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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Farbfilter, das einsetzbar ist
bei Flüssigkristall-Farbanzeigevorrichtungen,
die für
Farbfernsehgeräte,
Personal-Computer,
Navigationssysteme für
Kraftfahrzeuge etc. verwendet werden; sie betrifft außerdem ein
entsprechendes Fertigungsverfahren, eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
unter Verwendung eines solchen Farbfilters, und ein Verfahren zum
Fertigen einer Schwarzmatrix.
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Einschlägiger Stand der Technik
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Eine
als Lichtrasterschicht bezeichnete Schwarzmatrix wurde bislang in
ein Farbfilter für
eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
mit dem Zweck eingebaut, eine Farbvermischung zwischen R (Rot),
G (Grün)
und B (Blau) zu verhindern und den Kontrast zu steigern. Bislang
wurde die Schwarzmatrix hergestellt durch Musterbildung in einer
Metallschicht, beispielsweise aus Chrom, unter Verwendung eines
photolithographischen Verfahrens. Die mit Hilfe dieses Verfahrens
hergestellte Schwarzmatrix hat hohes Reflexionsvermögen. Deshalb
besitzt ein Farbfilter mit einer derartigen eingebauten Schwarzmatrix
ebenfalls hohes Lichtreflexionsvermögen, wodurch sich ein Problem
hinsichtlich Sichtbarkeit von Bildern ergibt.
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Zum
Realisieren eines geringen Reflexionsvermögens wurde bisher vorgeschlagen,
eine Chrom-Metallschicht zwischen Oxidschichten, beispielsweise
Chromoxidschichten, anzuordnen. Eine durch ein solches Metall und
eine Metallverbindung hergestellte Schwarzmatrix hat Vorteile insofern,
als sie eine hohe Absorptionskonstante bezüglich sichtbarer Lichtstrahlen
hat, sowie geringe Schichtdichte und hohe optische Dichte aufweist.
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Im
Hinblick auf Umweltprobleme allerdings hat sich Chrom in den letzten
Jahren nicht nur insofern problematisch erwiesen, als der Werkstoff
sich in für
den Menschen schädliches
Chrom (VI) ändern
kann, sondern auch das Problem mit sich bringt, dass ein schwermetallhaltiges
Oxidationsmittel wie beispielsweise Ammonium-Cer-(IV)-nitrat verwendet
werden muss.
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Um
diese Probleme zu lösen,
wurden in den vergangenen Jahren harzbasierte Schwarzmatrixwerkstoffe
vom Negativresist-Materialtyp vorgeschlagen. Ein solches Schwarzresistmaterial
lässt sich
entwickeln mit Hilfe einer verdünnten
Alkalilösung,
beispielsweise einer Natriumcarbonatlösung, und es besteht keine Möglichkeit,
dass sich dieses Material in eine für den menschlichen Körper schädliche Substanz ändert, wenn es
in der natürlichen
Umgebung verbleibt.
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Als
harzbasiertes Schwarzmatrixmaterial dient im allgemeinen ein Material,
welches gewonnen wird durch Dispergieren eines schwarzen Pigments,
beispielsweise Ruß,
mit einem Teilchendurchmesser von 0,2 μm oder weniger in einem mittels
Alkali löslichen
Negativresist-Material. Da diese harzbasierte Schwarzmatrix das
schwarze Pigment enthält,
erreicht bei der Belichtung die Lichtenergie nicht den unteren Teil
des Resistmaterials. Folglich ist der durch Licht aushärtende Teil
bei der Belichtung begrenzt auf einen Oberflächenschichtbereich der Resistschicht.
Aus diesem Grund wird nach der Entwicklung die gesamte Resistschicht durch
eine Wärmebehandlung
oder dergleichen ausgehärtet.
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Die
Harz-Schwarzmatrix hat im Vergleich zur Metall-Schwarzmatrix einen
niedrigeren Absorptionskoeffizienten, und dementsprechend muss die
Schichtdicke erhöht
werden, um die vorgeschriebene optische Dichte zu erreichen. Wird
die Schichtdicke gesteigert, so erhält allerdings die Querschnittsform
der Schwarzmatrix in einigen Fällen
nicht die ideale Rechteckform, wie dieses in den 4 und 5 gezeigt
ist. Diese Zeichnungen veranschaulichen jeweils die Querschnittsform
einer Schwarzmatrix direkt im Anschluss an die Entwicklung. In der
Zeichnung bedeuten Bezugszeichen 1 ein transparentes Substrat, 2a einen
nicht-ausgehärteten
Teil einer Schwarz-Resistmaterialschicht und 2b einen ausgehärteten Teil
der Schwarz-Resistmaterialschicht. 4 zeigt
einen Fall, bei dem es zu einem seitlichen (unterschnittenen) Ätzen in
dem nicht-ausgehärteten
Teil 2a nach der Entwicklung gekommen ist, während 5 einen
Fall zeigt, bei dem der ausgehärtete
Teil 2b in Form eines umgekehrten Trapez durch seitliches Ätzen im
nicht-ausgehärteten
Bereich 2a gekommen ist, wo das Material brüchig und
aufgerissen ist.
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Wenn
die Querschnittsform eine Gestalt annimmt, wie sie in 4 oder 5 dargestellt
ist, ist die optische Weglänge
von durch den Randbereich der Schwarzmatrix gelangtem Licht kürzer als
die von Licht, welches durch einen Teil der vorbestimmten Dicke
hindurchgelangt ist. Aus diesem Grund wird das Licht nicht vollständig von
der Schwarzmatrix absorbiert. Ein Farbfilter, welches mit Hilfe
einer solchen Schwarzmatrix hergestellt wurde, führt also dazu, dass die Ränder der
Schwarzmatrix verwischen, was den Nachteil hat, dass der Kontrast
sinkt und Leerbereiche in den Farbpixeln zustande kommen.
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Wenn
der ausgehärtete
Bereich 2b, der durch das seitliche Ätzen geschwächt ist, in einem nachfolgenden
Bearbeitungsschritt abfällt,
so bildet der abgelöste
ausgehärtete
Bereich die Ursache für
die Entstehung von Staub oder Partikeln.
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Um
dieses Problem zu lösen,
zeigt die
japanische Patentanmeldungs-Offenlegungsschrift
Nr. 7-248412 eine zweilagige Schicht, die sich aus Schwarz-Resistmaterial und
einer Chromschicht zusammensetzt. Bei diesem Verfahren wird nach
dem Belichten des Schwarz-Resistmaterials die Chromschicht erzeugt, anschließend wird
ein belichteter oder ein unbelichteter Bereich entwickelt, um die
Chromschicht abzuheben. Man kann eine Schwarzmatrix in umgekehrt
verjüngter
Form entsprechend den Entwicklungsbedingungen ausbilden, und darüber hinaus
kann auch die auf dem ausgehärteten
Bereich gebildete Chromschicht verhindern, dass sich der ausgehärtete Bereich
unter Bildung von Staub abtrennt. Selbst wenn die Schwarzmatrix
in umgekehrt verjüngter
Form entsteht, können
außerdem
Nachteile wie Verschwimmen der Kanten der Schwarzmatrix unterbunden
werden, da die Lichtabschirmungseigenschaft von Chrom stark ist.
