KR20060070560A - 플라스마 처리방법 및 그 장치 - Google Patents
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Abstract
피처리물표면에 대한 여기종의 조사량 및 조사면적을 확대할수 있슴과 동시에 표면전역에 균일하게 조사시킬 수가 있고, 더구나 유효여기종의 손실을 억제해서 처리성능, 처리효율의 현저한 향상을 도모할 수 있도록 한다.
상호 대향해서 위치하는 방전전극간에 펄스전압을 인가해서 그들 방전전극의 첨단부간에 코로나방전을 생기게하여 이 코로나방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면에 조사해서 표면처리를 행한다.
중심전극과 이 중심전극을 끼우는 상태로 대향 배치한 2개의 주연전극과로 방전전극을 구성한다. 방전전극의 중심전극과 양주연전극과에 우수배전압정류회로를 응용해서 구성한 펄스전압 인가수단으로부터 펄스전압을 교대로 인가시킨다.
양주연전극 중의 한쪽과 중심전극과의 사이에 코로나방전을 교대로 발생시키도록 구성한다.
Description
본 발명은 주로 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌, 폴리에스테르(PET), PTFE(폴리4불화에틸렌)등의 수지에 대해서 도료를 도포하는 경우나 인쇄를 실시하는 경우에 그 표면의 발수성을 친수성으로 품질 개량하거나 유리, 세라믹스, 금속, 반도체등의 표면에 부착한 유기물을 세정하거나 살균, 멸균하거나 에칭하는 등의 각종의 표면처리 혹은 가스분해 공정에 적용되는 것으로서, 상세하게는 코로나 방전에 의해 생성되는 플라스마에 의한 분자해리의 결과 발생하는 여기분자, 래디컬, 이온 등의 여기종(勵起種)을 피처리물의 표면에 조사해서 품질개량 등의 표면처리 등을 행하는 코로나 방전식의 플라스마 처리방법 및 그 장치에 관한것이다.
코로나방전방식의 플라스마 표면처리방법은 글로방전방식의 플라스마 표면처리방법의 경우에 필요한 헬륨 또는 아르곤이나 수소등 점화용가스의 사용이 생략되고, 사용시의 안전성의 향상 및 가스 소비량의 절감에 의한 처리비용의 저감을 도모할 수 있다는 이점을 갖는 것 때문에 표면 품질개량 등의 표면처리에 많이 이용되고 있다.
이런 종류의 코로나방전방식의 플라스마표면처리 방법에 의한 처리성능, 처 리효율을 결정하는데 있어서 중요한 요소는 코로나 방전에 의해 생성된 플라스마를 포함하는 여기종의 피처리물표면에의 조사량, 조사면적, 및 조사의 균일성이며, 이들 중요한 요소를 달성하는 수단으로서 종래에는 한쌍의 방전전극을 대향하는 상태로 배치하고, 이 양 전극간에 정현파교류전압을 인가해서 양 전극간에서 코로나 방전을 발생시킴과 동시에 그 방전영역에 가스를 흘리도록 하고 있다(예를 들면 특허문헌 1참조)
특허문헌 1 : 특개평 2001-293363호공보
그러나 상기한 종래의 코로나방전방식의 플라스마표면처리 방법에서는 가스의 분사압력이나 분사각도 등의 조정에 의해 여기종의 조사량이나 조사면적을 조정할 수는 있지만 일정한 간격으로 형성되어 있는 방전영역이 1개소 밖에 없는 것 때문에 그 조정범위에는 스스로 한계가 있고, 특히, 피처리물표면의 전역에 여기종을 평균적으로 균등하게 조사시키는 것은 구조적으로도 기술적으로도 어렵다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 실정을 감안하여 이루어진 것으로서 피처리물 표면에 대한 여기종의 조사량 및 조사면적을 확대할 수가 있음과 동시에 표면 전역에 균일하게 조사할 수가 있고, 더구나 유효 여기종의 손실을 억제해서 처리성능, 처리효율의 현저한 향상을 도모할 수가 있는 플라스마 처리방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 청구항 1에 관한 플라스마 처리방법은 상호 대향하는 방전전극에 펄스전압을 인가해서 그들 방전전극의 첨단부간에 코로나방전을 생기게하여 이 코로나방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면에 조사해서 표면처리를 행하는 플라스마 처리방법으로서 중심전극과 이 중심전극을 끼우는 상태로 대향 배치한 2개의 주연(周緣)전극으로 구성한 방전전극의 중심전극과 양 주연전극과에 우수배 전압정류회로를 응용해서 구성한 펄스전압 인가수단으로 부터 펄스전압을 교대로 인가해서 양 주연전극중의 한쪽과 중심전극과의 사이에 코로나방전을 교대로 발생시키도록 구성한 것을 특징으로 한다.
