JP2020088723A - 固体撮像素子、および、撮像装置 - Google Patents

固体撮像素子、および、撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020088723A
JP2020088723A JP2018223479A JP2018223479A JP2020088723A JP 2020088723 A JP2020088723 A JP 2020088723A JP 2018223479 A JP2018223479 A JP 2018223479A JP 2018223479 A JP2018223479 A JP 2018223479A JP 2020088723 A JP2020088723 A JP 2020088723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
pixel
switch
solid
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018223479A
Other languages
English (en)
Inventor
弘博 朱
Hongbo Zhu
弘博 朱
伸 北野
Shin Kitano
伸 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2018223479A priority Critical patent/JP2020088723A/ja
Priority to PCT/JP2019/044089 priority patent/WO2020110676A1/ja
Priority to EP19890790.9A priority patent/EP3890311A1/en
Priority to US17/290,035 priority patent/US11632505B2/en
Priority to CN201980077047.9A priority patent/CN113170066A/zh
Publication of JP2020088723A publication Critical patent/JP2020088723A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/47Image sensors with pixel address output; Event-driven image sensors; Selection of pixels to be read out based on image data
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
    • H04N25/683Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects by defect estimation performed on the scene signal, e.g. real time or on the fly detection
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/68Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
    • H04N25/69SSIS comprising testing or correcting structures for circuits other than pixel cells
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子において、アドレスイベントの誤検出を抑制する。【解決手段】複数の画素の各々は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を実行する。異常画素判定部は、複数の画素のそれぞれについて異常があるか否かを判定して異常の無い画素を有効に設定し、異常のある画素を無効に設定する。制御部は、有効に設定された画素に検出処理を実行させる制御と無効に設定された画素の検出結果を特定の値に固定する制御とを行う。【選択図】図3

Description

本技術は、固体撮像素子、および、撮像装置に関する。詳しくは、入射光量の変化量と閾値とを比較する固体撮像素子、および、撮像装置に関する。
従来より、垂直同期信号などの同期信号に同期して画像データ(フレーム)を撮像する同期型の固体撮像素子が、撮像装置などにおいて用いられている。この一般的な同期型の固体撮像素子では、同期信号の周期(例えば、1/60秒)ごとにしか画像データを取得することができないため、交通やロボットなどに関する分野において、より高速な処理が要求された場合に対応することが困難になる。そこで、画素アドレスごとに、その画素の光量の変化量が閾値を超えた旨をアドレスイベントとしてリアルタイムに検出する検出回路を画素毎に設けた非同期型の固体撮像素子が提案されている(例えば、非特許文献1参照。)。このように、画素毎にアドレスイベントを検出する固体撮像素子は、DVS(Dynamic Vision Sensor)と呼ばれる。
Jing Huang, et al., A Dynamic Vision Sensor with Direct Logarithmic Output and Full-frame Picture-On-Demand, 2017 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS).
上述の非同期型の固体撮像素子(すなわち、DVS)では、同期型の固体撮像素子よりも遥かに高速にデータが生成される。しかしながら、上述のDVSでは、暗電流ノイズや素子の不良などの様々な要因に起因して、異常な挙動の画素が生じることがある。例えば、入射光に変化が無いにも関わらず、アドレスイベントが誤って検出されてしまう。このような異常な画素がアドレスイベントを誤検出すると、画像認識の精度低下や、消費電力の増大などの様々な弊害が生じるおそれがある。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子において、アドレスイベントの誤検出を抑制することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を各々が実行する複数の画素回路と、上記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定して上記異常の無い画素回路を有効に設定し、上記異常のある画素回路を無効に設定する異常画素判定部と、上記有効に設定された画素回路に上記検出処理を実行させる制御と上記無効に設定された画素回路の上記検出結果を特定の値に固定する制御とを行う制御部とを具備する固体撮像素子である。これにより、異常のある画素回路の検出結果が固定されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記複数の画素回路のそれぞれは、光電変換により光電流を生成する光電変換素子と上記光電流を電圧に変換する電流電圧変換部とが配置された対数応答部と、上記電圧を出力するバッファと、上記出力された電圧の変化量を示す微分信号を微分演算により生成する微分回路と、上記微分信号と上記閾値とを比較するコンパレータと、上記コンパレータの比較結果を上記検出結果として転送する転送部とを備え、上記対数応答部、上記バッファ、上記微分回路および上記コンパレータのいずれかは、所定の経路を上記制御部の制御に従って開閉するスイッチを備えてもよい。これにより、スイッチによって検出結果が固定されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記制御部は、上記無効に設定された画素回路の上記スイッチを開状態に制御してもよい。これにより、開状態のスイッチによって検出結果が固定されるという作用をもたらす。
上記スイッチは、上記光電変換素子と上記電流電圧変換部との間に挿入されてもよい。これにより、光電変換素子が遮断されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電流電圧変換部は、上記光電変換素子に直列に接続されたトランジスタとスイッチとを備え、上記スイッチは、上記光電変換素子および上記トランジスタの間の経路と上記トランジスタおよび電源端子の間の経路との少なくとも一方に挿入されてもよい。これにより、電流が遮断されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記バッファは、直列に接続された第1および第2のトランジスタを備え、上記スイッチは、上記第1および第2のトランジスタの間と、上記第1および第2のトランジスタの接続点から上記微分回路までの間との少なくとも1つに挿入されもよい。これにより、バッファの出力電圧が遮断されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記微分回路は、上記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、上記入力端子の電圧を反転した信号を上記微分信号として出力する反転回路とを備え、上記スイッチは、上記容量および上記入力端子の間に挿入されてもよい。これにより、微分信号が遮断されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記コンパレータの出力ノードと上記転送部との間に挿入されてもよい。これにより、コンパレータの比較結果が遮断されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記無効に設定された画素回路の上記スイッチを閉状態に制御してもよい。これにより、閉状態のスイッチによって検出結果が固定されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記電流電圧変換部および上記光電変換素子の接続点と所定の基準端子との間に挿入されてもよい。これにより、電流電圧変換部の入力側が短絡されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記電流電圧変換部および上記バッファの接続点と所定の基準端子との間に挿入されてもよい。これにより、電流電圧変換部の出力側が短絡されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記バッファおよび上記微分回路の接続点と所定の基準端子との間に挿入されてもよい。これにより、バッファの出力端子が短絡されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記微分回路は、上記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、上記入力端子の電圧を反転した信号を上記微分信号として出力する反転回路とを備え、上記スイッチは、上記反転回路の上記入力端子と出力端子との間に挿入されてもよい。これにより、微分回路が初期化されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記微分回路は、上記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、上記入力端子の電圧を反転した信号を上記微分信号として出力する反転回路と、初期化を指示する上記転送部からのオートゼロ信号に従って上記反転回路の上記入力端子と出力端子との間を短絡する短絡トランジスタとを備え、上記スイッチは、上記短絡トランジスタのゲートと上記転送部との間に挿入されてもよい。これにより、微分回路が初期化されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記コンパレータの出力端子と所定端子との間に挿入されてもよい。これにより、コンパレータの出力端子が短絡されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記異常画素判定部は、上記検出処理の実行前に上記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定しておいてもよい。これにより、静的な要因による異常の有無が判定されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記異常画素判定部は、上記検出処理の実行中に上記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定してもよい。これにより、動的な要因による異常の有無が判定されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記異常画素判定部は、複数の異常画素判定回路を備え、上記複数の異常画素判定回路は、互いに異なる画素に配置され、上記複数の画素回路は、互いに異なる上記画素に配置されてもよい。これにより、画素毎に設けられた回路によって異常の有無が判定されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記特定の値は、上記変化量が前記閾値を超えない旨を示す値であってもよい。これにより、検出結果がアドレスイベントが生じないときの値に固定されるという作用をもたらす。
また、本技術の第2の側面は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を各々が実行する複数の画素回路と、上記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定して上記異常の無い画素回路を有効に設定し、上記異常のある画素回路を無効に設定する異常画素判定部と、上記有効に設定された画素回路に上記検出処理を実行させる制御と上記無効に設定された画素回路の上記検出結果を特定の値に固定する制御とを行う制御部と、上記検出結果を処理する信号処理部とを具備する撮像装置である。これにより、異常の無い画素回路の検出結果が処理され、異常のある画素回路の検出結果が固定されるという作用をもたらす。
本技術の第1の実施の形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の積層構造の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における画素の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態における容量を削減した対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態における信号処理部の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における異常画素判定部の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態におけるカウンタを用いる異常画素判定部の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における異常判定処理の一例を示すフローチャートである。 本技術の第1の実施の形態における検出処理の一例を示すフローチャートである。 本技術の第1の実施の形態の第1の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態の第2の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態の第3の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態の第4の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態の第5の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態の第6の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第2の実施の形態における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第2の実施の形態の第1の変形例における対数応答部、バッファおよび微分回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第2の実施の形態の第2の変形例における対数応答部、バッファおよび微分回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第2の実施の形態の第3の変形例における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態における対数応答部、バッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態の第1の変形例における対数応答部、バッファおよび微分回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態の第2の変形例における対数応答部、バッファおよび微分回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態の第3の変形例における対数応答部、バッファおよび微分回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態の第3の変形例における論理ゲートを用いた対数応答部、バッファおよび微分回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態の第4の変形例におけるバッファ、微分回路およびコンパレータの一構成例を示す回路図である。 本技術の第4の実施の形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第4の実施の形態における画素の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第5の実施の形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第5の実施の形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
1.第1の実施の形態(画素毎に有効または無効に設定する例)
2.第2の実施の形態(スイッチを追加し、画素毎に有効または無効に設定する例)
3.第3の実施の形態(スイッチの位置を変更し、画素毎に有効または無効に設定する例)
4.第4の実施の形態(アドレスイベントの検出中に、画素毎に有効または無効に設定する例)
5.第5の実施の形態(異常の有無を判定するプログラムを実行し、画素毎に有効または無効に設定する例)
6.移動体への応用例
<1.第1の実施の形態>
[撮像装置の構成例]
図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、撮像レンズ110、固体撮像素子200、記録部120および制御部130を備える。撮像装置100としては、産業用ロボットに搭載されるカメラや、車載カメラなどが想定される。
撮像レンズ110は、入射光を集光して固体撮像素子200に導くものである。固体撮像素子200は、入射光を光電変換してアドレスイベントの有無を検出して、その検出結果を生成するものである。ここで、アドレスイベントは、オンイベントおよびオフイベントを含み、検出結果は、1ビットのオンイベントの検出結果と1ビットのオフイベントの検出結果とを含む。オンイベントは、入射光の光量の変化量が所定の上限閾値を超えた旨を意味する。一方、オフイベントは、光量の変化量が所定の下限閾値を下回った旨を意味する。固体撮像素子200は、アドレスイベントの検出結果を処理し、その処理結果を示すデータを記録部120に信号線209を介して出力する。なお、固体撮像素子200は、オンイベントおよびオフイベントの一方のみを検出してもよい。
記録部120は、固体撮像素子200からのデータを記録するものである。制御部130は、固体撮像素子200を制御してアドレスイベントの有無を検出させるものである。
[固体撮像素子の構成例]
図2は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の積層構造の一例を示す図である。この固体撮像素子200は、回路チップ202と、その回路チップ202に積層された受光チップ201とを備える。これらのチップは、ビアなどの接続部を介して電気的に接続される。なお、ビアの他、Cu−Cu接合やバンプにより接続することもできる。
図3は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。この固体撮像素子200は、駆動回路211、アービタ213、画素アレイ部214、信号処理部220、異常画素判定部230および設定情報保持部240を備える。画素アレイ部214には、複数の画素300が二次元格子状に配列される。
画素300は、設定情報保持部240に保持された設定情報に基づいてアドレスイベントの有無を検出するものである。この画素300は、アドレスイベントを検出した際に、検出結果を示す検出信号の転送を要求するリクエストをアービタ213に供給する。そして、リクエストに対する応答を受け取ると画素300は、検出信号を信号処理部220に供給する。
アービタ213は、それぞれの画素ブロックからのリクエストを調停し、調停結果に基づいて応答を画素300に送信するものである。
信号処理部220は、画素アレイ部214からの検出信号に対し、画像認識処理などの所定の信号処理を実行するものである。この信号処理部220には、制御部130からのモード信号MODEが入力される。このモード信号MODEは、検出モードおよび異常判定モードを含む複数のモードのいずれかを示す信号である。この検出モードは、固体撮像素子200が、アドレスイベントの有無を画素毎に検出するモードである。一方、異常判定モードは、画素毎に、その画素が異常であるか否かを判定するモードである。
ここで、「異常」とは、画素の挙動が、設計上、想定されたものと異なることを意味する。例えば、入射光量に変化が無いにも関わらず、アドレスイベントが大量に発生すると、アドレスイベントの検出結果を配列した画像データ内において、その画素が点滅する。また、入射光量に変化が有ったにも関わらず、アドレスイベントが生じた状態が継続すると、画像データ内において、その画素が白点となる。また、フリッカ光源を画素が受光している場合、その光源以外の被写体からの光の変化の有無に関わらずにアドレスイベントが定期的に発生し、その画素が点滅する。これらの挙動は、異常なものとして扱われる。
このような異常が生じる要因は、静的な要因と動的な要因とに分けることができる。静的な要因としては、暗電流ノイズなどのノイズや、素子の製品ばらつき、画素内の素子の不良などが想定される。動的な要因としては、経年劣化やフリッカ光源の照射などが想定される。
信号処理部220は、検出モードにおいて検出信号に対して信号処理を実行し、処理後のデータを記録部120に供給する。一方、異常判定モードにおいて信号処理部220は、検出信号を異常画素判定部230に供給する。
異常画素判定部230は、画素ごとに、その画素が異常であるか否かを判定するものである。異常判定モードによる異常の判定は、例えば、アドレスイベントの検出処理前、例えば、工場出荷時や修理時などに実行される。異常判定モードにおいて異常画素判定部230は、異常の無い画素を有効に設定し、異常のある画素を無効に設定した設定情報を生成して設定情報保持部240に保持させる。この設定情報は、有効であるか否かを示す1ビットのイネーブル情報を画素毎に含む。例えば、画素数がNである場合、Nビットの設定情報が保持される。
異常画素判定部230がアドレスイベントの検出処理前に予め異常の有無を判定しておくことにより、素子の不良などの静的な要因によるアドレスイベントの誤検出を抑制することができる。なお、フリッカ光源照射などの動的な要因によるアドレスイベントの誤検出を抑制する方法については後述する。
設定情報保持部240は、設定情報を保持するものである。この設定情報保持部240は、例えば、書き換えることができないメモリにより構成される。書き換え不可能なメモリとして、ROM(Read Only Memory)やeFuseレジスタなどが用いられる。また、設定情報保持部240は、保持した設定情報内の各イネーブル情報を対応する画素に供給することにより、有効に設定された画素にアドレスイベントの検出処理を実行させ、無効に設定された画素の検出信号を特定の値に固定する。なお、設定情報保持部240は、特許請求の範囲に記載の制御部の一例である。
駆動回路211は、画素300のそれぞれを駆動するものである。アービタ213は、画素アレイ部214からのリクエストを調停し、調停結果に基づいて応答を返すものである。
[画素の構成例]
図4は、本技術の第1の実施の形態における画素300の一構成例を示すブロック図である。この画素300には画素回路301が設けられ、その画素回路301内に、対数応答部310、バッファ320、微分回路330、コンパレータ340および転送部350が配置される。
対数応答部310は、光電流を、その光電流の対数値に比例した画素電圧Vpに変換するものである。この対数応答部310は、画素電圧Vpをバッファ320に供給する。
バッファ320は、対数応答部310からの画素電圧Vpを微分回路330に出力するものである。このバッファ320により、後段を駆動する駆動力を向上させることができる。また、バッファ320により、後段のスイッチング動作に伴うノイズのアイソレーションを確保することができる。
微分回路330は、微分演算により画素電圧Vpの変化量を求めるものである。この画素電圧Vpの変化量は、光量の変化量を示す。微分回路330は、光量の変化量を示す微分信号Voutをコンパレータ340に供給する。
コンパレータ340は、微分信号Voutと所定の閾値(上限閾値や下限閾値)とを比較するものである。このコンパレータ340の比較結果COMPは、アドレスイベントの検出結果を示す。コンパレータ340は、比較結果COMPを転送部350に供給する。
転送部350は、検出信号DETを転送し、転送後にオートゼロ信号XAZを微分回路330に供給して初期化するものである。この転送部350は、アドレスイベントが検出された際に、検出信号DETの転送を要求するリクエストをアービタ213に供給する。そして、リクエストに対する応答を受け取ると転送部350は、比較結果COMPを検出信号DETとして信号処理部220に供給し、オートゼロ信号XAZを微分回路330に供給する。
図5は、本技術の第1の実施の形態における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。
対数応答部310は、光電変換素子311とスイッチ317と電流電圧変換部316とを備える。光電変換素子311は、入射光に対する光電変換により光電流を生成するものである。
スイッチ317は、光電変換素子311と電流電圧変換部316との間の経路を、設定情報保持部240からのイネーブル情報ENに従って開閉するものである。このスイッチ317は、イネーブル情報ENにより有効に設定された場合に閉状態に移行し、無効に設定された場合に開状態に移行する。例えば、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタが、スイッチ317として用いられる。
電流電圧変換部316は、光電流を画素電圧Vpに対数的に変換するものである。この電流電圧変換部316は、N型トランジスタ312および315と、容量313と、P型トランジスタ314とを備える。N型トランジスタ312、P型トランジスタ314およびN型トランジスタ315として、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
N型トランジスタ312のソースはスイッチ317に接続され、ドレインは電源端子に接続される。P型トランジスタ314およびN型トランジスタ315は、電源端子と所定の基準電位(接地電位など)の基準端子との間において、直列に接続される。また、P型トランジスタ314およびN型トランジスタ315の接続点は、N型トランジスタ312のゲートとバッファ320の入力端子とに接続される。N型トランジスタ312および光電変換素子311の接続点は、N型トランジスタ315のゲートに接続される。このようにN型トランジスタ312および315はループ状に接続されている。なお、ループ状に接続されたN型トランジスタ312および315からなる回路は、特許請求の範囲に記載のループ回路の一例である。
また、P型トランジスタ314のゲートには、所定のバイアス電圧Vblogが印加される。容量313は、N型トランジスタ312のゲートとN型トランジスタ315のゲートとの間に挿入される。
また、例えば、光電変換素子311およびスイッチ317が受光チップ201に配置され、その後段の回路が回路チップ202に配置される。なお、受光チップ201および回路チップ202のそれぞれに配置する回路や素子は、この構成に限定されない。
バッファ320は、P型トランジスタ321および322を備える。これらのトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
バッファ320において、P型トランジスタ321および322は、電源端子と基準電位の端子との間において直列に接続される。また、P型トランジスタ322のゲートは、対数応答部310に接続され、P型トランジスタ321および322の接続点は、微分回路330に接続される。P型トランジスタ321のゲートには、所定のバイアス電圧Vbsfが印加される。
微分回路330は、容量331および334と、P型トランジスタ332および333と、N型トランジスタ335とを備える。微分回路330内のトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
P型トランジスタ333およびN型トランジスタ335は、電源端子と基準電位の端子との間において直列に接続される。N型トランジスタ335のゲートには、所定のバイアス電圧Vbdiffが入力される。これらのトランジスタは、P型トランジスタ333のゲートを入力端子391とし、P型トランジスタ333およびN型トランジスタ335の接続点を出力端子392とする反転回路として機能する。
容量331は、バッファ320と入力端子391との間に挿入される。この容量331は、バッファ320からの画素電圧Vpの時間微分(言い換えれば、変化量)に応じた電流を入力端子391に供給する。また、容量334は、入力端子391と出力端子392との間に挿入される。
P型トランジスタ332は、転送部350からのオートゼロ信号XAZに従って入力端子391と出力端子392との間の経路を開閉するものである。例えば、ローレベルのオートゼロ信号XAZが入力されるとP型トランジスタ332は、オートゼロ信号XAZに従ってオン状態に移行し、微分信号Voutを初期値にする。
コンパレータ340は、P型トランジスタ341および343とN型トランジスタ342および344とを備える。これらのトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
コンパレータ340においてP型トランジスタ341およびN型トランジスタ342は、電源端子と基準端子との間において直列に接続され、P型トランジスタ343およびN型トランジスタ344も、電源端子と基準端子との間において直列に接続される。また、P型トランジスタ341および343のゲートは、微分回路330に接続される。N型トランジスタ342のゲートには上限閾値を示す上限電圧Vhighが印加され、N型トランジスタ344のゲートには下限閾値を示す下限電圧Vlowが印加される。
P型トランジスタ341およびN型トランジスタ342の接続点は、転送部350に接続され、この接続点の電圧が上限閾値との比較結果COMP+として出力される。P型トランジスタ343およびN型トランジスタ344の接続点も、転送部350に接続され、この接続点の電圧が下限閾値との比較結果COMP−として出力される。このような接続により、微分信号Voutが上限電圧Vhighより高い場合にコンパレータ340は、ハイレベルの比較結果COMP+を出力し、微分信号Voutが下限電圧Vlowより低い場合にローレベルの比較結果COMP−を出力する。比較結果COMPは、これらの比較結果COMP+およびCOMP−からなる信号である。
上述したように、イネーブル情報ENにより有効に設定された場合にスイッチ317が閉状態に移行する。これにより、アドレスイベントの検出処理が実行される。一方、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合にスイッチ317は開状態に移行する。この状態においては、光電変換素子311が後段の回路から遮断されて検出処理が実行されない。そして、アドレスイベントが生じないこと(言い換えれば、入射光量の変化量が閾値を超えない旨)を示す特定の値に検出信号が固定される。
なお、スイッチ317を光電変換素子311と電流電圧変換部316との間に挿入しているが、スイッチ317の挿入箇所は、この位置に限定されない。後述するように、スイッチ317を電流電圧変換部316以降の経路に挿入することもできる。
また、コンパレータ340は、上限閾値および下限閾値の両方を、微分信号Voutと比較しているが、一方のみを微分信号Voutと比較してもよい。この場合には、不要なトランジスタを削減することができる。例えば、上限閾値とのみ比較する際には、P型トランジスタ341およびN型トランジスタ342のみが配置される。
また、微分回路330に容量334を配置しているが、図6に例示するように容量334を削減することができる。
[信号処理部の構成例]
図7は、本技術の第1の実施の形態における信号処理部220の一構成例を示すブロック図である。この信号処理部220は、列ごとに設けられたセレクタ221と、信号処理回路222とを備える。
セレクタ221は、画素アレイ部214内の対応する列からの検出信号DETの出力先をモード信号MODEに従って切り替えるものである。このセレクタ221は、検出モードにおいて信号処理回路222に検出信号DETを出力し、異常判定モードにおいて異常画素判定部230に検出信号DETを出力する。
信号処理回路222は、検出信号DETに対して所定の信号処理を行い、処理後のデータを記録部120に出力するものである。
[異常画素判定部の構成例]
図8は、本技術の第1の実施の形態における異常画素判定部230の一構成例を示すブロック図である。この異常画素判定部230は、検出回数計数部231および閾値比較部232を備える。
検出回数計数部231は、異常判定モードにおいて、画素毎にアドレスイベントがあると検出された回数を計数するものである。この異常判定モードにおいて、固体撮像素子200は、入射光量の変化が無い状態(例えば、遮光された状態)で、一定期間に亘って画素毎にアドレスイベントの有無の検出を行う。検出回数計数部231は、この期間内に計数を行い、画素毎の検出回数を閾値比較部232に供給する。
閾値比較部232は、画素毎に、対応する検出回数と所定の判定閾値とを比較するものである。前述したように、入射光量の変化が無い状態ではアドレスイベントが生じないはずであるため、この状態でアドレスイベントの検出回数が判定閾値を超える画素は異常があると判断することができる。閾値比較部232は、検出回数が判定閾値を超えるか否か(すなわち、異常の有無)を画素毎に判定し、画素毎の判定結果を示す情報を設定情報として設定情報保持部240に保持させる。
なお、異常画素判定部230内に検出回数計数部231および閾値比較部232を設けているが、これらの代わりに複数のカウンタ233を配置することもできる。この場合、例えば、図9に例示するように画素毎にN(Nは、整数)ビットのカウンタ233が配置される。カウンタ233内には、第n(nは、0乃至N−1の整数)桁を出力するN段の第n桁出力部234と、N個のスイッチ235とが配置される。最下位桁の第n桁出力部234に、対応する画素の検出信号DET+が入力される。同図では、オンイベントのみを検出する場合を想定している。また、N個のスイッチ235は、異常判定モード開始時にN桁をいずれも出力せず、一定時間が経過すると制御信号SWに従ってN桁のいずれかを、その画素のイネーブル情報ENとして設定情報保持部240に出力する。第n桁は、バイナリカウンタの場合、計数値が2となったときにハイレベルになる。スイッチ235が第n桁を出力する際には、2が閾値に該当する。
[固体撮像素子の動作例]
図10は、本技術の第1の実施の形態における異常判定処理の一例を示すフローチャートである。この異常判定処理は、異常判定モードを示すモード信号MODEが入力された際に開始される。
異常判定モードにおいて画素300のそれぞれは、アドレスイベントの有無を検出し(ステップS901)、異常画素判定部230は、画素毎にアドレスイベントの検出回数を計数する(ステップS902)。そして、固体撮像素子200は、アドレスイベントの検出を開始した時刻からの経過時間が、所定の設定時間より長くなったか否かを判断する(ステップS903)。経過時間が設定時間以下である場合(ステップS903:No)、固体撮像素子200は、ステップS901以降を繰り返し実行する。
一方、経過時間が、所定の設定時間より長い場合に(ステップS903:Yes)、異常画素判定部230は、ある画素に着目し、その画素の計数値が判定閾値を超える(すなわち、画素が異常である)か否かを判定する(ステップS904)。計数値が判定閾値を超える場合(ステップS904:Yes)、異常画素判定部230は、設定情報において、その着目画素をディセーブルに設定する(ステップS905)。
一方、計数値が判定閾値以下の場合(ステップS904:No)、異常画素判定部230は、設定情報において、その着目画素をイネーブルに設定する(ステップS906)。ステップS905またはS906の後に、異常画素判定部230は、全画素について異常の有無の判定を終了したか否かを判断する(ステップS907)。全画素の判定が終了していない場合に(ステップS907:No)、異常画素判定部230は、ステップS904以降を繰り返す。一方、全画素の判定が終了した場合に(ステップS907:Yes)、異常画素判定部230は、設定情報を保持させ、異常判定処理を終了する。
図11は、本技術の第1の実施の形態における検出処理の一例を示すフローチャートである。この検出処理は、検出モードを示すモード信号MODEが入力された際に開始される。
画素300内のスイッチ317は、イネーブル情報ENが有効であるか否かを判断する(ステップS911)。イネーブル情報ENが無効である場合(ステップS911:No)、スイッチ317は、開状態に移行してステップS911以降を繰り返す。
一方、イネーブル情報ENが有効である場合(ステップS911:Yes)、スイッチ317は閉状態に移行し、対数応答部310は、光電流を画素電圧に電流電圧変換する(ステップS912)。微分回路330は、輝度の変化量に応じた出力電圧Voutを出力する(ステップS913)。コンパレータ340は、出力電圧Voutと上限閾値とを比較して、輝度の変化量が上限閾値を超えたか否かを判断する(ステップS914)。
変化量が上限閾値を超えた場合に(ステップS914:Yes)、コンパレータ340は、オンイベントを検出する(ステップS915)。一方、変化量が上限閾値以下の場合に(ステップS914:No)、コンパレータ340は、微分信号Voutと下限閾値とを比較して、輝度の変化量が下限閾値を下回った否かを判断する(ステップS917)。
変化量が下限閾値を下回った場合に(ステップS917:Yes)、コンパレータ340は、オフイベントを検出する(ステップS918)。一方、変化量が下限閾値以上の場合に(ステップS917:No)、画素300は、ステップS912以降を繰り返す。
ステップS915またはS918の後に転送部350は、検出結果を転送し(ステップS916)、ステップS912以降を繰り返し実行する。
垂直同期信号などに同期して撮像する同期型の固体撮像素子では、点滅点や白点などの異常画素の出力は、正常な画素と同じ量で、読出しに対する影響は特に無い。しかし、固体撮像素子200のようなDVSでは、異常画素の検出信号を出力すると、その信号が出力用のインターフェースの帯域の一部を占拠して、正常な画素の検出信号と混在して出力される。また、異常画素の検出信号(言い換えれば、ノイズ)により、固体撮像素子200の消費電力が増大し、ノイズの増加に起因して画像認識などの処理において認識精度が低下してしまう。
仮に、画素数を1280×720画素(すなわち、0.9メガピクセル)とし、それらの0.5パーセント(%)を異常画素とすると、異常画素は、4600画素となる。また、1秒間に異常画素が平均で2回点滅し、1回の点滅により、10回のアドレスイベントが生じるものとする。この場合には、92000イベント毎秒分の帯域が無駄になる。また、1つのアドレスイベント発生時の消費電力を0.17ナノワット(nW)とすると、異常画素による消費電力は、0.016ミリワット(mW)となる。1つのアドレスイベント発生時の消費電力を270ナノワット(nW)とした場合、異常画素による消費電力が、24.8ミリワット(mW)となる。
これに対して上述の固体撮像素子200では、異常画素を無効に設定してアドレスイベントの誤検出を抑制するため、消費電力を削減し、正常な画素の検出信号を転送する帯域を広くすることができる。
このように、本技術の第1の実施の形態によれば、異常のある画素の検出信号の値をアドレスイベントが生じないことを示す特定の値に固定するため、異常画素によるアドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
[第1の変形例]
上述の第1の実施の形態では、光電変換素子311およびスイッチ317を受光チップ201に設けていたが、この構成では、画素数が多くなるほど、回路チップ202の回路規模が増大する。この第1の実施の形態の第1の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路の一部を受光チップ201にさらに設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図12は、本技術の第1の実施の形態の第1の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第1の実施の形態の第1の変形例の画素300は、N型トランジスタ312および315と容量313とがさらに受光チップ201に設けられる点において第1の実施の形態と異なる。N型のMOSトランジスタをスイッチ317として用いる場合、受光チップ201内のトランジスタをN型のみにすることができる。これにより、N型トランジスタおよびP型トランジスタを混在させる場合と比較して、トランジスタを形成する際の工程数を少なくし、受光チップ201の製造コストを削減することができる。
このように、本技術の第1の実施の形態の第1の変形例によれば、N型トランジスタ312および315と容量313とをさらに受光チップ201に設けたため、その分、回路チップ202の回路規模を削減することができる。
[第2の変形例]
上述の第1の実施の形態では、光電変換素子311およびスイッチ317を受光チップ201に設けていたが、この構成では、画素数が多くなるほど、回路チップ202の回路規模が増大する。この第1の実施の形態の第2の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路の一部を受光チップ201にさらに設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図13は、本技術の第1の実施の形態の第2の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第1の実施の形態の第2の変形例の画素300は、電流電圧変換部316とバッファ320内のP型トランジスタ322とがさらに受光チップ201に設けられる点において第1の実施の形態と異なる。
このように、本技術の第1の実施の形態の第2の変形例によれば、電流電圧変換部316とバッファ320内のP型トランジスタ322とをさらに受光チップ201に設けたため、その分、回路チップ202の回路規模を削減することができる。
[第3の変形例]
上述の第1の実施の形態では、光電変換素子311およびスイッチ317を受光チップ201に設けていたが、この構成では、画素数が多くなるほど、回路チップ202の回路規模が増大する。この第1の実施の形態の第3の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路の一部を受光チップ201にさらに設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図14は、本技術の第1の実施の形態の第3の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第1の実施の形態の第3の変形例の画素300は、電流電圧変換部316とバッファ320とがさらに受光チップ201に設けられる点において第1の実施の形態と異なる。
このように、本技術の第1の実施の形態の第3の変形例によれば、電流電圧変換部316とバッファ320とをさらに受光チップ201に設けたため、その分、回路チップ202の回路規模を削減することができる。
[第4の変形例]
上述の第1の実施の形態では、光電変換素子311およびスイッチ317を受光チップ201に設けていたが、この構成では、画素数が多くなるほど、回路チップ202の回路規模が増大する。この第1の実施の形態の第4の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路の一部を受光チップ201にさらに設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図15は、本技術の第1の実施の形態の第4の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第1の実施の形態の第4の変形例の画素300は、電流電圧変換部316およびバッファ320と、微分回路330内の容量331とがさらに受光チップ201に設けられる点において第1の実施の形態と異なる。
このように、本技術の第1の実施の形態の第4の変形例によれば、電流電圧変換部316およびバッファ320と、容量331とをさらに受光チップ201に設けたため、その分、回路チップ202の回路規模を削減することができる。
[第5の変形例]
上述の第1の実施の形態では、光電変換素子311およびスイッチ317を受光チップ201に設けていたが、この構成では、画素数が多くなるほど、回路チップ202の回路規模が増大する。この第1の実施の形態の第5の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路の一部を受光チップ201にさらに設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図16は、本技術の第1の実施の形態の第5の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第1の実施の形態の第5の変形例の画素300は、電流電圧変換部316およびバッファ320と、微分回路330内のN型トランジスタ335以外の素子とがさらに受光チップ201に設けられる点において第1の実施の形態と異なる。
このように、本技術の第1の実施の形態の第5の変形例によれば、電流電圧変換部316およびバッファ320と、微分回路330の一部とをさらに受光チップ201に設けたため、その分、回路チップ202の回路規模を削減することができる。
[第6の変形例]
上述の第1の実施の形態では、光電変換素子311およびスイッチ317を受光チップ201に設けていたが、この構成では、画素数が多くなるほど、回路チップ202の回路規模が増大する。この第1の実施の形態の第6の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路の一部を受光チップ201にさらに設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図17は、本技術の第1の実施の形態の第6の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第1の実施の形態の第6の変形例の画素300は、電流電圧変換部316、バッファ320および微分回路330がさらに受光チップ201に設けられる点において第1の実施の形態と異なる。
このように、本技術の第1の実施の形態の第3の変形例によれば、電流電圧変換部316、バッファ320および微分回路330をさらに受光チップ201に設けたため、その分、回路チップ202の回路規模を削減することができる。
<2.第2の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、スイッチ317により光電変換素子311を後段の回路から遮断していたが、その後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第2の実施の形態の固体撮像素子200は、光電変換素子311の後段の回路にスイッチを挿入した点において第1の実施の形態と異なる。
図18は、本技術の第2の実施の形態における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第2の実施の形態の画素300は、電流電圧変換部316内にスイッチ318がさらに設けられる点において第1の実施の形態と異なる。また、第2の実施の形態のスイッチ317は、ループ回路内において、光電変換素子311とN型トランジスタ312との間の経路に挿入される。スイッチ318は、ループ回路内のN型トランジスタ312と電源端子との間に挿入される。このスイッチ318は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に開状態に移行し、有効に設定された場合に閉状態に移行する。スイッチ317や318が開状態に移行することにより、電源からの電流が遮断され、アドレスイベントの誤検出をより確実に抑制することができる。
なお、第2の実施の形態の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。また、スイッチ317とスイッチ318との両方を挿入しているが、これらのうち一方のみを配置する構成であってもよい。スイッチ317のみを配置していもよいし、スイッチ318のみを配置してもよい。
このように、本技術の第2の実施の形態によれば、N型トランジスタ312と電源端子との間にスイッチ318をさらに挿入しため、電源からの電流をさらに遮断し、アドレスイベントの誤検出をより確実に抑制することができる。
[第1の変形例]
上述の第2の実施の形態では、スイッチ317およびスイッチ318により電流を遮断していたが、バッファ320以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第2の実施の形態の第1の変形例の固体撮像素子200は、バッファ320以降の回路にスイッチを挿入した点において第2の実施の形態と異なる。
図19は、本技術の第2の実施の形態の第1の変形例における対数応答部310、バッファ320および微分回路330の一構成例を示す回路図である。この第2の実施の形態の第1の変形例の画素300は、スイッチ317および318の代わりに、スイッチ323および324が設けられた点において第2の実施の形態と異なる。
スイッチ323は、バッファ320内のP型トランジスタ321および322の間に挿入される。また、スイッチ324は、P型トランジスタ321およびスイッチ323の接続点と、微分回路330との間に挿入される。なお、P型トランジスタ321は、特許請求の範囲に記載の第1のトランジスタの一例であり、P型トランジスタ322は、特許請求の範囲に記載の第2のトランジスタの一例である。
スイッチ323および324は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に開状態に移行し、有効に設定された場合に閉状態に移行する。スイッチ323および324が開状態に移行することにより、対数応答部310からの画素電圧Vpを遮断し、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、スイッチ323および324の両方を配置しているが、これらの一方のみを配置することもできる。また、第2の実施の形態の第1の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように本技術の第2の実施の形態の第1の変形例によれば、バッファ320内にスイッチ323および324を設けたため、バッファ320の前段の対数応答部310からの画素電圧Vpを遮断することができる。これにより、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
[第2の変形例]
上述の第2の実施の形態では、スイッチ317およびスイッチ318により電流を遮断していたが、バッファ320以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第2の実施の形態の第2の変形例の固体撮像素子200は、バッファ320以降の回路にスイッチを挿入した点において第2の実施の形態と異なる。
図20は、本技術の第2の実施の形態の第2の変形例における対数応答部310、バッファ320および微分回路330の一構成例を示す回路図である。この第2の実施の形態の第2の変形例の画素300は、スイッチ317および318の代わりに、スイッチ336が設けられた点において第2の実施の形態と異なる。
スイッチ336は、微分回路330内の容量331と反転回路の入力端子391との間に挿入される。スイッチ336は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に開状態に移行し、有効に設定された場合に閉状態に移行する。スイッチ336が開状態に移行することにより、微分信号Voutを遮断し、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、第2の実施の形態の第2の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように本技術の第2の実施の形態の第2の変形例によれば、微分回路330内にスイッチ336を設けたため、微分信号Voutを遮断することができる。これにより、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
[第3の変形例]
上述の第2の実施の形態では、スイッチ317およびスイッチ318により電流を遮断していたが、バッファ320以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第2の実施の形態の第3の変形例の固体撮像素子200は、バッファ320以降の回路にスイッチを挿入した点において第2の実施の形態と異なる。
図21は、本技術の第2の実施の形態の第3の変形例における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第2の実施の形態の第3の変形例の画素300は、スイッチ317および318の代わりに、スイッチ345および346が設けられた点において第2の実施の形態と異なる。
スイッチ346は、P型トランジスタ341およびN型トランジスタ342の接続点(言い換えればコンパレータ340の出力ノード)と、転送部350との間に挿入される。スイッチ345は、P型トランジスタ343およびN型トランジスタ344の接続点(コンパレータ340の出力ノード)と、転送部350との間に挿入される。
スイッチ345および346は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に開状態に移行し、有効に設定された場合に閉状態に移行する。スイッチ345および346が開状態に移行することにより、コンパレータ340の比較結果を遮断し、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、画素300は、オンイベントおよびオフイベントの両方を検出しているが、一方のみを検出することもできる。この場合に他方を検出するための素子は削減される。例えば、オンイベントのみを検出する場合には、P型トランジスタ343およびN型トランジスタ344と、スイッチ345とが不要となる。
また、第2の実施の形態の第3の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように本技術の第2の実施の形態の第3の変形例によれば、コンパレータ340の出力側にスイッチ345および346を挿入したため、コンパレータ340の比較結果を遮断することができる。これにより、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
<3.第3の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、無効な画素内のスイッチ317を開状態にして、検出信号の値を固定していた。しかし、この構成では、有効な画素内のスイッチ317を閉状態にした際に、そのスイッチ317のオン抵抗により、電流や電圧の値が若干低下するおそれがある。この第3の実施の形態の固体撮像素子200は、有効に設定された際に開状態になるスイッチを挿入した点において第1の実施の形態と異なる。
図22は、本技術の第3の実施の形態における対数応答部310、バッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第3の実施の形態の対数応答部310には、スイッチ317の代わりにスイッチ318が設けられる。
スイッチ318は、光電変換素子311および電流電圧変換部316の接続点と、基準端子(接地端子など)との間に挿入される。スイッチ318は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に閉状態に移行し、有効に設定された場合に開状態に移行する。スイッチ318が閉状態に移行することにより、電流電圧変換部316の入力側に光電流が流れなくなるため、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。また、スイッチ318は光電流の流れる経路に挿入されないため、有効に設定された際に、電流や電圧の値に影響を与えない。
なお、第3の実施の形態の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように、本技術の第3の実施の形態によれば、光電変換素子311および電流電圧変換部316の接続点と基準端子との間に、有効時に開状態になるスイッチ318を挿入したため、有効時のスイッチ318による電流減少を抑制することができる。
[第1の変形例]
上述の第3の実施の形態では、電流電圧変換部316の入力側にスイッチ318を設けていたが、電流電圧変換部316以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第3の実施の形態の第1の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路にスイッチを挿入した点において第3の実施の形態と異なる。
図23は、本技術の第3の実施の形態の第1の変形例における対数応答部310、バッファ320および微分回路330の一構成例を示す回路図である。この第3の実施の形態の第1の変形例の対数応答部310には、スイッチ318の代わりにスイッチ319が設けられる。
スイッチ319は、電流電圧変換部316およびバッファ320の接続点と、基準端子との間に挿入される。スイッチ319は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に閉状態に移行し、有効に設定された場合に開状態に移行する。スイッチ319が閉状態に移行することにより、バッファ320に入力される画素電圧Vpが基準電位(接地電位など)となるため、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、第3の実施の形態の第1の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように、本技術の第3の実施の形態の第1の変形例によれば、電流電圧変換部316およびバッファ320の接続点と、基準端子との間にスイッチ319を挿入したため、電流電圧変換部316で生じたノイズによる誤検出を抑制することができる。
[第2の変形例]
上述の第3の実施の形態では、電流電圧変換部316の入力側にスイッチ318を設けていたが、電流電圧変換部316以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第3の実施の形態の第2の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路にスイッチを挿入した点において第3の実施の形態と異なる。
図24は、本技術の第3の実施の形態の第2の変形例における対数応答部310、バッファ320および微分回路330の一構成例を示す回路図である。この第3の実施の形態の第2の変形例の画素300は、スイッチ318の代わりにスイッチ323が設けられる点において第3の実施の形態と異なる。
スイッチ323は、バッファ320および微分回路330の接続点と、基準端子との間に挿入される。スイッチ323は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に閉状態に移行し、有効に設定された場合に開状態に移行する。スイッチ323が閉状態に移行することにより、バッファ320から出力される画素電圧Vpが基準電位(接地電位など)となるため、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、第3の実施の形態の第2の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように、本技術の第3の実施の形態の第2の変形例によれば、バッファ320および微分回路330の接続点と、基準端子との間にスイッチ323を挿入したため、電流電圧変換部316やバッファ320で生じたノイズによる誤検出を抑制することができる。
[第3の変形例]
上述の第3の実施の形態では、電流電圧変換部316の入力側にスイッチ318を設けていたが、電流電圧変換部316以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第3の実施の形態の第3の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路にスイッチを挿入した点において第3の実施の形態と異なる。
図25は、本技術の第3の実施の形態の第3の変形例における対数応答部310、バッファ320および微分回路330の一構成例を示す回路図である。この第3の実施の形態の第3の変形例の画素300は、スイッチ318の代わりにスイッチ336が設けられる点において第3の実施の形態と異なる。
スイッチ336は、反転回路の入力端子391と出力端子392との間に挿入される。スイッチ336は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に閉状態に移行し、有効に設定された場合に開状態に移行する。スイッチ336が閉状態に移行することにより、微分回路330が初期化されるため、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、第3の実施の形態の第3の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。また、図26に例示するように、スイッチ336の代わりにANDゲート337を配置することもできる。このANDゲート337は、イネーブル情報ENとオートゼロ信号XAZとの論理積をP型トランジスタ332のゲートに供給する。ANDゲート337は、特許請求の範囲に記載のスイッチの一例であり、P型トランジスタ332は、特許請求の範囲に記載の短絡トランジスタの一例である。
このように、本技術の第3の実施の形態の第3の変形例によれば、反転回路の入力端子391と出力端子392との間にスイッチ336を挿入したため、電流電圧変換部316やバッファ320で生じたノイズによる誤検出を抑制することができる。
[第4の変形例]
上述の第3の実施の形態では、電流電圧変換部316の入力側にスイッチ318を設けていたが、電流電圧変換部316以降の後段の回路においてノイズが生じ、アドレスイベントが誤検出されるおそれがある。この第3の実施の形態の第4の変形例の固体撮像素子200は、電流電圧変換部316以降の回路にスイッチを挿入した点において第3の実施の形態と異なる。
図27は、本技術の第3の実施の形態の第4の変形例におけるバッファ320、微分回路330およびコンパレータ340の一構成例を示す回路図である。この第3の実施の形態の第4の変形例の画素300は、スイッチ318の代わりにスイッチ345および346が設けられる点において第3の実施の形態と異なる。
スイッチ345は、比較結果COMP+を出力するコンパレータ340の出力端子と基準端子との間に挿入される。スイッチ346は、比較結果COMP−を出力するコンパレータ340の出力端子と電源端子との間に挿入される。スイッチ345および346は、イネーブル情報ENにより無効に設定された場合に閉状態に移行し、有効に設定された場合に開状態に移行する。スイッチ345および346が閉状態に移行することにより、比較結果COMP+およびCOMP−がローレベルおよびハイレベルに固定されるため、アドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
なお、画素300は、オンイベントおよびオフイベントの両方を検出しているが、一方のみを検出することもできる。この場合に他方を検出するための素子は削減される。例えば、オンイベントのみを検出する場合には、N型トランジスタ343およびP型トランジスタ344と、スイッチ345とが不要となる。
なお、第3の実施の形態の第4の変形例の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。
このように、本技術の第3の実施の形態の第4の変形例によれば、コンパレータ340の出力端子と接地端子との間にスイッチ345および346を挿入したため、コンパレータ340の前段で生じたノイズによる誤検出を抑制することができる。
<4.第4の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、異常画素判定部230がアドレスイベントの検出処理前に予め異常の有無を判定しておくことにより、素子の不良などの静的な要因によるアドレスイベントの誤検出を抑制していた。しかし、フリッカ光源照射などの動的な要因によりアドレスイベントの誤検出が生じるおそれがある。この第4の実施の形態の固体撮像素子200は、アドレスイベントの検出中に異常の有無を判定して動的な要因によるアドレスイベントの誤検出を抑制する点において第1の実施の形態と異なる。
図28は、本技術の第4の実施の形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。この第4の実施の形態の固体撮像素子200は、画素アレイ部214の外部に異常画素判定部230および設定情報保持部240が設けられない点において第1の実施の形態と異なる。第4の実施の形態において、異常画素判定部230および設定情報保持部240内の回路は、画素300のそれぞれに分散して配置されている。
また、第4の実施の形態の信号処理部220にはモード信号MODEが入力されない。第4の実施の形態では、アドレスイベントの検出処理中に異常の有無が判定される。信号処理部220は、検出信号に対して信号処理を行って、処理後のデータを記録部120に供給する。
図29は、本技術の第4の実施の形態における画素300の一構成例を示すブロック図である。第4の実施の形態の画素300は、画素回路301に加えて、異常画素判定回路360およびイネーブル保持回路370を備える点において第1の実施の形態と異なる。また、第4の実施の形態の転送部350は、検出信号DETを異常画素判定回路360にも供給する。
異常画素判定回路360は、画素300が異常であるか否かを判定するものである。異常画素判定回路360は、アドレスイベントの検出処理中において、第1の実施の形態と同様に検出回数を計数し、その計数値が閾値を超えるか否かにより異常の有無を判定する。異常画素判定回路360は、1ビットのイネーブル情報をイネーブル保持回路370に保持させる。
イネーブル保持回路370は、イネーブル情報を保持するものである。このイネーブル保持回路370は、例えば、書き換え可能なメモリにより構成される。書き換え可能なメモリとして、ラッチ回路やSRAMなどが用いられる。また、イネーブル保持回路370は、画素回路301にイネーブル情報を供給する。なお、イネーブル保持回路370は、特許請求の範囲に記載の制御回路の一例である。
異常画素判定回路360がアドレスイベントの検出処理中に異常の有無を判定することにより、経年劣化やフリッカ光源などの動的な要因によるアドレスイベントの誤検出を抑制することができる。なお、異常画素判定回路360は、検出処理中の異常の有無判定に加えて、第1の実施の形態のように検出処理前にさらに異常の有無を判定することもできる。
なお、画素毎に異常画素判定回路360およびイネーブル保持回路370を配置しているが、第1の実施の形態と同様に、これらをまとめて画素アレイ部214の外部に配置することもできる。
また、第4の実施の形態の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。また、第4の実施の形態の固体撮像素子200に、第2または第3の実施の形態や、それらの変形例を適用することができる。
このように、本技術の第4の実施の形態によれば、異常画素判定回路360がアドレスイベントの検出中に異常の有無を判定するため、動的な要因によるアドレスイベントの誤検出を抑制することができる。
<5.第5の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、固体撮像素子200内の回路が異常の有無を判定していたが、コンピュータがプログラムを実行することにより、異常の有無の判定機能を実現することもできる。この第5の実施の形態の固体撮像素子200は、異常の有無を判定する手順を実行するプログラムを用いる点において第1の実施の形態と異なる。
図30は、本技術の第5の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、異常画素判定部140をさらに備える点において第1の実施の形態と異なる。
異常画素判定部140は、画素毎に異常の有無を判定するものである。異常画素の判定方法は、動的に異常の有無を判定する第4の実施の形態と同様である。なお、異常画素判定部140は、第1の実施の形態のように、静的に異常の有無を判定することもできる。
また、異常画素判定部140は、CPUなどの処理装置が所定のプログラムを実行することにより実現される。このため、異常の有無を判定する回路を固体撮像素子200内に設ける必要が無くなり、その分、回路規模を削減することができる。
図31は、本技術の第5の実施の形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。この第5の実施の形態の固体撮像素子200は、異常画素判定部230が設けられない点において第1の実施の形態と異なる。
第5の実施の形態の信号処理部220は、異常判定モードにおいて検出信号を異常画素判定部140に供給する。また、設定情報保持部240には、異常画素判定部140からの設定情報が入力される。
なお、第5の実施の形態の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1乃至第6の変形例のそれぞれを適用することができる。また、第5の実施の形態の固体撮像素子200に、第2または第3の実施の形態や、それらの変形例を適用することができる。
このように、本技術の第5の実施の形態によれば、異常の有無を判定する手順を実行するプログラムを用いるため、異常の有無を判定するための回路を設ける必要が無くなり、固体撮像素子200の回路規模を削減することができる。
<6.移動体への応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図32は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図32に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図32の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図33は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図33では、撮像部12031として、撮像部12101,12102,12103,12104,12105を有する。
撮像部12101,12102,12103,12104,12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102,12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図33には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。具体的には、図1の撮像装置100は、撮像部12031に適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、アドレスイベントの誤検出を抑制することができるため、システムの信頼性を向上させることができる。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
また、上述の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、CD(Compact Disc)、MD(MiniDisc)、DVD(Digital Versatile Disc)、メモリカード、ブルーレイディスク(Blu-ray(登録商標)Disc)等を用いることができる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を各々が実行する複数の画素回路と、
前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定して前記異常の無い画素回路を有効に設定し、前記異常のある画素回路を無効に設定する異常画素判定部と、
前記有効に設定された画素回路に前記検出処理を実行させる制御と前記無効に設定された画素回路の前記検出結果を特定の値に固定する制御とを行う制御部と
を具備する固体撮像素子。
(2)前記複数の画素回路のそれぞれは、
光電変換により光電流を生成する光電変換素子と前記光電流を電圧に変換する電流電圧変換部とが配置された対数応答部と、
前記電圧を出力するバッファと、
前記出力された電圧の変化量を示す微分信号を微分演算により生成する微分回路と、
前記微分信号と前記閾値とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータの比較結果を前記検出結果として転送する転送部と
を備え、
前記対数応答部、前記バッファ、前記微分回路および前記コンパレータのいずれかは、所定の経路を前記制御部の制御に従って開閉するスイッチを備える
前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記制御部は、前記無効に設定された画素回路の前記スイッチを開状態に制御する
前記(2)記載の固体撮像素子。
(4)前記スイッチは、前記光電変換素子と前記電流電圧変換部との間に挿入される
前記(3)記載の固体撮像素子。
(5)前記電流電圧変換部は、前記光電変換素子に直列に接続されたトランジスタとスイッチとを備え、
前記スイッチは、前記光電変換素子および前記トランジスタの間の経路と前記トランジスタおよび電源端子の間の経路との少なくとも一方に挿入される
前記(3)記載の固体撮像素子。
(6)前記バッファは、直列に接続された第1および第2のトランジスタを備え、
前記スイッチは、前記第1および第2のトランジスタの間と、前記第1および第2のトランジスタの接続点から前記微分回路までの間との少なくとも1つに挿入される
前記(3)記載の固体撮像素子。
(7)前記微分回路は、
前記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、
前記入力端子の電圧を反転した信号を前記微分信号として出力する反転回路と
を備え、
前記スイッチは、前記容量および前記入力端子の間に挿入される
前記(3)記載の固体撮像素子。
(8)前記スイッチは、前記コンパレータの出力ノードと前記転送部との間に挿入される
前記(3)記載の固体撮像素子。
(9)前記スイッチは、前記無効に設定された画素回路の前記スイッチを閉状態に制御する
前記(2)記載の固体撮像素子。
(10)前記スイッチは、前記電流電圧変換部および前記光電変換素子の接続点と所定の基準端子との間に挿入される
前記(9)記載の固体撮像素子。
(11)前記スイッチは、前記電流電圧変換部および前記バッファの接続点と所定の基準端子との間に挿入される
前記(9)記載の固体撮像素子。
(12)前記スイッチは、前記バッファおよび前記微分回路の接続点と所定の基準端子との間に挿入される
前記(9)記載の固体撮像素子。
(13)前記微分回路は、
前記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、
前記入力端子の電圧を反転した信号を前記微分信号として出力する反転回路と
を備え、
前記スイッチは、前記反転回路の前記入力端子と出力端子との間に挿入される
前記(9)記載の固体撮像素子。
(14)前記微分回路は、
前記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、
前記入力端子の電圧を反転した信号を前記微分信号として出力する反転回路と、
初期化を指示する前記転送部からのオートゼロ信号に従って前記反転回路の前記入力端子と出力端子との間を短絡する短絡トランジスタと
を備え、
前記スイッチは、前記短絡トランジスタのゲートと前記転送部との間に挿入される
前記(9)記載の固体撮像素子。
(15)前記スイッチは、前記コンパレータの出力端子と所定端子との間に挿入される
前記(9)記載の固体撮像素子。
(16)前記異常画素判定部は、前記検出処理の実行前に前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定しておく
前記(1)から(15)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(17)前記異常画素判定部は、前記検出処理の実行中に前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定する
前記(1)から(16)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(18)前記異常画素判定部は、複数の異常画素判定回路を備え、
前記複数の異常画素判定回路は、互いに異なる前記画素に配置され、
前記複数の画素回路は、互いに異なる画素に配置される
前記(1)から(17)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(19)前記特定の値は、前記変化量が前記閾値を超えない旨を示す値である
前記(1)から(18)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(20)入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を各々が実行する複数の画素回路と、
前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定して前記異常の無い画素回路を有効に設定し、前記異常のある画素回路を無効に設定する異常画素判定部と、
前記有効に設定された画素回路に前記検出処理を実行させる制御と前記無効に設定された画素回路の前記検出結果を特定の値に固定する制御とを行う制御部と、
前記検出結果を処理する信号処理部と
を具備する撮像装置。
100 撮像装置
110 撮像レンズ
120 記録部
130 制御部
140、230 異常画素判定部
200 固体撮像素子
201 受光チップ
202 回路チップ
211 駆動回路
213 アービタ
214 画素アレイ部
220 信号処理部
221 セレクタ
222 信号処理回路
231 検出回数計数部
232 閾値比較部
233 カウンタ
234 第n桁出力部
235、317、318、319、323、324、336、345、346 スイッチ
240 設定情報保持部
300 画素
301 画素回路
310 対数応答部
311 光電変換素子
312、315、335、342、344 N型トランジスタ
313、331、334 容量
314、321、322、332、333、341、343 P型トランジスタ
316 電流電圧変換部
320 バッファ
330 微分回路
337 AND(論理積)ゲート
340 コンパレータ
350 転送部
360 異常画素判定回路
370 イネーブル保持回路
12031 撮像部

Claims (20)

  1. 入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を各々が実行する複数の画素回路と、
    前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定して前記異常の無い画素回路を有効に設定し、前記異常のある画素回路を無効に設定する異常画素判定部と、
    前記有効に設定された画素回路に前記検出処理を実行させる制御と前記無効に設定された画素回路の前記検出結果を特定の値に固定する制御とを行う制御部と
    を具備する固体撮像素子。
  2. 前記複数の画素回路のそれぞれは、
    光電変換により光電流を生成する光電変換素子と前記光電流を電圧に変換する電流電圧変換部とが配置された対数応答部と、
    前記電圧を出力するバッファと、
    前記出力された電圧の変化量を示す微分信号を微分演算により生成する微分回路と、
    前記微分信号と前記閾値とを比較するコンパレータと、
    前記コンパレータの比較結果を前記検出結果として転送する転送部と
    を備え、
    前記対数応答部、前記バッファ、前記微分回路および前記コンパレータのいずれかは、所定の経路を前記制御部の制御に従って開閉するスイッチを備える
    請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 前記制御部は、前記無効に設定された画素回路の前記スイッチを開状態に制御する
    請求項2記載の固体撮像素子。
  4. 前記スイッチは、前記光電変換素子と前記電流電圧変換部との間に挿入される
    請求項3記載の固体撮像素子。
  5. 前記電流電圧変換部は、前記光電変換素子に直列に接続されたトランジスタとスイッチとを備え、
    前記スイッチは、前記光電変換素子および前記トランジスタの間の経路と前記トランジスタおよび電源端子の間の経路との少なくとも一方に挿入される請求項3記載の固体撮像素子。
  6. 前記バッファは、直列に接続された第1および第2のトランジスタを備え、
    前記スイッチは、前記第1および第2のトランジスタの間と、前記第1および第2のトランジスタの接続点から前記微分回路までの間との少なくとも1つに挿入される
    請求項3記載の固体撮像素子。
  7. 前記微分回路は、
    前記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、
    前記入力端子の電圧を反転した信号を前記微分信号として出力する反転回路と
    を備え、
    前記スイッチは、前記容量および前記入力端子の間に挿入される
    請求項3記載の固体撮像素子。
  8. 前記スイッチは、前記コンパレータの出力ノードと前記転送部との間に挿入される
    請求項3記載の固体撮像素子。
  9. 前記スイッチは、前記無効に設定された画素回路の前記スイッチを閉状態に制御する
    請求項2記載の固体撮像素子。
  10. 前記スイッチは、前記電流電圧変換部および前記光電変換素子の接続点と所定の基準端子との間に挿入される
    請求項9記載の固体撮像素子。
  11. 前記スイッチは、前記電流電圧変換部および前記バッファの接続点と所定の基準端子との間に挿入される
    請求項9記載の固体撮像素子。
  12. 前記スイッチは、前記バッファおよび前記微分回路の接続点と所定の基準端子との間に挿入される
    請求項9記載の固体撮像素子。
  13. 前記微分回路は、
    前記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、
    前記入力端子の電圧を反転した信号を前記微分信号として出力する反転回路と
    を備え、
    前記スイッチは、前記反転回路の前記入力端子と出力端子との間に挿入される
    請求項9記載の固体撮像素子。
  14. 前記微分回路は、
    前記電圧の変化量に応じた電荷を所定の入力端子に出力する容量と、
    前記入力端子の電圧を反転した信号を前記微分信号として出力する反転回路と、
    初期化を指示する前記転送部からのオートゼロ信号に従って前記反転回路の前記入力端子と出力端子との間を短絡する短絡トランジスタと
    を備え、
    前記スイッチは、前記短絡トランジスタのゲートと前記転送部との間に挿入される
    請求項9記載の固体撮像素子。
  15. 前記スイッチは、前記コンパレータの出力端子と所定端子との間に挿入される
    請求項9記載の固体撮像素子。
  16. 前記異常画素判定部は、前記検出処理の実行前に前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定しておく
    請求項1記載の固体撮像素子。
  17. 前記異常画素判定部は、前記検出処理の実行中に前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定する
    請求項1記載の固体撮像素子。
  18. 前記異常画素判定部は、複数の異常画素判定回路を備え、
    前記複数の異常画素判定回路は、互いに異なる前記画素に配置され、
    前記複数の画素回路は、互いに異なる画素に配置される
    請求項1記載の固体撮像素子。
  19. 前記特定の値は、前記変化量が前記閾値を超えない旨を示す値である
    請求項1記載の固体撮像素子。
  20. 入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かを検出して検出結果を出力する検出処理を各々が実行する複数の画素回路と、
    前記複数の画素回路のそれぞれについて異常があるか否かを判定して前記異常の無い画素回路を有効に設定し、前記異常のある画素回路を無効に設定する異常画素判定部と、
    前記有効に設定された画素回路に前記検出処理を実行させる制御と前記無効に設定された画素回路の前記検出結果を特定の値に固定する制御とを行う制御部と、
    前記検出結果を処理する信号処理部と
    を具備する撮像装置。
JP2018223479A 2018-11-29 2018-11-29 固体撮像素子、および、撮像装置 Pending JP2020088723A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018223479A JP2020088723A (ja) 2018-11-29 2018-11-29 固体撮像素子、および、撮像装置
PCT/JP2019/044089 WO2020110676A1 (ja) 2018-11-29 2019-11-11 固体撮像素子、および、撮像装置
EP19890790.9A EP3890311A1 (en) 2018-11-29 2019-11-11 Solid-state imaging element and imaging device
US17/290,035 US11632505B2 (en) 2018-11-29 2019-11-11 Solid-state image sensor and imaging device
CN201980077047.9A CN113170066A (zh) 2018-11-29 2019-11-11 固态成像元件和成像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018223479A JP2020088723A (ja) 2018-11-29 2018-11-29 固体撮像素子、および、撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020088723A true JP2020088723A (ja) 2020-06-04

Family

ID=70852097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018223479A Pending JP2020088723A (ja) 2018-11-29 2018-11-29 固体撮像素子、および、撮像装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11632505B2 (ja)
EP (1) EP3890311A1 (ja)
JP (1) JP2020088723A (ja)
CN (1) CN113170066A (ja)
WO (1) WO2020110676A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022239345A1 (ja) * 2021-05-10 2022-11-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法
WO2023026524A1 (ja) * 2021-08-26 2023-03-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出デバイスおよび光検出装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12034015B2 (en) * 2018-05-25 2024-07-09 Meta Platforms Technologies, Llc Programmable pixel array
US11888002B2 (en) 2018-12-17 2024-01-30 Meta Platforms Technologies, Llc Dynamically programmable image sensor
US11962928B2 (en) 2018-12-17 2024-04-16 Meta Platforms Technologies, Llc Programmable pixel array
US12108141B2 (en) 2019-08-05 2024-10-01 Meta Platforms Technologies, Llc Dynamically programmable image sensor
US11935291B2 (en) 2019-10-30 2024-03-19 Meta Platforms Technologies, Llc Distributed sensor system
US11948089B2 (en) 2019-11-07 2024-04-02 Meta Platforms Technologies, Llc Sparse image sensing and processing
US11825228B2 (en) 2020-05-20 2023-11-21 Meta Platforms Technologies, Llc Programmable pixel array having multiple power domains
US12075175B1 (en) 2020-09-08 2024-08-27 Meta Platforms Technologies, Llc Programmable smart sensor with adaptive readout
US11935575B1 (en) 2020-12-23 2024-03-19 Meta Platforms Technologies, Llc Heterogeneous memory system
CN114076889A (zh) * 2021-11-18 2022-02-22 长江存储科技有限责任公司 测试系统和测试方法
WO2024014561A1 (ja) * 2022-07-15 2024-01-18 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 波長時間変調のイベント計測による分光計測装置及び分光計測方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021858A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Olympus Corp 画素欠陥補正装置
JP5181982B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-10 ソニー株式会社 固体撮像装置及びカメラシステム
JP2013115547A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Canon Inc 撮像装置及びその制御方法
US9631974B2 (en) * 2011-12-19 2017-04-25 Universität Zürich Photoarray, particularly for combining sampled brightness sensing with asynchronous detection of time-dependent image data
JP2013211603A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Sony Corp 撮像装置、撮像方法およびプログラム
JP6218408B2 (ja) * 2013-03-22 2017-10-25 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
EP3047647B1 (en) * 2013-09-16 2020-05-27 Prophesee Dynamic, single photodiode pixel circuit and operating method thereof
KR102136055B1 (ko) * 2014-01-08 2020-07-21 삼성전자 주식회사 오픈-루프 증폭기를 포함하는 비전 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 데이터 처리 시스템
WO2017013806A1 (ja) * 2015-07-23 2017-01-26 オリンパス株式会社 固体撮像装置
KR102337970B1 (ko) * 2016-04-04 2021-12-10 프로페시 샘플-앤드-홀드 기반 시간적 대비 비전 센서
GB2555713B (en) * 2016-09-30 2021-03-03 Canon Kk Imaging device, imaging system, moving body, and control method
CN108574793B (zh) * 2017-03-08 2022-05-10 三星电子株式会社 被配置为重新生成时间戳的图像处理设备及包括其在内的电子设备
CN107147856B (zh) * 2017-03-30 2019-11-22 深圳大学 一种像素单元及其去噪方法、动态视觉传感器、成像装置
JP2018186478A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022239345A1 (ja) * 2021-05-10 2022-11-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法
WO2023026524A1 (ja) * 2021-08-26 2023-03-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出デバイスおよび光検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11632505B2 (en) 2023-04-18
WO2020110676A1 (ja) 2020-06-04
EP3890311A4 (en) 2021-10-06
EP3890311A1 (en) 2021-10-06
CN113170066A (zh) 2021-07-23
US20210409625A1 (en) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020110676A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
KR102606087B1 (ko) 고체 촬상 소자, 촬상 장치, 및 고체 촬상 소자의 제어 방법
CN113170064B (zh) 固态成像元件、成像装置和用于控制固态成像元件的方法
WO2020110537A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
JP2018186478A (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
US11678078B2 (en) Solid-state imaging device, imaging apparatus, and method for controlling solid-state imaging device for detecting occurrence of an address event of pixels
JP2020072471A (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
JP7227926B2 (ja) 固体撮像素子、撮像装置および固体撮像素子の制御方法
WO2018198691A1 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
CN111466114B (zh) 固态摄像元件、摄像装置和固态摄像元件的控制方法
JP2020088480A (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
WO2022064867A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
WO2019187685A1 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
WO2019135304A1 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
WO2021131831A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
JP2021170691A (ja) 撮像素子、制御方法、および電子機器
WO2020105301A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
WO2020090311A1 (ja) 固体撮像素子
WO2024209800A1 (ja) 光検出素子および電子機器
US11711634B2 (en) Electronic circuit, solid-state image sensor, and method of controlling electronic circuit