CN103974918A - 基于碳SiOC的碱金属阻挡层 - Google Patents

基于碳SiOC的碱金属阻挡层 Download PDF

Info

Publication number
CN103974918A
CN103974918A CN201280056372.5A CN201280056372A CN103974918A CN 103974918 A CN103974918 A CN 103974918A CN 201280056372 A CN201280056372 A CN 201280056372A CN 103974918 A CN103974918 A CN 103974918A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
carbon
depth
oxidation
total thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280056372.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103974918B (zh
Inventor
C·图马泽
M·梅尔赫
A·于尼亚尔
R·兰特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Glass France SAS
Compagnie de Saint Gobain SA
Original Assignee
Saint Gobain Glass France SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Glass France SAS filed Critical Saint Gobain Glass France SAS
Publication of CN103974918A publication Critical patent/CN103974918A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103974918B publication Critical patent/CN103974918B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3441—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising carbon, a carbide or oxycarbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/153—Deposition methods from the vapour phase by cvd by plasma-enhanced cvd
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Abstract

本发明涉及一种包括透明玻璃基材和透明碳氧化硅(SiOxCy)层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明碳氧化硅(SiOxCy)层具有总厚度E并且具有：(a)从深度P3延伸到深度P4的富碳的深区域，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及(b)从深度P1延伸到深度P2的贫碳的浅表区域，其中C/Si原子比小于或等于0.4，其中P1＜P2＜P3＜P4，和(P2-P1)+(P4-P3)＜E，在P1和P2之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，在P3和P4之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％。

