DE69636162T2 - Struktur mit biachsialer textur und verfahren zu deren herstellung - Google Patents
Struktur mit biachsialer textur und verfahren zu deren herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- DE69636162T2 DE69636162T2 DE69636162T DE69636162T DE69636162T2 DE 69636162 T2 DE69636162 T2 DE 69636162T2 DE 69636162 T DE69636162 T DE 69636162T DE 69636162 T DE69636162 T DE 69636162T DE 69636162 T2 DE69636162 T2 DE 69636162T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- biaxially textured
- layer
- texture
- textured
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 15
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 5
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 229940059904 light mineral oil Drugs 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002826 PrBa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229940097789 heavy mineral oil Drugs 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/74—Methods of treatment in inert gas, controlled atmosphere, vacuum or pulverulent material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/028—Physical treatment to alter the texture of the substrate surface, e.g. grinding, polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/225—Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0801—Manufacture or treatment of filaments or composite wires
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D2201/00—Treatment for obtaining particular effects
- C21D2201/04—Single or very large crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D2201/00—Treatment for obtaining particular effects
- C21D2201/05—Grain orientation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/93—Electric superconducting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49014—Superconductor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12611—Oxide-containing component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12611—Oxide-containing component
- Y10T428/12618—Plural oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Outer Garments And Coats (AREA)
- Treatment Of Fiber Materials (AREA)
- Details Of Garments (AREA)
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft biaxial texturierte metallische Substrate und daraus hergestellte Gegenstände und insbesondere solche Substrate und Gegenstände, die durch Walzen eines metallischen Substrats zum Ausbilden einer biaxialen Textur mit anschließender Abscheidung epitaxialer Materialien auf der biaxialen Textur – mit Schwerpunkt auf Superleitern – hergestellt werden.
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- Die derzeitige Materialforschung zielte auf die Herstellung von superleitenden Hochtemperatur-Keramikwerkstoffen in Leiterkonfigurationen für praktische Massenanwendungen ab, die sich größtenteils auf Sinterröhrenverfahren konzentrierten. Derartige Verfahren haben sich für die Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O (BSCCO)-Familie der Superleiter aufgrund ihrer einzigartigen Glimmerartigen mechanischen Verformungseigenschaften recht gut bewährt. In starken Magnetfeldern ist diese Superleiter-Familie allgemein auf Anwendungen unter 30K beschränkt. In der Re-Ba-Cu-O (ReBCO)-Familie (wo Re für ein Seltenerdenelement steht), der Tl-(Pb,Bi)-Sr-(Ba)-Ca-Cu-O-Familie und der Hg-(Pb)-Sr-(Ba)-Ca-Cu-O-Familie der Superleiter haben einige der Zusammensetzungen viel höhere intrinsische Grenzen und können bei höheren Temperaturen eingesetzt werden.
1 zeigt einen Vergleich optimierter Eigenschaften verschiedener Superleiter. - Es wurde nachgewiesen, dass diese Superleiter hohe kritische Stromdichten (Jc) bei hohen Temperaturen besitzen, wenn sie als Einzelkristalle oder im Wesentlichen in Einzelkristallform als epitaxiale Filme auf Einzelkristallsubstraten wie beispielsweise SrTiO3 und LaAlO3 hergestellt werden. Bisher war es bei diesen Superleitern technisch nicht möglich, mittels herkömmlicher Keramik- und Materialverarbeitungstechniken lange Leiterabschnitte herzustellen, deren Jc-Werte mit denen von epitaxialen Filmen vergleichbar waren. Das liegt vor allem an dem Effekt der "schwachen Bindungen".
- Es wurde nachgewiesen, dass bei ReBCO eine biaxiale Textur notwendig ist, um kritische Stromdichten mit hoher Transportleistung zu erhalten. Es ist von hohen Jc-Werten bei polykristallinem ReBCO in Dünnfilmen berichtet worden, die auf speziellen Substraten abgeschieden wurden, auf denen zunächst eine biaxial texturierte, nicht-superleitende Oxidpufferschicht mittels ionenstrahlunterstützter Abscheidungstechniken abgeschieden wurde. Die ionenstrahlunterstützte Abscheidung ist ein langsamer, teurer Prozess, der sich nur schwer auf die Größenordnung zur Herstellung von Abschnitten skalieren lässt, die für viele Anwendungen hinreichend sind.
- Von hohen Jc-Werten wurde auch bei schmelzverarbeitetem polykristallinem ReBCO-Grundmaterial berichtet, das überwiegend Korngrenzen mit kleinem Winkel enthält. Die Schmelzverarbeitung wird für die Herstellung praktikabler Längenabschnitte auch als zu langsam angesehen.
- Dünnfilmmaterialien mit Perovskit-artigen Strukturen sind für Superleitfähigkeit, ferroelektrische Materialien und elektrooptische Materialien von Bedeutung. Viele Anwendungen, in denen diese Materialien verwendet werden, erfordern – oder würden spürbar verbessert werden durch – einzelkristalline, c-Achsen-orientierte Perovskit-artige Filme, die auf einzelkristallinen oder hochgradig ausgerichteten Metall- oder metallbeschichteten Substraten aufgewachsen werden.
- Beispielsweise ist Y-Ba2-Cu3-Ox (YBCO) ein wichtiges superleitendes Material für die Entwicklung von superleitenden Stromleitungen, Übertragungsleitungen, Motor- und Magnetwicklungen und weitere elektrische Leiteranwendungen. Wenn sie auf unterhalb ihrer Übergangstemperatur abgekühlt werden, so haben superleitende Materialien keinen elektrischen Widerstand und transportieren elektrischen Strom, ohne sich zu erwärmen. Eine Technik zur Herstellung eines superleitenden Drahtes oder Bandes besteht darin, einen YBCO-Film auf einem metallischen Substrat abzuscheiden. Superleitendes YBCO ist auf polykristallinen Metallen abgeschieden worden, bei denen das YBCO c-Achsen-orientiert, aber nicht in der Ebene ausgerichtet ist. Um hohe elektrische Ströme zu transportieren und superleitend zu bleiben, müssen die YBCO-Filme jedoch biaxial texturiert, vorzugsweise c-Achsen-orientiert, und praktisch ohne großwinklige Korngrenzen sein, da derartige Korngrenzen der Stromtransportfähigkeit des Materials abträglich sind. YBCO-Filme, die auf polykristallinen Metallsubstraten abgeschieden sind, erfüllen dieses Kriterium im Allgemeinen nicht.
- Die Begriffe "Prozess", "Verfahren" und "Technik" werden im vorliegenden Text austauschbar verwendet. Weitere Informationen sind in folgenden Veröffentlichungen zu finden:
- 1. K. Sato et al., "High-Jc Silver-Sheathed Bi-Based Superconducting Wires", IEEE Transactions on Magnetics, 27 (1991) 1231.
- 2. K. Heine et al., "High-Field Critical Current Densities in Bi2Sr2Ca1Cu2O8+x/Ag Wires", Applied Physics Letters, 55 (1991) 2441.
- 3. R. Flukiger et al., "High Critical Current Densities in Bi(2223)/Ag tapes", Superconductor Science & Technology 5, (1992) 561.
- 4. D. Dimos et al., "Orientation Dependence of Grain-Boundary Critical Currents in Y1Ba2Cu3O7-δ Bicrystals", Physical Review Letters, 61 (1988) 219.
- 5. D. Dimos et al., "Superconducting Transport Properties of Grain Boundaries in Y1Ba2Cu3O7 Bicrystals", Physical Review B, 41 (1990) 4038.
- 6. Y. Iijima et al., "Structural and Transport Properties of Biaxially Aligned YBa2Cu3O7-x Films on Polycrystalline Ni-Based Alloy with Ion-Beam Modified Buffer Layers", Journal of Applied Physics, 74 (1993) 1905.
- 7. R. P. Reade et al. "Laser Deposition of biaxially textured Yttria-Stabilized Zirconia Buffer Layers on Polycrystalline Metallic Alloys for High Critical Current Y-Ba-Cu-O Thin Films", Applied Physics Letters, 61 (1992) 2231.
- 8. D. Dijkkamp et al., "Preparation of Y-Ba-Cu Oxide Superconducting Thin Films Using Pulsed Laser Evaporation from High Tc Bulk Material," Applied Physics Letters, 51, 619 (1987).
- 9. S. Mahajan et al., "Effects of Target and Template Layer on the Properties of Highly Crystalline Superconducting a-Axis Films of YBa2Cu3O7-x by DC-Sputtering," Physica C, 213, 445 (1993).
- 10. A. Inam et al., "A-axis Oriented Epitaxial YBa2Cu3O7-x-PrBa2CU3O7-x Heterostructures," Applied Physics Letters, 57, 2484 (1990).
- 11. R. E. Russo et al., "Metal Buffer Layers and Y-Ba-Cu-O Thin Films on Pt and Stainless Steel Using Pulsed Laser Deposition," Journal of Applied Physics, 68, 1354 (1990).
- 12. E. Narumi et al., "Superconducting YBa2Cu3O6,8 Films on Metallic Substrates Using In Situ Laser Deposition," Applied Physics Letters, 56, 2684 (1990).
- 13. R. P. Reade et al., "Laser Deposition of Biaxially Textured Yttria-Stabilized Zirconia Buffer Layers on Polycrystalline Metallic Alloys for High Critical Current Y-Ba-Cu-O Thin Films," Applied Physics Letters, 61, 2231 (1992).
- 14. J. D. Budai et al., "In-Plane Epitaxial Alignment of YBa2Cu3O7-x Films Grown on Silver Crystals and Buffer Layers," Applied Physics Letters, 62, 1836 (1993).
- 15. T. J. Doi et al., "A New Type of Superconducting Wire; Biaxially Oriented Tl1(Ba0,8Sr0,2)2Ca2Cu3O9 on {100}<100> Textured Silver Tape," Proceedings of 7th International Symposium on Superconductivity, Fukuoka, Japan, 8.-11. November 1994.
- 16. D. Forbes, Executive Editor, "Hitachi Reports 1-meter Tl-1223 Tape Made by Spray Pyrolysis", Superconductor Week, Band 9, Nr. 8, 6. März 1995.
- 17. Recrystallization, Grain Growth and Textures, Aufsätze für ein Seminar der American Society for Metals, 16. und 17. Oktober 1965, American Society for Metals, Metals Park, Ohio.
- Doi et al., "A New Type of Superconducting Wire; Biaxially Oriented Tl1(Ba0,8Sr0,2)2Ca2Cu3O9 on {100}<100> Textured Silver Tape," Proceedings of the 7th International Symposium on Superconductivity, Fukuoka, Japan, 8.-11. November 1994, offenbart superleitende Artikel, die ausschließlich auf Ag-Substraten mit verschiedenen Graden an Oberflächenstrukturierung basieren. Der Superleiter ist direkt auf dem Ag-Substrat angeordnet.
- US-A-3,770,497 (Hassler et al.) offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines zweischichtigen Kontaktstücks für Hochvakuum-Leistungsschalter. Ein Hilfsmetall und ein Diffusionsmetall werden durch Diffusion in eine Oberfläche eines metallischen Ausgangskörpers mit hoher elektrischer Leitfähigkeit legiert. Das Volumen des Hilfsmetalls lässt eine vorgegebene Diffusionstiefe in dem Ausgangskörper unter vorgegebenen Diffusionsbedingungen entstehen.
