CN1076126C - 多晶织构银基带的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种多晶织构银基带的制造方法,属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明提供的单组分{110}双轴织构银基带的制造方法,采用冷轧及再结晶退火的方法;单组分立方织构银基带的制造方法,采用温轧及再结晶退火的方法,都可得到多晶织构银基带。采用上述银带为基带,进行表面清洗后,采用准分子激光方法在其上直接沉积超导薄膜。

Description

多晶织构银基带的制造方法
本发明涉及一种多晶织构银基带的制造方法,属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。
将具有陶瓷脆性的高温超导材料制成线、带材是实现其实际应用的重要环节。近几年来,人们采用在多晶韧性金属基带上沉积超导膜以制备线、带材的研究取得了很大的进展,其主要突破是在镍或镍合金基带上取得的。国内外许多研究组在立方织构(即{001}<001>)取向的镍带上,外延多层缓冲层,得到高Jc(临界电流值)的高温超导膜(索红莉、周美玲等,北京工业大学学报,第24卷第2期,1998.2)。上述工艺中,由于镍与氧化物超导体发生反应,因此必须首先在镍基带上镀隔离层,同时隔离层还必须外延镍基带的织构取向,才能保证获得高Jc的超导膜,致使超导材料的制备工艺复杂,速度缓慢,成本很高,不利于实用化。而银是唯一一种在制备超导材料时不需要隔离层的基带金属,如能控制多晶银带的织构,则可望在多晶银带上直接制备高Jc的高温超导膜,从而可简化工艺、降低成本。但由于银属于低层错能金属,在轧制过程中孪晶和滑移机制同时起作用,对其经普通轧制处理后只能得到并不适合任何超导系的织构,而且取向非常不集中,不能作为超导基体。因此如何控制银的织构,得到比较纯的适合于超导制备的织构,是实际应用银基带的关键所在。
本发明的目的在于提供一种多晶织构银基带的制造方法。
本发明所提供的单组分{110}双轴织构银基带的制造方法,其特征在于:采用冷轧及再结晶退火的方法,它依次包括以下步骤:(1)取高纯度的厚银板或粉末冶金制成的银坯;(2)在室温下对银板或银坯进行冷轧,道次变形量为10~30%,总变形量大于75%:(3)在550℃~850℃真空退火20~50分钟;
本发明所提供的单组分立方织构银基带的制造方法,其特征在于:采用温轧及再结晶退火的方法,它依次包括以下步骤:(1)采用高纯的厚板或粉末冶金制成的银坯;(2)在120~150℃下对银板或银坯进行温轧,道次变形量为15~30%,总变形量为70~90%;(3)在600~800℃真空退火20~50分钟。
实验证明:用本发明的方法可以重复制备具有很强单组分{110}织构和立方织构的多晶银基带,并用此银基带可直接制备出具有高临界电流值的超导薄膜。
下面结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明:
图1:实施例1中银带的再结晶织构取向分布函数(ODF)截面图;
图2:实施例2中银带的再结晶织构取向分布函数(ODF)截面图;
图3:实施例3中银带的再结晶织构取向分布函数(ODF)截面图;
图4:实施例4中银带的再结晶织构取向分布函数(ODF)截面图;
图5:实施例5中银带的再结晶织构取向分布函数(ODF)截面图;
图6:实施例6中银带的再结晶织构取向分布函数(ODF)截面图。
实施例:
例1.将轧机的轧辊打磨抛光。采用纯度为99.99%、氧含量小于1ppm厚度为0.48mm的银板。先去除银板表面的氧化皮,然后在室温下进行冷轧。第一道次变形量为24.5%,随后的道次变形量为20.5~21%,总变形量79.5%。将轧后的银带置于真空炉中,缓慢加热至550℃,然后保温30分钟,随炉冷却取出,形成了{110}<552>银织构,其取向分布函数f(g)=11,见图1。
例2.将轧机的轧辊打磨抛光。采用纯度为99.99%、氧含量小于1ppm厚度为3.70mm的银板。先去除银板表面的氧化皮,然后在室温下进行冷轧。第一道次变形量为28.8%,随后的道次变形量为20~21%,总变形量90.6%。将轧后的银带置于真空炉中,缓慢加热至650℃,然后保温30分钟,随炉冷却取出。形成了{110}<211>银织构,其取向分布函数f(g)=40.41,见图2。
例3.将轧机的轧辊打磨抛光。采用纯度为99.99%、氧含量小于1ppm厚度为4.00mm的银板。先去除银板表面的氧化皮,然后在室温下进行冷轧。第一道次变形量为27.5%,随后的道次变形量为24.5~25%,总变形量95.2%。将轧后的银带置于真空炉中,缓慢加热至700℃,然后保温30分钟,随炉冷却取出。形成了很强的{110}<211>银织构,其取向分布函数f(g)=57,见图3。
例4.将轧机的轧辊打磨抛光。采用纯度为99.99%、氧含量小于1ppm厚度为0.48mm的银板。先去除银板表面的氧化皮,然后在140.23℃下进行温轧。第一道次变形量为30%,随后的道次变形量为20~21%,总变形量为79%。将轧后的银带置于真空炉中,缓慢加热至700℃,然后保温30分钟,随炉冷却取出。
图4为经140.23℃温轧和700℃退火后得到的银带的ODF图,由图可见:形成了纯的立方织构,其取向分布函数f(g)=29。
例5.将轧机的轧辊打磨抛光。采用纯度为99.99%、氧含量小于1ppm厚度为3.00mm的银板。先去除银板表面的氧化皮,然后在120.50℃下进行温轧。第一道次变形量为25%,随后的道次变形量为22~24%,总变形量为83%。将轧后的银带置于真空炉中,缓慢加热至750℃,然后保温30分钟,随炉冷却取出。
附图5为经120.50℃温轧和750℃退火后得到的银带的ODF图,由图可见:基本形成了立方织构,其取向分布函数f(g)=37.39。
例6.将轧机的轧辊打磨抛光。采用纯度为99.99%、氧含量小于1ppm厚度为3.70mm的银板。先去除银板表面的氧化皮,然后在149.50℃下进行温轧。第一道次变形量为23%,随后的道次变形量为25~25.5%,总变形量为89.5%。将轧后的银带置于真空炉中,缓慢加热至650℃,然后保温30分钟,随炉冷却取出。
附图6为经149.50℃温轧和650℃退火后得到的银带的ODF图,由图可见:基本形成了立方织构,其取向分布函数f(g)=39.52。
采用上述银带为基带,进行表面清洗后,采用准分子激光方法在其上直接沉积超导薄膜。
以例3制出的银带为基带制备钇钡铜氧(YBCO)超导薄膜为例,将其进行表面清洗后,在700℃下预沉积1分钟(真空度为3×10-3Pa),然后在750℃沉积30分钟(氧气压力20Pa),最后在500℃退火30分钟(氧气压力1atm),YBCO超导薄膜的Jc值为6×105A/cm2(77K,OT)。

