EA022242B1 - Способ получения подложки - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к способу получения подложки, покрытой по меньшей мере на одной поверхности низкоэмиссионным пакетом тонких пленок, включающему в себя следующие стадии: осаждают на упомянутую по меньшей мере одну поверхность упомянутой подложки пакет тонких пленок, содержащий по меньшей мере одну тонкую пленку серебра между по меньшей мере двумя тонкими диэлектрическими пленками; термически обрабатывают эту по меньшей мере одну покрытую поверхность по меньшей мере одним лазерным излучением, излучаемым по меньшей мере с одной длиной волны между 500 и 2000 нм, так что излучательная способность и/или удельное поверхностное сопротивление пакета снижается по меньшей мере на 5%, причем упомянутый способ является таким, что до обработки упомянутый пакет содержит по меньшей мере одну тонкую пленку, по меньшей мере, частично поглощающую лазерное излучение, так что поглощение упомянутого пакета по меньшей мере на одной длине волны лазерного излучения является таким, что поглощение покрытой упомянутым пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 мм на упомянутой по меньшей мере одной длине волны лазерного излучения больше или равно 10%.

Description

Изобретение относится к области тонких неорганических пленок, в частности, осажденных на подложки.

Многие тонкие пленки осаждают на подложки, в частности, из стекла, плоские или немного выпуклые для придания полученным материалам особых свойств: оптических свойств, например отражения или поглощения излучения из области определенных длин волн, особых свойств электропроводности или же свойств, связанных с облегчением очистки или со способностью материала к самоочистке.

Эти тонкие пленки чаще всего имеют в своей основе неорганические соединения: оксиды, нитриды или даже металлы. Их толщина изменяется обычно от нескольких нанометров до нескольких сотен нанометров, поэтому их называют тонкими.

Среди представляющих наибольший интерес фигурируют тонкие пленки на основе металлического серебра, которые обладают свойствами электропроводности и отражения инфракрасного излучения, поэтому их используют в остеклении, регулирующем солнечное освещение, в частности солнцезащитном (служащем для уменьшения количества входящей солнечной энергии) и/или низкоэмиссионном (служащем для уменьшения количества энергии, рассеиваемой наружу из здания или транспортного средства).

В частности, для того чтобы избежать окисления серебра и смягчить его отражающие свойства в видимой области, в пакет пленок обычно вводят упомянутую или каждую пленку серебра. В случае регулирующего солнечное освещение или низкоэмиссионного остекления эта или каждая тонкая пленка на основе серебра расположена обычно между двумя тонкими диэлектрическими пленками на основе оксида или нитрида (например, δηΟ₂ или δί₃Ν₄). Под пленкой серебра могут также находиться очень тонкая пленка, предназначенная для способствования смачиванию и зародышеобразованию серебра (например, из оксида цинка ΖηΟ), а на пленке серебра - вторая очень тонкая пленка (расходуемая, например, из титана), предназначенная для защиты пленки серебра в случае, если осаждение последующей пленки осуществляют в окисляющей атмосфере, или в случае термических обработок, ведущих к миграции кислорода внутрь пакета. Эти пленки называют соответственно смачивающей пленкой и блокирующей пленкой. Пакеты также могут содержать несколько пленок серебра.

Пленки серебра обладают особенностью улучшать некоторые свои свойства, если они находятся по меньшей мере в частично кристаллизованном состоянии. Обычно стремятся максимально увеличивать степень кристаллизации этих пленок (массовую или объемную долю кристаллизованного вещества) и размер кристаллических зерен (или размер когерентных областей дифракции, измеренных методами дифракции рентгеновских лучей).

В частности, известно, что пленки серебра, обладающие повышенной степенью кристаллизации и, следовательно, низким остаточным содержанием аморфного серебра, обладают более низкой излучательной (эмиссионной) способностью и более низким удельным сопротивлением, а также более высоким пропусканием в видимой области, чем преимущественно аморфные пленки серебра. Таким образом, электропроводность и низкоэмиссионные свойства этих пленок являются улучшенными. Увеличение размера зерен фактически сопровождается уменьшением границ зерен, благоприятствующим подвижности носителей электрического заряда.

Метод, обычно применяемый в промышленном масштабе для осаждения тонких пленок, в частности, на стеклянную подложку, представляет собой метод катодного распыления в магнитном поле, называемый магнетронным методом. В этом методе создают плазму в глубоком вакууме около мишени, содержащей подлежащие осаждению химические элементы. Активные вещества плазмы, бомбардируя мишень, вырывают указанные элементы, которые осаждаются на подложку, образуя желаемую тонкую пленку. Этот способ называют реактивным, если пленка состоит из материала, полученного в результате химической реакции между элементами, вырванными из мишени, и газом, содержащимся в плазме. Главное преимущество этого способа заключается в возможности наносить на одной и той же линии очень сложный пакет пленок, последовательно перемещая подложку под разными мишенями, обычно в одном и том же устройстве.

При промышленном осуществлении магнетронного метода подложка остается при комнатной температуре или подвергается умеренному повышению температуры (менее 80°С), особенно если скорость прохождения подложки высока (к чему обычно стремятся из соображений экономии). То, что может показаться преимуществом, тем не менее, является недостатком в случае указанных выше пленок, т.к. применяемые низкие температуры, по существу, препятствуют достаточному росту кристаллитов. Это особенно относится к тонким пленкам с малой толщиной и/или пленкам, состоящим из материалов, точка плавления которых очень высока. Поэтому полученные этим методом пленки являются преимущественно или даже полностью аморфными или нанокристаллическими (средний размер кристаллических зерен меньше нескольких нанометров), и термические обработки становятся необходимыми для получения требуемой степени кристаллизации или требуемого размера зерен.

Возможные термические обработки заключаются в нагревании подложки либо в процессе осаждения, либо по окончании осаждения на выходе с магнетронной линии. Обычно необходимы температуры по меньшей мере 200 или 300°С. Действительно, чем ближе температура подложки к температуре плавления материала, из которого состоит тонкая пленка, тем лучше кристаллизация и больше размер зерен.

- 1 022242

Нагревание подложки на промышленных магнетронных линиях (в процессе осаждения), тем не менее, оказывается трудноосуществимым, в частности, поскольку теплопередача в вакууме, обязательно имеющая излучательную природу, является трудноуправляемой и дорогостоящей в случае подложек большого размера, шириной несколько метров. В случае подложек из стекла малой толщины этот вид обработки часто предполагает повышенные риски поломки. Кроме того, пленки серебра, осажденные на горячую подложку, имеют тенденцию к образованию несплошных пленок в виде островков, которые обладают повышенным удельным сопротивлением.

Нагревание покрытой подложки после осаждения, например, помещая подложку в печь или камеру нагрева или подвергая подложку воздействию инфракрасного излучения от традиционных нагревательных устройств, таких как инфракрасные лампы, также имеет недостатки, т.к. эти разные способы способствуют нагреванию без различий как подложки, так и тонкой пленки. Нагревание подложки до температур свыше 150°С может вызвать поломки в случае подложек большого размера (несколько метров шириной), т.к. невозможно обеспечить одинаковую температуру по всей ширине подложки. Нагревание подложек также замедляет весь способ в целом, т.к. необходимо ждать их полного охлаждения, прежде чем переходить к их разрезанию или их складированию, что в основном происходит путем укладывания подложек друг на друга. Строго контролируемое охлаждение необходимо также для того, чтобы избежать возникновения напряжений внутри стекла и, следовательно, возможности поломок. Поскольку такое строго контролируемое охлаждение является очень дорогостоящим, отжиг не контролируется достаточно строго для того, чтобы устранить тепловые напряжения в стекле, что приводит к большему числу поломок на линии. Недостатком отжига также является более трудное разрезание стекла, причем трещины имеют меньшую тенденцию к линейному распространению.

Нагревание покрытых подложек осуществляют в случае, когда остекление является выпуклым и/или закаленным, т.к. происходит повторное нагревание стекла выше температуры его размягчения (обычно выше 600°С или даже 700°С в течение нескольких минут). Таким образом, закалка или придание выпуклости позволяет получать целевой результат кристаллизации тонких пленок. Однако подвергание таким обработкам всех остеклений с одной только целью улучшить кристаллизацию пленок было бы дорогостоящим. Кроме того, закаленное остекление нельзя разрезать, а некоторые пакеты тонких пленок не выдерживают высоких температур при закалке стекла.

В заявке на патент νθ 2008/096089, поданной заявителем, описан способ быстрого отжига, который заключается в подведении к пленке очень большой мощности на единицу площади. Пленку нагревают очень быстро, так чтобы тепло не распространилось внутрь подложки. Таким образом можно подвергнуть тонкую пленку термообработке, по существу, не нагревая подложку, тем самым ограничивая риск поломки, связанный с тепловым ударом. В отношении пленок на основе серебра предусмотренные способы являются способами с применением лазера, излучающего инфракрасное излучение, индукции, плазменной горелки или действия пламени. Эти способы позволяют добиваться удельных сопротивлений, которые раньше можно было достичь только путем закалки стекла.

Задача изобретения заключается в том, чтобы предложить усовершенствованный способ, позволяющий добиваться еще более низких удельных сопротивлений и избежать вышеуказанных проблем, сохраняя при этом высокое светопропускание. Другая задача изобретения заключается в том, чтобы предложить более экономичный способ, позволяющий, в частности, быстрее обрабатывать подложки большого размера и/или использовать лазерные устройства с меньшей мощностью.

С этой целью объектом изобретения является способ получения подложки, покрытой по меньшей мере на одной поверхности низкоэмиссионным пакетом тонких пленок, включающий в себя следующие стадии:

осаждают на упомянутую по меньшей мере одну поверхность упомянутой подложки пакет тонких пленок, содержащий по меньшей мере одну тонкую пленку серебра между по меньшей мере двумя тонкими диэлектрическими пленками;

термически обрабатывают эту по меньшей мере одну покрытую поверхность с помощью по меньшей мере одного лазерного излучения по меньшей мере с одной длиной волны между 500 и 2000 нм так, что излучательная способность и/или удельное поверхностное сопротивление пакета на снижается по меньшей мере 5%.

Согласно изобретению до обработки пакет содержит по меньшей мере одну тонкую пленку, по меньшей мере, частично поглощающую лазерное излучение, так что поглощение упомянутого пакета по меньшей мере на одной длине волны лазерного излучения является таким, что поглощение покрытой упомянутым пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 мм на упомянутой по меньшей мере одной длине волны лазерного излучения больше или равно 10%.

