DE705015C - Einseitige Mosaikelektrode - Google Patents
Einseitige MosaikelektrodeInfo
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- DE705015C DE705015C DER103924D DER0103924D DE705015C DE 705015 C DE705015 C DE 705015C DE R103924 D DER103924 D DE R103924D DE R0103924 D DER0103924 D DE R0103924D DE 705015 C DE705015 C DE 705015C
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/43—Charge-storage screens using photo-emissive mosaic, e.g. for orthicon, for iconoscope
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
R103924
Die Erfindung betrifft photoempfindliche einseitige Mosaikelektroden für Kathodenstrahlfernsehröhren.
Solche Elektroden tragen auf der Vorderseite eine große Anzahl voneinander
isolierter, photoelektrisch aktivierter Elemente.
Bei der üblichen Herstellung einseitiger Mosaikelektroden wird auf die Elektrode zur
Aktivierung Cäsium aufgedampft. Das Cäsium schlägt sich nun nicht nur auf den Mosaikelementen,
sondern auch zwischen diesen nieder. Dadurch wird die Isolation zwischen den einzelnen Elementen stark herabgesetzt
und der Verluststrom vergrößert. Diesem Übelstand suchte man bisher dadurch zu begegnen,
daß das überschüssige Cäsium durch Erhitzen ausgetrieben wurde. Es zeigte sich nun, daß
dabei auch Cäsium von den Mosaikelementen verdampft, so daß die Wiederherstellung der
Isolation mit einer Abnahme der Lichtempfindlichkeit bezahlt werden mußte. Die Erfindung
weist nun einen Weg, auch bei hoher Isolation, also kleinem Verluststrom, leine hohe
Lichtempfindlichkeit zu erreichen.
Nach der Erfindung besitzt die einseitige photoempfindliche Mosaikelektrode zwischen
der die Signalplatte tragenden Isolationsplatte und den Mosaikelementen eine zusätzliche
Isolierschicht aus höheren Metalloxyden, beispielsweise von den Metallen Mangan,
Vanadium, Chrom, Zinn, die beim Sensibilisieren der Mosaikelemente in eine niedrigere,
ebenfalls isolierende Oxydationsstufe übergeht. Das höhere Oxyd gibt anscheinend beim Sensibilisieren
Sauerstoff an das aufgedampfte Alkalimetall ab, und dieser geht dabei in ein isolierendes Alkalioxyd über. Während bei
dem bekannten Verfahren also das überschüssige Alkalimetall zwischen den Mosaikelektroden
abgedampft wird, geht es beim Er-
findungsgegenstand unter dem Einfluß eines an diesen Stellen befindlichen Stoffes in eine
isolierende Verbindung über.
Die erfindungsgemäße Mosaikelektrode besitzt entweder sehr viel höhere Lichtempfindlichkeit bei gleichen Verlustströmen wie bisher
bekannte Mosaikelektroden oder gleiche Lichtempfindlichkeit bei sehr viel geringeren
Verlustströmen.
ίο Zur Herstellung einer Mosaikelektrode gemäß
der Erfindung kann man beispielsweise folgendermaßen vorgehen: eine dünne Platte
eines Isolationsstoffes, beispielsweise eine Glimmerplatte gleichmäßiger Dicke und ebener
Oberfläche, wird auf der einen Seite mit einer dünnen, zusammenhängenden Schicht
eines elektrisch leitenden Stoffes, z. B. mit einer Platinschicht, überzogen. Um auf der
anderen Seite, der Frontseite, der Mosaikplatte *° die erfindungsgemäß isolierende Zwischenschicht
aus einem höheren Oxyd zu erzeugen, wird diese Seite dann zunächst mit einer vorzugsweise
dünnen Schicht des später zu oxydierenden Metalls, beispielsweise Mangan, 'T) Vanadium, Chrom oiler Zinn, versehen. Hierzu
kann man die Platte in einer Röhre anordnen, die einen das aufzudampfende Metall
tragenden, heizbaren Wolframdraht enthält. Man evakuiert die Glashülle und heizt den
3" Draht, bis genügend Metall verdampft ist, um die gewünschte Schicht auf dem Glimmer
zu erzeugen. Gute Ergebnisse wurden bei einer Plattengröße von 10X13 cm erhalten,
wenn der Faden etwa 20 cm von der Glim- I ϊ5 meroberfläche angebracht und die Glimmerplatte zu einem Zylinder gebogen wurde,
dessen Achse mit dem Faden zusammenfällt. Zum Überziehen des Glimmers mit Mangan
verdampft man etwa 3 mg Mangan von dem mit Mangan bedeckten Wolframdraht auf die
Glimmeroberfläche von 130 cm und bringt so etwa ο, ι mg des Metalls auf die Glimmerplatte. Es entsteht dann eine Schicht von etwa
10 bis 15 Atomdicken. Das Metall dieser
Schicht wird dann in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre in ein höheres Oxyd als das
Monoxyd verwandelt, beispielsweise in das Dioxyd. Zu diesem Zweck kann man Sauerstoff
bis zu einem Druck von ioommQuecksilbersäule
in die evakuierte Röhre einlassen und die Röhre dann etwa 10 Minuten bei
25o: C backen. Man kann die Metallschicht,
z. B. die Manganschicht, auch durch Erhitzen der Platte in Luft auf etwa 250° C oxydieren.
Das zuerst genannte Verfahren wird aber vorgezogen, da man weniger Verunreinigungen
erhält, wenn man das Metall in Sauerstoff in der Röhrenhülle oxydiert. Auf die Schicht
aus einem höheren Oxyd werden dann die
z. B. aus Silberteilchen mikroskopischer Größe 6»
bestehenden Mosaikelemente aufgebracht.
Die Glimmerplatte mit den Mosaikelementen auf der erfindungsgemäßen isolierenden
Oxydzwischenschicht wird dann in eine' Röhre eingebracht und in üblicher Weise durch
Oxydieren des Silbers und Aufdampfen von Alkalimetall, z. B. Cäsium, sensibilisiert. Man
kann etwas mehr Cäsium verwenden als bei der Sensibilisierung gewöhnlicher Mosaikelektroden
und dadurch eine größere Lichtempfindlichkeit erhalten, ohne daß dabei der Verluststrom entsprechend größer wird.
Wenn man die Frontfläche dem Cäsiumdampf aussetzt, schlägt sich auch etwas Cäsium
auf der zwischen den Silberoxydelementen frei an die Oberfläche tretenden oxydischen
Isolierschicht nieder und versucht dort eine Metallschicht zu bilden, welche zunächst eine
elektrische Überbrückung zwischen den einzelnen Elementen herstellt und dementsprechend
den Widerstand zwischen den einzelnen Elementen herabsetzt. Wenn jedoch jetzt, ähnlich
wie bei der gewöhnlichen Praxis der Röhre bei einer Temperatur von etwa 200° C, S bis
10 Minuten lang gebacken wird, um das Cäsium auf den oxydierten Silberelementen
zur Sensibilisierung dieser Elemente zu veranlassen, entsteht zwischen den einzelnen Elementen
wieder ein hoher Widerstand, so daß eine gute Isolation vorhanden ist.
Ohne daß durch eine spezielle Theorie irgendwelche Einschränkungen gemacht werden
sollen, scheint das aufgedampfte Alkalimetall mit dem zwischen den Silberelementen
zutage tretenden Oxyd der Zwischenschicht zu reagieren. Dadurch wird das höhere Metalloxyd
der Schicht in ein niedrigeres verwandelt, und gleichzeitig geht das Alkalimetall
in das Alkalioxyd über, so daß zwischen den Silberelementen ein Stoff von äußerst geringer
Leitfähigkeit entsteht. Der elektrische Widerstand zwischen den einzelnen Elementen
wird sehr hoch, wahrscheinlich weil die niedrigen Oxyde ebenfalls gute Isolatoren sind
und Cäsiumoxyd höheren elektrischen Widerstand besitzt als metallisches Cäsium.
Claims (1)
- Patentanspruch:Einseitige Mosaikelektrode, dadurch gezeichnet, daß zwischen der die Signalplatte »ι« tragenden Isolationsplatte und den Mosaikelementen eine zusätzliche Isolationsschicht aus höheren Metalloxyden, beispielsweise von Mangan, Vanadium, Chrom oder Zinn, angeordnet ist, die beim Sensibilisieren der Mosaikelemente in eine niedrigere, ebenfalls isolierende Oxydationsstufe übergehen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US177195A US2171213A (en) | 1937-11-30 | 1937-11-30 | Television transmitting tube and electrode structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE705015C true DE705015C (de) | 1941-04-15 |
Family
ID=22647596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DER103924D Expired DE705015C (de) | 1937-11-30 | 1938-12-01 | Einseitige Mosaikelektrode |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2171213A (de) |
DE (1) | DE705015C (de) |
GB (1) | GB521992A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US2730639A (en) * | 1950-10-16 | 1956-01-10 | Emi Ltd | Target structures such as are utilised in television transmission tubes |
US2690519A (en) * | 1952-09-17 | 1954-09-28 | Farnsworth Res Corp | Incandescent screen for projection tubes |
US3449162A (en) * | 1965-09-17 | 1969-06-10 | Analytic Systems Co | Method of making oxygen measuring cells |
US3761762A (en) * | 1972-02-11 | 1973-09-25 | Rca Corp | Image intensifier camera tube having an improved electron bombardment induced conductivity camera tube target comprising a chromium buffer layer |
-
1937
- 1937-11-30 US US177195A patent/US2171213A/en not_active Expired - Lifetime
-
1938
- 1938-11-30 GB GB34945/38A patent/GB521992A/en not_active Expired
- 1938-12-01 DE DER103924D patent/DE705015C/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US2171213A (en) | 1939-08-29 |
GB521992A (en) | 1940-06-05 |
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