ES2268703T3 - Estructuras con textura biaxial mejorada y metodo de fabricacion de la misma. - Google Patents
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Abstract
UN ARTICULO CON TEXTURA BIAXIAL COMPRENDE UN SUSTRATO DE TEXTURA BIAXIAL LAMINADO Y RECOCIDO DE UN METAL QUE TIENE UNA ESTRUCTURA CUBICA CENTRADA EN LAS CARAS, CUBICA CENTRADA EN EL CUERPO O CRISTALINA HEXAGONAL COMPACTA, Y UN SUPERCONDUCTOR EPITAXIAL U OTRO DISPOSITIVO EPITAXIALMENTE DEPOSITADO SOBRE EL MISMO.
Description
Estructuras con textura biaxial mejorada y
método de fabricación de la misma.
La presente invención se refiere a sustratos
metálicos biaxialmente texturizados y a artículos hechos a partir
de éstos, y más particularmente a sustratos y artículos hechos
mediante el laminado de un sustrato metálico para obtener una
textura biaxial, seguido de una deposición de materiales
epitaxiales sobre éste, con un énfasis en superconductores.
La investigación actual sobre materiales
dirigida a una cerámica de superconductividad a alta temperatura de
fabricación en configuraciones de conductores para aplicaciones de
masa, prácticas, está destinada ampliamente a métodos de polvo en
tubo. Estos métodos han resultado tener bastante éxito con la
familia de superconductores
Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O
(BSCCO) debido a sus únicas características de deformación mecánica
de tipo mica. En campos magnéticos elevados, esta familia de
superconductores se limita en general a aplicaciones por debajo de
30 K. En Re-Ba-Cu-O
(BCO, Re indica un elemento de tierra poco frecuente), familias de
superconductores
Tl-(Pb.Bi)-Sr-(Ba)-Ca-Cu-O
y Hg-(Pb)-Sr
(Ba)-Ca-Cu-O,
algunos compuestos tienen límites intrínsecos mucho más elevados y
pueden ser utilizados a temperaturas más altas. La Fig. 1 muestra
una comparación de propiedades optimizadas de varios
superconductores.
Se ha demostrado que estos superconductores
poseen altas densidades de corriente critica (Jc) a altas
temperaturas cuando son fabricados en forma de cristales únicos o
esencialmente de monocristal como unas películas epitaxiales en
sustratos únicos de cristal tales como SrTiO_{3} y LaAlO_{3}.
Estos superconductores han demostrado hasta ahora ser intratables
respecto a técnicas de tratamiento convencionales de cerámica y de
materiales para formar longitudes largas de conductor con J_{c}
comparables a películas epitaxiales. Esto se produce principalmente
por el efecto "weak-link" (conexión
débil).
Se ha demostrado que, en una textura biaxial
ReBCO es necesario obtener altas densidades de corriente critica de
transporte. Las J_{c} altas han sido proporcionadas en
policristalino ReBCO en películas finas depositadas sobre unos
sustratos especiales sobre los que una capa o estrato de tampón de
óxido no superconductivo texturizado biaxialmente es depositado
primero usando unas técnicas de deposición asistida por haz de
iones (IBAD). La IBAD es un proceso lento, caro, y difícil de
ampliar para una producción de longitudes adecuadas para una gran
cantidad de aplicaciones.
También se han proporcionado altas Jc en un
material de masa procesado por fusión ReBCO policristallino que
contiene principalmente unos límites de grano de ángulo pequeño. El
tratamiento de fusión es considerado también demasiado lento para
la producción de unas longitudes prácticas.
Unos materiales de película fina con estructuras
de perovskita son importantes respecto en superconductividad,
ferroeléctricos, y electro-óptica. Muchas aplicaciones de uso de
estos materiales requieren, o serán mejoradas de forma
significativa por películas monocristal de perovskita orientadas
según un eje c crecidas en monocristal o metal altamente alineado o
sustratos revestidos de metal.
Por ejemplo,
Y-Ba_{2}-Cu_{3}-O_{x}
(YBCO) es un material de superconductividad importante para el
desarrollo de guías de corriente de superconductividad, líneas de
transmisión, motor y arrollamientos magnéticos, y otras
aplicaciones de conductor eléctrico. Cuando son enfriados a una
temperatura inferior a su temperatura de transición, los materiales
de superconductividad no tienen resistencia eléctrica y conducen la
corriente eléctrica sin calentamiento. Una técnica para fabricar un
cable o banda de superconductividad consiste en depositar una
película de YBCO sobre un sustrato metálico. El YBCO de
superconductividad ha sido depositado sobre metales policristalinos
en los que el YBCO es orientado según el eje c, pero no alineado en
plano. Sin embargo, para transportar altas corrientes eléctricas y
una superconductividad residual, las películas de YBCO debe ser
biaxialmente texturizadas, preferiblemente orientadas según el eje
c, eficazmente con ningún borde de grano de gran ángulo, ya que
dichos bordes de grano perjudican la capacidad de transporte de
corriente del material. Las películas de YBCO dispuestas sobre los
sustratos de metal policristallino no corresponden en general a
este criterio.
Los términos "proceso", "método", y
"técnica" son usados aquí de forma intercambiable.
Para más información, referirse a las
publicaciones siguientes:
1. K. Sato, et al.,
"High-J_{c} Silver-Sheathed
Bi-Based Superconducting Wires", IEEE
Transactions on Magnetics, 27 (1991) 1231.
2. K. Heine, et al.,
"High-Field Critical Current Densities in
Bi_{2}Sr_{2}Ca_{1}Cu_{2}O_{8+x}/Ag Wires", Applied
Physics Letters, 55 (1991) 2441.
3. R. Flukiger, et al., "High
Critical Current Densities in Bi(2223)/Ag tapes",
Superconductor Science & Technologv 5, (1992)
S61.
4. D. Dimos et al., "Orientation
Dependence of Grain-Boundary Critical Currents in
Y_{1}Ba_{2}Cu_{3}O_{7-\delta} Bicrystals", Physical
Review Letters, 61 (1988) 219.
5. D. Dimos et al.,
"Superconducting Transport Properties of Grain Boundaries in
Y_{1}Ba_{2}Cu_{3}O_{7} Bicrystals", Physical
Review B, 41 (1990) 4038.
6. Y. Iijima, et al.,
"Structural and Transport Properties of Biaxially Aligned
YBa_{2}Cu_{3}O_{7-x} Films on Polycrystalline
Ni-Based Alloy with Ion-Beam
Modified Buffer Layers", Journal of Applied Physics, 74
(1993) 1905.
7. R. P. Reade, et al. "Laser
Deposition of biaxially textured Yttria-Stabilized
Zirconia Buffer Layers on Polycrystalline Metallic Alloys for High
Critical Current
Y-Ba-Cu-O Thin
Films", Applied Physics Letters, 61 (1992)
2231.
8. D. Dijkkamp et al.,
"Preparation of Y-Ba-Cu Oxide
Superconducting Thin Films Using Pulsed Laser Evaporation from High
Tc Bulk Material," Applied Physics Letters, 51, 619
(1987).
9. S. Mahajan et al., "Effects
of Target and Template Layer on the Properties of Highly
Crystalline Superconducting a-Axis Films of
YBa_{2}Cu_{3}O_{7-x} by
DC-Sputtering," Phvsica C, 213, 445
(1993).
10. A. Inam et al.,
"A-axis Oriented Epitaxial
YBa_{2}Cu_{3}O_{7-x}
-PrBa_{2}Cu_{3}O_{7-x} Heterostructures,"
Applied Physics Letters, 57, 2484 (1990).
11. R. E. Russo et al., "Metal
Buffer Layers and
Y-Ba-Cu-O Thin Films
on Pt and Stainless Steel Using Pulsed Laser Deposition,"
Journal of Applied Physics, 68, 1354 (1990).
12. E. Narumi et al.,
"Superconducting YBa_{2}Cu_{3}O_{6.8} Films on Metallic
Substrates Using In Situ Laser Deposition," Applied
Physics Letters, 56, 2684 (1990).
13. R. P. Reade et al., "Laser
Deposition of Biaxially Textured Yttria-Stabilized
Zirconia Buffer Layers on Polycrystalline Metallic Alloys for High
Critical Current
Y-Ba-Cu-O Thin
Films," Applied Physics Letters, 61, 2231
(1992).
14. J. D. Budai et al.,
"In-Plane Epitaxial Alignment of
YBa_{2}Cu_{3}O_{7-a} Films Grown on Silver
Crystals and Buffer Layers," Applied Physics Letters, 62,
1836 (1993).
15. T. J. Doi et al., "A New
Type of Superconducting Wire; Biaxially Oriented
Tii(Ba_{0.8}Sr_{0.2})_{2}Ca_{2}Cu_{3}O_{9}
on {100}<100>Textured Silver Tape," Proceedings of 7th
International Symposium on Superconductivity, Fukuoka, Japan,
November 8-11, 1994.
16. D. Forbes, Executive Editor,
"Hitachi Reports 1-meter TI-1223
Tape Made by Spray Pyrolysis", Superconductor Week, Vol.
9, No. 8, March 6, 1995.
17. Recrystallization, Grain Growth and
Textures, Papers presented at a Seminar of the American Society
for Metals, October 16 and 17, 1965, American Society for
Metals, Metals Park, Ohio.
Doi et al., "A new type of
superconducting wire; Biaxially oriented
TI1(Ba0.8Sr0.2)2Ca2Cu3O9 on {100}<100> textured
silver tape", Proceedings of the 7th International Symposium of
Superconductivity, Fukuoka, Japan, 8-11 November
1994, expone artículos de superconductividad basados exclusivamente
en sustratos de Ag (plata) que poseen varios grados de textura. El
superconductor está dispuesto directamente sobre el sustrato de
Ag.