Description

基于碳SiOC的碱金属阻挡层
本发明涉及一种对碱金属离子(ions alcalins)的扩散形成阻挡的薄的、基于碳氧化硅的透明层。本发明还涉及—种在无机玻璃基材上制备这种层的方法。
已知碱金属离子特别是钠离子从玻璃基材(硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃)向薄功能层如TiO2基光催化层、透明导电氧化物(TCO)层或疏水性有机层的扩散并在其中的扩散损害这些功能层固有的有利性质。
也已知，在富含碱金属离子的无机玻璃基材与要保护的所述功能层之间插入无机氧化物薄层作为抗碱金属离子扩散的阻挡层。作为这种氧化物的实例，可以提到氧化硅、氧化铝、氧化锆、锌/锡氧化物、氧化钛和碳氧化硅(SiOC)。例如，在申请EP1708812、EP1686595和US2003/612033中提及了碳氧化硅层对于碱金属离子的阻挡性质。
据申请人所知，目前不存在关于SiOC层的碳含量对碱金属离子的阻挡或捕获能力的影响的研究。在其目的在于优化碳氧化硅下层(为了它们随后用疏水剂的功能化)的研究范围中，而本申请人观察到，最富含碳的碳氧化硅层具有最好的对碱金属离子的阻挡性质，同时也是优异的用于疏水功能试剂的粘结层。
然而，薄碳氧化硅层的碳含量的增加体现为窗玻璃中不希望的黄色着色外观。从审美观点来看，这样的着色是令人不舒服的，特别在对于汽车窗玻璃和住宅用窗玻璃的领域中。其在光伏电池领域是更难以接受的，其中由于过滤掉可见光中的蓝光和绿光成分，显著降低了能源效率。
本发明是基于这样的发现，即通过直接在富碳的碳氧化钠薄层上沉积基本不含碳的氧化硅(SiO2)薄层或沉积比下邻层明显更贫碳的碳氧化钠层，可以显著降低富碳的碳氧化钠薄层的黄色色调。
因此，本发明涉及含有碱金属离子的玻璃基材，其被提供有富碳的、碳氧化硅的第一透明薄层以及直接沉积在所述第一层上的第二透明薄层，与第一层相比，第二透明薄层显著更少富含碳的或甚至基本上不含碳。
然而，在最终产物中，通常不可能确定富碳的SiOC层和贫碳或无碳的层之间的边界，在本申请中这两层分别被定义为具有富碳的深区域(对应于上述第一层)和贫碳或不含碳的浅表区域(对应于上述的第2层)的单层。
因此，本发明的一个主题是包括透明玻璃基材和碳氧化硅(SiOxCy)透明层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明层具有总厚度E并且具有
-富碳的深区域，其从深度P3延伸到深度P4，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及
-贫碳的浅表区域，其从深度P1延伸到深度P2，其中C/Si原子比小于或等于0.4，以及
P1＜P2＜P3＜P4，(P2-P1)+(P4-P3)＜E，在P1和P2之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，优选15％-50％，特别是25％-40％时，(0.1≤(P2-P1)/E≤0.7)，和在P3和P4之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，优选25％-60％，特别是35％-50％，(0.1≤(P4-P3)/E≤0.7)。
当然，在P1和P2之间距离与在P3和P4之间距离的总和总是小于所述碳氧化硅层的总厚度E，因为在P2和P3之间存在其中C/Si比介于0.4-0.5的区域，并且，在超过P4也存在其中C/Si比小于0.5的区域。另外，由于存在来源于大气中的CO2或存在吸附在表面上的有机污染物，位于小于P1的深度处的最浅表的区域通常具有非常高的C/Si比。
本发明窗玻璃的碳氧化硅层是非多孔的致密层，具有1.45-1.9的折射指数。
它的总厚度E优选为10-200纳米，更优选20-100纳米，特别为40-70纳米。
允许测定碳氧化硅层的总厚度值的绝对方法是X-射线反射谱和透射电子显微镜(MET)。
在所述附图中，用箭头系统地指示SiOxCy层的这种总厚度。在这些附图中，特别是为了测定(P2-P1)/E和(P4-P3)/E比率时，它不是通过上述的绝对方法进行测定，而是通过二次离子质谱(SIMS)进行测定，这使得能够获得作为分析时间的函数，因此作为所分析的样品的深度的函数的氧化硅(SiO2)含量的变化。
在本发明中，将在所述基材和所述碳氧化硅层之间的界面定义为其中氧化硅浓度刚好为在玻璃基材的氧化硅浓度和在界面附近局部最小氧化硅浓度之间的中间值时的深度。这种对应于该层的总厚度E的深度的测定在图2中进行图示，图2显示出图1样品的氧化硅(SiO2)含量的变化。无机玻璃基材中的氧化硅含量等于SiO2S，对应于界面附近的局部最小值的氧化硅含量为SiO2M。在玻璃基材和通过CVD沉积的层之间的界面被定义为位于其中氧化硅含量(SiO2中间值)为SiO2S和SiO2M之间的等距时的深度。在图1中已经记录了这种对应于SiO2中 间值的深度E。
也通过SIMS测定所述碳氧化硅层中的碳含量。所述碳含量在本申请中借助于碳原子数相对于硅原子数的比率(C/Si原子比)来表示。
通过示例性的方式，图1显示了作为根据本发明样品(在SIMS分析期间)磨损时间的函数的C/Si比率。如已知的，磨损时间(x轴表示)正比于所分析的深度，比例因子取决于实验条件和样品的类型和性质。在该图上观察到C/Si比在表面处非常高，这是由于可能的含碳污染物和/或从大气中吸附的CO2。在较浅的层中，在P1和P2之间，C/Si比相对低(约0.2)，然后随着深度增大以在深度P2处超过值0.4，然后自深度P3开始超过值0.5。保持高于该值直至深度P4，然后在到达玻璃基材中时趋于零。
如在引言中已经解释的，本发明是基于这样的发现，即通过沉积二氧化硅薄层或贫碳的碳氧化硅薄层可以减少或者甚至消除富碳的碳氧化硅薄层中的黄色色调。
在本申请中，通过已知方式，该黄色色调采用CIE L*A*b*色度体系(下称CIELab体系)通过在沉积所述层之后对所述窗玻璃上进行的测量进行定量。CIELab体系定义了球体形式的比色空间，其中轴L*表征亮度，轴a*表征红色/绿色和轴b*表征蓝色/黄色。大于0的a*值对应于具有红色成分的色调，负a*值对应于具有绿色成分的色调，正b*值对应于具有黄色成分的色调，负b*值对应具有蓝色成分的色调。
