JP2022173796A

JP2022173796A - 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法

Info

Publication number: JP2022173796A
Application number: JP2021079718A
Authority: JP
Inventors: 武裕大谷; Takehiro Otani; 智彦柴田; Tomohiko Shibata; 武松木; Takeshi Matsuki; 伸北野; Shin Kitano; 祐喜小澤; Yuki Ozawa
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2021-05-10
Filing date: 2021-05-10
Publication date: 2022-11-22
Also published as: WO2022239345A1

Abstract

【課題】異常原因箇所の特定を容易にすることを可能にする。【解決手段】本開示に係る一形態の撮像素子は、光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、を備える。【選択図】図７

Description

本開示は、撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法に関する。

近年、画素の光量が閾値を超えた旨をイベントとして画素ごとに検出する非同期型の撮像素子（固体撮像素子）が提案されている。この撮像素子は、フォトダイオード（ＰＤ）の光量変化を検知し、イベント信号として出力する機能を持つセンサであり、例えば、ＥＶＳ（Event based Vision Sensor）と呼ばれる。このＥＶＳとしては、積層型ＥＶＳが開発されており、積層型ＥＶＳは上チップと下チップを貼り合わせて構成される。

詳細には、積層型ＥＶＳは、上チップ（例えば、受光基板）に複数のＰＤやそれらに付随するトランジスタ等を備え、下チップ（例えば、検出基板）に信号増幅素子やリセット素子、イベント検知部等を備える。理想としては、任意のレベル以上の輝度変化があった場合のみにイベント信号が出力されるが、実際には、特定の条件下もしくは不特定の条件下で定常光が入力されても、イベント信号が断続的に出力される欠陥画素が複数存在する。逆に、コントラスト光が入力されても、イベント信号が全く出力されない無反応画素（欠陥画素）も存在する。

特開２０１９－１７６３３４号公報

前述のような積層型ＥＶＳでは、特性評価や試験の際に上チップと下チップを切り離すことができない。このため、特性課題を解析する際に、特性課題を解決できない異常原因（例えば、欠陥原因等）が上チップ起因か下チップ起因かを断定することができず、異常原因箇所の特定は難しい。

そこで、本開示では、異常原因箇所の特定を容易にすることが可能な撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法を提案する。

本開示の実施形態に係る撮像素子は、光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、を備える。

本開示の実施形態に係る撮像装置は、撮像レンズと、撮像素子と、を備え、前記撮像素子は、光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、を有する。

本開示の実施形態に係る撮像素子の制御方法は、光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板とを備える撮像素子を制御する方法であって、前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える、ことを含む。

本開示の実施形態に係る撮像装置の概略構成の一例を示す図である。本開示の実施形態に係る撮像素子の積層構造の一例を示す図である。本開示の実施形態に係る撮像素子の概略構成の一例を示す図である。本開示の実施形態に係る画素の概略構成の一例を示す図である。本開示の実施形態に係る画素回路の概略構成の一例を示す第１の図である。本開示の実施形態に係る画素回路の概略構成の一例を示す第２の図である。図６に示す画素回路の概略構成の一部を示す図である。本開示の実施形態に係る画素アレイ部に対するスイッチの適用例を説明するための第１の図である。本開示の実施形態に係る画素アレイ部に対するスイッチの適用例を説明するための第２の図である。変形例１に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例２に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例３に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例４に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例５に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例６に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例７に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例８に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例９に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例１０に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例１１に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。変形例１２に係る画素回路の概略構成の一部を示す図である。車両制御システムの概略構成の一例を示すブロック図である。車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下に、添付図面を参照しながら、本開示の実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。本開示の実施の形態により本開示に係る素子や装置、方法、システム等が限定されるものではない。

また、以下に説明される１又は複数の実施形態（実施例、変形例を含む）は、各々が独立に実施されることが可能である。一方で、以下に説明される複数の実施形態は少なくとも一部が他の実施形態の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施されてもよい。これら複数の実施形態は、互いに異なる新規な特徴を含み得る。したがって、これら複数の実施形態は、互いに異なる目的又は課題を解決することに寄与し得、互いに異なる効果を奏し得る。

以下に示す項目順序に従って本開示を説明する。
１．実施形態
１－１．撮像装置の構成例
１－２．撮像素子の構成例
１－３．画素の構成例
１－４．画素回路の構成例
１－５．供給部の動作例
１－６．画素アレイ部の各画素に対するスイッチの適用例
１－７．画素回路の変形例
１－８．作用・効果
２．他の実施形態
３．応用例
４．付記

＜１．実施形態＞
＜１－１．撮像装置の構成例＞
本実施形態に係る撮像装置１００の構成例について図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る撮像装置１００の概略構成の一例を示す図である。

図１に示すように、撮像装置１００は、撮像レンズ１１０と、撮像素子（固体撮像素子）２００と、記録部１２０と、制御部１３０とを備える。撮像装置１００としては、例えば、ウェアラブルデバイスや産業用ロボット等に搭載されるカメラ、また、車等に搭載される車載カメラ等がある。

撮像レンズ１１０は、入射光を集光して撮像素子２００に導くものである。例えば、撮像レンズ１１０は、被写体からの入射光を取り込んで撮像素子２００の撮像面（受光面）上に結像する。

撮像素子２００は、入射光を光電変換してイベント（アドレスイベント）の有無を検出し、その検出結果を生成するものである。例えば、撮像素子２００は、複数の画素のそれぞれについて、輝度の変化量の絶対値が閾値を超えた旨をイベントとして検出する。この撮像素子２００は、ＥＶＳ（Event-based Vision Sensor）とも呼称される。

ここで、例えば、イベントはオンイベント及びオフイベントを含み、検出結果は１ビットのオンイベントの検出結果と１ビットのオフイベントの検出結果とを含む。オンイベントは、例えば、入射光の光量の変化量（輝度の上昇量）が所定の上限閾値を超えた旨を意味する。一方、オフイベントは、例えば、入射光の光量の変化量（輝度の低下量）が所定の下限閾値（上限閾値未満の値）を下回った旨を意味する。

例えば、撮像素子２００は、イベント（アドレスイベント）の検出結果を処理し、その処理結果を示すデータを記録部１２０に信号線２０９を介して出力する。例えば、撮像素子２００は、イベントの検出結果を示す検出信号（イベント信号）を画素ごとに生成する。それぞれの検出信号は、オンイベントの有無を示すオンイベント検出信号と、オフイベントの有無を示すオフイベント検出信号とを含む。なお、撮像素子２００は、オンイベント検出信号及びオフイベント検出信号の一方のみを検出してもよい。

また、例えば、撮像素子２００は、検出信号からなる画像データに対し、画像認識処理などの所定の信号処理を実行し、その処理後のデータを記録部１２０に信号線２０９を介して出力する。なお、撮像素子２００は、少なくとも、イベントの検出結果に基づくデータを出力すればよく、例えば、画像データが後段の処理において不要である場合、画像データを出力しない構成を採用してもよい。

