DE102014208029A1 - Zusätzlicher Temperaturbehandlungsschritt für Dünnschichtsolarzellen - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von CdTe-Dünnschichtsolarzellen bzw. eines CdTe-Dünnschichtsolarzellen-Halbzeugs, wobei ein zusätzlicher Temperaturschritt nach dem Aufbringen der CdTe-Schicht auf ein Substrat ausgeführt wird. Insbesondere wird der Temperaturschritt nach dem Aktivieren der CdTe-Schicht mit einem geeigneten Aktivierungsagens und dem Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens von der CdTe-Schicht realisiert. Die Temperaturbehandlung wird im Vakuum oder in einer luft- oder inertgasgefüllten Heizkammer ausgeführt, wobei das Substrat für eine Zeit von 5 min bis 60 min einer Temperatur von 180°C bis 380°C ausgesetzt wird. Durch den erfindungsgemäßen zusätzlichen Temperaturschritt werden Anzahl und Ausdehnung von Kristalldefekten in der CdTe-Schicht reduziert und der Wirkungsgrad der Solarzelle weiter verbessert.

Description

  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von CdTe-Dünnschichtsolarzellen bzw. eines Dünnschichtsolarzellen-Halbzeugs, wobei das Verfahren vorsieht, einen zusätzlichen Temperaturschritt nach dem Aufbringen der CdTe-Schicht auszuführen.
  • Dünnschichtsolarzellen können in der Superstrat-Technik oder der Substrat-Technik hergestellt werden.
  • Bei der Herstellung von Dünnschichtsolarzellen in der Superstrat-Technik wird nach dem Stand der Technik auf einem Substrat, üblicherweise Glas, eine transparente Frontkontaktschicht (bspw. TCO – transparent conducting oxide) aufgebracht. Auf dieser Frontkontaktschicht wird eine Fenster-Schicht, bevorzugt aus reinem oder modifiziertem CdS (Kadmiumsulfid) abgeschieden, auf die nachfolgend die CdTe-Schicht (Kadmiumtellurid) abgeschieden wird. Abschließend erfolgt das Aufbringen der Rückkontaktschicht.
  • Im Stand der Technik ist nach dem Aufbringen der CdTe-Schicht eine Aktivierung dieser Schicht notwendig. Dies erfolgt dadurch, dass die CdTe-Schicht bei erhöhter Temperatur (üblich sind ca. 380°C bis 440°C) für eine definierte Dauer einem geeigneten Aktivierungsagens ausgesetzt wird. Ein bevorzugtes Aktivierungsagens ist z. B. CdCl2, das z. B. nasschemisch oder mittels CVD- oder PVD-Verfahren als Schicht auf der CdTe-Schicht aufgebracht wird.
  • Verfahren aus dem Stand der Technik sehen weiterhin vor, die Kadmiumtelluridschicht anschließend einer nasschemischen Ätzung zu unterziehen. Dazu wird die CdTe-Solarzelle einem Ätzmittel ausgesetzt, z. B. in eine sogenannte NP-Ätze eingetaucht. Die NP-Ätze ist eine wässrige Lösung verschiedener anorganischer Säuren, bevorzugt (HNO3:H3PO4:H2O). Dies erfolgt im Temperaturbereich von Raumtemperatur (18°C bis ca. 80°C). Die Ätzzeit liegt bevorzugt im Bereich von 5 s bis 60 s. Im Ergebnis des Ätzvorgangs entsteht eine Te-reiche Schicht, deren Dicke im Bereich von 1 nm bis 300 nm liegt.
  • Anschließend wird bei Verfahren nach dem Stand der Technik häufig eine Sb2Te3-Schicht aufgebracht, vorzugsweise durch das Aufsputtern von Sb2Te3. Anschließend werden weitere Lagen der Rückkontaktschichtfolge, typischerweise aus Molybdän und Nickel, aufgebracht. Ein entsprechendes Verfahren ist bspw. in der US 7,211,462 B1 beschrieben, wobei dort allerdings auf einen Ätzschritt verzichtet wird und lediglich eine CdCl2-Behandlung des CdS/CdTe Schichtstapels erfolgt. Die Sb2Te3-Schicht wird hier durch Sputtern aufgebracht. Andere bekannte Methoden zum Aufbringen der Sb2Te3-Schicht sehen Verdampfen oder eine elektrolytische Abscheidung vor. Bei Bedarf können auch mehrere Sb2Te3-Schichten vorgesehen sein.
