JPH0685297A

JPH0685297A - 太陽電池の製造法

Info

Publication number: JPH0685297A
Application number: JP4235508A
Authority: JP
Inventors: Akira Hanabusa; 彰花房; Satoshi Shibuya; 聡澁谷; Nobuo Eda; 信夫江田; Takashi Arita; 孝有田; Mikio Murozono; 幹夫室園
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-09-03
Filing date: 1992-09-03
Publication date: 1994-03-25

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】ＣｄＳ膜またはＣｄ_1-xＺｎ_xＳの窓層の粒
径を増大させ、粒界表面積を減少させると共にＣｄＳと
ＣｄＴｅの相互拡散を抑え、発電領域であるＣｄＴｅ膜
への到達光量を増大させ太陽電池の高効率化を図る。【構成】ＳｎＯ₂基板１上にＣｄＳ膜２の窓層を形成
後、ＣｄＣｌ₂などのＣｄハロゲン化物の膜３、または
ＬｉＣｌなどのＬｉハロゲン化物膜３ａを形成した後、
それら材料の融点の上下５０℃の温度域で熱処理後、７
００℃へ昇温してＣｄＴｅ膜の吸収層を形成する。また
ＣｄＳ膜２の窓層を形成後、前記Ｌｉのハロゲン化物膜
３ａを形成し、そのハロゲン化合物の融点以上の温度で
熱処理した後、ＣｄＴｅの膜などの吸収層を形成する。
その形成はＣｄＴｅペーストをスクリーン印刷法で塗布
乾燥後６５０℃で焼付けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＣｄＳ／ＣｄＴｅ系薄膜
太陽電池の製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の塗布・乾燥・焼結法によるＣｄＳ
／ＣｄＴｅ系薄膜太陽電池の製造法ではＣｄＳ膜をスク
リーン印刷法にて形成していた。しかしながら、このよ
うな方法で作製した太陽電池は、ＣｄＳ膜の膜厚が２０
〜３０μｍと厚く、ＣｄＳの吸収端の５２０ｎｍ以下の
波長の光はＣｄＳ膜内でほとんど吸収されてしまい発電
に寄与しないため高効率太陽電池を実現できなかった。
一方、５２０ｎｍ以下の波長の光を有効に活用するため
に、ＣｄＳ膜の薄膜化が試みられ、スパッタ法などの通
常の真空成膜法でＣｄＳ膜を作製した場合にはＣｄＳ膜
のグレンサイズが小さく、そのためグレンバンダリの表
面積が増加し、発電したキャリアをトラップするため、
電流の増加も少なく、再結合電流が増大するため、開放
電圧も低下し、太陽電池性能を向上させることが困難で
あった。

【０００３】また、Ｃｄ_1-XＺｎ_XＳ膜の場合も薄膜化
を実施しても同様に高効率太陽電池を実現できなかっ
た。

【０００４】一方、ＣｄＳ膜またはＣｄＴｅ膜をパター
ニングする際には、それぞれその膜のみを順次レーザス
クライブしていた。しかしながら、このような方法では
作製した太陽電池は、ＣｄＳ膜またはＣｄＴｅ膜の分離
部近傍に与えられた熱的なダメージとスクライブ時に発
生し表面に付着する飛散物によって、再結合電流または
リーク電流が大きくなり高効率太陽電池を実現できなか
った。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】スパッタ法などにより
成膜したＣｄＳ薄膜の成膜直後は、グレンが明確でなく
結晶性の悪い膜であり、その後の熱処理により、グレン
も明確化し、結晶性もかなり改善されるが、グレンサイ
ズは膜厚分程度にしか増大しないためその上に成長する
ＣｄＴｅ多結晶膜のグレンも小さくなるとともに、Ｃｄ
Ｓ膜の結晶粒が小さいことにより、表面エネルギーが大
きくＣｄＴｅとの相互拡散が大きくなる。そのため発電
に寄与しないにもかかわらず、吸収係数が大きく光をよ
く吸収する混晶膜ＣｄＴｅ_1-YＳ_Y膜（但しＯ＜Ｙ＜
１）が接合近傍に厚く形成されるために、電流・電圧特
性が低下するという問題点があり、高効率太陽電池が作
製できないという技術課題を持っていた。

【０００６】一方、ＣｄＳ膜をレーザスクライブする場
合には、分離部近傍表面に、スクライブ時に蒸発した飛
散物が再付着して、Ｐ／Ｎ接合面となる表面の平坦性が
失われることと熱によるＣｄＳ膜のクラックや膜自身の
変質によって、良好な接合が得られず、電流・電圧特性
が低下するという問題点があった。

【０００７】また、ＣｄＴｅ膜をレーザスクライブする
場合には、分離部近傍のＣｄＴｅ膜にクラックが入るこ
とによって、リーク電流が多くなり、電流・電圧特性が
低下するという問題点があり、いずれの場合にも高効率
太陽電池が作製できないという技術課題を持っていた。

【０００８】そこで本発明はＣｄＳ薄膜のグレンサイズ
を増大させ、グレンバンダリの表面積を減少させるとと
もに、ＣｄＳとＣｄＴｅの相互拡散を抑え、本来のＣｄ
Ｓ薄膜化による、発電領域であるＣｄＴｅ膜への光の到
達量を増大させて、高効率化を図ることを第１の目的と
するものである。

【０００９】また、Ｃｄ_1-XＺｎ_XＳ膜の場合もＣｄＳ
膜と同様の課題が存在するため、ＣｄＴｅとの相互拡散
を抑え同様に高効率化を図ることも合わせて第１の目的
とするものである。

