KR100936487B1 - ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 제조 방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 206
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N antimony telluride Chemical compound [SbH3+3].[SbH3+3].[TeH2-2].[TeH2-2].[TeH2-2] MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims 1
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 4
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 abstract 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 87
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 53
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- DDJAGKOCVFYQOV-UHFFFAOYSA-N tellanylideneantimony Chemical compound [Te]=[Sb] DDJAGKOCVFYQOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
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Abstract
본 발명은 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법에 관한 것으로, 자속을 비평형하게 발생하는 비평형 마그네트론을 갖는 복수의 스퍼터링 챔버와 열처리를 위한 열처리 챔버가 구비된 인라인 또는 클러스터 시스템에서의 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 투명 도전 산화 박막을 증착하는 단계와, 상기 투명 도전 산화 박막 상에 CdS 박막을 증착하는 단계와, 상기 CdS 박막 상에 CdTe 박막을 증착하는 단계와, 상기 열처리 챔버에서 상기 CdTe 박막을 CdCl2로 처리하는 단계를 포함하고, 상기 투명 도전 산화 박막, 상기 CdS 박막 및 상기 CdTe 박막의 증착은 각 타켓에 중첩된 RF 전원과 DC 전원을 공급하여 발생하는 스퍼터링을 이용하여 증착됨으로써, 대면적의 CdS/CdTe 박막 태양전지의 생산성을 높일 수 있으며, 낮은 공정온도에서 치밀한 박막을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법에 관한 것으로, 특히 인라인 또는 클러스터 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 기술을 이용한 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
태양광으로부터 직접 에너지를 얻어낼 수 있는 태양전지기술은 화석연료사용을 대체할 수 있는 유망한 기술이 되었다. 태양전지재료로 가장 널리 사용되고 있는 실리콘은 잉곳 성장과 슬라이싱 공정에 기인한 높은 제조단가가 문제시되고 있다.
태양전지를 생산하기 위해 사용되는 다른 재료로는 CdTe(cadmium telluride)와 CIGS(copper indium gallium selenide) 등이 있다. 이들 재료들은 박막 형태로 사용되고 제조 단가가 상대적으로 낮은 장점이 있을 뿐만 아니라 비교적 높은 에너지 변환 효율을 얻을 수 있기 때문에, 이들 재료들은 차세대 태양전지 기술개발에 매우 중요한 자리를 차지하게 되었다.
한편, CdTe 박막 태양전지를 생산하기 위해 여러 가지 기술이 시도되어 왔는 데 예를 들면 TCO(transparent conductive oxide) 박막 형성에는 CVD(chemical vapor deposition) 방법, CdS(cadmium sulfide) 박막 형성에는 CSS(closed space sublimation) 또는 CBD(chemical bath deposition) 방법, CdTe(cadmium telluride) 박막 형성에는 CSS 또는 VTD(vapor transport deposition) 방법, 그리고 후면 전극(back contact)형성에는 스퍼터링(sputtering) 이나 스크린 프린팅(screen printing) 방법이 사용되고 있다. CdS와 CdTe박막을 형성하기 위한 기술로는 CSS, VTD, 열 증착(thermal evaporation), e-beam 증착, 스퍼터링 등이 사용되었고 이중 CSS와 VTD 만이 대면적 CdTe 박막을 올리는데 성공적으로 채택되었다.
이러한 방법들을 이용하여 CdS/CdTe 박막 태양전지를 생산하는 경우의 문제점은 필요한 박막들을 형성하는데 있어서 너무 많은 다른 기술들이 요구된다는 것이다. 따라서 이러한 복잡한 생산과정은 높은 제조단가와 낮은 생산성을 가져오게 된다. 또한 CdTe 막을 형성하기 위해 사용되는 CSS와 VTD 방법은 비교적 높은 공정 온도(>500oC)를 필요로 하는데 이는 SnO2:F (fluorine-doped tin oxide)보다 높은 가시광 투과율로 태양전지에 더 적합한 것으로 알려진 ZnO:Al(aluminum-doped zinc oxide)나 ITO(indium tin oxide)등의 TCO 박막에 손상을 줄 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 대면적화에 따른 생산성 향상 및 낮은 공정온도에서의 제조가 가능한 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 자속을 비평형하게 발생하는 비평형 마그네트론을 갖는 복수의 스퍼터링 챔버와 열처리를 위한 열처리 챔버가 구비된 인라인 또는 클러스터 시스템에서의 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조하는 방법은, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 투명 도전 산화 박막을 증착하는 단계와, 상기 투명 도전 산화 박막 상에 CdS 박막을 증착하는 단계와, 상기 CdS 박막 상에 CdTe 박막을 증착하는 단계와, 상기 열처리 챔버에서 상기 CdTe 박막을 CdCl2로 처리하는 단계를 포함하고, 상기 투명 도전 산화 박막, 상기 CdS 박막 및 상기 CdTe 박막의 증착은 각 타켓에 RF 전원과 DC 전원을 중첩한 RF/DC 전원을 공급하여 발생하는 스퍼터링을 이용하여 증착된다.
한편, 상기 CdCl2로 처리된 상기 CdTe 박막 상에 후면 전극 박막을 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 후면 전극 박막의 증착은 후면 전극용 타켓에 RF 전원과 DC 전원을 중첩한 RF/DC 전원을 공급하여 발생하는 스퍼터링을 이용하여 증착된다.
상기 중첩된 RF/DC 전원은 매칭 박스를 통해 상기 타켓에 공급되는 것이 바 람직하다.
상기 DC 전원은 펄스적인 DC 전원인 것이 바람직하다.
상기 중첩된 RF/DC 전원에서 상기 RF전원의 전력비는 20% 내지 50%인 것이 바람직하다.
상기 CdTe 박막을 증착하는 상기 복수의 스퍼터링 챔버의 어느 하나에는 복수의 CdTe 타켓이 구비되어 있는 것이 바람직하다.
상기 CdTe 박막의 증착은 상기 복수의 스퍼터링 챔버의 어느 하나에서 상기 기판의 이송 중에도 상기 CdS 박막 상에 증착되는 것이 바람직하다.
상기 복수의 CdTe 타켓은 공정 진행 중에 회전하는 것이 바람직하다.
상기 투명 도전 산화 박막, 상기 CdS 박막, 상기 CdTe 박막 및 상기 후면 전극 박막의 증착에 이용되는 타켓은 상기 기판의 세로길이 이상의 길이를 갖는 막대형 타켓인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 인라인 또는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조함으로써, 대면적화에 따른 생산성을 향상시켜 제조원가를 줄일 수 있으며, 또한 공정온도가 낮아 제조시의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 마그네트론에 중첩된 RF/DC 전원을 공급하여 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조함으로써, 비교적 낮은 증착 온도와 높은 증착율을 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 비평형 마그네트론 방식을 적용함으로써, 스퍼터링시 플라즈마를 향상시켜 이온 전류 밀도를 증가시킴으로써 아주 치밀하고 내부 스트레스가 적은 박막들을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 가장 두꺼운 CdTe 박막의 증착은 복수의 타켓을 이용함으로써, CdTe 박막 공정의 시간을 현격히 줄여 전체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판의 세로길이 이상의 길이를 갖는 막대형 타켓을 이용함으로써, 대면적에 적합한 고효율의 태양전지 박막들을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명에 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법을 첨부한 예시 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 CdS/CdTe 박막 태양전지를 도시한 도면이다.
본 발명의 일실시예에 따라 제조된 CdS/CdTe 박막 태양전지(100)은 투명 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 투명 도전 산화(TCO) 박막 층(120), TCO 박막 층(120) 상에 증착된 고저항(HR : High Resistivity) 박막 층(130), 고저항 박막 층(130) 상에 증착되어 N 형으로 이용되는 CdS 박막 층(140), CdS 박막 층(140) 상에 증착되어 P 형으로 이용되는 CdTe 박막 층(150), CdTe 박막 층(150) 상에 증착된 Te 박막 층(160), Te 박막 층(160) 상에 증착된 후면 전극 박막층(170)으로 이루어져 있다.
여기서 기판(110)은 SLG(soda lime glass)일 수 있다.
그리고 TCO 박막 층(120)은 낮은 저항성과 가시광선에서의 높은 투명성을 갖는 불소가 도핑된 산화 주석(SnO2:F)나 알루미늄이 도핑된 산화 아연(ZnO:Al)이나 인듐 주석 산화물(ITO : Indium Tin Oxide)로 형성된다.
고저항 박막 층(130)은 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3) 등으로 이루어진 산화 층이 바람직하다.
후면 전극 박막 층(170)은 P형 텔루르화 아연(p-ZnTe), 텔루르화 안티몬(Sb2Te3), 또는 텔루르화 구리(Cu1 .4Te)로 이루어지는 후면 접촉 박막 층(172) 및 후면 접촉 박막 층(172) 상에 증착된 몰리브덴(Mo), 금(Au), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 등의 금속 박막 층(174)으로 이루어진다. 이 경우 후면 접촉 박막 층(172)은 저장 접촉(ohmic contact)을 위해 증착되며, 금속 박막 층(174)은 후면 접촉 박막 층(172)에 저면적 저항을 부여하기 위해 증착된다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법을 위해 사용되는 인라인 마그네트론 스퍼터링 시스템을 도시한 도면이고, 도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법을 위해 사용되는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 시스템을 도시한 도면이다.
이 인라인 또는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 시스템(200)은 로드 락/버퍼 챔버(210), 스퍼터링 챔버 및 열처리 챔버로 이루어진 공정 챔버들(220), 그리고 언로드 락/버퍼 챔버(230)를 구비한다. 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지의 제조는 도 2a 또는 도 2b의 복수의 스퍼터링 챔버 및 열처리 챔버로 이루어진 공정 챔버들(220)에서 순차적으로 이루어진다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조하는 방법을 흐름도로 도시한 도면이다.
먼저, 본 발명에 따라 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조하기 위해 기판을 준비한다(S302). 즉, 도 2의 마그네트론 스퍼터링 시스템(200)의 로드 락/버퍼 챔버(210)로 기판(110)을 제공한다.
로드 락/버퍼 챔버(210)로 제공된 기판(110)은 공정 챔버들(220)의 스퍼터링 챔버로 안내되어 기판(110) 상에 TCO 박막 층(120)를 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착한다(S304). TCO 박막 층(120)은 낮은 저항성과 가시광선에서의 높은 투명성을 갖는 SnO2 :F, ZnO:Al이나 ITO(Indium Tin Oxide)으로 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우 TCO 박막 층(120)의 두께는 500~1000nm가 바람직하고, 공정 온도는 200~300oC가 바람직하다.
그리고 전단계(S304)에서 사용한 동일 또는 다른 스퍼터링 챔버에서 TCO 박막 층(120) 상에 고저항 박막 층(130)을 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착한다(S306). 이 경우 고저항 박막 층(130)으로는 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3) 등이 사용된다. 고저항 박막 층(130)의 두께는 30~150nm가 바람직하고, 공정온도는 200~300oC가 바람직하다. 그러나 이 고저항 박막 층(130)은 CdS/CdTe 박막 태양전지의 효율에 영향을 미치지 아니하는 경우라면 생략할 수 있다.
그리고 공정 챔버들(220)의 스퍼터링 챔버들의 하나에서 고저항 박막 층(130) 상에 CdS 박막 층(140)을 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착한다(S308). 이 경우 CdS 박막 층(140)의 두께는 50~200nm가 바람직하고, 공정온도는 100~300oC가 바람직하다.
그리고 공정 챔버들(220)의 스퍼터링 챔버들의 하나에서 CdS 박막 층(140) 상에 CdTe 박막 층(150)을 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착한다(S310). 이 경우 CdTe 박막 층(150)의 두께는 2~4㎛가 바람직하고, 공정온도 200~300oC가 바람직하다.
그리고 CdTe 박막 층(150)을 증착한 후, 공정 챔버들(220) 중의 하나인 열처리 챔버에서 CdTe 박막 층(150)을 CdCl2 증기에 노출시킨다(S312). 이 경우 CdCl2 증기에는 산소를 포함할 수 있으며, 공정 온도는 380~420oC가 바람직하고, 시간은 20~40분이 바람직하다. 그리고, 처리 중에 형성된 잔류 CdCl2을 CdTe 박막 층(150)으로부터 전부 증발시키기 위해, 열처리 챔버를 진공상태에서 수분간 높은 온도로 유지할 수 있다.
이러한 CdCl2 열처리를 수행한 후, CdTe 박막 층(150)까지 형성된 기판(110)은 다시 스퍼터링 챔버로 이동하고 CdTe 박막 층(150) 상에 마그네트론 스퍼터링에 의해 Te 박막 층(160)을 증착한다(S314). 이 경우 Te 박막 층(160)의 두께는 20~50nm가 바람직하고, 공정 온도는 150~300oC가 바람직하다. 통상 Te 박막 층은 습식 에칭(wet etching) 공정에 의해 형성되는 반면 본 발명에서는 다른 박막의 형성에 사용되는 동일한 스퍼터링 방법을 사용함으로써 공정이 보다 단순하여지고 생산성을 높일 수 있다. 그러나 이 Te 박막 층(160)은 CdS/CdTe 박막 태양전지의 효율에 영향을 미치지 아니하는 경우라면 생략할 수 있다.
그리고, 공정 챔버들(220)의 스퍼터링 챔버의 하나에서 Te 박막 층(160) 상에 후면 접촉 박막 층(172)을 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착한다(S316). 즉, Te 박막 층(160) 상에 p-ZnTe, Sb2Te3, 또는 Cu1 .4Te 박막을 공정 온도 150~300oC에서 두께 50~100nm로 형성한다.
마지막으로, 공정 챔버들(220)의 스퍼터링 챔버의 하나에서 후면 접촉 박막 층(172)에 저면적 저항을 부여하기 위해, 후면 접촉 박막 층(172) 상에 금속 박막 층(174)을 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착한다(S318). 이 경우 금속 박막 층(174)의 두께는 200~500nm가 바람직하고, 공정온도는 상온이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명은 기존의 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법과는 달리, 열처리를 제외한 모든 공정에 인라인 또는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 기술 한 가지만을 적용함으로써 생산성을 높일 수 있으며, 낮은 공정온도에서 치밀한 박막을 얻을 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 CdTe 스퍼터링 챔버의 예를 도시한 도면 이다.
CdTe 스퍼터링 챔버(400)는 두꺼운 CdTe 박막 층(150)을 형성하기 위해 4개의 CdTe 타켓(410)을 구비하고 있다. 즉, 다른 박막 층과 비교해 가장 두꺼운 CdTe 박막 층(150)을 증착하는 CdTe 스퍼터링 챔버(400)에는 복수의 CdTe 타켓(410)이 구비되어 있다. 따라서 CdTe 스퍼터링 챔버(400)는 CdS 박막 층(140) 상에 CdTe 박막 층(150)를 증착하는 경우 증착율을 N배로 증가시켜 CdTe 박막 공정 시간을 현격히 줄일 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다. 한편, 복수의 CdTe 타켓(410)은 재료 사용 비율을 극대화하기 위하여 공정 진행 중에 회전하는 것이 바람직하다.
또한, CdTe 스퍼터링 챔버(400)는 CdS 박막 층(140)까지 형성된 기판(110)이 CdTe 스퍼터링 챔버(400) 내부에서 이송되는 과정에서도 CdTe 박막 층(150)를 증착하도록 하여 생산성을 향상을 도모하고 있다.
또한, CdTe 스퍼터링 챔버(400)에서 이용되는 CdTe 타켓(410)는 막대형 타켓으로 이루어져 있다.
한편, 막대형 타켓은 TCO 박막 층(120), 고저항 박막 층(130), CdS 박막 층(140), CdTe 박막 층(150), Te 박막 층(160) 및 후면 전극 박막 층(170)을 형성하기 위해 이용될 수 있다. 이 경우 막대형 타켓은 대면적에 적합한 고효율의 균일한 박막들을 얻을 수 있도록 기판(110)의 세로길이 이상의 길이를 갖는 것이 바람직하다. 다만, TCO 박막 층(120)과 후면 전극 박막 층(170)의 증착시에는 막대형 타켓이 아닌 평면 타켓을 이용할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법을 위해 사용되는 RF/DC 전원 비평형 마그네트론 스퍼터링 챔버를 도시한 도면이다.
한편, 본 발명자들은 RF 전원이나 DC 전원 중 한 가지만 사용하는 대신 RF 전원과 DC 전원을 중첩하여 마그네트론에 공급함으로써, 비교적 낮은 증착 온도와 높은 증착율을 유지할 수 있음을 확인하였다.
즉, DC 전원을 이용함으로써 높은 공정 전압을 이용하여 높은 증착율을 얻을 수 있었으며, RF 전원을 이용하여 적당한 에너지의 이온을 기판에 충돌시킴으로써 더 치밀하고 더 양질의 박막을 성장시킬 수 있었다. 이 경우 DC 전원은 펄스적인 DC 전원도 포함한다.
이러한 RF/DC 전원 중첩 방식은 적당한 이온을 기판에 충돌시킴으로써 결정립 성장(grain growth)을 향상시키면서 또한 박막 성장 시에 비교적 높은 증착율을 유지할 수 있게 해준다.
한편, 본 발명자들은 일반적인 마그네트론 방식이 아닌 자속을 비평형하게 발생하는 비평형(unbalanced) 마그네트론 방식을 적용함으로써, 보다 많은 타켓 이온들이 기판에 도달하게 하여 치밀한 박막과 더 우수한 접착력을 얻을 수 있음을 확인하였다.
즉, 본 발명은 비평형 마그네트론 방식을 사용하여 스퍼터링 시 플라즈마를 향상시켜 이온 전류 밀도를 증가시킴으로 아주 치밀하고, 내부 스트레스가 적은 비기둥형(non-columnar) 박막 구조를 얻을 수 있게 해준다.
도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 적용되는 스퍼터링 챔버(500)는 진공조(510) 내에 고정 배치 또는 이동 가능하게 배치된 기판 홀더(520)에 지지되 는 기판(110)과 대향하여, 캐소드(530)가 마련되어 있다. 기판 홀더(520)의 배면에는 기판(110)의 온도를 제어하기 위한 히터 등의 가열수단(미도시됨)이 마련되어 있다.
그리고 캐소드(530)의 기판 측에는 타켓(532)이 고정되어 있고, 캐소드(530)의 배면에는 자기회로(540)가 마련되어 있다. 이 자기회로(540)는 자계를 발생시키기 위한 영구자석(542)과 이 영구자석(542)를 지지하는 베이스(544)를 포함한다.
이 영구자석(542)는 마그네트론 스퍼터링에서의 비평형 자계를 발생시키기 위한 것으로, N극과 S극의 자계강도가 다르다.
또한, 캐소드(530)에 공급되는 방전용 전원부(560)는 직류 전계를 인가하기 위한 DC 전원(552)과 이 직류 전계에 중첩될 수 있도록 고주파 전계를 인가하기 위한 RF 전원(554)을 포함한다.
이 중첩된 DC 전원(552)과 RF 전원(554)은 매칭 박스(560)를 통해 캐소드(530)에 전압을 공급한다. 한편, DC 전원(552)과 매칭 박스(560) 사이에는 DC 전원(552)에 고주파 전계의 유입을 방지하기 위한 RF 필터(562)가 개재되어 있다.
이 DC 전원(552)에는 350V 이하의 전원이 공급되고, 바람직하게는 펄스 파형을 갖는 펄스화된 DC 전원이 바람직하다. 이 경우 펄스 파형의 주파수는 5 내지 350KHz이다. 그리고 RF 전원(554)의 주파수는 4MHz 내지 40MHz이다.
한편, 도 5에서는 중첩된 DC 전원(552)과 RF 전원(554)을 캐소드(530)에 공급하고 있으나, 본 발명에서는 플라즈마를 생성하기 위해 중첩된 DC 전원(552)과 RF 전원(554)이 공급될 수 있는 구성을 넓은 의미로 마그네트론이라 한다.
그리고, 도 5의 스퍼터링 챔버를 이용하여 RF/(RF+DC) 전력비의 변화에 따른 방전 전압, 스퍼터율 및 저항률을 스케치한 결과, CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조함에 있어서 바람직한 RF/(RF+DC) 전력비는 20% 내지 50%의 범위이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 인라인 또는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 기술, 특히 인라인 또는 클러스터 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 기술을 이용하여 보다 간단하고 경제적으로 TCO 박막 층(120), 고저항 박막 층(130), CdS 박막 층(140), CdTe 박막 층(150), Te 박막 층(160) 및 후면 전극 박막 층(170)을 순차적으로 증착할 수 있고 장비의 대형화로 현재 8.5세대 급의 대형 TFT-LCD 판넬 크기와 같은 2200x2600 mm2 또는 그 이상의 면적을 갖는 태양전지를 생산할 수 있다.
또한 이러한 인라인 또는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하면 2시간 내로 태양전지를 완성할 수 있으며 열처리 공정을 제외한 모든 공정에서 기존의 CSS 와 VTD 공정 온도(>500oC)보다 훨씬 낮은 공정 온도(<300oC)를 사용함으로써 각 박막을 이루는 재료의 화학적 순수성과 안정성이 보장되고 이는 생산성의 향상을 가져오게 된다.
그리고 인라인 또는 클러스터 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 기술은 전체 스퍼터링 면적에서 10% 이하의 두께 편차, 5% 이하의 온도 편차, 회전식 스퍼터링 타겟을 사용할 경우 70% 이상의 높은 타겟 재료 이용율을 얻을 수 있다. 이러한 인라인 또는 클러스터 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 공정의 모든 장점을 활용함으로써 생산라인에서 10 ~ 12%의 에너지 변환 고효율을 얻을 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 장비로 형성된 TCO, CdS, CdTe 박막 단면의 SEM(scanning electron microscope) 사진을 도시한다.
도 6에 도시된 바와 같이, TCO 박막 층(120)은 약 300nm, CdS 박막 층(140)은 약 180nm, 그리고 CdTe 박막 층(150)은 약 2.4㎛의 두께로 증착되었으며 각 박막의 경계가 매우 뚜렷하고 두께가 균일함을 알 수 있다.
도 7은 CdCl2 열처리 후의 TCO, CdS, CdTe 박막 단면의 SEM(scanning electron microscope) 사진을 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7을 통해 비교할 수 있듯이, 이 열처리 공정에 의해 CdTe 결정립(grain)이 서브 마이크로 미터에서 마이크로 미터 크기로 성장하고 동시에 결정 경계면의 비활성화(passivation)가 이루어진다. 이에 의해 CdS/CdTe 박막 태양전지의 전기적 특성이 향상된다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 CdS/CdTe 박막 태양전지의 대표적인 전기적 특성을 도시한 도면이다.
본 발명에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지의 평균적인 오픈 회로 전압(Voc)는 750~850mV, 단락 회로 전류(Isc)는 20~23mA, Fill Factor(FF)는 62~74%, 효율은 10~13%이다. 이는 기존의 VDT 또는 CSS를 이용하여 생산되는 대면적 CdTe 박막 태양전지의 효율이 8~9%인 것에 비교해 1~5%의 높은 효율이다.
본 발명은 대면적화에 따른 생산성을 향상시켜 제조원가를 줄이고 낮은 공정온도로 제조시의 열화를 방지하여 태양전지의 고효율을 얻기 위해, 인라인 또는 클러스터 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 기술을 이용한 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 CdS/CdTe 박막 태양전지에서 이용가능하다.
도 1은 본 발명의 일실시예 따라 제조된 Cds/CdTe 박막 태양전지를 도시한 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법을 위해 사용되는 인라인 마그네트론 스퍼터링 시스템을 도시한 도면이다.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법을 위해 사용되는 클러스터 마그네트론 스퍼터링 시스템을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조하는 방법을 흐름도로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 CdTe 스퍼터링 챔버의 예를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조방법을 위해 사용되는 RF/DC 전원 비평형 마그네트론 스퍼터링 챔버를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 RF/DC 비평형 마그네트론 스퍼터링 장비로 형성된 TCO, CdS, CdTe 박막 단면의 SEM(scanning electron microscope) 사진을 도시한다.
도 7은 CdCl2 열처리 후의 TCO, CdS, CdTe 박막 단면의 SEM(scanning electron microscope) 사진을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 CdS/CdTe 박막 태양전지의 전기적 특성을 도시한 도면이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
110 : 기판 120 : TCO 박막 층
130 : 고저항 박막 층 140 : CdS 박막 층
150 : CdTe 박막 층 160 : Te 박막 층
170 : 후면 전극 박막 층 210 : 로드 락/버퍼 챔버
220 : 공정 챔버 230 : 언로드 락/버퍼 챔버
410 : CdTe 타켓
Claims (9)
- 자속을 비평형하게 발생하는 비평형 마그네트론을 갖는 복수의 스퍼터링 챔버와 열처리를 위한 열처리 챔버가 구비된 인라인 또는 클러스터 시스템에서의 CdS/CdTe 박막 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,기판을 준비하는 단계와,상기 기판 상에 투명 도전 산화 박막을 증착하는 단계와,상기 투명 도전 산화 박막 상에 CdS 박막을 증착하는 단계와,상기 CdS 박막 상에 CdTe 박막을 증착하는 단계와,상기 열처리 챔버에서 상기 CdTe 박막을 CdCl2로 처리하는 단계와,상기 CdCl2로 처리된 CdTe 박막 상에 후면 전극 박막을 증착하는 단계를 더 포함하고,상기 후면 전극 박막은 상기 CdCl2로 처리된 CdTe 박막 상에 P형 텔루르화 아연, 텔루르화 안티몬, 또는 텔루르화 구리로 이루어지는 후면 접촉 박막 및 상기 후면 접촉 박막 상에 증착된 금속 박막을 구비하고,상기 투명 도전 산화 박막, 상기 CdS 박막, 상기 CdTe 박막 및 상기 후면 전극 박막의 증착은 상기 복수의 스퍼터링 챔버 중 어느 하나에 설치된 각 타켓에 RF/DC 전원을 공급하여 발생하는 스퍼터링을 이용하여 증착되고,상기 CdTe 박막을 증착하는 상기 복수의 스퍼터링 챔버의 어느 하나에는 공정 진행 중에 회전하는 복수의 CdTe 타켓이 구비되어 있으며, 상기 CdTe 박막 증착 스퍼터링 챔버에서의 상기 CdTe 박막의 증착은 상기 기판의 이송 중에도 증착되고,상기 투명 도전 산화 박막, 상기 CdS 박막, 상기 CdTe 박막 및 상기 후면 전극 박막의 증착에 이용되는 상기 타켓은 상기 기판의 세로길이 이상의 길이를 갖는 막대형 타켓인 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법.
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- 제1항에 있어서,상기 RF/DC 전원은 매칭 박스를 통해 상기 타켓에 공급되는 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 RF/DC 전원에서 DC 전원은 펄스적인 DC 전원인 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 RF/DC 전원에서 RF 전원의 전력비는 20% 내지 50%인 것을 특징으로 하는 CdS/CdTe 박막 태양전지 제조 방법.
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090006640A KR100936487B1 (ko) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 제조 방법 |
| PCT/KR2010/000490 WO2010087613A2 (ko) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090006640A KR100936487B1 (ko) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100936487B1 true KR100936487B1 (ko) | 2010-01-13 |
Family
ID=41809705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090006640A KR100936487B1 (ko) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100936487B1 (ko) |
| WO (1) | WO2010087613A2 (ko) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010087613A3 (ko) | 2010-11-04 |
| WO2010087613A2 (ko) | 2010-08-05 |
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