DE69836322T2 - Integrierte schaltungsanordung für photoelektrische umwandlung - Google Patents

Integrierte schaltungsanordung für photoelektrische umwandlung Download PDF

Info

Publication number
DE69836322T2
DE69836322T2 DE69836322T DE69836322T DE69836322T2 DE 69836322 T2 DE69836322 T2 DE 69836322T2 DE 69836322 T DE69836322 T DE 69836322T DE 69836322 T DE69836322 T DE 69836322T DE 69836322 T2 DE69836322 T2 DE 69836322T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
circuit
integrated circuit
conversion
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69836322T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69836322D1 (de
Inventor
Nobutoshi Shimamura
Kenzo Shodo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69836322D1 publication Critical patent/DE69836322D1/de
Publication of DE69836322T2 publication Critical patent/DE69836322T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N17/00Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
    • H04N17/002Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details for television cameras
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Schaltungsanordnung zur fotoelektrischen Umwandlung, die mit einer Lichtmessvorrichtung versehen ist, welche ein Stromsignal in Übereinstimmung mit einem empfangenen Lichtsignal ausgibt, und einer Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung, die ein Spannungssignal in Übereinstimmung mit einem empfangenen Stromsignal ausgibt, um insgesamt ein Lichtsignal in ein Spannungssignal umzuwandeln.
  • Hintergrund der Erfindung
  • 4 zeigt ein Blockschaltbild einer herkömmlichen integrierten Schaltungsanordnung für fotoelektrische Umwandlung, welche eine Fotodiode als Lichtmessvorrichtung verwendet. In dieser Figur repräsentiert die Bezugsziffer 1' eine Fotodiode, welche ein Stromsignal in Übereinstimmung mit einem empfangenen Lichtsignal ausgibt, die Bezugsziffer 2 repräsentiert eine Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung (im Nachfolgenden als "I/V-Umwandlungsschaltung" bezeichnet), die in Übereinstimmung mit einem empfangenen Stromsignal eine Spannung ausgibt, und die Bezugsziffer 3 repräsentiert eine Testschaltung bestehend aus einer Schaltvorrichtung 31, einer Konstantstromschaltung 32 und einer Schaltertreibschaltung 33.
  • An den Eingang der I/V-Umwandlungsschaltung 2 ist der Ausgang (die Kathode) der Fotodiode 1' angeschlossen und die Konstantstromschaltung 32, welche innerhalb der Testschaltung 3 vorgesehen ist, ist ebenfalls an diese durch die Schaltvorrichtung 31 angeschlossen. Wenn somit die Fotodiode 1' ein Lichtsignal L misst, oder wenn die Schaltvorrichtung 31 eingeschaltet ist, fließt von der I/V-Umwandlungsschaltung 2 zur Fotodiode 1' oder zur Schaltvorrichtung 31 ein Strom und es wird eine Spannung entsprechend dieses Stroms über einen Anschluss TO ausgegeben. Innerhalb der I/V-Umwandlungsschaltung 2 ist, wie in der 5 gezeigt, eine Referenzspannung Vref an den nicht invertierenden Eingangsanschluss (+) eines Betriebsverstärkers über einen Widerstand R1 am Anschluss 21 angelegt, und die Kathode der Fotodiode 1' ist über einen Anschluss 22 mit dem invertierenden Eingangsanschluss (–) des Betriebsverstärkers verbunden. Zwischen diesem invertierenden Eingangsanschluss (–) und dem Ausgangsanschluss TO ist ein Widerstand R2 geschaltet. Wenn durch die Fotodiode 1' ein Ausgangsstrom fließt, fließt der Strom I durch den Widerstand R2 und damit erscheint am Ausgangsanschluss TO eine Spannung I × R2.
  • In der 4 steuert die Schaltertreibschaltung 33 den Ein/Aus-Zustand der Schaltvorrichtung 31; insbesondere wenn die Schaltertreibschaltung 33 an ihrem Teststift TT eine vorbestimmte Spannung empfängt, schaltet sie die Schaltvorrichtung 31 ein.