또 본 발명의 청구항 6에 관한 플라스마 처리장치는 상호 대향하는 방전전극에 펄스전압을 인가해서 그들 방전전극의 첨단부간에 코로나방전을 발생시켜 이 코로나방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면에 조사해서 표면처리를 행하도록 구성된 플라스마 표면처리장치로서, 방전전극을 중심전극과 그 중심전극에 대향해서 배치된 2개의 주연전극과로 구성하고, 우수배전압정류회로를 응용해서 구성한 펄스전압인가수단의 각 측면부 단자를 각각 주연전극에 각각 접속하고, 중심전극과 각 주연전극과에 인가되는 교류전압에 기초해서 중심전극과 주연전극과의 사이에 코로나방전을 교대로 발생시키도록 구성한 것을 특징으로 한다.
상기한 구성의 본 발명에 의하면, 방전전극을 중심전극과 그 중심전극에 대향하는 상태로 배치한 2개의 주연전극과로 구성하고, 중심전극과 각 주연전극과의 사이에 펄스전압을 교대로 인가해서 교대로 방전시키도록 하고 있는 것 때문에, 방전간격을 직렬로 2개소 형성하고 있는 상태가 되고, 피처리물 표면에 대한 여기종의 조사량 및 조사면적을 확대할 수 있음과 동시에 표면 전역에 균일하게 조사시킬 수가 있게 된다.
상기와 같은 코로나방전방식의 플라스마처리방법 및 장치에 있어서, 방전전극에 인가하는 펄스전압으로서는 청구항 2 및 청구항 8에 기재된 바와 같이, 구형파펄스전압, 혹은 청구항 3 및 청구항 9에 기재된 바와 같이 교류전압을 전파정류한 복수의 맥류파로 구성되는 펄스전압의 어느 것을 사용해도 된다.
이중 특히 맥류파로 구성되는 펄스전압을 사용하는 경우에는 특별한 펄스전압 발생전원이 불필요하고, 상용 또는 초음파영역의 교류전원과 다이오드 등의 정류소자와의 조합으로 된 간단한 전원장치를 사용하므로서 소망주기 및 듀티(duty)의 펄스전압을 인가시키는 것이 가능하고, 장치의 저비용화를 실현할 수가 있다.
다시 또, 청구항 4 및 청구항 10에 기재된 바와 같이, 방전전극의 첨단부 가까이에 자장을 형성한 상태에서 방전전극에 펄스전압을 인가해서 양 전극간에 코로나 방전을 발생시키는 경우에는, 코로나 방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종이 자장 중에 존재하는 것이 되어 자장 중을 운동하는 플라스마의 하전입자에 대해서 자장으로부터 압출력 즉, 로렌츠력이 작용해서 여기종을 피처리물의 표면으로 향해서 힘차게 또 넓은 면적에 걸쳐서 거의 균일하게 조사시킬 수가 있다.
그리고 상기한 코로나방전식의 플라스마 처리장치에 있어서의 자장형성수단으로서는 청구항 11에 기재된 바와 같이, 영구자석과 한 쌍의 자성체와 단면간에 갭을 형성하는 한 쌍의 자극편으로 구성된 것. 혹은 청구항 12에 기재된 바와 같이,직류전원에 접속된 전자석과 한 쌍의 자성체와 단면간에 갭을 형성하는 한 쌍의 자극편(pole piece)으로 구성된 것의 어느 것이라도 된다.
