JPH10284707A - 光電気変換ｉｃ - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子に光を照射することなくＩＶ変換回
路へ入力電流を与えることによって、受光素子とＩＶ変
換回路とを接続している配線に問題があるか否かを検出
することができる光電気変換ＩＣを提供することを目的
とする。 【解決手段】 受光する光信号に応じて電流を出力する
受光素子（フォトダイオード）１と、入力する電流信号
に応じて電圧信号を出力する電流／電圧変換回路２と、
外部からＯＮ／ＯＦＦ制御が可能な、電流出力を行うテ
スト回路３を有し、光信号を電圧信号に変換する光電気
変換ＩＣにおいて、受光素子１の出力に２つの端子
Ｔ1、Ｔ2を設け、その出力端子Ｔ1を電流／電圧変換回
路２に接続するとともに、出力端子Ｔ2をテスト回路３
に接続する。
路へ入力電流を与えることによって、受光素子とＩＶ変
換回路とを接続している配線に問題があるか否かを検出
することができる光電気変換ＩＣを提供することを目的
とする。 【解決手段】 受光する光信号に応じて電流を出力する
受光素子（フォトダイオード）１と、入力する電流信号
に応じて電圧信号を出力する電流／電圧変換回路２と、
外部からＯＮ／ＯＦＦ制御が可能な、電流出力を行うテ
スト回路３を有し、光信号を電圧信号に変換する光電気
変換ＩＣにおいて、受光素子１の出力に２つの端子
Ｔ1、Ｔ2を設け、その出力端子Ｔ1を電流／電圧変換回
路２に接続するとともに、出力端子Ｔ2をテスト回路３
に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光する光信号に
応じて電流信号を出力する受光素子と、入力する電流信
号に応じて電圧信号を出力する電流／電圧変換回路とを
有し、光信号を電圧信号に変換する光電気変換ＩＣ、い
わゆるＯＥＩＣに関するものである。
応じて電流信号を出力する受光素子と、入力する電流信
号に応じて電圧信号を出力する電流／電圧変換回路とを
有し、光信号を電圧信号に変換する光電気変換ＩＣ、い
わゆるＯＥＩＣに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】受光素子としてフォトダイオードを用い
た、従来の光電気変換ＩＣの回路ブロック図を図４に示
す。同図において、１’は受光する光信号に応じた電流
信号を出力するフォトダイオード、２は入力する電流信
号に応じた電圧を出力する電流／電圧変換回路（以下、
「ＩＶ変換回路」と呼ぶ）、３はスイッチング素子３
１、定電流回路３２、及び、ＯＮ／ＯＦＦ回路３３から
なるテスト回路である。
た、従来の光電気変換ＩＣの回路ブロック図を図４に示
す。同図において、１’は受光する光信号に応じた電流
信号を出力するフォトダイオード、２は入力する電流信
号に応じた電圧を出力する電流／電圧変換回路（以下、
「ＩＶ変換回路」と呼ぶ）、３はスイッチング素子３
１、定電流回路３２、及び、ＯＮ／ＯＦＦ回路３３から
なるテスト回路である。
【０００３】そして、ＩＶ変換回路２の入力には、フォ
トダイオード１’の出力（カソード）が接続されている
とともに、テスト回路３内の定電流回路３２がスイッチ
ング素子３１を介して接続されており、これにより、フ
ォトダイオード１’が光信号を受光した場合、あるい
は、スイッチング素子３１がＯＮした場合には、ＩＶ変
換回路２から電流が引き抜かれ、その電流に応じた電圧
が端子ＴOから出力される。
トダイオード１’の出力（カソード）が接続されている
とともに、テスト回路３内の定電流回路３２がスイッチ
ング素子３１を介して接続されており、これにより、フ
ォトダイオード１’が光信号を受光した場合、あるい
は、スイッチング素子３１がＯＮした場合には、ＩＶ変
換回路２から電流が引き抜かれ、その電流に応じた電圧
が端子ＴOから出力される。
