito abierto (V_{oc}). No se observó degradación, sino que, por el contrario, se observó un incremento de la eficiencia de 20% o más.
La eficiencia de dichas células se encuentra comprendida en el intervalo de entre 12% y 14%, con voltajes a circuito abierto (V_{oc}) superiores a 800 mV, corrientes de cortocircuito (J_{sc}) comprendidas entre 22 y 25 mA/cm^{2} y factores de relleno (ff) comprendidos entre 0,6 y 0,66.
Ejemplo
Se preparó una célula que mostraba una eficiencia de 14%, de la manera siguiente: se recubrió un vidrio de cal sodada con 500 nm de In_{2}O_{3}:F (dopado con flúor) mediante deposición a 500ºC (temperatura del sustrato), tal como se ha indicado anteriormente. Se depositaron 100 nm de CdS mediante pulverización catódica a 300ºC (temperatura de sustrato), y se sometieron a recocido durante 15 minutos a 500ºC en 500 mbar de Ar que contenía 20% de O_{2}. Se depositaron 8 \mum de CdTe sobre el CdS mediante CSS a una temperatura de sustrato de 500ºC. Las películas tanto de CdS como de CdTe se produjeron a partir de un bloque compacto, tal como se ha descrito anteriormente. Se realizó un tratamiento con 150 nm de CdCl_{2} en una atmósfera de Ar, tal como se ha indicado anteriormente. Finalmente, se creó un contacto al dorso, sin ningún mordentado, mediante deposición secuencial mediante pulverización catódica de
150 nm de Sb_{2}Te_{3} y 150 nm de Mo.
Tras una hora bajo 10 soles a 180ºC en condiciones de circuito abierto, la célula solar preparada de esta manera mostraba los parámetros siguientes:
V_{oc}
852 mv
J_{sc}
25 mA/cm^{2}
ff
0,66
eficiencia
14%
Las técnicas utilizadas en dicho procedimiento, tales como la pulverización catódica y la sublimación en espacio cerrado, son rápidas, reproducibles y fácilmente escalables.
Los sistemas de pulverización catódica capaces de recubrir una superficie de 1x0,5 m^{2} de vidrio ya se encuentran disponibles comercialmente, mientras que la sublimación en espacio cerrado, que a escala de laboratorio puede recubrir fácilmente una superficie de vidrio de 20x20 cm^{2}, no resulta problemática en el escalado hasta 1x0,5 m^{2}. Un procedimiento en línea puede funcionar bien en el caso de que se desplace lentamente una superficie grande de vidrio sobre las diferentes fuentes, es decir TCO, CdS, CdTe, Sb_{2}Te_{3} o As_{2}Te_{3} y Mo. Con el fin de realizar una conexión en serie entre las células individuales, el sistema en línea también debería comprender tres procedimientos de trazado por láser, el primero después de la deposición de TCO, el segundo antes de la deposición del contacto al dorso y el tercero al final del procedimiento. Una parte importante del procedimiento según la presente invención es que no se utilizan ácidos o líquidos y, en consecuencia, el procedimiento puede operar en continuo sin la interrupción que resulta necesaria para realizar el mordentado en ácido o en una solución de Br-metanol.

Claims (14)

  1. \global\parskip0.960000\baselineskip
    1. Procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS, depositando dichas películas secuencialmente sobre un sustrato transparente, que comprende las etapas siguientes:
    - depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre dicho sustrato,
    - depositar una película de CdS sobre dicha película de TCO,
    - depositar una película de CdTe sobre dicha película de CdS,
    - tratar dicha película de CdTe con CdCl_{2},
    - depositar una película de contacto al dorso sobre dicha película de CdTe tratada,
    caracterizando dicho procedimiento por que el tratamiento de la película de CdTe con CdCl_{2} comprende las etapas siguientes:
    - formar una capa de CdCl_{2} sobre la película de CdTe mediante evaporación, manteniendo simultáneamente el sustrato a temperatura ambiente,
    - recocido de dicha capa de CdCl_{2} en una cámara de vacío a una temperatura de entre 380ºC y 420ºC y presión de entre 300 mbar y 1.000 mbar bajo una atmósfera de gas inerte,
    - eliminar el gas inerte de dicha cámara para producir un vacío, manteniendo el sustrato a una temperatura de entre 350ºC y 420ºC, de manera que se evapore cualquier residuo de CdCl_{2} de la superficie de la película de CdTe.
  2. 2. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicha capa de CdCl_{2} presenta un grosor de entre 100 nm y 200 nm.
  3. 3. Procedimiento según la reivindicación 1 ó 2, en el que el recocido de la capa de CdCl_{2} se lleva a cabo durante 15 a 20 minutos.
  4. 4. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el gas inerte es Ar.
  5. 5. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la película de contacto al dorso está formada por una capa de Sb_{2}Te_{3} recubierta por una capa de Mo.
  6. 6. Procedimiento según la reivindicación 5, en el que dicha capa de Sb_{2}Te_{3} se forma mediante pulverización catódica a una temperatura de entre 250ºC y 300ºC.
  7. 7. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la película de contacto al dorso se forma con una capa de As_{2}Te_{3} recubierta por una capa de Mo.
  8. 8. Procedimiento según la reivindicación 7, en el que la capa de As_{2}Te_{3} se forma mediante pulverización catódica a una temperatura de entre 200ºC y 250ºC.
  9. 9. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el óxido conductor transparente es In_{2}O_{3} dopado con flúor.
  10. 10. Procedimiento según la reivindicación 9, en el que la capa de TCO se forma mediante pulverización catódica en una atmósfera de gas inerte que contiene hidrógeno y un compuesto gaseoso de fluoroalquilo.
  11. 11. Procedimiento según la reivindicación 10, en el que se utiliza una mezcla de Ar e hidrógeno, en la que el hidrógeno comprende entre 1% y 3% en volumen de la mezcla y el compuesto fluoroalquilo es CHF_{3}.
  12. 12. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que, como material de partida para la formación de las películas de CdS y de CdTe mediante sublimación en espacio cerrado se utiliza un material de CdS o de CdTe, respectivamente, en forma de un bloque compacto.
  13. 13. Procedimiento según la reivindicación 12, en el que dicho material de CdS (o de CdTe) en bloque compacto se forma recubriendo con óxido de boro trozos de material de CdS (o de CdTe), calentando el material recubierto a una temperatura superior al punto de fusión del mismo bajo una atmósfera de gas inerte y a una presión superior a 50 atmósfera, y después enfriando hasta la temperatura ambiente, de manera que el material se solidifique en una forma de bloque compacto.
  14. 14. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que dicho sustrato transparente es vidrio de cal sodada.
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