- CA-A-697916 (Durst et al.) offenbart ein Verbund-Ausgangsmaterial, das aus einer mehrschichtigen Zusammenstellung legierender Bestandteile hergestellt ist, die im festen Zustand einer solchen Temperatur ausge setzt werden können, dass eine Legierung aus den Bestandteilen entsteht, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Materials sowie ein Verfahren zur Bereitstellung einer legierten Struktur.
- AUFGABEN DER ERFINDUNG
- Es ist dementsprechend eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neues und verbessertes Verfahren zur Herstellung von Legierungs- und Laminatstrukturen mit biaxialer Textur bereitzustellen.
- Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen neuen Gegenstand mit biaxialer Textur bereitzustellen.
- KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die oben dargelegte Aufgabe mittels eines Verfahrens zur Herstellung eines biaxial texturierten Gegenstandes erreicht, das folgende Schritte umfasst:
- a) Walzen und Glühen eines Metallvorformlings zu einem polykristallinen, biaxial texturierten Substrat mit einer Oberfläche;
- b) Ausbilden wenigstens einer biaxial texturierten epitaxialen Pufferschicht aus einem anderen Material auf der Oberfläche, und
- c) Ausbilden einer biaxial texturierten elektromagnetisch oder elektrooptisch aktiven epitaxialen Schicht auf der Pufferschicht.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die oben dargelegte Aufgabe mittels eines biaxial texturierten Gegenstandes erreicht, der Folgendes umfasst
- a) ein gewalztes und geglühtes polykristallines, biaxial texturiertes Metallsubstrat mit einer Oberfläche; gekennzeichnet durch:
- b) wenigstens eine biaxial texturierte epitaxiale Pufferschicht aus einem anderen Material auf der Oberfläche, und
- c) eine biaxial texturierte elektromagnetisch oder elektrooptisch aktive epitaxiale Schicht auf der Pufferschicht.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- In den Zeichnungen ist Folgendes zu sehen:
-
1 ist eine Kurvendarstellung optimierter magnetischer Unumkehrbarkeitslinien verschiedener Hochtemperatur-Superleiter. -
2 ist eine perspektivische schematische Ansicht eines biaxial texturierten Substrats mit verschiedenen darauf abgeschiedenen epitaxialen Schichten gemäß der Erfindung. -
3 ist eine Ag(111)-Röntgenpolfigur eines gewalzten und geglühten Bandes. -
4 zeigt erwartete Intensitäten für eine (412)<548>-Oberflächenstruktur auf einer Ag(111)-Polfigur. -
5 ist eine Cu(111)-Röntgenpolfigur der Oberflächenstruktur einer gewalzten und geglühten Cu-Bahn. -
6 ist eine Ag(111)-Röntgenpolfigur der Oberflächenstruktur einer gewalzten und geglühten Cu-Bahn mit einer aufgebrachten Ag-Schicht. -
7 ist eine Ag(111)-Röntgenpolfigur der Oberflächenstruktur einer gewalzten und geglühten Cu-Bahn mit einer Ag-Schicht nach dem Glühen. -
8 ist eine Kurvendarstellung einer Röntgen-Φ-Abtastung durch Ni(202), die eine Ebenenausrichtung des Ni-Substrats in einer Probe aus Ag/Pd/gewalztem Ni anzeigt. -
9 ist eine Kurvendarstellung einer Röntgen-Φ-Abtastung durch Pd(202), die eine Ebenenausrichtung der Pd-Schicht in einer Probe aus Ag/Pd/gewalztem Ni anzeigt. -
10 ist eine Kurvendarstellung einer Röntgen-Φ-Abtastung durch Ag(202), die eine Ebenenausrichtung der Ag-Schicht in einer Probe aus Ag/Pd/gewalztem Ni anzeigt. -
11 ist eine Kurvendarstellung einer Röntgen-Φ-Abtastung durch YBCO(226)-Reflexion, die eine Ebenenausrichtung des YBCO-Superleiter in einer Probe aus YBCO/CeO2/Ag/Pd/Ni anzeigt. - Für ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung sowie anderer und weiterer Aufgaben, Vorteile und Fähigkeiten der Erfindung wird auf die folgende Offenbarung und die angehängten Ansprüche in Verbindung mit den oben beschriebenen Zeichnungen verwiesen.
- DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Ein biaxial texturiertes Substrat oder Überzugsmaterial wird mittels industriell skalierbarer Walztechniken hergestellt. Das Substrat kann dann mittels einer Vielzahl verschiedener Techniken so beschichten oder reagiert werden, dass chemisch kompatible, texturierte Sperrschichten und/oder -legierungen entstehen. Eine epitaxiale Schicht aus einem weiteren Material wird dann auf das texturierte Substrat (bzw. auf eine Sperrschicht) mittels einer Vielzahl verschiedener Techniken aufgewachsen werden. Die Textur von dem Substrat (oder der Sperrschicht) wird dann in die epitaxiale Schicht induziert. Dadurch ist es möglich, einen biaxial ausgerichteten Superleiter mit hoher kritischer Stromdichte abzuscheiden
- Ag ist im Allgemeinen mit Cuprat-Superleitern chemisch kompatibel. Versuche, einen scharfen, biaxial texturierten Ag-Streifen durch Walzen und Glühen herzustellen, haben sich als schwierig erwiesen. Daher sind Gegenstände, die auf die im vorliegenden Text beschriebene Art und Weise hergestellt werden, im Hinblick auf eine Superleitfähigkeit von besonderer Bedeutung und Einmaligkeit.
- Derartige Gegenstände sind auch aus dem Blickwinkel anderer physikalischer Eigenschaften, beispielsweise mechanischer Eigenschaften, von Bedeutung. Es wird davon ausgegangen, dass diese Gegenstände und Verfahren eine Anwendbarkeit weit über den Aspekt der Superleitfähigkeit hinaus haben. Sie können beispielsweise zur Herstellung fester, widerstandsfähiger Materialien für mechanische, magnetische und ferroelektrische Anwendungen verwendet werden. Es ist eine bekannte Tatsache, dass energiearme Grenzen – Koinzidenzstellengitter (KSG) mit kleinem Winkel und kleinem Sigma-Wert – überlegene physikalische Eigenschaften besitzen, einschließlich erhöhter mechanischer Belastbarkeit. Es wird also im vorliegenden Text ein Substrat mit höherer Festigkeit beschrieben, weil in diesen biaxial texturierten Substraten ein hoher Anteil an Korngrenzen kleine, nicht aufeinander ausgerichtete Winkel aufweist. (Die erwartete Verteilung der Korngrenzen-Fehlausrichtung kann anhand der makroskopischen Oberflächenstrukturbestimmung geschätzt werden.) Ähnliche Vorteile werden auch für andere physikalische Eigen schaften, beispielsweise magnetische, ferroelektrische Eigenschaften, erwartet.
- Wenden wir uns
2 zu, wo auf einem biaxial texturierten Substrat1 eine epitaxiale Pufferschicht2 abgeschieden ist, auf der ein zweite epitaxiale Schicht3 abgeschieden ist, bei der es sich um ein elektromagnetisches oder elektrooptisches Bauelement handelt, die vorzugsweise ein superleitendes Material enthält. - Walzprozesse
- Während des Walzprozesses bewirkt ein plastisches Fließen eine Umorientierung des Einzelkorngitters eines polykristallinen Materials, und es wird allgemein eine Oberflächenstruktur oder bevorzugte Orientierung des Gitters in den Körnern ausgebildet. Die Umorientierung schreitet allmählich voran. Die Orientierungsänderung vollzieht sich in dem Maße, wie das plastische Fließen sich fortsetzt, bis eine Oberflächenstruktur erreicht ist, die gegen ein sich unendlich fortsetzende; Fließen einer bestimmten Art stabil ist. Die Eigenart der stabilen Verformungsoberflächenstruktur und der Art und Weise, in der sie allmählich erreicht wird, ist für das Material und für die Eigenart des Fließens während des Verformungsprozesses charakteristisch (d. h. die Größenordnung der drei Hauptverformungen an allen Punkten innerhalb des Werkstücks und an aufeinanderfolgenden Zeitpunkten während des Prozesses). Die Oberflächenstrukturentwicklung wird stark durch die Temperatur beeinflusst, besonders wenn die Verformungstemperatur so hoch ist, dass eine Rekristallisation stattfinden kann. Zu weiteren Temperaturauswirkungen gehört eine Veränderung der Stapelfehlerenergie und damit der operativen Verformungsmechanismen. Im Allgemeinen können sich plastische Verformungen nahe der Oberfläche eines gewalzten Werkstücks von denen im Inneren unterscheiden und können Oberflächenstrukturen hervorbringen, deren Tiefen unter der Oberfläche vari ieren. Darum werden weiter unten bestimmte Walzverfahren beschrieben, um hinreichend gleichmäßige Texturen durch die gesamte Dicke des Werkstücks hindurch zu gewährleisten.
- Zwar kann ein Vorwärtswalzen allein zu einer homogenen Oberflächenstruktur durch die gesamte Dicke der Bahn hindurch führen, doch wir haben festgestellt, dass ein Rückwärtswalzen (wobei die Walzrichtung nach jedem Durchgang umgekehrt wird) bei den meisten Materialien weit bessere Ergebnisse erbringt. Bei dem, was im Folgenden beschrieben ist, wird ein Rückwärtswalzen anstelle eines Vorwärtswalzens bevorzugt. Die Walzgeschwindigkeit und die Dickenabnahme je Durchgang sind ebenfalls wichtige Parameter. Zwar mag die Walzgeschwindigkeit für die Texturentwicklung von Bedeutung sein, doch ihre Auswirkung ist nicht dominierend. Höhere Walzgeschwindigkeiten sind im Allgemeinen aus wirtschaftlichen Gründen wünschenswert. Die Dickenabnahme je Durchgang während des Walzens ist ebenfalls für die Texturentwicklung wichtig. Im Allgemeinen sind weniger als 30 % Dickenabnahme je Durchgang wünschenswert, auch wenn in einigen Fällen eine größere Dickenabnahme je Durchgang erforderlich sein kann. Die während des Walzens verwendete Schmierung ist ebenfalls eine wichtige Variable. Je nach der gewünschten Textur wird entweder kein Schmiermittel oder etwas Schmiermittel wie leichtes Mineralöl, schweres Mineralöl, Kerosin usw. verwendet, um eine homogene Texturentwicklung zu gewährleisten. Die Korngröße des Ausgangsmaterials, vorherige Wärmebehandlungen und der Verformungsverlauf sind ebenfalls wichtig für die Bestimmung der Texturentwicklung. Im Allgemeinen ist vor dem Walzen eine feine Korngröße erwünscht, und die anfänglichen Wärmebehandlungen und Verformungen sind darauf ausgelegt, eine zufällige Textur in den Ausgangsmaterialen entstehen zu lassen. Für allgemeine Informationen über Walzen und dadurch erhaltene Texturen wird der Leser an den Aufzählungspunkt 17 oben verwiesen.