  • Im Allgemeinen wird eine integrierte Schaltungsvorrichtung bei ihrem Herstellungsvorgang einem Funktionscheck unterzogen. Bei einem Funktionscheck einer integrierten Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung ist es wünschenswert, dass Licht auf die Fotodiode (Lichtmessvorrichtung) 1' fällt; in der Realität ist es jedoch schwierig, eine vorbestimmte Lichtmenge auf die Fotodiode 1' auftreffen zu lassen. Aus diesem Grund wird ein Funktionscheck durch externes Einschalten der Schaltvorrichtung 31, die in der Testschaltung 3 vorgesehen ist, erzielt, sodass die Konstantstromschaltung 32 bewirken wird, dass die I/V-Umwandlungsschaltung 2 eine vorbestimmte Strommenge ausgibt, die so groß ist, wie diejenige, die sie ausgibt, wenn eine vorbestimmte Lichtmenge auf die Fotodiode 1' auftrifft.
  • Wenn hierbei an einem Punkt A' in 4 in der Verdrahtung zwischen der Fotodiode 1' und der I/V-Umwandlungsschaltung 2 ein Bruch ist, gibt, selbst wenn die Fotodiode 1' Licht misst, die U/V-Umwandlungsschaltung 2 keinen Strom I aus; das heißt, die integrierte Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung ist defekt.
  • Bei dem vorstehend beschriebenen Funktionscheck wird jedoch die I/V-Umwandlungsschaltung 2 einen Strom ausgeben, es sei denn, es besteht in der Verdrahtung zwischen der I/V-Umwandlungsschaltung 2 und der Testschaltung 3 ein Fehler, und daher wird, es sei denn, dass ein anderer Fehler bezüglich anderer Aspekte, wie beispielsweise der Charakteristika der I/V-Umwandlungsschaltung 2 gefunden worden ist, die integrierte Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung als akzeptabel durchgehen.
  • Auf diese Weise ist es bei der herkömmlichen integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung, selbst wenn ein Funktionscheck auf die vorstehend beschriebene Weise durchgeführt worden ist, d. h. indem der I/V-Umwandlungsschaltung ein Eingangsstrom zugeführt worden ist, ohne dass auf die Lichtmessvorrichtung Licht aufgetroffen ist, es unmöglich, einen Fehler in der Verdrahtung zwischen der Fotodiode 1' und der I/V-Umwandlungsschaltung 2 zu erfassen.
  • Die US-A-5,585,731 zeigt eine Testschaltung zum Testen eines Strom-Spannungs-Umwandlungsverstärkers mit einer Fotodiode.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine integrierte Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung zu schaffen, die das Detektieren eines Fehlers in der Verdrahtung zwischen einer Lichtmessvorrichtung und einer I/V-Umwandlungsschaltung selbst dann zulässt, wenn der I/V-Umwandlungsschaltung ein Eingangsstrom zugeführt wird, ohne dass auf die Lichtmessvorrichtung Licht auftrifft.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Hauptanspruchs gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • 1 ist ein Blockschaltbild eines Beispiels einer integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung, welche die vorliegende Erfindung verkörpert.
  • 2 ist eine schematische Darstellung eines Schnitts durch den Chip der Fotodiode 1, wie in 1 gezeigt.
  • 3 ist ein Blockschaltbild eines weiteren Beispiels einer integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung, welche die vorliegende Erfindung verkörpert.
  • 4 ist ein Blockschaltbild einer herkömmlichen integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung.
  • 5 ist ein Schaltbild, das die praktische Konfiguration der I/V-Umwandlungsschaltung zeigt, welche bei der in der 4 gezeigten herkömmlichen integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung verwendet wird.
  • Beste Art der Durchführung der Erfindung
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 1 zeigt ein Blockschaltbild eines Beispiels einer integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung, welche die vorliegende Erfindung verkörpert. In dieser Figur bezeichnet die Bezugsziffer 1 eine Fotodiode, die zwei Anschlüsse T1 und T2 an ihrer Kathode (Ausgang) hat und die ein Stromsignal in Übereinstimmung mit einem empfangenen Lichtsignal ausgibt. Die Fotodiode 1 ist mit ihrem Ausgangsanschluss T1 an eine I/V-Umwandlungsschaltung 2 angeschlossen und ist mit ihrem Ausgangsanschluss T2 an eine Testschaltung 3 angeschlossen. Anzumerken ist, dass solche Elemente, wie sie auch in dem vorstehend beschriebenen herkömmlichen Beispiel zu finden sind, mit den gleichen Bezugsziffern und Symbolen bezeichnet sind und überlappende Beschreibungen nicht wiederholt werden.
  • 2 zeigt einen Schnitt durch den Chip der Fotodiode 1. Wie in der Figur gezeigt, hat die Fotodiode 1 ein Substrat P (P-Halbleiter mit hohem Widerstand) und eine epitaktische Schicht N (N-Halbleiter mit hohem Widerstand). Das Substrat P wird als eine Anode verwendet und eine Region N mit geringem Widerstand innerhalb der epitaktischen Schicht N wird als Kathode verwendet. Die zwei Anschlüsse T1 und T2 sind mit der Region N in Kontakt gehalten. Das Substrat P ist über eine Elektrode D an Masse angeschlossen.
  • In dieser integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung fließt ein Strom entlang dem Pfad, der in der 2 durch K1 angegeben ist, wenn die Fotodiode 1 Licht misst. Wenn andererseits die Schaltvorrichtung 31, die innerhalb der Testschaltung 3 vorgesehen ist, von außen eingeschaltet wird, fließt ein Strom entlang dem Pfad, der in der 2 mit K2 angegeben ist. In jedem Fall rührt der Strom von der I/V-Umwandlungsschaltung 2 her.
  • Auf diese Weise fließt in der integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung gemäß dieser Ausführungsform, selbst wenn der I/V-Umwandlungsschaltung 2 durch die Testschaltung 3 ein Eingangsstrom zugeleitet wird, der Strom immer entlang dem Weg der Verdrahtung H1, welche die Fotodiode 1 mit der I/V-Umwandlungsschaltung 2 verbindet und entlang dem Weg der Ausgangsschicht (Kathode N) der Fotodiode 1.
  • Wenn somit an einem Punkt A in 2 ein Bruch in der Verdrahtung H1, welche die Fotodiode 1 und die I/V-Umwandlungsschaltung 2 verbindet, ist, ist es, selbst wenn die Schaltvorrichtung 31, die innerhalb der Testschaltung 3 vorgesehen ist, von außen eingeschaltet wird, es möglich, von der I/V-Umwandlungsschaltung 2 einen Strom zu extrahieren. Das heißt, selbst wenn der I/V-Umwandlungsschaltung 2 ein Eingangsstrom zugeführt wird, ohne dass Licht auf die Fotodiode 1 auftrifft, ist es möglich, einen Feh ler in der Verdrahtung zwischen der Fotodiode 1 und der I/V-Umwandlungsschaltung 2 ohne Ausfall zu detektieren.
  • Hierbei ist es vorzuziehen, die Verdrahtung H1, welche die Fotodiode 1 mit der I/V-Umwandlungsschaltung 2 verbindet, und die Verdrahtung H2, welche die Fotodiode 1 mit der Testschaltung 3 verbindet, soweit als möglich voneinander anzuordnen. Der Grund dafür liegt darin, dass, wenn zwei Verdrahtungen zu nahe aneinander angeordnet sind, es stark möglich ist, dass zwischen der I/V-Umwandlungsschaltung 2 und der Testschaltung 3 ein Strom fließt, ohne dass ein Strom entlang des Wegs der Verdrahtung H1 fließt, welche die Fotodiode 1 mit der I/V-Umwandlungsschaltung 2 verbindet, und entlang der Ausgangsschicht (Kathode N) der Fotodiode 1 fließt.
  • Aus demselben Grund ist es vorzuziehen, die zwei Anschlüsse T1 und T2, die auf der Ausgangsschicht der Fotodiode 1 vorgesehen sind, mit einem Abstand (in der 2 mit d bezeichnet) zu versehen, der solange als möglich zwischen diesen sichergestellt ist.
  • Im Allgemeinen wird sich, selbst wenn der Strom, welcher der I/V-Umwandlungsschaltung 2 zugeführt wird, konstant gehalten wird, deren Ausgang mit der Temperatur ändern. Daher ist es vorzuziehen, die Temperaturcharakteristika der I/V-Umwandlungsschaltung 2 umgekehrt zu den Temperaturcharakteristika der Testschaltung 3 zu machen, sodass bei Anstieg der Temperatur der Ausgang der I/V-Umwandlungsschaltung 2 steigen wird und der Ausgang der Testschaltung 3 (Konstantstromschaltung 32) sinken wird. Dies ermöglicht, dass der Strom, welcher zwischen der Testschaltung 3 und der I/V-Umwandlungsschaltung 2 fließt, so variiert, dass die Änderung des Ausgangs der I/V-Umwandlungsschaltung 2 aufgehoben wird. Dadurch wird es möglich, den Ausgang vom Einfluss der Temperaturänderung freizuhalten und somit diesen im Wesentlichen auf einem feststehenden Pegel zu halten. Demgemäß ist es möglich, einen Funktionscheck der integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung mit höherer Genauigkeit durchzuführen.
  • In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform sind zwei Anschlüsse am Ausgang der Lichtmessvorrichtung (Fotodiode 1) vorgesehen. Die Lichtmessvorrichtung kann jedoch mit drei oder mehr Ausgangsanschlüssen versehen sein. Beispielsweise kann in einem Fall, wie in der 3 gezeigt, bei dem die Lichtmessvorrichtung mit drei Ausgangsanschlüssen versehen ist, einer dieser drei Anschlüsse mit der I/V-Umwandlungsschaltung 2 verbunden sein und die anderen zwei können einzeln über zwei separate Schaltvorrichtungen 31 und 31', welche durch eine Schaltertreibschaltung 33' gesteuert werden, an zwei separate Konstantstromschaltungen 32 und 32' angeschlossen sein, die unterschiedliche Strommengen ausgeben. Dies ermöglicht eine der drei Arten von Eingangsstrom an der I/V-Umwandlungsschaltung 2 und ermöglicht dadurch, dass ein vielseitiger Funktionscheck durchgeführt werden kann.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie vorstehend beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung in einer integrierten Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung möglich, einen Fehler in der Verdrahtung, welche die Lichtmessvorrichtung mit der I/V-Umwandlungsschaltung verbindet, zu detektieren, indem der I/V-Umwandlungsschaltung ein Strom zugeführt wird, ohne dass auf die Lichtmessvorrichtung Licht auftrifft. Dies trägt dazu bei, die Zuverlässigkeit der integrierten Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung zu verbessern. Demgemäß ist eine derartige integrierte Schaltungsvorrichtung zur fotoelektrischen Umwandlung für die Verwendung in einer Aufnahmevorrichtung für ein Compact Disc-Abspielgerät, ein Abspielgerät für eine digitale Videodisc, ein Abspielgerät für eine magneto-optische Disc oder dergleichen, geeignet.

Claims (7)

  1. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung zum Umwandeln eines Lichtsignals in ein Spannungssignal, wobei die integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung eine Lichtmessvorrichtung (1), welche einen Strom in Übereinstimmung mit einem empfangenen Lichtsignal ausgibt, eine Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung (2), die in Übereinstimmung mit einem empfangenen Stromsignal ein Spannungssignal ausgibt, und eine Prüfschaltung (3) hat, die in Übereinstimmung mit einem von außen zugeführten Treibsignal einen Strom ausgibt, wobei eine Anzahl von Anschlüssen (T1, T2) in direktem Kontakt mit einer Ausgangsschicht der Lichtmessvorrichtung vorgesehen sind, wobei einer der Anschlüsse an eine Eingangsseite der Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung angeschlossen ist und wenigstens einer der verbleibenden Anschlüsse an die Prüfschaltung angeschlossen ist.
  2. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung nach Anspruch 1, wobei eine Temperaturcharakteristik der Umwandlungseffizienz der Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung umgekehrt zu einer Temperaturcharakteristik des Ausgangs der Prüfschaltung ist.
  3. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung nach Anspruch 1, wobei eine Verdrahtung, die einen Ausgangsanschluss der Lichtmessvorrichtung mit der Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung verbindet, und eine Verdrahtung, die wenigstens einen Ausgangsanschluss der Lichtmessvorrichtung mit der Prüfschaltung verbindet, soweit als möglich entfernt voneinander vorgesehen sind, um ein direktes Fließen von Strom zwischen diesen zwei Verdrahtungen zu verhindern.
  4. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung nach Anspruch 3, wobei eine Temperaturcharakteristik der Umwandlungseffizienz der Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung umgekehrt zu einer Temperaturcharakteristik eines Ausgangs der Prüfschaltung ist.
  5. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung nach Anspruch 1, wobei von der Anzahl von Anschlüssen, die am Ausgang der Lichtmessvorrichtung vorgesehen sind, der eine Anschluss, der mit der Eingangsseite der Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung verbunden ist, und der wenigstens eine Anschluss, der mit der Prüfschaltung verbunden ist, so weit als möglich voneinander entfernt angeordnet sind, um ein direktes Fließen von Strom zwischen diesen zwei Anschlüssen zu verhindern.
  6. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung nach Anspruch 5, wobei eine Temperaturcharakteristik der Umwandlungseffizienz der Strom-Spannungs-Umwandlungsschaltung umgekehrt zu einer Temperaturcharakteristik eines Ausgangs der Prüfschaltung ist.
  7. Integrierte Schaltungsvorrichtung für fotoelektrische Umwandlung nach Anspruch 1, wobei eine Fotodiode, welche die Lichtmessvorrichtung bildet, ein Halbleitersubstrat, eine erste leitfähige Schicht, die innerhalb des Substrats ausgebildet ist, um einen Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt zu dem des Substrats aufzuweisen, eine zweite leitfähige Schicht, die innerhalb der ersten leitfähigen Schicht so ausgebildet ist, dass sie als die Ausgangsschicht dient, und erste und zweite Anschlüsse, die in direktem Kontakt mit der zweiten leitfähigen Schicht gehalten werden, aufweist, und wobei von dem ersten Anschluss zu der zweiten leitfähigen Schicht, dann zu der ersten leitfähigen Schicht und dann zum Substrat ein Fotodiodenstrom fließt und von dem ersten Anschluss zu der zweiten leitfähigen Schicht und dann zu dem zweiten Anschluss ein Prüfstrom fließt.
DE69836322T 1997-04-03 1998-04-02 Integrierte schaltungsanordung für photoelektrische umwandlung Expired - Lifetime DE69836322T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08476197A JP4739467B2 (ja) 1997-04-03 1997-04-03 光電気変換ic
JP8476197 1997-04-03
PCT/JP1998/001550 WO1998044563A1 (fr) 1997-04-03 1998-04-02 Dispositif a circuit integre de conversion photoelectrique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69836322D1 DE69836322D1 (de) 2006-12-14
DE69836322T2 true DE69836322T2 (de) 2007-06-28

Family

ID=13839675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69836322T Expired - Lifetime DE69836322T2 (de) 1997-04-03 1998-04-02 Integrierte schaltungsanordung für photoelektrische umwandlung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6316955B1 (de)
EP (1) EP0975025B1 (de)
JP (1) JP4739467B2 (de)
KR (1) KR100502057B1 (de)
CN (1) CN1159767C (de)
DE (1) DE69836322T2 (de)
WO (1) WO1998044563A1 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030011425A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-16 Em Microelectronics - Us Inc. Injection current test circuit
DE10220306C1 (de) * 2002-05-07 2003-12-11 Kostal Leopold Gmbh & Co Kg Elektrische Schaltungsanordnung sowie Verfahren zur Überprüfung der Intaktheit eines Photodiodenarrays
CN100347858C (zh) * 2002-10-31 2007-11-07 上海华虹集成电路有限责任公司 光检测电路
JP5066791B2 (ja) * 2005-06-30 2012-11-07 ミツミ電機株式会社 受光装置及び受光装置の検査方法
JP4159582B2 (ja) 2006-04-26 2008-10-01 松下電器産業株式会社 受光増幅回路のテスト回路およびテスト方法
JP2008070277A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流−電圧変換アンプの検査回路及びそれを用いた光ピックアップ装置
JP5073742B2 (ja) * 2007-05-18 2012-11-14 シャープ株式会社 表示装置
US8368676B2 (en) * 2007-05-18 2013-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with light shield
WO2008143213A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
JP4380732B2 (ja) 2007-06-04 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 検出回路、振動型ジャイロセンサ回路、振動型ジャイロセンサおよび電子機器
JP5248396B2 (ja) 2009-04-01 2013-07-31 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、放射線撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の検査方法
US20100283474A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Panasonic Corporation Test circuit and optical pickup device
CN110519534B (zh) * 2018-11-08 2021-05-28 神盾股份有限公司 电流驱动的像素电路以及相关的图像传感器
CN112433172A (zh) * 2019-08-08 2021-03-02 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 电源故障侦测装置
JP2022173796A (ja) * 2021-05-10 2022-11-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA997481A (en) * 1972-12-29 1976-09-21 International Business Machines Corporation Dc testing of integrated circuits and a novel integrated circuit structure to facilitate such testing
US4241358A (en) * 1979-03-26 1980-12-23 Trw Inc. Radiation sensitive device with lateral current
JPS6313368A (ja) 1986-07-04 1988-01-20 Canon Inc 半導体センサ装置
JP2793085B2 (ja) * 1992-06-25 1998-09-03 三洋電機株式会社 光半導体装置とその製造方法
JP3203996B2 (ja) * 1994-11-01 2001-09-04 三菱電機株式会社 電流−電圧変換アンプのテスト回路
US5592124A (en) * 1995-06-26 1997-01-07 Burr-Brown Corporation Integrated photodiode/transimpedance amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
EP0975025A1 (de) 2000-01-26
KR20010005773A (ko) 2001-01-15
US6316955B1 (en) 2001-11-13
DE69836322D1 (de) 2006-12-14
EP0975025B1 (de) 2006-11-02
EP0975025A4 (de) 2001-06-20
CN1251208A (zh) 2000-04-19
KR100502057B1 (ko) 2005-07-25
JP4739467B2 (ja) 2011-08-03
JPH10284707A (ja) 1998-10-23
WO1998044563A1 (fr) 1998-10-08
CN1159767C (zh) 2004-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69836322T2 (de) Integrierte schaltungsanordung für photoelektrische umwandlung
DE3047186C2 (de) Halbleiterplättchen mit redundanten Elementen
DE19823140B4 (de) Abtast-Feldeffekttransistor
EP0523594B1 (de) Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung von Substraten für Flüssigkeitskristallanzeigen (LCD)
DE2319011C2 (de) Verfahren zum Prüfen eines Leiternetzes auf einem isolierenden Substrat und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE2947764C2 (de) Speichereinheit mit zusätzlicher Schreibeinheit zur Speicherzellen-Prüfung
DE19519796C2 (de) Halbleiterschaltung mit einem Überspannungsschutzkreis
DE19801557B4 (de) Kontakt-Prüfschaltung in einer Halbleitereinrichtung
DE2408540C2 (de) Halbleiterbauelement aus einer Vielzahl mindestens annähernd gleicher Schaltungselemente und Verfahren zum Erkennen und Abtrennen defekter Schaltungselemente
DE2903214A1 (de) Vergleichs- und anzeigeschaltung fuer mehrere eingangssignale
EP0689058B1 (de) Schaltungsanordnung zum Überwachen eines Schaltungspunktes auf einen Leckwiderstand
DE3401407A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE4325663A1 (de) Stromversorgungsschalter-Relaisschaltung
EP0705439B1 (de) Testvorrichtung sowie -verfahren für einen auf einer platine eingelöteten ic
DE19714941A1 (de) Meßkarte und Ein/Ausgang-Anschlußtestsystem unter Verwendung derselben
DE2655841C3 (de) Integrierter Widerstandsbaustein zum Einlöten in eine Flachbaugruppe
EP1860447B1 (de) Prüfschaltungsanordnung und Prüfverfahren zum Prüfen einer Schaltungsstrecke einer Schaltung
DE4307578C2 (de) Widerstandskette
DE3303101A1 (de) Ansteuerschaltung zum ansteuern einer anordnung von fuehlelementen
DE19539227C2 (de) Prüfgerät mit einem Anzeigeelement
EP0919821A1 (de) Sensoranordnung und Betriebsverfahren hierfür
DE69633004T2 (de) Vertikaler Leistungsbipolartransistor mit integriertem Fühlwiderstand
DE2106409A1 (de) Signalgeber
DE10258780A1 (de) Selbstendender Brennprozeß für elektrische Anti-Fuses
DE102015118144B4 (de) Halbleiterkomponente mit Laser-Fuse-Verbindung und Leckagedetektionsschaltung und Verfahren zum Testen von integrierten Laser-Fuse-Verbindungen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition