JP3871055B2 - プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 - Google Patents

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    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes

Description

本発明は、プラズマを噴射するプラズマ発生方法及びプラズマ発生装置、特に、ケーシング内にガスを送入し、ケーシング内における前段のコロナ放電と後段のアーク放電でプラズマとしてケーシングの噴射口から噴射するプラズマ発生方法及びプラズマ発生装置に関する。
この種のプラズマ発生方法及び装置として、特許文献1(特開2001−68298号公報)及び特許文献2(特表2003−518317号公報)に記載されたものがある。
これらの従来例は、プラズマによる表面処理面積を大きくするため、プラズマの噴射面積を拡げることを主に意図しており、噴射されるプラズマの本質的向上や逆効果(弊害)については、ほとんど考慮されていない。
すなわち、特許文献1のものでは、作動ガスが通過するガス通路を区画形成するケーシング内の上部に、支持チューブを回転自在に軸受けし、この支持チューブの内周に電気絶縁性パイプ、その軸線上に針状の電極を配置するとともに、この電極と電気絶縁性パイプとの間に、孔付き円板である渦巻きシステムを設け、また噴射通路が傾斜した口金部分を、ケーシングの下端に固定又は回転可能に設けている。
そして、ケーシングに対して支持チューブを回転させると、これと一体に電気絶縁性パイプ、電極及び渦巻きシステムが回転して作動ガスの渦巻き流を形成しながら、電極と支持チューブとの間に高周波交流高電圧を印加することにより、電極と渦巻きシステムの周辺でコロナ放電を生じさせるとともに、電極先端からケーシングへ向けてアーク放電を誘起させ、それにより生ずるプラズマを口金部分の傾斜した噴射通路からプラズマジェットとして噴射するようになっている。
しかし、これによると、プラズマジェットの噴射について見ても次のような問題がある。
(1)口金部分を固定した場合、その傾斜した噴射通路からプラズマジェットを所定の角度で斜めに噴射するだけであるため、プラズマジェットをワークピースのアンダーカット部分に到達させることができるものの、プラズマそのものの噴射量及びその拡散範囲は小さい。
(2)口金部分を回転駆動する場合、その傾斜した噴射通路からプラズマジェットを旋回させるので、プラズマの拡散性はよいが、プラズマそのものの噴射量は少なく、また口金部分を回転駆動する機構が必要になる。
(3)ケーシング内で作動ガスの渦流をつくるに当たり、針状の電極と渦巻きシステムと電気絶縁性パイプを支持した支持チューブをケーシングに対して回転させており、その回転駆動は、電極と支持チューブに高周波交流高電圧を印加しながら行わなければならないため、その機構が複雑となり、口金部分を回転駆動する機構と併せて、機械的動力源を要する複雑な装置になるとともに、機械的な作動トラブルが生じやすく、またプラズマの発生が不安定になりやすい。
また、特許文献2のものは、ノズルの噴射口を、ノズルの軸線に対して横方向に延びる狭いスリットとすることで、プラズマジェットの拡散を図っているだけであり、単純な構造ではあるが、プラズマそのものの噴射量及びその拡散性はさほど向上しない。
特開2001−68298号公報(第4〜5頁、図1、図2) 特表2003−518317号公報(第8頁、Fig.1)
本発明者らは、噴射されるプラズマの拡散性を良くすることも意図しながら、それよりもむしろ本質的なこと、すなわち第1に、プラズマによる表面改質の主要因子はラジカルであること、第2に、プラズマの噴射量を大きくしようとしてアーク放電を高めると、処理しようとする基材へ向かうアーク放電が生じて、基材に電食等の損傷を与えてしまうこと、第3に、アーク放電は副作用として電極を加熱し、高温プラズマにする傾向があることに着目し、第1の点については、生成されるラジカルの発生量を前段のコロナ放電により向上させることができ、第2の点については、基材へ向かうアーク放電の防止を図ることができ、第3の点については、アーク放電の発生頻度を抑制することで低温プラズマにすることができる、本発明を見出したものである。
ケーシング内にガスを送入し、ケーシング内における前段のコロナ放電と後段のアーク放電でプラズマとしてケーシングの噴射口から噴射するプラズマ発生方法であって、ケーシング内のガス流路に沿って形成されたコロナ放電電極から、ケーシングの周壁を対向電極として多数のコロナ放電を同時に発生させるとともに、ケーシング内のアーク放電電極に対してケーシングの噴射口を対向電極として間欠的にアーク放電させて、そのアーク放電によりプラズマを生成し、噴射口から噴射することを特徴とする。