이 중 영구자석을 사용하는 경우에는 제작비용의 저감 및 전력소비의 절감이 도모된다.
한편 전자석을 사용하는 경우에는 영구자석을 사용하는 경우에 비해서 제작비용 및 전력소비가 증대하는 반면 자극편 단면간의 갭의 자속밀도를 조정하므로서 로렌츠력 나아가서는 플라스마를 포함하는 여기종의 조사력 및 조사확산범위를 피처리물의 표면형태 등에 대응해서 용이하고 또한 임의로 제어하기 쉽고, 피처리물에대한 형상적용성의 확대가 도모되는 외에 처리성능,처리효율을 보다 일층 향상시킬 수가 있다.
다시 또, 본 발명에서는 청구항5 및 13에 기재된 바와 같이, 아르곤, 질소, 탄산가스등의 반응성가스를 대기압 또는 대기압근방하에서 방전전극간에 도입하도록 하면 가스의 흐름으로 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물 표면으로 향해서 조사해서 피처리물 표면에의 조사량, 조사면적 및 조사의 균일성을 얻을수가 있는외에 플라스마를 포함하는 여기가스류를 자장으로부터 받는 압출작용력(로렌츠력)으로 조사시키므로서 각종의 표면처리에 이용하는 것이 가능하게 된다.
도1은 본 발명에 관한 플라스마 처리장치의 1실시예를 나타내는 일부생략 세로단면 정면도
도2는 도1의 장치의 일부 절제사시도
도3은 펄스전압 인가수단으로 출력되는 맥류전압의 파형도로써, 도3a는 승압기로 부터의 출력파형도, 도3b는 중심전극과 정전극으로 빼내지는 정류된 맥류전압의 파형도, 도3c는 중심전극과 부전극으로 빼내지는 정류된 맥류전압의 파형도.
도4는 펄스전압인가수단으로 출력되는 구형파전압의 파형도로써, 도4a는 승압기로부터의 출력파형도, 도4b는 중심전극과 정전극에서 빼내지는 정류된 구형파전압의 파형도, 도4c는 중신전극과 부전극에서 빼내지는 정류된 구형파전압의 파형도.
<도면의 주요부분에대한 부호의 설명>
4. 방전전극
6,7. 자극편
8. 영구자석
11. 중심전극
12,13. 주연전극(12 정전극, 13 부전극)
16. 펄스전압인가수단
M. 자장형성수단
다음에 본 발명의 실시의 형태를 도면에 기초해서 설명한다.
도1은 본 발명의 방법을 적용한 플라스마 처리장치의 1실시예를 나타내는 개략 세로단면 정면도, 도2는 일부절제 사시도이다.
이 플라스마 표면처리장치는 다수의 가스분출구멍(1)을 형성함과 동시에 각 가스분출구멍의 상단부분이 연달아 통하는 가스저장부(2)를 내부에 형성한 판상절연부재(3)와, 판상절연부재(3)에 지지되어 있는 방전전극(4)과, 방전전극(4)을 전후로부터 끼우는 상태로 형성한 한쌍의 세라믹스제 절연스페이서(5)와 세라믹스제 절연스페이서(5)의 외측에 각각 배치한 자극편(6),(7)과 각 자극편(6),(7)에 각각 자기적으로 연결 접속되어있는 자석(8)과 이 자석(8)의 상단부끼리를 접속하는 자성재제 연결간(9) 및 방전전극(4)에 방전용전압을 인가하는 전원장치(10)로 구성되어있다.
방전전극(4)은 대략 티(T)자형상(당목형상)으로 형성한 중심전극(11)과 이 중심전극(11)의 티(T)자형두부의 단면(첨단부)에 각각 대향하는 상태로 배치된 대략 엘(L)자 형상의 주연전극(12),(13)으로 구성하고 있다.
그리고 이들 중심전극(11) 및 양 주연전극(12),(13)은 각각 텅스텐이나 몰리브덴등의 내열성이 있는 금속으로 형성하고 있다.