【００１０】一方、ＣｄＳ膜をレーザスクライブした後
そのダメージを除去することと、ＣｄＴｅ膜をレーザス
クライブした後そのダメージを除去することの２点によ
り、リーク電流を減少させ、電流・電圧特性を改善する
ことにより、同一基板上で直列接続した太陽電池の高効
率化を図ることを第２の目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するため本発明の太陽電池の製造法の第１の手段は、少
くともＣｄＳ膜の窓層を備えた太陽電池において、窓層
形成後ＣｄＣｌ₂などのＣｄのハロゲン化合物またはＬ
ｉＣｌなどのＬｉのハロゲン化合物などの膜を形成した
後、前記ＣｄまたはＬｉのハロゲン化合物の融点の上下
５０℃の温度領域で熱処理した後引続き７００℃で熱処
理を行い、その後ＣｄＴｅなどの吸収層を形成するもの
である。

【００１２】また、上記第１の目的を達成するための本
発明の太陽電池の製造法の第２の手段は、少くともＣｄ
Ｓ膜の窓層を備えた太陽電池において、前記窓層形成後
ＬｉＣｌなどのＬｉのハロゲン化合物の膜を形成し、前
記Ｌｉのハロゲン化合物の融点以上の温度で熱処理した
後、ＣｄＴｅ膜などの吸収層を形成するものである。

【００１３】また、少くともＣｄ_1-XＺｎ_XＳ（０＜Ｘ
＜１）膜の窓層を備えた太陽電池において、前記窓層形
成後ＬｉＣｌなどのＬｉのハロゲン化合物の膜を形成
し、前記Ｌｉのハロゲン化合物の融点以上の温度で熱処
理した後、ＣｄＴｅ膜などの吸収層を形成するものであ
る。

【００１４】さらにまた、上記第２の目的を達成するた
め本発明の太陽電池の製造法は、透光性基板上に少くと
もＣｄＳ膜の窓層を備え、同一基板上で直列接続するた
めに、前記窓層に分離部を持つ太陽電池において、前記
窓層膜形成後ＣｄＣｌ₂膜を形成し、その後レーザスク
ライブして前記窓層およびＣｄＣｌ₂膜に分離部を形成
した後、５５０〜７００℃で熱処理してから吸収層を形
成するものである。また、透光性基板上に少くともＣｄ
Ｓ膜の窓層と、吸収層としてＣｄＴｅ膜とを備え、同一
基板上で直列接続するために、前記窓層とＣｄＴｅ膜と
に分離部を持つ太陽電池において、前記窓層とＣｄＴｅ
膜とを形成し、その後ＣｄＣｌ₂膜を形成し、その後レ
ーザスクライブして前記窓層とＣｄＴｅ膜および前記Ｃ
ｄＣｌ₂膜とに分離部を形成した後、５５０〜７００℃
で熱処理するものである。また、透光性基板上に少くと
もＣｄＳ膜の窓層と、吸収層としてＣｄＴｅ膜とを備
え、同一基板上で、直列接続するために、前記窓層とＣ
ｄＴｅ膜とに分離部を持つ太陽電池において、前記窓層
とＣｄＴｅ膜とを形成し、その後ＣｄＣｌ₂およびＣｕ
Ｃｌ₂の混合物の膜を形成し、その後レーザスクライブ
して前記窓層とＣｄＴｅ膜と前記ＣｄＣｌ₂およびＣｕ
Ｃｌ₂の混合物の膜とに分離部を形成した後、３５０〜
５５０℃で熱処理するものである。

【００１５】

【作用】上記第１の目的を達成するための本発明の太陽
電池の製造法の第１と第２の手段により、ＣｄＳ膜の表
面にＣｄＦ₂を除くＣｄＣｌ₂などのＣｄのハロゲン化
合物、またはＬｉＦを除くＬｉＣｌなどのＬｉのハロゲ
ン化合物の膜を形成し、そのハロゲン化合物の融点の上
下５０℃の温度領域で熱処理してＣｄＳ膜へ前記ハロゲ
ン化合物を拡散させた後、速かに７００℃で熱処理して
表面に残存する前記ハロゲン化合物を系外に排出するこ
とにより、Ｌｉ原子が拡散することによってドナーとな
ることによるＣｄＳ膜の低抵抗化と、Ｃｌの溶解作用に
よる再結晶過程で膜厚方向に偏平で大きなグレンを形成
させることができ、その結果グレンバンダリの表面積が
減少するとともに、その後ＣｄＴｅ膜形成、焼成時にお
けるＣｄＳとＣｄＴｅとの相互拡散が抑制され、吸収係
数が大きく少数キャリヤーのライフタイムの極めて短い
ＣｄＴｅ_1-YＳ_Y膜（但し０＜Ｙ＜１）の形成が抑制さ
れるため、従来ＣｄＳ膜が十分厚い場合には感度がなか
った５２０ｎｍ以下の波長の光にも光感度を持つため出
力電流を増大できることとなり、またグレンバンダリ表
面積の減少により出力電圧も増大させることとなる。

【００１６】また、ＣｄＦ₂およびＬｉＦは７００℃に
おいて適当な蒸発速度とＣｄＳ膜内への拡散速度を併せ
もつため、ＣｄＳ膜内部への拡散と系外への蒸発を自動
的に抑制でき、７００℃の熱処理のみで膜厚方向に偏平
な大きなグレンの形成ができるため、同様に出力電流・
電圧とも増大できることとなる。さらにＣｄＳ膜の低抵
抗化により太陽電池の内部抵抗も減少できることとな
る。

【００１７】また、ＣｄＳ膜またはＣｄ_1-XＺｎ_XＳ膜
を窓層とした場合にも同様に、窓層形成後ＬｉＣｌなど
のＬｉのハロゲン化合物の膜を形成し、前記Ｌｉのハロ
ゲン化合物の融点以上の温度で熱処理することによって
上記と同様の作用が起ることとなる。