本発明方法の好ましい具体的形態では、減衰振動波が間欠的に繰り返し生ずる減衰振動波形周期波の電圧を、コロナ放電電極とケーシングの周壁によるコロナ放電部、及びアーク放電電極とケーシングの噴射口によるアーク放電部に共に印加し、アーク放電部では間欠的にアーク放電させる。
減衰振動波形周期波の各減衰振動波ごとに共振させ、その各減衰振動波ごとにアーク放電発生に伴い共振ズレを生じさせてアーク放電を中断させることにより、間欠的アーク放電とする。
ある時間間隔をおいた正負逆位相のパルスをある繰り返し周波数で高圧トランスの一次側に供給し、該高圧トランスの二次側から各減衰振動波ごとに共振した減衰振動波形周期波として出力する。
減衰振動波の周波数を可変することにより、アーク放電の間欠周期を調整できる。
共振した各減衰振動波の電圧立ち上がり時間は、次の理由から1μs以下とする。
アーク放電を利用して低温プラズマを生成するには、アーク放電した後の印加電圧を即0にしてしまわないと、なかなか低温プラズマにならない。また、商用周波数を用いて行うと、立上り時間が緩やかなため瞬時に強い電界を発生することができないので、プラズマの生成効率が悪く、必要以上の電圧を印加しなければならない。この欠点をクリアーするため、立上り時間はできるだけ短くした方が良いが、正負交互のパルスを生成するための半導体スイッチング素子のスイッチング特性などに鑑み、減衰振動波の電圧立ち上がり時間は1μs以下とするのが好ましい。
減衰振動波の繰り返し周期は、次の理由から10〜50KHzの範囲が良い。
減衰振動波の繰り返し周波数は、改質する基材の材質によって異なるが、繰り返し周波数を10〜50KHzにするのは、改質時間が短縮できるからで、実験によれば最も良い条件は10〜20KHzである。
コロナ放電部では、ケーシング内のガス流路に沿って形成されたコロナ放電電極の多数の放電先端とケーシングの周壁との間で、それら間に介在された誘電体を介して多数の誘電体バリア放電を発生させる。
アーク放電部では、ケーシング内のアーク放電電極からのアーク放電ビームを、アーク放電を妨げるアーク放電拡散部材により円錐状に拡散させながら噴射口へ向ける。
本発明のプラズマ発生装置は、電源装置から高電圧を印加されるコロナ放電部及びアーク放電部を、ガス送入されるケーシング内に内蔵し、前段のコロナ放電と後段のアーク放電でプラズマとしてケーシングの噴射口から噴射するものであって、コロナ放電部は、ケーシング内のガス流に沿って多数の放電先端を形成していて、ケーシングの周壁を対向電極として多数のコロナ放電を同時に発生させ、アーク放電部は、ケーシング内のアーク放電電極に対してケーシングの噴射口の周縁が対向電極となっていて、それらの間で間欠的にアーク放電させてプラズマを生成し、電源装置は、減衰振動波が間欠的に繰り返し生ずる減衰振動波形周期波の電圧をコロナ放電部及びアーク放電部に印加し、アーク放電を間欠的に起こすことを特徴とする。
本発明装置の好ましい具体的形態では、電源装置は、印加する減衰振動波を、間欠的に繰り返し生ずる減衰振動波形周期波として各減衰振動波ごとに共振させ、その各減衰振動波ごとにアーク放電発生に伴い共振ズレを生じさせてアーク放電を中断させることにより、間欠的アーク放電とする。
電源装置は、ある時間間隔をおいた正負逆位相のパルスをある繰り返し周波数で高圧トランスの一次側に供給し、該高圧トランスの二次側から各減衰振動波ごとに共振した減衰振動波形周期波として出力する。
電源装置は、減衰振動波の周波数を可変する周波数可変手段を備えている。
コロナ放電部は、ケーシングの周壁を対向電極としてその内部に筒状のコロナ放電電極を有し、該コロナ放電電極の外周面に多数の放電先端を形成しているとともに、ケーシングの周壁内側に誘電体を設けていて、多数の誘電体バリア放電を同時に起こす。
筒状のコロナ放電電極の外周面にネジが形成され、そのネジ山が多数の放電先端となっている。
アーク放電部は、ケーシング内のアーク放電電極とケーシングの噴射口との間に、アーク放電を妨げるアーク放電拡散部材を有し、アーク放電電極からアーク放電ビームをこのアーク放電拡散部材により円錐状に拡散させながら噴射口へ向ける。
アーク放電部は、ケーシング内のアーク放電電極がリング状の電極先端部を有し、アーク放電拡散部材が、リング状の電極先端部の内側からケーシングの噴射口まで外径を大きくしながら延びている。
アーク放電電極は、筒状のコロナ放電電極中を貫通する電極支持棒の先端に設けられている。
ケーシング、筒状のコロナ放電電極及び電極支持棒のそれぞれの基端が絶縁ホルダに保持され、ケーシング外からのガスを渦流にして筒状のコロナ放電電極とケーシングとの間のガス流路に導入する渦流発生体が、ケーシング内の基端部に設けられている。
この渦流発生体は、ガスを渦流にして通す螺旋状の孔を有する。
アーク放電拡散部材は、耐久性を考慮してセラミック製とする。
