DE19859452C1 - Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Hoch-T¶c¶-Supraleiters sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Abstract

Mit dem Verfahren ist ein bandförmiger Supraleiter mit Hoch-T¶c¶-Supraleitermaterial herzustellen. Ein aus einem Leitervorprodukt gebildeter Rohleiter (4a) soll einem Flachbearbeitungsprozeß mit mindestens zwei aufeinanderfolgenden Walzschritten unterzogen werden, wobei für den zweiten Walzschritt Walzen (W1, W1') mit einer Umlaufrichtung vorgesehen werden, die gegenüber der Umlaufrichtung (r1, r1') der Walzen (W1, W1') für den vorangegangenen Walzschritt umgekehrt ist, so daß ein Wechsel der Walzrichtung (v1) erfolgt ist. Die entsprechende Walzvorrichtung (2) besitzt mindestens ein Walzenpaar (P1), einen einstellbaren Walzspalt (3) zum Hindurchführen des Rohleiters (4a) sowie Mittel zum Wechsel der Umlaufrichtung (r1, r1').

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Supraleiters mit mindestens einem Leiter­ kern, welcher ein Supraleitermaterial mit einer metalloxidi­ schen Hoch-T_c-Phase aufweist und von mindestens einem normal­ leitenden Material umgeben ist, bei welchem Verfahren ein Leitervorprodukt mit von dem normalleitenden Material umgebe­ nen, pulverförmigen Vormaterial des Supraleitermaterials er­ stellt wird und dieses Leitervorprodukt einem querschnitts­ vermindernden, das Vormaterial verdichtenden Verformungspro­ zeß und einer Glühbehandlung unterzogen wird. Dabei umfaßt der Verformungsprozeß mehrere Walzschritte zum Flachbearbei­ ten eines aus dem Leitervorprodukt gebildeten Rohleiters. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren geht z. B. aus der Veröffentlichung "Physica C", Vol. 250, 1995, Seiten 340 bis 348 hervor.

Es sind supraleitende Metalloxidverbindungen mit hohen Sprungtemperaturen T_c von über 77 K bekannt, die deshalb auch als Hoch-T_c-Supraleitermaterialien oder HTS-Materialien be­ zeichnet werden und insbesondere eine Kühltechnik mit flüssi­ gem Stickstoff (LN₂) erlauben. Unter solche Metalloxidverbin­ dungen fallen Cuprate von speziellen Stoffsystemen wie insbe­ sondere der selten-erd-haltige Basistyp Y-Ba-Cu-O oder der selten-erd-freie Basistyp Bi-Sr-Ca-Cu-O. Dabei können einzel­ ne der Komponenten dieser Basistypen zumindest teilweise durch andere Komponenten substituiert sein. Auch können in­ nerhalb einzelner Stoffsysteme wie z. B. der Bi-Cuprate mehre­ re supraleitende Hoch-T_c-Phasen auftreten.

Mit den bekannten HTS-Materialien wird versucht, langge­ streckte Leiter in Draht- oder insbesondere in Bandform her­ zustellen. Ein hierfür als geeignet angesehenes Verfahren ist die sogenannte "Pulver-im-Rohr-Technik", die prinzipiell von der Herstellung von Supraleitern mit dem klassischen metalli­ schen Supraleitermaterial Nb₃Sn her bekannt ist. Entsprechend dieser Technik wird auch zur Herstellung von Leitern aus HTS- Material in eine rohrförmige Umhüllung oder in eine Matrix aus normalleitendem Material, insbesondere aus Ag oder einer Ag-Legierung, ein im allgemeinen pulverförmiges Vormaterial des HTS-Materials eingebracht. Dieses Vormaterial enthält üb­ licherweise noch nicht oder nur zu einem geringen Teil die gewünschte supraleitende Hoch-T_c-Phase. Das so zu erhaltende Leitervorprodukt wird anschließend einer Verformungsbehand­ lung mit mehreren Verformungsschritten, die gegebenenfalls durch mindestens einen Wärmebehandlungsschritt bei erhöhter Temperatur unterbrochen sein können, auf eine gewünschte Di­ mension gebracht. Danach wird das so erhaltene Leiterzwi­ schenprodukt zur Einstellung oder Optimierung seiner supra­ leitenden Eigenschaften bzw. zur Ausbildung der gewünschten Hoch-Ta-Phase mindestens einer Glühbehandlung unterzogen, die gegebenenfalls durch noch mindestens einen weiteren Verfor­ mungsschritt unterbrochen sein kann.

Bündelt man in an sich bekannter Weise entsprechende Hoch-T_c- Supraleiter oder deren Leitervorprodukte oder Leiterzwischen­ produkte, so kann man auch Leiter mit mehreren supraleitenden Leiterkernen, sogenannte Mehrkern- oder Multifilamentsupra­ leiter, erhalten.

Bekannte Supraleiter mit HTS-Material haben bevorzugt eine Bandform. Um diese Form eines entsprechenden Leiterendproduk­ tes zu erhalten, muß gemäß der eingangs genannten Literatur­ stelle aus "Physica C" ein Walzprozeß vorgesehen werden. Vor diesem Walzprozeß muß jedoch aus dem Leitervorprodukt ein im allgemeinen zylinderförmiger, vorverformter und vorverdichte­ ter Verbundkörper erstellt werden, der im Falle der Herstel­ lung eines Mehrkernleiters üblicherweise eine gleichverteilte Anordnung von Leiterkernen über den Querschnitt aufweist. Dieser nachfolgend als Rohleiter bezeichnete Verbundkörper wird dann mittels des im Normalfall mehrere Walzschritte um­ fassenden Walzprozesses in die flache Bandform überführt. Üb­ licherweise werden die einzelnen Walzschritte, die auch als "Walzstiche" bezeichnet werden, mit Walzenpaaren durchge­ führt, deren Walzen alle gleichen Durchmesser haben. Mit ei­ nem solchen Walzprozeß soll eine für eine hohe Stromtragfä­ higkeit bzw. kritische Stromdichte j_c notwendige Textur, d. h. eine weitgehend parallele Ausrichtung der Kristallebenen der supraleitenden Phase, erreicht werden. Dabei muß das Vormate­ rial des Supraleiters möglichst stark verdichtet werden.

Es zeigt sich jedoch, daß bei einer derartigen Herstellung eines bandförmigen Ein- oder Mehrkernsupraleiters ab einer gewissen Pulverdichte bei weiterer Verformung Inhomogenitäten wie ein sogenanntes "Sausaging", das sind Ein- oder Ab­ schnürungen der Leiterkerne über die Leiterlänge gesehen (vgl. z. B. "Cryogenics", Vol. 34, Nr. 4, 1994, Seiten 303 bis 308), oder Risse auftreten. Somit ist dem Umformungsprozeß bzw. der Pulverdichtung durch Walzen eine Grenze gesetzt; d. h., man kann das Material nur solange verdichten, wie der­ artige Inhomogenitäten vermieden werden. Die kritische Strom­ dichte j_c entsprechender bekannter Ein- und Mehrkernsupralei­ ter ist folglich begrenzt.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, das Ver­ fahren mit den eingangs genannten Merkmalen dahingehend aus­ zugestalten, daß mit ihm ein bandförmiger Hoch-T_c-Supraleiter zu erhalten ist, der gegenüber bekannten Ausführungsformen eine erhöhte kritische Stromdichte j_c besitzt. Ferner soll eine entsprechende Vorrichtung zur Durchführung des Verfah­ rens angegeben werden.