US-A-3.770.497
(Hassler et al.) expone un método para producir una pieza
con dos estratos de contacto para interruptores de alto vacío. Un
metal auxiliar y un metal de difusión son aleados por difusión en
una superficie de un cuerpo original metálico de alta conductividad
eléctrica. El metal auxiliar forma una fase fundida con el metal de
difusión y el cuerpo original metálico. El volumen de metal
auxiliar proporciona una profundidad de difusión definida en el
cuerpo original, en condiciones de difusión predeterminada.
CA-A-697916
(Durst et al.) expone un material compuesto formado por un
ensamblaje estratificado de componentes de aleación que puede estar
sometido a una temperatura en el estado sólido para formar una
aleación de los componentes, a un método de formación del mismo, y
a un método de suministro de una estructura aleada.
De esta manera, un objeto de la presente
invención consiste en proporcionar un método nuevo y mejorado para
fabricar una aleación y unas estructuras laminadas de textura
biaxial.
Otro objeto de la presente invención consiste en
proporcionar un nuevo artículo biaxialmente texturizado.
Según un aspecto de la presente invención, el
objeto precedente se obtiene mediante un método de preparación de
un artículo texturizado biaxialmente, que incluye las etapas
de:
- a)
- laminar y recocer una preforma metálica para formar un sustrato texturizado biaxialmente policristalino que posee una superficie;
- b)
- formar al menos un estrato de tampón epitaxial texturizado biaxialmente de otro material en dicha superficie, y
- c)
- formar un estrato epitaxial activo texturizado biaxialmente electromagnéticamente o electroópticamente sobre dicho estrato tampón.
Según otro aspecto de la presente invención, el
objeto anterior es obtenido mediante un artículo texturizado
biaxialmente, que comprende:
- a)
- un sustrato metálico policristalino texturizado biaxialmente laminado y recocido que posee una superficie;
- b)
- al menos un estrato de tampón epitaxial texturizado biaxialmente de otro material sobre dicha superficie, y
- c)
- un estrato epitaxial activo texturizado biaxialmente electromagnéticamente o electroópticamente sobre dicho estrato de tampón.
En los dibujos:
La Fig. 1 es un gráfico que muestra unas líneas
de irreversibilidad magnética optimizada de varios superconductores
a alta temperatura.
La Fig. 2 es una vista esquemática oblicua de un
sustrato texturizado biaxialmente que tiene varios estratos
epitaxiales dispuestos sobre este mismo, según la invención.
La Fig. 3 es una figura polar de rayos X Ag
(111) de una banda laminada y recocida.
La Fig. 4 muestras las intensidades deseadas
para una textura (412)<548> en una figura polar
Ag(111).
La Fig. 5 es una figura polar de rayos X
Cu(111) que muestra la textura de una hoja de Cu laminada y
recocida.
La Fig. 6 es una figura polar de rayos X
Ag(111) que muestra la textura de una hoja de Cu laminada y
recocida con un estrato depositado de Ag.
La Fig. 7 es una figura polar de rayos X
Ag(111) que muestra la textura de una hoja de Cu laminada y
recocida con un estrato de Ag después de ser recocida.
La Fig. 8 es un gráfico que muestra un barrido
de rayos X \phi a través de Ni(202) que indica una
alineación en plano del sustrato de Ni en una muestra de Ni
laminado con Pd/Ag.
La Fig. 9 es un gráfico que muestra un barrido
de rayos X \phi a través de Pd(202) que indica una
alineación en plano del estrato de Pd en una muestra de Ni laminado
con Pd/Ag.
La Fig. 10 es un gráfico que muestra una
exploración con rayos X \phi a través de Ag(202) que
indica una alineación en plano del estrato de Ag en una muestra de
Ni laminado con Pd/Ag.
La Fig. 11 es un gráfico que muestra una
exploración con rayos X \phi a través de reflexión de
YBCO(226) que indica una alineación en plano del
superconductor de YBCO en una muestra de
YBCO/CeO_{2}/Ag/Pd/Ni.
Para una mejor comprensión de la presente
invención, junto con otros y más objetos, ventajas y capacidades de
los mismos, se hace referencia a la descripción siguiente y a las
reivindicaciones anexas en relación con los dibujos descritos
anteriormente.
Un sustrato texturizado biaxialmente o material
de funda es fabricado con técnicas de laminación en escala
industrial. El sustrato puede después ser revestido/reaccionado por
una variedad de técnicas para producir, estratos y/o aleaciones de
barrera texturizada compatibles químicamente. Un estrato epitaxial
de otro material es luego crecido en el sustrato texturizado (o en
una capa de contención si necesario) usando cualquier variedad de
técnicas. La textura del sustrato (o la capa de contención) es
luego inducida en el estrato epitaxial. De ese modo es posible
depositar un superconductor alineado biaxialmente con una alta
densidad de corriente critica.
La Ag es en general compatible químicamente con
superconductores cupratos. Los intentos para producir bandas de Ag
texturizadas biaxialmente afiladas mediante laminación y recocido
han resultado ser difíciles. Por lo que, los artículos fabricados
como descritos aquí son especialmente importantes y diferentes con
respecto a la superconductividad.
Estos artículos son importante también desde el
punto de vista de otras propiedades físicas, por ejemplo,
propiedades mecánicas. Estos artículos y métodos son destinados a
tener aplicaciones más allá de la superconductividad; por ejemplo,
pueden ser usados para la fabricación de materiales fuertes y duros
en aplicaciones mecánicas magnéticas y ferroeléctricas. Se ha
establecido que unos bordes de energía baja -red de sitio
coincidente (CSL) de ángulo bajo y de sigma bajo- tienen propiedades
físicas superiores, incluyendo una tenacidad mecánica mejorada. Por
lo que, un sustrato reforzado está descrito aquí, ya que en esos
sustratos texturizados biaxialmente, una gran proporción de bordes
de grano poseen unos ángulos de desorientación pequeños. (La
distribución de la desorientación del límite del grano previsto
puede ser estimada en base a la determinación de la textura
macroscópica). Unas ventajas similares están previstas para otras
propiedades físicas, por ejemplo, propiedades magnéticas
ferroeléctricas.
En referencia a la Fig. 2, un sustrato
texturizado biaxialmente 1 tiene un estrato de tampón epitaxial 2
dispuesto sobre sí-mismo, sobre el cual está dispuesto un segundo
estrato epitaxial 3 que es un dispositivo electromagnético o
electro-óptico, que comprende preferiblemente un material de
superconductividad.
Durante el proceso de laminación, el flujo
plástico produce una reorientación de la red de los granos
individuales de un material policristalino y tiende a desarrollar
una textura u orientación preferida de la red en los granos. El
progreso de reorientación es gradual; el cambio de la orientación se
desarrolla cuando el flujo plástico continúa, hasta alcanzar una
textura estable con respecto a un flujo continuo indefinido de un
tipo determinado. La naturaleza de la textura de deformación
estable y la manera en la que se aproxima es característica del
material y de la naturaleza del flujo en cualquier momento del
proceso de deformación (es decir, la magnitud de las tres tensiones
principales en todo los puntos dentro de la muestra y en tiempos
sucesivos durante el proceso). El desarrollo de la textura es
fuertemente influido por la temperatura, particularmente si la
temperatura de deformación es suficientemente alta para que se
efectúe la recristalización. Otros efectos de la temperatura
incluyen la variación de la energía por defecto de apilado y por lo
tanto de los mecanismos de deformación operativos. En general, las
deformaciones plásticas cerca de la superficie de una muestra
laminada puede diferir de las del interior y se pueden producir
texturas de profundidad variada debajo de la superficie. De esta
manera, unos procedimientos de laminación específica son descritos
a continuación para asegurar unas texturas razonablemente
constantes a través del espesor de la pieza.
Puesto que la laminación hacia delante solo
puede producir una textura homogénea a través del espesor de la
hoja, hemos descubierto que una laminación inversa (dirección de
laminación invertida después de cada paso) produce resultados mucho
mejores en la mayoría de los materiales. En la mayor parte del
texto descrito más abajo, se prefiere la laminación inversa a la
laminación hacia delante. La velocidad de laminación y de reducción
por paso también son parámetros importantes. Mientras que la
velocidad de laminación puede ser importante para el desarrollo de
la textura, su efecto no es el principal. En general, unas
velocidades de laminación más altas son deseables respecto a unos
objetivos económicos. La reducción por paso durante la laminación
es importante también para el desarrollo de la textura.
Generalmente, menos de 30% de reducción por paso es deseable, aunque
en algunos casos también se pueden requerir reducciones por paso
más importantes. La lubricación empleada durante la laminación
también es una variable importante. Dependiendo de la textura
deseada, ningún lubricante o aceite mineral ligero como lubricante,
aceite mineral pesado, queroseno, etc. son empleados para asegurar
el desarrollo de la textura homogénea. El tamaño del grano del
material inicial y los tratamientos térmicos iniciales y la
historia de la deformación es importante también para la
determinación del desarrollo de la textura. En general, antes de la
laminación, un tamaño de grano fino es requerido y los tratamientos
térmicos y deformaciones iniciales están destinados también a
proporcionar una textura aleatoria al material de inicio. Para una
información general acerca de laminación y texturas derivadas de
este modo, ver referencia 17 anterior.
El desarrollo de una textura de recocido implica
distintos mecanismos fundamentales. Una textura de recocido puede
desarrollarse a partir de una recuperación sin recristalización (en
cuyo caso se duplicará la textura presente antes del recocido), a
partir de una recristalización primaria, o a partir del crecimiento
del grano después de la recristalización. La distribución del tamaño
del grano puede seguir normal a lo largo del proceso, o algunos
granos pueden crecer y volverse muy grandes mientras que lo demás
permanecerán más o menos sin cambios hasta ser devorados por los
grandes. Este tipo de crecimiento de grano, definido como
recristalización secundaria o discontinua, es generalmente
considerado anormal.