本発明では、前段のコロナ放電において、ケーシングの周壁へ向かって多数のコロナ放電を同時に起こすので、ラジカルの発生量の増加と共に、後段でのプラズマの発生量も多量となる。また、ケーシング内のアーク放電電極からケーシングの噴射口へ向かってアーク放電させて、そのアーク放電によりプラズマの電荷をケーシングへバイパスさせるので、プラズマの極性は中性となり、基材へ向かうアーク放電を防止できるとともに、基材を帯電させない。アーク放電は間欠的であるため、電極の加熱が抑制され、低温プラズマとなる。アーク放電は間欠的であっても、前段での上記のようなコロナ放電によりプラズマ発生量は多い。
電極間に印加する電圧を正弦波状の連続波ではなく、減衰振動波の間欠的繰り返しによる減衰振動波形周期波とし、しかも各減衰振動波ごとに共振させ、更に各減衰振動波ごとに、高圧トランスが持つLC成分等を利用してアーク放電発生に伴い共振ズレを生じさせることで、電極間に印加される減衰振動波の残部を相殺する(リーケージ化する)ことにより、アーク放電を瞬時に中断し、このような動作を減衰振動波の繰り返し周期で間欠的に繰り返すことにより、電極の加熱を抑制しながら安定した低温プラズマを発生させることができる。
電極間に印加する高電圧の減衰振動波を、片方を接地せずに正負が逆位相となるようにすることで、対接地間と無関係にすることができる。これは、基材を改質する場合、プラズマが基材に照射されるときに、対接地間とは無関係であるため、感電することなく電極間で電流が流れて改質できるからである。
電極間に印加する電圧波形を、正弦波のような整然とした連続波とすると、放電開始後も印加電圧が残って放電電流が持続するため、電極が加熱されて高温プラズマになってしまう。そこで、高圧トランスが持つLC成分を利用して、正負交互のパルスを高圧トランスの一次側で共振した減衰振動波とし、二次側でアーク放電発生に伴い共振ズレを生じさせれば、共振した減衰振動波は放電開始後に瞬時に消滅する。これを各減衰振動波ごとに行って、連続波にせずに間欠的に繰り返せば、安定した低温プラズマを発生できる。
ケーシング内のアーク放電電極からのアーク放電ビームを、アーク放電を妨げるアーク放電拡散部材により円錐状に拡散させながら噴射口へ向ければ、アーク放電電極と噴射口の口縁との間に、環ビーム状となるアーク放電経路を形成できると同時に、プラズマ電荷のケーシングへのバイパス経路も形成できるので、基材へ向かうアーク放電を防止しながら、噴射口から噴射されるプラズマを単純な構造で広範囲に拡散させて処理面積を大きくすることができる。
コロナ放電電極を筒状としてその外周面に多数の放電先端を形成するとともに、ケーシングの周壁内側に誘電体を設けて、多数の誘電体バリア放電を同時に起こせば、多量のラジカルを安全に生成できる。
筒状のコロナ放電電極の外周面にネジを形成すれば、そのネジ山が多数の放電先端となり、しかも個々のネジ山の全周からコロナ放電が生ずるので、筒状のコロナ放電電極の外周のネジ形成面の全長及び全面からコロナ放電が生ずる高密度の放電となり、大量のラジカルを生成できるとともに、プラズマの発生量も多量となる。高密度のコロナ放電によりオゾン発生量も増えるが、後段での上述したようなアーク放電により、オゾンはほとんど破壊されて大半がラジカルとなる。
ガスを渦流発生体により渦流にして、筒状のコロナ放電電極とケーシングとの間のガス流路に導入することにより、局所集中的なコロナ放電及びアーク放電の防止効果に加え、冷却効果や気体分子密度が大きくなることによる表面処理能力の向上が図れる。アーク放電部では、その放電点が渦流により常時移動する様相となるので、アーク密度の高い均一なアーク放電ビームとなる。アーク放電電極にリング状の電極先端部を形成すれば、アーク放電ビームが環状となりしかもそれが円錐形に拡散するので、プラズマの発生及びその拡散が一層助長される。
渦流発生体は、その螺旋状の孔にガスが通り抜けるだけで渦流にできるので、渦流生成部分の構造が従来に比べ単純になる。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明によるプラズマ発生装置の機械的構造を示す。このプラズマ発生装置は、本体である縦長円筒形のケーシング1を外筒として、その中に内筒となる縦長円筒形のコロナ放電電極2、更にその中に電極支持棒3を同心円状に配置し、ケーシング1の上端部(基端部)及び電極支持棒3の上端部を、絶縁材による絶縁ホルダ4に直接保持するとともに、電極支持棒3を介してコロナ放電電極2の上端を絶縁ホルダ4に保持している。
外筒であるケーシング1の内周面には、その下端部を残して、セラミックや耐熱ガラス材等の縦長円筒形誘電体5が付設されており、この誘電体5の上端部は、ケーシング1の上端を越えて絶縁ホルダ4の内部に保持されている。
