ES2230098T3 - Procedimiento y dispositivo para el recubrimiento de superficies con plasma. - Google Patents
Procedimiento y dispositivo para el recubrimiento de superficies con plasma.Info
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Abstract
Procedimiento para el recubrimiento de superficies - en el cual se genera un rayo de plasma (28; 28¿; 28¿) por el paso de un gas de trabajo a través de una zona de activación (12), - en el cual se alimenta un material precursor de modo separado del gas de trabajo dentro del rayo de plasma, - en el cual se hace reaccionar el material precursor con la ayuda del rayo de plasma y - en el cual se deposita el producto de reacción sobre la superficie (34), - donde tanto la reacción como también la deposición tienen lugar bajo una presión atmosférica caracterizado por el hecho de que por la colocación de una tensión alterna de alta frecuencia se genera una descarga de arco en los electrodos (10, 18) colocados dentro de la zona de activación.
Description
Procedimiento y dispositivo para el recubrimiento
de superficies con plasma.
La invención se refiere a un procedimiento para
el recubrimiento de superficies con las características del
concepto principal de la reivindicación 1. La invención se refiere
también a un dispositivo para el recubrimiento de superficies con
las características de la reivindicación 7.
Con procedimientos de recubrimiento usuales de
plasma y de polimerización de plasma tiene lugar la deposición del
material sobre la pieza a recubrir bajo vacío a al menos con una
presión muy reducida en relación con la presión atmosférica. Estos
procedimientos requieren por tanto un volumen de aparatos elevado y
por tanto no son económicos para muchas aplicaciones prácticas, ya
que las piezas a recubrir por norma no se pueden introducir de modo
continuo, sino solo por cargas, dentro de la cámara de vacío.
Con vistas a un recubrimiento ventajoso en el
coste de productos en masa por tanto sería deseable un
procedimiento que presente las ventajas conocidas de los
procedimientos de recubrimiento con plasma o de recubrimiento con
polimerización, por tanto que posibilite una aplicación
particularmente deseado de una capa muy delgada con una composición
exacta y un perfil de propiedades definido, pero que así todo se
pueda llevar a cabo bajo una presión atmosférica.
En una publicación de R. Thyen: "polimerización
de plasma bajo una presión atmosférica" técnica de
recubrimiento y de superficies del Instituto Frauenhof (IST) -
Braunschweig, se propone un procedimiento para este objetivo, en el
cual se genera el plasma atmosférico con la ayuda de una descarga
de corona. La descarga de corona tiene lugar entre un electrodo de
trabajo, que presenta un dieléctrico como barrera de descarga y un
electrodo contrario colocado en la parte posterior de la pieza. El
material de precursor, en forma de gas, se aporta con la ayuda de
una llamada ducha de gas en un resquicio de descarga entre el
electrodo de trabajo y la pieza. Sin embargo hasta ahora con este
procedimiento solo se pueden alcanzar unas tasas de recubrimiento
medio de una magnitud de
10 - 20 nm/s. Otra desventaja consiste en el hecho de que solo se origina el plasma en la zona de descarga muy estrecha entre el electrodo de trabajo y la pieza, respectivamente el electrodo contrario, de modo que el electrodo de trabajo se debe colocar cerca de la pieza, con la consecuencia que la distancia entre el electrodo de trabajo y la pieza representa un parámetro de proceso crítico y a menudo se ha de adaptar también la configuración de los electrodos especialmente a la geometría del caso de la pieza de trabajo.
10 - 20 nm/s. Otra desventaja consiste en el hecho de que solo se origina el plasma en la zona de descarga muy estrecha entre el electrodo de trabajo y la pieza, respectivamente el electrodo contrario, de modo que el electrodo de trabajo se debe colocar cerca de la pieza, con la consecuencia que la distancia entre el electrodo de trabajo y la pieza representa un parámetro de proceso crítico y a menudo se ha de adaptar también la configuración de los electrodos especialmente a la geometría del caso de la pieza de trabajo.
DE 198 07 086 A da a conocer un procedimiento y
un dispositivo para el recubrimiento con plasma de superficies,
donde en la zona de activación entre dos electrodos, de los cuales
al menos uno está provisto de un dieléctrico, se genera una
descarga de corona. Este tipo de descarga se conoce también como
haz de chispas. La descarga de corona evita una descarga caliente
no deseada o una descarga por arco voltaico entre los electrodos,
para evitar una perturbación de los electrodos respectivamente del
substrato a recubrir o de la capa depositada.