- Glühprozesse
- Die Entwicklung einer Glüh-Textur beinhaltet verschiedene grundsätzliche Mechanismen. Eine Glüh-Textur kann sich aus einer Wiederherstellung ohne Rekristallisation (wobei man in diesem Fall eine Duplizierung der vorliegenden Textur vor dem Glühen erwarten würde), aus einer primären Rekristallisation oder aus einem Kornwachstum nach der Rekristallisation entwickeln. Die Korngrößeverteilung kann während des gesamten Prozesses normal bleiben, oder einige wenige Körner können sehr groß werden, während der Rest in etwa unverändert bleibt, bis er von den großen absorbiert wird. Die letztgenannte Art von Kornwachstum, die man als "sekundäre Rekristallisation" oder "diskontinuierlich" bezeichnet, wird im Allgemeinen als unnormal betrachtet.
- Erhalten der gewünschten Textur
- Die kritische Stromdichte durch eine Korngrenze hindurch kann bekanntlich bei Fehlausrichtungswinkeln von größer als 5°-10° deutlich verringert werden. Es ist somit wünschenswert, superleitende Abscheidungen herzustellen, in denen die Anzahl der Korngrenzen mit nicht aufeinander ausgerichteten Winkeln von größer als 5°-10° minimiert ist. Bei Leitern, in denen die superleitende Abscheidung epitaxial – mit einer darunterliegenden Metall- oder Oxidpufferschicht oder einem solchen Substrat – ist, ist es wünschenswert, die Anzahl der Korngrenzen mit Fehlausrichtungen von größer als 5°-10° zu minimieren. Dies wird erreicht, wenn die Textur des Substrats so scharf ist, dass die Kornorientierungen um nicht mehr als 5°-10° variieren. Brauchbare superleitende Schichten kann man unter Verwendung von Substraten mit einer größeren Verteilung der Kornorientierung erhalten, aber je besser die Textur des Substrats ist, desto besser sind erwartungsgemäß die Eigenschaften der Superleiter-Abscheidung.
- In einer Würfeltextur verläuft die Würfelebene parallel zur Ebene der Bahn, und eine Würfelkante verläuft parallel zur Walzrichtung, d. h. (100)[001]. Diese Textur ähnelt einem Einzelkristall mit Unterkörnern, kann aber eine untergeordnete Menge an Material in Doppelbeziehung zur Hauptorientierung enthalten. Eine vollständig entwickelte Würfeltextur, wie sie im vorliegenden Text beschrieben ist, wurde mit biaxialer Ausrichtung mit Röntgenbeugungsspitzenbreite von 2° voller Breite bei halbem Maximum entwickelt.
- Eine Messingtextur ist (110)<112>. Es hat nicht den Anschein, als sei eine Messingtextur erhältlich, die so scharf ist wie die Würfeltextur.
- Ausbilden eines texturierten Ag-Gegenstandes durch Walzen
- Unter präzise gesteuerten Walzprozessbedingungen ist eine stabile biaxiale Textur bei Ag erhältlich. Bei Raumtemperatur sind die Stapelfehlerenergien selbst bei hoch-reinem Ag derart, dass unter den meisten Walz- und Glühbedingungen keine Würfelkomponente der Textur entsteht. Gewalztes Ag entwickelt bei Raumtemperatur im Allgemeinen die (110)<112>-Textur mit zwei Doppelbeziehungskomponenten. Beim Glühen ändert sich diese Textur im Allgemeinen zu nahe (113)<211>, das man wahrscheinlich treffender als (225)<734> bezeichnet. Jedoch wird bei langen Glühzeiten bei Temperaturen von über 450°C die primäre Rekristallisationstextur von Ag durch sekundäre Körner mit den Orientierungen der Verformungstextur ersetzt. Weder die Textur nach dem Walzen noch die primäre Rekristallisationstextur sind scharf. Oft entstehen gemischte Texturenkomponenten, und dies führt zu einer signifikanten Anzahl von großwinkligen Grenzen in dem Material. Beim Glühen bei hohen Temperaturen migrieren diese großwinkligen Grenzen rasch, und die Textur ändert sich.
- a. Ausbilden einer scharfen Würfeltextur bei Ag
- Da die Entwicklung einer Textur im Wesentlichen eine Wechselwirkung zwischen Verformungszwillingsbildung und Quergleitung ist, ist die Stapelfehlerenergie sehr wichtig. Es ist hinreichend bekannt, dass die Stapelfehlerenergie mit steigender Temperatur zunimmt. Es lässt sich zeigen, dass bei Temperaturen über 150°C die Stapelfehlerenergie von Ag nahezu die gleiche ist wie die von Cu bei Raumtemperatur. Darum wird beim Walzen von Ag bei Temperaturen von 150-500°C die Entwicklung einer Würfeltextur im Allgemeinen erwartet. Bei über 300°C ist es überaus wahrscheinlich, dass nur die Würfelkomponente übrig bleibt.
- Im Folgenden sind die allgemeinen Bedingungen aufgeführt, um Ag so zu walzen, dass eine biaxiale Würfeltextur:
Walztemperatur: 50°C-500°C, bevorzugt 100°C-400°C, besonders bevorzugt 180°C-250°C.
Glühtemperatur: 100°C-960°C, bevorzugt 100°C-600°C, besonders bevorzugt 200°C-400°C. - Die Reinheit von Ag beträgt vorzugsweise mindestens 99,99 %. Mit abnehmender Ag-Reinheit nimmt die Verformungstemperatur zu. Wenn Ag eine Reinheit von 99,0 % hat, so kann die erforderliche Verformungstemperatur über 200°C betragen.
- Beispiel I
- Ein Substrat aus Ag wird unter den folgenden Bedingungen gewalzt, so dass darauf eine scharfe Würfeltextur entsteht:
Walztemperatur: 220°C
Walzgeschwindigkeit: 0,457 m/min (15 ft/min)
Dickenabnahme je Durchgang: 10 %
Walzrichtung: Rückwärtswalzen
Schmierung: Kerosin
Glühtemperatur: 300°C
Ag-Reinheit: mindestens 99,99 % - b. Ausbilden einer scharfen Messingtextur bei Ag
- Abnehmende Temperaturen führen zu einer Abnahme der Stapelfehlerenergie. Dies begünstigt die Messingkomponente der Textur. Um eine scharfe Textur zu erhalten, muss man eine einzelne Texturkomponente isolieren. Ein Verringern der Verformungstemperatur vergrößert die Menge des Messingkomponentenanteils. Die Walztemperatur sollte nicht über 20°C liegen, und die Glühtemperatur sollte mindestens 100°C betragen. Je reiner das Ag, desto geringer ist die erforderliche Verformungstemperatur.
- Beispiel II
- Ein Ag-Streifen wurde unter den folgenden Bedingungen gewalzt, so dass darauf eine scharfe Messingtextur entstand:
Walztemperatur: 160°C
Walzgeschwindigkeit: 0,457 m/min (15 ft/min)
Dickenabnahme je Durchgang: 10 %
Walzrichtung: Rückwärtswalzen
Schmierung: leichtes Mineralöl
Glühtemperatur: 300°C
Ag-Reinheit: mindestens 99,99 % - c) Ausbilden einer (412)<548>-Textur bei Ag
- Das Walzen von Silber bei Raumtemperatur verleiht der gewalzten Bahn eine biaxiale (412)<548>-Textur. Die Glühtemperatur sollte 100°C-900°C, vorzugsweise 100°C- 400°C, besonders bevorzugt 200°C-300°C betragen.
- Beispiel III
- Ein Ag-Streifen wurde unter den folgenden Bedingungen gewalzt, so dass darauf eine (412)<548>-Textur entstand:
Walztemperatur: Raumtemperatur
Walzgeschwindigkeit: 0,457 m/min (15 ft/min)
Dickenabnahme je Durchgang: 10 %
Walzrichtung: Rückwärtswalzen
Schmierung: ohne
Glühtemperatur: 300°C
Ag-Reinheit: mindestens 99,99 % -
3 zeigt eine Ag(111)-Röntgenpolfigur eines gewalzten und geglühten Bandes.4 zeigt erwartete Intensitäten für eine (412)<548>-Textur auf einer Ag(111)-Polfigur. - Ausbilden einer Würfeltextur in kubischen Metallen
- Eine gut entwickelte Würfeltextur bei Metallen wie beispielsweise Cu, Ni und Fe kann durch Schwerwalzprozess-Dickenabnahmen (mindestens 80 %) vor dem abschließenden Glühen erreicht werden. Bei Al ist eine geringe Dickenabnahme vor dem abschließenden Glühen erforderlich, um die Würfeltextur auszubilden. Bei Ag und bei Ag-, Cu-, Ni-, Al- und Fe-Legierungen lassen sich Komponenten einer Würfeltextur durch Walzen bei höheren Temperaturen (oberhalb 100°C) erreichen. Die allgemeinen Bedingungen für diesen Prozess richten sich nach der Stapelfehlerenergie des Metalls. Je höher die Reinheit des Metalls, desto geringer die erforderliche Verformungstemperatur. Gesamtverformung vor dem Glühen sollte mindestens 70 %, vorzugsweise mindestens 80 % betragen. Die Glühtemperatur sollte mindestens 100°C betragen.
- Beispiel IV
- Mit hoch-reinen Cu-Stäben als Ausgangsmaterial wurde mittels des oben beschriebenen Walzprozesses eine scharfe Würfeltextur hergestellt.
Walztemperatur: Raumtemperatur
Walzgeschwindigkeit: 0,457 m/min (15 ft/min)
Dickenabnahme je Durchgang: 10 %
Walzrichtung: Rückwärtswalzen
Schmierung: leichtes Mineralöl
Glühtemperatur: 300°C
Ag-Reinheit: mindestens 99,99 % -
5 zeigt eine Polfigur mit der stabilen Ebenen- als auch Außerebenen-Textur in der gewalzten und geglühten Cu-Bahn. - Ausbilden eines texturierten Legierungsgegenstandes
- Es ist im Allgemeinen schwierig, eine scharfe Würfeltextur in Legierungen zu erhalten. Hoch-reine Metalle wie Cu, Al, Ni, Fe usw. können so gewalzt werden, dass sehr scharfe Würfeltexturen entstehen, wie oben beschrieben. Geringe Mengen von Verunreinigungselementen können die Würfeltextur stark unterdrücken. Beispielsweise verhindern 5 % Zn, 1 % Sn, 4 % Al, 0,5 % Be, 0,5 % Cd, 0, 0025 % P, 0,3 % Sb, 1,5 % Mg, 4,2 % Ni, 0,18 % Cd und 0,047 % As in Cu das Ausbilden der Würfeltextur. Texturierte Legierungen lassen sich jedoch durch Walzen des reinen Metalls und Erhalten der gewünschten Texturen ausbilden, gefolgt durch Diffusion der gewünschten Legierungselemente, so dass die gewünschte Legierung entsteht.
- Ag kann auf die texturierte Cu-Bahn aufbeschichtet werden, gefolgt von einer Wärmebehandlung bei hohen Temperaturen, wodurch das Ag in das Cu diffundiert. Der Prozess kann fortgesetzt werden, bis man am Ende praktisch ein Ag-reiches Substrat mit etwas Cu darin hat. Die Diffusion von Ag in das Cu verändert nicht die Massenwürfeltextur der Bahn. Man kann variierende Mengen von Ag in das Cu hineindiffundieren. Alternativ kann man das Cu mit Ag sättigen. Eine anschließende Abscheidung von Ag führt nicht zu einer Deckschicht, die vorwiegend aus Ag besteht. Auf diese Weise lässt sich Ag herstellen.