ケーシング1の下端は緩やかな円弧ですぼまっていて、ケーシング1の周壁内径より小さい噴射口6を開口させている。ケーシング1はステンレス等の金属製であるが、噴射口6の口縁は、後述するようにアーク放電のための対向電極となることから、電食に強い合金等による補強リング7が嵌め込まれている。
ケーシング1の上端には鍔部8が形成されており、この鍔部8をその下側の押さえリング9にて電極ホルダ4の下面に固定することにより、ケーシング1は電極ホルダ4に保持されている。この鍔部8には、電極ホルダ4の上面から突出する電源端子10が接続されており、ケーシング1は、この電源端子10を介して後述する電源装置に接続される。
電極支持棒3もステンレス等の金属製で、その上端部を絶縁ホルダ4に貫通させてこれに保持され、貫通したその上端には電源端子11が接続されていて、電極支持棒3もこの電源端子11を介して電源装置に接続される。
縦長円筒形のコロナ放電電極2は、その上端と下端を環状の上下の電極セパレータ12・13を介して電極支持棒3に保持されている。上下の電極セパレータ12・13はセラミック等の絶縁材で、コロナ放電電極2と電極支持棒3とを電気的に絶縁する。コロナ放電電極2の上端には、絶縁ホルダ4を貫通する電源端子14が接続されていて、コロナ放電電極2もこの電源端子14を介して電源装置に接続される。
コロナ放電電極2の周壁外周面は、誘電体5が存在するところでこれを介してケーシング1の周壁の内周面と対向し、誘電体5の内周面との間に断面環状のガス流路15を形成している。コロナ放電電極2の周壁外周面には、細かいネジ山ピッチ(例えば、1mm程度)でネジ16が形成されており、その先端の尖ったネジ山の一つ一つしかもその全周が、ケーシング1の周壁を対向電極としてコロナ放電を起こす放電先端となる。
コロナ放電電極2の上端から下端までの全長で誘電体5を介した誘電体バリア放電が生ずるように、誘電体5は、コロナ放電電極2の上端よりも上方へ延びているとともに、コロナ放電電極2の下端よりも下方へ延びている。また、コロナ放電電極2の下端でのコロナ放電が、その下方でのアーク放電と干渉しないように、下側の電極セパレータ13の下周縁には、環状の周壁13aが突出形成されている。
電極支持棒3は、縦長円筒形のコロナ放電電極2中をその軸線に沿って上下に貫通しており、この電極支持棒3の下端にはステンレスや合金等による環状のアーク放電電極17が固定されている。アーク放電電極17は、電極支持棒3を介して電源装置に接続される。このアーク放電電極17と下側の電極セパレータ13との間には、押さえボルト18が介在している。
アーク放電電極17の下周縁には、径を拡げながらしかも肉厚を徐々に薄くしながら斜め下向きに突出する環状突部17aが形成されており、この環状突部17aの尖った先端しかもその全周が、噴射口6の口縁を対向電極としてアーク放電を起こす放電先端となる。この放電先端は、対向電極となる噴射口6の口縁より離れた(好ましくは、距離が10〜20mm程度)その上方に位置しているが、径は噴射口6の口縁よりも小さい。
アーク放電電極17の下面であってその環状突部17aの内側に、セラミック製のアーク放電拡散部材19が付設されている。このアーク放電拡散部材19は円錐台形で、その外径を徐々に大きくしながら噴射口6まで延びており、噴射口6の口縁の内側周囲を環状に残して噴射口6を部分的に塞いでいる。
一方、上端の絶縁ホルダ4では、その下面開口した凹部4aに円筒形の誘電体5の上端部を嵌合させて誘電体5が固定されているとともに、その更に内側に、渦流発生体20を嵌合させてこの渦流発生体20が固定されている。この渦流発生体20には、絶縁ホルダ4に設けられたガス入口21と連通する複数の螺旋状の孔22が上下に貫通して設けられている。この孔22は、コロナ放電電極2と誘電体4との間のガス流路15と、絶縁ホルダ4の凹部4a内を介して連通している。
ガス入口21にはガス管23が接続されており、空気やアルゴンや窒素やヘリウム等のガスが外部から送入される。
以上のような機械的構造の本プラズマ発生装置において、外部からガスをガス入口21へ送入すると、そのガスは、絶縁ホルダ4に固定された渦流発生体20の螺旋状の孔22を通り抜けることにより渦流となり、コロナ放電電極2と誘電体4との間のガス流路15中を渦流となって流れ、噴射口6へ向かう。
このようにガスを流しながら、ケーシング1を共通の対向電極として、コロナ放電電極2とケーシング1との間、及びアーク放電電極17とケーシング1との間に後述するような減衰振動波形周期波の電圧を同時に印加すると、前段のコロナ放電電極2とケーシング1の周壁との間では、コロナ放電電極2のネジ16のネジ山の一つ一つしかもその全周が放電先端となって、誘電体4を介した無数のコロナ放電(誘電体バリア放電)が、コロナ放電電極2の全長及び全周でケーシング1の周壁に向かって同時に高密度に起こり、渦流となって流れるガス中に電離により大量のラジカルが生成される。渦流は、ネジ16のネジ山での一点に集中するような局所集中的放電を防止する作用、及びラジカル生成を促進する作用がある。
後段のアーク放電電極17とケーシング1の噴射口6の口縁との間では、アーク放電電極17の尖った環状突部17aの先端の全周を放電先端として、 アーク放電が噴射口6の口縁に向かって起こる。このとき、円錐台形のアーク放電拡散部材19はセラミック製であるためアーク放電の妨げとなり、アーク放電電極17の環状突部17aより内側での放電を防止しながら噴射口6の口縁への放電を誘導し、またアーク放電を環ビーム状としてそれを円錐形に拡散させる。アーク放電拡散部材19は、アーク放電に曝されることから、耐久性も考慮してセラミック製としてある。
このようなアーク放電によりプラズマが生成され、そのプラズマは、円錐台形のアーク放電拡散部材19により円錐形に拡散して噴射口6から噴射される。その際、環ビーム状のアーク放電がケーシング1の噴射口6の口縁へ向かって生ずるので、プラズマの電荷は、噴射口6の口縁全周でケーシング1へバイパスされ、電荷をもたない(電位がほとんど0)極性が中性なプラズマとなる。また、前段でのコロナ放電が上述のように無数に高密度に生じ、しかもアーク放電が、線状ではなく環ビーム状でしかもそれが円錐形に拡散していくので、プラズマの発生量が多くなるとともに、その拡散範囲も広く、またガス中のオゾンはほとんど破壊されて大半がラジカルとなる。
更に、印加される電圧が、後述するような減衰振動波形周期波であるため、減衰振動波の繰り返し周期でアーク放電が間欠的に繰り返され、しかも各周期でアーク放電が瞬時に中断されるため、アーク放電による電極の加熱が抑制される。渦流は、ここでも、環状突部17aの先端で一点に集中するような局所集中的放電を防止する作用があるとともに、更に電極を冷却する作用、プラズマの噴射とその拡散を助長する作用もある。
次に、コロナ放電電極2とケーシング1との間、及びアーク放電電極17とケーシング1との間に減衰振動波形周期波の電圧を同時に印加する電源装置について説明する。
図2はそのブロック図で、先ず高圧トランス30の一次側に印加する正負パルス波を生成するためのフルブリッジスイッチング回路(インバータ)31について説明する。
このフルブリッジスイッチング回路31は、商用周波数の電圧を整流する整流回路32と直流安定化電源回路33による直流電源を電源としている。直流安定化電源回路33の出力電圧は出力設定器34により調整できる。
フルブリッジスイッチング回路31は、2組のトーテムポール回路、すなわち第1の半導体スイッチング素子SW1を上アーム、第2の半導体スイッチング素子SW2を下アームとする第1組のトーテムポール回路と、第3の半導体スイッチング素子SW3を上アーム、第4の半導体スイッチング素子SW4を下アームとする第2組のトーテムポール回路とで構成され、各半導体スイッチング素子にダイオードを並列接続したHブリッジ回路であって、位相制御によるPWM(パルス幅変調)にて次のようにスイッチング動作される。
すなわち、スイッチングさせるパルス幅を50%デューティとし、図3のタイミングチャートに示すように、先ず第1と第2の半導体スイッチング素子SW1・SW2による第1組のトーテムポール回路をスイッチングさせてから、これより遅れて第3と第4の半導体スイッチング素子SW3・SW4による第2組のトーテムポール回路をスイッチングさせる。同図において破線で示すようなPWM動作により、第1の半導体スイッチング素子SW1と第4の半導体スイッチング素子SW4から正のパルスが出力され、次の半サイクルで第2の半導体スイッチング素子SW2と第3の半導体スイッチング素子SW3から負のパルスが出力される。このようにすると、出力されるパルス幅を0%から50%まで直線的に可変することができる。
このようにスイッチング動作させるための前段の回路について、図2のブロック図と図4のタイミングチャートを参照して説明する。
電圧制御発振器(VCO)35の発振信号は、その繰り返し周波数を繰り返し周波数設定器36にて調整できるようになっており、その発振信号は、矩形波発振回路37によりデューティ50%の図4(1)・(2)に示すような矩形波信号及びその反転信号として出力される。その出力は、一方では第1のANDゲート38に直接入力され、他方では、遅延回路40にて図4(3)に示すように遅延されてから第2のANDゲート39に入力されるものとに分かれ、後者は、図4(4)・(5)に示すように遅延された矩形波信号及びその反転信号となる。これら4種の矩形波信号は、シーケンス回路41により起動スイッチ42がオンとなり、起動/停止回路43からゲート信号がANDゲート38・39に入力されることにより、これらANDゲート38・39から出力される。