Wo 99/20809 da a conocer también un procedimiento
y un dispositivo para el recubrimiento de superficies, en los
cuales, con la ayuda de una descarga de radiofrecuencias, se evita
un arco voltáico de descarga de modo consciente, y se activa el gas
de trabajo, en el cual se alimenta el material precursor en
dirección hacia abajo del flujo.
La presente invención se basa en el problema
técnico de procurar un procedimiento del tipo mencionado al
principio, que con un proceso sencillo posibilita un recubrimiento
eficiente y que se puede dirigir bien, y de indicar un dispositivo
conveniente para la realización de este procedimiento.
Se soluciona esta tarea con las características
indicadas en las reivindicaciones de patente independientes.
Con el procedimiento de acuerdo con la invención
se genera un rayo de plasma por medio del paso de un gas de
trabajo a través de una zona de activación, y se introduce el
material precursor en el rayo de plasma de modo independiente del
gas de trabajo.
Como quiera que de acuerdo con la invención se
genera el plasma atmosférico en forma de un rayo, que esencialmente
tiene un alcance mayor que la zona de descarga de una corona, se
puede llevar a cabo el proceso de recubrimiento de modo sencillo,
en el cual se cubre la superficie a recubrir del substrato con el
rayo de plasma. Como quiera que para ello no hay necesidad de un
contra-electrodo en el revés del substrato, se puede
tratar también en los sustratos de piezas de trabajo más gruesas o
de formas complejas. Como quiera que se alimenta el material
precursor de modo separado del gas de trabajo en el rayo de plasma,
que solo se origina en la zona de activación, no necesita pasar el
material precursor mismo por toda la zona de activación total. Esto
tiene la importante ventaja de que el material precursor que
mayormente consta de enlaces monómeros no se descompone ni se
modifica de otra forma química ya en la zona de activación. Para la
reacción deseada, que lleva a la deposición de una capa similar a
un polímero sobre la superficie del substrato, por tanto hay a
disposición una cantidad considerablemente mayor de cooperadores en
la reacción que con el procedimiento habitual. Por motivo de este
efecto se pueden lograr tasas de recubrimiento sorprendentemente
elevadas, que pueden sobrepasar las tasas de recubrimiento
alcanzables en la actualidad con el plasma atmosférico en más de un
factor 10. La elección del lugar de alimentación en relación con
la zona de activación y con la superficie del substrato representa
con ello un parámetro del proceso con el cual se puede dirigir de
modo fino el proceso de recubrimiento. Con materiales precursores
sensibles puede tener lugar la alimentación en un rayo de plasma
comparativamente frío, en la dirección corriente abajo de la zona
de activación. La baja temperatura de este rayo de plasma
posibilita un recubrimiento eficiente con materiales precursores,
que solo son estables hasta 200°C o menos. Las energías de
activación necesarias para la reacción deseada de los monómeros
solo se pone a disposición en primera línea por medio de radicales,
iones o electrones libres, que aún están contenidos en una gran
cantidad en el rayo de plasma frío. Cuanto más lejos esté colocado
el lugar de alimentación corriente arriba en la dirección de la
zona de activación, más elevada es la concentración de iones,
radicales, etc... que favorecen la reacción. Cuando el lugar de
alimentación se mueve a la zona corriente abajo de la zona de
activación, es posible en una corta medida también una activación
directa de los monómeros. De esta forma se pueden optimizar las
condiciones de activación con vistas al material precursor del caso
empleado. En general existe una ventaja del procedimiento de
acuerdo con la invención en el hecho de que tienen lugar por una
parte los procesos de la generación de plasma y por otra parte la
activación del plasma del material precursor en diferentes zonas
que se solapan solo parcialmente en el espacio o que no se solapan
en absoluto, de modo que se pueden evitar influencias mutuamente
dañinas.
Formaciones ventajosas de la invención se generan
de las reivindicaciones secundarias.
El material precursor no necesariamente se ha de
alimentar en forma de gas, sino que a modo de ejemplo también se
puede alimentar en forma de polvo, fluido o sólido, de modo que
solo se evapora o se sublima en la zona de reacción. De la misma
forma es posible de añadir al material precursor partículas sólidas
como pigmentos colorantes o similares, que luego se incrustan en la
capa similar a un polímero depositado sobre la superficie del
substrato. De esta forma se puede ajustar el color, la rugosidad o
la conductibilidad eléctrica del recubrimiento, de acuerdo con la
necesidad.