전원장치(10)는 교류전원(14)과 교류를 승압하는 변압기(15)와 이 변압기( 15)의 2차측에 배치되어있는 배전압정류회로의 콘덴서를 거쳐서 형성한 전파형정류회로로된 펄스전압인가수단(16)으로 구성되어 있고, 변압기(15)의 2차측단자의 한쪽을 상기한 티(T)자형상으로 형성되어있는 중심전극(11)에 전기적으로 접속함과 동시에 변압기(15)의 2차측단자의 다른쪽을 상기한 엘(L)자 형상으로 형성되어 있 는 주연전극(12),(13)에 각각 고압정류 다이오드(17),(18)를 거쳐서 전기적으로 접속하고 있다.
이 경우 고압정류 다이오드(17)와 고압정류 다이오드(18)와는 그 흐름의 방향을 역으로 배치하고있고, 정전극(12)에서는 중심전극(11)에 대해서 고전압을 출력하고, 부전극(13)에서는 중심전극(11)에 대해서 저전압을 출력하도록 되어있다.
결국 이 펄스전압인가수단(16)으로 부터는 각각 반파정류한 정전압측과 부전압측의 맥류파가 펄스전압으로서 교대로 인가되고, 중심전극(11)과 정전극(12)의 첨단부간 또는 중심전극(11)과 부전극(13)의 첨단부간에 코로나방전을 발생시켜 이 코로나 방전에의해 플라스마를 포함하는 여기종을 생성시키도록 구성되어 있다.
또한, 이 전원장치(10)로서는 50Hz∼100KHz의 교류전원을 변압기(15)로 도3a에 나타내는 바와 같은 5∼15KV의 파고치 Vp를 갖는 정현파로 승압시키고, 이 승압된 정현파를 5∼15KV의 파고치 Vp를 갖는 직류의 맥류파로 변환시키고, 도3b에 나타내는 정전압부분(직류)을 중심전극(11)과 정전극(12)과의 사이에 인가시키고, 또 도3c에 나타내는 부전압부분을 중심전극(11)과 부전극(13)과의 사이에 인가시켜서 각각 ON시간 및 OFF시간의 합계를 1주기 T로 해서 펄스주파수(1/T)가 10∼200 Hz, 펄스듀티가 10∼100%의 펄스전압을 교대로 발생시키게 된다.
상기한 방전전극(4)의 첨단부 바로 근방위치에는 코로나 방전에 의해 생성되는 플라스마중의 하전입자가 존재하는 수평면에 따라 자장을 형성하는 자장형성 수단이 설치되어 있다.
이 자장형성 수단은 상기한 방전전극(4)의 기초단말부 위쪽에 배치된 영구자 석(8)과 이 영구자석(8)의 N, S양극에 접속되어서 한쌍의 방전전극(4)의 첨단부 근방에까지 연장설치된 순철제등의 한쌍의 연자성체와 이들 연자성체의 선단에 일체로 연장설치 되어서 방전전극(4)의 첨단부를 끼워서 상호 대향하는 단면간에 자장형성용 갭을 형성하는 순철제등의 한쌍의 자극편(6),(7)으로 구성되어있고, 이 자장형성수단에 있어서의 자극편(6),(7)의 단면간의 갭에 형성되는 자장내를 플라스마중의 하전입자가 운동하는것에 수반하여 이 하전입자에는 압출력 즉, 로렌츠력이 작용해서 플라스마를 포함하는 여기종이 도1,2 중의 화살표 X로 나타내는 바와 같이 피처리물의 표면으로 향해서 조사되도록 구성되어 있다.
여기서 상기한 로렌츠력 F는 입자의 전하를 Q, 속도를 v, 자극편 단면간의 갭의 자속밀도를 B라하면
F=Qv ×B
이며, 하전입자의 속도벡터에 수직으로 작용하고, 이것에 의해 플라스마를 포함하는 여기종이 화살표 X방향으로 압출 조사된다.
또 판상절연부재(3)에 형성되어 있는 각 가스분출구멍(1)으로부터 아르곤, 질소, 탄산가스등의 반응성가스나, 고속에어를 대기압 또는 대기압근방하에서 한쌍의 방전전극간에 도입해서 플라스마를 포함하는 여기가스류를 자장으로부터 받는 로렌츠력으로 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키도록 구성하고 있다.