Da das Resistmaterial zu dem Zweck entwickelt wird, die Chromschicht
abzuheben, besteht kein Erfordernis, eine teure Entwicklungslösung einzusetzen,
um die Chromschicht direkt zu ätzen.
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Allerdings
erfordert ein derartiges Verfahren eine teure Sputter-Vorrichtung
zum Erzeugen der Chromschicht. Wenn außerdem eine Chromoxidschicht
durch reaktives Sputtern mit dem Zweck erzeugt werden soll, die
Haftung der resultierenden Chromschicht nach deren Bildung durch
Sputtern zu verstärken
und eine Chromschicht geringen Reflexionsvermögens zu erhalten, so ist diese
allgemein wärmeleitend.
Eine solche Erwärmung
ist allerdings nicht einsetzbar, da ein Resistmaterial durch Erwärmung bei
Ausbildung des Resists duroplastisch wird und darauf anschließend ein
Chromfilm erzeugt wird.
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JP 09-1 13721 zeigt ein
Farbfilter mit sich verjüngenden
Schwarzmatrixelementen aus Harz. Der Verjüngungswinkel zwischen den Seiten
der Schwarzmatrixelemente und dem Substrat ist kleiner oder gleich
45°.
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Es
besteht folglich Bedarf an der Entwicklung eines Verfahrens zum
Erzeugen einer Harz-Schwarzmatrix mit hoher Präzision bei geringen Kosten.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es
ist ein Ziel der Erfindung, ein Farbfilter mit einer harzbasierten
Schwarzmatrix zu schaffen, die den Umweltproblemen entgegenkommt
und frei von Leerbereichen und Farbungleichmäßigkeiten ist; außerdem sollen
ein Fertigungsverfahren für
das Farbfilter, eine das Farbfilter verwendende Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung,
die eine hervorragende Farbanzeige bei hohem Kontrast gestattet,
und ein Verfahren zum Fertigen einer Schwarzmatrix angegeben werden.
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Das
obige Ziel lässt
sich durch die vorliegende Erfindung in der im folgenden zu beschreibenden
Weise erreichen.
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Erfindungsgemäß hat ein
Farbfilter auf seinem Substrat eine harzbasierte Schwarzmatrix und
gefärbte Bereiche
zwischen den Elementen der harzbasierten Schwarzmatrix, wobei ein
zwischen einer Seite jedes Elements der harzbasierten Schwarzmatrix
und dem Substrat gebildeter Winkel zwischen 70 und 88° liegt.
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Erfindungsgemäß wird außerdem ein
Verfahren zum Fertigen einer Schwarzmatrix geschaffen, umfassend
die Schritte: Aufbringen eines Schwarzresists auf ein Substrat;
Unterwerfen des Schwarzresists einer bemusternden Belichtung; Entwickeln
des belichteten Schwarzresists und Unterwerfen desselben einer Spülbehandlung;
wobei pH-Wert, Temperatur und Ausstoßdruck einer beim Entwicklungsschritt
benutzten Entwicklerlösung
10 bis 12, 26°C
oder weniger bzw. 3 MPa oder weniger betragen, und das Zeitintervall
zwischen Beendigung der Entwicklerlösungszufuhr und Initiierung
der Spülbehandlung
zwei Sekunden oder weniger beträgt.
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Erfindungsgemäß wird außerdem ein
Verfahren zum Herstellen eines Farbfilters geschaffen, umfassend
den Schritt zwecks Aufbringens von Tinten durch ein Tintenstrahlsystem
auf entsprechende, zwischen Elementen der Schwarzmatrix liegenden
Zonen, die durch das Fertigungsverfahren für die Schwarzmatrix in der
erläuterten
Weise gebildet wurden, um dadurch gefärbte Abschnitte zu bilden.
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Erfindungsgemäß wird außerdem eine
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
geschaffen, umfassend das obige Farbfilter, ferner ein diesem gegenüberliegendes
Substrat, und ein Flüssigkristallmaterial,
welches in einem Raum zwischen Farbfilter und gegenüberliegendem
Substrat eingeschlossen ist.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 veranschaulicht
ein Beispiel für
eine Schwarzmatrix, die nach dem Fertigungsverfahren für eine Schwarzmatrix
gemäß der Erfindung
hergestellt wurde.
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2A, 2B, 2C und 2D sind
Flussdiagramme, die ein Beispiel für das Fertigungsverfahren eines
erfindungsgemäßen Farbfilters
veranschaulichen.
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3 ist
eine Querschnittansicht eines Beispiels für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
gemäß der Erfindung.
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4 zeigt
schematisch ein Beispiel für
eine Querschnittsform eines Schwarz-Resistmaterials nach der Entwicklung
des Schwarz-Resistmaterials bei einem herkömmlichen Fertigungsverfahren
für eine Schwarzmatrix.
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5 zeigt
schematisch ein weiteres Beispiel für eine Querschnittsform einer
Schwarzmatrix nach der Entwicklung der Schwarzmatrix bei einem herkömmlichen
Fertigungsverfahren für
eine Schwarzmatrix.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Erfindungsgemäß lässt sich
eine Schwarzmatrix mit idealer Querschnittsform bei hoher Genauigkeit durch
strenge Beschränkung
der Entwicklungsbedingungen bei der Fertigung einer harzbasierten
Schwarzmatrix unter Verwendung eines Schwarz-Resistmaterials herstellen.
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Wie
in 1 dargestellt ist, wird in der erfindungsgemäßen Schwarzmatrix
ein Winkel θ zwischen
einer Seite 2c jedes Elements 2 der Schwarzmatrix
und einer Oberfläche 11a eines
transparenten Substrats 11 mit einem Wert von 70 bis 88° gebildet.
Wenn eine Seite gekrümmt
ist, wie dies in 4 oder 5 gezeigt ist,
so ist ein zwischen der Seite und dem transparenten Substrat gebildeter
Winkel nicht fixiert, es wird eine Tangente von einer oberen Kante
eines Schwarzmatrixelements bis zu dessen Bodenkante gezogen, wie
dies in 4 oder 5 gezeigt
ist, und ein zwischen der Tangente und dem transparenten Substrat
gebildeter Winkel wird als Winkel zwischen der Seite und dem transparenten
Substrat betrachtet.
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Da
der Winkel θ nach 1 einen
Wert von 77 bis 88° hat,
ist ein Bereich einer Fläche
(der Bodenfläche 2d)
des Schwarzmatrixelements 2 in Berührung mit dem Substrat 11 breiter
als eine Oberfläche
(Oberseite 2b) gegenüber
dieser Fläche.
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Der
Winkel θ ist
vorzugsweise enger, da eine Tinte vollständig in einer Ecke eingefüllt ist,
an der die Seite 2c des Schwarzmatrixelements sich mit
der Oberfläche 11a des
transparenten Substrats 11 schneidet. Ist der Winkel θ allerdings
zu eng, so kann die Schwarzmatrix Licht an ihrem Randbereich, der
die Ursache für eine
Verminderung des Kontrasts bildet, ebenso wie in Leerbereichen nicht
vollständig
absorbieren. In 1 stehen die Bezugszeichen 2a, 2b und 2c für einen
nicht-ausgehärteten
Bereich, für
einen ausgehärteten
Bereich bzw. für
eine Apertur.
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Um
das erfindungsgemäße Farbfilter
mit guter Ausbeute herzustellen, wird bei dem Entwicklungsschritt
nach dem Belichten einer Schwarz-Resistmaterialschicht durch die
Erfindung ein pH-Wert, eine Temperatur und ein Ausstoßdruck in
Richtung der Schwarz-Resistmaterialschicht einer Entwicklungslösung, die
bei dem Entwicklungsschritt vorherrschen, eingestellt auf 10 bis
12, 26°C
oder weniger bzw. 3 MPa oder weniger, und das Zeitintervall zwischen
Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung und dem Einleiten der
Zufuhr von gereinigtem Spülwasser
zu dem Substrat wird auf 2 Sekunden oder weniger begrenzt. Bei dem
Fertigungsverfahren für
ein erfindungsgemäßes Farbfilter
wird vorzugsweise von einem Spin-Entwicklungsverfahren Gebrauch
gemacht.
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Soweit
der pH-Wert der Entwicklungslösung
im Bereich von 10 bis 12 liegt, kann das Ätzen mit hoher Geschwindigkeit
bei niedrigem Druck vonstatten gehen, ohne dass der ausgehärtete Bereich
an der Oberfläche
der Schwarz-Resistmaterialschicht
beeinträchtigt
wird. Wenn der pH-Wert auf 12 oder weniger eingestellt wird, lässt sich
insbesondere der Einfluss des seitlichen Ätzens unterdrücken. Zahlreiche
herkömmliche
Entwicklungslösungen
besaßen
einen pH-Wert von
weniger als 10. Allerdings erfordert der pH-Wert von weniger als
10, dass die physikalische Energie einer solchen Entwicklungslösung gesteigert
wird im Hinblick auf ein sicheres Beseitigen des nicht belichteten
Bereichs. Deshalb erfolgt das Aufbringen von Ultraschallwellen auf die
Entwicklungslösung
oder die Zufuhr der Entwicklungslösung unter einem hohen Druck über eine
Düse auf die
Schwarz-Resistmaterialschicht.
Im Ergebnis wird der Winkel θ kleiner
als 70°.
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Erfindungsgemäß wird die
Entwicklungslösung
bei einer Temperatur von 26°C
oder weniger eingesetzt, wodurch es möglich wird, die Ätzgeschwindigkeit
gegenüber
dem Resistmaterial zu stabilisieren und außerdem das Atzen des nichtausgehärteten Abschnitts
unter dem ausgehärteten
Abschnitt aufgrund der Spülung
bei der Temperatur zu verhindern, das heißt das seitliche Ätzen zu
verhindern. Das Verhindern des seitlichen Ätzens dient auch der Lösung der Probleme
dergestalt, dass der ausgehärtete
Bereich mit einer umgekehrten verjüngten Form aufgrund des seitlichen Ätzens fragil
wird und abbricht, und dass der abgebrochene ausgehärtete Teil
damit zu Staub oder Feinteilchen wird. Die Temperatur der Entwicklungslösung beträgt vorzugsweise
mindestens 15°C,
noch bevorzugter mindestens 20°C,
um die Entwicklungsgeschwindigkeit auf einem gewissen Maß zu halten.
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Erfindungsgemäß wird der
Ausstoßdruck
der Entwicklungslösung
in Richtung der Schwarz-Resistschicht auf 3 MPa oder weniger begrenzt,
wodurch es möglich
wird, das Ätzen
gegenüber
dem oberen ausgehärteten
Teil des Photoresistmaterials zu verhindern, welches durch Belichtung
ausgehärtet
wurde, so dass lediglich der nicht-belichtete Teil mit seiner rechteckigen
Form geätzt
und beibehalten wird. Der Ausstoßdruck beträgt vorzugsweise mindestens
1 MPa.
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Die
im Rahmen der Erfindung verwendete Ätzlösung ist vorzugsweise eine
wässrige
Verdünnungslösung eines
anorganischen Alkalimetall-Hydroxids oder eines Alkalimetallcarbonats,
zum Beispiel Natriumcarbonat, Natriumhydroxid oder Kaliumhydroxid,
oder eine wässrige
Verdünnungslösung eines
organischen Alkalis, so zum Beispiel ein Aminlösungsmittel wie beispielsweise
Triethanolamin oder Diethanolamin, oder ein Tetraalkylammonium-Hydroxid
(zum Beispiel Tetramethylammoniumhydroxid TMAH). Wenngleich die
Konzentration einer solchen wässrigen
Lösung
in passender Weise abhängig
von der Entwicklungsgeschwindigkeit voreingestellt werden kann,
liegt die Transferfähigkeit
einer Maskenform bei der Bildung eines Musters etc. vorzugsweise
in der Größenordnung
von 0,01 Gew.-% bis 30 Gew.-%. Die im Rahmen der Erfindung einsetzbaren
Entwicklungslösungen
sind nicht auf die oben erwähnten
Beispiele beschränkt,
man kann jede Entwicklungslösung
verwenden, solange sie im Stande ist, einen Überzug mit einem darin befindlichen
Schwarz-Resistmaterial
aufzulösen
und die Endform (Kantenform) des Schwarz-Resistmaterials entsprechend den Entwicklungsbedingungen
zu steuern.
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Im
Rahmen der Erfindung wird eine Zeitspanne zwischen Beendigung der
Zufuhr der Entwicklungslösung
und Beginn der Zufuhr gereinigten Spülwassers zu dem Substrat auf
2 Sekunden oder weniger gesteuert, um dadurch die Möglichkeit
zu schaffen, das Fortschreiten der Seitenätzung in dem nicht-ausgehärteten Bereich
der Schwarz-Resistmaterialschicht durch die Entwicklungslösung, die
an dem gemusterten Substrat nach der Entwicklung verbleibt, zu verhindern,
um die Entwicklung mit einem solchen in rechteckiger Form bleibendem
Bereich abzuschließen.
In einigen Fällen
kann das gereinigte Spülwasser
direkt nach Abschluss der Zufuhr der Entwicklungslösung ohne
Zwischenzeit zugeführt
werden.
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Die
harzbasierte Schwarzmatrix gemäß der Erfindung
ist vorzugsweise derart ausgebildet, dass sie eine optische Dichte
von mindestens 3 und eine Dicke von 1,0 bis 1,4 μm besitzt.
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Als
das Schwarz-Resistmaterial wird vorzugsweise ein Material verwendet,
welches im allgemeinen ein alkalilösliches Acrylharz, einen photoinduzierten
Polymerisations-Initiator und ein Pigment zum Färben des resultierenden Schwarz-Resistmaterials enthält, optional
auch ein Vernetzungsmittel, ein Epoxyharz, ein Lösungsmittel zum Einstellen
von dessen Viskosität,
einen Füllstoff,
ein Verlaufmittel und ein Dispersionsmittel enthält. Das alkalilösbare Acrylharz
ist derart beschaffen, dass es eine Carboxylgruppe als Kern enthält und ein
polymerisierbares Acrylharz an mindestens einer Seitenkette von
ihm enthält.
Als photoinduzierter Polymerisations-Initiator kann ein allgemein
bekannter Initiator verwendet werden, wie er in der
japanischen Patentanmeldungs-Offenlegungsschrift
Nr. 7-191462 ,
9-325494 oder
10-171119 offenbart ist.
Als Pigment zum Färben des
Resist-Schwarzmaterials kann jedes Pigment verwendet werden, unabhängig davon,
ob es organisch oder anorganisch ist, solange es sich um einen Werkstoff
handelt, der Schwarz bildet und eine hohe Lichtabschirmfähigkeit
aufweist. Typische Beispiele hierfür beinhalten Ruß (Carbon Black),
Titan-Schwarz etc. für
anorganische Werkstoffe. Für
organische Werkstoffe kommen Farbstoffe für Rot, Blau und Grün in Mischung
in Frage, um schwarze Farbe zu erhalten. Allerdings sind die Pigmente
nicht auf diese Pigmente beschränkt.
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Die
harzbasierte Schwarzmatrix eignet sich für einen Fertigungsprozess eines
Farbfilters unter Verwendung eines Tintenstrahlsystems unter guter
Nutzung ihrer Dicke. Ein Ausführungsbeispiel
wird anhand der 2A bis 2D beschrieben 2A bis 2D sind
schematische Querschnittansichten entsprechend den nachfolgend erläuterten
Schritten a bis d.
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[Schritt a]
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Eine
harzbasierte Schwarzmatrix 12 wird gebildet auf einem transparenten
Substrat 11 mit Hilfe eines Fertigungsverfahrens für eine Schwarzmatrix
gemäß der Erfindung.
Jedes Element der Schwarzmatrix 12 fungiert auch als Trennwandelement
zum Verhindern einer Farbmischung zwischen benachbarten Tinten unterschiedlicher
Farbe.
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[Schritt b]
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Die
einzelnen Tinten 14 für
rote (R), grüne
(G) und blaue (B) Farben werden unter Verwendung einer Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung 13 nach
einem vorbestimmten Farbmuster derart auf das Substrat aufgebracht,
dass in 2A dargestellte Öffnungen 20 in
der Schwarzmatrix 12 aufgefüllt werden.
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Die
im Rahmen der Erfindung verwendeten Tinten umfassen jede Harzzusammensetzung
mit dem entsprechenden Farbmittel.
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Als
Farbmittel können
allgemein Farbstoffe und Pigmente verwendet werden.
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Beispiele
für einsetzbare
Farbstoffe beinhalten Anthrachinon-Farbstoffe, Azo-Farbstoffe, Triphenylmethan-Farbstoffe
und Polymethin-Farbstoffe.
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Als
Harzmaterial in jeder Tinte wird ein durch Aufbringen von Energie
aushärtbares
Harz verwendet, beispielsweise ein Material, das durch Wärmebehandlung
oder Bestrahlung mit Licht aushärtet.
Insbesondere wird ein Reaktionsharz, eine Kombination aus irgendeinem
bekannten Harz und einem Vernetzungsmittel verwendet. Beispiele
hierfür
beinhalten ein Acrylharz, ein Melaminharz oder ein Gemisch aus einem
eine Hydroxylgruppe oder Carboxylgruppe enthaltenden Polymer und
Melamin; ein Gemisch aus einem eine Hydroxylgruppe oder Carboxylgruppe
enthaltenden Polymer und einer polyfunktionalen Epoxyverbindung;
ein Gemisch aus einem eine Hydroxylgruppe oder Carboxylgruppe enthaltenden
Polymer und einer reaktiven Zelluloseverbindung; ein Gemisch aus
einem Epoxyharz und Resolharz; ein Gemisch aus einem Epoxyharz und
einem Amin; ein Gemisch aus einem Epoxyharz und einer Carboxylsäure oder
einem Säureanhydrid.
Als lichtaushärtenden
Harz kommenden bekannte Harze in Betracht, beispielsweise ein handelsübliches
Negativ-Resistmaterial in bevorzugter Weise.
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Verschiedene
Arten von Lösungsmittel
können
in den oben angegebenen Tinten eingesetzt werden. Ein gemischtes
Lösungsmittel
in Form von Wasser und mindestens ein wasserlösliches organisches Lösungsmittel
werden besonders bevorzugt im Hinblick auf die Ausstoßfähigkeit
eines Tintenstrahlsystems.
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Weiterhin
können
die Tinten zusätzlich
zu den oben angegebenen Komponenten Tenside, Antischäumungsmittel,
Antiseptika und dergleichen je nach Bedarf eingesetzt werden, um
sie zu Tinten mit den gewünschten
Eigenschaften zu machen. Handelsübliche
wasserlösliche
Farbstoffe und/oder dergleichen können ebenfalls beigefügt werden.
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Von
den oben angeschriebenen Licht- oder bei Wärme aushärtbaren Harzen können solche,
die in Wasser unlöslich
sind, oder können
wasserlösliche
organische Lösungsmittel
ebenfalls in Verbindung mit irgendeinem anderen Lösungsmittel
als Wasser und wasserlöslichen
organischen Lösungsmitteln
eingesetzt werden, soweit sich die resultierende Tinte stabil ausstoßen lässt. Wenn
ein Monomer von dem Typ, bei dem durch Licht Polymerisation induziert,
verwendet wird, wird ein Farbstoff in dem Monomer gelöst, um eine
Tinte vom lösungsfreien
Typ zu erhalten.
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Als
Tintenstrahlsystem im Rahmen der Erfindung kommen in Betracht: ein
Bläschen-Ausstoßtyp unter Verwendung
eines elektrothermischen Wandlers als Energieerzeugungselement,
ein Piezo-Ausstoßtyp,
der von einem piezoelektrischen Element Gebrauch macht, oder dergleichen.
Eine Tinteaufbringfläche
und ein Muster können
optional voreingestellt werden.
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[Schritt c]
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Die über die Öffnungen 20 in
der Schwarzmatrix 12 eingebrachten Tinten werden durch
Wärmebehandlung
oder Bestrahlung mit Licht oder durch eine Kombination dieser beiden
Maßnahmen
ausgehärtet,
um dadurch die gefärbten
Abschnitte oder Bereiche 15 zu bilden.
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[Schritt d]
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Bedarfsweise
wird eine Schutzschicht 16 gebildet. Als Schutzschicht 16 kann
eine Schicht aus einer Harzzusammensetzung vom bei Licht erhärtbaren
Typ oder vom duroplastischen Typ oder von einem Typ eingesetzt werden,
der durch eine Kombination von Wärme
und Licht aushärtet,
oder ein durch Aufdampfen, Sputtern oder dergleichen erzeugter anorganischer
Film. In jedem Fall kann jegliche Schicht oder jeglicher Film verwendet
werden, soweit sie bzw. er ausreichende Transparenz für ein Farbfilter
besitzt und dem anschließenden
ITO-Erzeugungsverfahren,
dem Ausrichtungs-Filmerzeugungsverfahren und dergleichen widerstehen kann.
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Eine
Farbflüssigkristall-Anzeigevorrichtung
vom aktiven Matrixtyp (sogenannter TFT-Typ) unter Verwendung des
durch das Verfahren nach den 2A bis 2D erhaltenen
Farbfilters und eines TFT (Dünnschichttransistors)
als Schaltelement ist in 3 dargestellt. In 3 bedeutet 17 eine
gemeinsame Elektrode, 18 einen Ausrichtungsfilm, 19 ein
Gegensubstrat, 20 Pixelelektroden, 21 einen Ausrichtfilm
und 22 eine Flüssigkristallverbindung.
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Die
Farbflüssigkristall-Anzeigevorrichtung
wird grundsätzlich
dadurch gebildet, dass das Farbfilter und das Gegensubstrat 19 vereint
werden und in dem dadurch gebildeten Zwischenraum die Flüssigkristallverbindung 22 eingeschlossen
wird. Auf der Innenseite des einen Substrats 10 der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung sind
(nicht dargestellte) TFT und die transparenten Pixelelektroden 20 in
Form einer Matrix gebildet. An der Innenseite des anderen Substrats 11 ist
eine Farbfilterschicht derart vorgesehen, dass gefärbte Abschnitte 15 für die Farben
R, G und B an Stellen gegenüber
den Pixelelektroden 20 liegen. Die transparente gemeinsame Elektrode 17 ist über der
gesamten Fläche
der Farbfilterschicht gebildet. Die Ausrichtfilme 18 und 21 sind
außerdem
an den jeweiligen Innenseiten der beiden Substrate gebildet. Flüssigkristallmoleküle können in
einer fixierten Richtung dadurch ausgerichtet oder orientiert werden,
dass diese Filme einer Reibbehandlung unterzogen werden. Diese Substrate
sind in Gegenüberstellung
zueinander über
ein (nicht dargestelltes) Distanzstück angeordnet und halten mit
Hilfe eines Dichtungsmittels aneinander. Die Flüssigkristallverbindung 22 ist in
den dazwischen befindlichen Raum eingefüllt. Bezugszeichen 12, 15 und 16 sind
genauso verwendet wie in den 2A bis 2D.
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In
der oben beschriebenen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
sind polarisierende Platten an die Außenflächen der jeweiligen Substrate
angebondet, wobei die Flüssigkristallverbindung
als optischer Verschluss fungiert, um die Durchlässigkeit für Licht aus einer rückseitigen
Lichtquelle zu ändern,
wobei letztere sich zusammensetzt aus einer Kombination einer Fluoreszenzlampe
und einer Streuplatte, um dadurch eine Anzeigevorrichtung zu bilden.
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Obschon
für die
obige Ausführungsform
eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
vom TFT-Typ erläutert wurde,
ist die Erfindung nicht auf diesen Typ beschränkt, außerdem bevorzugt für Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen
sind andere Treibertypen, so zum Beispiel der einfache Matrixtyp.
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In
den Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen
gemäß der Erfindung
können
herkömmliche
Methoden bei anderen Teilen als dem Farbfilter unverändert eingesetzt
werden, soweit diese Bauelemente unter Verwendung des erfindungsgemäßen Farbfilters
gefertigt werden. Folglich können
für die
Flüssigkristallverbindung auch üblicherweise
verwendete TN-Flüssigkristalle
oder ferroelektrische Flüssigkristalle
oder dergleichen eingesetzt werden.
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BEISPIEL 1:
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"V259-BK739P" (Handelsbezeichnung,
Produkt von Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) wurde als Schwarz-Resistmaterial
verwendet, und als Substrat wurde ein NA35-Glassubstrat mit einer
Größe von 200 mm × 300 mm × 0,7 mm
verwendet.
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Nachdem
das Glassubstrat einer Ultraschallreinigung mit warmem gereinigten
Wasser unterzogen und getrocknet war, wurde das Schwarz-Resistmaterial
durch einen Spin-Beschichter aufgebracht. Dieses Spin-Coating wurde
30 Sekunden bei 600 Umdrehungen pro Minute durchgeführt. Die
Schichtdicke der resultierenden Schwarz-Resistmaterialschicht betrug
1,2 μm.
Nach dem Spin-Coating wurde die Schwarz-Resistmaterialschicht getrocknet
und 180 Sekunden lang auf einer auf 70°C erwärmten warmen Platte vorgebacken, anschließend einer
Belichtung durch eine Negativmaske für eine harzbasierte Schwarzmatrix
unterzogen. Die Belichtung währte
10 Sekunden und erfolgte mit Hilfe einer Ausrichtvorrichtung, hergestellt
von Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. unter Bedingungen einer Strahlungsintensität von 14
mW und einem Nahspalt von 50±1 μm. Das Muster
der Negativmaske wurde derart eingesetzt, dass ein Mittenabstand
und eine Linienbreite in Längsrichtung
220 μm bzw.
30 μm betrugen,
und ein Mittenabstand und eine Linienbreite in seitlicher Richtung 80 μm bzw. 10 μm betrugen.
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Das
Substrat, welches der Belichtung unter den oben angegebenen Bedingungen
unterzogen war, wurde anschließend
entwickelt. Als Entwicklungslösung
wurde 0,01 N-Natriumcarbonat verwendet. Der pH-Wert der Entwicklungslösung betrug
dabei 10,5. Es wurde ein Entwickler eines Spin-Entwicklersystems verwendet.
Es handelt sich dabei um eine Vorrichtung, bei der ein Substrat
gedreht wird, eine Entwicklungslösung
unter Druck auf das drehende Substrat über Düsen von oben aufgestrahlt wird
und das Substrat mit gereinigtem Wasser gespült wird, unmittelbar nach Abschluss
der Entwicklung oder des Ätzvorgangs.
Die Entwicklungsbedingungen waren so eingestellt, dass die Entwicklungslösung auf
eine Temperatur von 25°C
geregelt und bei einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm zugeführt wurde, der
mit 5 Flachkegeldüsen
ausgestattet war. Die Entwicklungslösung wurde aus den Düsen in einen
Zustand ausgestoßen,
in dem bei 1000 Umdrehungen pro Minute 8 Sekunden lang der Auftrag
auf das belichtete Resistmaterial erfolgte. Nach 2 Sekunden im Anschluss
an die Beendigung der Entwicklungslösungs-Zufuhr wurde gereinigtes
Wasser 30 Sekunden lang unter Drehung aus den Spüldüsen zugeführt.
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Die
Anzahl von Umdrehungen des Substrats wurde auf 2000 Umdrehungen
pro Minute erhöht,
um das Substrat 60 Sekunden lang zu trocknen, indem das Spülwasser
abgeschüttelt
wurde, anschließend
erfolgte 50 Minuten lang in einem reinen Ofen ein Nachbacken bei
200°C, um
ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu erhalten. Die Querschnittsform
der so erhaltenen harzbasierten Schwarzmatrix war derart beschaffen,
dass ein Winkel zwischen dem Glassubstrat und einer Seite jedes
Elements der Schwarzmatrix 80° betrug,
gemessen mit Hilfe eines AFM (Atomkraftmikroskops).
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BEISPIEL 2:
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Als
Schwarz-Resistmaterial wurde „CK-S171" (Handelsbezeichnung,
Produkt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) verwendet, und es wurde
das gleiche Glassubstrat wie beim BEISPIEL 1 als transparentes Substrat eingesetzt.
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Nachdem
das Glassubstrat einer Ultraschallreinigung mit warmem gereinigten
Wasser unterzogen und getrocknet war, wurde mit Hilfe eines Spin-Beschichters
das Schwarz-Resistmaterial auf das Glassubstrat aufgebracht. Dieses
Spin-Coating wurde 45 Sekunden lang bei 750 Umdrehungen pro Minute
durchgeführt. Die
Schichtdicke der resultierenden Schwarz-Resistmaterialschicht betrug
1,0 μm.
Nach dem Spin-Coating wurde die Schwarz-Resistmaterialschicht getrocknet
und 180 Sekunden lang auf einer Warmplatte bei 90°C vorgebacken,
anschließend über eine
Negativmaske für
eine harzbasierte Schwarzmatrix belichtet. Die Ausrichtvorrichtung
und die Negativmaske für
die Belichtung waren die gleichen wie beim BEISPIEL 1. Die Belichtung
dauerte 25 Sekunden unter den gleichen Bedingungen wie im BEISPIEL
1.
-
Das
unter den oben angegebenen Bedingungen entwickelte Substrat wurde
entwickelt. Als Entwicklungslösung
wurde 0,1 N-Natriumcarbonat verwendet. Der pH-Wert dieser Entwicklungslösung betrug
11,5. Ein verwendeter Entwickler war der gleiche wie bei dem Spin-Entwicklungssystem
nach BEISPIEL 1. Die Entwicklungsbedingungen waren so eingestellt,
dass die auf eine Temperatur von 25°C geregelte Entwicklungslösung unter
einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm zugeführt wurde, der
mit 5 Flachkegeldüsen
ausgerüstet
war, wobei die Lösung
aus den Düsen
in einem Zustand ausgestoßen wurde,
indem eine Drehung bei 1000 Umdrehungen pro Minute erfolgte, um
die Lösung
5 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
Nach 2 Sekunden im Anschluss an die Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
gereinigtes Wasser unter hohem Druck (35 MPa/cm2)
30 Sekunden lang dem entwickelten Substrat bei Drehung aus den Spüldüsen zugeführt.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 3000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, anschließend
wurde das Werkstück
in einen reinen Ofen 50 Minuten lang bei 200°C nachgebacken, um ein Muster
einer harzbasierten Schwarzmatrix zu erhalten. Die Querschnittsform
der harzbasierten Schwarzmatrix war derart beschaffen, dass ein
zwischen dem Glassubstrat und einer Seite jedes Elements der Schwarzmatrix
gebildeter Winkel 84° betrug,
gemessen mit Hilfe eines AFM.
-
BEISPIEL 3:
-
Das
gleiche Schwarz-Resistmaterial und das gleiche Glassubstrat wie
im BEISPIEL 1 wurden dazu verwendet, ein einer Belichtung mit dem
gleichen Verfahren wie im BEISPIEL 1 behandeltes Substrat zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt. Die Entwicklungslösung war
0,01 N-Natriumcarbonat. Der pH-Wert dieser Entwicklungslösung betrug
10,5. Ein verwendeter Entwickler war der gleiche wie bei dem Spin-Entwicklungssystem
nach BEISPIEL 1. Die Entwicklungsbedingungen waren derart eingestellt, dass
die auf eine Temperatur von 20°C
eingeregelte Entwicklungslösung
unter einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm zugeführt wurde,
die mit 5 Flachkegeldüsen
ausgerüstet war,
um die Lösung
aus Düsen
in einem Zustand auszustoßen,
indem eine Drehung von 1000 Umdrehungen pro Minute stattfand, um
das Material 10 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial
aufzubringen. Nach 2 Sekunden im Anschluss an die Beendigung der
Zufuhr der Entwicklungslösung
wurde gereinigtes Wasser 30 Sekunden lang auf das entwickelte Substrat
bei Drehung aus Spüldüsen zugeführt.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, anschließend
wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten lang bei 200°C nachgebacken, um
ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu erhalten. Die Querschnittsform
der harzbasierten Schwarzmatrix war derart beschaffen, dass ein
zwischen dem Glassubstrat und einer Seite jedes Elements der Schwarzmatrix
gebildeter Winkel 75° betrug,
gemessen mit Hilfe des AFM.
-
BEISPIEL 4:
-
Es
wurde das gleiche Schwarz-Resistmaterial und das gleiche Glassubstrat
wie beim BEISPIEL 1 verwendet, um ein mit dem gleichen Prozess wie
beim BEISPIEL 1 belichtetes Substrat zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt. Die Entwicklungslösung war
0,01 N-Natriumcarbonat. Der pH-Wert der Entwicklungslösung betrug
10,5. Der eingesetzte Entwickler war der gleiche wie bei der Spin-Entwicklung
im BEISPIEL 1. Die Entwicklungsbedingungen waren derart beschaffen,
dass die auf eine Temperatur von 26°C eingeregelte Entwicklungslösung bei
einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm mit
5 Flachkegeldüsen
zugeführt
wurde, ausgestoßen
aus den Düsen
in einem Zustand bei einer Drehung mit 1000 Umdrehungen pro Minute,
um die Lösung
7 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
2 Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
gereinigtes Wasser 30 Sekunden lang auf das entwickelte Substrat
bei Drehung aus Spüldüsen zugeführt.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das Substrat 60 Sekunden
lang durch Abschütteln
des Spülwassers
zu trocknen, anschließend
erfolgte in einem reinen Ofen 50 Minuten lang ein Nachbacken bei
200°C, um
ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu erhalten. Die Querschnittsform
der so erhaltenen harzbasierten Schwarzmatrix war derart beschaffen,
dass ein Winkel zwischen dem Glassubstrat und der Seite jedes Elements
der Schwarzmatrix 88° betrug,
gemessen mit Hilfe des AFM.
-
BEISPIEL 5:
-
"BK-729S" (Handelsbezeichnung,
Produkt der Firma Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) wurde als Schwarz-Resistmaterial
verwendet, und es wurde das gleiche Glassubstrat wie im BEISPIEL
1 verwendet, um ein belichtetes Substrat entsprechend dem Verfahren
nach BEISPIEL 1 zu erhalten.
-
Das
so belichtete Substrat wurde entwickelt mit einer Entwicklungslösung in
Form von 0,02 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 10,5. Der
verwendete Entwickler war der gleiche wie der bei der Spin-Entwicklung
im BEISPIEL 1. Die Entwicklungsbedingungen waren so, dass die auf
eine Temperatur von 20°C
geregelte Entwicklungslösung
bei einem Zuführdruck
von 1 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm mit
5 Flachkegeldüsen
in einem Zustand mit 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
12 Sekunden auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen. 2 Sekunden
nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde gereinigtes Wasser
30 Sekunden lang auf das entwickelte Substrat bei Drehung aus Spüldüsen gegeben.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
nachgebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu
erhalten. Die Querschnittsform der so erhaltenen harzbasierten Schwarzmatrix
war derart beschaffen, dass ein Winkel zwischen dem Glassubstrat
und der Seite jedes Elements der Schwarzmatrix 70° betrug,
gemessen mit Hilfe des AFM.
-
VERGLEICHSBEISPIEL 1:
-
Es
wurden das gleiche Schwarz-Resistmaterial und das gleiche Glassubstrat
wie beim BEISPIEL 1 verwendet, um ein belichtetes Substrat entsprechend
dem Verfahren nach BEISPIEL 1 zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt. Die Entwicklungslösung war
0,001 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 9. Der Entwickler
war der gleiche wie bei dem Spin-Entwicklungssystem nach BEISPIEL
1. Die Entwicklungsbedingungen waren so eingestellt, dass die auf
eine Temperatur von 25°C
eingeregelte Entwicklungslösung
unter einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm mit
5 Flachkegeldüsen
aus den Düsen
in einen Drehzustand bei 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
16 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
2 Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
30 Sekunden lang gereinigtes Wasser bei Drehung aus Spüldüsen auf
das entwickelte Substrat gegeben.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
nachgebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu
erhalten. Die Querschnittsform der so erhaltenen harzbasierten Schwarzmatrix
war so, dass ein Winkel zwischen dem Glassubstrat und einer Seite
jedes Elements der Schwarzmatrix bei Messung mit einem AFM 67° betrug.
Dies war zurückzuführen auf
den Umstand, dass der unbelichtete Bereich nicht in der Lage war,
vollständig
entfernt zu werden, bedingt durch den niedrigen pH-Wert der Entwicklungslösung.
-
VERGLEICHSBEISPIEL 2:
-
Das
gleiche Schwarz-Resistmaterial wie beim BEISPEIL 5 und das gleiche
Glassubstrat wie beim BEISPIEL 1 wurden benutzt, um ein gemäß dem gleichen
Verfahren wie beim BEISPIEL 1 belichtetes Substrat zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt. Es wurde eine
Entwicklungslösung
in Form von 0,32 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 13,5 verwendet.
Der Entwickler war der gleiche wie bei dem Spin-Entwicklungssystem nach BEISPIEL 1.
Die Entwicklungsbedingungen waren so, dass die auf eine Temperatur
von 20°C
geregelte Entwicklungslösung
unter einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm mit
5 Flachkegeldüsen
aus Entwicklungslösungsdüsen in einem
Zustand der Drehung bei 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
6 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
2 Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
30 Sekunden lang gereinigtes Wasser auf das entwickelte Substrat
bei Drehung aus Spüldüsen aufgebracht.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
nachgebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu
erhalten. Die Betrachtung der Querschnittsform der harzbasierten
Schwarzmatrix durch ein Mikroskop brachte zutage, dass der Kantenbereich
durchscheinend war. Als der Brennpunkt zur Bestätigung bewegt wurde, ergab
sich, dass es zu seitlichem Ätzen
gekommen war. Dementsprechend betrug ein Winkel zwischen dem Glassubstrat
und einer Seite jedes Elements der Schwarzmatrix nicht weniger als
90°. Das
Auftreten des seitlichen Ätzens
war zurückzuführen auf
den Umstand, dass der pH-Wert der Entwicklungslösung zu hoch war.
-
VERGLEICHSBEISPIEL 3:
-
Das
gleiche Schwarz-Resistmaterial und Glassubstrat wie beim BEISPIEL
1 wurden dazu benutzt, ein entsprechend dem Verfahren nach BEISPIEL
1 belichtetes Substrat zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt. Eine Entwicklungslösung war
0,01 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 10,5. Der Entwickler
war der gleiche wie der bei dem Spin-Entwicklungssystem nach BEISPIEL
1. Die Entwicklungsbedingungen waren so, dass die auf eine Temperatur
von 27°C
eingeregelte Entwicklungslösung
unter einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem mit 5 Flachkegeldüsen ausgestatteten
Entwicklungslösungs-Zuführarm in
einem Zustand der Drehung bei 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
6,5 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
2 Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
30 Sekunden lang gereinigtes Wasser auf das entwickelte Substrat
bei Drehung aus Spüldüsen aufgebracht.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
nachgebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu
erhalten. Die Betrachtung der Querschnittsform der so erhaltenen
Schwarzmatrix zeigte bei Betrachtung durch ein Mikroskop, dass ihr
Randbereich durchscheinend geworden war. Bei Bewegung eines Brennpunkts
zur Bestätigung
zeigte sich, dass es zu seitlichem Ätzen gekommen war. Dementsprechend
betrug ein Winkel zwischen dem Glassubstrat und einer Seite jedes
Elements der Schwarzmatrix nicht weniger als 90°. Das Auftreten des seitlichen Ätzens war
zurückzuführen auf
den Umstand, dass die Temperatur der Entwicklungslösung zu
hoch war.
-
VERGLEICHSBEISPIEL 4:
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Es
wurde das gleiche Schwarz-Resistmaterial wie beim BEISPIEL 5 und
das gleiche Glassubstrat wie beim BEISPIEL 1 verwendet, um ein belichtetes
Substrat entsprechend dem Verfahren nach BEISPIEL 1 zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt. Eine Entwicklungslösung war
0,01 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 10,5. Ein Entwickler
war der gleiche wie bei dem Spin-Entwicklungssystem des BEISPIELS
1. In diesem Entwickler wurde die Zufuhr von Kühlwasser zum Steuern der Temperatur
der Entwicklungslösung
zwangsweise unterbrochen, um den Entwickler 30 Minuten lang stillstehen
zu lassen. Im Ergebnis erhöhte
sich die Temperatur der Entwicklungslösung durch Wärme aus
dem Motor zum Umrühren und
zum Umwälzen
auf 32°C.
Die Entwicklungsbedingungen waren so, dass die auf die Temperatur
von 32°C erhöhte Entwicklungslösung unter
einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem Entwicklungslösungs-Zuführarm mit
5 Flachkegeldüsen
in einem Zustand von 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
5 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
2 Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
30 Sekunden lang gereinigtes Wasser auf das unter Drehung bewegte Substrat
aus Spüldüsen aufgebracht.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
nachgebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu
erhalten. Die Querschnittsform der so erhaltenen harzbasierten Schwarzmatrix
war so, dass ein Winkel zwischen dem Glassubstrat und einer Seite
jedes Elements der Schwarzmatrix 65° bei Messung mit einem AFM betrug.
Zurückzuführen war
dies auf den Umstand, dass es zu einer seitlichen Ätzung kam
aufgrund der zu hohen Temperatur der Entwicklungslösung, wobei
außerdem der
obere ausgehärtete
Bereich des Schwarz-Resistmaterials, das durch das seitliche Ätzen eine
umgekehrt verjüngte
Form erhalten hatte, fragil wurde und abbrach.
-
VERGLEICHSBEISPIEL 5:
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Es
wurden das gleiche Schwarz-Resistmaterial und das gleiche Glassubstrat
wie beim BEISPIEL 1 verwendet, um ein nach dem Verfahren des BEISPIELS
1 belichtetes Substrat zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt mit einer Entwicklungslösung in
Form von 0,01 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 10,5. Ein
verwendeter Entwickler war der gleiche wie der des Spin-Entwicklungssystem
nach BEISPIEL 1.
-
Die
Entwicklungsbedingungen waren so, dass die auf eine Temperatur von
20°C geregelte
Entwicklungslösung
unter einem Zuführdruck
von 4 MPa/cm2 aus einem mit 5 Flachkegeldüsen ausgestatteten
Entwicklungslösungs-Zuführarm aus
den Düsen
in einem gedrehten Zustand bei 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
7 Sekunden lang auf das entwickelte Photoresist aufzubringen. 2
Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
gereinigtes Wasser 30 Sekunden lang unter Drehung auf das entwickelte
Substrat aus Spüldüsen aufgebracht.
-
Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
gebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu erhalten.
Die Querschnittsform der so erhaltenen harzbasierten Schwarzmatrix
war derart beschaffen, dass ein Winkel zwischen dem Glassubstrat
und einer Seite jedes Elements der Schwarzmatrix 60° bei Messung
mit einem AFM betrug. Zurückzuführen war
dies auf den Umstand, dass der Kantenbereich des oberen ausgehärteten Abschnitts
des Schwarz-Resistmaterials
körperlich
abgeschabt wurde durch den zu hohen Ausstoßdruck der Entwicklungslösung.
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VERGLEICHSBEISPIEL 6:
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Das
gleiche Schwarz-Resistmaterial und das gleiche Glassubstrat wie
beim BEISPIEL 1 wurden dazu verwendet, ein gemäß dem gleichen Verfahren wie
im BEISPIEL 1 belichtetes Substrat zu erhalten.
-
Das
so erhaltene belichtete Substrat wurde entwickelt mit einer Entwicklungslösung von
0,01 N-Natriumcarbonat mit einem pH-Wert von 10,5. Ein verwendeter
Entwickler war der gleiche wie der des Spin-Entwicklungssystems
des BEISPIELS 1. Die Entwicklungsbedingungen waren so, dass die
auf eine Temperatur von 20°C
geregelte Entwicklungslösung
unter einem Zuführdruck
von 3 MPa/cm2 aus einem mit 5 Flachkegeldüsen ausgestatteten
Entwicklungslösungs-Zuführarm aus
den Düsen
in einem Drehzustand bei 1000 Umdrehungen pro Minute ausgestoßen wurde,
um die Lösung
10 Sekunden lang auf das belichtete Resistmaterial aufzubringen.
3 Sekunden nach Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung wurde
gereinigtes Wasser 30 Sekunden lang auf das entwickelte Substrat
bei dessen Drehung aus Spüldüsen aufgebracht.
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Nach
Beendigung der Zufuhr von gereinigtem Wasser wurde die Drehzahl
des Substrats auf 2000 Umdrehungen pro Minute erhöht, um das
Substrat 60 Sekunden lang durch Abschütteln des Spülwassers
zu trocknen, dann wurde das Substrat in einem reinen Ofen 50 Minuten
lang bei 200°C
nachgebacken, um ein Muster einer harzbasierten Schwarzmatrix zu
erhalten. Die Betrachtung der Querschnittsform der so erhaltenen
harzbasierten Schwarzmatrix durch ein Mikroskop ergab, dass dessen
Randbereich durchscheinend geworden war. Als zur Bestätigung ein
Brennpunkt bewegt wurde, zeigte sich, dass es zu seitlichem Ätzen gekommen
war. Dementsprechend war ein Winkel zwischen dem Glassubstrat und
einer Seite jedes Elements der Schwarzmatrix nicht kleiner als 90°. Das Auftreten
des seitlichen Ätzens
war zurückzuführen auf
den Umstand, dass das Ätzen
durch die Entwicklungslösung,
die an dem Substrat verblieben war, weiter fortschreiten konnte,
weil das Zeitintervall zwischen Beendigung der Zufuhr der Entwicklungslösung und
der Zufuhr des gereinigten Wassers zu lang war.
-
Die
bei den obigen Beispielen und Vergleichsbeispielen erhaltenen Schwarzmatrizen
wurden verwendet zur Bildung von Farbfiltern gemäß den in den 2A bis 2D dargestellten
Schritten. Die verwendeten Tinten wurden jeweils gebildet durch
Dispergieren eines Farbstoffs der Farben R, G und B in einem selbstvernetzenden
duroplastischen Harz, beinhaltend ein Acryl-Silikon-Pfropfcopolymer
als Hauptkomponente, und Auflösen
dieser Dispersion in einem Lösungsmittel
(zum Beispiel Isopropylalkohol, Ethylenglycol oder N-Methyl-2-pyrrolidon).
Die Tinten bedeckten die Oberfläche
des Substrats entsprechend den in jeder Schwarzmatrix vorhandenen Öffnungen
gleichmäßig, und
es konnten keine Defekte erkannt werden wie beispielsweise Ausschwitzen,
Auslaufen und Farbvermischung zwischen den Tinten in benachbarten Öffnungen.
Nachdem die Tinten zur Aushärtung
einer Wärmebehandlung
unterzogen waren, wurde darüber
eine Schutzschicht aufgebracht, außerdem wurde eine transparente
leitende Schicht aufgetragen. Auch in diesem Fall kam es zu keinen
Unzulänglichkeiten
aufgrund des hervorragenden Haftvermögens.
-
Was
die einzelnen Schwarzmatrizen der jeweiligen Beispiele und Vergleichsbeispiele
angeht, so sind in der Tabelle 1 der Winkel zwischen dem Glassubstrat
und der Seite jedes Elements der Schwarzmatrix und das Vorhandensein
von defekten Leerbereichen sowie die Ausbeute bei der Massenfertigung
des durch die Schwarzmatrix erhaltenen Farbfilters dargestellt.
In der Tabelle bedeuten A, B und C bei „Vorhandensein eines defekten
Leerbereichs", dass
kein defekter Leerbereich vorhanden war, dass einige defekte Leerbereiche
vorhanden waren bzw. dass zahlreiche defekte Leerbereiche vorhanden
waren, wobei ein derartiges Farbfilter als Produkt nicht akzeptiert
wurde. A und C bei „Ausbeute
bei der Massenfertigung" bedeuten,
dass mindestens 80% der Produkte akzeptierbar waren bzw. dass weniger
als 80% der Produkte akzeptierbar waren. Tabelle 1
| Winkel
(°) des
Glassubstrats bzgl. Seite der Schwarzmatrix | Vorhandensein
eines defekten Leerbereichs | Ausbeute
bei Massenfertigung |
Bsp.
1 | 80 | A | A |
Bsp.
2 | 84 | A | A |
Bsp.
3 | 75 | A | A |
Bsp.
4 | 88 | A | A |
Bsp.
5 | 70 | A | A |
Vgl.-Bsp.
1 | 67 | B | C |
Vgl.-Bsp.
2 | > 90 | A | C |
Vgl.-Bsp.
3 | > 90 | A | C |
Vgl.-Bsp.
4 | 65 | C | C |
Vgl.-Bsp.
5 | 60 | C | C |
Vgl.-Bsp.
6 | > 90 | A | C |
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Gemäß der Erfindung
erhält
man Farbfilter, die frei sind von Defekten wie Leerstellen und in
exzellenter Qualität
in Massenfertigung hergestellt werden können. Des weiteren können unter
Verwendung solcher Farbfilter Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen,
die ausgezeichnete Farbwiedergabe und hohen Kontrast ermöglichen,
bereitgestellt werden.