Se sabe que la densidad de la corriente critica
a través de un límite de grano puede ser reducida de forma
significativa para unos ángulos de desorientación superior a
5°-10°. Por lo que es deseable obtener depósitos de
superconductividad en los que el número de límites de grano con
ángulos de desorientación superior a 5°-10° es mínimo. Para
conductores donde el depósito de superconductividad es epitaxial
con un estrato de tampón metálico subyacente u óxido o sustrato, es
deseable minimizar el número de límites de grano con
desorientaciones superiores a 5°-10°. Esto se obtiene si la textura
del sustrato es tan afilada que las orientaciones del grano varían
de no más de 5°-10°. Unos estratos de superconductividad útiles
pueden ser obtenidos utilizando sustratos de mayor extensión en la
orientación del grano, pero cuanto mejor es la textura del
sustrato, mejores se espera que sean las propiedades del
depósito
superconductor.
superconductor.
En una textura cúbica, el plano del cubo se
extiende paralelo al plano de la hoja y un borde del cubo es
paralelo a la dirección de laminación, es decir, (100)[001]. Esta
textura se asemeja a un único cristal con subgranos, pero puede
contener una cantidad menor de material en relación doble respecto a
la orientación principal. Una textura cúbica totalmente
desarrollada, como descrita en este caso, ha sido desarrollada con
una alineación biaxial con una anchura de valor máximo de difracción
por rayos X de 2° de anchura total a media máxima.
La textura del latón es (110)<112>. No
aparece el hecho de que se pueda obtener una textura de latón
afilada como la textura cúbica.
La textura biaxial fuerte en Ag es obtenible con
unas condiciones de proceso de laminación extremadamente
controladas. A temperatura ambiente, las energías del defecto de
apilado incluso en Ag de alta pureza son tales que, con la mayoría
de las condiciones de laminación y de recocido, no se forma ningún
componente cúbico de esa textura. La Ag ya laminada a temperatura
ambiente produce generalmente la textura (110) <112> con dos
componentes de relación doble. Durante el recocido esta textura se
cambia en general en aproximadamente (113)<211>, que se
define probablemente de manera más apropiada como (225)<734>.
No obstante, durante largos periodos de recocido a temperaturas
superiores a 450°C, la textura de recristalización primaria de Ag
es sustituida por unos granos secundarios que tienen las
orientaciones de la textura de deformación. Ni la textura ya
laminada ni la textura de recristalización primaria son afiladas.
Frecuentemente, unos componentes de textura mezclados son
producidos y esto produce un número significante de bordes altos
angulares en el material. Durante el recocido a altas temperaturas,
estos bordes altos angulares migran rápidamente y la textura
cambia.
Puesto que el desarrollo de textura es
esencialmente una interacción entre deformación doble y una
desviación, la energía por defecto de apilado es muy importante. Es
bien conocido que la energía por defecto de apilado aumenta con el
aumento de temperatura. Se puede mostrar que a temperaturas de más
de 150°C, la energía por defecto de apilado de Ag es casi la mismo
que la de Cu a temperatura ambiente. Por lo tanto, cuando se lamina
Ag a temperaturas de 150-500°C está previsto
generalmente el desarrollo de una textura cúbica. Por encima de
300°C, es muy posible que sólo el componente del cubo se
mantenga.
Las condiciones generales están indicadas a
continuación para la laminación de Ag para producir una textura
cúbica biaxial:
Temperatura de laminación:
50°C-500°C, preferiblemente
100°C-400°C, más preferiblemente
180°C-250°C.
Temperatura de recocido:
100°C-960°C, preferiblemente
100°C-600°C, más preferiblemente
200°C-400°C.
Pureza preferida de Ag de al menos 99.99%. A
medida que la pureza del Ag se reduce, aumenta la temperatura de
deformación. Si el Ag es puro al 99.0%, la temperatura de
deformación requerida puede estar por encima de 200°C.
Ejemplo
I
Un sustrato de Ag es laminado en las condiciones
siguientes para formar una textura cúbica afilada en éste:
- Temperatura de laminación: 220°C
- Velocidad de laminación: 0.457 m/min (15 min ft..)
- Reducción por paso: 10%
- Dirección de la laminación: laminación Inversa
- Lubricación: queroseno
- Temperatura de recocido 300°C
- Pureza de Ag - al menos 99.99%
Unas temperaturas en disminución producen la
reducción de la energía por defecto de apilado. Esto favorece el
componente de latón de la textura. Para obtener una textura afilada
se necesita aislar un único componente de la textura. La
disminución de la temperatura de deformación aumenta la cantidad de
la fracción del componente de latón. La temperatura de laminación no
debería exceder 20°C, y la temperatura de recocido debería ser de
al menos 100°C. Cuanto mayor es la pureza de Ag, menor es la
temperatura de deformación requerida.
Ejemplo
II
Una banda de Ag fue laminada según las
condiciones siguientes para formar una textura de latón afilada en
ésta:
- Temperatura de laminación: 160°C
- Velocidad de laminación: 0.457 m/min (15ft./min.)
- Reducción por paso: 10%
- Dirección de la laminación: laminación Inversa
- Lubricación: Aceite mineral ligero
- Temperatura de recocido 300°C
- Pureza de Ag - al menos 99.99%
La laminación a temperatura ambiente de plata
produce una textura biaxial en la hoja laminada de
(412)<548>. La temperatura de recocido debería ser entre
100°C-900°C; preferiblemente
100°C-400°C; más preferiblemente
200°C-300°C.
Ejemplo
III
Una banda de Ag fue laminada en las condiciones
siguientes para formar una textura en ésta (412)<548>:
- Temperatura de laminación: Temperatura ambiente
- Velocidad de laminación: 0.457 m/min (15ft./min.)
- Reducción por paso: 10%
- Dirección de la laminación: laminación Inversa
- Lubricación: Ninguna
- Temperatura de recocido 300°C
- Pureza de Ag - al menos 99.99%
La Fig. 3 muestra una figura polar de rayos X de
una banda laminada y recocida Ag (111). Fig. 4 muestra intensidades
previstas para una textura (412)<548> en una figura polar de
Ag (111).
Una textura cúbica desarrollada correctamente en
metales tales como Cu, Ni y Fe puede ser obtenida mediante unas
reducciones del proceso de laminado pesado (al menos de 80%) antes
de un recocido final. En Al, unas pequeñas reducciones previas al
recocido final son requeridas para producir la textura cúbica. En
Ag, y en Ag-, Cu-, Ni-, Al- y aleaciones basadas en Fe, los
componentes de textura cúbica pueden ser obtenidos por laminación a
temperaturas más altas (más de 100°C). Las condiciones generales de
este proceso dependen de la energía de defecto de apilado del
metal. Cuanto mayor es la pureza del metal, más baja es la
temperatura de deformación requerida. La deformación total previa
al recocido debería ser de al menos 70%, preferiblemente de al
menos 80%. La temperatura de recocido debería ser de al menos
100°C.
Ejemplo
IV
Con un inicio con barras de Cu de alta pureza,
el proceso de laminación descrito anteriormente fue utilizado para
producir una textura cúbica afilada.
- Temperatura de laminación: Temperatura ambiente
- Velocidad de laminación: 0.457 m/min (15 min ft..)
- Reducción por paso: 10%
- Dirección de la laminación: laminación Inversa
- Lubricación: Aceite mineral ligero
- Temperatura de recocido 300°C
- Pureza de Ag - al menos 99.99%
La Fig. 5 muestra una figura polar que describe
la textura en plano fuerte así como fuera de plano en la hoja de Cu
laminada y recocida.
En general, es difícil obtener una textura
cúbica afilada en aleaciones. Unos metales de alta pureza como el
Cu, Al, Ni, Fe, etc. pueden ser laminados para producir texturas
cúbicas muy afiladas según el modo descrito anteriormente. Unas
pequeñas cantidades de elementos de impureza pueden suprimir de
manera importante la textura cúbica. Por ejemplo, 5% Zn, 1% Sn, 4%
Al, 0.5% Be, 0.5% Cd, 0.0025% P, 0.3% Sb, 1.5% Mg, 4.2% Ni, 0.18% Cd
y 0.047%. Como en Cu, éstos impiden la formación de la textura
cúbica. Unas aleaciones texturizadas pueden, no obstante, ser
formadas por laminación del metal puro y se puede obtener la
textura deseada, seguido de la difusión de elementos de aleación
deseada para formar la aleación requerida.
La Ag puede ser revestida en la hoja de Cu
texturizada seguido de un tratamiento térmico a altas temperaturas,
difundiendo así la Ag en el Cu. El proceso puede seguir hasta que
se forme un sustrato rico en Ag con un contenido de Cu en éste. La
difusión de Ag en Cu no cambia la textura cúbica de masa de la
hoja. Las cantidades variables de Ag puede ser difundida en el Cu.
De forma alternativa se puede saturar el Cu con Ag. Una deposición
posterior de Ag producirá así un estrato superior que es
principalmente de Ag. Se puede formar de esta manera Ag texturizado
cúbico.
Ejemplo
V
Un estrato grueso de Ag(100 \mum) fue
electrodepositado usando una técnica de electrodeposición estándar
sobre un sustrato de Cu texturizado cúbico realizado según el método
descrito en la presente. La estructura compuesta fue posteriormente
recocida a 800°C en vacío. El material obtenido fue una aleación de
Ag-Cu con toda la Ag electroedepositada difundida en
el Cu. El parámetro de red y también el color de la banda de cobre
cambiaron durante el recocido. No obstante, la textura cúbica
afilada de la banda de Cu original fue mantenida.
El presente método puede extenderse a muchas
aleaciones, por ejemplo, aleaciones conocidas comúnmente como
nichromo (aleación Ni-Cr), e inconel (aleación
Cu-Ni). Empezando con Ni texturizado biaxialmente,
se puede difundir el Cr y formar nichromo texturizado biaxialmente.