通常，寻求获得具有低的，即接近零的a*和b*值的灰色色调或无色的层。
本发明的窗玻璃优选具有-2至+3，特别是-1.5至+2.0的b*值(CIELab，光源D65)，和为-2至+2，特别是-1.5至+1.5的a*值(CIELab，光源D65)。这些值适用于具有在由Saint-Gobain Glass France公司以商标名SGG销售的无色透亮浮法玻璃透明基材上沉积的层的窗玻璃。
本发明的另一个主题是制备上述窗玻璃的方法。
所述方法主要包括以下两个连续步骤：
(a)在600℃-680℃的温度下，在无机玻璃基材的至少一部分表面上化学气相沉积(CVD)富碳的碳氧化硅层的第一步骤，通过使所述表面与含有乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)，二氧化碳(CO2)和氮气(N2)的气体流接触来实现，在步骤(a)中乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比小于或等于3.3，
(b1)在600℃-680℃的温度下，使用含有乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)，二氧化碳(CO2)和氮气(N2)的气体流，在步骤(a)中获得的富碳层上化学气相沉积(CVD)贫碳的碳氧化硅层的第二步骤，在步骤(b1)中的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比大于3.4，或
(b2)在步骤(a)中获得的富碳层上，通过CVD，PECVD或磁控管阴极溅射沉积二氧化硅(SiO2)层的第二步骤。
优选在炉内部的在锡浴上的浮法玻璃上实施第一步骤(步骤(a))，或从炉离开后立即实施第一步骤(步骤(a))。一个特别有利的实施方案在于在炉中通过CVD进行沉积，在那里相对比较容易产生封闭(confinée)的气氛，这种气氛对于获得对反应混合物与沉积层的化学组成令人满意的控制是必不可少的。
上述沉积温度是喷嘴(通过其引入气体反应剂)的紧邻附近(少于20cm距离)处测得的锡浴温度。
当通过CVD沉积两个层(步骤(a)和(b1))时，在通常2-5m的距离处彼此平行设置两个喷嘴，沿玻璃带行进方向的上游的喷嘴形成最深层/区域，下游的喷嘴形成最浅层/区域。
每个喷嘴优选覆盖玻璃带的整个宽度。
值得注意的是，尽管所述方法包括两个形成碳氧化硅层的步骤，这些“层”并不可能在最终产物中彼此区分，在最终产物中它们对应于碳氧化硅单层的富碳和贫碳区域。
通过CVD沉积碳氧化硅薄层是已知的，本领域技术人员知道如何根据玻璃行进速度、炉温度、希望得到的各层厚度来调整反应气体的流速。在本发明中，优选调整步骤(a)和任选步骤(b1)的实验条件，使得在步骤(b1)后沉积的SiOxCy层的厚度为10-200nm，特别是20-100m，特别优选40-70nm。当通过不同于CVD的方法在富碳SiOxCy区域下方沉积二氧化硅层时，这些总厚度范围也是优选的。
在步骤(a)中乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比优选为1-3.3，特别是1.5-3.3。氧化性气体(CO2)相对于硅烷(SiH4)的比例通常为1-50，优选1.5-10，特别是2-6。
对于贫碳的碳氧化硅层的沉积(步骤(b1))，乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比优选为3.5-6，尤其是3.7-5.5。
通常通过使用四乙氧基硅烷作为前体进行氧化硅层的CVD(步骤(b2))。
制备本发明的窗玻璃的方法，在步骤(b1)或(b2)之后，优选还包括使载带所述碳氧化硅层的基材退火和/或成型的第三步骤(步骤(c))。在此步骤(c)中，使所述基材升至580℃-700℃，优选在600℃-680℃的温度。
实施例
使用两个平行的、每个具有3.3m宽度的CVD喷嘴(分别在648℃和638℃的温度(在喷嘴紧邻附近的锡浴温度))在由透亮浮法玻璃基材上通过CVD(C2H2、SiH4、CO2、N2)制备根据本发明的窗玻璃；玻璃带的宽度为3.6m，其厚度为2.5mm，其行进速度为15m/min。该两个喷嘴位于玻璃制造炉内，相互间隔3m距离。
第一上游喷嘴提供如下反应气体混合物：
SiH4：14nL/min，CO2：30nL/min，C2H4：39nL/min(在N2稀释剂中)(C2H4/SiH4体积比＝2.79)。
位于第一喷嘴下游的第二喷嘴，提供如下反应气体混合物：
SiH4：14nL/min，CO2：30nL/min，C2H4：52nL/min(在N2稀释剂中)(C2H4/SiH4体积比＝3.71)。
在相同的实验条件下制备比较窗玻璃。该比较例与本发明实施例不同之处仅在于第二喷嘴提供气体混合物与第一喷嘴提供的气体混合物相同，即下列混合物：
SiH4：14nL/min，CO2：30nL/min，C2H4：39nL/min(在N2稀释剂中)(C2H4/SiH4体积比＝2.79)。
所有窗玻璃在640℃温度下进行8分钟的退火步骤。
图1示出了根据本发明的窗玻璃的SIMS谱，其中(P2-P1)/E比等于约29％和(P4-P3)/E比等于约46％。
图3示出了比较例的SIMS谱。该样品的碳氧化硅层在浅表区域和较深区域中均具有高的碳含量(C/Si＞0.4)。无法测定P1、P2和P3的值。
表1给出实施例和比较例中获得的窗玻璃的参数a*和b*(的CIELab)的值。
可以观察到，缺少无碳或贫碳的浅表层的比较例样品具有非常明显的黄色色调(b*＝3.52)。对于根据本发明的实施例，由于存在根据本发明的贫碳层，该值显著降低(b*＝1.39)。
表1
根据本发明的实施例 比较例
光透射 82.08％ 78.57％
a* -0.95 -1.09
b* 1.39 3.52
通过MET测得的总厚度 60.8nm 54nm