Die sich auf das Verfahren beziehende Aufgabe wird erfin­ dungsgemäß dadurch gelöst, daß im Rahmen des Verformungspro­ zesses ein Flachbearbeitungsprozeß mit mindestens zwei Walz­ schritten vorgesehen wird, wobei für den zweiten dieser Walz­ schritte Walzen mit einer Umlaufrichtung vorgesehen werden, die gegenüber der Umlaufrichtung der Walzen für den vorange­ gangenen Walzschritt umgekehrt ist, so daß ein Wechsel der Walzrichtung erfolgt.

Den erfindungsgemäßen Maßnahmen liegt dabei die Erkenntnis zugrunde, daß durch eine gezielte Veränderung der Walzrich­ tung innerhalb des Prozesses der Rohleiterumformung die er­ wähnten Inhomogenitäten erst bei wesentlich höheren Pulver­ dichten auftreten. Die so zu steigernde Pulverdichte führt auch zu einer besseren Texturierung des Supraleitermaterials. Die Folge davon ist eine deutliche Verbesserung der kriti­ schen Stromdichte bzw. Stromtragfähigkeit. Es zeigt sich näm­ lich, daß man bei einer Rohleiterwalzung, bei der in allen Walzschritten die Walzrichtung beibehalten wird, sich ein reibungsbedingter, quasi festgefahrener Zustand des Pulvers einstellt. D. h., die Pulverteilchen können sich dann aufgrund der Reibung untereinander nicht mehr hinreichend bewegen, da die vorliegenden Kräfteverhältnisse nicht in der Lage sind, die Reibungskräfte zu überwinden. Folglich wird das Fließen des Pulvers zumindest weitgehend unterbunden, und die Pulver­ teilchen werden nur noch aufeinandergepreßt, wodurch Hohlräu­ me erhalten bleiben und die Verdichtung stagniert. Das Pulver ist dann nicht mehr fließfähig. Durch die aufgrund der erfin­ dungsgemäßen Maßnahmen gezielte Veränderung des Pulverflusses kann hingegen die Verdichtung des Pulvers gefördert werden, wobei Inhomogenitäten wie Risse oder Sausaging vermieden wer­ den. Denn der vorher reibungsbedingte blockierte Zustand des Pulvers läßt sich durch Umkehr der Walzrichtung lösen. Auch starke partielle Verdichtungen und Mikrobrüche können so ver­ mindert werden, die als Ursache für Inhomogenitäten wie Risse oder Sausaging angesehen werden, bevor die angestrebte hohe Dichte erreicht wird.

Vorteilhaft werden die beiden Walzschritte mit dem Wechsel der Walzrichtung am Anfang des Flachbearbeitungsprozesses vorgesehen. Denn zu diesem Zeitpunkt ist eine besonders gute Veränderung des Pulverflusses möglich.

Darüber hinaus ist es vorteilhaft, wenn innerhalb des Flach­ bearbeitungsprozesses mehrmals die Walzrichtung geändert wird. Auf diese Weise ist eine besonders gute Verdichtung und hohe Texturierung des oxidischen Supraleitermaterials zu er­ reichen. Außerdem läßt sich so die Anzahl an erforderlichen Walzenpaaren begrenzen.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens gehen aus den übrigen abhängigen Ansprüchen her­ vor.

Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens weist vorteilhaft auf: mindestens ein Walzenpaar, durch dessen Walzspalt der Rohleiter zu führen ist, Mittel zum Wechsel der Umlaufrichtung der Walzen des mindestens ei­ nen Walzenpaares sowie Mittel zum Einstellen der Walzspalt­ weite und/oder des Preßdrucks der Walzen auf den Rohleiter. Auf diese Weise ist ein kontinuierlicher Flachbearbeitungs­ prozeß durchführbar, ohne daß man den zu verformenden Rohlei­ ter für einen nachfolgenden Walzschritt wieder von derselben Seite her in den Walzspalt einführen muß. In Abhängigkeit vom Fortschritt des Verformungsprozesses kann dabei die Walz­ spaltweite verändert bzw. der Preßdruck auf den Rohleiter eingestellt werden.