【００１８】さらにまた、上記第２の目的を達成するた
めの本発明の太陽電池の製造法は、ＣｄＴｅ膜を形成し
た後ＣｄＣｌ₂膜を形成し、その後、レーザスクライブ
により両膜を同時にスクライブすることによって、分離
部近傍への飛散物の付着を防止することが可能となり、
さらにはその後、ＣｄＣｌ₂膜の融点以上の温度で熱処
理することで、ＣｄＣｌ₂膜は消滅し、再結晶過程によ
るＣｄＳ膜の熱的ダメージの除去が可能となり、グレン
サイズが増大し、電流・電圧特性が改善されることとな
る。また、ＣｄＴｅ膜を形成後ＣｄＣｌ₂または、Ｃｄ
Ｃｌ₂およびＣｕＣｌ₂の膜を形成し、その後、レーザ
スクライブによりそれぞれ両膜を同時にスクライブする
ことと、その後熱処理することによって、ＣｄＣｌ₂ま
たはＣｄＣｌ₂およびＣｕＣｌ₂の膜は消滅し、全く同
様にＣｄＴｅ膜の熱的ダメージの除去と飛散物の付着防
止が可能となり、電流・電圧特性が改善されることとな
る。

【００１９】この太陽電池の製造法による作用は、後述
の実施例における量子効率（Ｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉ
ｃｉｅｎｃｙ（以後ＱＥと表す））およびＡｉｒＭａ
ｓｓ（以後ＡＭと表す）１.5 １００mW／cm²下におけ
る電流電圧特性測定結果から明らかなように、ＣｄＳ膜
の薄膜化により、全体の光感度の増大と光感度領域の拡
大を開放電圧の低下を伴わずに行うために有効なものと
なる。

【００２０】

【実施例】以下本発明の実施例の太陽電池の製造法につ
いて図面を参照して説明する。

【００２１】（実施例１）ＣｄＳ焼結ターゲットを用
い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ分圧；５
×１０^-3Torr、基板加熱温度３００℃にて、ガラス基板
１０（コーニング＃７０５９）上に、酸化第２錫（Ｓｎ
Ｏ₂）膜１１（４５００Å）を成膜したＳｎＯ₂基板１
上にＣｄＳ薄膜２を１０００Å堆積した後、抵抗加熱真
空蒸着法にて、ＣｄＣｌ₂膜３を１０００Å蒸着し、図
１に示す構造にした後、大気圧アルゴン（Ａｒ）雰囲気
中で６００℃まで昇温し１時間熱処理を行い、そのまま
７００℃まで昇温してさらに１時間熱処理を行った。

【００２２】その後スクリーン印刷法で、Ｃｄ、Ｔｅ、
プロピレングリコールなどよりなるＣｄＴｅペーストを
印刷し、乾燥した後６５０℃で焼成を行い、ＣｄＴｅ膜
４を形成した。その後、同様な塗布・乾燥・焼結プロセ
スにて、順次、Ｃ膜５、銀インジウム（ＡｇＩｎ）膜
６、および銀（Ａｇ）膜７をスクリーン印刷法で形成し
て図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００２３】（実施例２）ＣｄＳ焼結ターゲットを用
い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ分圧；５
×１０³Torr 、基板加熱温度３００℃にて、ＳｎＯ₂基
板１上にＣｄＳ薄膜２を１０００Å堆積した後、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＬｉＣｌ膜３ａを１０００Å蒸着
し、図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で６
５０℃まで昇温し１時間熱処理を行い、そのまま７００
℃まで昇温してさらに１時間熱処理を行った。

【００２４】その後スクリーン印刷法で、Ｃｄ、Ｔｅ、
プロピレングリコールなどよりなるＣｄＴｅペーストを
印刷し、乾燥した後６５０℃で焼成を行い、ＣｄＴｅ膜
４を形成した。その後、同様な塗布・乾燥・焼結プロセ
スにて、順次、Ｃ膜５、ＡｇＩｎ膜６、およびＡｇ膜７
をスクリーン印刷法で形成して図２に示す構造の太陽電
池を作製した。

【００２５】（実施例３）ＣｄＳ焼結ターゲットを用
い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ分圧；５
×１０³Torr 、基板加熱温度３００℃にて、ＳｎＯ₂基
板１上にＣｄＳ薄膜２を１０００Å堆積した後、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＣｄＦ₂膜３ｂを１０００Å蒸着
し、図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で７
００℃まで昇温して１時間熱処理を行った。

【００２６】その後スクリーン印刷法で、Ｃｄ、Ｔｅ、
プロピレングリコールなどよりなるＣｄＴｅペーストを
印刷し、乾燥した後６５０℃で焼成を行い、ＣｄＴｅ膜
４を形成した。その後、同様な塗布・乾燥・焼結プロセ
スにて、順次、Ｃ膜５、ＡｇＩｎ膜６、およびＡｇ膜７
をスクリーン印刷法で形成して図２に示す構造の太陽電
池を作製した。

【００２７】（実施例４）ＣｄＳ焼結ターゲットを用
い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ分圧；５
×１０³Torr 、基板加熱温度３００℃にて、ＳｎＯ₂基
板１上にＣｄＳ薄膜２を１０００Å堆積した後、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＬｉＦ膜３ｃを１０００Å蒸着し、
図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で、７０
０℃まで昇温して１時間熱処理を行った。

【００２８】その後スクリーン印刷法で、Ｃｄ、Ｔｅ、
プロピレングリコールなどよりなるＣｄＴｅペーストを
印刷し乾燥した後６５０℃で焼成を行い、ＣｄＴｅ膜４
を形成した。その後、同様な塗布・乾燥・焼結プロセス
にて、順次、Ｃ膜５、ＡｇＩｎ膜６、およびＡｇ膜７を
スクリーン印刷法で形成して図２に示す構造の太陽電池
を作製した。