記録部１２０は、撮像素子２００から入力されるデータを記録するものである。記録部１２０としては、例えば、フラッシュメモリやＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のストレージが用いられる。

制御部１３０は、信号線１３９を介して撮像素子２００に種々の指示を出力することで、撮像装置１００の各部を制御する。例えば、制御部１３０は、撮像素子２００を制御し、その撮像素子２００にイベント（アドレスイベント）の有無を検出させるものである。制御部１３０としては、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＣＵ（Micro Control Unit）等のコンピュータが用いられる。

＜１－２．撮像素子の概略構成の一例＞
本実施形態に係る撮像素子２００の概略構成の一例について図２及び図３を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る撮像素子２００の積層構造の一例を示す図である。図３は、本実施形態に係る撮像素子２００の概略構成の一例を示す図である。

図２に示すように、撮像素子２００は、受光チップ（受光基板）２０１と、検出チップ（検出基板）２０２とを備える。受光チップ２０１は、検出チップ２０２に積層される。この受光チップ２０１は第１のチップに相当し、検出チップ２０２は第２のチップに相当する。例えば、受光チップ２０１に受光素子（例えば、フォトダイオード等の光電変換素子）が配置され、検出チップ２０２に回路が配置される。受光チップ２０１及び検出チップ２０２は、ビアやＣｕ－Ｃｕ接合、バンプ等の接続部を介して電気的に接続される。

図３に示すように、撮像素子２００は、画素アレイ部１２と、駆動部１３と、アービタ部（調停部）１４と、カラム処理部１５と、信号処理部１６とを備える。駆動部１３、アービタ部１４、カラム処理部１５及び信号処理部１６は、画素アレイ部１２の周辺回路部として設けられている。

画素アレイ部１２は、複数の画素１１を有する。これらの画素１１はアレイ状、例えば、行列状に２次元配列されている。各画素１１の位置を示す画素アドレスは、画素１１の行列配置に基づいて行アドレス及び列アドレスで規定される。各画素１１のそれぞれは、光電変換によって生成される電気信号としての光電流に応じた電圧のアナログ信号を画素信号として生成する。また、各画素１１のそれぞれは、入射光の輝度に応じた光電流に、所定の閾値を超える変化が生じたか否かによって、イベントの有無を検出する。換言すれば、各画素１１のそれぞれは、輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出する。

各画素１１のそれぞれは、イベントを検出した際に、イベントの発生を表すイベントデータの出力を要求するリクエストをアービタ部１４に出力する。そして、各画素１１のそれぞれは、イベントデータの出力の許可を表す応答をアービタ部１４から受け取った場合、駆動部１３及び信号処理部１６に対してイベントデータを出力する。また、イベントを検出した画素１１は、光電変換によって生成されるアナログの画素信号をカラム処理部１５に対して出力する。

駆動部１３は、画素アレイ部１２の各画素１１を駆動する。例えば、駆動部１３は、イベントを検出し、イベントデータを出力した画素１１を駆動し、当該画素１１のアナログの画素信号を、カラム処理部１５へ出力させる。

アービタ部１４は、複数の画素１１のそれぞれから供給されるイベントデータの出力を要求するリクエストを調停し、その調停結果（イベントデータの出力の許可／不許可）に基づく応答、及び、イベント検出をリセットするリセット信号を画素１１に送信する。

カラム処理部１５は、画素アレイ部１２の画素列毎に、その列の画素１１から出力されるアナログの画素信号をデジタル信号に変換する処理を行う。例えば、カラム処理部１５は、デジタル化した画素信号に対して、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理を行うこともできる。このカラム処理部１５は、例えば、画素アレイ部１２の画素列毎に設けられたアナログ－デジタル変換器の集合から成るアナログ－デジタル変換部を有する。アナログ－デジタル変換器としては、例えば、シングルスロープ型のアナログ－デジタル変換器を例示することができる。

信号処理部１６は、カラム処理部１５から供給されるデジタル化された画素信号や、画素アレイ部１２から出力されるイベントデータに対して所定の信号処理を実行し、信号処理後のイベントデータ及び画素信号を出力する。

ここで、画素１１で生成される光電流の変化は、画素１１に入射する光の光量変化（輝度変化）として捉えられる。したがって、イベントの発生は、所定の閾値を超える画素１１の光量変化（輝度変化）であると言える。なお、イベントの発生を表すイベントデータには、例えば、イベントとしての光量変化が発生した画素１１の位置を表す座標等の位置情報が含まれる。イベントデータには、位置情報の他、光量変化の極性を含ませることも可能である。

＜１－３．画素の構成例＞
本実施形態に係る画素１１の構成例について図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る画素１１の概略構成の一例を示す図である。

図４に示すように、各画素１１のそれぞれは、受光部６１と、画素信号生成部６２と、イベント検出部６３とを有する。

受光部６１は、入射光を光電変換して光電流を生成する。そして、受光部６１は、駆動部１３（図３参照）の制御に従って、画素信号生成部６２及びイベント検出部６３のいずれかに、入射光を光電変換して生成した光電流に応じた電圧の信号を供給する。

画素信号生成部６２は、受光部６１から供給される光電流に応じた電圧の信号を、アナログの画素信号ＳＩＧとして生成する。そして、画素信号生成部６２は、生成したアナログの画素信号ＳＩＧを、画素アレイ部１２の画素列毎に配線された垂直信号線ＶＳＬを介してカラム処理部１５（図３参照）に供給する。

イベント検出部６３は、受光部６１のそれぞれからの光電流の変化量が所定の閾値を超えたか否かにより、イベントの発生の有無を検出する。イベントは、例えば、光電流の変化量が上限の閾値を超えた旨を示すオンイベントと、その変化量が下限の閾値を下回った旨を示すオフイベントとを含む。また、イベントの発生を表すイベントデータは、例えば、オンイベントの検出結果を示す１ビット、及び、オフイベントの検出結果を示す１ビットから成る。なお、イベント検出部６３については、オンイベントのみを検出する構成とすることもできる。

なお、ここで例示した画素１１の構成は一例であって、この構成例に限定されるものではない。例えば、画素信号ＳＩＧを出力する必要がない場合には、画素信号生成部６２を備えない画素構成とすることもできる。画素信号を出力しない画素構成とすることにより、撮像素子２００の規模の抑制を実現することができる。

このイベント検出部６３は、イベントが発生した際に、イベントの発生を表すイベントデータの出力を要求するリクエストをアービタ部１４（図３参照）に出力する。そして、イベント検出部６３は、リクエストに対する応答をアービタ部１４から受け取った場合、駆動部１３及び信号処理部１６に対してイベントデータを出力する。

なお、画素信号生成部６２及びイベント検出部６３は、画素１１（受光部６１）毎に設けられているが、これに限られるものではない。例えば、複数の画素１１（一例として、四つの画素１１）を一群として画素ブロックとし、画素信号生成部６２及びイベント検出部６３を画素ブロック毎に設けてもよい。この場合、画素信号生成部６２及びイベント検出部６３は画素ブロック内の画素１１に共通となる。