Claims (6)

1.包括透明玻璃基材和透明碳氧化硅(SiOxCy)层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明碳氧化硅(SiOxCy)层具有总厚度E并且具有
(a)富碳的深区域，其从深度P3延伸到深度P4，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及
(b)贫碳的浅表区域，其从深度P1延伸到深度P2，其中C/Si原子比小于或等于0.4，以及
P1＜P2＜P3＜P4，和(P2-P1)+(P4-P3)＜E，在P1和P2之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，和在P3和P4之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％。
2.如权利要求1所述的窗玻璃，其特征在于，所述SiOxC层的总厚度E为10-200nm，优选20-100nm，特别是40-70nm。
3.如权利要求1或2所述的窗玻璃，其特征在于，所述透明的碳氧化硅层是具有1.45-1.9的折射指数的非多几层。
4.如前述权利要求任何一项中所述的窗玻璃，其特征在于它具有-2至+3，尤其-1.5至+2.0的b*值(CIELab)。
5.一种用于制造如前述权利要求任何一项中所述窗玻璃的方法，其特征在于，包括：
(a)在无机玻璃基材至少一部分表面上化学气相沉积(CVD)富碳的碳氧化硅层的第一步骤，在600℃-680℃的温度下，通过使所述表面与含有乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)，二氧化碳(CO2)和氮气(N2)的气体流接触来进行，在步骤(a)期间乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比小于或等于3.3，
(b1)在600℃-680℃的温度下，使用含有乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)，二氧化碳(CO2)和氮气(N2)的气体流，在步骤(a)中获得的富碳层上化学气相沉积(CVD)贫碳的碳氧化硅层的第二步骤，在步骤(b1)期间的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比大于3.4，或
(b2)在步骤(a)中获得的富碳层上，通过CVD、等离子增强CVD(PECVD)或磁控阴极溅射沉积二氧化硅(SiO2)层的第二步骤。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在580℃-700℃，优选600℃-680℃温度的退火和/或成型步骤。
CN201280056372.5A 2011-11-16 2012-11-14 基于碳SiOC的碱金属阻挡层 Expired - Fee Related CN103974918B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1160418 2011-11-16
FR1160418A FR2982608B1 (fr) 2011-11-16 2011-11-16 Couche barriere aux metaux alcalins a base de sioc
PCT/FR2012/052622 WO2013072623A1 (fr) 2011-11-16 2012-11-14 Couche barriere aux metaux alcalins a base de sioc

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103974918A true CN103974918A (zh) 2014-08-06
CN103974918B CN103974918B (zh) 2016-12-14

Family

ID=47291136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280056372.5A Expired - Fee Related CN103974918B (zh) 2011-11-16 2012-11-14 基于碳SiOC的碱金属阻挡层