따라서 표면처리의 적용성을 확대하는 것이 가능하게 된다.
이와같이 구성된 코로나 방전식 플라스마 표면처리장치에 있어서는 영구자석 (8)의 N,S 양극에 연자성체를 거쳐서 접속된 자극편(6),(7)의 단면간의 갭에 유효 자속 및 누설자속으로 된 자장(자계)이 형성되어 있고, 이 상태에서 상기한 전원장치에의해 정류된 출력이 중심전극(10)과 정전극(11)과의 사이 및 중심전극(10)과 부전극(12)과의 사이에 펄스주파수가 10∼200Hz의 정 또는 부의 펄스전압을 인가해서 양전극(10),(11)혹은 (10),(12)의 첨단부간에 코로나방전을 교대로 생성시키면 이 코로나 방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종이 자장 중에 존재하게되어 이 자장 중을 운동하는 플라스마 중의 하전입자가 자장으로부터 받는 전술한 로렌츠력 F에 의해 플라스마를 포함하는 여기종에는 자장에 수직인 화살표 X방향의 힘이 부여되게 된다.
또 본 발명에서는 한 쌍의 방전전극(4)을 구성하는 중심전극(11)과 정, 부 각 전극(12),(13)에 대해서 교류전압을 정류해서 얻어진 복수의 맥류파로부터 구성되는 정 또는 부의 펄스전압을 각각 사용하고 있기 때문에 예를 들면 멀티바이브레이터나 슈미트트리거회로, 블록킹발진기 등의 특별한 펄스전압발생전원이 불필요하고, 상용교류전원 혹은 초음파전원과 다이오드 등의 정류소자와의 조합으로 된 간단한 전원장치를 사용하면서 소망의 주기 및 듀티의 펄스전압을 인가하는 것이 가능하며, 다시 또, 자장형성수단으로서, 제작비용이 낮고 또한 전력소비가 없는 영구자석(8)을 이용하므로서 장치 전체의 도입비용 및 운영비용의 절감이 도모된다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서는 자장형성수단(M)으로서 영구자석(8)을 사용했으나 자장 형성수단으로서는 전자석이라도 된다.
이와 같이 자장형성수단(M)으로서 전자석을 사용하면, 로렌츠력 F를 제어할수있고, 플라스마를 포함하는 여기종에 부하되는 자장에 수직인 힘을 조정할 수가 있다.
다시 또, 상기한 실시형태에서는 방전전극(4)의 첨단부를 끼워서 상호 대향하는 단면간에 자장을 형성함과 동시에 그 단면간에 반응성가스나 고속에어를 분출시키도록 하고 있으나 자장형성과 가스도입과는 어느 쪽인가 한쪽만이라도 된다.
다시 또, 상기한 실시형태에서는 교류전원과 그 교류전압을 전파정류시킨 복수의 맥류파로 구성되는 펄스전압을 발생시키는 정류회로로 펄스전압인가수단을 구성한 것에 대해 설명했으나 펄스전압인가수단은 도4에 나타내는 것과 같은 구형파의 펄스전압을 발생시키는 펄스파 발생전원이라도 된다.
본 발명은 주로 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌, 폴리에스테르(PET), PTFE(폴리4불화에틸렌)등의 수지에 대해서 도료를 도포하는 경우나 인쇄를 실시하는 경우에 그 표면의 발수성을 친수성으로 품질개량하거나 유리, 세라믹스, 금속, 반도체 등의 표면에 부착한 유기물을 세정하거나 살균, 멸균하거나 에칭하는 등의 각종의 표면처리나 코로나방전에 의해 생성되는 플라스마에 의한 분자해리를 이용한 가스분해 공정에 적용할 수가 있다.