Vorteilhaft enthält die Vorrichtung mehrere Walzenpaare mit Walzen, deren Umlaufrichtungen gemeinsam zu wechseln sind. Die Anzahl der erforderlichen Wechsel der Umlaufrichtungen ist dementsprechend zu begrenzen.

Darüber hinaus können vorteilhaft von mehreren vorgesehenen Walzenpaaren ein Walzenpaar Walzen eines ersten Durchmessers und ein nachgeordnetes Walzenpaar Walzen eines zweiten Durch­ messers haben, der gegenüber dem ersten Durchmesser verschie­ den, insbesondere größer ist. Auf diese Weise lassen sich Ge­ sichtspunkte einer Texturierung des Supraleitermaterials und Gesichtspunkte eines Pulverflusses optimieren.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung noch wei­ ter erläutert. Dabei zeigen deren Fig. 1 und 2 bzw. 3 und 4 jeweils schematisch wesentliche Teile zweier Vorrichtungen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zu zwei verschiedenen Verfahrensabschnitten. In den Figuren sind sich entsprechende Teile mit denselben Bezugszeichen versehen.

Als Ausführungsbeispiel sei ein erfindungsgemäß hergestell­ ter, nachfolgend als Leiterendprodukt bezeichneter Mehrkern­ supraleiter ausgewählt. Dieses Leiterendprodukt stellt einen langgestreckten Verbundkörper in Bandform dar, der ein in ein normalleitendes Matrixmaterial eingebettetes HTS-Material we­ nigstens weitgehend phasenrein enthält. Als HTS-Material sind praktisch alle bekannten Hoch-T_c-Supraleitermaterialien, vor­ zugsweise selten-erd-freie, insbesondere Bi-haltige Cuprate, mit Phasen geeignet, deren Sprungtemperatur T_c über der Ver­ dampfungstemperatur des flüssigen Stickstoffs (LN₂) von 77 K liegt. Ein entsprechendes Beispiel ist das HTS-Material vom Grundtyp (Bi, Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O_x, das nachfolgend für das Ausfüh­ rungsbeispiel ausgewählt ist. Zur Herstellung eines entspre­ chenden HTS-Leiters kann vorteilhaft eine an sich bekannte Pulver-im-Rohr-Technik zugrundegelegt werden (vgl. z. B. DE 44 44 937 A1). Hierzu wird ein pulverförmiges Vorprodukt­ material, das eine Ausbildung der gewünschten supraleitenden Phase ermöglicht und beispielsweise hauptsächlich die soge­ nannte Bi-2212-Phase des Cuprats enthält, oder das bereits gebildete supraleitende Material in ein entsprechendes Hüll­ rohr eingebracht, dessen Material als Matrixmaterial für das fertige Endprodukt des Supraleiters dient. Für das Hüllrohr wählt man vorzugsweise ein Basismaterial, das bei der Leiter­ herstellung keine unerwünschte Reaktion mit den Komponenten des HTS-Materials wie auch mit Sauerstoff eingeht und das sich gut verformen läßt. Außerdem sollte das Hüllmaterial die Ausbildung der supraleitenden Phase, insbesondere auch unter dem Gesichtspunkt der Sauerstoffstöchiometrie, nicht behin­ dern. Deshalb ist als Basismaterial besonders ein Ag-Material geeignet, das entweder Ag in reiner Form oder in Form einer Legierung mit Ag als Hauptbestandteil, d. h. zu mehr als 50 Gew.-% enthält. So ist z. B. reines Ag in Form von kaltver­ festigtem Silber oder rekristallisiertem Silber verwendbar. Auch kann pulvermetallurgisch hergestelltes Silber vorgesehen werden. Daneben ist auch dispersionsgehärtetes Silber gut ge­ eignet.