  • In der Substrat-Technik wird die Solarzelle in umgekehrter Reihenfolge hergestellt. Auf einem Substrat wird zunächst die Rückkontaktschicht erzeugt, wobei das Substrat auch selbst bereits als Rückkontakt dienen kann. Danach wird die CdTe-Schicht aufgebracht und ein Schritt zur Aktivierung der CdTe-Schicht mittels eines Aktivierungsagens ausgeführt. Anschließend werden auf der aktivierten CdTe-Schicht eine Fenster-Schicht, bevorzugt aus reinem oder modifiziertem CdS (Kadmiumsulfid), sowie eine transparente Frontkontaktschicht (bspw. TCO – transparent conducting oxide) abgeschieden.
  • Die CdTe-Schicht liegt nach dem Aufbringen als polykristalline Schicht vor. Die Größenverteilung der CdTe-Kristalle ist dabei von der Art der Verfahrensführung, insbesondere von der Temperatur, bei der das CdTe auf der CdS-Schicht aufwächst, abhängig.
  • Untersuchungen haben gezeigt, dass die polykristalline CdTe-Schicht eine Vielzahl von Kristalldefekten aufweist. Diese verringern nachteilig die Ladungsträgerlebensdauer und -konzentration.
  • Es stellt sich somit die Aufgabe, Anzahl und Ausdehnung der Kristalldefekte in der CdTe-Schicht zu reduzieren.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit einem Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Verfahrensweisen sind in den rückbezogenen Unteransprüchen offenbart.
  • Im Folgenden werden bei dem beschriebenen Verfahren Reinigungs- und Versiegelungsschritte nach dem Stand der Technik als bekannt vorausgesetzt und nicht näher erläutert. Auch das Aufbringen von Antireflexions- und Schutzschichten (bspw. Rückseitenlaminat oder -glas) wird vorausgesetzt.
  • Es hat sich überraschend gezeigt, dass die Anzahl und Ausdehnung der Kristalldefekte in der auf einem Substrat aufgebrachten CdTe-Schicht, welche die Ladungsträgerlebensdauer und -konzentration negativ beeinflussen, durch einen weiteren Temperaturschritt deutlich reduziert werden können. Das Substrat ist je nach verwendeter Herstellungstechnik verschieden ausgeführt. Bei der Superstrat-Technik umfasst das Substrat ein transparentes Substrat sowie die darauf aufgebrachte Frontkontaktschicht und eine Fenster-Schicht, wobei die CdTe-Schicht auf der Fensterschicht aufgebracht wird. Bei der Substrat-Technik umfasst das Substrat eine Rückkontaktschicht, auf der die CdTe-Schicht aufgebracht wird. Die Begriffe „Frontkontaktschicht” bzw. „Rückkontaktschicht” beschreiben dabei nicht nur jeweils eine einzelne Schicht, sondern beschreiben jeweils auch eine mögliche Schichtfolge, die aus mehreren, aufeinander aufgebrachten Schichten besteht.
  • Wesentlich dabei ist, dass dieser Temperaturschritt nach der Aktivierung der CdTe-Schicht und einem anschließenden Schritt zum Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens von der CdTe-Schicht erfolgt. Vorzugsweise wird der Temperaturschritt unmittelbar anschließend an diese Schritte durchgeführt.
  • Beim Ausführen des Temperaturschrittes wird das Substrat für eine Zeit von bevorzugt 5 min bis 60 min, besonders bevorzugt 10 min bis 45 min und ganz besonders bevorzugt von 15 min bis 30 min in eine Heizkammer eingebracht. In der Heizkammer herrscht bevorzugt eine Temperatur von 180°C bis 380°C, besonders bevorzugt von 200°C bis 350°C und ganz besonders bevorzugt von 220°C bis 320°C. Die Heizkammer kann Normalatmosphäre, eine Inertgasatmosphäre oder aber ein Vakuum enthalten. Während der Druck bei Normalatmosphäre oder Inertgasatmosphäre 1 bar beträgt, ist er im Vakuum auf bevorzugt 10–3 bis 10–4 mbar reduziert.
  • Das Entfernen des Aktivierungsagens erfolgt bevorzugt in zwei alternativen Verfahrensweisen:
    • a) die Schicht des Aktivierungsagens wird ohne vorhergehende Abkühlung des Substrates mit der bereits aufgebrachten Schichtfolge im Anschluss an die Aktivierung entfernt, oder
    • b) die Schicht des Aktivierungsagens wird nach dem Abkühlen des Substrates entfernt.
  • Für die Verfahrensweise a) kommen ein Abdampfschritt bei mehr als 400°C im Vakuum oder aber Sputterätzen zum Einsatz. Vorteilhaft wird hier die Abkühlung und anschließende Erwärmung des Substrates vermieden. Nachteilig ist, dass die zusätzliche Temperaturbehandlung Diffusionsprozesse in Gang setzen könnte, die negative Auswirkungen haben.
  • Die Verfahrensweise b) sieht ein Spülen der CdTe-Oberfläche nach dem Abkühlen mit einem geeigneten Lösungsmittel vor. Als Lösungsmittel wird vorzugsweise deionisiertes Wasser genutzt, jedoch ist auch die Nutzung anderer Lösungsmittel, beispielsweise Alkohole, schwache Säuren, Laugen, oder von Mischungen verschiedener Lösungsmittel möglich. Vorteilhaft ist, dass es sich hierbei um einen erprobten Prozessschritt aus dem Stand der Technik handelt. Nachteilig ist die Notwendigkeit des erneuten Aufheizens des Substrates.
  • In Variante a) wird das Substrat mit der aufgebrachten CdTe-Schicht vorzugsweise unmittelbar nach dem Entfernen (z. B. Abdampfen) des verbliebenen Aktivierungsagens in die Heizkammer eingebracht bzw. deren Temperatur auf die des zusätzlichen Temperaturschrittes abgesenkt. Da das Substrat von dem vorhergehenden Prozessschritt bereits erhitzt ist, erfolgt eine Absenkung der Substrattemperatur dementsprechend auf die der Heizkammer. Nach der Temperaturanpassung wird die Temperatur konstant gehalten.
  • In Variante b) wird das Substrat mit der CdTe-Schicht nach dem Entfernen (Abspülen) des verbliebenen Aktivierungsagens in die vorgeheizte Heizkammer eingebracht. Auch hier wird die Temperatur konstant gehalten, nachdem das Substrat die Temperatur der Heizkammer erreicht hat.
  • Sollte die Heizkammer als Vakuumkammer ausgeführt oder mit Inertgas beschickt sein, erfolgt das Einbringen des Substrates in die Heizkammer optional mittels einer Schleuse nach dem Stand der Technik.
  • Wird die Dünnschicht-Solarzelle in der Superstrat-Technik hergestellt, so kann der zusätzliche Temperaturschritt vor oder nach dem Aufbringen der Rückkontaktschicht ausgeführt werden. Der erfindungsgemäße zusätzliche Temperaturschritt wird bevorzugt unmittelbar nach dem Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens durchgeführt.
  • Erfolgt der zusätzliche Temperaturschritt vor dem Aufbringen der Rückkontaktschicht und weist das Verfahren zur Herstellung der Dünnschicht-Solarzelle einen wie im Stand der Technik beschriebenen Ätzschritt zur Behandlung der CdTe-Oberfläche auf, so wird der zusätzliche Temperaturschritt vor diesem Ätzschritt ausgeführt. Damit wird vermieden, dass die durch den Ätzprozess beabsichtigte Modifikation der CdTe-Oberfläche durch die Temperaturbehandlung wieder nachteilig beeinflusst wird. Weiterhin wird in diesem Fall vorzugsweise eine niedrigere Temperatur für den zusätzlichen Temperaturschritt gewählt, so dass sich eine geringere Substrattemperatur, vorzugsweise kleiner 350°C, einstellt. Damit wird ein teilweises Abdampfen der CdTe-Schicht vermieden.
  • Eine alternative Verfahrensweise sieht vor, den zusätzlichen Temperaturschritt nach dem Aufbringen der Rückkontaktschicht auszuführen. In diesem Fall kann ein Ätzschritt zur Behandlung der CdTe-Oberfläche vor dem Temperaturschritt erfolgen, da dann die CdTe-Oberfläche mit der Rückkontaktschicht bedeckt ist und eine Degradation der CdTe-Oberfläche durch die Temperatureinwirkung nicht mehr auftritt. Darüber hinaus kann in diesem Fall eine höhere Temperatur, vorzugsweise größer als 200°C, für den zusätzlichen Temperaturschritt gewählt werden, was die für das Ausheilen der Defekte in der CdTe-Schicht erforderlichen Diffusionsprozesse begünstigt.
  • Wird die Dünnschicht-Solarzelle in der Substrat-Technik hergestellt, so wird der zusätzliche Temperaturschritt vorzugsweise vor dem Aufbringen der Fenster-Schicht, beispielsweise aus CdS, ausgeführt. Dabei wird eine niedrigere Temperatur während des Temperaturschrittes gewählt, so dass eine sich einstellende Substrattemperatur von kleiner als 350°C erreicht wird, um das teilweise Abdampfen der CdTe-Schicht zu vermeiden.
  • In einer anderen bevorzugten Ausführungsform für die Substrat-Technik wird der zusätzliche Temperaturschritt nach dem Aufbringen der Fenster-Schicht und vor dem Aufbringen der Frontkontaktschicht oder nach dem Aufbringen der Fenster-Schicht und der Frontkontaktschicht ausgeführt. Eine Ausführung des zusätzlichen Temperaturschrittes nach dem Aufbringen der Fenster-Schicht ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn zusätzlich zu dem Aktivierungsschritt nach dem Aufbringen der CdTe-Schicht ein weiterer Aktivierungsschritt nach dem Aufbringen der Fenster-Schicht erfolgt. Dann umfasst das erfindungsgemäße Verfahren die folgenden Schritte:
    • – Bereitstellen eines Substrates,
    • – Aufbringen einer Rückkontaktschicht auf dem Substrat,
    • – Aufbringen einer CdTe-Schicht auf die Rückkontaktschicht,
    • – Aktivieren der CdTe-Schicht mit einem geeigneten Aktivierungsagens,
    • – Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens von der CdTe-Schicht nach dem Aktivieren,
    • – Aufbringen einer Fenster-Schicht auf die CdTe-Schicht,
    • – Aktivieren der Fenster-Schicht mit einem geeigneten Aktivierungsagens,
    • – Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens von der Fenster-Schicht nach dem Aktivieren,
    • – Aufbringen einer Frontkontaktschicht auf die Fensterschicht und
    • – Ausführen einer Temperaturbehandlung im Vakuum oder in einer luft- oder inertgasgefüllten Heizkammer, bei dem das Substrat für eine Zeit von 5 min bis 60 min einer Temperatur von 180°C bis 380°C ausgesetzt ist.
  • Dabei wird der Schritt zur Temperaturbehandlung nach dem Entfernen des Aktivierungsagens von der Fenster-Schicht ausgeführt, also vor oder nach dem Aufbringen der Frontkontaktschicht. Wird der zusätzliche Temperaturschritt nach dem Aufbringen der Frontkontaktschicht ausgeführt, so kann eine höhere Temperatur, vorzugsweise größer als 200°C, für den zusätzlichen Temperaturschritt gewählt werden, was die für das Ausheilen der Defekte in der CdTe-Schicht erforderlichen Diffusionsprozesse begünstigt.
  • Durch den erfindungsgemäßen zusätzlichen Temperaturschritt wird der Wirkungsgrad der Solarzelle weiter verbessert. Die höchste gemessene Wirkungsgradsteigerung lag bei 0,9%-Punkten.
  • Figuren
  • 1 zeigt die Heizrampe für das Aufheizen eines Substrates im Vakuum.
  • 2 zeigt die Heizrampe für das Aufheizen eines Substrates in einem Heizofen unter atmosphärischen Bedingungen.
  • Ausführungsbeispiele
  • Die in den folgenden Ausführungsbeispielen eingesetzten Substrate dienen überwiegend Forschungszwecken. Die Substrate bestehen aus Floatglas und weisen Abmessungen von 10 cm × 10 cm und eine Dicke von 3,2 mm auf. Auf die Substrate sind in den Ausführungsbeispielen 1 und 2 bereits die TCO-, die CdS- und die CdTe-Schichten aufgebracht. Beim Einsatz von Substraten für industrielle Anwendungen können diese Abmessungen von deutlich mehr als 1 m Kantenlänge aufweisen. Für diese Substrate ist die Heizrampe anzupassen, um die Bruchgefahr aufgrund thermischer Spannungen zu reduzieren. Die entsprechenden zulässigen Aufheizgeschwindigkeiten sind aus dem Stand der Technik bekannt. Primär wesentlich für das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch das Verweilen des Substrates für die angegebene Zeit bei den angegebenen Temperaturen.
  • 1. Heizkammer mit Vakuum
  • Die Heizrampe ist in 1 dargestellt.
  • Es wird ein Substrat nach dem Stand der Technik in eine Vakuum-Heizkammer eingebracht. Zur Beheizung wird ein Widerstandsheizer nach dem Stand der Technik eingesetzt. Die Ausgangstemperatur des Substrates liegt bei Raumtemperatur (20°C). Die Zieltemperatur des Substrates beträgt 250°C. Die Ofentemperatur beim Probeneinschleusen beträgt 310°C. Die Erwärmung des Substrates erfolgt mit ca. 11,5°C/min über einen Zeitraum von etwa 20 min. Das Substrat erreicht die Zieltemperatur von 250°C. Anschließend wird die Ofentemperatur auf 270°C heruntergeregelt und das Substrat für 20 min bei gleichbleibender Temperatur beheizt. Nach dem Temperaturschritt wird das Substrat aus der Heizkammer ausgeschleust und kühlt unter Umgebungsbedingungen ab.
  • 2. Heizkammer mit Luft
  • Die Heizrampe ist in 2 dargestellt.
  • Das Substrat mit Umgebungstemperatur (20°C) wird in die auf 250°C vorgeheizte Heizkammer, die einen atmosphärischen Normaldruck aufweist, eingebracht und für 40 min in dieser belassen. Der Temperaturanstieg im Substrat liegt bei etwa 300°C/min.
  • 3. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit erfindungsgemäßem Temperaturschritt
  • Auf ein TCO-beschichtetes Glassubstrat erfolgt die Deposition von Kadmiumsulfid und Kadmiumtellurid mittels CSS Deposition. Die Schichtdicken betragen ca. 70 nm CdS und 4 μm CdTe. Die Deposition erfolgt bei ca. 500°C. Anschließend erfolgt das Aufbringen einer CdCl2-haltigen wässrigen Lösung, gefolgt von einer Aktivierung bei 400°C für 25 min an Luft. Danach wird das Substrat abgekühlt, das überschüssige CdCl2 mit Wasser entfernt, und das Substrat an Luft getrocknet.
  • Verfahrensweise 3a: Es erfolgt das Einschleusen des Substrates (mit der bereits vorhandenen Schichtfolge) in eine vorgeheizte Vakuumkammer und Tempern der Probe bei 250°C für insgesamt 40 min (das Temperaturprofil entspricht dem im 1 gezeigten), Anschließend folgen Ausschleusen und Abkühlen an Luft (6–9°C/min) auf Raumtemperatur.
  • Verfahrensweise 3b: Das Substrat (mit der bereits vorhandenen Schichtfolge) wird in einen auf 250°C vorgeheizten atmosphärischen Ofen (Auflegen des Substrates auf eine heiße Graphitplatte) eingebracht und anschließend für 20 min getempert. Anschließend erfolgt das Abkühlen des Substrates an Luft (6–9°C/min) auf Raumtemperatur.
  • Erst nach diesem Schritt (Verfahrensweise 3a oder 3b) erfolgt die NP-Ätzung bei Umgebungstemperatur (20°C) für 30 s (NP-Ätze: HNO3:H3PO4:H2O). Im Ergebnis des Ätzens entsteht eine Te-reiche Schicht von ca. 150 nm Dicke.
  • Abschließend erfolgt ein Einschleusen in eine Vakuumkammer und die Deposition des metallischen Rückkontakts.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7211462 B1 [0006]

Claims (13)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht-Solarzelle, mit den Schritten: a. Aufbringen einer CdTe-Schicht auf ein Substrat, b. Aktivieren der CdTe-Schicht mit einem geeigneten Aktivierungsagens, c. Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens von der CdTe-Schicht nach dem Aktivieren und d. Ausführen einer Temperaturbehandlung im Vakuum oder in einer luft- oder inertgasgefüllten Heizkammer nach dem Entfernen des verbliebenen Aktivierungsagens, bei dem das Substrat für eine Zeit von 5 min bis 60 min einer Temperatur von 180°C bis 380°C ausgesetzt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) das verbliebene Aktivierungsagens abgedampft wird und anschließend ohne zwischenzeitliche Abkühlung die zusätzliche Temperaturbehandlung erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aktivieren das Substrat mit der bereits vorhandenen Schichtfolge auf Umgebungstemperatur abgekühlt wird und das verbliebene Aktivierungsagens in Schritt c) mit einem geeigneten Lösungsmittel abgewaschen wird und danach die zusätzliche Temperaturbehandlung erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösungsmittel deionisiertes Wasser, ein Alkohol, eine schwache Säure, eine Lauge oder eine Mischung verschiedener Stoffe ist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Aktivierungsagens CdCl2 ist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin umfassend die Schritte: e. Bereitstellen eines transparentes Substrats, f. Aufbringen einer Frontkontaktschicht auf das Substrat, g. Aufbringen einer Fenster-Schicht auf die Frontkontaktschicht, h. Aufbringen einer Rückkontaktschicht, wobei die Schritte a) bis d) nach dem Schritt g) erfolgen und der Schritt d) vor oder nach dem Schritt h) ausgeführt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt d) vor dem Schritt h) erfolgt, wobei die sich ergebende Temperatur des Substrates während des Schrittes d) kleiner 350°C ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren weiterhin einen Ätzschritt zur Behandlung der Oberfläche der CdTe-Schicht umfasst, wobei dieser Ätzschritt nach dem Schritt d) erfolgt.
  9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt d) nach dem Schritt h) erfolgt, wobei das Substrat während des Schrittes d) einer Temperatur von größer als 200°C ausgesetzt wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiterhin umfassend die Schritte: i. Bereitstellen eines Substrats, j. Aufbringen einer Rückkontaktschicht auf das Substrat, k. Aufbringen einer Fenster-Schicht, l. Aufbringen einer Frontkontaktschicht auf die Fensterschicht, wobei die Schritte a) bis c) zwischen dem Schritt j) und dem Schritt k) erfolgen und der Schritt d) nach dem Schritt c) und vor dem Schritt k) oder zwischen den Schritten k) und l) oder nach dem Schritt l) erfolgt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt d) vor dem Schritt k) erfolgt, wobei die sich ergebende Temperatur des Substrates während des Schrittes d) kleiner 350°C ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt d) nach dem Schritt l) erfolgt, wobei das Substrat während des Schrittes d) einer Temperatur von größer als 200°C ausgesetzt wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Fensterschicht aus reinem oder modifiziertem CdS besteht.
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