- Beispiel V
- Eine dicke Schicht Ag (100 μm) wurde mittels einer üblichen Galvanisierungstechnik auf ein Cu-Substrat mit Würfeltextur, das gemäß dem im vorliegenden Text beschriebenen Verfahren hergestellt wurde, aufgalvanisiert. Die Verbundstruktur wurde dann bei 800°C im Vakuum geglüht. Die entstandene Material war eine Ag-Cu-Legierung, wobei das gesamte galvanisierte Ag in das Cu diffundiert war. Sowohl der Gitterparameter als auch die Farbe des Kupferstreifens änderte sich beim Glühen. Die scharfe Würfeltextur des ursprünglichen Cu-Streifens wurde allerdings beibehalten.
- Das vorliegende Verfahren kann auf viele Legierungen ausgedehnt werden, beispielsweise Legierungen, die gemeinhin als Nichrom (eine Ni-Cr Legierung) und Inconel (eine Cu-Ni-Legierung) bekannt sind. Mit biaxial texturiertem Ni kann man Cr diffundieren und biaxial texturiertes Nichrom herstellen. Oxidationsresistente Schichten auf der Oberfläche des biaxial texturierten Ni werden durch Diffundieren entsprechender Mengen Cr, Mo, Al und Fe ausgebildet.
- Beispiel VI
- Ein Schicht aus Cr wurde auf ein Ni-Substrat mit Würfeltextur galvanisiert, das gemäß dem im vorliegenden Text beschriebenen Verfahren mittels einer üblichen kommerziellen Galvanisierungstechnik hergestellt wurde. Anschließendes Glühen bei 400°C im Vakuum führte zur Diffusion des Cr in den Ni-Streifen. Dies führte zu einem Material mit einer Cr-reichen Außenseite, während die gewünschte Würfeltextur beibehalten blieb.
- Es kann auch ein Abstimmen der Gitterparameter von orientierten Substraten, die durch Walzen hergestellt wurden, erfolgen. Beispielsweise führt das Abscheiden einer dünnen Schicht aus Pd oder Pt usw. und ein anschließendes Diffundieren dieser Schicht in das texturierte Ni zu einer örtlichen Änderung der Gitterparameter, was für das Erreichen einer besseren Epitaxie der Sperrschicht oder der Bauelement-Schicht wichtig sein kann.
- Das vorliegende Verfahren kann auch auf Al- und Fe-Legierungen ausgedehnt werden, um chemisch kompatible Substrate mit Würfeltextur zu erhalten.
- Beispiel VII
- Al wird gemäß dem im vorliegenden Text beschriebenen Verfahren gewalzt, wobei geringe abschließende Dickenabnahmen vor dem Glühen eingesetzt werden, so dass eine scharfe Würfeltextur entsteht. Ni wird mittels eines herkömmlichen Galvanisierungsverfahren auf der Oberfläche abgeschieden. Die Verbundstruktur wird dann bei Temperaturen von über 100°C im Vakuum erwärmt. Die entstandene Struktur ist eine texturierte Ni-Al-Legierung.
- Ausbilden eines Metallsubstrats mit Messingtextur durch Walzen
- Das Ausbilden einer Messingtextur in dem Substrat bei Cu-, Ni-, Fe-, Al- und Ag-Legierungen kann mittels Kaltwalzen durch schwere Dickenabnahmen (mindestens 70 %, vorzugsweise mindestens 80 %) bei Raumtemperatur erfolgen, gefolgt durch Rekristallisationsglühen. In einigen Fällen können niedrige Verformungstemperaturen von –230°C erforderlich sein, um eine scharfe Textur auszubilden. Die Glühtemperatur sollte im Allgemeinen mindestens 100°C betragen.
- Einige der Legierungen haben eine ausgezeichnete Oxidationsresistenz, und wenn dies der Fall ist, können stark texturierte Substrate direkt als Schablonen (Template) für eine Superleiterphase benutzt werden. In anderen Fällen kann eine chemisch und strukturell kompatible Sperrschicht verwendet werden, die epitaxial auf das texturierte Substrat (beispielsweise ein natives Oxid) aufgewachsen werden kann.
- Beispiel VIII
- Eine Messingtextur bei 70 % Cu-30 % Zn erhält man durch Walzen bei Raumtemperatur unter folgenden Bedingungen:
Walzgeschwindigkeit: 0,457 m/min (15 ft/min)
Dickenabnahme je Durchgang: 10 %; Dickenabnahme gesamt: 90 %
Glühtemperatur: 400°C. - Ausbilden der Goss-Textur (110)[001]
- Diese Textur bei Silizium-Eisen-Stählen kann durch Zyklen aus Kaltwalzen und Glühen hergestellt werden. Die Verarbeitungsvariablen sind von ausschlaggebender Bedeutung, um die maximale Anzahl von Körnern in eine Würfel-auf-Kante-Orientierung (110)[001] zu bringen und die minimale Anzahl von unerwünschten Orientierungen, wie beispielsweise die Hauptkomponente der gewöhnlichen primären Rekristallisationstextur, in die Würfel-auf-Punkt-Orientierung (111)<211> zu bringen. Eine wünschenswerte primäre Rekristallisationstextur ist jene, die aus kleinen Körnern besteht. Dies erreicht man, indem man eine geeignete Verteilung von Zweitphasenmaterialien wie beispielsweise Mangan, Schwefel, Siliciumdioxid oder Vanadiumnitrid als Kornwachstumshemmer hat. Die gewünschte Textur entsteht in diesem Fall durch sekundäre Rekristallisation, wobei die (110)[001]-Körner während des Glühens bei geeigneten Atmosphären und Temperaturen auf eine Größe wachsen, die das 10- bis 100-fache der Bahndicke beträgt.
- Ausbilden einer biaxial texturierten Schicht
- Verschiedene Schichten, die aus unterschiedlichen Metallen wie beispielsweise Cu, Ni, Al, Fe usw. bestehen, und Keramikwerkstoffe können auf das texturierte Metallsubstrat abgeschieden werden. Die Textur des Substrats kann während des Abscheidens oder während des anschließendes Glühens in die Schicht induziert werden.
- Beispiel IX
- Eine vollständig mit einer Würfeltextur versehene Cu-Probe wurde gemäß dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt. Die Probe wurde in einen Verdampfungsapparat im Laborformat in ein Vakuum von etwa 1,333·10–6 mbar (10–6 Torr) eingebracht. Dann wurde Ag bei Raumtemperatur auf die Probe aufgedampft, gefolgt von Glühen bei 200°C im Vakuum, so dass eine Ag-Schicht mit Würfeltextur entstand. Die Ergebnisse sind in den
6 und7 zu sehen. -
6 zeigt eine Polfigur einer aufgebrachten Ag-Schicht auf der Cu-Bahn. Es ist festzustellen, dass sie eine sehr scharfe (111) Textur hat.7 zeigt die Polfigur derselben Bahn nach dem Glühen. Es ist festzustellen, dass sich die kräftige Würfeltextur des Cu auf die Ag-Schicht überträgt. Dieses texturierte Ag kann als eine Sperrschicht verwendet werden, und man kann eine Superleiterphase oder eine andere Bauelement-Schicht darauf aufwachsen. Wenn die Oxidschicht auf dem Cu vor dem Abscheiden von Ag entfernt wird, so hat das aufgebrachten Ag eine Würfeltextur. - Im Fall von texturiertem Ni kann eine dünne Schicht eines weiteren flächenzentrierten kubischen Materials wie beispielsweise Pd, Pt, Cr und/oder Cu erforderlich sein, bevor Ag abgeschieden wird.
- Beispiel X
- Es wurde ein biaxial texturierter Laminatgegenstand gemäß der Erfindung durch Abscheidung einer Pd-Schicht auf einem texturierten Ni-Substrat, gefolgt durch Abscheidung einer Ag-Schicht auf der Pd-Schicht, hergestellt. Für den Abscheidungsprozess wurde Sputtern mittels eines Zweiquellen-Gleichstrommagnetrons verwendet, und die Abscheidungsbedingungen waren wie folgt:
Metallsputterziele: Pd und Ag
Sputtergas: Ar
Sputtergasdruck: 6-10 × 10–3 mbar
Substrattemperaturen: 500°C für Pd-Abscheidung, 300°C für Ag-Abscheidung
Abscheidungsraten: 30 nm/min für Pd-Abscheidung, 300 nm/min für Ag-Abscheidung
Schichtdicken: 200 nm für Pd, 35 μm für Ag. - Die Ergebnisse sind in den
8 -10 gezeigt. - Die
8 -10 zeigen (202)-Φ-Abtastungen eines gewalzten, mit Würfeltextur versehenen Ni-Streifens mit einer dünnen Schicht Pd und dann einer Ag-Schicht auf dem Pd. Mann kann deutlich sehen, wie die Textur des Substrats auf die Schicht übergeht. - Eine biaxial texturierte Legierungsbeschichtung kann auch durch Abscheiden von mindestens zwei Filmen ungleicher Metalle auf der Oberfläche des biaxial texturierten Substrats mit anschließendem Glühen des be schichteten Substrats auf eine Temperatur, die für eine Interdiffusion der Schichten ausreicht, hergestellt werden. Wenn die Schichten nach dem Abscheiden nicht epitaxial sind, so erfolgt ein epitaxiales Wachstum während des Glühprozesses.
- Beispiel XI
- Auf ein biaxial texturiertes Ni-Substrat wurde bei 500°C eine Schicht aus 300 nm dickem Pd durch Sputtern abgeschieden. Eine Schicht aus 1000 nm dickem Ag wird dann bei 300°C durch Sputtern abgeschieden. Diese epitaxiale Ag/Pd/Ni-Laminatstruktur wurde dann bei 700°C im Vakuum geglüht. Der entstandene Gegenstand bestand aus einer biaxial texturierten Ag-Pd-Legierungsbeschichtung auf dem biaxial texturierten Ni.
- Ausbilden eines biaxial texturierten Laminatgegenstandes
- Ein Laminatgegenstand mit einer biaxial texturierten Keramikschicht wird gemäß der Erfindung durch Aufwachsen einer epitaxialen Schicht, wie beispielsweise Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkoniumoxid (YSZ), MgO, TiN, ZrO2, CeO2, SrTiO3 oder LaAlO3, auf die zuvor beschriebenen biaxial texturierten Metallsubstrate hergestellt. Epitaxiale Keramikschichten können mittels einer aus einer Vielzahl von Techniken aufgewachsen werden, einschließlich Impulslaserabscheidung, Sputtern, Aufdampfen, chemische Dampfabscheidung, Solgel, Sprühpyrolyse, Aufschleudern und Elektroabscheidung. Eine ferroelektrische, elektrooptische, superleitende oder andere elektromagnetische Schicht kann dann epitaxial auf diese biaxial texturierte Keramikschicht unter Verwendung einer der oben genannten Filmwachstumstechniken aufgewachsen werden. Der fertige Laminatgegenstand besteht aus einem biaxial texturierten ferroelektrischen, elektrooptischen oder superleitenden Film auf einer Keramikschicht auf einem Metallsubstrat. Die Walzprozesse zur Herstellung des zuvor beschriebenen texturierten Metallsubstrats ermöglichen die Herstellung langer ferroelektrischer, elektrooptischer, superleitender oder anderer elektromagnetischer biaxial texturierter Laminatgegenstände. wenn die endgültige abgeschiedene Schicht ein Superleiter ist, so ist der entstandene Gegenstand ein superleitendes Band mit nur wenigen oder gar keinen Korngrenzen mit schwacher Verbindung und großem Winkel. Die Fähigkeit, diesen Gegenstand herzustellen, ist ein wesentlicher Schritt bei der Entwicklung von superleitenden Starkstromleitern zur Verwendung bei Temperaturen von über 77 K in starken Magnetfeldern.
