DE869718C - Verfahren zum elektrolytischen AEtzen und Polieren von Germaniumkristallen - Google Patents

Verfahren zum elektrolytischen AEtzen und Polieren von Germaniumkristallen

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DE869718C
DE869718C DEL8949A DEL0008949A DE869718C DE 869718 C DE869718 C DE 869718C DE L8949 A DEL8949 A DE L8949A DE L0008949 A DEL0008949 A DE L0008949A DE 869718 C DE869718 C DE 869718C
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Germany
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polishing
electrolytic etching
germanium
germanium crystals
crystals
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DEL8949A
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Gerhard Dr-Ing Weitbrecht
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/16—Polishing
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    • H10P50/60—Wet etching
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Description

  • Verfahren zum elektrolytischen Ätzen und Polieren von Germaniumkristallen Bisher wurden Germaniumflächen mit geruchsbelästigenden Säuren, wie H N 03 und H2 F2 geätzt, die zudem ein besonderes Gefäßmaterial erfordern.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektrolytischen Ätzen und Polieren von Germaniumkristallen, , insbesondere für Kristalle, die zur Herstellung von in Flußrichtung gut leitenden Germaniumgleichrichtern verwendet werden sollen. Es unterscheidet sich von den bisher bekannten Verfahren dadurch, daß als Elektrolyt zum Ätzen und Polieren eine Lösung von Phosphorsäure H3 P 04, vorzugsweise in Wasser, verwendet wird. Dabei schaltet man die zu polierende !Germaniumfläche als Anode und beispielsweise ein Kupferblech als Kathode. Dieses Verfahren vermeidet die angegebenen Nachteile und ergibt überraschenderweise, daß es nicht nur zum reinen ,Abtragen der durch Schleifen unwirksam gewordenen Oberflächenschichten führt, sondern daß auch bei Verwendung von nach ihm .behandelten Kristallen in Trockengleichrichtern eine Verbesserung der Gleichrichtung in Flußrichtung eintritt.
  • Eine besonders günstige Wirkung wird erzielt, wenn der Elektrolyt zo bis 70 % H3 P04, vorzugsweise 45 % H3 P 04, enthält.
  • Beim elektrolytischen Ätzen erweist es sich als vorteilhaft, eine Stromdichte von o,r bis o.5 Amp./cm2 zu verwenden und den Ätzvorgang 5 bis( io Minuten andauern zu lassen.. Dies. entspricht bei der üblichen Dimensionierung !der Bäder der Verwendung einer Spannung von 5 Volt.
  • Um eine gute Wirkung beim Polieren zu erzielen, elektrölysiert man vorteilhaft mit einer Stromdichte von o,oo5 bis o,r Amp./cm2, vorzugsweise mit einer Stromdichte von o,025 Amp./cm2, und zwar über einen Zeitraum von 5 bis 30 Minuten.
  • Der besondere Vorteil dieses Verfahrens ist z. B. bei Trockengleichrichtern in der Erhöhung des Flußstromes zu sehen, .der auf mehr als das Doppelte ansteigt und eine gerade Flußkanallinie ergibt.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: -i. Verfahren zum elektrolytischen Ätzen und Polieren von Germaniumkristallen, insbesondere für Germaniumgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrolyt eine Lösung von H3 P 04, vorzugsweise in Wasser, verwendet wird.
  2. 2. Verfahren nach ;Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, .daß der Elektrolyt io bis 70 °/o H3 P 04, vorzugsweise 45 % H3 P 04, enthält.
  3. 3. Verfahren zum elektrolytischen Ätzen nach Anspruch i und 2; dadurch gekennzeichnet, daß eine Stromdichte von o,i bis o,5 Amp./cm2, vorzugsweise o,25 Amp./cm2, verwendet wird und daß das Ätzen 5 bis io Minuten dauert. q.. Verfahren zum elektrolytischen Polieren nach Anspruch i und 2, insbesondere zur Anwendung nach elektrolytischem Ätzen gemäß !Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Stromdichte von o,oo5 bis o,i Amp./em2, vorzugsweise o,025 Amp./cm2; verwendet wird und daß das Polieren 5 bis 30 Minuten dauert.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1052204B (de) * 1956-08-24 1959-03-05 Ver Deutsche Metallwerke Ag Verfahren zur anodischen Erzeugung von Haftoberflaechen an Gegenstaenden aus Aluminium oder - legierungen
US2890159A (en) * 1956-08-31 1959-06-09 Sony Corp Method of etching a surface of semiconductor device

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