Der Aufbau aus dem Hüllrohr und dem von ihm umschlossenen Kern z. B. aus dem Vorproduktmaterial des HTS-Materials kann anschließend einer Abfolge von mehreren, insbesondere quer­ schnittsvermindernden Verformungsschritten unterzogen werden, um so ein Leiterelement mit vorverdichtetem Vorproduktmateri­ al zu erhalten. Für die Verformungsschritte kommen hier alle bekannten Verfahren wie z. B. Strangpressen, Gesenkschmieden, Hämmern und Ziehen in Frage, die auch miteinander kombiniert sein können. Diese mechanischen Behandlungen können sowohl bei Raumtemperatur als auch bei erhöhter Temperatur durchge­ führt werden. Nach diesen Verformungsschritten liegt dann das Leiterelement in Form eines Verbundkörpers mit im allgemeinen kreisförmiger Querschnittsfläche vor.

Um zu einem Mehrkernleiter zu gelangen, wird in an sich be­ kannter Weise eine Bündelung von mehreren solcher Leiterele­ mente in einem größeren, zweiten Hüllrohr insbesondere aus dem Matrixmaterial vorgenommen. Selbstverständlich können auch andere vorgeformte oder gegebenenfalls vorgeglühte Lei­ ter oder Leitervorprodukte in ein solches Hüllrohr einge­ bracht werden. Der so gewonnene Aufbau kann anschließend noch weiter kompaktiert werden, bevor er einem mehrere Walzschrit­ te umfassenden Flachbearbeitungsprozeß unterzogen wird. Mit diesem Flachbearbeitungsprozeß ist eine dem angestrebten End­ produkt zumindest weitgehend entsprechende Bandform zu erhal­ ten. Der vor diesem Flachbearbeitungsprozeß vorliegende Mehr­ kernaufbau sei nachfolgend als Rohleiter bezeichnet. Dieser Rohleiter muß außer dem Flachbearbeitungsprozeß noch einer Wärme- oder Glühbehandlung unterzogen werden, die wenigstens einen, im allgemeinen am Ende des Flachbearbeitungsprozesses vorzugsweise in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre wie z. B. an Luft durchzuführenden (Abschluß-)Glühschritt umfaßt. Auf diese Weise ist dem Vorproduktmaterial der für die Ausbildung der gewünschten supraleitenden Phase erforderliche Sauerstoff zur Verfügung zu stellen und/oder kann die Wiederherstellung dieser Phase gewährleistet werden.

Der Flachbearbeitungsprozeß soll sich aus mehreren Walz­ schritten (bzw. Walzstichen) zusammensetzen. Dabei kann in einem ersten Walzschritt eine Grobverformung ohne Wärmebe­ handlung durchgeführt werden. Diesem ersten Walzschritt kann sich dann eine sogenannte thermomechanische Behandlung an­ schließen. Unter einer solchen Behandlung wird eine Abfolge von weiteren Walzschritten mit Zwischenglühungen zwischen diesen Schritten und der erforderliche Abschlußglühschritt verstanden.

Der Flachbearbeitungsprozeß soll gemäß der Erfindung in be­ sonderer Weise durchgeführt werden. Hierbei soll nämlich min­ destens einmal zwischen zwei aufeinanderfolgenden Walzschrit­ ten ein Wechsel der Walzrichtung erfolgen. Demgemäß ist bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel einer Walz­ vorrichtung 2 mindestens ein Paar P1 gegenläufiger Walzen W1, W1' mit gleichem Durchmesser D1 erforderlich. Durch den zwi­ schen diesen beiden Walzen ausgebildeten Walzspalt 3 wird ein Rohleiter 4a mit einer Dicke d1 oder ein entsprechendes Lei­ terzwischenprodukt in einer Vortriebs- oder Walzrichtung v1 geführt. Die Walzen W1 und W1' haben dabei jeweils eine erste Umlaufrichtung (Drehsinn). Die entsprechenden Umlaufrichtun­ gen sind durch gepfeilte, mit r1 bzw. r1' gekennzeichnete Li­ nien veranschaulicht. Dabei ist die Walzspaltweite vorgebbar.

Stattdessen oder zusätzlich kann auch der von den Walzen auf den Rohleiter auszuübende Preßdruck eingestellt werden.

Nachdem der Rohleiter 4a den Walzspalt 3 passiert und dort eine Verformung bzw. Flachbearbeitung zu einem Rohleiter 4b der Dicke d2 erfahren hat, wird die Umlaufrichtung der Walzen W1 und W1' umgekehrt. Somit läuft der verformte Rohleiter 4b gemäß der Darstellung in Fig. 2 in der entgegengesetzten Vortriebs- bzw. Walzrichtung v2 zurück durch den Walzspalt 3 unter weiterer Verformung zu einem Rohleiter 4c mit einer weiter verringerten Dicke d3. Der mit jedem dieser Walz­ schritte vorgenommene Umformungsgrad des Rohleiters liegt dabei in bekannten Größenordnungen und kann beispielsweise zwischen 5 und 50% liegen.

Selbstverständlich ist es auch möglich, daß die Umlaufrich­ tung r1 bzw. r1' der Walzen W1 und W1' mehrfach geändert wird, so daß der Rohleiter (4a bis 4c) entsprechend häufig durch den Walzspalt 3 unter weiterer Flachbearbeitung geführt wird.

Darüber hinaus ist ein entsprechender Flachbearbeitungsprozeß auch mit einer Walzvorrichtung möglich, die mehrere, d. h. mindestens zwei Walzenpaare umfaßt, deren Umlaufrichtung ebenfalls zu wechseln ist. Bei einer solchen Vorrichtung brauchen die Walzen der Walzenpaare zudem auch nicht alle den gleichen Walzendurchmesser aufzuweisen. Die Fig. 3 und 4 zeigen eine entsprechende Ausführungsform einer solchen Vor­ richtung 6 mit zwei Walzenpaaren P2 und P3 mit Walzen W2, W2' bzw. W3, W3'. Der Durchmesser D2 der Walzen des ersten Wal­ zenpaares P2 ist dabei vorteilhaft kleiner gewählt als der Durchmesser D3 der Walzen des nachgeordneten Walzenpaares P3.

Nachdem der Rohleiter 4a mit einer Dicke d1 im Walzenspalt des ersten Walzenpaares P2 zu einen Rohleiter 4b der Dicke d2 verformt wurde und anschließend den Walzspalt des zweiten Walzenpaares P3 passiert hat, so daß dann ein Rohleiter 4c mit einer weiter verminderten Dicke d3 vorliegt, kann die Um­ laufrichtung r1, r1' der Walzen der Vorrichtung 6 umgekehrt werden. Somit läuft dann der flachbearbeitete Rohleiter 4c nochmals, jedoch nun in entgegengesetzter Richtung v2 durch die Walzspalte. Fig. 4 zeigt die entsprechenden Verhältnis­ se. Dementsprechend wird im Walzspalt des Walzenpaares P3 der Rohleiter 4c zunächst zu einem Rohleiter 4d der Dicke d4 und anschließend im Walzspalt des Walzenpaares P2 zu einem Roh­ leiter 4e der Dicke d5 flachgearbeitet. Der Rohleiter 4e kann dann bereits die Enddimension des angestrebten Leiterendpro­ duktes aufweisen.

Auch bei dieser Ausführungsform der Vorrichtung 6 und damit des Verfahrens nach der Erfindung ist ein mehrfaches Durch­ laufen des Rohleiters durch die Walzspalte mit Umkehr der Vortriebs- bzw. Walzrichtung v1 bzw. v2 möglich.

Selbstverständlich können sich bei dem erfindungsgemäßen Ver­ fahren an die Walzschritte mit ein- oder mehrmaligem Wechsel der Walzrichtung weitere, an sich bekannte Walzschritte ohne einen derartigen Richtungswechsel anschließen. Auch ein Vor­ ansetzen solcher bekannter Walzschritte vor die erfindungsge­ mäßen Walzschritte ist möglich. Der jeweilige Umformungsgrad pro Walzschritt bei allen Walzschritten kann in bekannter Weise gleich groß sein oder auch unterschiedlich gewählt wer­ den. Im allgemeinen liegt er zwischen 5 und 50%, beispiels­ weise bei 10%.

Obwohl das anhand der vorstehenden Ausführungsbeispiele er­ läuterte Verfahren nach der Erfindung besonders vorteilhaft zur Herstellung von bandförmigen Mehrkernsupraleitern einge­ setzt werden kann, ist es ebensogut jedoch auch zur Herstel­ lung von bandförmigen Einkernleitern geeignet.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Supraleiters mit mindestens einem Leiterkern, welcher ein Supraleitermate­ rial mit einer metalloxidischen Hoch-T_c-Phase aufweist und von mindestens einem normalleitenden Material umgeben ist, bei welchem Verfahren ein Leitervorprodukt mit von dem nor­ malleitenden Material umgebenen, pulverförmigen Vormaterial des Supraleitermaterials erstellt wird und dieses Leitervor­ produkt einem querschnittsvermindernden, das Vormaterial ver­ dichtenden Verformungsprozeß und einer Glühbehandlung unter­ zogen wird, wobei der Verformungsprozeß einen Flachbearbei­ tungsprozeß mit mehreren Walzschritten zum Flachbearbeiten eines aus dem Leitervorprodukt gebildeten Rohleiters umfaßt, gekennzeichnet durch einen Flachbearbeitungs­ prozeß mit mindestens zwei aufeinanderfolgenden Walzschrit­ ten, wobei für den zweiten dieser Walzschritte Walzen (W1, W1') mit einer Umlaufrichtung (r2, r2') vorgesehen werden, die gegenüber der Umlaufrichtung (r1, r1') der Walzen (W1, W1') für den vorangehenden Walzschritt umgekehrt ist, so daß ein Wechsel der Walzrichtung (v1) erfolgt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die beiden Walzschritte mit dem Wechsel der Walzrichtung (v1; v2) am Anfang des Flachbearbei­ tungsprozesses vorgesehen werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß innerhalb des Flachbearbei­ tungsprozesses mehrmals die Walzrichtung (v1, v2) geändert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß mehrere aufeinanderfolgende Walz­ schritte vorgesehen werden, bei denen bei jedem neuen Walz­ schritt die Walzrichtung (v1, v2) geändert wird.

5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß das Leiter­ vorprodukt nach einer Pulver-im-Rohr-Technik erstellt wird.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß der Rohleiter (4a) mit einem Bündel aus Leitervorprodukten gebildet wird.

7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß als Supralei­ termaterial ein Bi-Cuprat und als normalleitendes Material ein Ag zumindest enthaltendes Material vorgesehen werden.

8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens ein Walzenpaar (P1, P2, P3), durch dessen Walzspalt (3) der Rohleiter (4a bis 4d) zu führen ist, durch Mittel zum Wechsel der Umlaufrichtung (r1, r1') der Walzen (W1 bis W3, W1' bis W3') des mindestens einen Walzenpaares sowie durch Mittel zum Einstellen der Walzspaltweite und/oder des Preßdrucks der Walzen auf den Rohleiter.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeich­ net durch mehrere Walzenpaare (P2, P3) mit Walzen (W2, W2'; W3, W3'), deren Umlaufrichtungen (r1, r1') gemeinsam zu wechseln sind.

10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, gekenn­ zeichnet durch mindestens ein Walzenpaar (P2) mit Walzen (W2, W2') eines ersten Durchmessers (D2) und minde­ stens ein nachgeordnetes Walzenpaar (P3) mit Walzen (W3, W3') eines zweiten Durchmessers (D3), der gegenüber dem ersten Durchmesser (D2) verschieden, insbesondere größer ist.