【００２９】（実施例５）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、臭化カドミウム（ＣｄＢｒ₂）膜３
ｄを１０００Å蒸着して図１に示す構造にした後、大気
圧Ａｒ雰囲気中で６００℃まで昇温し１時間熱処理を行
い、そのまま７００℃まで昇温してさらに１時間熱処理
を行った。以後実施例１と全く同様の方法により図２に
示す構造の太陽電池を作製した。

【００３０】（実施例６）実施例２と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）膜３ｅを
１０００Å蒸着して図１に示す構造にした後、大気圧Ａ
ｒ雰囲気中で５９０℃まで昇温し、１時間熱処理を行
い、そのまま７００℃まで昇温してさらに１時間熱処理
を行った。以後実施例１と全く同様の方法により図２に
示す構造の太陽電池を作製した。

【００３１】（比較例１）ＣｄＳ粉末およびプロピレン
グリコールなどよりなるＣｄＳペーストを用いてスクリ
ーン印刷法にて、塗布・乾燥・焼結プロセスにより２０
〜３０μｍのＣｄＳ膜２をガラス（コーニング＃７０５
９）基板１００上に形成した後、実施例１と全く同様に
して図４に示す構造の太陽電池を作製した。

【００３２】（比較例２）実施例１と同様に、基板１上
にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積後、熱処理を行わずに、
実施例１と全く同様にしてＣｄＴｅ膜４などを形成して
図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００３３】（比較例３）実施例１と同様に、基板１上
にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積した後、大気圧Ａｒ雰囲
気中で６５０℃１時間熱処理を行い、以後実施例１と全
く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作製し
た。

【００３４】（比較例４）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＣｄＣｌ₂膜３を１０００Å蒸着し
て図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で５０
０℃まで昇温し１時間熱処理を行い、そのまま７００℃
まで昇温してさらに１時間熱処理を行った。以後実施例
１と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を
作製した。

【００３５】（比較例５）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＣｄＣｌ₂膜３を１０００Å蒸着し
て図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で７０
０℃まで昇温して１時間熱処理を行った。以後実施例１
と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作
製した。

【００３６】（比較例６）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＬｉＣｌ膜３ａを１０００Å蒸着し
て図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で５０
０℃まで昇温し１時間熱処理を行い、そのまま７００℃
まで昇温してさらに１時間熱処理を行った。以後実施例
１と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を
作製した。

【００３７】（比較例７）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＬｉＣｌ膜３ａを１０００Å蒸着し
て図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で７０
０℃まで昇温して１時間熱処理を行った。以後実施例１
と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作
製した。

【００３８】（比較例８）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＣｄＦ₂膜３ｂを１０００Å蒸着し
て図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で６０
０℃まで昇温して１時間熱処理を行った。以後実施例１
と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作
製した。

【００３９】（比較例９）実施例１と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗加
熱真空蒸着法にて、ＬｉＦ膜３ｃを１０００Å蒸着して
図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で６００
℃まで昇温して１時間熱処理を行った。以後実施例１と
全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作製
した。

【００４０】本発明の第１の目的を達成するための第１
の手段の効果を確認するために、まず、実施例１〜６お
よび比較例２〜９で作製した図２に示す構造の太陽電池
および図４に示す比較例１の従来のスクリーン印刷法で
作製した太陽電池のＱＥ特性とＡＭ１.5 １００mW／
cm²下での短絡電流密度と開放電圧の比較評価を行っ
た。その全結果を（表１）に、代表的な実施例１、比較
例１、および比較例２のＱＥ特性を図３にそれぞれ示
す。

【００４１】

【表１】

【００４２】この結果より明らかなように、比較例１で
は、高い開放電圧の値を持つが、ＣｄＳ膜が厚いため、
短波長域でのＱＥ特性が悪いため短絡電流密度が低い。
また比較例２と３は熱エネルギまたは促進材料の欠如に
よりグレン成長が促進されず、比較例４〜７はＣｄＳ膜
内に十分拡散する前に表面から蒸発によりグレン成長を
促進する材料が消失するために、いずれもＣｄＳ膜のグ
レンサイズが非常に小さいためＣｄＴｅ膜焼結時にＣｄ
Ｓとの相互拡散が著しくＣｄＳ膜がほとんど消失し、セ
ルが短絡状態になってしまった。比較例８および９で
は、熱エネルギが小さすぎて、熱処理後も拡散は不十分
で、まだ表面にＣｄＦ₂またはＬｉＦが大量に存在しＣ
ｄＴｅ材料との反応性が高く、熱処理によりＣｄＳとＣ
ｄＴｅ材料との混晶層が形成されてしまい、そのフィル
タ効果でＱＥ特性および電流電圧特性が低下してしまっ
た。

【００４３】しかしながら、本発明の実施例１〜６（第
１の目的を達成するための第１の手段）により作製され
た太陽電池は良好なＱＥ特性と短絡電流、開放電圧を持
つことが明らかとなった。

【００４４】さらに、上記実施例では吸収層としてＣｄ
Ｔｅを用いたが、他のＣｕＩｎＳｅ ₂などの半導体材料
を用いても同様の効果が得られることも確認した。また
ここでは窓層の形成法としてスパッタ法についてのみ述
べたが、他の溶液へのディッピング法、蒸着法などでも
同様の効果があることも確認した。

【００４５】またここでは、吸収層の作製法としては、
スクリーン印刷法についてのみ述べたが、他の電着法、
蒸着法、近接昇華法などで作製しても同様の効果がある
ことも確認した。

【００４６】（実施例７）ＣｄＳ焼結ターゲットを用
い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ分圧；５
×１０³Torr 、基板加熱温度３００℃にて、ガラス基板
１０（コーニング＃７０５９）／ＳｎＯ₂膜１１（４５
００Å）よりなるＳｎＯ₂基板１上にＣｄＳ薄膜２を１
０００Å堆積した後、抵抗加熱真空蒸着法にて、ＬｉＣ
ｌ膜３ａを１０００Å蒸着し図１に示す構造にした後、
大気圧Ａｒ雰囲気中で６５０℃、１時間熱処理を行っ
た。