Unos estratos resistentes oxidantes sobre la superficie del Ni
texturizado biaxialmente son formados para difundir las cantidades
apropiadas de Cr, Mo, Al y Fe.
Ejemplo
VI
Un estrato de Cr fue electrodepositado en un
sustrato de Ni texturizado cúbico hecho según el método descrito en
la presente por una técnica de electrodeposición comercial
estándar. Un recocido posterior a 400°C en vacío producía la
difusión del Cr en la banda de Ni. Esto producía un material con
una parte exterior rica en Cr, mientras que se mantiene la textura
cúbica deseada.
También se puede realizar la sintonización de
los parámetros de red de sustratos orientados producida por
laminación. Por ejemplo, depositando una capa fina de Pd o Pt,
etc., y la difusión posterior de este estrato en el Ni texturizado
producirá la alteración local del parámetro de red, que puede ser
importante para obtener una mejor epitaxia de la capa límite o de la
capa del dispositivo.
El presente método puede extenderse a aleaciones
basadas en Al y Fe para obtener sustratos texturizados cúbicos
químicamente compatibles.
\newpage
Ejemplo
VII
El Al es laminado según el método descrito aquí,
mediante el uso de pequeñas reducciones finales previas al recocido
para obtener una textura cúbica afilada. El Ni es depositado sobre
la superficie por medio de un método de electrodeposición
convencional. La estructura compuesta es posteriormente calentada a
temperaturas superiores a 100°C en vacío. La estructura obtenida es
una aleación texturizada de Ni-Al.
La formación de una textura de latón en el
sustrato en aleaciones basadas en Cu-, Ni-, Fe-, Al- y Ag- pueden
ser obtenidas por laminación en frío mediante unas reducciones
pesadas (de al menos 70%, preferiblemente al menos 80%) a
temperatura ambiente seguido de un recocido de recristalización. En
algunos casos, las temperaturas de deformación tan bajas como
-230°C pueden ser necesarias para producir una textura afilada. Las
temperatura de recocido debería generalmente ser de al menos
100°C.
Algunas aleaciones tienen una excelente
resistencia a la oxidación, y en tal caso, los sustratos altamente
texturizados pueden ser usados directamente como moldes para una
fase superconductor. En otros casos, una capa límite compatible
químicamente y estructuralmente que puede crecer epitaxialmente
sobre el sustrato texturizado (por ejemplo, un óxido nativo) puede
ser usada.
Ejemplo
VIII
La textura del latón en 70% de Cu - 30% de Zn es
obtenida por laminación a temperatura ambiente usando las
condiciones siguientes:
- Velocidad de laminación: 0.457 m/min (15 min ft.)
- Reducción por paso: 10%; reducción total = 90%
- Temperatura de recocido: 400°C.
Esta textura en aceros de
silicio-hierro pueden ser producidos por unos
ciclos de laminación en frío y de recocido. Unas variantes de
proceso son esenciales para conseguir un número máximo de granos en
una orientación de borde cúbico (110)[001], y el número mínimo de
orientaciones indeseables, tales como el mayor componente de la
textura de recristalización primaria común, la orientación en punta
cúbica (111)<211>. Una textura de recristalización primaria
deseable consiste en granos pequeños. Esta puede ser obtenida
mediante una distribución adecuada de materiales de segunda fase
tales como el manganeso, azufre, sílice o nitruro de vanadio en
forma de inhibidores de crecimiento del grano. La textura deseada
en este caso es producida por recristalización secundaria, con el
crecimiento de granos (110)[001] hasta un tamaño de 10 a 100 veces
el espesor de la hoja durante el recociedo en atmósferas y
temperaturas adecuadas.
Varios estratos compuestos de metales diferentes
tales como Cu, Ni, Al, Fe, etc., y unas cerámicas pueden ser
depositados sobre el sustrato metálico texturizado. La textura del
sustrato puede ser inducida en la capa durante la deposición o
durante el recocido posterior.
Ejemplo
IX
Una Muestra de Cu completamente texturizada
cúbica fue realizada según el método descrito anteriormente. La
muestra fue dispuesta en un evaporador de escala de laboratorio en
un vacío de aproximadamente 1.333.10 mbar (10^{-6} Torr). La Ag
fue depositada sobre la muestra a temperatura ambiente por
evaporación, seguido por un recocido a 200°C en vacío para producir
un estrato de Ag texturizado cúbico. Los resultados están mostrados
en las Figs.
6 y 7.
6 y 7.
La Fig. 6 muestra una figura polar de un estrato
de Ag ya depositado sobre la hoja de Cu. Se ha comprobado que éste
presenta una textura muy afilada (111). La Fig. 7 muestra la figura
polar de la misma hoja después del recocido. Se ha comprobado que
la textura cúbica fuerte en el Cu es transmitida al estrato de Ag.
Este Ag texturizado puede ser usado en forma de capa límite, y una
fase superconductora u otro estrato del dispositivo puede crecer
sobre ésta. Si el estrato óxido en el Cu es retirado antes de la
deposición de Ag, el Ag depositado es texturizado cúbico.
En el caso de Ni texturizado, un estrato fino de
otro material cúbico centrado frontal tal como Pd, Pt, Cr, y/o Cu
puede ser necesario antes de que el Ag sea depositado.
\newpage
Ejemplo
X
Un artículo laminado texturizado biaxial fue
formado según la invención por deposición de un estrato de Pd sobre
un sustrato de Ni texturizado, seguido de la deposición de un
estrato de Ag sobre el estrato de Pd. En el proceso de deposición
se usó la erosión superficial de magnetron en c.c. de doble fuente,
y las condiciones de deposición fueron las siguientes:
- Blancos de erosión superficial metálica: Pd y Ag
- Gas de erosión superficial: Ar
- Presión del gas de erosión superficial: 6-10 X 10^{-3} mbar
- Temperaturas de sustrato: 500°C para deposición de Pd, 300°C para deposición del Ag
- Indices de deposición: 30 nm/min para deposición de Pd, 300 nm/min para deposición de Ag
- Espesores de estrato: 200 nm para Pd, 35 \muM para Ag.
- Resultados mostrados en Figs. 8-10.
Las Figs. 8-10 muestran unos
barridos phi (202) de una banda laminada, de Ni texturizada cúbica,
con un estrato fino de Pd, y después un estrato de Ag en el Pd. Se
puede ver nítidamente la textura del sustrato que debe ser
dispuesta sobre el estrato.
Un revestimiento de la aleación texturizada
biaxialmente puede también ser formado por deposición de al menos
dos películas de metales distintos sobre la superficie del sustrato
texturizado biaxialmente, y posteriormente por recocido del
sustrato revestido a una temperatura suficientemente alta para
permitir la interdifusión de los estratos. Si los estratos no son
como depositados de forma epitaxial, el crecimiento epitaxial
ocurrirá después durante el proceso del recocido.
Ejemplo
XI
Sobre un sustrato de Ni texturizado
biaxialmente, un estrato de 300 nm Pd de espesor fue depositado por
pulverización iónica a 500°C. Un estrato de Ag con un espesor de
1000 nm es después depositado por pulverización fónica a 300°C.
Esta Estructura laminada epitaxial de Ag/Pd/Ni fue posteriormente
recocida a 700°C en vacío. El artículo obtenido consistía en un
revestimiento de aleación de Ag-Pd texturizada
biaxialmente sobre el Ni texturizado biaxialmente.
Un artículo laminado con un estrato cerámico
texturizado biaxialmente es formado según la invención por
crecimiento de un estrato epitaxial, tal como el zirconio
estabilizado en itria (YSZ), MgO, TiN, ZrO_{2}, CeO_{2},
SrTiO_{3}, o LaAlO_{3}, sobre los sustratos metálicos
texturizados biaxialmente descritos anteriormente. Los estratos
cerámicos epitaxiales pueden crecer usando una de la variedad de
técnicas incluyendo la deposición por láser pulsado, la erosión
superficial, la deposición de vapor, deposición de vapor químico,
procedimiento sol-gel , pirólisis de pulverización,
revestimiento de espín, y electrodeposición. Un estrato
ferroeléctrico electroóptico, superconductividad, u otro estrato
electromagnético puede crecer posteriormente epitaxialmente sobre
este estrato cerámico texturizado biaxialmente utilizando unas de
las técnicas de crecimiento de película indicadas anteriormente. El
artículo laminado final consiste en una película ferroeléctrica
texturizada biaxialmente, electroóptica, o película de
superconductividad sobre un estrato cerámico sobre un sustrato
metálico. Los procesos de laminación para fabricar el sustrato
metálico texturizado descritos anteriormente permiten la fabricación
de artículos ferroeléctricos de gran longitud, electroópticos,
superconductores u otros artículos electromagnéticos laminados
texturizados biaxialmente. Cuando el estrato depositado final es un
superconductor, el artículo obtenido es una banda superconductora
con algunos o ningún límite de grano de gran ángulo de conexión
débil. La capacidad de fabricación de este artículo es un paso
significante en el desarrollo de conductores de alta corriente
superconductora para el uso a temperaturas superiores a 77 K en
campos magnéticos altos.
Ejemplo
XII
Un laminado texturizado biaxialmente realizado
según el Ejemplo X fue introducido en una cámara de deposición por
láser pulsado. Después de limpieza por pulverización iónica de la
superficie de Ag con un cañón de iones de Ar, el artículo laminado
fue calentado a 750°C. Un estrato de CeO_{2} de 500 nm de espesor
fue posteriormente depositado mediante una deposición por láser
pulsado con una presión de fondo de oxígeno de 5.33\cdot10^{-4}
mbar (4\cdot10^{-4} Torr). Una película de YBCO de 1000 nm de
espesor fue posteriormente depositada a 750°C en 0.267 mbar de
oxígeno (200 mTorr). La estructura multicapa obtenida, laminada,
texturizada biaxialmente YBCO/CeO_{2}/Ag/Pd/Ni, fue enfriada en 1
atm de oxígeno. Resultados mostrados en la Fig. 11.