【０００４】尚、ＯＮ／ＯＦＦ回路３３はスイッチング
素子３１のＯＮ／ＯＦＦを制御する回路であり、そのテ
ストピンＴTに所定の電圧が印加されるなどした場合に
のみ、スイッチング素子３１をＯＮにする。
素子３１のＯＮ／ＯＦＦを制御する回路であり、そのテ
ストピンＴTに所定の電圧が印加されるなどした場合に
のみ、スイッチング素子３１をＯＮにする。
【０００５】ところで、一般に、ＩＣの製造工程におい
てはＩＣの動作チェックが行われる。光電気変換ＩＣの
動作チェックとしては、本来は、フォトダイオード（受
光素子）１’に光を照射して行うのが望ましいのである
が、実際に所定の光量をフォトダイオード１’に照射す
ることは非常に困難である。そこで、外部からテスト回
路３内のスイッチング素子３１をＯＮさせて、定電流回
路３２により、フォトダイオード１’に所定の光量を照
射したときと同じように、ＩＶ変換回路２から所定の電
流を引き抜いて、動作チェックを行っていた。
てはＩＣの動作チェックが行われる。光電気変換ＩＣの
動作チェックとしては、本来は、フォトダイオード（受
光素子）１’に光を照射して行うのが望ましいのである
が、実際に所定の光量をフォトダイオード１’に照射す
ることは非常に困難である。そこで、外部からテスト回
路３内のスイッチング素子３１をＯＮさせて、定電流回
路３２により、フォトダイオード１’に所定の光量を照
射したときと同じように、ＩＶ変換回路２から所定の電
流を引き抜いて、動作チェックを行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、フォトダイオ
ード１’とＩＶ変換回路２とを接続している配線が図４
に示すＡ’点で断線している場合、フォトダイオード
１’が受光したとしてもＩＶ変換回路２から電流が引き
抜かれることはなく、当然のことながら光電気変換ＩＣ
としてはＮＧである。
ード１’とＩＶ変換回路２とを接続している配線が図４
に示すＡ’点で断線している場合、フォトダイオード
１’が受光したとしてもＩＶ変換回路２から電流が引き
抜かれることはなく、当然のことながら光電気変換ＩＣ
としてはＮＧである。
【０００７】しかしながら、以上に示した動作チェック
時には、ＩＶ変換回路２とテスト回路３とを接続してい
る配線に問題がない限り、ＩＶ変換回路２から電流が引
き抜かれることになり、ＩＶ変換回路２の特性などのそ
の他の要因に問題がなければ、光電気変換ＩＣとしては
ＯＫと判定されてしまう。
時には、ＩＶ変換回路２とテスト回路３とを接続してい
る配線に問題がない限り、ＩＶ変換回路２から電流が引
き抜かれることになり、ＩＶ変換回路２の特性などのそ
の他の要因に問題がなければ、光電気変換ＩＣとしては
ＯＫと判定されてしまう。
【０００８】このように、従来の光電気変換ＩＣでは、
上記の方法で、すなわち、受光素子に光を照射すること
なくＩＶ変換回路へ入力電流を与えて、動作チェックを
行ったとしても、フォトダイオード１’とＩＶ変換回路
２とを接続している配線に問題があるか否かを検出する
ことができなかった。
上記の方法で、すなわち、受光素子に光を照射すること
なくＩＶ変換回路へ入力電流を与えて、動作チェックを
行ったとしても、フォトダイオード１’とＩＶ変換回路
２とを接続している配線に問題があるか否かを検出する
ことができなかった。
【０００９】そこで、本発明は、受光素子に光を照射す
ることなくＩＶ変換回路へ入力電流を与えることによっ
て、受光素子とＩＶ変換回路とを接続している配線に問
題があるか否かを検出することができる光電気変換ＩＣ
を提供することを目的とする。
ることなくＩＶ変換回路へ入力電流を与えることによっ
て、受光素子とＩＶ変換回路とを接続している配線に問
題があるか否かを検出することができる光電気変換ＩＣ
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に記載の光電気変換ＩＣでは、受光する光