Поглощение покрытой пакетом подложки на заданной длине волны определяют как равное величине 100%, из которой вычитают пропускание покрытой подложки на той же длине волны и отражение той же покрытой подложки на той же длине волны со стороны пакета.

Под прозрачным стеклом понимают натриево-кальциево-силикатное стекло, полученное флоатметодом, не покрытое пленками и обладающее светопропусканием порядка 90%, светоотражением порядка 8% и пропусканием энергии порядка 83% при толщине 4 мм. Светопропускание, светоотражение и

- 2 022242 пропускание энергии являются такими, как определено в стандарте ΝΡ ΕΝ 410. Типичные прозрачные стекла выпускаются, например, под названием §00 Р1аш1их фирмой §ат1-СоЪат С1а88 Ргапсе или под названием Р1атЪе1 С1ай фирмой АСС Р1а1 С1а88 Еигоре. Эти подложки традиционно используются для изготовления низкоэмиссионного остекления.

Способ по изобретению, конечно, не ограничивается покрытиями, осаждаемыми на подложку из прозрачного стекла или на подложку толщиной 4 мм. Покрытие можно осаждать на подложку любого типа, но поглощение пакета должно быть таким, что, если бы его осадили на подложку из прозрачного стекла толщиной 4 мм, поглощение этой покрытой пакетом подложки было бы таким, как заявлено.

Способ по изобретению позволяет подводить энергию, достаточную для способствования кристаллизации тонкой пленки серебра по физико-химическому механизму кристаллического роста вокруг зародышей, уже присутствующих в этой пленке, оставаясь в твердой фазе. Способствование кристаллизации пленки серебра может выражаться в исчезновении возможных остатков аморфной фазы и/или увеличении размера когерентных областей дифракции и/или в уменьшении плотности точечных дефектов (пустот, междоузлий) или поверхностных или объемных дефектов, таких как двойники.

Преимущество способа по изобретению заключается в том, что нагревают только низкоэмиссионный пакет, по существу, не нагревая всю подложку. Таким образом, больше нет необходимости в медленном и контролируемом охлаждении подложки перед разрезанием или складированием стекла. Этот способ также дает возможность встраивания нагревательного устройства на существующих линиях непрерывного производства, более конкретно, в месте, расположенном между выходом из камеры вакуумного осаждения магнетронной линии и устройством складирования стекла путем штабелировки. В некоторых случаях также возможно осуществлять обработку по изобретению в самой камере вакуумного осаждения.

Применение лазерного излучения обладает преимуществом получения температур обычно ниже 100°С, а часто ниже 50°С на стороне, противоположной первой стороне подложки (т.е. на непокрытой стороне). Эта особенно преимущественная характеристика связана с тем, что коэффициент теплообмена является очень высоким, обычно выше 400 Вт/(м²-с). Удельная мощность лазерного излучения на уровне обрабатываемого пакета предпочтительно больше или равна 20 или 30 кВт/см²

Эта очень высокая плотность энергии позволяет очень быстро достигать требуемой температуры на уровне пакета (обычно в течение времени, меньшего или равного 1 с) и, следовательно, ограничивать продолжительность обработки, причем генерируемое тепло не имеет времени распространяться внутрь подложки. Таким образом, каждая точка пакета предпочтительно подвергается обработке по изобретению (а именно, нагревается до температуры, большей или равной 300°С) в течение времени, обычно меньшего или равного 1 с или даже 0,5 с. В противоположность этому, поскольку традиционно используемые инфракрасные лампы (без устройства фокусировки излучения) не позволяют достигать этих высоких мощностей на единицу поверхности, время обработки должно быть более продолжительным для достижения желательных температур (часто несколько секунд), и тогда подложка обязательно нагревается до высоких температур за счет диффузии тепла, даже если длина волн излучения адаптирована для поглощения только тонкой пленкой, а не подложкой.

Благодаря очень высокому коэффициенту теплообмена, связанному со способом по изобретению, часть стекла, расположенная в 0,5 мм от тонкой пленки, обычно не подвергается воздействию температур свыше 100°С. Температура поверхности подложки, противоположной поверхности, обрабатываемой по меньшей мере одним лазерным излучением, предпочтительно не превышает 100°С, в частности 50°С и даже 30°С во время термической обработки.

Поэтому основная часть подведенной энергии используется пакетом для улучшения характеристик кристаллизации упомянутой или каждой пленки серебра, которую он содержит.

Способ по изобретению, кроме того, усовершенствован за счет присутствия в пакете до обработки по меньшей мере одной тонкой пленки, достаточно поглощающей лазерное излучение, так что поглощение по меньшей мере на одной длине волны лазерного излучения покрытой пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 мм больше или равно 10%. До обработки пакет может содержать одну или множество этих пленок, которые далее в тексте называются поглощающими пленками. Пакет может, например, содержать одну поглощающую пленку или же две, или три, даже четыре и даже пять или шесть поглощающих пленок. Независимо от числа поглощающих пленок важно, чтобы поглощение пакета на длине волны лазера было таким, как заявлено. Присутствие по меньшей мере одной поглощающей пленки способствует существенному усилению эффекта лазерной обработки: энергия, поглощенная поглощающей пленкой, фактически переизлучается поблизости от пленки серебра, повышая локальную температуру на уровне этой пленки. Полученное в результате повышение эффективности лазерной обработки позволяет улучшать эмиссионные свойства конечного пакета и/или ускорять обработку и/или использовать менее мощный и, следовательно, более дешевый лазер.

Для большего усиления эффективности лазерной обработки поглощение пакета является таким, что поглощение до лазерной обработки и по меньшей мере на одной длине волны лазерного излучения покрытой пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 мм предпочтительно больше или равно

- 3 022242

12%, даже 13 или 15% и даже 20, или 25, или 30%.

Степень кристаллизации, полученная при помощи способа по изобретению, предпочтительно больше или равна 20 или 50%, в частности 70 и даже 90%. Эту степень кристаллизации, определяемую как масса кристаллизованного материала по отношению к общей массе материала, можно оценить дифракцией рентгеновских лучей с использованием метода Ритвельда. Поскольку механизм кристаллизации заключается в росте кристаллических зерен из зародышей или ядер, повышение степени кристаллизации сопровождается обычно увеличением размера кристаллизованных зерен или когерентных областей дифракции, измеряемых дифракцией рентгеновских лучей.

Улучшение характеристик кристаллизации позволяет также увеличивать светопропускание покрытой подложки по меньшей мере на 5%, в частности абсолютные 10, даже 15 и даже 20% также абсолютных (речь не идет об относительном увеличении). Светопропускание вычисляют по стандарту ΝΡ ΕΝ 410.

Предпочтительно удельное поверхностное сопротивление и/или излучательная способность пакета уменьшается за счет термической обработки по меньшей мере на 10%, даже 15 или даже 20%. Речь в данном случае идет об относительном уменьшении по отношению к величине излучательной способности или удельного поверхностного сопротивления до обработки.

В соответствии с предпочтительным вариантом реализации пакет содержит по меньшей мере две пленки серебра, поглощение упомянутого пакета по меньшей мере на одной длине волны лазерного излучения является таким, что поглощение покрытой упомянутым пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 мм на упомянутой по меньшей мере одной длине волны лазерного излучения больше или равно 11%, а термическая обработка является такой, что селективность пакета повышается по относительной величине по меньшей мере на 1%, в частности 2%. Селективность определяют как отношение между светопропусканием и солнечным фактором. Эти две величины вычисляют в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410 на двойном остеклении (стеклопакете), содержащем две подложки из прозрачного стекла толщиной 6 мм, обрамляющих прослойку толщиной 15 мм, содержащую 90% аргона, в котором пакет находится на поверхности 2, т.е. на поверхности подложки в контакте с внешней средой здания, которая является противоположной поверхности, обращенной наружу (эта поверхность называется поверхностью 1).

Другое преимущество изобретения заключается в том, что способом предусматривается эквивалент закалки, которой подвергается пакет тонких пленок, но не подложка. В некоторых случаях оптические свойства (калориметрические координаты, светопропускание или пропускание энергии) некоторых пакетов тонких пленок изменяются при закалке стекла. Способ по изобретению позволяет получать незакаленное стекло (а значит, не имеющее внутри присущего закаленному стеклу профиля напряжений, что делает его пригодным для разрезания), но имеющее, по существу, те же оптические свойства, которые оно имело бы будучи закаленным. Способ по изобретению также позволяет избежать некоторых недостатков, связанных с закалкой, а именно, что касается эстетического внешнего вида пакета (появление мутности и т.д.). Если бы подложка, покрытая и обработанная по изобретению, уже была закалена, ее оптические свойства больше не пострадали бы от закалки. Таким образом, обработка по изобретению дает другое преимущество: возможность получать пакеты (в частности, содержащие две или три пленки серебра), имеющие одинаковые оптические свойства как в закаленном состоянии, так и в незакаленном. Следовательно, появляется возможность устанавливать на одном и том же фасаде незакаленные остекления и закаленные остекления, содержащие в своей основе одинаковый пакет, но тем не менее имеющие одинаковый эстетический внешний вид. До закалки закаленное остекление могло быть или не быть предварительно обработано по изобретению. Таким образом, на одном и том же фасаде можно объединять остекления, имеющие в своей основе одинаковый пакет, но подвергшиеся трем разным обработкам: закалке, термической обработке по изобретению или термической обработке по изобретению с последующей закалкой.

Таким образом, способ предпочтительно является таким, что параметр ΔΕ* между покрытой подложкой, обработанной по изобретению, и покрытой подложкой, не обработанной по изобретению, но закаленной, меньше или равен 2,0, в частности 1,5. Альтернативно или дополнительно, способ предпочтительно является таким, что параметр ΔΕ* между покрытой подложкой, обработанной по изобретению, а затем закаленной, и покрытой подложкой, обработанной по изобретению, но не закаленной, меньше или равен 2,0, в частности 1,5. Как известно в технике, ~ ) + (Аа )^г + (АЪ β. Калориметрические координаты Ь*, а* и Ь* вычисляют с учетом осветителя Ό65 и контрольного наблюдателя СГЕ1931. Речь идет о калориметрических координатах на отражение либо со стороны пакета, либо со стороны подложки, т.е. со стороны поверхности, противоположной пакету. Термин АЬ* означает изменение координаты Ь* между двумя рассматриваемыми состояниями. То же условие относится к терминам Аа* и АЬ*. Пакет предпочтительно содержит по меньшей мере две пленки серебра, в частности две или три пленки серебра, т.к. ни один из этих известных в настоящее время пакетов не является закаливаемым, что означает, что в результате закалки калориметрические свойства всех этих пакетов меняются. Впервые способ по изобретению позволяет получить закаливаемый пакет, содержащий две или три пленки

- 4 022242 серебра.

