CH231349A - Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterscheiben. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterscheiben.

Info

Publication number
CH231349A
CH231349A CH231349DA CH231349A CH 231349 A CH231349 A CH 231349A CH 231349D A CH231349D A CH 231349DA CH 231349 A CH231349 A CH 231349A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
counter
electrode
selenium
panes
counter electrode
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Hermes Patentverwertun Haftung
Original Assignee
Hermes Patentverwertungs Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hermes Patentverwertungs Gmbh filed Critical Hermes Patentverwertungs Gmbh
Publication of CH231349A publication Critical patent/CH231349A/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/105—Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Description


  Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterscheiben.    Die     Erfindung    betrifft ein Verfahren zur  Herstellung von Trockengleichrichterscheiben  mit einer Selenschicht. Es ist bekannt, der  artige Gleichrichterscheiben nach der Um  wandlung des Selens und nach Ausbildung  einer     Sperrschicht        zum,        Beispiel    nach     einer     weiteren Heissbehandlung mit einer     Gegen-          elektro,de    zu     versehen.    Fast immer     wird    die  Gegenelektrode aufgespritzt.

   Derartig her  gestellte Scheiben zeigen nun untereinander  verhältnismässig starke Streuungen in ihren  elektrischen Werten, vor allem im Vorstrom  widerstand, und erhebliche Alterungserschei  nungen, vor allem ein Nachlassen der Gleich  richterwirkung.  



  Diese Mängel sind darauf zurückzufüh  ren, dass die kristallinische Selenschicht,  wenn sie der Luft ausgesetzt ist, Feuchtig  keit aufnimmt. Die Feuchtigkeitsaufnahme  ist also von der relativen Luftfeuchtigkeit  abhängig. Erfindungsgemäss werden die  Nachteile dadurch     beseitigt,    dass die Selen  schicht vor dem Aufbringen der Gegen-    elektrode in einen Zustand versetzt wird, in  welchem in ihr keine die Gleichrichterwir  kung schädigenden Feuchtigkeitsmengen ent  halten     sind.     



  Besonders vorteilhaft ist es, die Gegen  elektrode auf die Scheiben     aufzuspritzen,     unmittelbar nachdem die Scheiben den Ofen  verlassen haben, bevor sie also die Möglich  keit hatten, Feuchtigkeit aufzunehmen.  



  Man kann aber auch die Gegenelektrode  während der letzten     Heissbehandlung    auf die  heisse Selenschicht spritzen, bezw. ehe die  Scheiben den Ofen verlassen, das heisst also,  ehe die Selenschichtfeuchtigkeit aufnehmen  kann.  



  Das Spritzen erfolgt zweckmässigerweise  bei einer Temperatur der Scheibe, die über  dem Schmelzpunkt des Spritzmetalles liegt.  Es hat sich gezeigt, dass hierdurch die Vor  teile der     Erfindung    noch verstärkt werden.  Die Ursache liegt vermutlich darin, dass bei  der genannten     Behandlungstemperatur    die       Metallspritzschicht    dicht zusammenschmilzt      und alle etwa vorhandenen Poren geschlossen  werden, so dass auch eine nachträgliche       Feuchtigkeitsaufnahme    vermieden wird.  



  Als Material für die Gegenelektrode  kann jedes übliche Spritzmetall genommen  werden. Besonders zweckmässig ist jedoch im  vorliegenden Fall ein Spritzmetall mit mög  lichst niedrigem     Schmelzpunkt.    Als     solches     eignet sich am besten eine     Wismut-Cadmium-          Zinn-Legierung,    z. B. das     Wismut-Cadmium-          Zinn-Eutektikum.    Infolge des niedrigen  Schmelzpunktes bleibt das Metall der Gegen  elektrode beim Abkühlen lange flüssig und  wird     hierbei    sehr dicht, wodurch das Ein  dringen von Feuchtigkeit in die Selenschicht  mit Sicherheit     verhindert    wird.  



  Es ist aber auch möglich, das Spritzen  der Gegenelektrode erst nach Tagen oder  Wochen nach der letzten Heissbehandlung  vorzunehmen, ohne dass die fertigen Scheiben  die     bisherigen    Nachteile aufweisen. In     diesem     Falle können die Scheiben mit Hilfe von  feuchtigkeitsentziehenden Mitteln oder durch  Lagerung bei einer Temperatur von etwa 60"       bis    zum     Spritzen    aufbewahrt wurden. Bei  der Temperatur von 60" beträgt nämlich die  relative Feuchtigkeit der Luft nur etwa     ',h"     der relativen Luftfeuchtigkeit bei Zimmer  temperatur (18").

   Beispielsweise hat sich  folgendes Verfahren als sehr günstig erwie  sen: Die Scheiben kommen nach der letzten       Heissbehandlung    in noch heissem oder abge  kühltem Zustand in einen Trockner, der mit  einem der üblichen Trockenmittel, z. B.  Chlorkalzium, versehen ist und nach dem       Beschicken    ausgepumpt wird. Durch diese  Art der Aufbewahrung der ungespritzten  Scheiben kann nicht nur die spätere     Alterung     der elektrischen Werte verhindert werden,  sondern sogar eingetretene Feuchtigkeitsauf  nahme, die eine Alterung hervorrufen könnte,  rückgängig gemacht werden.  



  Lässt man die mit der Selenschicht be  deckten Scheiben sich sogar bis auf Raum  temperatur abkühlen und spritzt dann sofort  die Gegenelektrode auf, so haben solche  Scheiben zwar nicht so gute     Eigenschaften     wie diejenigen, bei denen die Aufnahme von    Feuchtigkeit vollständig verhindert worden  ist sie s=ind aber gegenüber den normal her  gestellten Scheiben, die nicht sofort nach dem  Abkühlen gespritzt werden, immer noch bes  ser in bezog     auf    die Alterung und Streuung  der elektrischen Werte.

Claims (1)

  1. <B>PATENTANSPRUCH:</B> Verfahren zur Herstellung von Selen trockengleichrichtet;scheiben mit einer Selen schicht und einer aufgebrachten metallischen Gegenelektrode, dadurch. gekennzeichnet, dass die Selenschicht vor dem Aufbringen der Gegenelektrode in einen Zustand versetzt wird, in welchem in ihr keine die Gleich richterwirkung schädigenden Feuchtigkeits mengen enthalten sind. UN TERANSPR üCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass von der Selen schicht aufgenommene Feuchtigkeit vor dem Aufbringen der Gegenelektrode durch Trock nen entfernt wird. 2.
    Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die Aufnahme schädlicher Feuchtigkeitsmengen durch Auf bringen der Gegenelektrode unmittelbar nach der letzten Heissbehandlung der Scheiben verhindert wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die mit. der Selen- schiebt bedeckten Scheiben nach der letzten Heissbehandlung bis zum Aufbringen der Gegenelektrode auf einer Temperatur von mindestens 60"C gehalten werden. 4.
    Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die mit der Selen- sehicht bedeckten Scheiben nach der letzten Heissbehandlung bis zum Aufbringen der Gegenelektrode mit Hilfe von feuchtigkeits entziehenden Mitteln trocken gehalten werden. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die Gegenelek trode während der letzten Heissbehandlung der Scheibe auf die Selenschicht aufgebracht wird. 6.
    Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Gegenelektrode durch Aufspritzen bei einer Temperatur der Scheiben vor sich geht, die über dem Schmelzpunkt des Spritz- metalles liegt. 7. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass als Material für die Gegenelektrode eine Legierung mit einem Schmelzpunkt verwendet wird, der erheblich niedriger als der der Selenschicht liegt. B. Verfahren nach Patentanspruch und Unteranspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Material der Gegenelektrode eine Wismut-Cadmium-Zinn-Legierung verwendet wird.
CH231349D 1942-07-31 1942-07-31 Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterscheiben. CH231349A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH231349T 1942-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH231349A true CH231349A (de) 1944-03-15

Family

ID=4457074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH231349D CH231349A (de) 1942-07-31 1942-07-31 Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterscheiben.

Country Status (1)

Country Link
CH (1) CH231349A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1954119A1 (de) Verfahren zum Verfestigen von Glas und zum Erhoehen der Kratzfestigkeit der Oberflaeche desselben
DE3716440A1 (de) Verfahren zur behandlung von waermeaustauscherflaechen
DE1421840B2 (de)
CH231349A (de) Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichterscheiben.
DE754896C (de) Verfahren zur Herstellung von Scheiben fuer Selentrockengleichrichter
DE2235814B2 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Glasformkörpern durch Aufbringen / einer wäßrigen, Aluminiumphosphat enthaltenden Lösung auf die erhitzte Glasoberfläche und Lösung zur Durchführung des Verfahrens
DE2026435C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schutzanstrichmasse mit Schwellvermögen und deren Verwendung
DE1796364B2 (de) Verfahren zum Verfestigen einer Schicht aus einem glasartigen oder vitrokristallinen Material
DE1900293A1 (de) Zusammensetzung fuer Absorptionskuehlsysteme
DE934423C (de) Selentrockengleichrichter
DE740349C (de) Tiegel zum Schmelzen von Aluminium und dessen Legierungen
AT240979B (de) Verfahren zur Verbesserung der Lebensdauer von elektrolumineszenten Zellen
DE971615C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
DE2447019C3 (de) Verfahren zum Abkühlen von gewalzten Profilen
DE703255C (de) Herstellung von Metallfolien auf Leuchtschirmen
AT145647B (de) Verfahren zur Behandlung von Glimmerplättchen für Kondensatoren.
DE524631C (de) Verfahren zur Oberflaechenbehandlung von Gegenstaenden, die ganz oder vorzugsweise aus Korund bestehen
DE971697C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
DE900778C (de) Leuchtschirm
AT111236B (de) Verfahren zur Herstellung gehärteter Bleilegierungen.
CH281872A (de) Quecksilberschaltröhre.
DE806615C (de) Verfahren zur Herstellung von Waerme-Isolierungen, insbesondere von isolierten Wetterlutten
DE513465C (de) Verfahren zum Schutze von Metallteilen und Metallgegenstaenden gegen das Eindringen von Kohlenstoff waehrend der Einsatzbehandlung
DE925165C (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktschwefelsaeure
AT208178B (de) Verfahren und Lösung zur Erzeugung von Schichten auf Oberflächen von Eisen und Stahl