EA024976B1 - Барьерный слой для щелочных металлов на основе sioc - Google Patents

Барьерный слой для щелочных металлов на основе sioc Download PDF

Info

Publication number
EA024976B1
EA024976B1 EA201490968A EA201490968A EA024976B1 EA 024976 B1 EA024976 B1 EA 024976B1 EA 201490968 A EA201490968 A EA 201490968A EA 201490968 A EA201490968 A EA 201490968A EA 024976 B1 EA024976 B1 EA 024976B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
layer
stage
silicon oxycarbide
depth
total thickness
Prior art date
Application number
EA201490968A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201490968A1 (ru
Inventor
Клер Тумазе
Мартин Мельхер
Арно Юиньяр
Рафаэль Ланте
Original Assignee
Сэн-Гобэн Гласс Франс
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сэн-Гобэн Гласс Франс filed Critical Сэн-Гобэн Гласс Франс
Publication of EA201490968A1 publication Critical patent/EA201490968A1/ru
Publication of EA024976B1 publication Critical patent/EA024976B1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3441Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising carbon, a carbide or oxycarbide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32Carbides
    • C23C16/325Silicon carbide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • C23C16/402Silicon dioxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/153Deposition methods from the vapour phase by cvd by plasma-enhanced cvd
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/156Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к остеклению, содержащему прозрачную стеклянную подложку, содержащую ионы по меньшей мере одного щелочного металла, и прозрачный слой оксикарбида кремния (SiOC) общей толщиной E с (a) глубокой зоной с высоким содержанием углерода, идущей от глубины Pдо глубины P, где атомное отношение С/Si больше или равно 0,5, и (b) поверхностной зоной с низким содержанием углерода, идущей от глубины Pдо глубины P, где атомное отношение С/Si меньше или равно 0,4, где P<P<P<P, и (P-P)+(P-P)<E, причем расстояние между Pи Pсоставляет от 10 до 70% общей толщины E слоя оксикарбида кремния, и расстояние между Pи Pсоставляет от 10 до 70% общей толщины E слоя оксикарбида кремния.

Description

(57) Изобретение относится к остеклению, содержащему прозрачную стеклянную подложку, содержащую ионы по меньшей мере одного щелочного металла, и прозрачный слой оксикарбида кремния (8ЮхСу) общей толщиной Е с (а) глубокой зоной с высоким содержанием углерода, идущей от глубины Р3 до глубины Р4, где атомное отношение С/δΐ больше или равно 0,5, и (Ъ) поверхностной зоной с низким содержанием углерода, идущей от глубины Ρΐ до глубины Р2, где атомное отношение С/δΐ меньше или равно 0,4, где Ρι<Ρ23<Ρ4, и (Р2-Р1)+(Р4-Рз)<Е, причем расстояние между Ρΐ и Р2 составляет от 10 до 70% общей толщины Е слоя оксикарбида кремния, и расстояние между Р3 и Р4 составляет от 10 до 70% общей толщины Е слоя оксикарбида кремния.

Claims (6)