＜１－４．画素回路の構成例＞
本実施形態に係る画素回路３０１の構成例について図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６は、それぞれ本実施形態に係る画素回路３０１の概略構成の一例を示す図である。

図５に示すように、画素回路３０１は、電流電圧変換部３１０と、バッファ３２０と、微分回路３３０と、コンパレータ３４０と、転送部３５０とを有する。これらの電流電圧変換部３１０、バッファ３２０、微分回路３３０、コンパレータ３４０及び転送部３５０は、イベント検出部６３として機能する。なお、図５の例では、図示は省略されているが、画素回路３０１は、受光部６１や画素信号生成部６２等も含む。

電流電圧変換部３１０は、光電流を画素電圧Ｖｐに対数的に変換するものであり、例えば、光電流を、その光電流の対数値に比例した画素電圧Ｖｐに変換する。この電流電圧変換部３１０は、画素電圧Ｖｐをバッファ３２０に供給する。

バッファ３２０は、電流電圧変換部３１０からの画素電圧Ｖｐを微分回路３３０に出力するものである。このバッファ３２０により、バッファ前後のインピーダンスのアイソレーションを確保することができる。また、バッファ３２０により、後段のスイッチング動作に伴うノイズのアイソレーションを確保することができる。

微分回路３３０は、微分演算により画素電圧Ｖｐの変化量を求めるものである。この画素電圧Ｖｐの変化量は、光量の変化量を示す。微分回路３３０は、光量の変化量を示す微分信号Ｖｏｕｔをコンパレータ３４０に供給する。

コンパレータ３４０は、微分信号Ｖｏｕｔと所定の閾値（上限閾値や下限閾値）とを比較するものである。このコンパレータ３４０の比較結果ＣＯＭＰは、イベント（アドレスイベント）の検出結果を示す。コンパレータ３４０は、比較結果ＣＯＭＰを転送部３５０に供給する。

転送部３５０は、検出信号ＤＥＴを転送し、転送後にオートゼロ信号ＸＡＺを微分回路３３０に供給して初期化するものである。この転送部３５０は、イベントが検出された際に、検出信号ＤＥＴの転送を要求するリクエストをアービタ部１４に供給する。そして、リクエストに対する応答を受け取ると、転送部３５０は、比較結果ＣＯＭＰを検出信号ＤＥＴとして信号処理部１６に供給し、オートゼロ信号ＸＡＺを微分回路３３０に供給する。

詳細には、図６に示すように、受光部６１は、光電変換素子３１１を有する。光電変換素子３１１は、入射光に対する光電変換により光電流を生成する。この光電変換素子３１１としては、例えば、フォトダイオード（ＦＤ）が用いられる。

電流電圧変換部３１０は、Ｎ型トランジスタ３１２と、供給部３１３と、Ｐ型トランジスタ３１４と、Ｎ型トランジスタ３１５とを備える。供給部３１３は、スイッチ（第１のスイッチ）３１３ａを有する。Ｎ型トランジスタ３１２、Ｐ型トランジスタ３１４及びＮ型トランジスタ３１５としては、例えば、ＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタが用いられる。

ここで、光電変換素子３１１、Ｎ型トランジスタ３１２及びＮ型トランジスタ３１５は受光チップ２０１に配置され、その他のスイッチ３１３ａやＰ型トランジスタ３１４、後段の回路（バッファ３２０、微分回路３３０、コンパレータ３４０）等は検出チップ２０２に配置される。受光チップ２０１及び検出チップ２０２は、例えば、Ｃｕ－Ｃｕ接合（ＣＣＣ）により電気的に接続される。なお、受光チップ２０１及び検出チップ２０２のそれぞれに配置される回路や素子は、この構成に限定されるものではない。

Ｎ型トランジスタ３１２のソースは光電変換素子３１１に接続され、ドレインはスイッチ３１３ａを介して電源端子に接続される。Ｐ型トランジスタ３１４及びＮ型トランジスタ３１５は、電源端子と所定の基準電位（接地電位など）の基準端子との間において、直列に接続される。また、Ｐ型トランジスタ３１４のソース及びＮ型トランジスタ３１５のドレインは、Ｎ型トランジスタ３１２のゲートとバッファ３２０の入力端子とに接続される。Ｎ型トランジスタ３１２及び光電変換素子３１１の接続点は、Ｎ型トランジスタ３１５のゲートに接続される。このようにＮ型トランジスタ３１２及びＮ型トランジスタ３１５はループ状に接続されている。また、Ｐ型トランジスタ３１４のゲートには、所定のバイアス電圧が印加される。

供給部３１３は、光電変換素子３１１に電流が流れる経路をスイッチ３１３ａにより切り替え、光電変換素子３１１及びＮ型トランジスタ３１２の動作を無効にする電位Ｖｓｗ（例えば、接地電位等）をＮ型トランジスタ３１２のドレイン（ノード）に与える。スイッチ３１３ａは、光電変換素子３１１に電流が流れる経路を切り替えるための素子である。このスイッチ３１３ａは、Ｎ型トランジスタ３１２のドレイン及び電源端子の接続と、Ｎ型トランジスタ３１２のドレイン及びＶｓｗ端子の接続とを切替可能に形成されている。スイッチ３１３ａの動作は、例えば、制御部１３０により制御される。

バッファ３２０は、Ｐ型トランジスタ３２１及びＰ型トランジスタ３２２を備える。これらのトランジスタとしては、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。

Ｐ型トランジスタ３２１及びＰ型トランジスタ３２２は、電源端子と基準電位の端子との間において直列に接続される。また、Ｐ型トランジスタ３２２のゲートは、電流電圧変換部３１０に接続され、Ｐ型トランジスタ３２１及びＰ型トランジスタ３２２の接続点は、微分回路３３０に接続される。Ｐ型トランジスタ３２１のゲートには、所定のバイアス電圧Ｖｂｓｆが印加される。

微分回路３３０は、容量３３１と、Ｐ型トランジスタ３３２と、Ｐ型トランジスタ３３３と、容量３３４と、Ｎ型トランジスタ３３５とを備える。微分回路３３０内のトランジスタとしては、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。

Ｐ型トランジスタ３３３及びＮ型トランジスタ３３５は、電源端子と基準電位の端子との間において直列に接続される。Ｎ型トランジスタ３３５のゲートには、所定のバイアス電圧Ｖｂｄｉｆｆが入力される。これらのトランジスタは、Ｐ型トランジスタ３３３のゲートを入力端子３９１とし、Ｐ型トランジスタ３３３及びＮ型トランジスタ３３５の接続点を出力端子３９２とする反転回路として機能する。

容量３３１は、バッファ３２０と入力端子３９１との間に挿入される。この容量３３１は、バッファ３２０からの画素電圧Ｖｐの時間微分（言い換えれば、変化量）に応じた電流を入力端子３９１に供給する。また、容量３３４は、入力端子３９１と出力端子３９２との間に挿入される。