【００４７】その後スクリーン印刷法で、Ｃｄ、Ｔｅ、
プロピレングリコールなどよりなるＣｄＴｅペーストを
印刷し、乾燥した後、６５０℃で焼成を行い、ＣｄＴｅ
膜４を形成した。その後同様な塗布・乾燥・焼結プロセ
スにて、順次、Ｃ膜５、ＡｇＩｎ膜６をスクリーン印刷
法で形成して図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００４８】（実施例８）実施例７と全く同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積後、重量比１／５０
のＬｉＣｌのメタノール溶液中に浸漬して、膜厚５００
０ÅのＬｉＣｌ膜３ａを形成して図１に示す構造にした
後、以後実施例１と全く同様に熱処理を行うとともに、
図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００４９】（実施例９）Ｃｄ_0.7Ｚｎ_0.3Ｓ焼結ター
ゲットを用い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａ
ｒ分圧；５×１０^-3Torr、基板加熱温度３００℃にて、
基板１上にＣｄ_0. ₇Ｚｎ_0.3Ｓ薄膜２１を３０００Å堆
積し、さらに、抵抗加熱真空蒸着法にて、ＬｉＣｌ膜３
ａを３０００Å蒸着し図１に示す構造にした後、実施例
１と全く同様に熱処理を行うとともに、以後図２に示す
構造の太陽電池を作製した。

【００５０】（実施例１０）実施例７と全く同様に、基
板１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗
加熱真空蒸着法にて、ＬｉＢｒ膜３ｅを１０００Å蒸着
して図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で６
５０℃、１時間熱処理を行い、以後実施例７と全く同様
の方法により図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００５１】（実施例１１）実施例９と全く同様に、基
板１上にＣｄ_0.7Ｚｎ_0.3Ｓ薄膜２１を３０００Å堆積
し、さらに、抵抗加熱真空蒸着法にて、ＬｉＢｒ膜３ｅ
を３０００Å蒸着して図１に示す構造にした後、大気圧
Ａｒ雰囲気中で６５０℃、１時間熱処理を行い、以後実
施例１と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電
池を作製した。

【００５２】（比較例１０）ＣｄＳ粉末およびプロピレ
ングリコールなどよりなるＣｄＳペーストを用いてスク
リーン印刷法にて、塗布・乾燥・焼結プロセスにより２
０〜３０μｍのＣｄＳ膜２をガラス（コーニング＃７０
５９）基板１００上に形成した後、実施例７と全く同様
にして図４に示す構造の太陽電池を作製した。

【００５３】（比較例１１）実施例７と同様に、基板１
上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積後、熱処理を行わず
に、実施例１と全く同様にしてＣｄＴｅ膜４などを形成
して図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００５４】（比較例１２）実施例７と同様に、基板１
上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積した後、大気圧Ａｒ雰
囲気中で６５０℃、１時間熱処理を行い、以後実施例７
と全く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作
製した。

【００５５】（比較例１３）実施例７と全く同様に、基
板１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、さらに、抵抗
加熱真空蒸着法にて、ＬｉＣｌ膜３ａを１０００Å蒸着
して図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中で５
００℃、１時間熱処理を行い、以後実施例７と全く同様
の方法により図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００５６】（比較例１４）基板１上に抵抗加熱真空蒸
着法にて、ＬｉＣｌ膜３ａを１０００Å蒸着し、さら
に、ＣｄＳ膜２を実施例７に示す方法により１０００Å
堆積させて図１に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気
中で６５０℃、１時間熱処理を行い、以後実施例７と全
く同様の方法により図２に示す構造の太陽電池を作製し
た。

【００５７】（比較例１５）実施例７に示す方法によ
り、基板１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積させた後、
抵抗加熱真空蒸着法にて、ＬｉＣｌ膜３ａを１０００Å
蒸着しその後さらに同一方法にてＣｄＳ膜２を５００Å
堆積させ図５に示す構造にした後、大気圧Ａｒ雰囲気中
で６５０℃、１時間熱処理を行い、実施例７と全く同様
の方法により図２に示す構造の太陽電池を作製した。

【００５８】本発明の第１の目的を達成するための第２
の手段の効果を確認するために、まず、実施例７〜１１
および比較例１１〜１５で作製した図２に示す構造の太
陽電池および図４に示す比較例１０の従来のスクリーン
印刷法で作製した太陽電池のＱＥ特性とＡＭ１.5 １
００mW／cm²での短絡電流密度、開放電圧、およびフィ
ルファクタの比較評価を行った。その全結果を（表２）
に、代表的な実施例７、比較例１０、および比較例１１
のＱＥ特性を図３にそれぞれ示す。

【００５９】

【表２】

【００６０】この結果より明らかなように、比較例１０
では、高い開放電圧値を持つが、ＣｄＳ膜が厚いため、
短波長域でのＱＥ特性が悪く短絡電流密度が悪い。また
比較例１１ではＣｄＳ膜のグレンサイズが非常に小さい
ためＣｄＴｅ膜焼結時にはＣｄＳとの相互拡散が激しく
ＣｄＳ膜がほとんど消失し、セルが短絡状態になってし
まった。比較例１２では、熱処理によりグレンサイズが
多少増大し、比較例１０に比べ短波長領域のＱＥ特性は
増大するが比較的厚い層が形成されたためにそのフィル
タ効果によって、全領域にわたってＱＥ特性が低下する
とともにグレンバンダリ表面積の増大により開放電圧が
低下した。比較例１３では、窓層の熱処理後においても
表面にＬｉＣｌが高濃度で存在するため、その後のＣｄ
Ｔｅ膜焼結時にＣｌの溶解力によりＣｄＳとＣｄＴｅ膜
との相互拡散が激しくなり、比較例１０に比べ、比較例
１２と同様の原因によって、ＱＥ特性、短絡電流、開放
電圧とも低下した。