Country Status (18)

Country Link
US (1) US9012024B2 (zh)
EP (1) EP2780294B1 (zh)
JP (1) JP6050370B2 (zh)
KR (1) KR102000803B1 (zh)
CN (1) CN103974918B (zh)
BR (1) BR112014010220A8 (zh)
CA (1) CA2854052C (zh)
DK (1) DK2780294T3 (zh)
EA (1) EA024976B1 (zh)
ES (1) ES2736923T3 (zh)
FR (1) FR2982608B1 (zh)
HU (1) HUE045009T2 (zh)
IN (1) IN2014MN00825A (zh)
MX (1) MX336859B (zh)
PL (1) PL2780294T3 (zh)
PT (1) PT2780294T (zh)
TR (1) TR201909120T4 (zh)
WO (1) WO2013072623A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105669044A (zh) * 2015-12-31 2016-06-15 株洲醴陵旗滨玻璃有限公司 一种在线易洁镀膜玻璃及其制备方法
CN112041262A (zh) * 2018-05-08 2020-12-04 罗伯特·博世有限公司 制造用于分析生化材料的分析单元的底部的方法和分析单元
CN112209627A (zh) * 2019-07-12 2021-01-12 Ａｇｃ株式会社 带有膜的玻璃基板及其制造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106277818A (zh) * 2015-05-11 2017-01-04 杭州合新科技有限公司 一种新型阳光控制镀膜玻璃及其制备工艺
PL3319915T3 (pl) * 2015-07-07 2020-06-15 Agc Glass Europe Szklane podłoże o podwyższonej odporności na warunki atmosferyczne i środki chemiczne
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
KR102378021B1 (ko) * 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
CN110546302B (zh) 2017-05-05 2022-05-27 Asm Ip 控股有限公司 用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法
US10991573B2 (en) 2017-12-04 2021-04-27 Asm Ip Holding B.V. Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces
JP7332709B2 (ja) * 2019-03-19 2023-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 疎水性及び疎氷性コーティング
JPWO2022114027A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0953550A1 (en) * 1997-06-03 1999-11-03 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Low-reflectance glass article and process for preparating the same
CN1823021A (zh) * 2003-07-11 2006-08-23 皮尔金顿公共有限公司 阳光控制窗玻璃
US20110217535A1 (en) * 2003-07-11 2011-09-08 Pilkington Group Limited Solar control glazing

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5958065A (ja) * 1982-09-29 1984-04-03 Toray Ind Inc 防曇性被膜
GB8630918D0 (en) 1986-12-24 1987-02-04 Pilkington Brothers Plc Coatings on glass
FR2677639B1 (fr) * 1991-06-14 1994-02-25 Saint Gobain Vitrage Internal Technique de formation par pyrolyse en voie gazeuse d'un revetement essentiellement a base d'oxygene et de silicium.
US5723172A (en) * 1994-03-11 1998-03-03 Dan Sherman Method for forming a protective coating on glass
FR2728559B1 (fr) * 1994-12-23 1997-01-31 Saint Gobain Vitrage Substrats en verre revetus d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire
FR2736632B1 (fr) 1995-07-12 1997-10-24 Saint Gobain Vitrage Vitrage muni d'une couche conductrice et/ou bas-emissive
FR2738813B1 (fr) * 1995-09-15 1997-10-17 Saint Gobain Vitrage Substrat a revetement photo-catalytique
FR2759362B1 (fr) * 1997-02-10 1999-03-12 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention
US7096692B2 (en) * 1997-03-14 2006-08-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Visible-light-responsive photoactive coating, coated article, and method of making same
GB2355273A (en) 1999-10-12 2001-04-18 Pilkington Plc Coating glass
FR2800731B1 (fr) 1999-11-05 2002-01-18 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'une couche en derive de silicium
JP2003221257A (ja) * 2002-01-31 2003-08-05 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明薄膜の成形方法およびそれを備える透明基体
US6679978B2 (en) * 2002-02-22 2004-01-20 Afg Industries, Inc. Method of making self-cleaning substrates
EP1686595B1 (en) 2003-11-18 2009-12-09 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for producing a transparent base with transparent conductive film,
FR2864844B1 (fr) 2004-01-07 2015-01-16 Saint Gobain Dispositif d'eclairage autonettoyant
US7482060B2 (en) * 2004-07-14 2009-01-27 Agc Flat Glass North America, Inc. Silicon oxycarbide coatings having durable hydrophilic properties
BRPI1009124A2 (pt) * 2009-03-18 2017-11-07 Agc Flat Glass Na Inc revestimento de película delgada e metódo de fabricação do mesmo
FR2956659B1 (fr) * 2010-02-22 2014-10-10 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0953550A1 (en) * 1997-06-03 1999-11-03 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Low-reflectance glass article and process for preparating the same
CN1823021A (zh) * 2003-07-11 2006-08-23 皮尔金顿公共有限公司 阳光控制窗玻璃
US20110217535A1 (en) * 2003-07-11 2011-09-08 Pilkington Group Limited Solar control glazing