Con la alimentación del material precursor en el
rayo de plasma también se puede emplear el efecto Venturí, para
chupar el material precursor dentro del rayo de plasma. Cuando por
otra parte se aporta el material precursor de modo activo, por la
elección del ángulo, bajo el cual se introduce el material
precursor en relación con la dirección de radiación del rayo de
plasma, se puede influenciar de modo dirigido la proporción de la
mezcla del material precursor en el plasma.
Correspondientemente puede tener lugar, con un
rayo de plasma retorcido, la alimentación del material precursor
en el mismo sentido que el sentido de la espiral o en la dirección
opuesta a ella.
En el caso que la reacción deseada del material
precursor haya de tener lugar en una atmósfera reducida o inerte,
es posible gasificar el rayo de plasma desde el exterior con un gas
protector adecuado, de modo que se separa del aire del entorno la
zona de reacción por un revestimiento protector de gas.
Tanto en cuanto sea necesario para la reacción
deseada una temperatura determinada, se puede ajustar con precisión
esta temperatura a modo de ejemplo por el calentamiento del gas de
trabajo y / o por el calentamiento de la boquilla de la tobera de
plasma.
Para la generación del rayo de plasma, por
ejemplo, se puede emplear una tobera de plasma, como se describe -
para otros objetivos - en DE 195 32 412 C2. Para el recubrimiento
de superficies mayores es posible, colocar una o varias de estas
toberas de modo excéntrico en un cabezal rotatorio
(EP-A-986 993). De la misma forma es
posible emplear una tobera rotatoria, en la cual se emite el rayo
de plasma de modo oblicuo al eje de rotación
(DE-U-299 11974).
Con la generación de plasma con una tobera de
plasma de este tipo se pueden distinguir a groso modo 3
alcances:
- (a)
- la zona de la descarga de arco voltáico, en la cual tiene lugar una activación directa del plasma, de modo que se origina una activación fuerte pero que origina también una perturbación de los monómeros.
- (b)
- la zona de la activación indirecta de plasma, en la cual casi no tiene lugar ninguna perturbación de los monómeros pero que así todo tiene lugar una activación eficiente que conserva el material de los monómeros, y
- (c)
- una zona de mezcla, que se caracteriza por poca perturbación y una fuerte activación de los monómeros.
A continuación se aclaran en mayor detalle unos
ejemplos de realización de la invención con la ayuda de los
dibujos.
Se muestra:
Figura 1: un corte axial a través de una tobera
de plasma para la realización del procedimiento de acuerdo con la
invención de acuerdo con una primera forma de realización;
Figura 2: un corte a través de una tobera de
plasma de acuerdo con una segunda forma de realización;
Figura 3: un corte parcial a través del cabezal
de la tobera de plasma de acuerdo con la figura 2 en un plano de
corte en ángulo recto a la figura 2;
Figura 4: un corte a través del cabezal de una
tobera de plasma de acuerdo con una tercera forma de
realización;
Figura 5: un corte a través de una tobera de
plasma de acuerdo con una cuarta forma de realización.
La tobera de plasma representada en la figura 1
representa un alojamiento en forma de tubo (10), que forma un canal
de tobera (12) longitudinal reducido cónicamente en el final
inferior. En el canal de tobera (12) hay incorporado un tubo de
cerámica (4) eléctricamente aislante. Un gas de trabajo, a modo de
ejemplo aire, se aporta por el final superior, indicado en el
dibujo, en el canal de la tobera (12) y con la ayuda de una
instalación de torsión (16) incorporada en el tubo de cerámica (14)
se retuerce de tal forma que fluye en forma de remolino a través
del canal de la tobera (12), como se simboliza en el dibujo por
medio de una flecha en forma de tornillo. En el canal de tobera
(12) se origina de esta forma un núcleo de remolino, que transcurre
a lo largo del eje del alojamiento.
En la instalación de torsión (16) hay montado un
electrodo (18) en forma de pasador, que sobresale de modo coaxial
dentro del canal de tobera (12) y en el cual se coloca una tensión
alternativa de alta frecuencia con la ayuda de un generador de alta
tensión (20). La tensión generada con la ayuda del generador de
alta frecuencia (20) se encuentra en la magnitud de algunos
kilovoltios y tiene a modo de ejemplo una frecuencia en la magnitud
de 20 kiloherzios.