【００６１】比較例１４では、ＣｄＳ膜より下部に存在
するＬｉＣｌ膜はグレーンサイズ増大作用が小さく、ま
た熱処理後の膜がポーラスとなり、裏面電極の侵入によ
りセルが短絡してしまった。比較例１５ではＣｄＳ膜が
グレンサイズの大きい下部層とポーラスでグレンサイズ
の小さい上部層の２層構造となりグレンバンダリの表面
積が増大し、ＱＥ特性、短絡電流密度、開放電圧とも低
下した。

【００６２】しかしながら、本発明よりなる実施例７〜
１１（第１の目的を達成するための第２の手段）により
作製された太陽電池は良好なＱＥ特性と短絡電流密度、
開放電圧およびフィルファクタを持つことが明らかとな
った。

【００６３】さらに、上記実施例では吸収層としてＣｄ
Ｔｅ膜を用いたが、他のＣｕＩｎＳｅ₂などの半導体材
料を用いても同様の効果が得られることも確認した。ま
たここでは窓層の形成法としてスパッタ法についてのみ
述べたが、他の溶液へのディッピング法、蒸着法などで
も同様の効果があることも確認した。

【００６４】またここでは、吸収層の作製法としては、
スクリーン印刷法についてのみ述べたが、他の電着法、
蒸着法、近接昇華法などで作製しても同様の効果がある
ことも確認した。

【００６５】（実施例１２）ＣｄＳ焼結ターゲットを用
い、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒ分圧；５
×１０³Torr 、基板加熱温度３００℃にて、ガラス１０
（コーニング＃７０５９）／ＳｎＯ₂膜１１（４５００
Å）よりなる基板１上にＣｄＳ薄膜２を１０００Å堆積
した後、抵抗加熱真空蒸着法にて、ＣｄＣｌ₂膜３を１
０００Å蒸着し図１の構造にした後、ＱスイッチつきＮ
ｄ：ＹＡＧレーザを用いて、テーブル移動速度：５０mm
／sec 、平均出力：０.5Ｗ、繰り返し周波数数：１kHz
にてＳｎＯ₂膜１１、ＣｄＳ膜２、およびＣｄＣｌ₂膜
３とを同時にレーザスクライブして、大気圧Ａｒ雰囲気
中で６００℃、１時間熱処理を行った。その後スクリー
ン印刷法で、Ｃｄ、Ｔｅ、プロピレングリコールなどよ
りなるＣｄＴｅペーストを印刷した後乾燥し、その後６
５０℃で焼成を行いＣｄＴｅ膜４を形成し、同様な塗布
・乾燥・焼結プロセスにて、順次、Ｃ膜５、ＡｇＩｎ膜
６をスクリーン印刷法で形成して図６に示す構造の太陽
電池を作製した。

【００６６】（実施例１３）実施例１２と全く同様に、
ＣｄＳ膜２およびＣｄＣｌ₂膜３を形成し、同様にレー
ザスクライブを行った後、大気圧Ｈ₂／Ａｒ混合ガス
（Ｈ₂５％）中で６００℃、１時間熱処理を行い、その
後全く同様にして、図６に示す構造の太陽電池を作製し
た。

【００６７】（実施例１４）実施例１２と全く同様に、
ＳｎＯ₂膜１１、ＣｄＳ膜２、およびＣｄＣｌ₂膜３を
同時にレーザスクライブした後熱処理を行い、その後、
ＣｄＴｅ焼結ターゲットを用いてＲＦマグネトロンスパ
ッタ法で、基板温度：３００℃ＲＦパワ：１.5kWの条件
にてＣｄＴｅ膜４を２μｍ堆積した後、ＣｄＣｌ₂膜３
を１０００Å蒸着して図７に示す構造にした後、平均出
力を０.1Ｗに変更することを除いて、実施例１２と同じ
条件でＣｄＴｅ膜４およびＣｄＣｌ₂膜３だけの選択レ
ーザスクライブを行い、その後、６００℃、Ａｒ雰囲気
中で１時間熱処理を行って、以後実施例１２と全く同様
に図６に示す構造の太陽電池を作製した。

【００６８】（実施例１５）実施例１４と全く同様にＣ
ｄＴｅ膜４まで分離を行った後、大気圧Ｈ₂／Ａｒ混合
ガス（Ｈ₂５％）中で６００℃、１時間熱処理を行い、
以後全く同様に図６に示す構造の太陽電池を作製した。

【００６９】（実施例１６）ＣｄＴｅ膜４形成まで、実
施例１４と全く同様に処理を行い、その後ＣｄＣｌ ₂膜
３１を１０００Å、ＣｕＣｌ₂膜３２を１０００Å蒸着
して図８に示す構造にした後、実施例１４と同じ条件で
ＣｄＴｅ膜４、ＣｄＣｌ₂膜３１、およびＣｕＣｌ₂膜
３２だけの選択レーザスクライブを行い、その後４５０
℃、Ｏ₂／Ａｒ（Ｏ₂５％）中で２０分間熱処理を行っ
て、以後全く同様に図６に示す構造の太陽電池を作製し
た。

【００７０】（実施例１７）実施例１６と全く同様に、
ＣｄＴｅ膜４、ＣｄＣｌ₂膜３１、およびＣｕＣｌ ₂膜
３２だけの選択レーザスクライブまで行った後、４５０
℃、Ａｒ中で２０分間熱処理を行い、以後同様に図６に
示す構造の太陽電池を作製した。

【００７１】（実施例１８）実施例１４と全く同様に、
ＣｄＴｅ膜４を３μｍ堆積した後、ＣｄＣｌ₂とＣｕＣ
ｌ₂の混合した膜３３（モル比１：１）を抵抗加熱二元
蒸着法により２０００Å成膜して図７に示す構造にした
後、実施例１４と同じ条件でレーザスクライブを行い、
その後４５０℃、Ｏ₂／Ａｒ（Ｏ₂５％）中で２０分間
熱処理を行って、以後同様に図６に示す構造の太陽電池
を作製した。