La Figura 11 muestra el barrido phi de rayos X
de la reflexión 226 del estrato de YBCO, indicando que el YBCO
estaba orientado según un eje c, texturizado biaxialmente.
Un proceso de crecimiento de película de doble
fase comprendiendo un estrato de molde de tampón ReBCO no
superconductora ha sido desarrollado para permitir el crecimiento
de películas en forma de perovskita texturizadas biaxialmente
orientadas según un eje c sobre un cristal simple o Ag texturizada
biaxialmente. La superficie de sustrato debería ser Ag texturizada
biaxialmente (110) o (100). El sustrato es calentado entre
600°C-700°C, preferiblemente
625°C-675°C. Una deposición por láser pulsado es
posteriormente utilizada para el crecimiento de un estrato ReBCO
con una presión de oxígeno de 0.07-0.40 mbar
(50-300 Torr), preferiblemente
0.20-0.38 mbar (150-250 mTorr) sobre
la superficie de Ag. Mientras que esta película no presenta
propiedades de superconductividad óptimas, ésta es continua al eje
c perpendicular a la superficie de sustrato, y está alineada en
plano con respecto a los ejes de cristal de la Ag. Este estrato
ReBCO sirve de molde para el crecimiento de estratos de perovskita
epitaxiales posteriores. Hay que tener en cuenta que la función de
este molde de tampón ReBCO consiste mejor en inducir la alineación
cristalográfica en estratos posteriores que en actuar como un
superconductor. Las películas texturizadas biaxialmente de
materiales de perovskita seleccionados orientados según el eje c,
tales como YBCO o SrTiO_{3}, pueden crecer posteriormente en ese
estrato de molde de tampón a una temperatura de crecimiento que
optimiza las propiedades deseadas de la película de perovskita. Las
películas ReBCO orientadas según el eje c, texturizadas
biaxialmente, y superconductoras con una temperatura de transición
de superconductividad de 80 K-90 K (-193°C a -183°C)
son obtenidas en Ag usando el procedimiento mencionado
anteriormente mediante el crecimiento de un estrato ReBCO adicional
en el estrato de tampón de molde ReBCO de
no-superconductividad a 730°C-800°C
en 0.07-0.40 mbar (50-300 mTorr) de
oxígeno utilizando una deposición por láser pulsado. Al contrario,
el crecimiento de ReBCO directamente en Ag entre
730°C-800°C produce una película con una
temperatura de transición de superconductividad inferior a 80 K. La
temperatura de crecimiento necesaria para obtener el estrato de
molde de tampón ReBCO orientado según el eje c en Ag no es obvia ya
que unas condiciones de crecimiento similares producen ReBCO
orientado según un eje a en SrTiO_{3} y sustratos similares. El
uso del estrato de tampón de molde ReBCO de
no-superconductividad para conseguir estratos
posteriores de perovskita texturizados biaxialmente orientados
según un eje c sobre una superficie de Ag, es un elemento clave de
esta forma de realización de la invención.
El uso del molde de tampón ReBCO permite el
crecimiento de películas orientadas según un eje c, SrTiO_{3}
texturizadas biaxialmente (epitaxial) en Ag texturizada biaxialmente
u otros metales con una película de Ag texturizada biaxialmente. El
crecimiento directo de SrTiO_{3} en Ag sin el uso del molde de
tampón produce películas orientadas (110) y (111). El SrTiO_{3} es
un estrato de tampón excelente para materiales superconductores de
temperatura elevada.
El estrato de molde de tampón ReBCO proporciona
unos medios para formar heteroestructuras metálicas/de perovskita
orientadas según el eje c texturizadas biaxialmente en Ag
texturizada biaxialmente. La película de perovskita crece sobre el
molde ReBCO mediante el uso de una de las varias técnicas de
crecimiento de película tales como la erosión superficial,
evaporación, pirólisis de pulverización, revestimiento de espín, o
deposición de vapor químico. Otros usos posibles de esta invención
incluyen el crecimiento de materiales de cristal simple, de
perovskita electroópticos o ferroeléctricos texturizados
biaxialmente (epitaxiales) en Ag texturizada biaxialmente
importante en el desarrollo de dispositivos multicapa epitaxiales de
metal/perovskita/metal.
Ejemplo
XIII
Una hoja de Ag orientada de cristal simple
(100), producida mediante el depósito de Ag en (100) NaCl y
disolución del NaCl en agua, fue calentada a 650°C en una cámara de
vacío. Un estrato de molde de YBCO orientado según el eje c
texturizado biaxialmente de 300 nm de espesor fue posteriormente
depositada a 650°C en 0.267 mbar (200 mTorr) de oxígeno. El sustrato
fue luego calentado a 780°C. Un segundo estrato de YBCO de 1000 nm
de espesor fue posteriormente depositado sobre el estrato de tampón
de molde de YBCO a 780°C en 0.267 mbar (200mTorr). El artículo
laminado fue posteriormente enfriado en I atm de oxígeno. La
película de YBCO obtenida fue orientada esencialmente según el eje
c, orientado según el eje c esencialmente texturizado biaxialmente
con una temperatura de transición de superconductividad de
aproximadamente 85 K (-188°C).
En algunos casos, las capas límites de cerámica
tales como YSZ, MgO, TiN, ZrO_{2}, CeO_{2}, y SrTiO_{3}, son
depositadas con técnicas tales como una deposición por vapor,
sol-gel, electrodeposición, etc., seguidas de un
recocido para formar estratos epitaxiales texturizados biaxialmente
sobre el sustrato texturizado (de metal/aleación). El superconductor
es depositado posteriormente sobre el molde texturizado.
El superconductor puede ser depositado mediante
una variedad de técnicas (deposición por vapor, ablación por láser,
erosión superficial, sol-gel, revestimiento por
inmersión, electrodeposición, deposición electroforética, pirólisis
por pulverización, técnicas de cuchilla limpiadora, etc.). En
algunas técnicas (es decir, deposición por láser, etc.), el estrato
superconductor ya depositado puede ser texturizado, pero en otros
casos un recocido en oxígeno adicional con presiones parciales de
oxígeno apropiadas son requeridas para inducir la textura del
sustrato en el superconductor. El método también se aplica a
depósitos precursores para los que uno o más cationes deben ser
añadidos a partir de vapor durante la reacción para formar la fase
de superconductividad. Una demostración completa del sustrato
texturizado/estratos texturizados es mostrada en la figura 11, la
cual muestra los barridos phi de la reflexión 226 de YBCO en
CeO_{2} en Ag en Pd en Ni.
Aunque se ha mostrado y descrito las que
actualmente se consideran las formas de realización preferidas de
la invención, será obvio para los expertos en la técnica que varios
cambios y modificaciones pueden ser efectuados sin salir del
objetivo de la invención definida por las reivindicaciones
anexas.
Claims (12)
1. Método de preparación de un artículo
texturizado biaxialmente, que incluye las etapas de:
a) laminación y recocido de una preforma
metálica para formar un sustrato policristalino texturizado
biaxialmente (1) que posee una superficie;
b) formación de al menos un estrato tampón
epitaxial texturizado biaxialmente 2) de otro material sobre dicha
superficie, y
c) formación de un estrato epitaxial
electromagnéticamente o electro-ópticamente activo de textura
biaxial (3) sobre dicho estrato tampón.
2. Método según la reivindicación 1, donde dicha
preforma metálica es una aleación de metales.
3. El método según la reivindicación 1, donde
dicho estrato epitaxial electromagnéticamente o electroópticamente
activo comprende un material superconductor.
4. Método según la reivindicación 1,
comprendiendo además, en la fase a) las fases de:
- depósito sobre dicha superficie de un estrato
de un agente de aleación para formar un laminado; y
- calentamiento de dicho laminado a un
temperatura suficiente durante un tiempo suficiente para provocar
una interdifusión del metal proporcionado por dicha superficie y
dicho agente de aleación, mientras que impide una fusión
homogénea.
5. Método según la reivindicación 1, donde dicha
fase de formación de dicho estrato tampón epitaxial texturizado
biaxialmente (2) comprende las fases de:
- depósito de un estrato de tampón, y
- calentamiento de dicho estrato tampón a una
temperatura con la que dicho calentamiento produce la formación de
dicho estrato tampón epitaxial texturizada biaxialmente.
6. Método según la reivindicación 1, donde dicha
fase de formación de dicho estrato epitaxial texturizado
biaxialmente electromagnéticamente o electroópticamente activo (3)
comprende las fases de:
- depósito de un estrato precursor, y
- calentamiento de dicho estrato precursor a un
temperatura con la que dicho calentamiento produce la formación de
dicho estrato epitaxial texturizado biaxialmente
electromagnéticamente o electroópticamente activo.
7. Método según cualquiera de las
reivindicaciones precedentes, donde dicha preforma metálica
comprende Cu, Ni, Al o Fe, o mezclas derivadas de éstos.
8. Artículo texturizado biaxialmente,
comprendiendo:
a) un sustrato metálico policristalino
texturizado biaxialmente laminado y recocido (1) que posee una
superficie;
caracterizado por
b) al menos un estrato tampón epitaxial
texturizodo biaxialmente (2) de otro material sobre dicha
superficie, y
c) un estrato epitaxial texturizado biaxialmente
electromagnéticamente o electroópticamente activo (3) sobre dicho
estrato de tampón.
9. Artículo según la reivindicación 8, donde
dicho sustrato es una aleación de metálica.
10. Artículo según la reivindicación 8, donde
dicha superficie tiene una composición diferente a la de dicho
sustrato.
11. Artículo según la reivindicación 8, donde
dicho estrato epitaxial electromagnéticamente o electroópticamente
activo comprende un material superconductor.
12. Un artículo según la reivindicación 8, donde
dicho sustrato metálico comprende Cu, Ni, Al o Fe, o mezclas
derivadas de éstos.