1. Остекление, содержащее прозрачную стеклянную подложку, содержащую ионы по меньшей мере одного щелочного металла, и прозрачный слой оксикарбида кремния (8ЮхСу) общей толщиной Е, включающее:
(a) глубокую зону с высоким содержанием углерода, идущую от глубины Р3 до глубины Р4, где атомное отношение С/δΐ больше или равно 0,5, и (b) поверхностную зону с низким содержанием углерода, идущую от глубины Ρΐ до глубины Р2, где атомное отношение С/δΐ меньше или равно 0,4, где Р1<Р2<Р3<Р4 и ^2^1)+^4-¾^¾ причем расстояние между Р1 и Р2 составляет от 10 до 70% общей толщины Е слоя оксикарбида кремния и расстояние между Р3 и Р4 составляет от 10 до 70% общей толщины Е слоя оксикарбида кремния, причем между Р2 и Р3 имеется зона, где отношение С/δΐ находится между 0,4 и 0,5, а за Р4 находится зона, где отношение С/δΐ меньше 0,5.
2. Остекление по п.1, отличающееся тем, что общая толщина Е слоя δΐΟ;^ составляет от 10 до 200 нм, предпочтительно от 20 до 100 нм и, в частности, от 40 до 70 нм.
3. Остекление по п.1 или 2, отличающееся тем, что прозрачный слой оксикарбида кремния представляет собой непористый слой с показателем преломления от 1,45 до 1,9.
4. Остекление по любому из пп.1-3, отличающееся тем, что оно имеет величину Ь*, как используют в С1Е Б*А*Ь* колориметрической системы, от -2 до +3, в частности от -1,5 до +2,0.
5. Способ получения остекления по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что включает:
(а) первую стадию химического осаждения из газовой фазы (СУЭ) слоя оксикарбида кремния с высоким содержанием углерода по меньшей мере на часть поверхности подложки из неорганического стекла путем приведения в контакт указанной поверхности с потоком газов, содержащим этилен (С2Н4), силан (δΐΗ4), диоксид углерода (СО2) и азот (N2) при температуре от 600 до 680°С, при этом объемное отношение этилен/силан ^Η/δΐ^) на стадии (а) меньше или равно 3,3, (Ь1) вторую стадию химического осаждения из газовой фазы (СУЭ) слоя оксикарбида кремния с низким содержанием углерода на слой с высоким содержанием углерода, полученный на стадии (а), с потоком газов, содержащим этилен (С2Н4), силан (δΐΗ4), диоксид углерода (СО2) и азот (N2) при температуре от 600 до 680°С, при этом объемное отношение этилен/силан ^2¾^¾) на стадии (Ь1) превышает 3,4, или (Ь2) вторую стадию осаждения слоя кремнезема (δΐθ2) химическим осаждением из газовой фазы (СУЭ), усиленным плазмой химическим осаждением из газовой фазы (РЕСУЭ) или катодным напылением методом магнетрона на слой с высоким содержанием углерода, полученный на стадии (а).
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что дополнительно включает стадию обжига и/или формовки при температуре от 580 до 700°С, предпочтительно от 600 до 680°С.
EA201490968A 2011-11-16 2012-11-14 Барьерный слой для щелочных металлов на основе sioc EA024976B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1160418A FR2982608B1 (fr) 2011-11-16 2011-11-16 Couche barriere aux metaux alcalins a base de sioc
PCT/FR2012/052622 WO2013072623A1 (fr) 2011-11-16 2012-11-14 Couche barriere aux metaux alcalins a base de sioc

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201490968A1 EA201490968A1 (ru) 2014-08-29
EA024976B1 true EA024976B1 (ru) 2016-11-30

Family

ID=47291136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201490968A EA024976B1 (ru) 2011-11-16 2012-11-14 Барьерный слой для щелочных металлов на основе sioc

Country Status (18)