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105669044A (zh) * 2015-12-31 2016-06-15 株洲醴陵旗滨玻璃有限公司 一种在线易洁镀膜玻璃及其制备方法
CN105669044B (zh) * 2015-12-31 2018-05-29 株洲醴陵旗滨玻璃有限公司 一种在线易洁镀膜玻璃及其制备方法
CN112041262A (zh) * 2018-05-08 2020-12-04 罗伯特·博世有限公司 制造用于分析生化材料的分析单元的底部的方法和分析单元
CN112209627A (zh) * 2019-07-12 2021-01-12 Ａｇｃ株式会社 带有膜的玻璃基板及其制造方法
CN115093128A (zh) * 2019-07-12 2022-09-23 Ａｇｃ株式会社 带有膜的玻璃基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
BR112014010220A2 (pt) 2017-06-13
CA2854052C (fr) 2020-01-07
PL2780294T3 (pl) 2019-09-30
WO2013072623A1 (fr) 2013-05-23
MX2014005735A (es) 2014-07-09
HUE045009T2 (hu) 2019-12-30
IN2014MN00825A (zh) 2015-04-17
CA2854052A1 (fr) 2013-05-23
EA024976B1 (ru) 2016-11-30
TR201909120T4 (tr) 2019-07-22
ES2736923T3 (es) 2020-01-09
KR102000803B1 (ko) 2019-07-16
BR112014010220A8 (pt) 2017-06-20
MX336859B (es) 2016-02-04
KR20140093235A (ko) 2014-07-25
FR2982608B1 (fr) 2013-11-22
EA201490968A1 (ru) 2014-08-29
US9012024B2 (en) 2015-04-21
US20140349107A1 (en) 2014-11-27
JP2015506890A (ja) 2015-03-05
EP2780294A1 (fr) 2014-09-24
DK2780294T3 (da) 2019-07-08
PT2780294T (pt) 2019-07-10
FR2982608A1 (fr) 2013-05-17
EP2780294B1 (fr) 2019-03-27
CN103974918B (zh) 2016-12-14
JP6050370B2 (ja) 2016-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103974918A (zh) 基于碳SiOC的碱金属阻挡层
US6174599B1 (en) Glazing panel provided with a conductive and/or low emissivity film
AU608255B2 (en) Glass coating method and resulting article
AU2012311282B2 (en) Process for forming a silica coating on a glass substrate
US5217753A (en) Coated glass articles
US9212090B2 (en) Photocatalytic material
US20140120341A1 (en) Process for manufacturing glazing comprising a porous layer
AU622532B2 (en) Coated glass articles
IN2014MN00824A (zh)
US5087525A (en) Coated glass articles
US20140338749A1 (en) Photocatalytic material and glazing or photovoltaic cell comprising said material
JP2000109342A (ja) ガラス基材上に金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法及びそれによってコ―ティングされたガラス基材
EP1484293A1 (en) Method for forming transparent thin film, transparent thin film formed by the method and transparent substrate with transparent thin film
CN111032591B (zh) 涂覆的玻璃制品、其制造方法，以及用其制成的光伏电池
JP7224347B2 (ja) 反射コーティングされたガラス物品の製造方法
WO2023247950A1 (en) Coated glass articles
JP2003508326A (ja) リンスズ酸塩またはホウスズ酸塩熱分解層、及びこの層を含む窓ガラス

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161214

Termination date: 20201114