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US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
US6451450B1 (en) | 1995-04-10 | 2002-09-17 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing a protective layer over a biaxially textured alloy substrate and composition therefrom |
US6716795B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-04-06 | Ut-Battelle, Llc | Buffer architecture for biaxially textured structures and method of fabricating same |
JP3587956B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2004-11-10 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
NZ502030A (en) | 1997-06-18 | 2002-12-20 | Massachusetts Inst Technology | Controlled conversion of metal oxyfluorides into superconducting oxides |
US6440211B1 (en) | 1997-09-02 | 2002-08-27 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing buffer layers on biaxially textured metal substrates |
US6270908B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-08-07 | Ut-Battelle, Llc | Rare earth zirconium oxide buffer layers on metal substrates |
US6256521B1 (en) * | 1997-09-16 | 2001-07-03 | Ut-Battelle, Llc | Preferentially oriented, High temperature superconductors by seeding and a method for their preparation |
DE19740964A1 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-18 | Access Ev | Verfahren zum Herstellen eines Substrates als Träger für eine, insbesondere supraleitende, Funktionsschicht sowie einer Struktur mit einem Supraleiter |
US5964966A (en) * | 1997-09-19 | 1999-10-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Method of forming biaxially textured alloy substrates and devices thereon |
US6027564A (en) * | 1997-09-23 | 2000-02-22 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing epitaxial layers |
US6022832A (en) * | 1997-09-23 | 2000-02-08 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing superconductor articles with epitaxial layers |
US6428635B1 (en) * | 1997-10-01 | 2002-08-06 | American Superconductor Corporation | Substrates for superconductors |
AU740508B2 (en) * | 1997-10-01 | 2001-11-08 | American Superconductor Corporation | Substrates with improved oxidation resistance |
US6458223B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-10-01 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
GB2336849B (en) * | 1998-04-27 | 2003-02-26 | Telcon Ltd | Substrate materials |
US6150034A (en) * | 1998-06-12 | 2000-11-21 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers on rolled nickel or copper as superconductor substrates |
US6261704B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-07-17 | Ut-Battelle, Llc | MgO buffer layers on rolled nickel or copper as superconductor substrates |
US6159610A (en) * | 1998-06-12 | 2000-12-12 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers on metal surfaces having biaxial texture as superconductor substrates |
IT1302855B1 (it) * | 1998-06-15 | 2000-10-10 | Enea Ente Nuove Tec | Substrato metallico non magnetico per superconduttori ad altatemperatura e relativo procedimento di produzione. |
US6180570B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-01-30 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by plastic deformation |
KR100276003B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2000-12-15 | 윤덕용 | 띠형 기판 상의 박막 형성장치 및 박막 형성방법 |
US6114287A (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-05 | Ut-Battelle, Llc | Method of deforming a biaxially textured buffer layer on a textured metallic substrate and articles therefrom |
US6296701B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom |
DE19859452C1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-02-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Hoch-T¶c¶-Supraleiters sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
JP2002535224A (ja) * | 1999-01-12 | 2002-10-22 | マイクロコーティング テクノロジーズ,インコーポレイティド | エピタキシャル薄膜 |
US7033637B1 (en) * | 1999-01-12 | 2006-04-25 | Microcoating Technologies, Inc. | Epitaxial thin films |
DE29923162U1 (de) | 1999-02-01 | 2000-04-27 | Siemens AG, 80333 München | Langgestreckter Supraleiteraufbau mit Hoch-T¶c¶·-Supraleitermaterial und metallischem Träger |
JP3521182B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2004-04-19 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導線材及び超電導装置 |
US6475311B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-11-05 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
WO2000060132A1 (de) * | 1999-04-03 | 2000-10-12 | Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden e.V. | Metallischer werkstoff auf nickelbasis und verfahren zu dessen herstellung |
CN1076126C (zh) * | 1999-05-21 | 2001-12-12 | 北京工业大学 | 多晶织构银基带的制造方法 |
US6312819B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-11-06 | The Regents Of The University Of California | Oriented conductive oxide electrodes on SiO2/Si and glass |
US6436317B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-08-20 | American Superconductor Corporation | Oxide bronze compositions and textured articles manufactured in accordance therewith |
US6828507B1 (en) | 1999-07-23 | 2004-12-07 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors joined at a cap layer |
EP1198849A2 (en) | 1999-07-23 | 2002-04-24 | American Superconductor Corporation | Surface conditioning process for making multi-layer articles |
US6562761B1 (en) | 2000-02-09 | 2003-05-13 | American Superconductor Corporation | Coated conductor thick film precursor |
US6765151B2 (en) * | 1999-07-23 | 2004-07-20 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors |
US6730410B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-05-04 | Electronic Power Research Institute, Incorporated | Surface control alloy substrates and methods of manufacture therefor |
US6921497B2 (en) * | 1999-10-13 | 2005-07-26 | Electromagnetics Corporation | Composition of matter tailoring: system I |
US6974501B1 (en) | 1999-11-18 | 2005-12-13 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
DE60045370D1 (de) * | 1999-11-29 | 2011-01-27 | Fujikura Ltd | Polykristalliner dünner film und verfahren zu dessen herstellung, und supraleitendes oxid und verfahren zu dessen herstellung |
KR100352976B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2002-09-18 | 한국기계연구원 | 전기도금법에 의한 2축 집합조직을 갖는 니켈 도금층 및 그 제조방법 |
EP1122799A1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-08-08 | Zentrum für Funktionswerkstoffe, Gemeinnützige Gesellschaft mbH | Stainless steel substrate for superconducting films |
JP3489525B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2004-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材およびその製造方法 |
US6531945B1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
US7381492B2 (en) * | 2000-03-24 | 2008-06-03 | University Of Houston | Thin film solid oxide fuel cell and method for forming |
GB0010494D0 (en) * | 2000-04-28 | 2000-06-14 | Isis Innovation | Textured metal article |
US6455166B1 (en) | 2000-05-11 | 2002-09-24 | The University Of Chicago | Metallic substrates for high temperature superconductors |
US6331199B1 (en) | 2000-05-15 | 2001-12-18 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by powder metallurgy |
US6447714B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-09-10 | Ut-Battelle, Llc | Method for forming biaxially textured articles by powder metallurgy |
US6624122B1 (en) * | 2000-06-21 | 2003-09-23 | The Regents Of The University Of California | High critical current superconducting tapes |
US6784139B1 (en) | 2000-07-10 | 2004-08-31 | Applied Thin Films, Inc. | Conductive and robust nitride buffer layers on biaxially textured substrates |
US6673387B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-06 | American Superconductor Corporation | Control of oxide layer reaction rates |
US6361598B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-03-26 | The University Of Chicago | Method for preparing high temperature superconductor |
US6410487B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-06-25 | The University Of Chicago | Large area bulk superconductors |
KR100422333B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2004-03-10 | 이노스텍 (주) | 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막 |
US6517944B1 (en) | 2000-08-03 | 2003-02-11 | Teracomm Research Inc. | Multi-layer passivation barrier for a superconducting element |
US6985761B2 (en) * | 2000-08-14 | 2006-01-10 | Pirelli S.P.A. | Superconducting cable |
JP2002075091A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導線材の製造方法 |
US6730851B2 (en) | 2000-10-06 | 2004-05-04 | Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. | Superconducting cable and current transmission and/or distribution network including the superconducting cable |
EP1195819A1 (en) * | 2000-10-09 | 2002-04-10 | Nexans | Buffer layer structure based on doped ceria for providing optimized lattice match with a YBCO layer in a conductor and process of manufacturing said structure |
US6645639B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-11-11 | Applied Thin Films, Inc. | Epitaxial oxide films via nitride conversion |
US6573209B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-06-03 | Applied Thin Films, Inc. | Zirconium nitride and yttrium nitride solid solution composition |
US20020056401A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-16 | Rupich Martin W. | Precursor solutions and methods of using same |
US7041204B1 (en) * | 2000-10-27 | 2006-05-09 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition components and methods of formation |
JP4713012B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2011-06-29 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | テープ状酸化物超電導体 |
DE10061399C1 (de) * | 2000-12-07 | 2002-06-27 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Metallband, bestehend aus einem Schichtverbund, und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7009104B2 (en) * | 2000-12-27 | 2006-03-07 | Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. | Superconducting cable |
ES2170727B1 (es) * | 2001-01-25 | 2003-06-16 | Farga Lacambra S A | Substratos para superconductores y procedimiento para su fabricacion. |
GB2374557A (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Imperial College | Producing superconductors by epitaxial growth |
US6500568B1 (en) | 2001-06-06 | 2002-12-31 | 3M Innovative Properties Company | Biaxially textured metal substrate with palladium layer |
US6617283B2 (en) * | 2001-06-22 | 2003-09-09 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom |
EP1271666A3 (en) * | 2001-06-22 | 2006-01-25 | Fujikura Ltd. | Oxide superconductor layer and its production method |
US20030130129A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-07-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Vacuum processing for fabrication of superconducting films fabricated by metal-organic processing |
US6579360B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-06-17 | The University Of Chicago | Fabrication of high temperature superconductors |
DE10136891B4 (de) * | 2001-07-25 | 2004-07-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen eines flächenhaften Basismaterials aus Metall |
DE10136890B4 (de) * | 2001-07-25 | 2006-04-20 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines kristallstrukturell texturierten Bandes aus Metall sowie Band |
JP2003055095A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜形成方法 |
US6610414B2 (en) | 2001-08-16 | 2003-08-26 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by power metallurgy |
GB0120697D0 (en) * | 2001-08-24 | 2001-10-17 | Coated Conductors Consultancy | Superconducting coil fabrication |
DE10140956A1 (de) * | 2001-08-27 | 2003-03-27 | Univ Braunschweig Tech Carolo Wilhelmina | Verfahren zur Beschichtung von oxidierbaren Materialien mit Oxide aufweisenden Schichten |
DE10143680C1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-05-08 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Verfahren zur Herstellung von Metallbändern mit hochgradiger Würfeltextur |
US6794339B2 (en) * | 2001-09-12 | 2004-09-21 | Brookhaven Science Associates | Synthesis of YBa2CU3O7 using sub-atmospheric processing |
DE10148889A1 (de) * | 2001-09-21 | 2003-06-26 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Trägermaterial auf Nickelbasis und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20040132624A1 (en) * | 2001-12-10 | 2004-07-08 | Mitsunobu Wakata | Metal base material for oxide superconducting thick films and manufacturing method thereof |
DE10200445B4 (de) * | 2002-01-02 | 2005-12-08 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Metallband für epitaktische Beschichtungen und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6645313B2 (en) * | 2002-02-22 | 2003-11-11 | Ut-Battelle, Llc | Powder-in-tube and thick-film methods of fabricating high temperature superconductors having enhanced biaxial texture |
US6670308B2 (en) | 2002-03-19 | 2003-12-30 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing epitaxial layers on a substrate |
US6925316B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-08-02 | Christopher M. Rey | Method of forming superconducting magnets using stacked LTS/HTS coated conductor |
US20040129559A1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-07-08 | Misner Josh W. | Diffusion bonded assemblies and fabrication methods |
US6946428B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-09-20 | Christopher M. Rey | Magnesium -boride superconducting wires fabricated using thin high temperature fibers |
DE10226392C1 (de) * | 2002-06-13 | 2003-08-28 | Siemens Ag | Langgestreckter Supraleiteraufbau mit Hoch-Tc-Supraleitermaterial, oxidischen Zwischenschichtsystem und Nickel-Träger sowie Verfahren zur Herstellung dieses Aufbaus |
US7087113B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-08-08 | Ut-Battelle, Llc | Textured substrate tape and devices thereof |
US20040020430A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Metal Oxide Technologies, Inc. | Method and apparatus for forming a thin film on a tape substrate |
US20040016401A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Metal Oxide Technologies, Inc. | Method and apparatus for forming superconductor material on a tape substrate |
US20040023810A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Alex Ignatiev | Superconductor material on a tape substrate |
JP3854551B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2006-12-06 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導線材 |
US6764770B2 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-20 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers and articles for electronic devices |
US20060049057A1 (en) * | 2002-12-20 | 2006-03-09 | Midwest Research Institute | Electrodeposition of biaxial textured films |
US20060073978A1 (en) * | 2003-02-06 | 2006-04-06 | Brown University | Method and apparatus for making continuous films of a single crystal material |
US20040157747A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | The University Of Houston System | Biaxially textured single buffer layer for superconductive articles |
KR20050118294A (ko) * | 2003-03-31 | 2005-12-16 | 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 | 산화물 초전도 선재용 금속 기판, 산화물 초전도 선재 및그 제조방법 |
US6849580B2 (en) * | 2003-06-09 | 2005-02-01 | University Of Florida | Method of producing biaxially textured buffer layers and related articles, devices and systems |
US8153281B2 (en) * | 2003-06-23 | 2012-04-10 | Superpower, Inc. | Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process and apparatus to produce multi-layer high-temperature superconducting (HTS) coated tape |
US6906008B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-06-14 | Superpower, Inc. | Apparatus for consecutive deposition of high-temperature superconducting (HTS) buffer layers |
US6740421B1 (en) | 2003-07-14 | 2004-05-25 | Ut-Battelle, Llc | Rolling process for producing biaxially textured substrates |
US20050014653A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-01-20 | Superpower, Inc. | Methods for forming superconductor articles and XRD methods for characterizing same |
US20050016759A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-27 | Malozemoff Alexis P. | High temperature superconducting devices and related methods |
WO2005010512A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-02-03 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Method and system for x-ray diffraction measurements using an aligned source and detector rotating around a sample surface |
US7025826B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-11 | Superpower, Inc. | Methods for surface-biaxially-texturing amorphous films |
DE10339867B4 (de) * | 2003-08-25 | 2007-12-27 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur Herstellung von metallischen Flachdrähten oder Bändern mit Würfeltextur |
US20050048329A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | The University Of Chicago | Layered structure of Cu-containing superconductor and Ag or Ag alloys with Cu |
DE10342965A1 (de) * | 2003-09-10 | 2005-06-02 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Halbzeug auf Nickelbasis mit einer Rekristallisationswürfeltextur und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20050092253A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-05 | Venkat Selvamanickam | Tape-manufacturing system having extended operational capabilites |
US7510819B2 (en) * | 2003-11-10 | 2009-03-31 | Board Of Regents, University Of Houston | Thin film solid oxide fuel cell with lithographically patterned electrolyte and anode layers |
JP2005166781A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 圧電体デバイス及び液体吐出ヘッド並びにこれらの製造方法、薄膜形成装置。 |
US7146034B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-12-05 | Superpower, Inc. | Tape manufacturing system |
CN100365839C (zh) * | 2003-12-15 | 2008-01-30 | 北京有色金属研究总院 | 多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法 |
US6872988B1 (en) | 2004-03-23 | 2005-03-29 | Ut-Battelle, Llc | Semiconductor films on flexible iridium substrates |
US7432229B2 (en) * | 2004-03-23 | 2008-10-07 | Ut-Battelle, Llc | Superconductors on iridium substrates and buffer layers |
US20050223984A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Hee-Gyoun Lee | Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors |
US20050223983A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Venkat Selvamanickam | Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors |
US7387811B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-06-17 | Superpower, Inc. | Method for manufacturing high temperature superconducting conductors using chemical vapor deposition (CVD) |
US7569521B2 (en) * | 2004-12-01 | 2009-08-04 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method of producing biaxially textured substrates and related articles, devices and systems |
US7619272B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-11-17 | Lsi Corporation | Bi-axial texturing of high-K dielectric films to reduce leakage currents |
KR100624665B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-09-19 | 한국기계연구원 | 자기이력 손실이 적은 이축 배향성 금속 테이프 및 그제조방법 |
DE102005013368B3 (de) * | 2005-03-16 | 2006-04-13 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur Herstellung und Verwendung von Halbzeug auf Nickelbasis mit Rekristallisationswürfeltextur |
CN100368597C (zh) * | 2005-04-22 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 在无织构的金属基带上制备ybco高温超导薄膜的方法 |
EP1912785B1 (en) * | 2005-08-01 | 2011-02-16 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | Electrodeposition of biaxially textured layers on a substrate |
WO2007025062A2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Wakonda Technologies, Inc. | Photovoltaic template |
KR100691061B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-03-09 | 엘에스전선 주식회사 | 초전도 선재용 기판 및 그 제조방법과 초전도 선재 |
JP5143006B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2013-02-13 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 磁気の共鳴スペクトルを得るための輪状磁石を使ったシステム |
JP2007311194A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜材料および超電導薄膜材料の製造方法 |
CN100374596C (zh) * | 2006-05-19 | 2008-03-12 | 北京工业大学 | Ni基合金复合基带及其粉末冶金制备方法 |
US20080146452A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-06-19 | Dae Yeong Jeong | (113) [121] Textured Ag substrate and Tl-1223 high temperature superconducting coated conductor using the same |
ES2319228T3 (es) * | 2006-10-27 | 2009-05-05 | Nexans | Procedimiento para fabricar un conductor electrico superconductivo. |
US7879763B2 (en) * | 2006-11-10 | 2011-02-01 | Superpower, Inc. | Superconducting article and method of making |
DE502006008727D1 (de) * | 2006-11-17 | 2011-02-24 | Nexans | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters |
KR100807640B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-02-28 | 한국기계연구원 | 저온 열처리에 의해 이축배향성 완충층을 형성하는전구용액 |
US8741158B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-06-03 | Ut-Battelle, Llc | Superhydrophobic transparent glass (STG) thin film articles |
DE102007024166B4 (de) * | 2007-05-24 | 2011-01-05 | Zenergy Power Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Metallsubstrats und Verwendung dessen für einen Hochtemperatur-Supraleiter |
JP2008303082A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Kagoshima Univ | エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層及びエピタキシャル膜形成用配向基板 |
US7879161B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-02-01 | Ut-Battelle, Llc | Strong, non-magnetic, cube textured alloy substrates |
JP5324763B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2013-10-23 | 中部電力株式会社 | エピタキシャル膜形成用配向基板及びエピタキシャル膜形成用配向基板の表面改質方法 |
US8227082B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-07-24 | Ut-Battelle, Llc | Faceted ceramic fibers, tapes or ribbons and epitaxial devices therefrom |
WO2009110872A2 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | Amit Goyal | Semiconductor-based, large-area, flexible, electronic devices on {110}<100> oriented substrates |
US20100015340A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Zenergy Power Inc. | COMPOSITIONS AND METHODS FOR THE MANUFACTURE OF RARE EARTH METAL-Ba2Cu3O7-delta THIN FILMS |
US7919435B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-04-05 | Ut-Battelle, Llc | Superconductor films with improved flux pinning and reduced AC losses |
KR20110093780A (ko) | 2008-11-12 | 2011-08-18 | 도요 고한 가부시키가이샤 | 에피택셜 성장막 형성용 고분자 적층 기판 및 그 제조 방법 |
JP5382911B2 (ja) | 2008-11-12 | 2014-01-08 | 東洋鋼鈑株式会社 | 酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法及び該基板を用いた酸化物超電導線材 |
JP5448425B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-03-19 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導膜成膜用基板、超電導線材及びそれらの製造方法 |
JP5474339B2 (ja) | 2008-11-28 | 2014-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材の前駆体の製造方法、超電導線材の製造方法 |
US8664163B2 (en) * | 2009-01-15 | 2014-03-04 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | High temperature superconductive films and methods of making them |
US9349935B2 (en) * | 2009-01-15 | 2016-05-24 | Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership | High temperature superconductive films and methods of making them |
US8415187B2 (en) * | 2009-01-28 | 2013-04-09 | Solexant Corporation | Large-grain crystalline thin-film structures and devices and methods for forming the same |
WO2010124059A2 (en) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Wakonda Technologies, Inc. | Crystalline thin-film photovoltaic structures and methods for forming the same |
WO2011017454A1 (en) | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Ut-Battelle, Llc | Critical current density enhancement via incorporation of nanoscale ba2(y,re) tao6 in rebco films |
WO2011017439A1 (en) | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Ut-Battelle, Llc | Critical current density enhancement via incorporation of nanoscale ba2renbo6 in rebco films |
EP2495734A4 (en) * | 2009-10-27 | 2013-11-20 | Furukawa Electric Co Ltd | BAND BASE MATERIAL FOR A SUPER-CONDUCTIVE CABLE ROD, AND SUPER-LEADABLE CABLE ROD |
EP2337102B1 (de) | 2009-12-15 | 2013-05-22 | Nexans | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters und supraleitfähiger Leiter |
US8486864B2 (en) * | 2009-12-29 | 2013-07-16 | Ut-Battelle, Llc | Method for producing microstructured templates and their use in providing pinning enhancements in superconducting films deposited thereon |
US8221909B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-07-17 | Ut-Battelle, Llc | Phase-separated, epitaxial composite cap layers for electronic device applications and method of making the same |
CN102804434A (zh) * | 2010-03-26 | 2012-11-28 | 俄亥俄大学 | 通过电荷转移设计制造超薄分子超导体 |
KR100998851B1 (ko) | 2010-05-27 | 2010-12-08 | 한국기계연구원 | 초전도 선재용 완충층의 제조방법 |
DE102010031058A1 (de) | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Metallischer Profildraht mit Rekristallisationswürfeltextur und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8685549B2 (en) | 2010-08-04 | 2014-04-01 | Ut-Battelle, Llc | Nanocomposites for ultra high density information storage, devices including the same, and methods of making the same |
EP2442376A1 (de) | 2010-10-05 | 2012-04-18 | Nexans | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters und supraleitfähiger Leiter |
US11292919B2 (en) | 2010-10-08 | 2022-04-05 | Ut-Battelle, Llc | Anti-fingerprint coatings |
US9221076B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-12-29 | Ut-Battelle, Llc | Composition for forming an optically transparent, superhydrophobic coating |
WO2012071323A1 (en) | 2010-11-22 | 2012-05-31 | Electromagnetics Corporation | Devices for tailoring materials |
US8993092B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-03-31 | Ut-Battelle, Llc | Polycrystalline ferroelectric or multiferroic oxide articles on biaxially textured substrates and methods for making same |
US8748350B2 (en) * | 2011-04-15 | 2014-06-10 | Ut-Battelle | Chemical solution seed layer for rabits tapes |
US8748349B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-06-10 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers for REBCO films for use in superconducting devices |
RU2451766C1 (ru) * | 2011-05-16 | 2012-05-27 | Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт физики металлов Уральского отделения РАН (ИФМ УрО РАН) | Способ изготовления биаксиально текстурированной подложки из бинарного сплава на основе никеля для эпитаксиального нанесения на нее буферного и высокотемпературного сверхпроводящего слоев для ленточных сверхпроводников |
CN103547533A (zh) * | 2011-05-23 | 2014-01-29 | 古河电气工业株式会社 | 氧化膜超导薄膜 |
RU2481674C1 (ru) * | 2011-10-27 | 2013-05-10 | Закрытое акционерное общество "СуперОкс" | Способ изготовления подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников и подложка |
JP5531065B2 (ja) * | 2012-08-16 | 2014-06-25 | 中部電力株式会社 | エピタキシャル膜形成用配向基板 |
USD747228S1 (en) * | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Fibar Group S.A. | Door/window sensor |
US10158061B2 (en) * | 2013-11-12 | 2018-12-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Integrated superconductor device and method of fabrication |
US9947441B2 (en) | 2013-11-12 | 2018-04-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Integrated superconductor device and method of fabrication |
USD737709S1 (en) * | 2014-01-16 | 2015-09-01 | Greg Hulan | Personal alert device |
US20150239773A1 (en) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Ut-Battelle, Llc | Transparent omniphobic thin film articles |
WO2016139013A1 (en) | 2015-03-02 | 2016-09-09 | Basf Se | Process for producing crystalline tantalum oxide particles |
WO2016139101A1 (en) | 2015-03-02 | 2016-09-09 | Basf Se | Nanoparticles for the use as pinning centers in superconductors |
ES2733898T3 (es) | 2015-03-26 | 2019-12-03 | Basf Se | Procedimiento de producción de cables superconductores de alta temperatura |
RU2624564C2 (ru) * | 2015-11-06 | 2017-07-04 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН) | Способ изготовления биаксиально текстурированной подложки из тройного сплава на медно-никелевой основе |
US10431729B2 (en) * | 2016-07-11 | 2019-10-01 | Ambature, Inc. | Josephson junction using molecular beam epitaxy |
EP3568377A1 (en) | 2017-01-11 | 2019-11-20 | Basf Se | Process for producing nanoparticles |
WO2019105778A1 (en) | 2017-11-28 | 2019-06-06 | Basf Se | Joined superconducting tapes |
JP7186243B2 (ja) | 2018-04-25 | 2022-12-08 | コモンウェルス・フュージョン・システムズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 超伝導テープの品質管理装置 |
CN109082708B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-12-25 | 上海交通大学 | 一种制备具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜的方法 |
WO2020049019A1 (en) | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Basf Se | Process for producing nanoparticles |
WO2020212194A1 (en) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | Basf Se | Sealed superconductor tape |
US11201273B2 (en) * | 2019-09-13 | 2021-12-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Semiconductor-superconductor heterostructure |
WO2021063723A1 (en) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | Basf Se | High-temperature superconductor tape with buffer having controlled carbon content |
WO2022032048A1 (en) | 2020-08-06 | 2022-02-10 | American Superconductor Corporation | Electro-formed metal foils |
US11501905B2 (en) * | 2020-08-31 | 2022-11-15 | Boston Applied Technologies, Inc. | Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films |
CN116516121B (zh) * | 2023-05-16 | 2023-12-01 | 广东海洋大学 | 一种片层状晶粒尺寸异构的321奥氏体不锈钢带及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA697916A (en) * | 1964-11-17 | R. Pflumm Heinz | Alloying | |
DE2014638A1 (de) * | 1970-03-26 | 1971-10-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Zweischichten Kontaktstuckes |
EP0300499B2 (en) * | 1987-07-24 | 1998-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composite superconductor layer |
JPH01100820A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Fujikura Ltd | 高温超電導材 |
JPH01100818A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Fujikura Ltd | 高温超電導材 |
DE3816192A1 (de) * | 1988-05-11 | 1989-11-23 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer schicht aus einem metalloxidischen supraleitermaterial mittels laser-verdampfens |
US5104456A (en) * | 1990-02-15 | 1992-04-14 | Colorado School Of Mines | Process for optimizing titanium and zirconium additions to aluminum welding consumables |
CA2037481C (en) * | 1990-03-08 | 1998-11-10 | Noriki Hayashi | Method of preparing oxide superconducting film |
JPH04245113A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導材料の製造方法 |
US5145832A (en) * | 1991-05-22 | 1992-09-08 | Bell Communications Research, Inc. | Superconducting film on a flexible two-layer zirconia substrate |
FR2683086B1 (fr) * | 1991-10-29 | 1997-01-03 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication d'un conducteur souple supraconducteur a haute temperature critique. |
DE69324633T2 (de) * | 1992-07-30 | 1999-12-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Dünnfilmes |
US5290761A (en) * | 1992-10-19 | 1994-03-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making oxide superconducting films by pulsed excimer laser ablation |
JP3369225B2 (ja) * | 1992-10-27 | 2003-01-20 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物高温超電導線材の製造方法 |
US5340797A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-23 | Illinois Superconductor Corporation | Superconducting 123YBaCu-oxide produced at low temperatures |
US5432151A (en) * | 1993-07-12 | 1995-07-11 | Regents Of The University Of California | Process for ion-assisted laser deposition of biaxially textured layer on substrate |
US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
-
1995
- 1995-04-10 US US08/419,583 patent/US5741377A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-10 ES ES96912663T patent/ES2268703T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 WO PCT/US1996/004934 patent/WO1996032201A1/en active IP Right Grant
- 1996-04-10 DE DE69636162T patent/DE69636162T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 KR KR1019970707198A patent/KR100418279B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-04-10 AU AU55398/96A patent/AU713892B2/en not_active Expired
- 1996-04-10 AT AT96912663T patent/ATE327049T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-04-10 JP JP53114096A patent/JP3601830B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 EP EP96912663A patent/EP0830218B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 CA CA002217822A patent/CA2217822C/en not_active Expired - Lifetime
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- 1996-06-26 US US08/670,871 patent/US5968877A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-09 US US09/005,381 patent/US5958599A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5741377A (en) | 1998-04-21 |
WO1996032201A1 (en) | 1996-10-17 |
ATE327049T1 (de) | 2006-06-15 |
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DE69636162T2 (de) | 2007-03-15 |
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CA2217822A1 (en) | 1996-10-17 |
AU5539896A (en) | 1996-10-30 |
KR19980703798A (ko) | 1998-12-05 |
US5968877A (en) | 1999-10-19 |
US5898020A (en) | 1999-04-27 |
US5958599A (en) | 1999-09-28 |
CA2217822C (en) | 2004-11-23 |
JP3601830B2 (ja) | 2004-12-15 |
DE69636162D1 (de) | 2006-06-29 |
JPH11504612A (ja) | 1999-04-27 |
AU713892B2 (en) | 1999-12-16 |
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