DE754896C - Verfahren zur Herstellung von Scheiben fuer Selentrockengleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Scheiben fuer Selentrockengleichrichter

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DE754896C
DE754896C DES142504D DES0142504D DE754896C DE 754896 C DE754896 C DE 754896C DE S142504 D DES142504 D DE S142504D DE S0142504 D DES0142504 D DE S0142504D DE 754896 C DE754896 C DE 754896C
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DE
Germany
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counter electrode
selenium layer
disks
heat treatment
selenium
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Expired
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DES142504D
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English (en)
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Georg Hoppe
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/105Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Scheiben für Trockengleichrichter mit einer Selenschicht. Es ist bekannt, daß derartige Gleichrichterscheiben nach der Umwandlung des Selens und nach einer etwaigen darauffolgenden Heißbehandlung mit einer Gegenelektrode versehen werden. Fast immer wird die Gegenelektrode aufgespritzt. Derartig hergestellte Scheiben zeigen nun verhältnismäßig starke Streuungen in ihren elektrischen Werten, vor allem im Vorstromwiderstand, und erhebliche Alterungserscheinungen, vor allem ein Nachlassen oder Veränderungen der Gleichrichterwirkung.
Diese Mängel sind darauf zurückzuführen, daß die metallische Selenschicht, wenn sie der Luft ausgesetzt ist, Feuchtigkeit aufnimmt. Die Feuchtigkeitsaufnahme ist von der relativen Luftfeuchtigkeit abhängig. Die Feuchtigkeitsaufnahme wird daher nach der Erfindung bei dem Verfahren zur Herstellung von Scheiben für Trockengleichrichter mit einer Selenschicht und einer vorzugsweise aufgespritzten Gegenelektrode vor dem Aufbringen der Gegenelektrode auf die ·
Selenschicht weitgehend- verhindert oder rückgängig gemacht.
Besonders vorteilhaft ist es, die Gegenelektrode auf die Scheibe, unmittelbar nachdem die Scheiben den Ofen verlassen haben, aufzuspritzen, bevor sie also die Möglichkeit hatten, Feuchtigkeit aufzunehmen.
Man kann aber auch die Gegenelektrode
bei der letzten Heißbehandlung auf die heiße
ίο Selenschicht spritzen, ehe diese Feuchtigkeit aufnehmen kann, z. B. ehe die Scheiben den Ofen verlassen.
Das Spritzen erfolgt zweckmäßigerweise bei einer Temperatur der Scheibe, die über dem Schmelzpunkt des Spritzmetalls liegt. Es hat sich gezeigt, daß hierdurch die Vorteile der Erfindung noch verstärkt werden. • Die Ursache liegt vermutlich darin, daß die Spritzschicht der Gegenelektrode dicht zusammenschmilzt und alle etwa vorhandenen Poren sich schließen, so daß auch eine nachträgliche Feuchtigkeitsaufnahme vermieden wird.
Als Werkstoff für die Gegenelektrode kann jedes übliche Spritzmaterial genommen werden. Besonders zweckmäßig ist jedoch im vorliegenden Fall ein Spritzmetall mit niedrigem Schmelzpunkt, z. B. das Wismut-Kadmium-Zinn-Eutektikum. Infolge des niedrigen Schmelzpunktes bleibt das Metall der Gegenelektrode beim Abkühlen lange flüssig und wird hierbei sehr dicht, wodurch das Eindringen von Feuchtigkeit mit Sicherheit verhindert wird.
Es ist aber auch möglich, das Spritzen der Gegenelektrode erst nach Tagen oder Wochen nach der letzten Heißbehandlung vorzunehmen, ohne daß die fertigen Scheiben die bisherigen Nachteile aufweisen. Nach der Erfindung werden die Scheiben mit Hilfe von feuchtigkeitsentziehenden Mitteln oder durch Lagerung bei einer Temperatur von etwa 6o° bis zum Spritzen aufbewahrt. Bei einer Temperatur von 6o° beträgt nämlich die relative Feuchtigkeit nur etwa V10 der relativen Luftfeuchtigkeit bei Zimmertemperatur (180C). Beispielsweise hat sich folgendes Verfahren als sehr günstig erwiesen: Die Scheiben kommen nach der letzten Heißbehandlung in noch heißem oder abgekühltem Zustand in einen Trockner, der mit einem der üblichen Trockenmittel, z. B. Chlorcalcium, versehen ist und nach dem Beschicken ausgepumpt wird. Durch diese Art der Aufbewahrung der ungespritzten Scheiben kann nicht nur die spätere Alterung der elektrischen Werte verhindert werden, sondern sogar eingetretene Feuchtigkeitsaufnahme, die eine Alterung hervorrufen könnte, rückgängig gemacht werden.
Läßt man jedoch Scheiben sich sogar bis auf Raumtemperatur abkühlen und spritzt dann sofort die Gegenelektrode auf, so haben solche Scheiben zwar nicht so gute Eigenschaften wie diejenigen, bei denen die Aufnähme von Feuchtigkeit vollständig verhindert worden ist, sie sind aber gegenüber den normal hergestellten Scheiben, die nicht sofort nach dem Abkühlen gespritzt werden, immer noch besser in bezug auf die Alterung und Streuung der elektrischen Werte.

Claims (6)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    i. Verfahren zur Herstellung von Scheiben für Trockengleichrichter mit einer Selenschicht und einer vorzugsweise aufgespritzten Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Gegenelektrode auf die Selenschicht 8< > eine Feuchtigkeitsaufnahme der Selenschicht weitgehend "verhindert oder rückgängig gemacht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode unmittelbar nach der letzten Heißbehandlung auf die Selenschicht aufgespritzt wird.-
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode bei der letzten Heißbehandlung der Selenschicht auf die Selenschicht aufgespritzt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheiben nach der letzten Heißbehandlung bis zum Aufspritzen der Gegenelektrode mit Hilfe von feuchtigkeitsentziehenden Mitteln aufbewahrt werden.
  5. 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1, 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Spritzen der Gegenelektrode bei einer Temperatur der Scheiben erfolgt, die über dem Schmelzpunkt des Spritzmetalls liegt.
  6. 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1, 2, 3 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Werkstoff für die Elektrode in an sich bekannter Weise Metalle oder Legierungen mit niedrigem Schmelzpunkt verwendet werden, insbesondere eine Wismut-Kadmium-Zinn-Legierung.
    © 5517 1Ö.
DES142504D 1940-10-02 1940-10-02 Verfahren zur Herstellung von Scheiben fuer Selentrockengleichrichter Expired DE754896C (de)

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