【００７２】（比較例１６）ＣｄＳ粉末およびプロピレ
ングリコールなどよりなるＣｄＳペーストを用いてスク
リーン印刷法にて、塗布・乾燥・焼結プロセスにより膜
厚２０μｍのＣｄＳ膜２００をガラス（コーニング＃７
０５９）基板１００上に形成した後、ＣｄＴｅ膜４００
も全く同様に形成し、以後実施例１２と同様に、Ｃ膜５
００、およびＡｇＩｎ膜６００をそれぞれ形成し、図９
に示す構造の太陽電池を作製した。

【００７３】（比較例１７）実施例１２と同様に、スパ
ッタ法で基板１上にＣｄＳ膜２を１０００Å堆積し、そ
の後実施例１２と同様に、ＳｎＯ₂膜１１およびＣｄＳ
膜２を同時にレーザスクライブし、大気圧Ａｒ雰囲気中
で６００℃、１時間熱処理を行った。

【００７４】以後、全く同様に、図６に示す構造の太陽
電池を作製した。（比較例１８）実施例１２と全く同様に、基板１上にＣ
ｄＳ膜２およびＣｄＣｌ₂膜３をそれぞれ１０００Å堆
積し、実施例１２に示す条件でＳｎＯ₂膜１１、ＣｄＳ
膜２およびＣｄＣｌ₂膜３を同時にレーザスクライブし
た。

【００７５】その後、大気圧Ａｒ雰囲気中で５００℃、
１時間熱処理を行った。以下、実施例１２と同様に図６
に示す構造の太陽電池を作製した。

【００７６】（比較例１９）実施例１２と同様に、基板
１上にＣｄＳ膜２およびＣｄＣｌ₂膜３をそれぞれ１０
００Å堆積し、実施例１２に示す条件でレーザスクライ
ブを行った。

【００７７】その後大気中で６００℃、１時間熱処理を
行い、以後実施例１２と同様に図６に示す構造の太陽電
池を作製した。

【００７８】（比較例２０）実施例１４と全く同様にＳ
ｎＯ₂膜１１およびＣｄＳ膜２を分離し、ＣｄＴｅ膜４
を形成した後、同じ条件でレーザスクライブを行い、そ
の後６００℃、Ａｒ雰囲気中で１時間熱処理を行って、
以後実施例１２と全く同様に図６に示す構造の太陽電池
を作製した。

【００７９】（比較例２１）実施例１４と全く同様にし
てＣｄＴｅ膜４をレーザスクライブし、熱処理温度のみ
を３００℃にして、以後も全く同様にして、図６に示す
構造の太陽電池を作製した。

【００８０】（比較例２２）実施例１４と全く同様に、
ＣｄＳ膜２およびＣｄＴｅ膜４をレーザスクライブした
後、雰囲気のみをＨ₂／Ａｒ（Ｈ₂５％）にして、熱処
理を行った。

【００８１】本発明の第２の目的を達成するための手段
の効果を確認するために、まず、図６に示す構造の太陽
電池を構成する各膜の成膜とパターニングを従来のスク
リーン印刷法で実施した場合と実施例１２〜１８で作製
した場合の分離部近傍のダメージを評価するために低照
度（蛍光灯２００Ｌｘ）における開放電圧を相対評価し
た。またさらに、ＣｄＳまたはＣｄＴｅ膜の分離幅とグ
レンの増大効果を比較するために、ＡＭ１.5 １００
mW／cm²、２５℃での短絡電流を相対評価した。それら
の結果を（表３）に示す。

【００８２】

【表３】

【００８３】（表３）から明らかなように、本発明の第
２の目的を達成するための手段よりなる実施例１２，１
３により作製された太陽電池は分離部近傍も良好な接合
特性を保っていることが明らかとなった。

【００８４】さらに、同じく実施例１４〜１８は、同様
に分離部近傍にダメージが入らないことに加えて、分離
幅が狭くなり、短絡電流も増大することがわかった。

【００８５】しかるに、比較例１６では分離幅が大き
く、短絡電流が低いということ、比較例１７〜２２で
は、分離部近傍への熱的ダメージが回復しきれないとい
うことがわかった。

【００８６】

【発明の効果】以上の実施例の説明で明らかなように、
本発明の太陽電池の製造法によれば、ＣｄＳ膜またはＣ
ｄ_1-XＺｎ_XＳのグレンサイズを増大したことにより、
幅広い波長領域で高い光感度を持つとともに大きな開放
電圧を持つ太陽電池の作製が可能となった。また、膜に
ダメージを与えずに微細な幅の分離部を形成することが
可能になったため、大きい有効発電面積率をもち、高い
実効変換効率をもつ太陽電池の作製が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜１８および比較例４〜９，
１３，１４，１８〜２２の太陽電池の製造法で作製した
太陽電池の熱処理前の窓層の縦断面図