- Beispiel XII
- Ein biaxial texturiertes Laminat, das gemäß Beispiel X hergestellt wurde, wurde in eine Impulslaserabscheidungskammer eingebracht. Nach der Sputterreinigung der Ag-Oberfläche mit einer Ar-Ionenkanone wurde der Laminatgegenstand auf 750°C erwärmt. Eine 500 nm dicke CeO2-Schicht wurde dann mittels Impulslaserabscheidung mit einem Sauerstoffhintergrunddruck von 5,33·10–4 mbar (4·10–4 Torr) abgeschieden. Ein 1000 nm dicker YBCO-Film wurde dann bei 750°C unter einem Sauerstoffdruck von 0,267 mbar (200 mTorr) abgeschieden. Das entstandene Laminat, eine biaxial texturierte YBCO/CeO2/Ag/Pd/Ni-Mehrschichtstruktur, wurde bei 1 atm Sauerstoff gekühlt. Die Ergebnisse sind in
11 gezeigt. -
11 zeigt die Röntgen-Φ-Abtastung der 226-Reflexion der YBCO-Schicht, die anzeigt, dass das YBCO c-Achsen-orientiert und biaxial texturiert war. - Ausbilden von c-Achsen-orientierten, biaxial texturierten Perovskit-artigen Filmen auf biaxial texturiertem
- Es wurde ein aus zwei Schritten bestehender Filmwachs tumsprozess, der eine nicht-superleitende ReBCO-Pufferschablonenschicht beinhaltet, entwickelt, der das Wachstum von c-Achsen-orientierten, biaxial texturierten Perovskit-artigen Filmen auf einzelkristallinem oder biaxial texturiertem Ag ermöglicht. Die Substratoberfläche sollte (110) oder (100) biaxial texturiertes Ag sein. Das Substrat wird auf 600°C-700°C, vorzugsweise 625°C-675°C, erwärmt. Dann wird mittels Impulslaserabscheidung eine ReBCO-Schicht bei einem Sauerstoffdruck von 0,07-0,40 mbar (50-300 mTorr), vorzugsweise 0,20-0,33 mbar (150-250 mTorr) auf der Ag-Oberfläche abgeschieden. Obgleich dieser Film keine guten superleitenden Eigenschaften hat, verläuft er doch kontinuierlich mit der c-Achse senkrecht zur Substratoberfläche und ist in der Ebene relativ zu den Kristallachsen des Ag ausgerichtet. Diese ReBCO-Schicht dient als eine Schablone für das Wachstum von anschließenden epitaxialen Perovskit-artigen Schichten. Es ist zu beachten, dass die Funktion dieser ReBCO-Pufferschablone darin besteht, eine kristallografische Ausrichtung in anschließenden Schichten zu induzieren, und nicht darin, als Superleiter zu fungieren. C-Achsen-orientierte, biaxial texturierte Filme aus ausgewählten Perovskit-artigen Materialien, wie beispielsweise YBCO oder SrTiO3, können dann auf diese Pufferschablonenschicht bei einer Wachstumstemperatur aufgewachsen werden, welche die gewünschten Eigenschaften des Perovskit-artigen Films optimiert. ReBCO-Filme, die c-Achsen-orientiert, biaxial texturiert und superleitend sind und eine superleitende Übergangstemperatur von 80 K-90 K (–193°C bis –183°C) haben, erhält man auf Ag mittels des oben angesprochenen Verfahrens durch Aufwachsen einer zusätzlichen ReBCO-Schicht auf der nicht-superleitenden ReBCO-Schablonenpufferschicht bei 730°C-800°C und bei 0,07-0,40 mbar (50-300 mTorr) Sauerstoffdruck mittels Impulslaserabscheidung. Im Gegensatz dazu führt das Wachstum von ReBCO direkt auf Ag bei 730°C-800°C zu einem Film mit einer superleitenden Übergangstemperatur von weniger als 80K. Die Wachstumstemperatur, die für das Erhalten der c-Achsen-orientierten ReBCO-Pufferschablonenschicht auf Ag erforderlich ist, ist nicht ohne Weiteres klar, weil ähnliche Wachstumsbedingungen zu a-Achsen-orientiertem ReBCO auf SrTiO3- und ähnlichen Substraten führt. Die Verwendung der nicht-superleitenden ReBCO-Schablonenpufferschicht zum Herstellen nachfolgender c-Achsen-orientierter, biaxial texturierter Perovskitartiger Schichten auf einer Ag-Oberfläche ist ein Schlüsselelement dieser Ausführungsform der Erfindung.
- Die Verwendung der ReBCO-Pufferschablone ermöglicht das Wachstum von c-Achsen-orientierten, biaxial texturierten (epitaxialen) SrTiO3-Filmen auf biaxial texturiertem Ag oder anderen Metallen mit einem biaxial texturierten Ag-Film. Direktes Wachstum von SrTiO3 auf Ag ohne die Verwendung der Pufferschablone führt zu (110)- und (111)-orientierten Filmen. SrTiO3 ist eine ausgezeichnete Pufferschicht für superleitende Hochtemperatur-Materialien.
- Die ReBCO-Pufferschablonenschicht stellt ein Mittel zur Herstellung c-Achsen-orientierter, biaxial texturierter Metall/Perovskit-artiger Heterostrukturen auf biaxial texturiertem Ag bereit. Der Perovskit-artige Film wird auf die ReBCO-Schablone mittels einer von verschiedenen Filmwachstumstechniken aufgewachsen, wie beispielsweise Sputtern, Aufdampfen, Sprühpyrolyse, Aufschleudern oder chemischer Dampfabscheidung. Zu weiteren möglichen Verwendungen dieser Erfindung gehört das Wachstum einzelkristalliner, biaxial texturierter (epitaxialer) Perovskit-artiger elektrooptischer oder ferroelektrischer Materialien auf biaxial texturiertem Ag, die für die Entwicklung von epitaxialen Metall/Perovskitform/Metall-Mehrschichtbauelementen von Bedeutung sind.
- Beispiel XIII
- Eine einzelkristalline (100)-orientierte Ag-Folie, die durch Abscheidung von Ag auf (100) NaCl und Auflösen des NaCl in Wasser hergestellt wurde, wurde auf 650°C in einer Vakuumkammer erwärmt. Eine 300 nm dicke, c-Achsen-orientierte, biaxial texturierte YBCO-Schablonenschicht wurde dann bei 650°C und bei 0,267 mbar (200 mTorr) Sauerstoffdruck abgeschieden. Das Substrat wurde dann auf 780°C erwärmt. Eine zweite, 1000 nm dicke YBCO-Schicht wurde dann auf die YBCO-Schablonenpufferschicht bei 780°C und bei 0,267 mbar (200 mTorr) abgeschieden. Der Laminatgegenstand wurde dann bei 1 atm Sauerstoff abgekühlt. Der entstandene YBCO-Film war überwiegend c-Achsen-orientiert, biaxial texturiert und mit einer superleitenden Übergangstemperatur von ungefähr 85 K (–188°C).
- Ausbilden einer biaxial texturierten Superleiterabscheidung
- In einigen Fällen werden Sperrschichten aus Keramikwerkstoffen wie beispielsweise YSZ, MgO, TiN, ZrO2, CeO2 und SrTiO3 durch Techniken wie beispielsweise Dampfabscheidung, Solgel, Elektroabscheidung usw. abgeschieden, gefolgt durch Glühen, so dass epitaxiale, biaxial texturierte Schichten auf dem texturierten Substrat (Metall/Legierung) entstehen. Der Superleiter wird dann auf der texturierten Schablone abgeschieden.
- Der Superleiter kann mittels einer Vielzahl verschiedener Techniken abgeschieden werden (Dampfabscheidung, Laserablation, Sputtern, Solgel, Tauchbeschichtung, Elektroabscheidung, elektrophoretische Abscheidung, Sprühpyrolyse, Rakeltechniken usw.). Bei einigen der Techniken (d. h. Laserabscheidung usw.) kann die aufgebrachte Superleiterschicht texturiert sein, aber in anderen Fällen ist ein zusätzliches Sauerstoffglühen bei geeigneten Sauerstoffpartialdrücken erforderlich, um die Textur aus dem Substrat in den Superleiter hinein zu induzieren. Das Verfahren findet auch für Vorläuferabscheidungen Anwendung, zu denen ein oder mehrere Kationen aus dem Dampf während der Reaktion hinzugefügt werden müssen, um die superleitende Phase auszubilden. Eine vollständige Demonstration des texturierten Substrats/der texturierten Schichten ist in
11 gezeigt, wo Φ-Abtastungen der 226-Reflexion von YBCO auf CeO2, auf Ag, auf Pd und auf Ni gezeigt sind. - Obgleich das gezeigt und beschrieben wurde, was derzeit als die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung angesehen wird, ist dem Fachmann klar, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen an der Erfindung vorgenommen werden können, ohne dass vom Geltungsbereich der Erfindung, der durch die angehängten Ansprüche definiert ist, abgewichen wird.
Claims (12)
- Verfahren zur Herstellung eines biaxial texturierten Gegenstandes, das folgende Schritte umfasst: a) Walzen und Glühen eines Metallvorformlings zu einem polykristallinen, biaxial texturierten Substrat (
1 ) mit einer Oberfläche; b) Ausbilden wenigstens einer biaxial texturierten epitaxialen Pufferschicht (2 ) aus einem anderen Material auf der Oberfläche, und c) Ausbilden einer biaxial texturierten elektromagnetisch oder elektrooptisch aktiven epitaxialen Schicht (3 ) auf der Pufferschicht. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem Metallvorformling um eine Metalllegierung handelt.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die elektromagnetisch oder elektrooptisch aktive epitaxiale Schicht ein superleitendes Material umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 1, das des Weiteren in Schritt a) folgende Schritte umfasst: – Abscheiden einer Schicht eines Legierungszusatzes auf die Oberfläche, so dass ein Laminat entsteht; und – Erwärmen des Laminats über einen ausreichenden Zeitraum auf eine ausreichende Temperatur, so dass ein gegenseitiges Diffundieren von Metall, das von der Oberfläche und dem Legierungszusatz stammt, bewirkt wird, während ein homogenes Schmelzen verhindert wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ausbildens der biaxial texturierten epitaxialen Pufferschicht (
2 ) folgende Schritte umfasst: – Abscheiden einer Pufferschicht; und – Erwärmen der Pufferschicht auf eine Temperatur, wobei das Erwärmen die Entstehung der biaxial texturierten epitaxialen Pufferschicht hervorruft. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ausbildens der biaxial texturierten elektromagnetisch oder elektrooptisch aktiven epitaxialen Schicht (
3 ) folgende Schritte umfasst: – Abscheiden einer Vorläuferschicht, und – Erwärmen der Vorläuferschicht auf eine Temperatur, wobei das Erwärmen die Entstehung der biaxial texturierten elektromagnetisch oder elektrooptisch aktiven epitaxialen Schicht hervorruft. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Metallvorformling Cu, Ni, Al oder Fe oder Mischungen davon umfasst.