Для получения еще более низких значений удельного сопротивления и излучательной способности подложка может подвергаться стадии закалки после стадии термической обработки по изобретению. Термическая закалка будет обычно осуществляться после разрезания стекла на части с требуемыми конечными размерами.

Интерес может представлять изменение мощности лазера в целях сохранения минимального поглощения после обработки по изобретению с тем, чтобы после возможной последующей закалки покрытие не имело дефектов типа мутности или коррозии.

Подложка предпочтительно выполнена из стекла или из полимерного органического вещества. Она предпочтительно является прозрачной, бесцветной (в этом случае речь идет о прозрачном или чрезвычайно прозрачном стекле) или окрашенной, например, в голубой, серый или бронзовый цвет. Предпочтительно это стекло натриево-кальциево-силикатного типа, но оно также может быть стеклом боросиликатного или алюмо-силикатного типа. Предпочтительными органическими полимерными веществами являются поликарбонат или полиметилметакрилат или же полиэтилентерефталат (РЕТ). Подложка предпочтительно имеет по меньшей мере один размер, больший или равный 1 м, даже 2 и даже 3 м. Толщина подложки обычно варьируется между 0,5 и 19 мм, предпочтительно между 0,7 и 9 мм, в частности между 2 и 8 мм или же между 4 и 6 мм. Подложка может быть плоской или выпуклой или даже гибкой.

Подложка из стекла преимущественно относится к типу флоат-стекла, т.е. может быть получена способом, заключающимся в выливании расплавленного стекла на ванну с расплавом олова (флоатванна). В этом случае подлежащую обработке пленку можно одинаково хорошо осаждать как на поверхность олово, так и на поверхность атмосфера подложки. Под поверхностями атмосфера и олово понимают поверхности подложки, находящиеся соответственно в контакте с атмосферой, имеющейся во флоат-ванне, и в контакте с расплавом олова. Поверхность олово содержит небольшое поверхностное количество олова, продиффундировавшее в структуру стекла. Она может быть также получена путем прокатки между двумя роликами, технологии, позволяющей, в частности, отпечатать (выдавливать) рисунки на поверхности стекла.

Низкоэмиссионный пакет до или после термической обработки содержит по меньшей мере одну пленку серебра между по меньшей мере двумя диэлектрическими пленками. В пакете имеется по меньшей мере одна поглощающая пленка. В нижеследующих фрагментах описана предпочтительная архитектура пакетов, обработанных по изобретению, затем подробно описано расположение упомянутой или каждой поглощающей пленки в этой архитектуре. Если не указано иное, указанные толщины являются физическими толщинами.

Низкоэмиссионный пакет до или после термической обработки предпочтительно содержит, начиная с подложки, первое покрытие, содержащее по меньшей мере одну первую диэлектрическую пленку, по меньшей мере одну пленку серебра, возможно верхнюю блокирующую пленку, и второе покрытие, содержащее по меньшей мере одну вторую диэлектрическую пленку.

Предпочтительно физическая толщина упомянутой или каждой пленки серебра составляет между 6 и 20 нм.

Верхняя блокирующая пленка предназначена для защиты пленки серебра во время осаждения последующей пленки (например, если эту последнюю осаждают в окисляющей или нитрирующей атмосфере) и во время возможной термической обработки типа закалки или придания выпуклости.

Слой (пленка) серебра может также быть осажден(а) на и в контакте с нижней блокирующей пленкой. Таким образом, пакет может содержать верхнюю блокирующую пленку и/или нижнюю блокирующую пленку, обрамляющие упомянутую или каждую пленку серебра.

Блокирующие пленки (нижняя блокирующая и/или верхняя блокирующая) обычно имеют в своей основе металл, выбранный из никеля, хрома, титана, ниобия или сплава этих разных металлов. В частности, можно упомянуть сплавы никель-титан (в частности, содержащие примерно 50 мас.% каждого металла) или сплавы никель-хром (в частности, содержащие примерно 80 мас.% никеля и 20 мас.% хрома). Верхняя блокирующая пленка может состоять еще из нескольких нанесенных друг на друга пленок, например, в направлении от подложки, титана, затем никелевого сплава (в частности, сплава никель-хром) или наоборот. Разные упомянутые металлы или сплавы могут также быть частично окисленными, в частности обладать нестехиометрией по кислороду (например, ΤίΘ_χ или №СгО_х).

Эти блокирующие пленки (нижняя блокирующая и/или верхняя блокирующая) являются очень тонкими, а именно толщиной меньше 1 нм, чтобы не оказывать влияния на светопропускание пакета, и способны частично окисляться в процессе термической обработки по изобретению. Как указано далее в тексте, толщина по меньшей мере одной блокирующей пленки может быть увеличена с тем, чтобы составлять поглощающую пленку согласно изобретению. Как правило, блокирующие пленки являются расходуемыми пленками, способными захватывать кислород, происходящий из атмосферы или из подложки, не допуская таким образом окисления пленки серебра.

Первая и/или вторая диэлектрическая пленка обычно состоит из оксида (в частности, оксида олова) или предпочтительно из нитрида, в частности нитрида кремния (в особенности это относится ко второй

- 5 022242 диэлектрической пленке, наиболее удаленной от подложки). Как правило, нитрид кремния может быть легированным, например, алюминием или бором для облегчения его осаждения при помощи технологий катодного распыления. Степень легирования (соответствующая атомному проценту по отношению к количеству кремния) обычно не превышает 2%. Эти диэлектрические пленки выполняют функцию защиты пленки серебра от агрессивных химических или механических воздействий, а также влияют на оптические свойства пакета, в частности на отражение, за счет интерференционных явлений.

Первое покрытие может содержать одну диэлектрическую пленку или несколько диэлектрических пленок, обычно от 2 до 4. Второе покрытие может содержать одну диэлектрическую пленку или несколько диэлектрических пленок, обычно от 2 до 3. Эти диэлектрические пленки предпочтительно выполнены из материала, выбранного из нитрида кремния, оксидов титана, олова или цинка или любой из их смесей или твердых растворов, например оксида олова и цинка или оксида титана и цинка. Независимо от того, идет ли речь о первом покрытии или о втором покрытии, физическая толщина диэлектрической пленки или общая физическая толщина совокупности диэлектрических пленок предпочтительно составляет между 15 и 60 нм, в частности между 20 и 50 нм.

Первое покрытие предпочтительно содержит непосредственно под пленкой серебра или под возможной нижней блокирующей пленкой смачивающую пленку, функция которой состоит в повышении смачивания и сцепления пленки серебра. Оксид цинка, в частности, легированный алюминием, оказался особенно выгодным в этом отношении.

Первое покрытие может также содержать непосредственно под смачивающей пленкой сглаживающую пленку, которая представляет собой смешанный оксид, частично или даже полностью аморфный (а значит, имеющий очень низкую шероховатость), функция которой состоит в способствовании росту смачивающей пленки в предпочтительной кристаллографической ориентации, тем самым способствуя кристаллизации серебра за счет явлений эпитаксии. Сглаживающая пленка предпочтительно состоит из смешанного оксида по меньшей мере двух металлов, выбранных из δη, Ζη, Ιη, Оа, §Ь. Предпочтительным оксидом является оксид олова и индия, легированный сурьмой.

В первом покрытии смачивающая пленка или возможная сглаживающая пленка предпочтительно осаждены непосредственно на первую диэлектрическую пленку. Первая диэлектрическая пленка предпочтительно осаждена непосредственно на подложку. Для наилучшей адаптации оптических свойств пакета (в частности, внешнего вида на отражение) первая диэлектрическая пленка может альтернативно быть осаждена на другую пленку оксида или нитрида, например оксида титана.

Во втором покрытии вторая диэлектрическая пленка может быть осаждена непосредственно на пленку серебра или предпочтительно на верхнюю блокирующую пленку или на другие пленки из оксида или нитрида, предназначенные для адаптации оптических свойств пакета. Например, пленка оксида цинка, в частности, легированного алюминием, или же пленка оксида олова может быть осаждена между верхней блокирующей пленкой и второй диэлектрической пленкой, которая предпочтительно выполнена из нитрида кремния. Оксид цинка, в частности, легированный алюминием, позволяет улучшать сцепление между серебром и верхними пленками.

Таким образом, пакет, обработанный по изобретению, предпочтительно содержит по меньшей мере одну последовательность ΖηΘ/Ά§/ΖηΘ. Оксид цинка может быть легирован алюминием. Нижняя блокирующая пленка может быть помещена между пленкой серебра и нижележащей пленкой. Альтернативно или дополнительно, верхняя блокирующая пленка может быть помещена между пленкой серебра и вышележащей пленкой.

Наконец, второе покрытие может заканчиваться верхней пленкой, иногда называемой в технике внешним покрытием (от англ. оуегсоаГ). Эта последняя пленка пакета, находящаяся в контакте с окружающим воздухом, предназначена для защиты пакета от всех агрессивных механических (царапины и т.д.) или химических воздействий. Эта верхняя пленка обычно является очень тонкой и не ухудшает внешнего вида пакета на отражение (ее толщина обычно составляет от 1 до 5 нм). Предпочтительно она имеет в своей основе оксид титана или смешанный оксид олова и цинка, в частности, легированный сурьмой, осажденный в нестехиометрической форме. Как указано ниже, состав этой верхней пленки может быть выбран так, чтобы она была поглощающей пленкой или одной поглощающей пленкой пакета.

Пакет может содержать одну или несколько пленок серебра, в частности две или три пленки серебра. Если присутствуют несколько пленок серебра, общая архитектура, представленная выше, может повториться. В этом случае второе покрытие, относящееся к данной пленке серебра (следовательно, находящееся над этой пленкой серебра), в общем, совпадает с первым покрытием, относящимся к следующей пленке серебра.

До термической обработки пакет содержит по меньшей мере одну поглощающую пленку. Тонкая поглощающая пленка может находиться в непосредственном контакте с пленкой серебра с тем, чтобы улучшить перенос переизлучаемой энергии к пленке серебра. Тонкая поглощающая пленка может, в частности, находиться под пленкой серебра (т.е. ближе к подложке) и/или над пленкой серебра.

В соответствии с первым предпочтительным вариантом реализации тонкая пленка, по меньшей мере, частично поглощающая лазерное излучение, является металлической пленкой, осажденной непосредственно над пленкой серебра (верхней блокирующей пленкой) или даже непосредственно под пленкой

- 6 022242 серебра (нижней блокирующей пленкой), и ее толщина составляет между 2 и 5 нм, в частности между 3 и 5 нм. Эта блокирующая пленка частично окисляется во время лазерной обработки, образуя, в целом, нестехиометрический по кислороду оксид, светопоглощение которого снижено. Более тонкие пленки не обладают достаточным поглощением для того, чтобы эффект переноса энергии к пленке серебра был заметен. Кроме того, более тонкие пленки имеют тенденцию полностью окисляться во время лазерной обработки, приводя к плохой механической прочности конечного пакета. Описанный диапазон толщин, который является необычным, т.к. превышает типичную толщину блокирующих пленок, чрезвычайно хорошо адаптирован к обработке по изобретению. Что касается химической природы блокирующих пленок, то описанное выше также относится к случаю, когда блокирующая пленка является поглощающей пленкой согласно изобретению.

В соответствии со вторым предпочтительным вариантом реализации тонкая пленка, по меньшей мере, частично поглощающая лазерное излучение, является пленкой нитрида, в частности стехиометрической или нестехиометрической по азоту. Стехиометрический нитрид предпочтительно выбирают из нитридов ниобия, титана или любой из их смесей, которые обладают высокими поглощениями в диапазоне длины волны лазера. Нестехиометрический по азоту нитрид предпочтительно выбирают из нестехиометрических нитридов кремния, алюминия, титана, ниобия или любой из их смесей. В случае необходимости, в частности, если обработанный пакет должен сохранить функцию регулирования солнечного освещения, поглощающий нитрид может быть защищен от окисления путем заключения между двумя пленками прозрачных нитридов, таких как нитрид кремния. Этот пакет из трех нанесенных друг на друга нитридных пленок может находиться как под пленкой серебра, так и на пленке серебра. В общей архитектуре, представленной выше, поглощающая пленка нитрида может также относиться как к первому покрытию, так и ко второму покрытию. Если она заключена между пленками, то такой пакет из трех нитридных пленок предпочтительно заменяет первую диэлектрическую пленку и/или вторую диэлектрическую пленку, в частности, если они выполнены из нитрида кремния. Тем не менее, наблюдалось, что при обработке по изобретению поглощающая пленка нитрида, даже не заключенная между другими пленками, не окисляется, в частности, в случае нитрида ниобия, который является особенно устойчивым. Толщина поглощающей пленки нитрида предпочтительно составляет между 2 и 10 нм, в частности между 2 и 5 нм.

В соответствии с третьим предпочтительным вариантом реализации тонкая пленка, по меньшей мере, частично поглощающая лазерное излучение, является пленкой, находящейся в контакте с воздухом и состоящей из металла, нестехиометрического по кислороду оксида металла или нитрида металла. В рамках общей архитектуры, представленной выше, речь, таким образом, идет о верхней пленке или внешнем покрытии. Эта верхняя пленка, находящаяся в контакте с воздухом, и, следовательно, последняя пленка пакета, обычно окисляется при лазерной обработке, в результате чего ее светопоглощение после обработки будет очень низким. В некоторых случаях, в частности при нитриде ниобия, верхняя пленка не окисляется и сохраняет после обработки значительное светопоглощение, что может являться преимуществом, если пакет должен выполнять функцию регулирования солнечного освещения. Толщина этой пленки, находящейся в контакте с воздухом, предпочтительно меньше или равна 5 нм, даже 3 нм и больше или равна 1 нм. Такая малая толщина обычно является достаточной для достижения целевого поглощения. Малая толщина этой пленки обеспечивает также полное окисление после обработки по изобретению и, следовательно, позволяет достигать высоких светопропусканий. Металл предпочтительно выбирают из кремния, ниобия, титана, алюминия, цинка, олова, циркония или любого из их сплавов. Нестехиометрический по кислороду оксид предпочтительно является оксидом кремния, ниобия, титана, алюминия, цинка, олова, циркония или любой из их смесей. Нитрид может быть стехиометрическим, и в этом случае речь предпочтительно идет о нитриде ниобия, титана или их смеси. Нитрид также может быть нестехиометрическим, и в этом случае речь идет о нитриде кремния, алюминия, титана, ниобия, цинка, олова, циркония или любой из их смесей.

В соответствии с четвертым предпочтительным вариантом реализации тонкая пленка, по меньшей мере, частично поглощающая лазерное излучение, является пленкой нестехиометрического по кислороду оксида металла, находящейся под и предпочтительно в контакте с упомянутой или каждой пленкой серебра и/или находящейся над и предпочтительно в контакте с упомянутой или каждой пленкой серебра. Речь более конкретно может идти о смачивающей пленке в приведенном выше смысле. Нестехиометрический по кислороду оксид предпочтительно выбирают из оксида цинка, оксида титана, оксида олова или одной из их смесей.

В соответствии с пятым предпочтительным вариантом реализации тонкая пленка, по меньшей мере, частично поглощающая лазерное излучение, является пленкой на основе углерода, находящейся в контакте с воздухом. Углерод предпочтительно относится в графитовому или аморфному типу и/или содержит по меньшей мере 50, даже 100% углерода $р2. Тонкая пленка на основе углерода предпочтительно состоит из углерода, но может, тем не менее, быть легирована металлом или частично гидрирована. Толщина пленки углерода предпочтительно меньше 5 нм, в частности 2 нм и даже 1 нм. Углерод имеет очень высокую поглощающую способность в видимой и инфракрасной области. Пленка углерода, особенно если она в основном находится в §р2-гибридизированном состоянии, в частности графитового или

- 7 022242 аморфного типа, и тем более, если ее толщина незначительна, удаляется при обработке, возможно за счет окисления до диоксида углерода, который испаряется, в результате чего остаточное поглощение после обработки является минимальным. Тонкая пленка на основе углерода может быть получена разными методами, в частности катодным распылением в магнитном поле (магнетронным распылением), например, при помощи графитовой мишени в атмосфере аргона. Другие способы осаждения включают химическое осаждение из паровой фазы (СУЭ), дуговое осаждение, осаждение испарением, осаждение методами типа золь-гель.

Независимо от ее положения в пакете упомянутая или каждая поглощающая пленка также может быть выполнена на основе оксида, легированного по меньшей мере одним ионом переходного металла (например, железа, хрома, ванадия, магния, кобальта, никеля, меди) или редкоземельного металла (например, неодима или европия).

Обработанный пакет может содержать одну-единственную поглощающую пленку. Он также может содержать больше пленок, например две, три, четыре или пять поглощающих пленок, в частности в случае, если присутствие одной единственной поглощающей пленки недостаточно для достижения поглощения, желательного для всего пакета в целом. Пакет может, таким образом, выбираться так, что он содержит несколько поглощающих пленок, которые в сочетании позволяют добиваться желательного поглощения, но которые по отдельности этого не позволяют. Это, в частности, относится к случаю пакетов, содержащих более одной пленки серебра, в частности две или три: увеличение числа блокирующих пленок (нижних и/или верхних блокирующих пленок) может привести к получению очень большого поглощения на длине волны лазера, тогда как каждая из пленок имеет толщину, недостаточную для того, чтобы самостоятельно достичь этого поглощения.

Для того чтобы еще больше улучшить поглощение лазерного излучения пакетом, последний может поэтому содержать несколько видов описанных выше поглощающих пленок. Каждый из предпочтительных вариантов реализации, которые только что были описаны, может именно комбинироваться с одним или несколькими другими вариантами. В частности, можно комбинировать предпочтительные варианты 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 1 и 5, 2 и 3, 2 и 4, 3 и 4, 2 и 5, 3 и 5, 1, 2 и 3, 1, 2 и 4, 1, 2 и 5, 1, 3 и 4, 1, 3 и 5, 2, 3 и 4, 2, 3 и 5, 3, 4 и 5, 1, 2, 3 и 4, 1, 2, 3 и 5, 1, 2, 4 и 5, 1, 3, 4 и 5, 2, 3, 4 и 5. В качестве примера, пакет может содержать одну утолщенную блокирующую пленку (толщиной между 2 и 5 нм) и верхнюю поглощающую пленку (комбинация первого и третьего предпочтительных вариантов реализации). Некоторые предпочтительные варианты могут также комбинироваться между собой. Это относится ко второму предпочтительному варианту в том смысле, что пакет может содержать несколько поглощающих пленок нитрида, в частности заключенных между двумя пленками нитрида кремния, например двумя или тремя. Также пакет может содержать несколько блокирующих пленок (нижних и/или верхних блокирующих пленок), утолщенных для повышения их поглощения лазерного излучения (комбинации первого варианта).

Несколько неограничивающих примеров пакета, которые могут быть обработаны по изобретению, описаны ниже. Пленки указаны в порядке осаждения, начиная от подложки. Необязательные пленки указаны в скобках.

Пакет 1: 8ΐ₃Ν4/ΤϊΟ₂/(8ηΖηΟ_χ)/Ζη0/Α§/Τί/Ζη0/8ϊ₃Ν4/Τί

Пакет 2: ΤΐΟ₂/ΖηΟ/Α§/ΖηΟ/(ΤίΟ₂)/δΐ₃Ν4/Ζηδη

Пакет 3: 8ϊ₃Ν4/Τΐ0₂/(ΝΐθΓ)/Α§/ΝϊθΓ/ΖηΟ/8η0₂

Пакет 4: 8ΐ₃Ν4/ΝΗΝ/8ί₃Ν₄/(δηΖηΟ_χ)/ΖηΟ/Α_§/Νί(.τ/Ζη()/δ;₃Ν4/'1ΊΟ_χ

Пакет 5: 8ίΝ_χ/ΖηΟ/Α§/ΝίΟι7ΖηΟ/8ϊ₃Ν4

Пакет 6: δϊ₃Ν4/ΖηΟ/Αβ/Τί/ΖηΟ/8ΐ₃Ν4/ΖηΟ/Α8/Τΐ/ΖηΟ/8ί₃Ν4

Пакет 7: 8ί₃Ν4/ΖηΟ/Α8/Τΐ/ΖηΟ/8ί₃Ν4/ΖηΟ/Α8<Γΐ/ΖηΟ/8ί₃Ν4/ΖιιΟ/Α8/Τϊ/ΖηΟ/8ί₃Ν4

Пакет 8: δΐ₃Ν4/Τΐ0₂/(δηΖηΟ_χ)/ΖηΟ/ΑΒ/Τί/ΖηΟ/δϊ₃Ν4/0

В случае пакета 1 поглощающая пленка образована верхней металлической пленкой (из титана, но также возможны и другие металлы, также как нестехиометрические нитриды или оксиды, как указано выше) и, необязательно, верхней блокирующей пленкой (в данном случае из титана, но также могут использоваться металлы или сплавы, упомянутые выше), если она является утолщенной. Этот пакет, таким образом, иллюстрирует третий предпочтительный вариант, возможно в комбинации с первым.

Пакет 2 содержит поглощающую пленку, которая является верхней металлической пленкой из сплава δηΖη. Этот пакет, таким образом, иллюстрирует третий предпочтительный вариант. Конечно, возможны и другие сплавы из описанных выше.

Пакет 3 содержит верхнюю блокирующую пленку и нижнюю блокирующую пленку, обе из сплава никеля и хрома. Одна или каждая из этих блокирующих пленок может быть утолщенной так, чтобы образовывать одну поглощающую пленку или две поглощающих пленки. Например, только нижняя блокирующая пленка или только верхняя блокирующая пленка может быть утолщенной (первый предпочтительный вариант). В качестве альтернативы обе блокирующих пленки могут быть утолщенными (первый

- 8 022242 предпочтительный вариант в комбинации с самим собой).

Пакет 4 содержит поглощающую пленку из нитрида ниобия и верхнюю поглощающую пленку из нестехиометрического по кислороду оксида титана. Таким образом, он иллюстрирует комбинацию второго и третьего предпочтительных вариантов. Верхняя блокирующая пленка из сплава никеля и хрома может также быть утолщенной так, чтобы образовывать поглощающую пленку (первый предпочтительный вариант). Пакет этого типа обладает функциональной возможностью регулирования солнечного освещения в дополнение к тому, что является низкоэмиссионным.

В пакете 5 поглощающая пленка является пленкой нестехиометрического по азоту нитрида кремния (второй предпочтительный вариант). Верхняя блокирующая пленка из сплава никеля и хрома также может быть утолщенной так, чтобы образовывать поглощающую пленку (первый предпочтительный вариант).

Пакеты 6 и 7 иллюстрируют пакеты, содержащие соответственно две и три пленки серебра. В некоторых случаях большое число блокирующих пленок (здесь из титана, но могут использоваться также и другие, уже упомянутые металлы и сплавы) может быть достаточным для достижения требуемого поглощения. В других случаях может быть необходимо увеличить толщину по меньшей мере одной блокирующей пленки.

Пакет 8 содержит последней пленкой пленку углерода, предпочтительно аморфного или графитового типа. Эта сильно поглощающая пленка удаляется за счет окисления во время термической обработки. Под этой пленкой углерода и в контакте с ней может находиться металлическая пленка, например, из титана.

В представленных выше пакетах по меньшей мере одна пленка оксида цинка может также быть нестехиометрической по кислороду и образовывать поглощающую пленку, иллюстрирующую четвертый предпочтительный вариант.

Обработка по изобретению обычно осуществляется при помощи излучения, имеющего определенную длину волны. Тем не менее, изобретение не исключает использования нескольких разных лазеров так, чтобы покрытая подложка подвергалась воздействию нескольких излучений с разными длинами волн.

Длина волны излучения предпочтительно составляет между 530 и 1000 нм или между 600 и 1000 нм, в частности между 700 и 950 нм, даже между 800 и 950 нм, т.к. серебро меньше отражает этот тип излучения, чем инфракрасные излучения с большей длиной волны. Поэтому обработка является более эффективной. Кроме того, подложка, если она выполнена из прозрачного стекла, меньше поглощает в этом диапазоне длины волны. Поэтому она может в меньшей степени подвергаться высоким температурам.

Таким образом, объектом изобретения также является способ получения подложки, покрытой по меньшей мере на одной поверхности низкоэмиссионным пакетом тонких пленок, содержащий следующие стадии:

осаждают на упомянутую по меньшей мере одну поверхность упомянутой подложки пакет тонких пленок, содержащий по меньшей мере одну тонкую пленку серебра между по меньшей мере двумя тонкими диэлектрическими пленками, термически обрабатывают эту по меньшей мере одну покрытую поверхность при помощи по меньшей мере одного лазерного излучения, излучаемого по меньшей мере с одной длиной волны между 530 и 1000 нм или между 600 и 1000 нм, в частности между 700 и 950 нм, даже между 800 и 950 нм, так, что излучательная способность и/или удельное сопротивление пакета уменьшается по меньшей мере на 5%.

Предпочтительно используют лазерные диоды, излучающие, например, на длине волны порядка 808, 880, 915 или же 940 или 980 нм. В виде диодных систем можно получить очень высокие мощности, позволяющие достигать удельных мощностей на уровне обрабатываемого пакета, превышающих 20, даже 30 кВт/см²

Для большей простоты осуществления лазеры, используемые в рамках изобретения, могут быть волоконными, что означает, что лазерное излучение вводят в оптическое волокно, а затем подают к обрабатываемой поверхности при помощи фокусирующей головки. Лазер может также быть волоконным в том смысле, что усиливающая среда сама представляет собой оптическое волокно.

Лазерный луч может быть точечным, в этом случае необходимо предусмотреть систему перемещения лазерного луча в плоскости подложки.

Тем не менее, предпочтительно лазерное излучение происходит по меньшей мере из одного лазерного луча, образующего линию (далее в тексте называемую лазерной линией), которая одновременно облучает всю ширину подложки или ее часть. Этот вариант является предпочтительным, т.к. в нем не используются дорогостоящие системы перемещения, обычно крупногабаритные и требующие сложного технического обслуживания. Линейный лазерный луч можно получить при помощи систем лазерных диодов большой мощности с использованием фокусирующей оптики. Толщина линии предпочтительно составляет между 0,01 и 1 мм. Длина линии обычно составляет между 5 мм и 1 м. Профиль линии может, в частности, быть кривой Г аусса или иметь форму зуба.

Лазерная линия, одновременно облучающая всю ширину подложки или ее часть, может состоять из

- 9 022242 одной линии (облучающей в этом случае всю ширину подложки) или из нескольких линий, возможно разъединенных. Если используется несколько линий, они предпочтительно располагаются так, чтобы вся поверхность пакета подвергалась обработке. Эта или каждая линия предпочтительно располагается перпендикулярно направлению перемещения подложки или располагается под наклоном. Различные линии могут обрабатывать подложку одновременно или с временными интервалами. Главное, чтобы вся подлежащая обработке поверхность была обработана.

Для обработки всей поверхности пленки предпочтительно осуществляют относительное перемещение между подложкой, покрытой пленкой, и этой или каждой лазерной линией. Таким образом, подложка может перемещаться, в частности, совершая поступательное движение параллельно неподвижной лазерной линии, обычно под, но возможно и над лазерной линией. Такой вариант реализации является предпочтительным при непрерывной обработке. В качестве варианта подложка может быть неподвижной, а лазер может быть мобильным. Предпочтительно разница между соответствующими скоростями подложки и лазера больше или равна 1 м/мин, даже 4 и даже 6, 8, 10 или 15 м/мин для обеспечения высокой скорости обработки. Правильный выбор по изобретению некоторых пленок пакета позволяет гарантировать очень большое понижение удельного сопротивления при высоких скоростях перемещения и, следовательно, высоких скоростях обработки.

Если перемещается подложка, в частности, поступательно, ее можно приводить в движение при помощи всех механических конвейерных средств, например при помощи поступательно перемещающихся лент, роликов, платформ. Конвейерная система обеспечивает контроль и регулировку скорости перемещения. Если подложка выполнена из гибкого органического полимерного вещества, перемещение может осуществляться при помощи системы продвижения пленок в виде последовательности роликов.

Лазер можно также приводить в движение так, чтобы регулировать расстояние от него до подложки, что может оказаться полезным, в частности, если подложка имеет выпуклую форму, но не только. Действительно, предпочтительно, чтобы лазерный луч фокусировался на обрабатываемом покрытии так, чтобы последнее располагалось на расстоянии, меньшем или равном 1 мм от фокальной плоскости. Если система перемещения подложки или лазера является недостаточно точной в отношении расстояния между подложкой и фокальной плоскостью, предпочтительно иметь возможность регулировать расстояние между лазером и подложкой. Эта регулировка может быть автоматической, в частности, регулируемой за счет измерения расстояния перед обработкой.

Если перемещается лазерная линия, следует предусмотреть систему перемещения лазера, находящуюся над или под подложкой. Продолжительность обработки регулируется скоростью перемещения лазерной линии.

Конечно, возможны все относительные положения подложки и лазера при условии, что поверхность подложки может надлежащим образом облучаться. Более конкретно, подложка будет расположена горизонтально, но она может также располагаться вертикально или под любым наклоном. Если подложка расположена горизонтально, лазер обычно расположен так, чтобы облучать верхнюю поверхность подложки. Лазер может также облучать внутреннюю поверхность подложки. В этом случае система поддержки подложки, возможно система конвейерного перемещения подложки, если перемещается последняя, должна пропускать излучение в облучаемую зону. Это, например, относится к случаю, когда используют конвейерные ролики: поскольку ролики находятся на расстоянии друг от друга, лазер можно разместить в зоне, расположенной между двумя последовательными роликами.

Если обработке подлежат обе поверхности подложки, можно использовать несколько лазеров, расположенных по обе стороны от подложки, независимо от того, находится ли последняя в горизонтальном, вертикальном положении или под любым наклоном.

Облучающее устройство, например лазер на линии, может быть интегрировано в линию осаждения пленок, например линию осаждения катодным распылением с помощью магнитного поля (магнетронный способ) или линию химического осаждения из газовой фазы (СУЭ), в частности, с помощью плазмы (РЕСУО), в вакууме или под атмосферным давлением (АРРЕСУО). Линия, в общем, содержит устройства манипулирования подложками, установку осаждения, устройства оптического контроля, устройства штабелирования. Подложки перемещаются, например, на конвейерных роликах последовательно перед каждым устройством или каждой установкой.

Облучающее устройство, например лазер на линии, предпочтительно находится после установки осаждения пленки, например на выходе из установки осаждения. Таким образом, покрытую подложку можно обрабатывать на линии после осаждения пленки на выходе из установки осаждения и перед устройствами оптического контроля или же после устройств оптического контроля и перед устройствами штабелирования подложек.

Облучающее устройство может также быть встроено в установку осаждения. Например, лазер можно вводить в одну из камер установки осаждения катодным распылением, в частности в камеру с разреженной атмосферой, в частности с давлением между 10^-6 и 10^-2 мбар. Лазер также может находиться вне установки осаждения, но так, чтобы обрабатывать подложку, расположенную внутри указанной установки. Достаточно предусмотреть для этого окошко, проницаемое на длинах волн используемого излучения, через которое лазерный луч будет обрабатывать пленку. Можно также обрабатывать пленку (например,

- 10 022242 пленку серебра) перед последующим осаждением другой пленки в той же установке. Если поглощающая пленка является верхней пленкой, например металлической, ее окисление во время обработки может затрудняться в случае, если подложка помещена в вакуумную камеру. В этом случае можно обрабатывать пакет в специальной камере, в которой контролируют окисляющую атмосферу.

Независимо от того, находится ли облучающее устройство вне или внутри установки осаждения, эти поточные способы (т.е. на линии) являются более предпочтительными, чем непоточный способ, при котором необходимо штабелировать подложки из стекла между стадией осаждения и термической обработкой.

Непоточные способы могут тем не менее представлять интерес в случаях, когда термическую обработку по изобретению проводят не в том месте, где осуществляют осаждение, например в месте, где осуществляют превращение стекла. Облучающее устройство может, таким образом, встраиваться в другие линии, не являющиеся линиями осаждения пленок. Например, его можно встраивать в линию изготовления многослойного остекления (в частности, двойного или тройного остекления) или в линию изготовления ламинированного остекления. В этих разных случаях термическая обработка по изобретению предпочтительно осуществляется до получения многослойного или ламинированного остекления.

Осаждение пакета на подложку может осуществляться способом любого типа, в частности способами получения преимущественно аморфных или нанокристаллических пленок, такими как способ катодного распыления, в частности, с помощью магнитного поля (магнетронный способ), способ плазмохимического осаждения из газовой фазы (РЕСУЭ), способ вакуумного испарения или способ золь-гель.

Предпочтительно пакет осаждают катодным распылением, в частности с помощью магнитного поля (магнетронный способ).

Для большего упрощения лазерная обработка пленки осуществляется предпочтительно на воздухе и/или при атмосферном давлении. Тем не менее, можно осуществлять термическую обработку пленки в той же камере вакуумного осаждения, например, перед последующим осаждением.

Лазерная обработка предпочтительно является такой, что каждую точку тонкой пленки нагревают до температуры по меньшей мере 300°С, поддерживая температуру меньшей или равной 100°С в любой точке поверхности указанной подложки, противоположной указанной первой поверхности, с тем чтобы повышать степень кристаллизации указанной тонкой пленки, поддерживая ее непрерывной и без этапа плавления указанной тонкой пленки. Тонкая пленка, таким образом, остается непрерывной по окончании обработки.

Под тонкой непрерывной пленкой понимают в контексте настоящего изобретения то, что пленка покрывает, по существу, всю подложку или, в случае пакета, всю прилегающую пленку. Важно, чтобы непрерывный характер тонкой пленки (и, следовательно, ее преимущественные свойства) сохранялись при обработке по изобретению.

Под точкой пленки понимают зону пленки, подвергающуюся обработке в данный момент. По изобретению вся пленка (следовательно, каждая точка) нагревается до температуры по меньшей мере 300°С, но каждая точка пленки необязательно подвергается одновременной обработке. Пленка, в целом, может обрабатываться в один и тот же момент, при этом каждая точка пленки одновременно нагревается до температуры по меньшей мере 300°С. Пленка может альтернативно обрабатываться так, что разные точки пленки или совокупности точек последовательно нагреваются до температуры по меньшей мере 300°С, причем этот второй вариант чаще применяют в случае непрерывного осуществления в промышленном масштабе.

Способ по изобретению можно осуществлять на подложке, находящейся как в горизонтальном, так и в вертикальном положении. Можно также осуществлять его на подложке, снабженной тонкими пленками на обеих поверхностях, при этом по меньшей мере одну пленку одной из поверхностей или каждую пленку обрабатывают по изобретению. В случае если обрабатывают по изобретению тонкие пленки, осажденные на обе поверхности подложки, можно обрабатывать указанные тонкие пленки каждой поверхности либо одновременно, либо последовательно одинаковыми или разными методами, в частности в зависимости от того, является ли природа обрабатываемых пленок одинаковой или разной. Поэтому случай, когда обработке по изобретению подвергаются одновременно обе поверхности подложки, хорошо понятен в рамках изобретения.

Объектом изобретения также являются материалы, которые можно получать способом по изобретению.

В частности, объектом изобретения является подложка из незакаленного стекла, покрытая по меньшей мере на одной поверхности низкоэмиссионным пакетом тонких пленок, содержащим одну тонкую пленку серебра между по меньшей мере двумя тонкими диэлектрическими пленками. Пакет, в частности, является таким, что имеет удельное поверхностное сопротивление, меньшее или равное 1,9 Ом, даже 1,8 Ом, и пакет является таким, что покрытая пакетом подложка из прозрачного стекла толщиной 4 мм имеет светопропускание, большее или равное 75%, даже 76%, и хроматическую величину а* на отражение со стороны пакета, меньшую или равную 5, даже 4, или

- 11 022242 имеет удельное поверхностное сопротивление, большее 1,9 Ом и меньшее или равное 2,4 Ом, и пакет является таким, что покрытая пакетом подложка из прозрачного стекла толщиной 4 мм имеет светопропускание, большее или равное 81%, даже 82%, и хроматическую величину а* на отражение со стороны пакета, меньшую или равную 5, даже 4, или имеет удельное поверхностное сопротивление, большее 2,4 Ом и меньшее или равное 3,0 Ом, и пакет является таким, что покрытая пакетом подложка из прозрачного стекла толщиной 4 мм имеет светопропускание, большее или равное 87%, даже 88%, и хроматическую величину а* на отражение со стороны пакета, меньшую или равную 4.

Физические толщины пленок серебра предпочтительно составляют между 14 и 18 нм при первой альтернативе, между 12 и 16 нм при второй альтернативе и между 10 и 14 нм при третьей альтернативе.

Способ по изобретению за счет оптимизации переноса энергии к пленке серебра, которую он обеспечивает, действительно позволяет получать низкоэмиссионные пакеты, обладающие таким сочетанием излучательной способности, с одной стороны, и оптических свойств (светопропускание и цвет), с другой стороны, которого до сих пор можно было достичь только закалкой.

Светопропускание вычисляют по спектру в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410. Хроматическую величину а* вычисляют с учетом контрольного наблюдателя С1Е 1931 и осветителя Ό65.

Объектом изобретения также является подложка из незакаленного стекла, покрытая по меньшей мере на одной поверхности низкоэмиссионным пакетом тонких пленок, содержащим по меньшей мере две тонких пленки серебра между по меньшей мере двумя тонкими диэлектрическими пленками, так что параметр ΔΕ* между упомянутой покрытой подложкой и покрытой подложкой после закалки меньше или равен 2,0, в частности 1,5. Пакет предпочтительно содержит две или три пленки серебра.

Как известно в технике, ~ ⁺ + (АЬ*)². Калориметрические координаты Ь*, а* и

Ь* вычисляют с учетом осветителя Ό65 и контрольного наблюдателя С1Е 1931. Речь идет о калориметрических координатах на отражение со стороны подложки, т.е. со стороны поверхности, противоположной пакету. Термин ΔΣ* означает изменение координаты Ь* между покрытой подложкой и покрытой подложкой после закалки. То же относится к терминам Δа* и ΔЬ*.

Как указано выше, обработка по изобретению позволяет получать калориметрические свойства, по существу, равные или, по меньшей мере, близкие полученным путем обработки закалкой. Если бы эта незакаленная подложка была впоследствии закалена, ее калориметрические свойства были бы незначительно подвержены влиянию закалки. По сведениям изобретателей, до сих пор еще никакой пакет, содержащий по меньшей мере две пленки серебра, не удовлетворял этому свойству, называемому закаливаемостью.

Пакеты по изобретению предпочтительно имеют общую архитектуру, описанную выше. В целях краткости и ясности соответствующие фрагменты здесь не воспроизводятся, но все подробности относительно положения разных пленок, их функции (первое и второе покрытие, диэлектрические пленки, верхние блокирующие пленки, нижние блокирующие пленки, смачивающая пленка, сглаживающая пленка, верхняя пленка), их химической природы, их толщин, конечно, также являются применимыми в отношении пакетов по изобретению.

Предпочтительно покрытые подложки по изобретению не содержат просветляющего (антибликового) покрытия на поверхности, противоположной низкоэмиссионному пакету тонких пленок.

Подложки, полученные по изобретению, можно использовать в простых, многослойных или ламинированных остеклениях, зеркалах, настенных стеклянных покрытиях. В случае многослойного остекления, содержащего по меньшей мере два листа стекла, разделенных газовой прослойкой, предпочтительно, чтобы пакет находился на поверхности в контакте с указанной газовой прослойкой, в частности на поверхности 2 по отношению к внешней среде (т.е. на поверхности подложки в контакте с внешней средой здания, которая противоположна поверхности, обращенной наружу) или на поверхности 3 (т.е. обращенной наружу поверхности второй подложки, считая от внешней стороны здания).

Нижеследующие неограничивающие примеры иллюстрируют изобретение.

Пример 1

На подложку из прозрачного стекла толщиной 4 мм, выпускаемую под наименованием §ОО Р1аш1их заявителем, осаждали различные низкоэмиссионные пакеты. Все пакеты осаждали известным образом на линии катодного распыления (магнетронный способ), на которой подложка проходит под разными мишенями.

В табл. 1 приведена физическая толщина пленок, выраженная в нм, для каждого испытанного пакета. Первая строка соответствует пленке, наиболее удаленной от подложки, находящейся в контакте с окружающим воздухом.

Поглощение соответствует поглощению покрытой пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 мм на длине волны лазерного излучения (808 нм).

- 12 022242

Таблица 1

Образец	С1	1	2	3	4	5	6
Τί	0	0	3	2	0	2	2
ΖηδηδΙΛ	2	0	0	0	2	0	0
δί3Ν4:Α1	0	0	0	0	20	0	0
ΝΟΝ	0	0	0	0	4	0	0
δί3Ν4:Α1	35	35	40	40	15	35	38
ΖηΟ:Α1	5	5	5	5	5	5	5
Τί	0,5	2	0,5	2	0,5	0,5	θ,5
ΑΒ	9,5	9,5	15	15	11	11	13,5
ΖηΟ:ΑΙ	5	5	5	5	5	5	5
ΤίΟ2	10	10	15	15	10	10	13
$1зМ|:А1	20	20	10	10	20	20	15
Поглощение (%)	9Д	16,3	25,8	30,1	24,2	19,5	21,0

В нижеследующей табл. 2 приведены параметры осаждения, применяемые к разным пленкам.

Таблица 2

Пленка	Используемая мишень	Давление осаждения	Газ
8ί3Ν4	δί:ΑΙ с 92:8 мас.%	1,5*10’^ мбар	Аг/(Лг+МД с 45% Аг
Т1О2	ΤίΟχ с χ порядка 1,9	1,5*10^ мбар	Аг/(Аг+О2) с 95% Аг
ΖηδηδΟΟχ	δηΖη:80 с 34:65:1 мас,%	2χ1 (Г’ мбар	Аг/(Аг+Ог) с 58% Аг
ΖηΟ:Α1	Ζη:Α1 с 98:2 мас.%	2x10'5 мбар	ЛгТЛгЛЭ,) с 52% Аг
Τί	Τί	2x10 ’ мбар	Аг
ΝΒΝ	N0	2*10'^ мбар	Αγ/(Αγ+Ν2) с 40% Аг
Αδ	Α§	2x10’’ мбар	100% Аг

Каждый из этих пакетов содержит одну пленку серебра толщиной 15, 13,5, 11 или 9,5 нм в соответствии с примерами. Все имеют верхнюю блокирующую пленку из металлического титана, смачивающую пленку из оксида цинка, две диэлектрических пленки из нитрида кремния. Образец С1 является сравнительным примером. Он содержит верхнюю непоглощающую пленку из оксида цинка и олова, легированного сурьмой, и верхнюю блокирующую пленку традиционной толщины (0,5 нм), что приводит к низкому поглощению на длине волны лазера. Образец 1 по изобретению содержит утолщенную верхнюю блокирующую пленку (2 нм), так что поглощение достигает значения 16%. Образцы 2, 3, 5 и 6 по изобретению имеют верхнюю металлическую пленку из титана. Верхняя блокирующая пленка из примера 3, кроме того, является утолщенной до 2 нм. С учетом увеличенной толщины титана, вызванной этими изменениями, поглощение покрытой подложки достигает в этих примерах значений от 20 до 30%. Образец 3 сам по себе содержит поглощающую пленку нитрида ниобия, которая позволяет достигать поглощения 24%. Этот пакет выполняет одновременно низкоэмиссионную функцию и функцию регулирования солнечного освещения.

Эти разные образцы обрабатывают с помощью лазера на линии, испускающего излучение с длиной волны 808 нм, мимо которого покрытая подложка совершает поступательное движение.

Ниже в табл. 3 указаны скорость движения в метрах в минуту, удельное поверхностное сопротивление, обозначенное К_с и выраженное в Ом, до и после лазерной обработки, относительное уменьшение удельного поверхностного сопротивления в результате обработки, обозначенное ДК_с и выраженное в %, нормальная излучательная способность при температуре 283 К, вычисляемая в соответствии со стандартом ΕΝ 12898 исходя из спектра на отражение в спектральном диапазоне от 5 до 50 мкм, обозначенная ε_η и выраженная в %, до и после лазерной обработки, относительное уменьшение нормальной излучательной способности в результате обработки, обозначенное Δε_η и выраженное в %, свето- и энергопропускание образца в соответствии со стандартом ΝΕ ΕΝ 410 до и после лазерной обработки, хроматическая величина а* на отражение со стороны пакета, вычисляемая с учетом контрольного наблюдателя С1Е 1931 и осветителя Ό65.

- 13 022242

Таблица 3

Образец	С1	С1	1	1	2	3	4	5	6
Скорость (м/мин)	10	4	10	4	8	10	10	8	8
К, до (Ом)	4,70	4,70	4,82	4,82	2,20	2,20	3,67	3,70	2,72
К,; после (Ом)	4,65	4,51	4,10	3,75	1,72	1,67	2,97	2,84	2,12
ДК.(%)	1,1	4,2	15	22	22	24	19	23	22
Сдо(%)	5,2	5,2	5,3	5,3	2,4	2,4	4,0	4,0	3,0
после (%)	5,2	5,0	4,5	4,1	1,8	1,8	3,2	3Ί	2,3
ДЕ,(%)	0	3,8	15	23	25	25	20	22	23
Тьдо(%)	89,0	89,0	81,8	81,8	57,0	57,1	64,3	76,5	71,5
Тг после (%)	89,0	89,1	88,9	89,2	65,4	76,5	65,1	88,0	83,2
а* после	1,5	1,5	2,3	2,6	3,3	3,2	-2,2	2,5	2,8
ТЕдо(%)	67,2	67,2	58,4	58,4	40,1	38,3	45,9	50,5	46,4
Те после (%)	67,2	67,3	67,1	66,5	47,2	47,3	46,1	61,3	57,1

Образцы по изобретению после лазерной обработки проявляют падение удельного поверхностного сопротивления и излучательной способности по меньшей мере на 15, даже 20% у образцов, наиболее поглощающих до обработки, что свидетельствует о значительном улучшении кристаллизации пленок серебра, в частности об увеличении размеров зерен кристаллизованного серебра. Снижение скорости обработки позволяет еще больше понизить величины удельного поверхностного сопротивления и излучательной способности.

В случае образцов 1-3 и 5-6 светопропускание, которое было слабым до обработки, поскольку пакет был поглощающим, существенно увеличивается при одинаковой толщине серебра до достижения величины, сравнимой с этой величиной у образца С1, плохо поглощающего до обработки. Это увеличение светопропускания происходит из-за окисления титана при обработке. В противоположность этому, светопропускание образца 4 мало изменяется в ходе лазерной обработки возможно потому, что пленка нитрида кремния, осажденная поверх пленки нитрида ниобия, защищает последний от окисления.

Для сравнения, образец С1, когда его обрабатывают с такой же скоростью, испытывает лишь минимальное падение удельного поверхностного сопротивления. Уменьшение скорости обработки до 4 м/мин все еще является недостаточной в отношении уменьшения удельного поверхностного сопротивления и излучательной способности. Адаптация пакета позволяет, таким образом, существенно ускорить обработку и/или получать более высокие характеристики при той же скорости обработки.

Эти примеры также показывают, что способ по изобретению позволяет получать пакеты на незакаленном стекле, в которых сочетаются удельное поверхностное сопротивление, меньшее или равное 1,9 Ом, светопропускание, большее или равное 75%, и хроматическая величина а*, меньшая или равная 5, что относится к примерам 2 и 3, удельное поверхностное сопротивление, меньшее или равное 2,4 Ом, светопропускание, большее или равное 81%, и хроматическая величина а*, меньшая или равная 5, что относится к примеру 6, удельное поверхностное сопротивление, меньшее или равное 3,0 Ом, светопропускание, большее или равное 87%, и хроматическая величина а*, меньшая или равная 4, что относится к примеру 5.

Образец 2 также подвергся закалке либо после лазерной обработки, либо непосредственно после осаждения (следовательно, без лазерной обработки).

В нижеследующей табл. 4 указаны светопропускание (в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410) и калориметрические координаты на отражение со стороны пакета (осветитель Ό65, контрольный наблюдатель С1Е 1931) до лазерной обработки, после лазерной обработки, после лазерной обработки с последующей закалкой и после закалки (без лазерной обработки). В табл. 4 также приведены изменения калориметрии образца, вызванные лазерной обработкой или закалкой. Эти изменения выражены при помощи параметра ΔΕ*, определенного выше. Сравниваются образец до лазерной обработки с обработанным образцом (эффект лазерной обработки) и с закаленным образцом (эффект закалки), образец после лазерной обработки с закаленным образцом (но не обработанным лазером: сравнение между эффектами лазерной обработки и эффектами закалки) и образец после лазерной обработки с образцом, обработанным лазером и затем закаленным.

- 14 022242

Таблица 4

До лазера	ТЬ	65,4
ь*	42,8
а*	6,3
Ъ*	-11,5
После лазера	ТЬ	76,5
Ь‘	46,4	ΔΕ* до/после лазера	6,9
а*	3,3
	ъ*	-6,5
После лазера с последующей закалкой	ТЬ	76,9
ь*	46,7	ΔΕ* после лазера/после лазера с последующей закалкой	0,8
а*	3,4
Ь*	-5,8
После закалки	ТЬ	76,7
ь*	46,7	ΔΕ* до/после закалки	7,3
а*	3,4
ь*	-6,1
			ΔΕ* после лазера/после закалки	0,5

Из табл. 4 следует, что калориметрические координаты подложки, обработанной по изобретению, очень близки к калориметрическим координатам закаленной подложки. Аналогично, калориметрические координаты подложки, обработанной по изобретению, очень близки к калориметрическим координатам подложки, обработанной по изобретению с последующей закалкой. Обработка по изобретению позволит, таким образом, получать незакаленную подложку, пакет которой всегда является закаливаемым в том смысле, что его калориметрические свойства не будут существенно изменены закалкой. Таким образом, можно объединять на одном фасаде закаленные и незакаленные подложки.

Пример 2

В этом примере обрабатывают по изобретению пакеты, содержащие две или три пленки серебра, осажденные на ту же подложку, которую использовали в примере 1.

В табл. 5 приведена физическая толщина пленок, выраженная в нм, для каждого испытанного пакета. Первая строка соответствует пленке, наиболее удаленной от подложки, в контакте с окружающим воздухом.

Таблица 5

- 15 022242

Образцы 7 и 8 представляют собой пакеты, содержащие 2 пленки серебра. Образец 8 содержит блокирующие пленки из сплава никеля и хрома, а также поглощающую пленку из нитрида ниобия, так что его поглощение выше, чем в примере 7. Образец 9 содержит 3 пленки серебра.

Эти разные образцы обрабатывали при помощи лазера на линии, испускающего излучение с длиной волны 808 нм, мимо которого покрытая подложка совершает поступательное движение. Затем образцы закаливали известными специалисту методами.

Ниже в табл. 6 и 7 указаны скорость движения в метрах в минуту, удельное поверхностное сопротивление, обозначенное К_с и выраженное в Ом, до и после лазерной обработки, относительное уменьшение удельного поверхностного сопротивления в результате обработки, обозначенное ДК_с и выраженное в %, нормальная излучательная способность при температуре 283 К, вычисляемая в соответствии со стандартом ΕΝ 12898 исходя из спектра на отражение в спектральном диапазоне от 5 до 50 мкм, обозначенная ε_η и выраженная в %, до и после лазерной обработки, относительное уменьшение нормальной излучательной способности в результате обработки, обозначенное Δε_η и выраженное в %, светопропускание образца в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410 до лазерной обработки, после лазерной обработки, после лазерной обработки с последующей закалкой или после только закалки (без лазерной обработки), энергопропускание в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410 до и после лазерной обработки, хроматические величины Ь*, а*, Ь* на отражение со стороны поверхности, противоположной пакету (сторона подложки), вычисляемые с учетом контрольного наблюдателя С1Е 1931 и осветителя Ό65, до лазерной обработки, после лазерной обработки, после лазерной обработки с последующей закалкой или после только закалки (без лазерной обработки), солнечный фактор, вычисляемый в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410 для двойного остекления, содержащего две подложки из прозрачного стекла толщиной 6 мм, обрамляющие прослойку толщиной 15 мм, содержащую 90% аргона, в котором пакет находится на поверхности 2, т.е. на поверхности подложки, находящейся в контакте с внешней средой здания, которая является противоположной поверхности, обращенной наружу (последняя называется поверхностью 1), селективность, которая является отношением между светопропусканием, вычисляемым в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410, и солнечным фактором. В этом случае светопропускание является светопропусканием двойного остекления, применяемого для вычисления солнечного фактора.

Таблица 6

Образец	7	8	9
Скорость (м/мин)	15	18	14
Кс до (Ом)	2,44	2,60	1,31
Кс после (Ом)	1,86	1,96	1,05
ДКс (%)	24	25	20
ε„ до (%)	2,7	2,9	2,2
ε„ после (%)	2Д	2,2	1,8
ΔΕ„ после (%)	22	24	18
ТЕдо(%)	36,9	19,4	29,8
Те после (%)	39,2	22,2	32,3
Солнечный фактор до	35,0	20,6	28,7
Солнечный фактор после	36,8	22,9	30,8
Селективность до	1,72	1,60	2,02
Селективность после	1,75	1,74	2,06

В этих пакетах с 2 или 3 пленками серебра присутствие нескольких блокирующих пленок позволяет получать высокие поглощения на длине волны лазера и, следовательно, существенно понизить удельное поверхностное сопротивление и излучательную способность. Селективность полученных пакетов повышается по относительной величине более чем на 1%, даже более чем на 2%.

Табл. 7 позволяет сравнить калориметрические координаты на отражение со стороны подложки у образцов до лазерной обработки, после лазерной обработки, после лазерной обработки с последующей закалкой и после закалки (без лазерной обработки).

- 16 022242

Таблица 7

Образец	7	8	9
Т|_ до лазера (%)	68,3	36,5	64,4
Ть после лазера (%)	72,9	44,2	70,2
Ть после лазера с последующей закалкой (%)	73,1	44,7	71,4
Ть после закалки (%)	73,3	44,6	71,5
Ь* до лазера	42,1	50,3	32,5
Ь* после лазера	42,6	51,0	34,1
Ь* после лазера с последующей закалкой	43,0	51,0	35,1
I.* после закалки	42,9	51,0	35,0
а* до лазера	-0,4	-1,8	-0,5
а* после лазера	1,6	-4,5	-0,7
а* после лазера с последующей закалкой	1,8	-5,6	-0,9
а* после закалки	1,7	-5,5	-0,9
Ь* до лазера	-14,2	-8,1	-7,4
Ь* после лазера	-13,8	-6,5	-6,6
Ь* после лазера с последующей закалкой	-13,0	-6,1	-5,8
Ь* после закалки	-13,2	-6,1	-6,0

Значения ΔΕ* были следующими. Для образца 7 оно составляет 0,9 между образцом, обработанным лазером, и образцом, обработанным лазером с последующей закалкой, и 0,7 между образцами, соответственно обработанным лазером и закаленным (без лазерной обработки). Для образца 8 эти значения соответственно составляют 1,2 и 1,1. Для образца 9 эти значения соответственно составляют 1,3 и 1,1. Следовательно, можно объединять на одном фасаде обработанные по изобретению (незакаленные) подложки, только закаленные подложки и подложки, обработанные по изобретению с последующей закалкой.

Пример 3

На подложку из прозрачного стекла толщиной 4 мм, выпускаемую под наименованием §00 Р1ат1их заявителем, осаждали различные низкоэмиссионные пакеты. Все пакеты осаждали известным образом на линии катодного распыления (магнетронный способ), на которой подложка перемещается под разными мишенями.

На пакет типа подложка/§1₃М|/2пО/Лд/№Сг/2пО/§1₃М| осаждали поглощающую пленку из титана толщиной примерно 3 нм для образца 10 и поглощающую пленку из титана толщиной 1,5 нм, оканчивающуюся пленкой углерода толщиной примерно 2 нм для образца 11.

Поглощение, которое соответствует поглощению покрытой пакетом подложки из прозрачного стекла толщиной 4 нм на длине волны лазерного излучения (в этом примере 980 нм), составляет 15,3% для образца 10 и 19,4% для образца 11.

Пленку углерода получают катодным распылением при помощи графитовой мишени в атмосфере аргона. Присутствие этой пленки углерода позволяет еще больше повысить поглощение лазерного излучения.

Эти разные образцы обрабатывают при помощи лазера на линии, испускающего излучение с длиной волны 980 нм, мимо которого поступательно движется покрытая подложка.

Ниже в табл. 8 указаны скорость движения в метрах в минуту, удельное поверхностное сопротивление, обозначенное К_с и выраженное в Ом, до и после лазерной обработки, относительное уменьшение удельного поверхностного сопротивления в результате обработки, обозначенное АК_с и выраженное в %, светопропускание образца в соответствии со стандартом ΝΡ ΕΝ 410 до и после лазерной обработки.

- 17 022242

Таблица 8

Эти результаты показывают, что верхняя пленка углерода позволяет получить существенные выгоды в том, что касается скорости прохождения.

Claims (16)

1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

   1. Способ получения подложки, покрытой по меньшей мере на одной поверхности низкоэмиссионным пакетом тонких пленок, включающий в себя следующие стадии:

   осаждают по меньшей мере на одну поверхность подложки пакет тонких пленок, содержащий по меньшей мере одну тонкую пленку серебра по меньшей мере между двумя тонкими диэлектрическими пленками и по меньшей мере одну дополнительную тонкую пленку, причем поглощение упомянутого пакета тонких пленок по меньшей мере на одной длине волны лазерного излучения, используемого на последующей стадии термической обработки, является таким, что при нанесении на подложку из прозрачного стекла толщиной 4 мм поглощение покрытой упомянутым пакетом тонких пленок подложки из прозрачного стекла на упомянутой по меньшей мере одной длине волны составляет по меньшей мере 10%;

   термически обрабатывают эту по меньшей мере одну покрытую поверхность с использованием по меньшей мере одного источника лазерного излучения, излучающего по меньшей мере на одной длине волны в зоне поглощения дополнительной тонкой пленки между 500 и 2000 нм, так что удельное поверхностное сопротивление пакета тонких пленок снижается по меньшей мере на 5%.
2. 2. Способ по п.1, где режим термообработки устанавливают таким, что температура поверхности подложки, противоположной поверхности, обрабатываемой упомянутым по меньшей мере одним источником лазерного излучения, во время термической обработки не превышает 100°С, в частности 50 и даже 30°С.
3. 3. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем упомянутую по меньшей мере одну покрытую поверхность термически обрабатывают с использованием по меньшей мере одного источника лазерного излучения, излучающего по меньшей мере на одной длине волны между 500 и 2000 нм, так что удельное поверхностное сопротивление пакета тонких пленок снижается по меньшей мере на 15%.
4. 4. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем пакет тонких пленок, осажденный по меньшей мере на одну поверхность упомянутой подложки, содержит по меньшей мере две пленки серебра, причем каждая из пленок серебра находится между двумя тонкими диэлектрическими пленками.
5. 5. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем пакет тонких пленок осаждают на подложку, выполненную из стекла или из полимерного органического вещества.
6. 6. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем дополнительная тонкая пленка является металлической пленкой, которая осаждена непосредственно над пленкой серебра или непосредственно под пленкой серебра и толщина которой составляет между 2 и 5 нм, в частности между 3 и 5 нм, причем металлическую пленку выбирают, в частности, из пленок на основе титана, никеля, хрома, ниобия или любого из их сплавов.
7. 7. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем дополнительная тонкая пленка является пленкой нитрида, в частности нитрида, выбранного из стехиометрических нитридов ниобия или титана, или любой их смеси, или нестехиометрических по азоту нитридов кремния, алюминия, ниобия или титана, или любых их смесей.
8. 8. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем дополнительная тонкая пленка является пленкой, находящейся в контакте с воздухом и состоящей из металла, нестехиометрического по кислороду оксида металла или нитрида металла.
9. 9. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем дополнительная тонкая пленка является пленкой нестехиометрического по кислороду оксида металла, находящейся под и предпочтительно в контакте с упомянутой или каждой пленкой серебра или находящейся на и предпочтительно в контакте с упомянутой или каждой пленкой серебра.
10. 10. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем дополнительная тонкая пленка является пленкой на основе углерода, в частности графитового или аморфного типа, в контакте с воздухом.
11. 11. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем удельную мощность лазерного излучения на единицу площади пакета тонких слоев устанавливают большей или равной 20 кВт/см², в част- 18 022242 ности 30 кВт/см².
12. 12. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем используют лазер, образующий линию, которая одновременно облучает всю ширину подложки или ее часть.
13. 13. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем осуществляют относительное перемещение между подложкой, покрытой пленкой, и лазером со скоростью, большей или равной 4 м/мин, в частности 6 м/мин.
14. 14. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем длина волны лазерного излучения составляет между 530 и 1000 нм.
15. 15. Способ по любому из предшествующих пунктов, причем тонкие пленки осаждают катодным распылением в магнитном поле.
16. 16. Способ по любому из предшествующих пунктов, дополнительно включающий стадию закалки, осуществляемую после стадии термической обработки.