Claims (13)
- 상호 대향해서 위치하는 방전전극간에 펄스전압을 인가해서 그들 방전전극의 첨단부간에 코로나방전을 생기게 하여 이 코로나방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면에 조사해서 처리를 행하는 플라스마처리방법으로서, 중심전극과 이 중심전극을 끼우는 상태로 대향 배치한 2개의 주연전극으로 구성한 방전전극의 중심전극과 양 주연전극과에 우수배 전압정류회로를 응용해서 구성한 펄스전압 인가수단으로부터 펄스전압을 교대로 인가해서 양 주연전극중의 한쪽과 중심전극과의 사이에 코로나방전을 교대로 발생시키도록 구성한 것을 특징으로 하는 플라스마처리방법.
- 제1항에 있어서,상기한 펄스전압으로서 구형파펄스전압을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리방법.
- 제1항에 있어서,상기한 펄스전압으로서 교류전압을 양파정류한 복수의 맥류파로 구성되는 펄스전압을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라스마처리방법
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서,방전전극의 첨단부 가까이에 상기한 플라스마 중의 하전입자가 존재하고 있는 곳에 자장이 형성되어 있고,이 자장 중을 운동하는 플라스마의 하전입자에 대해서 압출작용하는 힘에 의해 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키도록 한 것을 특징으로 하는 플라스마처리방법
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서,중심전극과 이 중심전극에 대향하고 있는 주연전극간에 반응성가스를 대기압또는 대기압근방 압력하에서 도입하므로서 플라스마를 포함하는 여기가스류를 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키 는것을 특징으로 하는 플라스마처리방법
- 상호 대향해서 위치하는 방전전극간에 펄스전압을 인가해서 그들 방전전극의 첨단부간에 코로나방전을 발생시켜 이 코로나방전에 의해 생성되는 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면에 조사해서 처리를 행하도록 구성된 플라스마 처리장치로서, 방전전극을 중심전극과 그 중심전극에 대향해서 배치된 2개의 주연전극과로 구성하고, 우수배전압정류회로를 응용해서 구성한 펄스전압인가수단의 중앙단자를 중심전극에 접속함과 동시에 펄스전압인가수단의 각 측면부단자를 각각 주연전극에 접속하고, 중심전극과 각 주연전극과에 인가되는 교류전압에 기초해서 중심전극과 주연전극과의 사이에 코로나방전을 교대로 발생시키도록 구성한 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치
- 제6항에 있어서,중앙전극을 당목형상으로 형성하고, 대향하는 방향으로 연장돌출된 팔의 선단부에 대향하는 상태로 주연전극이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
- 제6항 또는 제7항에 있어서,상기한 펄스전압인가수단이 구형파펄스전압 발생전원인 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
- 제6항 또는 제7항에 있어서,상기한 펄스전압인가수단이 교류전원과 그 교류전압을 전파정류한 복수의 맥류파로 구성되는 펄스전압을 발생시키는 정류회로로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
- 제6항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 있어서,대향해서 배치되어 있는 방전전극의 첨단부 가까이에 상기한 플라스마 중의 하전입자가 존재하고 있는 곳에 자장을 형성해서 그 자장 중을 운동하는 하전입자에 대해서 플라스마를 포함하는 여기종을 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키는 압출력을 작용시키는 것이 가능한 자장형성수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
- 제10항에 있어서,상기한 자장형성수단이 영구자석과 이 영구자석의 N,S 양극에 접속되어서 한 쌍의 방전전극의 첨단부 가까이까지 연장설치된 한 쌍의 자성체와 이들 자성체의 선단에 연달은 단면간에 갭을 형성하는 한 쌍의 자극편으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
- 제10항에 있어서,상기한 자장형성수단이 직류전원에 접속된 전자석과 이 전자석의 N,S 양극에 접속되어서 한 쌍의 방전전극의 첨단부 가까이까지 연장설치된 한 쌍의 자성체와 이들 자성체의 선단에 연달은 단면간에 갭을 형성하는 한 쌍의 자극편으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마처리장치.
- 제6항 내지 제12항중의 어느 한 항에 있어서,상기한 방전전극간에 반응성가스를 대기압 또는 대기압근방 압력하에서 도입하는 수단이 설치되어있고, 이 수단을 거쳐서 반응성가스를 도입하므로서 플라스마를 포함하는 여기가스류를 피처리물의 표면으로 향해서 조사시키도록 구성되어 있는것을 특징으로하는 플라스마처리장치.
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