- Biaxial texturierter Gegenstand, umfassend: a) ein gewalztes und geglühtes polykristallines, biaxial texturiertes Metallsubstrat (
1 ) mit einer Oberfläche; gekennzeichnet durch: b) wenigstens eine biaxial texturierte epitaxiale Pufferschicht (2 ) aus einem anderen Material auf der Oberfläche, und c) eine biaxial texturierte elektromagnetisch oder elektrooptisch aktive epitaxiale Schicht (3 ) auf der Pufferschicht. - Gegenstand nach Anspruch 8, wobei es sich bei dem Substrat um eine Metalllegierung handelt.
- Gegenstand nach Anspruch 8, wobei die Oberfläche eine andere Zusammensetzung hat als das Substrat.
- Gegenstand nach Anspruch 8, wobei die elektromagnetisch oder elektrooptisch aktive epitaxiale Schicht ein superleitendes Material umfasst.
- Gegenstand nach Anspruch 8, wobei das Metallsubstrat Cu, Ni, Al oder Fe oder Mischungen davon umfasst.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/419,583 US5741377A (en) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
US419583 | 1995-04-10 | ||
PCT/US1996/004934 WO1996032201A1 (en) | 1995-04-10 | 1996-04-10 | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69636162D1 DE69636162D1 (de) | 2006-06-29 |
DE69636162T2 true DE69636162T2 (de) | 2007-03-15 |
Family
ID=23662879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69636162T Expired - Lifetime DE69636162T2 (de) | 1995-04-10 | 1996-04-10 | Struktur mit biachsialer textur und verfahren zu deren herstellung |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US5741377A (de) |
EP (1) | EP0830218B1 (de) |
JP (1) | JP3601830B2 (de) |
KR (1) | KR100418279B1 (de) |
AT (1) | ATE327049T1 (de) |
AU (1) | AU713892B2 (de) |
CA (1) | CA2217822C (de) |
DE (1) | DE69636162T2 (de) |
ES (1) | ES2268703T3 (de) |
WO (1) | WO1996032201A1 (de) |
Families Citing this family (200)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6316391B1 (en) | 1994-09-20 | 2001-11-13 | Hitachi, Ltd. | Oxide superconducting wire and method of manufacturing the same |
US6716795B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-04-06 | Ut-Battelle, Llc | Buffer architecture for biaxially textured structures and method of fabricating same |
US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
US6077344A (en) * | 1997-09-02 | 2000-06-20 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Sol-gel deposition of buffer layers on biaxially textured metal substances |
US6451450B1 (en) | 1995-04-10 | 2002-09-17 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing a protective layer over a biaxially textured alloy substrate and composition therefrom |
JP3587956B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2004-11-10 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
JP4223076B2 (ja) | 1997-06-18 | 2009-02-12 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 金属オキシフッ化物の超伝導性酸化物への制御された変換 |
US6270908B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-08-07 | Ut-Battelle, Llc | Rare earth zirconium oxide buffer layers on metal substrates |
US6440211B1 (en) * | 1997-09-02 | 2002-08-27 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing buffer layers on biaxially textured metal substrates |
US6256521B1 (en) * | 1997-09-16 | 2001-07-03 | Ut-Battelle, Llc | Preferentially oriented, High temperature superconductors by seeding and a method for their preparation |
DE19740964A1 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-18 | Access Ev | Verfahren zum Herstellen eines Substrates als Träger für eine, insbesondere supraleitende, Funktionsschicht sowie einer Struktur mit einem Supraleiter |
US5964966A (en) * | 1997-09-19 | 1999-10-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Method of forming biaxially textured alloy substrates and devices thereon |
US6022832A (en) | 1997-09-23 | 2000-02-08 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing superconductor articles with epitaxial layers |
US6027564A (en) * | 1997-09-23 | 2000-02-22 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing epitaxial layers |
US6428635B1 (en) * | 1997-10-01 | 2002-08-06 | American Superconductor Corporation | Substrates for superconductors |
US6458223B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-10-01 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
WO1999017307A1 (en) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | American Superconductor Corporation | Substrates with improved oxidation resistance |
GB2336849B (en) * | 1998-04-27 | 2003-02-26 | Telcon Ltd | Substrate materials |
US6159610A (en) * | 1998-06-12 | 2000-12-12 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers on metal surfaces having biaxial texture as superconductor substrates |
US6261704B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-07-17 | Ut-Battelle, Llc | MgO buffer layers on rolled nickel or copper as superconductor substrates |
US6150034A (en) * | 1998-06-12 | 2000-11-21 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers on rolled nickel or copper as superconductor substrates |
IT1302855B1 (it) * | 1998-06-15 | 2000-10-10 | Enea Ente Nuove Tec | Substrato metallico non magnetico per superconduttori ad altatemperatura e relativo procedimento di produzione. |
US6180570B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-01-30 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by plastic deformation |
US6296701B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom |
US6114287A (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-05 | Ut-Battelle, Llc | Method of deforming a biaxially textured buffer layer on a textured metallic substrate and articles therefrom |
KR100276003B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2000-12-15 | 윤덕용 | 띠형 기판 상의 박막 형성장치 및 박막 형성방법 |
DE19859452C1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-02-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Hoch-T¶c¶-Supraleiters sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US7033637B1 (en) * | 1999-01-12 | 2006-04-25 | Microcoating Technologies, Inc. | Epitaxial thin films |
EP1145252A2 (de) * | 1999-01-12 | 2001-10-17 | MicroCoating Technologies, Inc. | Epitaxiale dünnschicht |
DE29923162U1 (de) | 1999-02-01 | 2000-04-27 | Siemens Ag | Langgestreckter Supraleiteraufbau mit Hoch-T¶c¶·-Supraleitermaterial und metallischem Träger |
JP3521182B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2004-04-19 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導線材及び超電導装置 |
US6475311B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-11-05 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
JP5064611B2 (ja) * | 1999-04-03 | 2012-10-31 | インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトッフオルシュング ドレースデン エー ファウ | ニッケルベースの金属材料およびその製造方法 |
CN1076126C (zh) * | 1999-05-21 | 2001-12-12 | 北京工业大学 | 多晶织构银基带的制造方法 |
US6312819B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-11-06 | The Regents Of The University Of California | Oriented conductive oxide electrodes on SiO2/Si and glass |
US6436317B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-08-20 | American Superconductor Corporation | Oxide bronze compositions and textured articles manufactured in accordance therewith |
US6765151B2 (en) * | 1999-07-23 | 2004-07-20 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors |
CA2378833A1 (en) | 1999-07-23 | 2001-02-01 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors |
US6562761B1 (en) | 2000-02-09 | 2003-05-13 | American Superconductor Corporation | Coated conductor thick film precursor |
US6828507B1 (en) | 1999-07-23 | 2004-12-07 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors joined at a cap layer |
WO2001015245A1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-03-01 | Electric Power Research Institute, Inc. | Surface control alloy substrates and methods of manufacture therefor |
US6921497B2 (en) * | 1999-10-13 | 2005-07-26 | Electromagnetics Corporation | Composition of matter tailoring: system I |
US6974501B1 (en) | 1999-11-18 | 2005-12-13 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
DE60045370D1 (de) * | 1999-11-29 | 2011-01-27 | Fujikura Ltd | Polykristalliner dünner film und verfahren zu dessen herstellung, und supraleitendes oxid und verfahren zu dessen herstellung |
KR100352976B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2002-09-18 | 한국기계연구원 | 전기도금법에 의한 2축 집합조직을 갖는 니켈 도금층 및 그 제조방법 |
EP1122799A1 (de) * | 2000-02-01 | 2001-08-08 | Zentrum für Funktionswerkstoffe, Gemeinnützige Gesellschaft mbH | Substrat aus rostfreiem Stahl für Supraleiterschichten |
JP3489525B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2004-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材およびその製造方法 |
US6531945B1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
US7381492B2 (en) * | 2000-03-24 | 2008-06-03 | University Of Houston | Thin film solid oxide fuel cell and method for forming |
GB0010494D0 (en) * | 2000-04-28 | 2000-06-14 | Isis Innovation | Textured metal article |
US6455166B1 (en) | 2000-05-11 | 2002-09-24 | The University Of Chicago | Metallic substrates for high temperature superconductors |
US6447714B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-09-10 | Ut-Battelle, Llc | Method for forming biaxially textured articles by powder metallurgy |
US6331199B1 (en) * | 2000-05-15 | 2001-12-18 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by powder metallurgy |
US6624122B1 (en) * | 2000-06-21 | 2003-09-23 | The Regents Of The University Of California | High critical current superconducting tapes |
US6784139B1 (en) | 2000-07-10 | 2004-08-31 | Applied Thin Films, Inc. | Conductive and robust nitride buffer layers on biaxially textured substrates |
US6673387B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-06 | American Superconductor Corporation | Control of oxide layer reaction rates |
US6410487B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-06-25 | The University Of Chicago | Large area bulk superconductors |
US6361598B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-03-26 | The University Of Chicago | Method for preparing high temperature superconductor |
KR100422333B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2004-03-10 | 이노스텍 (주) | 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막 |
US6517944B1 (en) | 2000-08-03 | 2003-02-11 | Teracomm Research Inc. | Multi-layer passivation barrier for a superconducting element |
US6985761B2 (en) * | 2000-08-14 | 2006-01-10 | Pirelli S.P.A. | Superconducting cable |
JP2002075091A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導線材の製造方法 |
US6730851B2 (en) | 2000-10-06 | 2004-05-04 | Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. | Superconducting cable and current transmission and/or distribution network including the superconducting cable |
EP1195819A1 (de) * | 2000-10-09 | 2002-04-10 | Nexans | Pufferschicht-Struktur basierend auf dotiertem Ceroxyd für optimale Gitteranpassung einer YBCO-Schicht in einem Leiter und zugehöriges Herstellungsverfahren |
US6645639B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-11-11 | Applied Thin Films, Inc. | Epitaxial oxide films via nitride conversion |
US6573209B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-06-03 | Applied Thin Films, Inc. | Zirconium nitride and yttrium nitride solid solution composition |
US20020056401A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-16 | Rupich Martin W. | Precursor solutions and methods of using same |
US7041204B1 (en) * | 2000-10-27 | 2006-05-09 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition components and methods of formation |
JP4713012B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2011-06-29 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | テープ状酸化物超電導体 |
DE10061399C1 (de) * | 2000-12-07 | 2002-06-27 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Metallband, bestehend aus einem Schichtverbund, und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7009104B2 (en) * | 2000-12-27 | 2006-03-07 | Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. | Superconducting cable |
ES2170727B1 (es) * | 2001-01-25 | 2003-06-16 | Farga Lacambra S A | Substratos para superconductores y procedimiento para su fabricacion. |
GB2374557A (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-23 | Imperial College | Producing superconductors by epitaxial growth |
US6500568B1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-12-31 | 3M Innovative Properties Company | Biaxially textured metal substrate with palladium layer |