Country Link
US (1) US9012024B2 (ru)
EP (1) EP2780294B1 (ru)
JP (1) JP6050370B2 (ru)
KR (1) KR102000803B1 (ru)
CN (1) CN103974918B (ru)
BR (1) BR112014010220A8 (ru)
CA (1) CA2854052C (ru)
DK (1) DK2780294T3 (ru)
EA (1) EA024976B1 (ru)
ES (1) ES2736923T3 (ru)
FR (1) FR2982608B1 (ru)
HU (1) HUE045009T2 (ru)
IN (1) IN2014MN00825A (ru)
MX (1) MX336859B (ru)
PL (1) PL2780294T3 (ru)
PT (1) PT2780294T (ru)
TR (1) TR201909120T4 (ru)
WO (1) WO2013072623A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106277818A (zh) * 2015-05-11 2017-01-04 杭州合新科技有限公司 一种新型阳光控制镀膜玻璃及其制备工艺
EP3319915B2 (en) * 2015-07-07 2023-05-17 AGC Glass Europe Glass substrate with increased weathering and chemcial resistance
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
CN105669044B (zh) * 2015-12-31 2018-05-29 株洲醴陵旗滨玻璃有限公司 一种在线易洁镀膜玻璃及其制备方法
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
JP7249952B2 (ja) 2017-05-05 2023-03-31 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 酸素含有薄膜の制御された形成のためのプラズマ増強堆積プロセス
TWI761636B (zh) 2017-12-04 2022-04-21 荷蘭商Asm Ip控股公司 電漿增強型原子層沉積製程及沉積碳氧化矽薄膜的方法
DE102018207101B4 (de) * 2018-05-08 2024-06-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Bodens einer Analysezelle zum Analysieren eines biochemischen Materials und Analysezelle
KR102655348B1 (ko) * 2019-03-19 2024-04-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 소수성 및 아이스포빅 코팅
JP7020458B2 (ja) * 2019-07-12 2022-02-16 Agc株式会社 膜付きガラス基板及びその製造方法
JPWO2022050066A1 (ru) * 2020-09-04 2022-03-10
WO2022114027A1 (ja) * 2020-11-30 2022-06-02 Agc株式会社 膜付きガラス基板及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0518755A1 (fr) * 1991-06-14 1992-12-16 Saint-Gobain Vitrage International Technique de formation par pyrolyse en voie gazeuse d'un revêtement essentiellement à base d'oxygène et de silicium
US20030162033A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Afg Industries, Inc. Method of making self-cleaning substrates
WO2011101572A1 (fr) * 2010-02-22 2011-08-25 Saint-Gobain Glass France Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5958065A (ja) * 1982-09-29 1984-04-03 Toray Ind Inc 防曇性被膜
GB8630918D0 (en) 1986-12-24 1987-02-04 Pilkington Brothers Plc Coatings on glass
US5723172A (en) * 1994-03-11 1998-03-03 Dan Sherman Method for forming a protective coating on glass
FR2728559B1 (fr) * 1994-12-23 1997-01-31 Saint Gobain Vitrage Substrats en verre revetus d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire
FR2736632B1 (fr) 1995-07-12 1997-10-24 Saint Gobain Vitrage Vitrage muni d'une couche conductrice et/ou bas-emissive
FR2738813B1 (fr) * 1995-09-15 1997-10-17 Saint Gobain Vitrage Substrat a revetement photo-catalytique
FR2759362B1 (fr) * 1997-02-10 1999-03-12 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention
US7096692B2 (en) * 1997-03-14 2006-08-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Visible-light-responsive photoactive coating, coated article, and method of making same
WO1998055414A1 (fr) * 1997-06-03 1998-12-10 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article en verre a reflectance faible et son procede de preparation
GB2355273A (en) 1999-10-12 2001-04-18 Pilkington Plc Coating glass
FR2800731B1 (fr) 1999-11-05 2002-01-18 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'une couche en derive de silicium
JP2003221257A (ja) * 2002-01-31 2003-08-05 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明薄膜の成形方法およびそれを備える透明基体
GB2403731A (en) * 2003-07-11 2005-01-12 Pilkington Plc Solar control glazing
WO2005007592A2 (en) * 2003-07-11 2005-01-27 Pilkington Plc Solar control glazing
EP2091053B1 (en) 2003-11-18 2011-08-10 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Transparent substrate with transparent conductive film
FR2864844B1 (fr) 2004-01-07 2015-01-16 Saint Gobain Dispositif d'eclairage autonettoyant
US7482060B2 (en) * 2004-07-14 2009-01-27 Agc Flat Glass North America, Inc. Silicon oxycarbide coatings having durable hydrophilic properties
EA025167B1 (ru) * 2009-03-18 2016-11-30 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Тонкопленочное покрытие и способ его изготовления