Claims (2)

1、一种单组分{110}双轴织构银基带的制造方法,其特征在于:采用冷轧及再结晶退火的方法,它依次包括以下步骤:(1)取高纯度的厚银板或粉末冶金制成的银坯;(2)在室温下对银板或银坯进行冷轧,道次变形量为10~30%,总变形量大于75%;(3)在550℃~850℃真空退火20~50分钟。
2、一种单组分立方织构银基带的制造方法,其特征在于:采用温轧及再结晶退火的方法,它依次包括以下步骤:(1)采用高纯的厚板或粉末冶金制成的银坯;(2)在120~150℃下对银板或银坯进行温轧,道次变形量为15~30%,总变形量为70~90%:(3)在600~800℃真空退火20~50分钟。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100453257C (zh) * 2005-05-13 2009-01-21 北京工业大学 强化双轴织构Ag基复合基带的制备方法
CN101804554B (zh) * 2010-03-26 2012-02-15 北京工业大学 一种涂层超导Ni-W合金基带线材的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2647266A1 (fr) * 1989-05-17 1990-11-23 Ecole Cle Arts Manufactures Element de circuit electrique ou electronique comportant un supraconducteur sur lequel sont fixes des elements conducteurs
JPH05147905A (ja) * 1991-10-07 1993-06-15 Mitsubishi Materials Corp 酸化物超電導体の製造方法
JPH05282932A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Fujikura Ltd 酸化物超電導導体およびその製造方法
WO1994017560A1 (en) * 1993-01-29 1994-08-04 Illinois Superconductor Corporation SUPERCONDUCTING YBa2Cu307-x PRODUCED AT LOW TEMPERATURES
JPH09263971A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Hitachi Chem Co Ltd 超電導複合体及びその製造法
CN1195710A (zh) * 1997-11-19 1998-10-14 西北有色金属研究院 一种立方织构镍基带的制造方法
JPH11504612A (ja) * 1995-04-10 1999-04-27 ロッキード マーティン エナジー システムズ インコーポレイテッド 効果的な2軸配向組織を有する構造体及び同構造体の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2647266A1 (fr) * 1989-05-17 1990-11-23 Ecole Cle Arts Manufactures Element de circuit electrique ou electronique comportant un supraconducteur sur lequel sont fixes des elements conducteurs
JPH05147905A (ja) * 1991-10-07 1993-06-15 Mitsubishi Materials Corp 酸化物超電導体の製造方法
JPH05282932A (ja) * 1992-04-02 1993-10-29 Fujikura Ltd 酸化物超電導導体およびその製造方法
WO1994017560A1 (en) * 1993-01-29 1994-08-04 Illinois Superconductor Corporation SUPERCONDUCTING YBa2Cu307-x PRODUCED AT LOW TEMPERATURES
JPH11504612A (ja) * 1995-04-10 1999-04-27 ロッキード マーティン エナジー システムズ インコーポレイテッド 効果的な2軸配向組織を有する構造体及び同構造体の製造方法
JPH09263971A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Hitachi Chem Co Ltd 超電導複合体及びその製造法
CN1195710A (zh) * 1997-11-19 1998-10-14 西北有色金属研究院 一种立方织构镍基带的制造方法

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