第1のANDゲート38の出力は、第1の遅延用AND回路44及び第1の遅延用NOR回路45を介してゲートドライブ回路46へ入力され、第2のANDゲート39の出力は、第2の遅延用AND回路47及び第2の遅延用NOR回路48を介して同じくゲートドライブ回路46へ入力される。そして、このゲートドライブ回路46によりフルブリッジスイッチング回路31の4個の半導体スイッチング素子SW1・SW2・SW3・SW4が上述のようにスイッチングされることにより、図4(6)に示すように、フルブリッジスイッチング回路31の第1の半導体スイッチング素子SW1と第4の半導体スイッチング素子SW4から正のパルスが出力され、次の半サイクルで第2の半導体スイッチング素子SW2と第3の半導体スイッチング素子SW3から負のパルスが出力され、これが周期的に繰り返される。その繰り返し周波数は繰り返し周波数設定器36にて調整できる。
このある時間間隔の正負交互のパルス波は、コンデンサCを介して高圧トランス30一次側に印加され、高圧トランス30が持つLC成分により、図4(7)に示すように、共振した減衰振動波が間欠的に繰り返す高圧の減衰振動波形周期波となり、これがコロナ放電電極2とケーシング1の周壁とによるコロナ放電部、及びアーク放電電極17とケーシング1の噴射口6の口縁とによるアーク放電部に同時に印加される。
このような電圧印加によりアーク放電は間欠的に行われる。減衰振動波であるためアーク放電時のトランス出力は図4(8)に示すようなトリガとなり、各アーク放電は図4(9)に拡大して示すように瞬時に中断する。コロナ放電は、図4(9)及び図4(10)に示すようにアーク放電終了時点まで継続し、これが減衰振動波形周期波の繰り返し周期で繰り返される。
フルブリッジスイッチング回路31から出力されるパルス幅は、位相制御により上述のように0%から50%まで直線的に可変することができることから、共振した各減衰振動波の電圧立ち上がり時間を容易に1μs以下にできるとともに、0から1μs以下の狭い範囲でもその調整が容易であり、発生するプラズマの低温化に効果的である。
図2に示したような電源装置の高圧トランス30の二次側に、図1に示したような構造の複数台のプラズマ装置の電極を図5に示すように直列に接続すれば、1台の電源装置を用いて複数台のプラズマ装置から平均化したプラズマを同時に発生できる。
本発明は、その用途として表面改質に限らず、大気圧プラズマエッチング、アッシング、洗浄、プリント基板の検査装置(非接触センサ)、ガス分解、プラズマカッタ、殺菌等にも適用できる。
本発明によるプラズマ発生装置の機械的構造を示す断面図である。 その電源装置のブロック図である。 図2中のフルブリッジスイッチング回路の動作タイミングチャートである。 図2の電源装置の動作タイミングチャートである。 本発明の応用例を示す概要構成図である。
符号の説明
1 ケーシング
2 コロナ放電電極
3 電極支持棒
4 絶縁ホルダ
4a 凹部
5 誘電体
6 噴射口
7 補強リング
8 鍔部
9 押さえリング
10 電源端子
11 電源端子
12・13 電極セパレータ
13a 周壁
14 電源端子
15 ガス流路
16 ネジ
17 アーク放電電極
17a 環状突部
18 押さえボルト
19 アーク放電拡散部材
20 渦流発生体
21 ガス入口
22 螺旋状の孔
23 ガス管
30 高圧トランス
31 フルブリッジスイッチング回路
SW1・SW2・SW3・SW4 半導体スイッチング素子
32 整流回路
33 直流安定化電源回路
34 出力設定器
35 電圧制御発振器(VCO)
36 繰り返し周波数設定器
37 矩形波発振回路
38・39 ANDゲート
40 遅延回路
41 シーケンス回路
42 起動スイッチ
43 起動/停止回路
44・47 遅延用AND回路
45・48 遅延用NOR回路
46 ゲートドライブ回路

Claims (21)

  1. ケーシング内にガスを送入し、ケーシング内における前段のコロナ放電と後段のアーク放電でプラズマとしてケーシングの噴射口から噴射するプラズマ発生方法であって、前記ケーシング内のガス流路に沿って形成されたコロナ放電電極から、ケーシングの周壁を対向電極として多数のコロナ放電を同時に発生させるとともに、ケーシング内のアーク放電電極に対してケーシングの噴射口を対向電極として間欠的にアーク放電させて、そのアーク放電によりプラズマを生成し、噴射口から噴射することを特徴とするプラズマ発生方法。
  2. 減衰振動波が間欠的に繰り返し生ずる減衰振動波形周期波の電圧を、コロナ放電電極とケーシングの周壁によるコロナ放電部、及びアーク放電電極とケーシングの噴射口によるアーク放電部に共に印加し、アーク放電部では間欠的にアーク放電させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生方法。
  3. 減衰振動波形周期波の各減衰振動波ごとに共振させ、その各減衰振動波ごとにアーク放電発生に伴い共振ズレを生じさせてアーク放電を中断させることにより、間欠的アーク放電とすることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ発生方法。
  4. ある時間間隔をおいた正負逆位相のパルスをある繰り返し周波数で高圧トランスの一次側に供給し、該高圧トランスの二次側から各減衰振動波ごとに共振した減衰振動波形周期波として出力することを特徴とする請求項3に記載のプラズマ発生方法。
  5. 減衰振動波の周波数を可変することを特徴とする請求項4に記載のプラズマ発生方法。
  6. 共振した各減衰振動波の電圧立ち上がり時間が1μs以下であることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載のプラズマ発生方法。
  7. 減衰振動波の繰り返し周期が10〜50KHzであることを特徴とする請求項2〜6のいずれかに記載のプラズマ発生方法。
  8. コロナ放電部では、ケーシング内のガス流路に沿って形成されたコロナ放電電極の多数の放電先端とケーシングの周壁との間で、それら間に介在された誘電体を介して多数の誘電体バリア放電を発生させることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ発生方法。
  9. アーク放電部では、ケーシング内のアーク放電電極からのアーク放電ビームを、アーク放電を妨げるアーク放電拡散部材により円錐状に拡散させながら噴射口へ向けることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のプラズマ発生方法。
  10. 電源装置から高電圧を印加されるコロナ放電部及びアーク放電部を、ガス送入されるケーシング内に内蔵し、前段のコロナ放電と後段のアーク放電でプラズマとしてケーシングの噴射口から噴射するプラズマ発生装置であって、
    前記コロナ放電部は、前記ケーシング内のガス流に沿って多数の放電先端を形成していて、ケーシングの周壁を対向電極として多数のコロナ放電を同時に発生させ
    前記アーク放電部は、前記ケーシング内のアーク放電電極に対してケーシングの噴射口の周縁が対向電極となっていて、それらの間で間欠的にアーク放電させてプラズマを生成し
    前記電源装置は、減衰振動波が間欠的に繰り返し生ずる減衰振動波形周期波の電圧をコロナ放電部及びアーク放電部に印加し、アーク放電を間欠的に起こすことを特徴とするプラズマ発生装置。
  11. 電源装置は、印加する減衰振動波を、間欠的に繰り返し生ずる減衰振動波形周期波として各減衰振動波ごとに共振させ、その各減衰振動波ごとにアーク放電発生に伴い共振ズレを生じさせてアーク放電を中断させることにより、間欠的アーク放電とすることを特徴とする請求項10に記載のプラズマ発生装置。
  12. 電源装置は、ある時間間隔をおいた正負逆位相のパルスをある繰り返し周波数で高圧トランスの一次側に供給し、該高圧トランスの二次側から各減衰振動波ごとに共振した減衰振動波形周期波として出力することを特徴とする請求項11に記載のプラズマ発生装置。
  13. 電源装置は、減衰振動波の周波数を可変する周波数可変手段を備えていることを特徴とする請求項12に記載のプラズマ発生装置。
  14. コロナ放電部は、ケーシングの周壁を対向電極としてその内部に筒状のコロナ放電電極を有し、該コロナ放電電極の外周面に多数の放電先端を形成しているとともに、ケーシングの周壁内側に誘電体を設けていて、多数の誘電体バリア放電を同時に起こすことを特徴とする請求項10〜13のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
  15. 筒状のコロナ放電電極の外周面にネジが形成され、そのネジ山が多数の放電先端となっていることを特徴とする請求項14に記載のプラズマ発生装置。
  16. アーク放電部は、ケーシング内のアーク放電電極とケーシングの噴射口との間に、アーク放電を妨げるアーク放電拡散部材を有し、アーク放電電極からアーク放電ビームをこのアーク放電拡散部材により円錐状に拡散させながら噴射口へ向けることを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
  17. アーク放電部は、ケーシング内のアーク放電電極がリング状の電極先端部を有し、アーク放電拡散部材が、リング状の電極先端部の内側からケーシングの噴射口まで外径を大きくしながら延びていることを特徴とする請求項16に記載のプラズマ発生装置。
  18. アーク放電電極が、筒状のコロナ放電電極中を貫通する電極支持棒の先端に設けられていることを特徴とする請求項16又は17に記載のプラズマ発生装置。
  19. ケーシング、筒状のコロナ放電電極及び電極支持棒のそれぞれの基端が絶縁ホルダに保持され、ケーシング外からのガスを渦流にして筒状のコロナ放電電極とケーシングとの間のガス流路に導入する渦流発生体が、ケーシング内の基端部に設けられていることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ発生装置。
  20. 渦流発生体が、ガスを渦流にして通す螺旋状の孔を有することを特徴とする請求項19に記載のプラズマ発生装置。
  21. アーク放電拡散部材がセラミック製であることを特徴とする請求項16〜20のいずれかに記載のプラズマ発生装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110997127A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 春日电机株式会社 表面改质装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE500604T1 (de) * 2005-03-30 2011-03-15 Huettinger Elektronik Gmbh Vakuumplasmagenerator
JP2009054359A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tohoku Univ プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
JP2011036063A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Japan Steel Works Ltd:The コロナ放電処理装置用の共振型pamインバータ電力供給装置
TWI397617B (zh) * 2010-02-12 2013-06-01 Masahiro Hoshino Metal silicon purification device
WO2016087357A2 (de) * 2014-12-01 2016-06-09 Plasmatreat Gmbh Lüftungsanlage und verfahren zu deren betrieb
CN106989390B (zh) * 2017-04-07 2019-05-24 西安交通大学 一种本生灯式低温等离子体辅助燃烧装置
JP7048720B2 (ja) * 2018-03-20 2022-04-05 株式会社Fuji プラズマ装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0361371A (ja) * 1989-07-28 1991-03-18 Nec Corp 薄膜形成装置
JP2890506B2 (ja) * 1989-07-28 1999-05-17 日本電気株式会社 薄膜形成装置
JPH0361372A (ja) * 1989-07-28 1991-03-18 Nec Corp 薄膜形成装置
JP2840700B2 (ja) * 1990-12-31 1998-12-24 株式会社 半導体エネルギー研究所 被膜形成装置及び被膜形成方法
JP2929768B2 (ja) * 1991-06-18 1999-08-03 株式会社明電舎 円筒型プラズマ発生装置
JP2849880B2 (ja) * 1991-10-31 1999-01-27 長利 鈴木 排気ガス浄化装置
JP3147137B2 (ja) * 1993-05-14 2001-03-19 セイコーエプソン株式会社 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
JPH0839260A (ja) * 1995-04-10 1996-02-13 Daido Steel Co Ltd 粉末肉盛溶接方法
JPH1116696A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Seiko Epson Corp 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
DE29919142U1 (de) * 1999-10-30 2001-03-08 Agrodyn Hochspannungstechnik G Plasmadüse
JP4746804B2 (ja) * 2001-09-28 2011-08-10 株式会社ハイデン研究所 プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110997127A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 春日电机株式会社 表面改质装置
CN110997127B (zh) * 2017-08-09 2021-12-21 春日电机株式会社 表面改质装置

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