【図２】本発明の実施例１〜１１と比較例２〜９，１１
〜１５の太陽電池の製造法で製作した太陽電池の縦断面
図

【図３】本発明の実施例１，７と比較例１，１０と比較
例２，１１の太陽電池の製造法で製作した太陽電池のＱ
Ｅ特性を示すグラフ

【図４】比較例１，１０の太陽電池の製造法で作製した
従来構造の太陽電池の縦断面図

【図５】比較例１５の太陽電池の製造法で作製した太陽
電池の窓層の縦断面図

【図６】本発明の実施例１２〜１８および比較例１７〜
２２の太陽電池の製造法で作製した太陽電池の縦断面図

【図７】本発明の実施例１４，１５，１８と比較例２
１，２２の太陽電池の製造法で作製した太陽電池のＣｄ
Ｔｅ膜レーザスクライブ前の積層膜の縦断面図

【図８】本発明の実施例１６，１７の太陽電池の製造法
で作製した太陽電池のＣｄＴｅ膜レーザスクライブ前の
積層膜の縦断面図

【図９】比較例１６の太陽電池の製造法で作製した従来
法による太陽電池の縦断面図

【符号の説明】

１ＳｎＯ₂基板２，２１ＣｄＳ膜３ＣｄＣｌ₂膜３ａＬｉＣｌ膜３ｂＣｄＦ₂膜３ｃＬｉＦ膜３ｄＣｄＢｒ₂膜３ｅＬｉＢｒ膜４ＣｄＴｅ膜５Ｃ膜６ＡｇＩｎ膜７Ａｇ膜１０ガラス（コーニング＃７０５９）基板１１ＳｎＯ₂膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者有田孝大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者室園幹夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層を
備えた太陽電池において、前記窓層形成後ふっ化カドミ
ウム（ＣｄＦ₂）を除くカドミウム（Ｃｄ）のハロゲン
化合物の膜を形成し、その融点の上下５０℃の温度領域
で、熱処理した後引続き７００℃で熱処理を行い、その
後吸収層を形成する太陽電池の製造法。
【請求項２】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層を
備えた太陽電池において、前記窓層形成後ふっ化リチウ
ム（ＬｉＦ）を除くリチウム（Ｌｉ）のハロゲン化合物
の膜を形成し、その融点の上下５０℃の温度領域で、熱
処理した後引続き７００℃で熱処理を行い、その後吸収
層を形成する太陽電池の製造法。
【請求項３】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層を
備えた太陽電池において、前記窓層形成後ふっ化カドミ
ウム（ＣｄＦ₂）膜を形成した後７００℃で熱処理を行
い、その後吸収層を形成する太陽電池の製造法。
【請求項４】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層を
備えた太陽電池において、前記窓層形成後ふっ化リチウ
ム（ＬｉＦ）膜を形成した後７００℃で熱処理を行い、
その後吸収層を形成する太陽電池の製造法。
【請求項５】Ｃｄのハロゲン化合物が塩化カドミウム
（ＣｄＣＬ₂）である請求項１記載の太陽電池の製造
法。
【請求項６】Ｌｉのハロゲン化合物が塩化リチウム（Ｌ
ｉＣｌ）である請求項２記載の太陽電池の製造法。
【請求項７】吸収層がカドミテルル（ＣｄＴｅ）膜であ
る請求項１ないし６のいづれかに記載の太陽電池の製造
法。
【請求項８】窓層およびＣｄまたはＬｉのハロゲン化合
物の少くとも一方の膜を真空成膜法で形成する請求項１
ないし６のいづれかに記載の太陽電池の製造法。
【請求項９】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層を
備えた太陽電池において、前記窓層形成後Ｌｉのハロゲ
ン化合物の膜を形成し、前記Ｌｉハロゲン化合物の融点
以上の温度で熱処理した後、吸収層を形成する太陽電池
の製造法。
【請求項１０】透光性基板上に少くともＣｄ_1-XＺｎ_X
Ｓ（但し０＜Ｘ＜１）膜を備えた太陽電池において、前
記窓層形成後Ｌｉのハロゲン化合物の膜を形成し、前記
Ｌｉのハロゲン化合物の融点以上の温度で熱処理した
後、吸収層を形成する太陽電池の製造法。
【請求項１１】Ｌｉのハロゲン化合物がＬｉＣｌである
請求項９または１０記載の太陽電池の製造法。
【請求項１２】吸収層がＣｄＴｅ膜である請求項９また
は１０記載の太陽電池の製造法。
【請求項１３】窓層およびＬｉのハロゲン化合物の膜の
いづれか一方を真空成膜法で形成する請求項９ないし１
２のいづれかに記載の太陽電池の製造法。
【請求項１４】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層
を備え、同一基板上で直列接続するために、前記窓層に
分離部を持つ太陽電池において、前記窓層形成後ＣｄＣ
ｌ₂膜を形成し、その後レーザスクライブして前記窓層
とＣｄＣｌ₂膜とに分離部を形成した後、５５０〜７０
０℃で熱処理してから吸収層を形成する太陽電池の製造
法。
【請求項１５】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層
と、吸収層としてＣｄＴｅ膜とを備え、同一基板上で直
列接続するために、前記窓層とＣｄＴｅ膜とに分離部を
持つ太陽電池において、前記窓層とＣｄＴｅ膜を形成
し、その後ＣｄＣｌ₂膜を形成し、その後レーザスクラ
イブして前記窓層とＣｄＴｅ膜および前記ＣｄＣｌ₂膜
とに分離部を形成した後、５５０〜７００℃で熱処理す
る太陽電池の製造法。
【請求項１６】透光性基板上に少くともＣｄＳ膜の窓層
と、吸収層としてＣｄＴｅ膜とを備え、同一基板上で、
直列接続するために、前記窓層と、ＣｄＴｅ膜とに分離
部を持つ太陽電池において、前記窓層とＣｄＴｅ膜とを
形成し、その後ＣｄＣｌ₂および二塩化銅（ＣｕＣ
ｌ₂）の混合物の膜を形成し、その後レーザスクライブ
して前記窓層とＣｄＴｅ膜と前記ＣｄＣｌ₂およびＣｕ
Ｃｌ₂の混合物の膜とに分離部を形成した後、３５０〜
５５０℃で熱処理する太陽電池の製造法。
【請求項１７】熱処理雰囲気が還元性ガスまたは不活性
ガス雰囲気である請求項１４または１５記載の太陽電池
の製造法。
【請求項１８】熱処理雰囲気が不活性ガスまたは酸化性
ガス雰囲気である請求項１６記載の太陽電池の製造法。