El alojamiento (10) que consta de metal está
conectado a tierra y sirve como electrodo contrario, de modo que se
puede provoca una descarga eléctrica entre el electrodo (18) y el
alojamiento (10). Con la conexión de la tensión, por motivo de la
elevada frecuencia de la tensión alternativa y por motivo de la
dielectricidad del tubo de cerámica (14) a continuación se llega a
una descarga de corona en la instalación de torcido (16) y el
electrodo (18). Por esta descarga de corona se enciende una
descarga de arco voltaico del electrodo (18) al alojamiento (10). El
arco voltaico (22) de esta descarga es arrastrado por el gas de
trabajo que entra en forma de remolino y se canaliza en el núcleo
del flujo de gas en forma de remolino, de modo que el arco
voltaico transcurre entonces casi en línea recta de la punta del
electrodo (18) a lo largo del eje del alojamiento y solo se
ramifica en la zona de la desembocadura del alojamiento (10)
radialmente sobre la pared del alojamiento. En el ejemplo mostrado
el alojamiento (10) forma en el final en disminución del canal de
la tobera (12) un saliente (24) que sale radialmente hacia dentro,
que forma realmente el electrodo contrario y que recoge radialmente
las ramas desviantes del arco voltaico (22). Los nudos giran con
ello en la dirección de la espiral del flujo del gas, de modo que
se evita una merma por combustión desigual en el saliente (24).
En la desembocadura del alojamiento (10) hay
colocada una boquilla (26) cilíndrica de cerámica, cuyo final
interior axial está a ras con el saliente (24) y está rodeado
inmediatamente de este saliente y cuya longitud es claramente más
grande que el diámetro interior. El plasma generado por el arco
voltaico (22) fluye en forma de remolino a través de la boquilla
(26) y se acelera, por motivo de la dilatación térmica, y se
amplia radialmente, de modo que se obtiene un rayo de plasma (28)
en abanico que aún sobresale algunos centímetros por encima del
final abierto (30) de la boquilla (26) y con ello gira en la
dirección de la espiral.
Esta tobera de plasma se emplea para el
recubrimiento de plasma o para la polimerización con plasma de un
substrato (34). Para ello se aporta el material precursor con ayuda
de una lanza (32) en el rayo de plasma concentrado en el interior
de la boquilla (26).
Mientras que la tobera de plasma indicada en la
figura 1 genera un rayo de plasma (28) simétrico en rotación, se
permite generar con la tobera de plasma indicada en las figura 2 y
3 un rayo de plasma (28') plano, ensanchado de forma en abanico. En
la desembocadura del alojamiento (10) se ha incorporado aquí una
boquilla (26'), que forma una tobera Venturí (36) para la
alimentación por chupado automático del material precursor. El
material precursor a continuación se aporta sobre un soporte (38)
en una cámara anular (40) en el perímetro exterior de la boquilla
(26') y llega desde allí radialmente sobre uno o varios taladros a
la tobera Venturí (36). El lugar de alimentación se encuentra por
tanto en el final corriente abajo de la zona de activación, en el
cual se genera el rayo de plasma (28') que se forma por el canal de
la tobera (12) cargado con el arco voltaico (22).
La tobera Venturí (36) desemboca en este ejemplo
de realización en un canal transversal (42), que se abre en ambos
lados, en otro canal anular (44) formado en la periferia de la
boquilla (26') y que está abierto sobre una ranura estrecha (46)
que transcurre en la dirección de un diámetro de la boquilla hacia
la parte delantera de la boquilla. El plasma que sale de la tobera
de Venturí (36), que está mezclado con el gas precursor se
distribuye en el canal transversal (42) y sale luego ampliamente en
abanico por la ranura (46). De esta forma se puede lograr un
recubrimiento igualado sobre una superficie en forma de rayas del
substrato no indicado aquí.
La figura 4 muestra la zona de la desembocadura
de una tobera de plasma, con la que se genera de nuevo un rayo de
plasma (28'') simétrico en su rotación, comparativamente muy en
haz. Para este objetivo forma la boquilla (26'') una abertura de
tobera circular comparativamente pequeña (48). La alimentación del
material precursor tiene de nuevo lugar sobre una lanza (32), que
aquí desemboca sin embargo solo corriente abajo de la abertura de
la tobera (48) en el rayo de plasma (28''). Este tipo de
alimentación entre otros es ventajoso en los casos, en los cuales
el material precursor contiene carbono u otras sustancias, que
tienden a la formación de precipitaciones con conductibilidad
eléctrica. Cuando la alimentación de tal gas precursor tiene lugar
en la desembocadura o corriente arriba de la desembocadura de la
tobera de plasma, entonces por motivo de los flujos de retroceso
dentro del canal de la tobera (12) de plasma se puede llegar a la
formación de una capa conductora sobre la superficie del tubo de
cerámica (14) y con ello originar un cortocircuito entre el
electrodo (18) y el alojamiento (10). Este peligro se evita con la
colocación indicada en la figura 4.
Además, la figura 4 ilustra una variante del
procedimiento, en la cual el rayo de plasma (28'') se gasifica con
un gas protector, con la ayuda de una tobera de gasificación (50)
que rodea de modo concéntrico la abertura de tobera (48). De esta
forma, por ejemplo, por el empleo de nitrógeno como gas protector
y también como gas de trabajo se puede evitar una oxidación de las
materias reactivas del material precursor y / o del producto de
reacción.
La figura 5 ilustra una variante del
procedimiento, en la cual la alimentación del material precursor
tiene lugar con la ayuda de un tubito aislante (54) coaxialmente a
través del interior del alojamiento (10) y el electrodo (18) a
través de él. Esta colocación tiene la ventaja, por motivo de su
simetría completa, que se alcanza una distribución igualada del
material precursor en el rayo de plasma (28''). Además existe con
esta forma de realización la posibilidad ventajosa, de modificar el
lugar de alimentación del material precursor de acuerdo con el
material y las condiciones del proceso, por el hecho que el tubito
(54) se mueva más hacia adelante o se lleve hacia atrás. En
particular el tubito (54) también se puede retirar tanto hacia
atrás para que la alimentación tenga lugar dentro del tercio
corriente hacia abajo del canal de la tobera (12). Como quiera que
el rayo de plasma (28'') se genera por entrar en contacto el gas de
trabajo con el arco voltaico (22), que se mueve aquí en forma de
rosca alrededor del tubito (54), también se puede hablar de un
rayo de plasma en la zona corriente abajo del canal de la tobera
(12), de modo que también en este caso tiene aún lugar la
alimentación en el rayo de plasma. Ciertamente con esta forma de
realización del procedimiento, por motivo de la estrangulación del
plasma, el material precursor estará expuesto, en general en la
zona de la desembocadura de la tobera, a unas temperaturas algo más
elevadas. Bajo circunstancias, una parte - reducida - del material
precursor también puede ser perturbado por entrar en 1 contacto
directo con el arco voltaico (22). Sin embargo esto puede también
tener un efecto positivo, ya que así para ciertas partículas del
material precursor hay a disposición elevadas energías de
activación.
Con la tobera de plasma indicada en la figura 2
se puede lograr un efecto comparable por el hecho que se incrementa
el paso y / o el arremolinado del gas de trabajo. Esto tiene como
efecto, que las ramas del arco voltaico (22), que se ramifican en
las paredes del alojamiento (10), respectivamente de la boquilla
(26'), se introducen más profundamente dentro de la tobera de
Venturí (36) y si es el caso son "sopladas" en forma de lazos
afuera de la abertura de la tobera, de modo que una parte más o
menos grande del gas precursor aportado entra en contacto con el
arco voltaico.
En la descripción indicada, con la ayuda de 4
ejemplos de realización, se ilustra una multitud de ejemplos de
realización que también se pueden combinar entre sí de otra forma.
De esta forma por ejemplo se pueden formar también aberturas de
tobera en forma de círculo, de acuerdo con las figuras 1, 4 ó 5
como toberas de Venturí de modo análogo a la tobera de Venturí
(36) de la figura 2 y emplearlas para el chupado del gas precursor.
A la inversa, también con la tobera de ranura lineal de acuerdo con
la figura 2, puede tener lugar la alimentación del material
precursor corriente abajo de la boquilla (26') en el rayo de plasma
(28') o dentro del canal de tobera (12). Una gasificación exterior
del rayo de plasma con el gas protector (52), como se muestra en la
figura 4, se puede llevar a cabo también con los demás ejemplos de
realización.
En ensayos de laboratorio, en los cuales se usó
como gas precursor hexemetildisiloxano, tetraetoxisilano o propano,
se pudieron alcanzar con el procedimiento de acuerdo con la
invención tasas de recubrimiento de 300 - 400 nm/s. Los
recubrimientos presentaron una buena adhesión a la base y fueron
estables contra solventes alcohólicos.
Finalmente también se puede pensar en un variante
del procedimiento, en la cual el material precursor se aporta
junto con el substrato en el rayo de plasma, por el hecho de que el
material precursor se aplica por ejemplo por medio de aerosol o por
ultrasonido, por vaporización, por rociado, laminado o con rascador
o de modo electrostático sobre la superficie del substrato, antes
que se trate esta superficie con el rayo de plasma.
Claims (13)
1. Procedimiento para el recubrimiento de
superficies
- en el cual se genera un rayo de plasma (28;
28'; 28'') por el paso de un gas de trabajo a través de una zona
de activación (12),
- en el cual se alimenta un material precursor de
modo separado del gas de trabajo dentro del rayo de plasma,
- en el cual se hace reaccionar el material
precursor con la ayuda del rayo de plasma y
- en el cual se deposita el producto de reacción
sobre la superficie (34),
- donde tanto la reacción como también la
deposición tienen lugar bajo una presión atmosférica
caracterizado por el hecho de que
por la colocación de una tensión alterna de alta
frecuencia se genera una descarga de arco en los electrodos (10,
18) colocados dentro de la zona de activación.
2. Procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 1, caracterizado por el hecho de que el
material precursor contiene partículas sólidas y / o fluidas en la
situación en la que se alimenta dentro del rayo de plasma.
3. Procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 1 ó 2, caracterizado por el hecho de que se
inyecta el material precursor en una abertura de salida (36; 48) a
través de la cual el rayo de plasma abandona la zona de activación
(12).
4. Procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 3, caracterizado por el hecho de que se
aporta el gas precursor con el uso del efecto Venturí a través de
la abertura de salida formada como tobera Venturí
(36).
(36).
5. Procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 1 ó 2, caracterizado por el hecho de que el
material precursor se inyecta en el rayo de plasma corriente abajo
de una abertura de salida (48) a través de la cual abandona el rayo
de plasma (28') la zona de activación.
6. Procedimiento de acuerdo con la
reivindicación 1 ó 2, caracterizado por el hecho de que el
material precursor se inyecta en la zona corriente abajo de la
zona de activación (12) en el rayo de plasma que se origina
allí.
7. Dispositivo para el recubrimiento de
superficies (34),
- con un alojamiento (10) que forma un canal de
tobera (12) en forma de tubo, que es eléctricamente conductor como
conductor,
- con un electrodo (18) colocado de modo coaxial
en el canal de la tobera (12),
- con una instalación de aporte (32; 36; 38; 40)
para el aporte de un material precursor en el rayo de plasma,
caracterizado por el hecho de que
- hay provisto un generador de frecuencia elevada
para la colocación de una tensión alterna entre el electrodo (18)
y el alojamiento (10) para la generación de una descarga de arco
voltaico.
8. Dispositivo de acuerdo con la reivindicación
7, caracterizado por el hecho de que el alojamiento (10)
contiene una instalación de torsión (16) para el arremolinamiento
del gas de trabajo en el canal de la tobera (12).
9. Dispositivo de acuerdo con la reivindicación 7
u 8, caracterizado por el hecho de que la instalación de
aporte para el gas precursor es una lanza (32), que desemboca
corriente abajo de la salida del canal de la tobera (12) en el rayo
de plasma.
10. Dispositivo de acuerdo con la reivindicación
9, caracterizado por el hecho de que en la salida del canal
de la tobera (12) hay instalado una boquilla (26) en forma de un
tubo de un material eléctricamente aislante y que la lanza
desemboca en la boquilla (26).
11. Dispositivo de acuerdo con la reivindicación
7 u 8, caracterizado por el hecho de que la instalación de
aporte para el material precursor es una tobera de Venturí (36)
formada en la salida del canal de la tobera (12).
12. Dispositivo de acuerdo con la reivindicación
7 u 8, caracterizado por el hecho de que la instalación de
aporte para el gas precursor es un tubito (54) eléctricamente
aislante que transcurre de modo coaxial a través de la tobera de
plasma, y cuya desembocadura puede, a elección, encontrarse dentro
o fuera del canal de la tobera (12).
13. Dispositivo de acuerdo con una de las
reivindicaciones de 7 a 12, caracterizado por el hecho de
que una tobera de gas protector (50) que rodea la salida de la
tobera de plasma (10) está provista de un gas protector (52) para
la gasificación del rayo de plasma que sale.
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