Ｐ型トランジスタ３３２は、転送部３５０からのオートゼロ信号ＸＡＺに従って入力端子３９１と出力端子３９２との間の経路を開閉するものである。例えば、ローレベルのオートゼロ信号ＸＡＺが入力されるとＰ型トランジスタ３３２は、オートゼロ信号ＸＡＺに従ってオン状態に移行し、微分信号Ｖｏｕｔを初期値にする。

コンパレータ３４０は、Ｐ型トランジスタ３４１と、Ｎ型トランジスタ３４２と、Ｐ型トランジスタ３４３と、Ｎ型トランジスタ３４４とを備える。これらのトランジスタとしては、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。

Ｐ型トランジスタ３４１及びＮ型トランジスタ３４２は、電源端子と基準端子との間において直列に接続され、Ｐ型トランジスタ３４３及びＮ型トランジスタ３４４も、電源端子と基準端子との間において直列に接続される。また、Ｐ型トランジスタ３４１及びＰ型トランジスタ３４３のゲートは、微分回路３３０に接続される。Ｎ型トランジスタ３４２のゲートには上限閾値を示す上限電圧Ｖｈｉｇｈが印加され、Ｎ型トランジスタ３４４のゲートには下限閾値を示す下限電圧Ｖｌｏｗが印加される。

Ｐ型トランジスタ３４１及びＮ型トランジスタ３４２の接続点は、転送部３５０に接続され、この接続点の電圧が上限閾値との比較結果ＣＯＭＰ＋として出力される。Ｐ型トランジスタ３４３及びＮ型トランジスタ３４４の接続点も、転送部３５０に接続され、この接続点の電圧が下限閾値との比較結果ＣＯＭＰ－として出力される。上限閾値はＰ型トランジスタ３４１及びＮ型トランジスタ３４２それぞれの電流駆動能力により決定され、下限閾値はＰ型トランジスタ３４３及びＮ型トランジスタ３４４それぞれの電流駆動能力により決定される。比較結果ＣＯＭＰは、これらの比較結果ＣＯＭＰ＋及びＣＯＭＰ－からなる信号である。

なお、コンパレータ３４０は、上限閾値及び下限閾値の両方を、微分信号Ｖｏｕｔと比較しているが、一方のみを微分信号Ｖｏｕｔと比較してもよい。この場合には、不要なトランジスタを削減することができる。例えば、上限閾値とのみ比較する際には、Ｐ型トランジスタ３４１及びＮ型トランジスタ３４２のみが配置される。

また、画素回路３０１において、電流電圧変換部３１０に容量を追加してもよい。この容量は、例えば、Ｎ型トランジスタ３１２のゲートとＮ型トランジスタ３１５のゲートとの間に挿入される。一方で、微分回路３３０に容量３３４を配置しているが、その容量３３４を削減してもよい。また、画素回路３０１からバッファ３２０を削除してもよい。このように画素回路３０１に対して各種の素子や回路等を追加したり、画素回路３０１から各種の素子や回路等を削除したりすることが可能である。

＜１－５．供給部の動作例＞
本実施形態に係る供給部３１３の動作例について図７を参照して説明する。図７は、本実施形態に係る図６に示す画素回路３０１の概略構成の一部を示す図である。

図７に示すように、供給部３１３では、スイッチ３１３ａが切り替えられ、Ｎ型トランジスタ３１２のドレインがＶｓｗ端子に接続される。詳しくは、撮像素子２００において受光チップ２０１の影響を分離し、検出チップ２０２単体の特性評価を行う場合、Ｎ型トランジスタ３１２のドレインがスイッチ３１３ａによりＶｓｗ端子に接続される。これにより、電位Ｖｓｗ（例えば、接地電位等）がＮ型トランジスタ３１２のドレインに与えられ、光電変換素子３１１及びＮ型トランジスタ３１２の動作が無効にされる。

一方、例えば、受光チップ２０１及び検出チップ２０２の両方の特性評価を行う場合や撮像を行う場合等、スイッチ３１３ａが切り替えられ、Ｎ型トランジスタ３１２のドレインがスイッチ３１３ａにより電源端子に接続される（図６参照）。これにより、電源電位ＶＤＤがＮ型トランジスタ３１２のドレインに与えられ、光電変換素子３１１及びＮ型トランジスタ３１２の動作（通常動作）が可能となる。

このように、受光チップ２０１及び検出チップ２０２の動作を無効化する電位ＶｓｗをＮ型トランジスタ３１２のドレインに与えることで、撮像素子２００において受光チップ２０１の影響を分離することが可能であり、検出チップ２０２単体の特性評価を行うことができる。したがって、特性評価において特性課題を解析する際に、特性課題を解決できない異常原因（例えば、欠陥原因等）が受光チップ２０１起因か検出チップ２０２起因かを断定することが可能となるので、異常原因箇所の特定を容易にすることができる。

ここで、例えば、スイッチ３１３ａは、制御部１３０による制御に応じて切り替えられる。制御部１３０は、一例として、入力部（図示省略）に対する操作者の入力操作に応じてスイッチ３１３ａを切り替えてもよい。この場合、評価者等の操作者は、必要に応じてスイッチ３１３ａを切り替えることが可能である。また、例えば、制御部１３０が特性評価を自動的に行う場合等、制御部１３０が特性評価を行うタイミングで自動的にスイッチ３１３ａを切り替えることも可能である。

なお、通常の撮像素子において、暗時で光電変換素子３１１のノイズレベルの増大が起因し、誤検知が増えると予想されるが、通常では、受光チップ２０１と検出チップ２０２を切り分けて特性を評価するのは困難であり、検出チップ２０２が起因となる誤検知を否定することはできない。そこで、本実施形態によれば、光電変換素子３１１の電流が流れる経路をスイッチ３１３ａにより切り替えることで、例えば、特性評価の際に、受光チップ２０１上の回路と検出チップ２０２上の回路とを切り分けることが可能になり、また、回路の特定ノードを任意の電位に固定することで、特定の素子の影響等を排除することが可能となる。これにより、複数のチップを有する撮像素子２００（例えば、積層型ＥＶＳ）において、解析または試験等による特性評価を容易化することができる。

＜１－６．画素アレイ部の各画素に対するスイッチの適用例＞
本実施形態に係る画素アレイ部１２の各画素に対するスイッチ３１３ａの適用例について図８及び図９を参照して説明する。図８及び図９は、それぞれ本実施形態に係る画素アレイ部１２の各画素に対するスイッチ３１３ａの適用例を説明するための図である。

図８に示すように、画素アレイ部１２の全ての有効画素、すなわち、撮影に使用する画素１１にスイッチ３１３ａが適用される。このスイッチ３１３ａは、有効画素毎に設けられる。図８の例では、有効画素は画素アレイ部１２の全面に設けられている。

図９に示すように、画素アレイ部１２の一部のテスト用画素、すなわち、撮影に使用しない画素１１にスイッチ３１３ａが適用される。このスイッチ３１３ａは、テスト用画素毎に設けられる。図９の例では、テスト用画素は画素アレイ部１２の端部（図９中の下端）の一列に設けられている。なお、テスト用画素は、例えば、図９中の上端や左端、右端等の端部に設けられてもよく、また、複数列に設けられてもよく、画素アレイ部１２の端部以外の個所に設けられてもよい。

ここで、図７に示す供給部３１３、すなわち、スイッチ３１３ａは、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよい。ただし、電流電圧変換部３１０に対してスイッチ３１３ａを設ける位置によっては、テスト用画素に設けることが好ましい場合もある。

また、スイッチ３１３ａは、有効画素やテスト用画素等の画素１１毎に設けられているが、これに限られるものではない。例えば、スイッチ３１３ａは、複数の画素１１を有する画素ブロック（特定エリア）毎に設けられてもよく、あるいは、全ての画素１１（全エリア）に対して一つだけ設けられていてもよい。

＜１－７．画素回路の変形例＞
本実施形態に係る画素回路３０１の変形例１から１２について図１０から図２１を参照して説明する。図１０から図２１は、それぞれ変形例（変形例１から１２）に係る画素回路３０１の概略構成の一部を示す図である。

［変形例１］
図１０に示すように、スイッチ３１３ａは、図７に示す構成に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図１０に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよい。

［変形例２］
図１１に示すように、変形例１（図１０参照）に係る構成に加え、スイッチ３１３ｂが設けられてもよい。供給部３１３は、スイッチ（第１のスイッチ）３１３ａ及びスイッチ（第２のスイッチ）３１３ｂを有する。スイッチ３１３ｂは、光電変換素子３１１に電流が流れる経路を切り替えるための素子であり、光電変換素子３１１の動作を無効にする電位Ｖｓｗ２（例えば、接地電位等）を光電変換素子３１１のカソード（ノード）に与える。このスイッチ３１３ｂは、光電変換素子３１１のカソード及びＶｓｗ２端子の接続と切断を切替可能に形成されている。スイッチ３１３ａ及びスイッチ３１３ｂの動作は、例えば、制御部１３０により制御される。

このような構成において、スイッチ３１３ａ及びスイッチ３１３ｂが切り替えられ、Ｎ型トランジスタ３１２のドレインがＶｓｗ１端子に接続され、光電変換素子３１１のカソードがＶｓｗ２端子に接続される。これにより、電位Ｖｓｗ１（例えば、接地電位等）がＮ型トランジスタ３１２のドレインに与えられ、また、電位Ｖｓｗ２（例えば、接地電位等）が光電変換素子３１１のカソードに与えられ、Ｎ型トランジスタ３１２及び光電変換素子３１１の動作が無効にされる。このとき、変形例１（図１０参照）に比べ、電位Ｖｓｗ２（例えば、接地電位等）が光電変換素子３１１のカソードに直接与えられるので、光電変換素子３１１の動作を確実に無効にすることができる。

図１１に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。スイッチ３１３ｂの追加により画素電流のリークパスが増えるため、図１１に示す構成、すなわち、スイッチ３１３ａ及びスイッチ３１３ｂを有効画素に適用すると、撮像素子２００の特性悪化が懸念される。この特性悪化を抑えるためには、スイッチ３１３ａ及びスイッチ３１３ｂをテスト用画素に適用することが好ましい。

［変形例３］
図１２に示すように、変形例２（図１１参照）に係る構成に加え、固定部３１７が設けられてもよい。この図１２に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。この理由は前述した理由と同じであるため、その説明を省略する（以下も同様）。

固定部３１７は、受光チップ２０１から検出チップ２０２への出力電位を所定電位に固定する。固定部３１７は、スイッチ（第３のスイッチ）３１７ａを有する。スイッチ３１７ａは、出力電位を所定電位に固定するための素子であり、電位Ｖｓｗ３（例えば、特性評価に必要な所定電位等）をＰ型トランジスタ３１４のドレイン（ノード）、すなわちバッファ３２０（図６参照）の入力端子（ノード）に与える。このスイッチ３１７ａは、Ｐ型トランジスタ３１４のドレイン及びＶｓｗ３端子の接続と切断を切替可能に形成されている。スイッチ３１７ａの動作は、例えば、制御部１３０により制御される。

このような構成において、スイッチ３１３ａ及びスイッチ３１３ｂが切り替えられ、前述の変形例２のように、光電変換素子３１１及びＮ型トランジスタ３１２の動作が無効にされる。さらに、スイッチ３１７ａがＯＮ状態にされ、Ｐ型トランジスタ３１４のソースがＶｓｗ３端子に接続される。これにより、電位Ｖｓｗ３（例えば、特性評価に必要な所定電位等）がＰ型トランジスタ３１４のドレイン、すなわちバッファ３２０の入力端子に与えられ、受光チップ２０１から検出チップ２０２への出力電位が所定電位に固定される。このとき、変形例２（図１１参照）に比べ、受光チップ２０１から検出チップ２０２への出力電位が所定電位に固定されて安定するので、撮像素子２００において受光チップ２０１の影響を分離しつつ、検出チップ２０２単体の特性評価を精度よく行うことができる。

［変形例４］
図１３に示すように、スイッチ３１７ａは、変形例３（図１２参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図１３に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例５］
図１４に示すように、変形例２（図１１参照）に係る構成に加え、切替部３１８が設けられてもよい。この図１４に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

切替部３１８は、受光チップ２０１及び検出チップ２０２の電気的な接続（受光チップ２０１から検出チップ２０２への出力接続）を切断状態と接続状態に切り替える。切替部３１８は、スイッチ（第４のスイッチ）３１８ａを有する。スイッチ３１８ａは、出力接続を切断状態と接続状態に切り替えるための素子であり、Ｎ型トランジスタ３１２及びＮ型トランジスタ３１５の接続点とＰ型トランジスタ３１４のドレインとの間に設けられている。このスイッチ３１８ａは、Ｎ型トランジスタ３１２及びＮ型トランジスタ３１５の接続点とＰ型トランジスタ３１４のドレインとの接続と切断を切替可能に形成されている。スイッチ３１８ａの動作は、例えば、制御部１３０により制御される。

このような構成において、スイッチ３１３ａ及びスイッチ３１３ｂが切り替えられ、前述の変形例２のように、光電変換素子３１１及びＮ型トランジスタ３１２の動作が無効にされる。さらに、スイッチ３１８ａがＯＦＦ状態（切断状態）にされ、Ｎ型トランジスタ３１２及びＮ型トランジスタ３１５の接続点とＰ型トランジスタ３１４のドレインとが切断される。これにより、受光チップ２０１及び検出チップ２０２の電気的な接続が切断状態になる。このとき、変形例２（図１１参照）に比べ、受光チップ２０１及び検出チップ２０２の電気的な接続が切断されるので、撮像素子２００において受光チップ２０１の影響を分離しつつ、検出チップ２０２単体の特性評価を精度よく行うことができる。

［変形例６］
図１５に示すように、スイッチ３１８ａは、変形例５（図１４参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図１５に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例７］
図１６に示すように、Ｐ型トランジスタ３１４は、変形例６（図１５参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図１６に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例８］
図１７に示すように、変形例３（図１２参照）及び変形例５（図１４参照）が組み合わされてもよい。これにより、変形例３及び変形例５の効果を得ることができる。この図１７に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例９］
図１８に示すように、スイッチ３１８ａは、変形例８（図１７参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図１８に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例１０］
図１９に示すように、Ｐ型トランジスタ３１４は、変形例９（図１８参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図１９に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例１１］
図２０に示すように、スイッチ３１７ａは、変形例９（図１８参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図２０に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

［変形例１２］
図２１に示すように、Ｐ型トランジスタ３１４及びスイッチ３１８ａは、変形例９（図１８参照）に比べ、受光チップ２０１に設けられてもよい。この図２１に示す構成は、有効画素及びテスト用画素のどちらに適用されてもよいが、テスト用画素に適用されることが好ましい。

＜１－８．作用・効果＞
以上説明したように、本実施形態によれば、光電変換素子３１１及び光電変換素子３１１に電気的に接続された第１の素子（例えば、Ｎ型トランジスタ３１２等）を有する受光基板（例えば、受光チップ２０１）と、受光基板に電気的に接続され、光電変換素子３１１から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部６３に含まれる複数の素子を有する検出基板（例えば、検出チップ２０２）と、光電変換素子３１１又は第１の素子の動作を無効にする電位を光電変換素子３１１のノード又は第１の素子のノードに与える供給部３１３とが設けられる。これにより、光電変換素子３１１又は第１の素子の動作を無効にする電位を光電変換素子３１１のノード又は第１の素子のノードに与えることで、撮像素子２００において受光基板の影響を分離することが可能であり、検出基板単体の特性評価を行うことができる。したがって、特性評価において特性課題を解析する際に、特性課題を解決できない異常原因（例えば、欠陥原因等）が受光基板起因か検出基板起因かを断定することが可能となるので、異常原因箇所の特定を容易にすることができる。

また、供給部３１３は、光電変換素子３１１に電流が流れる経路を切り替え、第１の素子の動作を無効にする電位を第１の素子のノードに与えるための第１のスイッチ３１３ａを有してもよい。これにより、第１の素子の動作を無効にする電位を第１の素子のノードに与えることで、撮像素子２００において受光基板の影響を確実に分離することが可能であり、検出基板単体の特性評価を精度よく行うことができる。また、簡略な構成により供給部３１３を実現することができる。

また、第１のスイッチ３１３ａは、検出基板に設けられてもよい。これにより、設計自由度を向上させることができる。

また、第１のスイッチ３１３ａは、受光基板に設けられてもよい。これにより、設計自由度を向上させることができる。

また、供給部３１３は、光電変換素子３１１に電流が流れる経路を切り替え、光電変換素子３１１の動作を無効にする電位を光電変換素子３１１のノードに与えるための第２のスイッチ３１３ｂを有してもよい。これにより、光電変換素子３１１の動作を無効にする電位を光電変換素子３１１のノードに直接与えることで、撮像素子２００において受光基板の影響を確実に分離することが可能であり、検出基板単体の特性評価を精度よく行うことができる。また、簡略な構成により供給部３１３を実現することができる。

また、受光基板から検出基板への出力電位を所定電位に固定する固定部３１７が設けられてもよい。これにより、受光基板から検出基板への出力電位が所定電位に固定されるので、撮像素子２００において受光基板の影響を分離しつつ、検出基板単体の特性評価をより精度よく行うことができる。

また、固定部３１７は、受光基板から検出基板への出力電位を所定電位に固定するための第３のスイッチ３１７ａを有してもよい。これにより、簡略な構成で固定部３１７を実現することができる。

また、第３のスイッチ３１７ａは、検出基板に設けられてもよい。これにより、受光基板側の設計自由度を向上させることができる。

また、第３のスイッチ３１７ａは、受光基板に設けられてもよい。これにより、検出基板側の設計自由度を向上させることができる。

また、受光基板及び検出基板の電気的な接続を切断状態と接続状態に切り替える切替部３１８が設けられてもよい。これにより、受光基板及び検出基板の電気的な接続が切断状態にされるので、撮像素子２００において受光基板の影響を分離しつつ、検出基板単体の特性評価をより精度よく行うことができる。

また、切替部３１８は、受光基板及び検出基板の電気的な接続を切断状態と接続状態に切り替えるための第４のスイッチ３１８ａを有してもよい。これにより、簡略な構成で切替部３１８を実現することができる。

また、第４のスイッチ３１８ａは、検出基板に設けられてもよい。これにより、受光基板側の設計自由度を向上させることができる。

また、第４のスイッチ３１８ａは、受光基板に設けられてもよい。これにより、検出基板側の設計自由度を向上させることができる。

また、イベント検出部６３は、光電変換素子３１１から出力される電流を電圧に変換する電流電圧変換部３１０を有し、電流電圧変換部３１０は、複数のトランジスタ（例えば、Ｎ型トランジスタ３１２やＰ型トランジスタ３１４、Ｎ型トランジスタ３１５等）を有してもよい。これにより、簡略な構成でイベント検出部６３を実現することができる。

また、各トランジスタの一部は、検出基板に設けられてもよい。これにより、受光基板側の設計自由度を向上させることができる。

また、各トランジスタの全部は、受光基板に設けられてもよい。これにより、検出基板側の設計自由度を向上させることができる。

また、複数の画素１１をアレイ状（例えば、マトリクス状）に有する画素アレイ部１２が設けられ、各画素１１は、光電変換素子３１１、第１の素子及び複数の素子をそれぞれ有し、各画素１１は、有効画素及びテスト用画素に分けられ、供給部３１３は、テスト用画素に設けられてもよい。これにより、供給部３１３が有効画素に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能になるので、撮像素子２００の特性悪化を抑制することができる。

また、複数の画素１１をアレイ状（例えば、マトリクス状）に有する画素アレイ部１２が設けられ、各画素１１は、光電変換素子３１１、第１の素子及び複数の素子をそれぞれ有し、各画素１１は、所定数（例えば、四つ等）の画素１１をそれぞれ含む複数の画素ブロックに分けられ、供給部３１３は、画素ブロック毎に設けられてもよい。これにより、供給部３１３を画素１１毎に設ける場合に比べ、装置構成を簡略化することができる。

＜２．他の実施形態＞
上述した実施形態（又は変形例）に係る処理は、上記実施形態以外にも種々の異なる形態（変形例）にて実施されてよい。例えば、上記実施形態において説明した各処理のうち、自動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を手動的に行うこともでき、あるいは、手動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を公知の方法で自動的に行うこともできる。この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。例えば、各図に示した各種情報は、図示した情報に限られない。

また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。

また、上述した実施形態（又は変形例）は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、他の効果があってもよい。

また、上述した実施形態（又は変形例）において、画素１１毎にカラーフィルタが設けられてもよい。撮像素子２００は、カラーフィルタに基づく特定の波長帯でイベント検出を行うことが可能になる。これにより、種々の波長帯の情報をイベントとして検出することができる。カラーフィルタは、所定の光を透過する光学フィルタの一例である。このカラーフィルタを画素１１に設けることによって、入射光として任意の光を受光することができる。例えば、画素１１において、入射光として、可視光を受光する場合、イベントデータは、視認することができる被写体が映る画像における画素値の変化の発生を表す。また、例えば、画素１１において、入射光として、測距のための赤外線やミリ波等を受光する場合、イベントデータは、被写体までの距離の変化の発生を表す。さらに、例えば、画素１１において、入射光として、温度の測定のための赤外線を受光する場合、イベントデータは、被写体の温度の変化の発生を表す。なお、カラーフィルタとしては、例えば、４×４画素のクアッドベイヤー配列（クワドラ配列ともいう）や８×８画素の配列、２×２画素のベイヤー配列等の種々のカラーフィルタが用いられる。

ここで、例えば、車両の走行中等、運転者の目には、自車の前を走行中の車のブレーキランプやテールランプの点灯（点滅）、方向指示器の点滅、信号機の色の変化、電光標識等、種々の波長帯の情報、特に、Ｒ（赤色）の波長帯の情報（ブレーキランプ、テールランプ、信号機の赤信号等）が飛び込んでくる。これら各種の情報については、基本的に、運転者が目視で検出し、その内容を判断することになるが、撮像素子２００が運転者と同様にその検出、判断を行うことができれば非常に便利である。そこで、撮像素子２００に画素１１毎に、波長選択素子の一例であるカラーフィルタを設け、それぞれの画素１１における閾値検出を行うことにより、色毎のイベント検出を可能にしてもよい。例えば、色毎にイベント検出した物体の動き検出を行う。これにより、各波長帯における色毎のイベント信号を、車のブレーキランプやテールランプの点灯（点滅）、方向指示器の点滅、信号機の色の変化、電光標識等の検出（検知）に活用することができる。

なお、カラーフィルタの配列としては、例えば、Ｒ（赤色）の画素とＣ（クリア）の画素とを組み合わせたＲＣＣＣフィルタや、Ｒの画素及びＣの画素にＢ（青色）の画素を組み合わせたＲＣＣＢフィルタや、Ｒの画素、Ｇ（緑色）、及び、Ｂの画素を組み合わせたＲＧＢベイヤー配列のフィルタが用いられてもよい。Ｃの画素は、色フィルタが設けられていないか、透明のフィルタが設けられている画素であり、Ｗ（白色）の画素と同様の画素である。例えば、Ｒ（赤色）の画素とＣ（クリア）の画素とを組み合わせたＲＣＣＣフィルタは、月明かりの夜間に相当する低照度でも、遠方の障害物や人物などを撮像できる高感度を実現できる。また、ＲＣＣＣフィルタは、例えば、車載センシング等で重要となる赤色の波長帯の光（例えば、テールランプや信号機の赤信号等）の検出精度を向上させることができる。

＜３．応用例＞
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図２２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２２に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller Area Network）、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）、ＬＡＮ（Local Area Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。

各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図２２では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。

駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock Brake System）又はＥＳＣ（Electronic Stability Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。

駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。

ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。

車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time Of Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。

環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。

ここで、図２３は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図２３には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。

図２２に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。

また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。

車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。

統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。

記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。

汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global System of Mobile communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long Term Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer To Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine Type Communication）端末）と接続してもよい。

専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless Access in Vehicle Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated Short Range Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle to Vehicle）通信、路車間（Vehicle to Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle to Home）の通信及び歩車間（Vehicle to Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。

測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。

ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。

車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near Field Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition Multimedia Interface、又はＭＨＬ（Mobile High-definition Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。

車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。

統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。

マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。

音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。

なお、図２２に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。

なお、各実施形態（変形例も含む）において説明した撮像装置１００の各機能を実現するためのコンピュータプログラムを、いずれかの制御ユニット等に実装することができる。また、このようなコンピュータプログラムが格納された、コンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供することもできる。記録媒体は、例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、フラッシュメモリ等である。また、上記のコンピュータプログラムは、記録媒体を用いずに、例えばネットワークを介して配信されてもよい。

以上説明した車両制御システム７０００において、各実施形態（変形例も含む）において説明した撮像装置１００は、図２２に示した応用例の統合制御ユニット７６００に適用することができる。例えば、撮像装置１００の制御部１３０や記録部（記憶部）１２０等は、統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０や記憶部７６９０により実現されてもよい。また、各実施形態において説明した撮像装置１００は、図２２に示した応用例の撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０、例えば、図２３に示した応用例の撮像部７９１０、７９１２、７９１４、７９１６、７９１８や車外情報検出部７９２０～７９３０などに適用することができる。各実施形態において説明した撮像装置１００を用いることによって、車両制御システム７０００においても、異常原因箇所の特定を容易にすることができる。

また、各実施形態（変形例も含む）において説明した撮像装置１００の少なくとも一部の構成要素は、図２２に示した応用例の統合制御ユニット７６００のためのモジュール（例えば、一つのダイで構成される集積回路モジュール）において実現されてもよい。あるいは、各実施形態において説明した撮像装置１００の一部が、図２２に示した車両制御システム７０００の複数の制御ユニットによって実現されてもよい。

＜４．付記＞
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、
前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、
前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、
を備える撮像素子。
（２）
前記供給部は、
前記光電変換素子に前記電流が流れる経路を切り替え、前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記第１の素子のノードに与えるための第１のスイッチを有する、
上記（１）に記載の撮像素子。
（３）
前記第１のスイッチは、前記検出基板に設けられている、
上記（２）に記載の撮像素子。
（４）
前記第１のスイッチは、前記受光基板に設けられている、
上記（２）に記載の撮像素子。
（５）
前記供給部は、
前記光電変換素子に前記電流が流れる経路を切り替え、前記光電変換素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノードに与えるための第２のスイッチをさらに有する、
上記（２）から（４）のいずれか一つに記載の撮像素子。
（６）
前記受光基板から前記検出基板への出力電位を所定電位に固定する固定部をさらに備える、
上記（１）から（５）のいずれか一つに記載の撮像素子。
（７）
前記固定部は、
前記出力電位を前記所定電位に固定するための第３のスイッチを有する、
上記（６）に記載の撮像素子。
（８）
前記第３のスイッチは、前記検出基板に設けられている、
上記（７）に記載の撮像素子。
（９）
前記第３のスイッチは、前記受光基板に設けられている、
上記（７）に記載の撮像素子。
（１０）
前記受光基板及び前記検出基板の電気的な接続を切断状態と接続状態に切り替える切替部をさらに備える、
上記（１）から（９）のいずれか一つに記載の撮像素子。
（１１）
前記切替部は、
前記受光基板及び前記検出基板の電気的な前記接続を前記切断状態と前記接続状態に切り替えるための第４のスイッチを有する、
上記（１０）に記載の撮像素子。
（１２）
前記第４のスイッチは、前記検出基板に設けられている、
上記（１１）に記載の撮像素子。
（１３）
前記第４のスイッチは、前記受光基板に設けられている、
上記（１１）に記載の撮像素子。
（１４）
前記イベント検出部は、
前記光電変換素子から出力される前記電流を電圧に変換する電流電圧変換部を有し、
前記電流電圧変換部は、複数のトランジスタを有する、
上記（１）から（１３）のいずれか一つに記載の撮像素子。
（１５）
前記複数のトランジスタの一部は、前記検出基板に設けられている、
上記（１４）に記載の撮像素子。
（１６）
前記複数のトランジスタの全部は、前記受光基板に設けられている、
上記（１４）に記載の撮像素子。
（１７）
複数の画素をアレイ状に有する画素アレイ部をさらに備え、
前記複数の画素は、前記光電変換素子、前記第１の素子及び前記複数の素子をそれぞれ有し、
前記複数の画素は、有効画素及びテスト用画素に分けられており、
前記供給部は、前記テスト用画素に設けられている、
上記（１）から（１６）のいずれか一つに記載の撮像素子。
（１８）
複数の画素をアレイ状に有する画素アレイ部をさらに備え、
前記複数の画素は、前記光電変換素子、前記第１の素子及び前記複数の素子をそれぞれ有し、
前記複数の画素は、所定数の画素をそれぞれ含む複数の画素ブロックに分けられており、
前記供給部は、前記画素ブロック毎に設けられている、
上記（１）から（１６）のいずれか一つに記載の撮像素子。
（１９）
撮像レンズと、
撮像素子と、
を備え、
前記撮像素子は、
光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、
前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、
前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、
を有する撮像装置。
（２０）
光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板とを備える撮像素子を制御する方法であって、
前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える、
ことを含む撮像素子の制御方法。
（２１）
上記（１）から（１８）のいずれか一つに記載の撮像素子を備える撮像装置。
（２２）
上記（１）から（１８）のいずれか一つに記載の撮像素子を制御する撮像素子の制御方法。

１１画素
１２画素アレイ部
１３駆動部
１４アービタ部
１５カラム処理部
１６信号処理部
６１受光部
６２画素信号生成部
６３イベント検出部
１００撮像装置
１１０撮像レンズ
１２０記録部
１３０制御部
１３９信号線
２００撮像素子
２０１受光チップ
２０２検出チップ
２０９信号線
３０１画素回路
３１０電流電圧変換部
３１１光電変換素子
３１２Ｎ型トランジスタ
３１３供給部
３１３ａスイッチ
３１３ｂスイッチ
３１４Ｐ型トランジスタ
３１５Ｎ型トランジスタ
３１７固定部
３１７ａスイッチ
３１８切替部
３１８ａスイッチ
３２０バッファ
３２１Ｐ型トランジスタ
３２２Ｐ型トランジスタ
３３０微分回路
３３１容量
３３２Ｐ型トランジスタ
３３３Ｐ型トランジスタ
３３４容量
３３５Ｎ型トランジスタ
３４０コンパレータ
３４１Ｐ型トランジスタ
３４２Ｎ型トランジスタ
３４３Ｐ型トランジスタ
３４４Ｎ型トランジスタ
３５０転送部
３９１入力端子
３９２出力端子

Claims

光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、
前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、
前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、
を備える撮像素子。
前記供給部は、
前記光電変換素子に前記電流が流れる経路を切り替え、前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記第１の素子のノードに与えるための第１のスイッチを有する、
請求項１に記載の撮像素子。
前記第１のスイッチは、前記検出基板に設けられている、
請求項２に記載の撮像素子。
前記第１のスイッチは、前記受光基板に設けられている、
請求項２に記載の撮像素子。
前記供給部は、
前記光電変換素子に前記電流が流れる経路を切り替え、前記光電変換素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノードに与えるための第２のスイッチをさらに有する、
請求項２に記載の撮像素子。
前記受光基板から前記検出基板への出力電位を所定電位に固定する固定部をさらに備える、
請求項１に記載の撮像素子。
前記固定部は、
前記出力電位を前記所定電位に固定するための第３のスイッチを有する、
請求項６に記載の撮像素子。
前記第３のスイッチは、前記検出基板に設けられている、
請求項７に記載の撮像素子。
前記第３のスイッチは、前記受光基板に設けられている、
請求項７に記載の撮像素子。
前記受光基板及び前記検出基板の電気的な接続を切断状態と接続状態に切り替える切替部をさらに備える、
請求項１に記載の撮像素子。
前記切替部は、
前記受光基板及び前記検出基板の電気的な前記接続を前記切断状態と前記接続状態に切り替えるための第４のスイッチを有する、
請求項１０に記載の撮像素子。
前記第４のスイッチは、前記検出基板に設けられている、
請求項１１に記載の撮像素子。
前記第４のスイッチは、前記受光基板に設けられている、
請求項１１に記載の撮像素子。
前記イベント検出部は、
前記光電変換素子から出力される前記電流を電圧に変換する電流電圧変換部を有し、
前記電流電圧変換部は、複数のトランジスタを有する、
請求項１に記載の撮像素子。
前記複数のトランジスタの一部は、前記検出基板に設けられている、
請求項１４に記載の撮像素子。
前記複数のトランジスタの全部は、前記受光基板に設けられている、
請求項１４に記載の撮像素子。
複数の画素をアレイ状に有する画素アレイ部をさらに備え、
前記複数の画素は、前記光電変換素子、前記第１の素子及び前記複数の素子をそれぞれ有し、
前記複数の画素は、有効画素及びテスト用画素に分けられており、
前記供給部は、前記テスト用画素に設けられている、
請求項１に記載の撮像素子。
複数の画素をアレイ状に有する画素アレイ部をさらに備え、
前記複数の画素は、前記光電変換素子、前記第１の素子及び前記複数の素子をそれぞれ有し、
前記複数の画素は、所定数の画素をそれぞれ含む複数の画素ブロックに分けられており、
前記供給部は、前記画素ブロック毎に設けられている、
請求項１に記載の撮像素子。
撮像レンズと、
撮像素子と、
を備え、
前記撮像素子は、
光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、
前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板と、
前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える供給部と、
を有する撮像装置。
光電変換素子及び前記光電変換素子に電気的に接続された第１の素子を有する受光基板と、前記受光基板に電気的に接続され、前記光電変換素子から出力される電流の変化に応じてイベント信号を出力するイベント検出部に含まれる複数の素子を有する検出基板とを備える撮像素子を制御する方法であって、
前記光電変換素子又は前記第１の素子の動作を無効にする電位を前記光電変換素子のノード又は前記第１の素子のノードに与える、
ことを含む撮像素子の制御方法。