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0518755A1 (fr) * 1991-06-14 1992-12-16 Saint-Gobain Vitrage International Technique de formation par pyrolyse en voie gazeuse d'un revêtement essentiellement à base d'oxygène et de silicium
US20030162033A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Afg Industries, Inc. Method of making self-cleaning substrates
WO2011101572A1 (fr) * 2010-02-22 2011-08-25 Saint-Gobain Glass France Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RYAN JOSEPH; PANTANO C.: "Synthesis and characterization of inorganic silicon oxycarbide glass thin films by reactive rf-magnetron sputtering", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART A., AVS /AIP, MELVILLE, NY., US, vol. 25, no. 1, 10.1116/, 3 January 2007 (2007-01-03), MELVILLE, NY., US, pages 153 - 159, XP012102547, ISSN: 0734-2101, DOI: 10.1116/1.2404688 *

Also Published As

Publication number Publication date
EA201490968A1 (ru) 2014-08-29
FR2982608A1 (fr) 2013-05-17
TR201909120T4 (tr) 2019-07-22
US20140349107A1 (en) 2014-11-27
JP6050370B2 (ja) 2016-12-21
ES2736923T3 (es) 2020-01-09
FR2982608B1 (fr) 2013-11-22
PT2780294T (pt) 2019-07-10
EP2780294A1 (fr) 2014-09-24
US9012024B2 (en) 2015-04-21
WO2013072623A1 (fr) 2013-05-23
BR112014010220A8 (pt) 2017-06-20
PL2780294T3 (pl) 2019-09-30
DK2780294T3 (da) 2019-07-08
HUE045009T2 (hu) 2019-12-30
CA2854052C (fr) 2020-01-07
BR112014010220A2 (pt) 2017-06-13
EP2780294B1 (fr) 2019-03-27
CA2854052A1 (fr) 2013-05-23
JP2015506890A (ja) 2015-03-05
IN2014MN00825A (ru) 2015-04-17
MX336859B (es) 2016-02-04
CN103974918A (zh) 2014-08-06
CN103974918B (zh) 2016-12-14
KR20140093235A (ko) 2014-07-25
MX2014005735A (es) 2014-07-09
KR102000803B1 (ko) 2019-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA024976B1 (ru) Барьерный слой для щелочных металлов на основе sioc
MX2011007156A (es) Sustrato hidrofobo comprendiendo una capa de cebador del tipo oxicarburo de silicio activado por plasma.
MX2014005761A (es) Encristalado hidrofobico.
WO2008073926A3 (en) Formation of epitaxial layers containing silicon
WO2012002995A3 (en) Thin films and methods of making them using cyclohexasilane
TW200629428A (en) Method for producing gate stack sidewall spacers
WO2006078719A3 (en) Interface engineering to improve adhesion between low k stacks
WO2014116304A3 (en) Method and hardware for cleaning uv chambers
WO2007027350A3 (en) Method of removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapour deposition (cvd) chamber
TW200703469A (en) Method to increase the compressive stress of PECVD silicon nitride films
WO2011084532A3 (en) Dielectric film formation using inert gas excitation
WO2008031742A3 (en) Component of quartz glass for use in semiconductor manufacture and method for producing the same
SG143125A1 (en) Chromium-free etching solution for si-substrates and sige-substrates, method for revealing defects using the etching solution and process for treating si-substrates and sige-substrates using the etching solution
EP1998369A3 (en) Semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device
WO2004097063A3 (en) Method for producing silicon oxide film and method for producing optical multilayer film
GB201207448D0 (en) Method of depositing silicon dioxide films
JP2006519496A (ja) 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。
WO2005090638A8 (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
EP3822396A3 (en) Diamond substrate and method for manufacturing the same
US20100260994A1 (en) substrate coated with amorphous hydrogenated carbon
WO2008107113A9 (de) Beschichtungszusammensetzung
ATE427367T1 (de) Verfahren zur herstellung einer dunnen schicht von stabilisiertem fluorhaltigen silika, so beschichtetes substrat und so erhaltene ophthalmische linse
TW202012419A (zh) 矽化合物及使用其沉積膜的方法
JP2009094490A5 (ru)
ATE555505T1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrats

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): RU