信号に応じて電流を出力する受光素子と、入力する電流
信号に応じて電圧信号を出力する電流／電圧変換回路
と、外部からＯＮ／ＯＦＦ制御が可能であって、電流出
力を行うテスト回路を有し、光信号を電圧信号に変換す
る光電気変換ＩＣにおいて、前記受光素子の出力に複数
の端子を設け、該複数の端子のうちの１つを前記電流／
電圧変換回路に接続するとともに、残りの端子のうちの
少なくとも１つを前記テスト回路に接続している。
め、請求項１に記載の光電気変換ＩＣでは、受光する光
信号に応じて電流を出力する受光素子と、入力する電流
信号に応じて電圧信号を出力する電流／電圧変換回路
と、外部からＯＮ／ＯＦＦ制御が可能であって、電流出
力を行うテスト回路を有し、光信号を電圧信号に変換す
る光電気変換ＩＣにおいて、前記受光素子の出力に複数
の端子を設け、該複数の端子のうちの１つを前記電流／
電圧変換回路に接続するとともに、残りの端子のうちの
少なくとも１つを前記テスト回路に接続している。
【００１１】以上の構成により、ＩＶ変換回路（電流／
電圧変換回路）とテスト回路との間でやりとりが行われ
る電流は、必ず、受光素子とＩＶ変換回路とが接続され
ている配線、及び、受光素子の出力層を経由することに
なるので、受光素子とＩＶ変換回路とを接続する配線に
断線などの不具合が発生している場合は、テスト回路に
よりＩＶ変換回路へ入力電流を与えることができない。
電圧変換回路）とテスト回路との間でやりとりが行われ
る電流は、必ず、受光素子とＩＶ変換回路とが接続され
ている配線、及び、受光素子の出力層を経由することに
なるので、受光素子とＩＶ変換回路とを接続する配線に
断線などの不具合が発生している場合は、テスト回路に
よりＩＶ変換回路へ入力電流を与えることができない。
【００１２】また、請求項２に記載の光電気変換ＩＣで
は、請求項１に記載の光電気変換ＩＣにおいて、前記受
光素子の出力端子と前記電流／電圧変換回路とを接続し
ている配線と、前記受光素子の出力端子と前記テスト回
路とを接続している配線との間隔を可能な限り離してい
る。
は、請求項１に記載の光電気変換ＩＣにおいて、前記受
光素子の出力端子と前記電流／電圧変換回路とを接続し
ている配線と、前記受光素子の出力端子と前記テスト回
路とを接続している配線との間隔を可能な限り離してい
る。
【００１３】また、請求項３に記載の光電気変換ＩＣで
は、請求項１または２に記載の光電気変換ＩＣにおい
て、前記受光素子の出力に設けられた複数の端子につい
て、前記電流／電圧変換回路の入力側に接続される端子
と、前記テスト回路に接続される端子との間隔を可能な
限り離している。
は、請求項１または２に記載の光電気変換ＩＣにおい
て、前記受光素子の出力に設けられた複数の端子につい
て、前記電流／電圧変換回路の入力側に接続される端子
と、前記テスト回路に接続される端子との間隔を可能な
限り離している。
【００１４】以上の構成により、ＩＶ変換回路とテスト
回路との間でやりとりが行われる電流が、受光素子とＩ
Ｖ変換回路とが接続されている配線、及び、受光素子の
出力層を短絡して流れる可能性を低減することができ、
請求項１の構成による作用をより確実なものとすること
ができる。
回路との間でやりとりが行われる電流が、受光素子とＩ
Ｖ変換回路とが接続されている配線、及び、受光素子の
出力層を短絡して流れる可能性を低減することができ、
請求項１の構成による作用をより確実なものとすること
ができる。
【００１５】また、請求項４に記載の光電気変換ＩＣで
は、請求項１乃至３に記載の光電気変換ＩＣにおいて、
前記電流／電圧変換回路の変換効率の温度特性と前記テ
スト回路の出力の温度特性とを逆特性にしている。
は、請求項１乃至３に記載の光電気変換ＩＣにおいて、
前記電流／電圧変換回路の変換効率の温度特性と前記テ
スト回路の出力の温度特性とを逆特性にしている。
【００１６】一般的に、同じ入力電流を与えていてもＩ
Ｖ変換回路の出力が温度変化により変化するが、以上の
構成により、テスト回路によりＩＶ変換回路に与えられ
る入力電流がＩＶ変換回路の出力の変化を打ち消す方向
に変化することになるので、温度変化の影響を受けずに
出力は略一定になるので、より正確に光電気変換ＩＣの
動作チェックを行うことができる。
Ｖ変換回路の出力が温度変化により変化するが、以上の
構成により、テスト回路によりＩＶ変換回路に与えられ
る入力電流がＩＶ変換回路の出力の変化を打ち消す方向
に変化することになるので、温度変化の影響を受けずに
出力は略一定になるので、より正確に光電気変換ＩＣの
動作チェックを行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を参照しながら説明する。本発明の一実施形態である光
電気変換ＩＣの回路ブロック図を図１に示す。同図にお
いて、１はカソード（出力）に２つの端子Ｔ1、Ｔ2を有
する、受光する光信号に応じた電流信号を出力するフォ
トダイオードであって、フォトダイオード１の出力端子
Ｔ1はＩＶ変換回路２に接続されており、出力端子Ｔ2は
テスト回路３に接続されている。尚、従来技術と同一部
分には同一符号を付して説明を省略する。
を参照しながら説明する。本発明の一実施形態である光
電気変換ＩＣの回路ブロック図を図１に示す。同図にお
いて、１はカソード（出力）に２つの端子Ｔ1、Ｔ2を有
する、受光する光信号に応じた電流信号を出力するフォ
トダイオードであって、フォトダイオード１の出力端子
Ｔ1はＩＶ変換回路２に接続されており、出力端子Ｔ2は
テスト回路３に接続されている。尚、従来技術と同一部
分には同一符号を付して説明を省略する。
【００１８】そして、フォトダイオード１は、そのチッ
プ断面図を図２に示すように、サブストレートＰ-（高
抵抗のＰ形半導体）とエピタキシャル層Ｎ-（高抵抗の
Ｎ形半導体）とで構成されており、サブストレートＰ-
がアノード、エピタキシャル層Ｎ-内の低抵抗領域Ｎが
カソードとして使用される。
プ断面図を図２に示すように、サブストレートＰ-（高
抵抗のＰ形半導体）とエピタキシャル層Ｎ-（高抵抗の
Ｎ形半導体）とで構成されており、サブストレートＰ-
がアノード、エピタキシャル層Ｎ-内の低抵抗領域Ｎが
カソードとして使用される。
【００１９】したがって、以上の構成の光電気変換ＩＣ
において、フォトダイオード１が光を受光したときに
は、図２に示すＫ1の経路で電流が流れ、一方、外部か
らテスト回路３内のスイッチング素子３１がＯＮされた
ときには、図２に示すＫ2の経路で電流が流れて、それ
ぞれＩＶ変換回路２から電流が引き抜かれる。
において、フォトダイオード１が光を受光したときに
は、図２に示すＫ1の経路で電流が流れ、一方、外部か
らテスト回路３内のスイッチング素子３１がＯＮされた
ときには、図２に示すＫ2の経路で電流が流れて、それ
ぞれＩＶ変換回路２から電流が引き抜かれる。
【００２０】このように、本実施形態の光電気変換ＩＣ
では、テスト回路３によりＩＶ変換回路２へ入力電流を
与える場合であっても、その電流は必ずフォトダイオー
ド１とＩＶ変換回路２とが接続されている配線Ｈ1、及
び、フォトダイオード１の出力層（カソードＮ）を経由
することになる。
では、テスト回路３によりＩＶ変換回路２へ入力電流を
与える場合であっても、その電流は必ずフォトダイオー
ド１とＩＶ変換回路２とが接続されている配線Ｈ1、及
び、フォトダイオード１の出力層（カソードＮ）を経由
することになる。
【００２１】これにより、フォトダイオード１とＩＶ変
換回路２とを接続している配線Ｈ1が図２に示すＡ点で
断線している場合は、外部からテスト回路３内のスイッ
チング素子３１がＯＮされたとしても、ＩＶ変換回路２
から電流を引き抜くことはできない。すなわち、フォト
ダイオード１に光を照射することなくＩＶ変換回路２へ
入力電流を与えることによって、フォトダイオード１と
ＩＶ変換回路２とを接続している配線の不具合を見落と
すことはない。
換回路２とを接続している配線Ｈ1が図２に示すＡ点で
断線している場合は、外部からテスト回路３内のスイッ
チング素子３１がＯＮされたとしても、ＩＶ変換回路２
から電流を引き抜くことはできない。すなわち、フォト
ダイオード１に光を照射することなくＩＶ変換回路２へ
入力電流を与えることによって、フォトダイオード１と
ＩＶ変換回路２とを接続している配線の不具合を見落と
すことはない。
【００２２】ここで、フォトダイオード１とＩＶ変換回
路２とを接続する配線Ｈ1とフォトダイオード１とテス
ト回路３とを接続する配線Ｈ2との間隔は可能な限り離
しておくことが望ましい。というのは、これらの間隔が
余りにも近すぎると、ＩＶ変換回路２とテスト回路３と
の間で、フォトダイオード１とＩＶ変換回路２とが接続
されている配線Ｈ1、及び、フォトダイオード１の出力
層（カソードＮ）を経由することなく、電流が流れる危
険性が高いからである。
路２とを接続する配線Ｈ1とフォトダイオード１とテス
ト回路３とを接続する配線Ｈ2との間隔は可能な限り離
しておくことが望ましい。というのは、これらの間隔が
余りにも近すぎると、ＩＶ変換回路２とテスト回路３と
の間で、フォトダイオード１とＩＶ変換回路２とが接続
されている配線Ｈ1、及び、フォトダイオード１の出力
層（カソードＮ）を経由することなく、電流が流れる危
険性が高いからである。
【００２３】また、同様の理由から、フォトダイオード
１の出力層に設ける２つの端子Ｔ1、Ｔ2の間隔（図２の
ｄ）は可能な限り離しておくことが望ましい。
１の出力層に設ける２つの端子Ｔ1、Ｔ2の間隔（図２の
ｄ）は可能な限り離しておくことが望ましい。
【００２４】さらに、一般的に、同じ入力電流を与えて
いてもＩＶ変換回路２の出力が温度変化に伴って変化す
るので、ＩＶ変換回路２の出力が温度の上昇で大きくな
る場合は、テスト回路３（定電流回路３２）の出力が温
度の上昇で小さくなるというように、ＩＶ変換回路２の
温度特性とテスト回路３の温度特性とを逆特性にしてお
けば、テスト回路３とＩＶ変換回路２との間で流れる電
流がＩＶ変換回路２の出力の変化を打ち消す方向に変化
することになって、温度の影響を受けずに出力は略一定
になるので、より正確に光電気変換ＩＣの動作チェック
を行うことができる。
いてもＩＶ変換回路２の出力が温度変化に伴って変化す
るので、ＩＶ変換回路２の出力が温度の上昇で大きくな
る場合は、テスト回路３（定電流回路３２）の出力が温
度の上昇で小さくなるというように、ＩＶ変換回路２の
温度特性とテスト回路３の温度特性とを逆特性にしてお
けば、テスト回路３とＩＶ変換回路２との間で流れる電
流がＩＶ変換回路２の出力の変化を打ち消す方向に変化
することになって、温度の影響を受けずに出力は略一定
になるので、より正確に光電気変換ＩＣの動作チェック
を行うことができる。
【００２５】尚、上記実施形態においては、受光素子
（フォトダイオード１）の出力に２つの端子を設けてい
たが、受光素子の出力端子としては３つ以上であっても
よく、例えば、図３に示すように、受光素子の出力端子
を３つにした場合は、そのうちの１つをＩＶ変換回路２
に接続し、残りの２つをそれぞれ個別にスイッチング素
子３１、３１’を介して出力電流の異なる２つの定電流
回路３２、３２’に接続し、ＯＮ／ＯＦＦ回路３３’に
より２つのスイッチング素子３１、３１’の制御をする
ようにしておけば、ＩＶ変換回路２の入力として３種類
の電流を与えることができ、より多彩な動作チェックを
行うことができるようになる。
（フォトダイオード１）の出力に２つの端子を設けてい
たが、受光素子の出力端子としては３つ以上であっても
よく、例えば、図３に示すように、受光素子の出力端子
を３つにした場合は、そのうちの１つをＩＶ変換回路２
に接続し、残りの２つをそれぞれ個別にスイッチング素
子３１、３１’を介して出力電流の異なる２つの定電流
回路３２、３２’に接続し、ＯＮ／ＯＦＦ回路３３’に
より２つのスイッチング素子３１、３１’の制御をする
ようにしておけば、ＩＶ変換回路２の入力として３種類
の電流を与えることができ、より多彩な動作チェックを
行うことができるようになる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
光電気変換ＩＣによれば、受光素子に光を照射すること
なくＩＶ変換回路へ入力電流を与えることによって、受
光素子とＩＶ変換回路とを接続している配線に問題があ
るか否かを検出することができる。これにより、光電気
変換ＩＣとしての信頼性が向上する。
光電気変換ＩＣによれば、受光素子に光を照射すること
なくＩＶ変換回路へ入力電流を与えることによって、受
光素子とＩＶ変換回路とを接続している配線に問題があ
るか否かを検出することができる。これにより、光電気
変換ＩＣとしての信頼性が向上する。
【００２７】また、請求項２または３に記載の光電気変
換ＩＣによれば、請求項１に記載の光電気変換ＩＣによ
り得られる効果をより確実なものとすることができる。
換ＩＣによれば、請求項１に記載の光電気変換ＩＣによ
り得られる効果をより確実なものとすることができる。
【００２８】また、請求項４に記載の光電気変換ＩＣに
よれば、以上の効果に加えて、温度変化の影響を受けず
に、より正確に動作チェックを行うことができる。
よれば、以上の効果に加えて、温度変化の影響を受けず
に、より正確に動作チェックを行うことができる。
【図１】 本発明の一実施形態である光電気変換ＩＣの
回路ブロック図である。
回路ブロック図である。
【図２】 図１のフォトダイオード１をチップ断面図を
用いて示した図である。
用いて示した図である。
【図３】 本発明の他の実施形態である光電気変換ＩＣ
の回路ブロック図である。
の回路ブロック図である。
【図４】 従来の光電気変換ＩＣの回路ブロック図であ
る。
る。
１ フォトダイオード（出力端子２つ以上） １’ フォトダイオード（出力端子１つ） ２ ＩＶ変換回路（電流／電圧変換回路） ３、３’ テスト回路 ３１、３１’ スイッチング素子 ３２、３２’ 定電流回路 ３３、３３’ ＯＮ／ＯＦＦ回路
Claims (4)
- 【請求項１】 受光する光信号に応じて電流を出力する
受光素子と、入力する電流信号に応じて電圧信号を出力
する電流／電圧変換回路と、外部からＯＮ／ＯＦＦ制御
が可能であって、電流出力を行うテスト回路を有し、光
信号を電圧信号に変換する光電気変換ＩＣにおいて、 前記受光素子の出力に複数の端子を設け、該複数の端子
のうちの１つを前記電流／電圧変換回路に接続するとと
もに、残りの端子のうちの少なくとも１つを前記テスト
回路に接続したことを特徴とする光電気変換ＩＣ。 - 【請求項２】 前記受光素子の出力端子と前記電流／電
圧変換回路とを接続している配線と、前記受光素子の出
力端子と前記テスト回路とを接続している配線との間隔
を可能な限り離したことを特徴とする請求項１に記載の
光電気変換ＩＣ。 - 【請求項３】 前記受光素子の出力に設けられた複数の
端子について、前記電流／電圧変換回路の入力側に接続
される端子と、前記テスト回路に接続される端子との間
隔を可能な限り離したことを特徴とする請求項１または
２に記載の光電気変換ＩＣ。 - 【請求項４】 前記電流／電圧変換回路の変換効率の温
度特性と前記テスト回路の出力の温度特性とを逆特性に
したことを特徴とする請求項１乃至３に記載の光電気変
換ＩＣ。
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