US6617283B2 (en) * | 2001-06-22 | 2003-09-09 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom |
EP1271666A3 (de) * | 2001-06-22 | 2006-01-25 | Fujikura Ltd. | Oxid-Supraleiterschicht und deren Herstellungsverfahren |
US6579360B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-06-17 | The University Of Chicago | Fabrication of high temperature superconductors |
US20030130129A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-07-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Vacuum processing for fabrication of superconducting films fabricated by metal-organic processing |
DE10136891B4 (de) * | 2001-07-25 | 2004-07-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen eines flächenhaften Basismaterials aus Metall |
DE10136890B4 (de) * | 2001-07-25 | 2006-04-20 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines kristallstrukturell texturierten Bandes aus Metall sowie Band |
JP2003055095A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜形成方法 |
US6610414B2 (en) | 2001-08-16 | 2003-08-26 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by power metallurgy |
GB0120697D0 (en) * | 2001-08-24 | 2001-10-17 | Coated Conductors Consultancy | Superconducting coil fabrication |
DE10140956A1 (de) * | 2001-08-27 | 2003-03-27 | Univ Braunschweig Tech Carolo Wilhelmina | Verfahren zur Beschichtung von oxidierbaren Materialien mit Oxide aufweisenden Schichten |
DE10143680C1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-05-08 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Verfahren zur Herstellung von Metallbändern mit hochgradiger Würfeltextur |
US6794339B2 (en) * | 2001-09-12 | 2004-09-21 | Brookhaven Science Associates | Synthesis of YBa2CU3O7 using sub-atmospheric processing |
DE10148889A1 (de) * | 2001-09-21 | 2003-06-26 | Leibniz Inst Fuer Festkoerper | Trägermaterial auf Nickelbasis und Verfahren zu dessen Herstellung |
JPWO2003050826A1 (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-21 | 三菱電機株式会社 | 酸化物超電導厚膜用金属基材およびその製造方法 |
DE10200445B4 (de) * | 2002-01-02 | 2005-12-08 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Metallband für epitaktische Beschichtungen und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6645313B2 (en) * | 2002-02-22 | 2003-11-11 | Ut-Battelle, Llc | Powder-in-tube and thick-film methods of fabricating high temperature superconductors having enhanced biaxial texture |
US6670308B2 (en) | 2002-03-19 | 2003-12-30 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing epitaxial layers on a substrate |
US6925316B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-08-02 | Christopher M. Rey | Method of forming superconducting magnets using stacked LTS/HTS coated conductor |
US20040129559A1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-07-08 | Misner Josh W. | Diffusion bonded assemblies and fabrication methods |
US6946428B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-09-20 | Christopher M. Rey | Magnesium -boride superconducting wires fabricated using thin high temperature fibers |
DE10226392C1 (de) * | 2002-06-13 | 2003-08-28 | Siemens Ag | Langgestreckter Supraleiteraufbau mit Hoch-Tc-Supraleitermaterial, oxidischen Zwischenschichtsystem und Nickel-Träger sowie Verfahren zur Herstellung dieses Aufbaus |
US7087113B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-08-08 | Ut-Battelle, Llc | Textured substrate tape and devices thereof |
US20040016401A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Metal Oxide Technologies, Inc. | Method and apparatus for forming superconductor material on a tape substrate |
US20040020430A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Metal Oxide Technologies, Inc. | Method and apparatus for forming a thin film on a tape substrate |
US20040023810A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Alex Ignatiev | Superconductor material on a tape substrate |
JP3854551B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2006-12-06 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導線材 |
US6764770B2 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-20 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers and articles for electronic devices |
AU2002364254A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Midwest Research Institute | Electrodeposition of biaxial textured films |
WO2004073024A2 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Brown University | Method and apparatus for making continuous films ofa single crystal material |
US20040157747A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | The University Of Houston System | Biaxially textured single buffer layer for superconductive articles |
KR20050118294A (ko) * | 2003-03-31 | 2005-12-16 | 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 | 산화물 초전도 선재용 금속 기판, 산화물 초전도 선재 및그 제조방법 |
US6849580B2 (en) * | 2003-06-09 | 2005-02-01 | University Of Florida | Method of producing biaxially textured buffer layers and related articles, devices and systems |
US8153281B2 (en) * | 2003-06-23 | 2012-04-10 | Superpower, Inc. | Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process and apparatus to produce multi-layer high-temperature superconducting (HTS) coated tape |
US6906008B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-06-14 | Superpower, Inc. | Apparatus for consecutive deposition of high-temperature superconducting (HTS) buffer layers |
US6740421B1 (en) | 2003-07-14 | 2004-05-25 | Ut-Battelle, Llc | Rolling process for producing biaxially textured substrates |
US20050014653A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-01-20 | Superpower, Inc. | Methods for forming superconductor articles and XRD methods for characterizing same |
US20050016759A1 (en) * | 2003-07-21 | 2005-01-27 | Malozemoff Alexis P. | High temperature superconducting devices and related methods |
WO2005010512A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-02-03 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Method and system for x-ray diffraction measurements using an aligned source and detector rotating around a sample surface |
US7025826B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-11 | Superpower, Inc. | Methods for surface-biaxially-texturing amorphous films |
DE10339867B4 (de) * | 2003-08-25 | 2007-12-27 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur Herstellung von metallischen Flachdrähten oder Bändern mit Würfeltextur |
US20050048329A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | The University Of Chicago | Layered structure of Cu-containing superconductor and Ag or Ag alloys with Cu |
DE10342965A1 (de) * | 2003-09-10 | 2005-06-02 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Halbzeug auf Nickelbasis mit einer Rekristallisationswürfeltextur und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20050092253A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-05 | Venkat Selvamanickam | Tape-manufacturing system having extended operational capabilites |
US7510819B2 (en) * | 2003-11-10 | 2009-03-31 | Board Of Regents, University Of Houston | Thin film solid oxide fuel cell with lithographically patterned electrolyte and anode layers |
JP2005166781A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 圧電体デバイス及び液体吐出ヘッド並びにこれらの製造方法、薄膜形成装置。 |
US7146034B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-12-05 | Superpower, Inc. | Tape manufacturing system |
CN100365839C (zh) * | 2003-12-15 | 2008-01-30 | 北京有色金属研究总院 | 多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法 |
US6872988B1 (en) | 2004-03-23 | 2005-03-29 | Ut-Battelle, Llc | Semiconductor films on flexible iridium substrates |
US7432229B2 (en) * | 2004-03-23 | 2008-10-07 | Ut-Battelle, Llc | Superconductors on iridium substrates and buffer layers |
US20050223983A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Venkat Selvamanickam | Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors |
US20050223984A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Hee-Gyoun Lee | Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors |
US7387811B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-06-17 | Superpower, Inc. | Method for manufacturing high temperature superconducting conductors using chemical vapor deposition (CVD) |
US7569521B2 (en) * | 2004-12-01 | 2009-08-04 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method of producing biaxially textured substrates and related articles, devices and systems |
US7619272B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-11-17 | Lsi Corporation | Bi-axial texturing of high-K dielectric films to reduce leakage currents |
KR100624665B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-09-19 | 한국기계연구원 | 자기이력 손실이 적은 이축 배향성 금속 테이프 및 그제조방법 |
DE102005013368B3 (de) * | 2005-03-16 | 2006-04-13 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur Herstellung und Verwendung von Halbzeug auf Nickelbasis mit Rekristallisationswürfeltextur |
CN100368597C (zh) * | 2005-04-22 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 在无织构的金属基带上制备ybco高温超导薄膜的方法 |
EP1912785B1 (de) * | 2005-08-01 | 2011-02-16 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | Galvanische beschichtung von biaxial strukturierten schichten auf einem substrat |
WO2007025062A2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Wakonda Technologies, Inc. | Photovoltaic template |
KR100691061B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-03-09 | 엘에스전선 주식회사 | 초전도 선재용 기판 및 그 제조방법과 초전도 선재 |
JP5143006B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2013-02-13 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 磁気の共鳴スペクトルを得るための輪状磁石を使ったシステム |
JP2007311194A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜材料および超電導薄膜材料の製造方法 |
CN100374596C (zh) * | 2006-05-19 | 2008-03-12 | 北京工业大学 | Ni基合金复合基带及其粉末冶金制备方法 |
US20080146452A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-06-19 | Dae Yeong Jeong | (113) [121] Textured Ag substrate and Tl-1223 high temperature superconducting coated conductor using the same |
DK1916720T3 (da) * | 2006-10-27 | 2009-04-14 | Nexans | Fremgangsmåde til fremstilling af en elektrisk leder med superledningsevne |
US7879763B2 (en) * | 2006-11-10 | 2011-02-01 | Superpower, Inc. | Superconducting article and method of making |
DE502006008727D1 (de) | 2006-11-17 | 2011-02-24 | Nexans | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters |
KR100807640B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-02-28 | 한국기계연구원 | 저온 열처리에 의해 이축배향성 완충층을 형성하는전구용액 |
US8741158B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-06-03 | Ut-Battelle, Llc | Superhydrophobic transparent glass (STG) thin film articles |
DE102007024166B4 (de) * | 2007-05-24 | 2011-01-05 | Zenergy Power Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Metallsubstrats und Verwendung dessen für einen Hochtemperatur-Supraleiter |
JP2008303082A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Kagoshima Univ | エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層及びエピタキシャル膜形成用配向基板 |
US7879161B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-02-01 | Ut-Battelle, Llc | Strong, non-magnetic, cube textured alloy substrates |
JP5324763B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2013-10-23 | 中部電力株式会社 | エピタキシャル膜形成用配向基板及びエピタキシャル膜形成用配向基板の表面改質方法 |
US8227082B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-24 | Ut-Battelle, Llc | Faceted ceramic fibers, tapes or ribbons and epitaxial devices therefrom |
CN106653822A (zh) * | 2008-03-06 | 2017-05-10 | 阿米特·戈亚尔 | 在{110}<100>取向的衬底上的基于半导体的大面积的柔性电子器件 |
US20100015340A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Zenergy Power Inc. | COMPOSITIONS AND METHODS FOR THE MANUFACTURE OF RARE EARTH METAL-Ba2Cu3O7-delta THIN FILMS |
US7919435B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-04-05 | Ut-Battelle, Llc | Superconductor films with improved flux pinning and reduced AC losses |
JP5382911B2 (ja) | 2008-11-12 | 2014-01-08 | 東洋鋼鈑株式会社 | 酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法及び該基板を用いた酸化物超電導線材 |
WO2010055613A1 (ja) | 2008-11-12 | 2010-05-20 | 東洋鋼鈑株式会社 | エピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板およびその製造方法 |
JP5448425B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-03-19 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導膜成膜用基板、超電導線材及びそれらの製造方法 |
JP5474339B2 (ja) | 2008-11-28 | 2014-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材の前駆体の製造方法、超電導線材の製造方法 |
US9349935B2 (en) * | 2009-01-15 | 2016-05-24 | Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership | High temperature superconductive films and methods of making them |
US8664163B2 (en) * | 2009-01-15 | 2014-03-04 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | High temperature superconductive films and methods of making them |
WO2010088366A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | Wakonda Technologies, Inc. | Large-grain crystalline thin-film structures and devices and methods for forming the same |
US20100270653A1 (en) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Christopher Leitz | Crystalline thin-film photovoltaic structures and methods for forming the same |
WO2011017439A1 (en) | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Ut-Battelle, Llc | Critical current density enhancement via incorporation of nanoscale ba2renbo6 in rebco films |
US20110034338A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Amit Goyal | CRITICAL CURRENT DENSITY ENHANCEMENT VIA INCORPORATION OF NANOSCALE Ba2(Y,RE)TaO6 IN REBCO FILMS |
CN102598155A (zh) * | 2009-10-27 | 2012-07-18 | 古河电气工业株式会社 | 超导线材用的带状基材及超导线材 |
EP2337102B1 (de) * | 2009-12-15 | 2013-05-22 | Nexans | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters und supraleitfähiger Leiter |
US8221909B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-07-17 | Ut-Battelle, Llc | Phase-separated, epitaxial composite cap layers for electronic device applications and method of making the same |
US8486864B2 (en) * | 2009-12-29 | 2013-07-16 | Ut-Battelle, Llc | Method for producing microstructured templates and their use in providing pinning enhancements in superconducting films deposited thereon |
WO2011120034A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Ohio University | Engineering of an ultra-thin molecular superconductor by charge transfer |
KR100998851B1 (ko) | 2010-05-27 | 2010-12-08 | 한국기계연구원 | 초전도 선재용 완충층의 제조방법 |
DE102010031058A1 (de) | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Metallischer Profildraht mit Rekristallisationswürfeltextur und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8685549B2 (en) | 2010-08-04 | 2014-04-01 | Ut-Battelle, Llc | Nanocomposites for ultra high density information storage, devices including the same, and methods of making the same |
EP2442376A1 (de) | 2010-10-05 | 2012-04-18 | Nexans | Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen elektrischen Leiters und supraleitfähiger Leiter |
US11292919B2 (en) | 2010-10-08 | 2022-04-05 | Ut-Battelle, Llc | Anti-fingerprint coatings |
US9221076B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-12-29 | Ut-Battelle, Llc | Composition for forming an optically transparent, superhydrophobic coating |
NZ610276A (en) | 2010-11-22 | 2015-02-27 | Electromagnetics Corp | Tailoring a metal or modifying an electronic structure thereof |
US8993092B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-03-31 | Ut-Battelle, Llc | Polycrystalline ferroelectric or multiferroic oxide articles on biaxially textured substrates and methods for making same |
US8748349B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-06-10 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers for REBCO films for use in superconducting devices |
US8748350B2 (en) * | 2011-04-15 | 2014-06-10 | Ut-Battelle | Chemical solution seed layer for rabits tapes |
RU2451766C1 (ru) * | 2011-05-16 | 2012-05-27 | Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт физики металлов Уральского отделения РАН (ИФМ УрО РАН) | Способ изготовления биаксиально текстурированной подложки из бинарного сплава на основе никеля для эпитаксиального нанесения на нее буферного и высокотемпературного сверхпроводящего слоев для ленточных сверхпроводников |
CN103547533A (zh) * | 2011-05-23 | 2014-01-29 | 古河电气工业株式会社 | 氧化膜超导薄膜 |
RU2481674C1 (ru) * | 2011-10-27 | 2013-05-10 | Закрытое акционерное общество "СуперОкс" | Способ изготовления подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников и подложка |
JP5531065B2 (ja) * | 2012-08-16 | 2014-06-25 | 中部電力株式会社 | エピタキシャル膜形成用配向基板 |
USD747228S1 (en) * | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Fibar Group S.A. | Door/window sensor |
US10158061B2 (en) * | 2013-11-12 | 2018-12-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Integrated superconductor device and method of fabrication |
US9947441B2 (en) | 2013-11-12 | 2018-04-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Integrated superconductor device and method of fabrication |
USD737709S1 (en) * | 2014-01-16 | 2015-09-01 | Greg Hulan | Personal alert device |
US20150239773A1 (en) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Ut-Battelle, Llc | Transparent omniphobic thin film articles |
DK3265430T3 (da) | 2015-03-02 | 2019-08-26 | Basf Se | Anvendelse af krystallinske tantaloxidpartikler som pinningcenter i superleder |
US10450199B2 (en) | 2015-03-02 | 2019-10-22 | Basf Se | Nanoparticles for the use as pinning centers in superconductors |
JP6770972B2 (ja) | 2015-03-26 | 2020-10-21 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 高温超伝導体線の製造方法 |
RU2624564C2 (ru) * | 2015-11-06 | 2017-07-04 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН) | Способ изготовления биаксиально текстурированной подложки из тройного сплава на медно-никелевой основе |
US10431729B2 (en) * | 2016-07-11 | 2019-10-01 | Ambature, Inc. | Josephson junction using molecular beam epitaxy |
US20190337970A1 (en) | 2017-01-11 | 2019-11-07 | Basf Se | Process for producing nanoparticles |
WO2019105778A1 (en) | 2017-11-28 | 2019-06-06 | Basf Se | Joined superconducting tapes |
JP7186243B2 (ja) | 2018-04-25 | 2022-12-08 | コモンウェルス・フュージョン・システムズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 超伝導テープの品質管理装置 |
CN109082708B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-12-25 | 上海交通大学 | 一种制备具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜的方法 |
WO2020049019A1 (en) | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Basf Se | Process for producing nanoparticles |
WO2020212194A1 (en) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | Basf Se | Sealed superconductor tape |
US11201273B2 (en) * | 2019-09-13 | 2021-12-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Semiconductor-superconductor heterostructure |
WO2021063723A1 (en) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | Basf Se | High-temperature superconductor tape with buffer having controlled carbon content |
US11501905B2 (en) * | 2020-08-31 | 2022-11-15 | Boston Applied Technologies, Inc. | Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films |
CN116516121B (zh) * | 2023-05-16 | 2023-12-01 | 广东海洋大学 | 一种片层状晶粒尺寸异构的321奥氏体不锈钢带及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA697916A (en) * | 1964-11-17 | R. Pflumm Heinz | Alloying | |
DE2014638A1 (de) * | 1970-03-26 | 1971-10-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Zweischichten Kontaktstuckes |
US5661112A (en) * | 1987-07-24 | 1997-08-26 | Hatta; Shinichiro | Superconductor |
JPH01100818A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Fujikura Ltd | 高温超電導材 |
JPH01100820A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Fujikura Ltd | 高温超電導材 |
DE3816192A1 (de) * | 1988-05-11 | 1989-11-23 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer schicht aus einem metalloxidischen supraleitermaterial mittels laser-verdampfens |
US5104456A (en) * | 1990-02-15 | 1992-04-14 | Colorado School Of Mines | Process for optimizing titanium and zirconium additions to aluminum welding consumables |
CA2037481C (en) * | 1990-03-08 | 1998-11-10 | Noriki Hayashi | Method of preparing oxide superconducting film |
JPH04245113A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導材料の製造方法 |
US5145832A (en) * | 1991-05-22 | 1992-09-08 | Bell Communications Research, Inc. | Superconducting film on a flexible two-layer zirconia substrate |
FR2683086B1 (fr) * | 1991-10-29 | 1997-01-03 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication d'un conducteur souple supraconducteur a haute temperature critique. |
DE69324633T2 (de) * | 1992-07-30 | 1999-12-16 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Dünnfilmes |
US5290761A (en) * | 1992-10-19 | 1994-03-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making oxide superconducting films by pulsed excimer laser ablation |
JP3369225B2 (ja) * | 1992-10-27 | 2003-01-20 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物高温超電導線材の製造方法 |
US5340797A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-23 | Illinois Superconductor Corporation | Superconducting 123YBaCu-oxide produced at low temperatures |
US5432151A (en) * | 1993-07-12 | 1995-07-11 | Regents Of The University Of California | Process for ion-assisted laser deposition of biaxially textured layer on substrate |
US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
-
1995
- 1995-04-10 US US08/419,583 patent/US5741377A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-10 ES ES96912663T patent/ES2268703T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 EP EP96912663A patent/EP0830218B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 JP JP53114096A patent/JP3601830B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 KR KR1019970707198A patent/KR100418279B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-04-10 CA CA002217822A patent/CA2217822C/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 AT AT96912663T patent/ATE327049T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-04-10 AU AU55398/96A patent/AU713892B2/en not_active Expired
- 1996-04-10 WO PCT/US1996/004934 patent/WO1996032201A1/en active IP Right Grant
- 1996-04-10 DE DE69636162T patent/DE69636162T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-22 US US08/650,249 patent/US5898020A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-22 US US08/651,291 patent/US5739086A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-26 US US08/670,871 patent/US5968877A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-09 US US09/005,381 patent/US5958599A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1996032201A1 (en) | 1996-10-17 |
US5968877A (en) | 1999-10-19 |
ATE327049T1 (de) | 2006-06-15 |
ES2268703T3 (es) | 2007-03-16 |
AU713892B2 (en) | 1999-12-16 |
KR100418279B1 (ko) | 2004-03-19 |
DE69636162D1 (de) | 2006-06-29 |
US5741377A (en) | 1998-04-21 |
US5898020A (en) | 1999-04-27 |
JPH11504612A (ja) | 1999-04-27 |
AU5539896A (en) | 1996-10-30 |
CA2217822C (en) | 2004-11-23 |
US5958599A (en) | 1999-09-28 |
KR19980703798A (ko) | 1998-12-05 |
US5739086A (en) | 1998-04-14 |
CA2217822A1 (en) | 1996-10-17 |
EP0830218A1 (de) | 1998-03-25 |
JP3601830B2 (ja) | 2004-12-15 |
EP0830218A4 (de) | 2000-05-10 |
EP0830218B1 (de) | 2006-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69636162T2 (de) | Struktur mit biachsialer textur und verfahren zu deren herstellung | |
US6610413B2 (en) | Biaxially textured articles formed by powder metallurgy | |
US6447714B1 (en) | Method for forming biaxially textured articles by powder metallurgy | |
US6610414B2 (en) | Biaxially textured articles formed by power metallurgy | |
DE69103054T2 (de) | Verfahren zum Herstellen orientierter polykristalliner supraleitender keramischer Oxide. | |
EP2599135B1 (de) | Hochtemperatur-supraleiter-bandleiter mit hoher kritischer stromtragfähigkeit | |
DE19940773A1 (de) | Hochtemperatur-Supraleiter-Josephson-Übergang-Element und Herstellungsverfahren für dieses | |
EP1155461B1 (de) | Hochtemperatursupraleiteraufbau auf metallischem träger mit mehrlagiger zwischenschicht | |
DE60031784T2 (de) | Verbesserte hochtemperatursupraleiter-beschichtete elemente | |
DE69017112T2 (de) | Supraleitende Dünnschicht aus Oxid und Verfahren zu deren Herstellung. | |
DE3810243A1 (de) | Supraleitende duennfilme und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE68928256T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnenschicht des Perovskit-Typs | |
DE68914921T2 (de) | Prozess zur Herstellung thalliumartiger supraleitender Dünnfilme. | |
DE10248962B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperatur-Supraleiterschicht | |
DE69115775T2 (de) | Prozess zur Abscheidung einer anderen Dünnschicht auf einen oxydischen Supraleiter | |
DE10163125A1 (de) | Verfahren zum Herstellen texturierter supraleitender Dickschichten sowie damit erhältliche biaxiale texturierte Supraleiterstrukturen | |
DE3924022A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines josephson-tunnelelementes mit metalloxidischem supraleitermaterial |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |