DE69732004T2 - Klebeband für substrat zur verbindung von halbleiter, klebstoffbeschichtetes band für tab, klebstoffbeschichtetes band für drahtbandverbindungen, verbindungssubstrat für halbleiter und halbleitervorrichtung - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Klebefolie, die als eine Klebeschicht für ein Halbleiter verbindendes Substrat geeignet ist, das zum Montieren einer integrierten Halbleiterschaltung verwendet wird, ein klebstoffbeschichtetes Band zum TAB-Bonden (im Folgenden als „Band für TAB" bezeichnet), ein klebstoffbeschichtetes Band zum Drahtbonden (im Folgenden als „Band zum DB" bezeichnet), ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine Halbleitervorrichtung, die ein beliebiges der vorangehenden Elemente einsetzt.
  • Herkömmliche Verfahren zum Montieren von integrierten Halbleiterschaltungen (IC) umfassen folgende Verfahren:
    Zum Montieren einer IC wird am häufigsten ein Verfahren herangezogen, worin die Elektroden der IC an Metall-Leitungsrahmen drahtgebondet und mittels eines Harzes abgedichtet werden (wie etwa ein in JP-A-07-2680996 offenbartes Harz zum Abdichten, worin das Harz ein Epoxidharz mit einem Dicyclopentadienylskelett, ein bromiertes Epoxidharz und/oder ein Tetrabrombisphenol, ein Phenolharz mit einem Dicyclopentadienylskelett und Silica umfasst). So hergestellte IC-Bauelemente werden für gewöhnlich als „Small Outline Package"-(SOP-) und „Quad Flat Package"-(QFP-)Gehäuse bereitgestellt. Im Gegensatz dazu wird als kleiner dimensionierte und leichtere elektronische Vorrichtung eine Kügelchennetzmatrix („ball grid array"; BGA) verwendet, worin die Anschlüsse auf der Oberfläche des Bauelements angeordnet sind (1).
  • Das BGA-Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Lötkugeln (fast in gleicher Anzahl wie die Pins der entsprechenden IC) in gitterähnlicher Form als äußere Verbindungen des IC-Verbindungssubstrats vorliegen. Um eine Vorrichtung mit einer Leiterplatte zu verbinden, wird die Vorrichtung so auf die Platine gestellt, dass die Lötkugelflächen mit den Leiterplatten bereits gedruckter Lötmetalle konform sind und das Lötmetall zum Erhalt der erwünschten Verbindung mittels Fließlöten in geschmolzenem Zustand gehalten wird. Die wichtigste Eigenschaft ist, dass, obwohl herkömmliche QFP und dergleichen lediglich die Verwendung umgebender Ränder zur Anordnung von Anschlüssen gestatten, ein BGA-Verfahren zulässt, dass die Oberfläche des verbindenden Substrats verwendet werden kann, wodurch mehr Anschlüsse auf kleinerem Raum ermöglicht werden. Diese maßstabsverkleinernde Wirkung ist bei „Chip Scale Packages" (CSP) noch stärker und kann aufgrund der Ähnlichkeit als μ-BGA (Mikro-BGA) bezeichnet werden (2).
  • Beim BGA-Verfahren wird im Allgemeinen aufgrund der Notwendigkeit, die Lötkugelfläche zur besseren Abstrahlung flach zu halten, ein Verfahren, umfassend die Schritte des Laminierens eines Materials wie einer Metallschicht zur Verstärkung, Abstrahlung, elektromagnetischen Abschirmung etc. auf eine Leiterplattenschicht, um eine IC zu verbinden, unter Verwendung einer Klebefolie, und des Härtens mittels Erhitzen, herangezogen, um ein Verbindungssubstrat herzustellen.
  • Ein verbindendes Substrat für BGA ist nachstehend anhand der 4 erläutert. Ein verbindendes Substrat für BGA besteht aus zumindest einer Leiterplattenschicht (zusammengesetzt aus einer Isolatorschicht 26 und einer Leiterstruktur 27) zur Verbindung einer IC, zumindest einer Schicht 29 ohne ausgebildete Leiterstruktur (das als Verstärkungsfolie, Abstrahlungsfolie, Abschirmungsfolie etc. dient) und zumindest einer Klebeschicht 28, um diese zu laminieren. In 4 steht die Zahl 25 für eine organische Isolierfolie, 27 für einen Innenanschluss und 30 für einen Lötresist.
  • Für die vorliegende Klebeschicht (Klebefolie) wird ein thermoplastisches Harz oder ein Siliconelastomer (JP-B-06-050448) und dergleichen vorgeschlagen, um eine Verminderung der Wärmespannung zu erzielen, die durch den unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten verschiedener Materialien, wie etwa der Leiterplatte, den Lötkugeln, der Leiterplattenschicht und der Schicht ohne ausgebildete Leiterstruktur, während Temperaturzyklen und Aufschmelzen verursacht wird.
  • Andererseits ist bisher als Leiterplattenschicht eine mit Epoxid laminierte Glasfolie (steife Folie) verwendet worden, wobei es in den letzten Jahren vermehrt zur Verwendung eines Halbleiter verbindenden Substrats gekommen ist, worin die Leiterstruktur zur Verbindung einer IC auf einer organischen Isolierschicht eines Polyimids und dergleichen ausgebildet wird. Ein Bauelement, das solche bandähnlichen verbindenden Substrate (Strukturband) einsetzt, wird im Allgemeinen als TCP (Tape Carrier Package) bezeichnet, und das TCP eines BGA-Verfahrens im Speziellen wird als TAB-BGA oder T-BGA bezeichnet.
  • Ein TCP besitzt den Vorteil, dass kostengünstige Bauelemente in großen Mengen hergestellt werden können, indem Montagen unter Verwendung eines langen Strukturbands kontinuierlich vorgenommen werden können. Als IC-Verbindungsverfahren ist das TAB-Verfahren, worin die Schlagelektroden einer IC mit den Innenanschlüssen eines verbindenden Substrats (mittels Simultan-Bonden oder Einpunktverbindung) thermisch druckgebondet sind, als übliches Verfahren anzusehen, wobei ebenfalls ein Verfahren angewandt wird, worin die Anschlussfläche eines verbindenden Substrats und die Elektroden einer IC miteinander drahtgebondet (im Folgenden als „DB-Verfahren" bezeichnet) sind.
  • Als Strukturband für das TAB-Verfahren wird ein Band für TAB allgemein verwendet. Ein Band für TAB besteht aus einer dreischichtigen Struktur, worin die Klebeschicht und eine lösbare Polyesterfolie und dergleichen als Schutzfilmschicht auf einen flexiblen organischen Isolationsfilm, wie etwa eine Polyimidfolie, auflaminiert sind. Zusammensetzungen für die Klebeschicht eines Bands für TAB sind in JP-A-06-279739 und JP-A-06-338681 offenbart. In JP-A-06-279739 umfasst die Klebeschicht ein Polyamidharz und ein Epoxidharz, das eine Novolakharz-Einheit enthält, während in JP-A-06-338681 die Klebeschicht ein Polyamidharz und ein Gemisch aus Epoxid- und Phenolharzen umfasst.
  • Da die Klebeschicht enger angeordnet ist als der organische Isolationsfilm, wird das Band für TAB im Allgemeinen üblicherweise hergestellt, indem einmal eine Klebefolie hergestellt und diese auf den organischen Isolationsfilm auflaminiert wird.
  • Das so erhaltene Band für TAB wird (1) einer Perforation zur Bildung von Perforations- und Vorrichtungslöchern, (2) einer thermischen Lamination mit einer Kupferfolie und Erhitzen zum Härten des Klebstoffs, (3) einer Behandlung an der Unterseite der Kupferfolie zur Bildung von Innenanschlüssen, (4) Strukturbildung (Abdeckschicht, Ätzen, Resistentfernung, Entfernung des Mittels zur Behandlung der Unterseite der Kupferfolie), (5) Verzinnung oder Vergoldung und dergleichen unterzogen, um in ein verbindendes Substrat (Strukturband) verarbeitet zu werden. 3 zeigt die Form eines Strukturbands. 1 ist eine Schnittansicht, die eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung vom TCP-Typ darstellt. Die Innenanschlüsse 5 eines Strukturbands werden thermisch an die Goldhöcker 2 der IC 1 (Innenanschluss-Bonding) druckgebondet, um die IC zu montieren. Dann wird ein Dichtungsharz 10 zum Dichten aufgebracht, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen. Im Falle von TAB-BGA durchläuft das Band unter Verwendung einer Klebefolie einen weiteren Schritt zur Lamination der Schicht, die als Verstärkungsfolie, Abstrahlungsfolie oder Abschirmungsfolie und dergleichen dient, und einen Schritt zum Einbau von Lötkugeln.
  • Für das DB-Verfahren wird ein Band verwendet, das hinsichtlich Klebeeigenschaften zum Drahtbonden geeignet ist, wobei die Bandform und das Herstellungsverfahren dieselben wie jene des Bands für TAB sind.
  • Ein Band zum DB wird (1) einer Perforation der Perforations- und Vorrichtungslöcher, (2) einer thermischen Lamination mit einer Kupferfolie und Erhitzen zum Härten des Klebstoffs, (3) einer Strukturbildung (Abdeckschicht, Ätzen, Resistentfernung), (4) Verzinnung oder Vergoldung und dergleichen unterzogen, um in ein verbindendes Substrat (Strukturband) verarbeitet zu werden (5). Das Strukturband hat keine Innenanschlüsse, und die Leiter des Strukturbands und die Goldhöcker der integrierten Halbleiterschaltung sind aneinander drahtgebondet. Schließlich wird im Falle des TAB-Verfahrens ein Dichtungsharz zum Dichten aufgebracht, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten (6).
  • Die obige Halbleitervorrichtung vom TCP-Typ ist mit einer Leiterplatte und dergleichen, worauf andere Teile montiert sind, mittels äußerer Anschlüsse oder Lötkugeln 9 verbunden, um auf eine elektronische Vorrichtung montiert zu werden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat muss folgende Eigenschaften aufweisen:
    • (a) Hohe Klebefestigkeit, die kein Ablösen auch bei Rückflusstemperaturen von 230°C oder höher zulässt.
    • (b) mäßiger Elastizitätsmodul und mäßiger Längenausdehnungskoeffizient zur Verminderung der Wärmespannung, die auf die verschiedenen Materialien wirkt, welche das verbindende Substrat ausbilden, aufgrund von Temperaturzyklen und Aufschmelzen.
    • (c) Verarbeitbarkeit, um das Zusammenkleben zu ermöglichen und thermisches Härten in kurzer Zeit bei niedrigen Temperaturen.
    • (d) Isolierbarkeit bei der Lamination auf die Verdrahtung.
  • Von den oben stehenden Eigenschaften war es besonders schwierig, ein Gleichgewicht zwischen einerseits Klebefestigkeit und gemäßigtem Elastizitätsmodul und andererseits dem Längenausdehnungskoeffizienten zu erzielen. Wenn ein Versuch zur Verbesserung der Klebefestigkeit unternommen wird, sinkt bei herkömmlichen Klebstoffzusammensetzungen der Elastizitätsmodul bei hohen Temperaturen, so dass keine vollständig zufrieden stellenden Eigenschaften erhalten werden können.
  • Im Allgemeinen kann die Klebefestigkeit eines Klebstoffs verbessert werden, indem der Elastizitätsmodul vermindert wird, um die Bruchenergie zu erhöhen, wobei dieses Verfahren das Problem birgt, dass der Klebstoff bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit weich wird, was zur Senkung des Rückflusswiderstands sowie der Klebefestigkeit bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit führt. Wenn andererseits der Vernetzungsgrad des Klebstoffs zur Verbesserung des Rückflusswiderstands und der Klebefestigkeit bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit erhöht wird, verursacht der Klebstoff leicht Sprödbrüche, und die innere Spannung erhöht sich aufgrund von Härtungsschrumpfung, was im Gegenteil unerwünschterweise zur Minderung der Klebefestigkeit führt. Zudem geht die Wirkung zur Verminderung der Wärmespannung aufgrund des Temperaturunterschieds ebenfalls verloren.
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist, diese Probleme zu lösen und eine neuartige Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat bereitzustellen, die über ausgezeichnete Verarbeitbarkeit, Klebefestigkeit, Isoliervermögen und Beständigkeit verfügt, und um auch ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine das Substrat verwendende Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
  • Darüber hinaus beinhaltet das oben erwähnte Band für TAB folgende Probleme:
    Im Falle einer TCP, die ein Band für TAB verwendet, ist es nötig, Eigenschaften wie Isolierbarkeit, Haftvermögen und Formbeständigkeit zu erfüllen, da die Klebeschicht des Bands für TAB schlussendlich im Bauelement bleibt. Da die Maßstäbe für elektronische Vorrichtungen immer kleiner und die Packungsdichte immer höher geworden sind, sind die Strukturabstände (Leiterbreite und Leiterabstände) von Halbleiter verbindenden Substraten sehr eng geworden, womit der Klebstoff höheres Isoliervermögen und Klebefestigkeit zur Kupferfolie, die engere Leiterabstände besitzt, aufweisen muss (im Folgenden als „Klebefestigkeit" bezeichnet). Insbesondere werden derzeit bei Kurzprüfungen der Isolationsbeständigkeit der sinkende Grad des Isolationswiderstands bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit von 130°C und 85% r.F. oder bei einer kontinuierlichen Spannungsanlegung bei einem hohen Temperaturbereich von 125°C bis 150°C als sehr wichtig angesehen.
  • Herkömmliche Bänder für TAB sind jedoch was oben erläutertes Isoliervermögen und Klebefestigkeit anbelangt nicht zufrieden stellend genug. Da die Isolierung bei einer kontinuierlichen Spannungsanlegung bei hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit beispielsweise rasch gemindert wird, erweist sich die Isolierbeständigkeit als unzureichend. Wenn insbesondere der kalorische Wert einer bei hoher Geschwindigkeit und dergleichen betätigten integrierten Schaltung groß ist, kann es zu schwerwiegenden Unfällen kommen. Zudem können sich Leiter während der Strukturausbildung oder die für das TAB-Verfahren typischen Innenanschlüsse ablösen, da die Klebefestigkeit gering ist, womit die Herstellung verhindert wird.
  • Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist, diese Probleme zu lösen und ein neuartiges Band für TAB, das über ausgezeichnete Isolierbeständigkeit und Klebefestigkeit verfügt, und ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine das Substrat verwendende Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
  • Darüber hinaus weist das Band zum DB folgende Probleme auf:
    Im Falle einer TCP, die ein Band zum DB verwendet, wie das Band für TAB, sind hohe Isolierzuverlässigkeit (bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit von 130°C und 85% r.F.) und Klebefestigkeit bei engen Abständen ebenfalls gefordert, da die Klebeschicht im Bauteil bleibt. Zudem kann beim DB-Verfahren das Erhitzen und die Ultraschallwellenanwendung während des Drahtbondens die Klebeschicht weich machen, womit es zu keinem Drahtbonden kommt. Demzufolge muss während des Drahtbondens (im Folgenden als „DB" bezeichnet) Hitzebeständigkeit gegeben sein.
  • Herkömmliche Bänder zum DB sind jedoch was oben erläuterte Isolierzuverlässigkeit, Klebefestigkeit und DB-Eigenschaft anbelangt nicht zufrieden stellend genug. Wenn beispielsweise die Klebefestigkeit zum Leiter erhöht wird, fällt die Isolierfähigkeit bei einer kontinuierlichen Spannungsanlegung bei hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit rasch ab, womit sich die Isolierbeständigkeit als unzureichend erweist und die DB-Eigenschaft ebenfalls gemindert wird. Wenn andererseits die Hitzebeständigkeit zur Verbesserung der Isolierbeständigkeit und der DB-Eigenschaft erhöht wird, verschlechtert sich die Klebefestigkeit, was zum Ablösen des Leiters während der Strukturausbildung und auch nach Beendigung des DB führt.
  • Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist, diese Probleme zu lösen, und ein neuartiges Band zum DB, das über ausgezeichnete Isolierbeständigkeit, Klebefestigkeit und DB-Eigenschaft verfügt, und ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine das Substrat verwendende Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
  • Die obigen Ziele können mittels folgender Aspekte der vorliegenden Erfindung erreicht werden:
    • (a) Eine Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat, wobei die Klebefolie ein Laminat aus einer Klebeschicht auf einer Substratschicht ist, worin die Klebeschicht ein thermoplastisches Harz (A) und ein Epoxidharz (B) umfasst, wobei das Epoxidharz (B) zumindest ein Epoxidharz (B) enthält, das aus Dicyclopentadienskelette enthaltenden Epoxidharzen ausgewählt ist, ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine das Substrat verwendende Halbleitervorrichtung.
    • (b) Eine Klebeschicht für ein Halbleiter verbindendes Substrat, die eine Klebeschicht (E) einer integrierten Halbleiter-Leiterplatte mit zumindest jeweils einer Lei terplattenschicht (C) mit einer Isolatorschicht und einer Leiterstruktur, zumindest einer Schicht ohne ausgebildete Leiterstruktur (D) und zumindest einer Klebeschicht (E) ausbildet, wobei die Klebefolie nach dem Härten durch Erhitzen einen Speicherelastizitätmodul von 0,1 bis 10.000 MPa und einen Längenausdehnungskoeffizienten von 0,1 × 10–5~50 × 10–5°C–1 in einem Temperaturbereich von –50 bis 150°C nach dem Härten durch Erhitzen, ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine das Substrat verwendende Halbleitervorrichtung aufweist.
    • (c) Ein klebstoffbeschichtetes Band für TAB, das ein Laminat mit einer Klebeschicht und einer Schutzfilmschicht auf einem flexiblen organischen Isolationsfilm, worin die Klebeschicht nach dem Härten eine Erweichungstemperatur von 60 bis 110°C aufweist und eine Isolationswiderstand-Abfalldauer von 50 Stunden oder mehr aufweist, nachdem es mit einer angelegten Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. stehen gelassen wurde, ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine das Substrat verwendende Halbleitervorrichtung ist.
    • (d) Ein klebstoffbeschichtetes Band zum Drahtbonden, das ein Laminat mit einer Klebeschicht und einer Schutzfilmschicht auf einem flexiblen organischen Isolationsfilm ist, wobei die Klebeschicht nach dem Härten eine Erweichungstemperatur von 120 bis 200°C, eine Isolationswiderstand-Abfalldauer von 50 Stunden oder mehr aufweist, nachdem es mit einer angelegten Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. stehen gelassen wurde.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ABBILDUNGEN
  • 1 ist eine Schnittansicht, die eine Halbleitervorrichtung (TAB-BGA) darstellt, welche als Ausführungsform eine erfindungsgemäße Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat verwendet.
  • 2 ist eine Schnittansicht, die eine Halbleitervorrichtung (CSP) darstellt, welche als Ausführungsform eine erfindungsgemäße Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat verwendet.
  • 3 ist eine Schnittansicht, die ein Halbleiter verbindendes Substrat (Strukturband) für BGA vor dem Einbau in eine IC darstellt, welches durch Bearbeiten der erfindungsgemäßen Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat als Ausführungsform erhalten wird.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Band für TAB (Strukturband) vor dem Einbau in eine IC darstellt, das durch Bearbeiten des erfindungsgemäßen klebstoffbeschichteten Bands für TAB als Ausführungsform erhalten wird.
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Band zum DB (Strukturband) vor dem Einbau in eine IC darstellt, das durch Bearbeiten des erfindungsgemäßen klebstoffbeschichteten Bands zum DB als Ausführungsform erhalten wird.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die eine Halbleitervorrichtung (BGA des DB-Verfahrens) unter Verwendung der Klebefolie für ein erfindungsgemäßes Halbleiter verbindendes Substrat als Ausführungsform darstellt.
  • 7 ist eine Abbildung, die eine kammförmige Probe zur Messung des Isolationswiderstands darstellt.
  • 8 ist eine Abbildung, welche die Messergebnisse des Speicherelastizitätsmoduls E' der Klebeschicht als Klebefolie für ein erfindungsgemäßes Halbleiter verbindendes Substrat darstellt.
  • 9 ist eine Abbildung, welche die Messergebnisse des Längenausdehnungskoeffizienten der Klebeschicht als Klebefolie für ein erfindungsgemäßes Halbleiter verbindendes Substrat darstellt.
  • 10 ist eine Abbildung, welche die Messergebnisse des tanδ der Klebeschicht des erfindungsgemäßen klebstoffbeschichteten Bands für TAB darstellt.
  • 11 ist eine Abbildung, welche die Messergebnisse der Isolierbeständigkeit des erfindungsgemäßen klebstoffbeschichteten Bands für TAB darstellt.
  • 12 ist eine Abbildung, welche die Messergebnisse des Speicherelastizitätsmoduls E' der Klebeschicht des erfindungsgemäßen klebstoffbeschichteten Bands zum DB darstellt.
  • 13 ist eine Abbildung, welche die Messergebnisse des tanδ der Klebeschicht des erfindungsgemäßen klebstoffbeschichteten Bands zum DB darstellt.
  • Im Folgenden werden die bevorzugten Verfahren zur Durchführung der Erfindung beschrieben.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiter verbindende Substrat ist dafür vorgesehen, eine IC (Nacktchip) zu verbinden, die durch Ausbilden von Elementen auf einem aus Silicon und dergleichen hergestellten Halbleiter-Substrat erhalten wird, diese zu schneiden und zu teilen, und ist hinsichtlich Form, Material oder Herstellungsverfahren nicht besonders beschränkt, sofern es (C) zumindest eine Leiterplattenschicht mit einer Isolatorschicht und einer Leiterstruktur, (D) zumindest eine Schicht ohne ausgebildete Leiterstruktur und (E) zumindest eine Klebeschicht, die als erfindungsgemäße Klebefolie ausgebildet ist, aufweist. Deshalb stellt sich die Basisstruktur in Form von C/E/D dar, wobei das Halbleiter verbindende Substrat auch eine mehrschichtige Struktur wie beispielsweise C/E/D/E/D umfasst.
  • (C) ist eine Schicht mit einer Leiterstruktur zur Verbindung von Anschlusselektroden eines Nacktchips mit dem Äußeren (gedruckte Leiterplatte) des Bauelements sowie eine Isolatorschicht mit einer auf einer oder beiden Seiten ausgebildeten Leiterstruktur. Hierin ist als für eine Isolatorschicht geeignet ein 10 bis 125 μm dicker flexibler Isolationsfilm anzusehen, der aus einem Kunststoffmaterial, wie etwa Polyimid, Polyester, Polyphenylensulfid, Polyethersulfon, Polyetheretherketon, Aramid, Polycarbonat oder Polyarylat, oder aus einem Verbundmaterial, wie etwa einem mit Harz imprägnierten Glasgewebe, oder einer keramischen Platte aus Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid, Sodaglas oder Quarzglas besteht. Ein Laminat, bestehend aus mehreren Schichten der im Vorangegangenen erwähnten Elemente, kann ebenfalls eingesetzt werden. Zudem kann die Oberfläche der Isolatorschicht je nach Bedarf mittels Hydrolyse, Glimmentladung, Niedertemperaturplasma, physikalischen Aufrauens der Oberflächen oder Klebebeschichten und dergleichen behandelt werden. Eine Leiterstruktur wird im Allgemeinen durch subtraktive oder additive Verfahren ausgebildet, wobei in der vorliegenden Erfindung beide Verfahren angewandt werden können. Beim subtraktiven Verfahren wird ein Blech, wie beispielsweise Kupferfolie, mittels eines isolierenden Klebstoffs (die erfindungsgemäße Klebstoffzusammensetzung kann ebenso verwendet werden) auf eine Isolatorschicht gebondet, oder ein Vorläufer der Isolatorschicht wird auf ein Blech auflaminiert, gefolgt von einer Wärmebehandlung und dergleichen, um die Isolatorschicht auszubilden. Das Laminat wird durch chemische Behandlung geätzt, um die gewünschte Struktur zu erhalten, wobei das Material in diesem Fall beispielsweise ein kupferbelegtes Material für eine starre oder flexible Leiterplatte, ein Band für TAB oder ein Band zum DB sein kann.
  • Beim additiven Verfahren wird die Leiterstruktur andererseits direkt auf der Isolatorschicht mittels stromlose Plattierung, elektrolytischer Plattierung oder Sputtern und dergleichen ausgebildet. In jedem Fall kann der ausgebildete Leiter zur Korrosionsverhinderung mit einem hoch korrosionsbeständigen Metall plattiert werden. Die so hergestellte Leiterplattenschicht (C) kann je nach Bedarf gebildete Durchgangslöcher aufweisen, und die auf beiden Seiten mittels Plattieren ausgebildete Leiterstrukturen können miteinander durch Plattieren verbunden werden.
  • (D) ist eine im Wesentlichen von (C) und (E) unabhängige Schicht, welche die Aufgabe besitzt, das Halbleiter verbindende Substrat zu verstärken, die Formbeständigkeit zu erhalten, die IC von außen elektromagnetisch abzuschirmen, die IC zu bestrahlen, dem Halbleiter verbindenden Substrat Flammhemmung zu verleihen oder die Form des Halbleiter verbindenden Substrats zu bestimmen und dergleichen. Deshalb muss die Schicht nicht zwingend die Form einer Schicht aufweisen; sie kann beispielsweise auch eine räumliche Form, bestehend aus einer Struktur mit mehreren Rippen zur Abstrahlung, aufweisen. Sofern eine der oben beschriebenen Funktionen bereitgestellt ist, kann die Schicht außerdem ein Isolator oder Leiter sein und ist hinsichtlich Material nicht speziell eingeschränkt. Die für die Schicht verwendbaren Materialien umfassen Metalle, wie etwa Kupfer, Eisen, Aluminium, Gold, Silber, Nickel und Titan, anorganische Materialien, wie etwa Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid, Sodaglas, Quarzglas und Kohlenstoff, und organische Materialien, wie etwa Polymere, die auf einem Polyimid, Polyamid, Polyester, Vinyl, Phenol oder Epoxy und dergleichen basieren. Es kann auch ein Verbundmaterial verwendet werden, indem diese Materialien kombiniert werden. Es können beispielsweise eine mit einem Metall dünn plattierte Polyimidfolie, ein Polymer, worin zur Verleihung von Leitfähigkeit Kohlenstoff eingeknetet ist, und ein mit einem organischen isolierenden Polymer beschichtetes Blech verwendet werden. Zudem kann im Falle von obigem (C) die Schicht auf verschiedene Art und Weise oberflächenbehandelt sein.
  • (E) ist eine hauptsächlich zum Zusammenbinden von (C) und (D) verwendete Klebeschicht, wobei diese auch zum Binden von (C) oder (D) mit einem anderen Teil (z.B. eine IC oder gedruckte Leiterplatte und dergleichen) ohne Einschränkung verwendet werden kann. (E) ist üblicherweise in halbgehärtetem Zustand auf ein Halbleiter verbindendes Substrat auflaminiert, und vor oder nach der Lamination kann es vorher durch Umsetzen in einem Temperaturbereich von 30 bis 200°C eine geeignete Zeit lang gehärtet werden, um den Härtungsgrad einzustellen.
  • (E) wird als Klebefolie für ein erfindungsgemäßes Halbleiter verbindendes Substrat (im Folgenden als „Klebefolie" bezeichnet) ausgebildet. Die Klebeschicht weist nach dem Härten durch Erhitzen einen Speicherelastizitätmodul von vorzugsweise 0,1 bis 10.000 MPa, noch bevorzugter von 1 bis 5.000 MPa, und einen Längenausdehnungskoeffizienten von vorzugsweise 0,1 × 10–5~50 × 10–5°C–1, noch bevorzugter von 1~30 × 10–5°C–1, in einem Temperaturbereich von –50 bis 150°C, auf. Wenn der Speicherelastizitätmodul weniger als 0,1 MPa beträgt, ist die Festigkeit des Klebstoffs so gering, dass, wenn eine Vorrichtung verwendet wird, auf der ein IC-Bauelement montiert ist, das Halbleiter verbindende Substrat deformiert wird und dass, wenn die Klebefolie weiterverarbeitet wird, deren Handhabung sich unerwünschterweise verschlechtert. Bei über 10.000 MPa wird die Wirkung zur Verminderung der Wärmespannung so gering, dass es zu einer unerwünschten Wölbung des Halbleiter verbindenden Substrats, zum Ablösen der jeweiligen Schichten und zum Brechen der Lötkugeln kommt. Wenn der Längenausdehnungskoeffizient unerwünschterweise weniger als 0,1 × 10–5°C–1 beträgt, ist die Wirkung zur Verminderung der Wärmespannung zu gering. Bei über 50 × 10–5°C–1 bewirkt der Klebstoff selbst unerwünschte Wärmespannung.
  • Zudem weist die Klebefolie nach dem Härten durch Erhitzen bei 25°C eine Bruchenergie (im Folgenden als „Bruchenergie" bezeichnet) von vorzugsweise 5 × 105 Nm–1 oder mehr, noch bevorzugter von 1 × 106 Nm–1, pro Flächeneinheit auf. Von der Bruchenergie wird angenommen, dass sie mit der Klebefestigkeit im kohäsiven Bruchmodus der Klebeschicht in Beziehung steht. Die Bruchenergie wird mittels Zugfestigkeitstest aus dem Bereich unterhalb der Spannungs-Dehnungs-Kurve erhalten. Wenn die Bruchenergie weniger als 5 × 105 Nm–1 beträgt, verschlechtert sich die Klebefestigkeit unerwünschterweise.
  • Die Dicke der Klebeschicht kann in Relation zum Elastizitätsmodul und dem Längenausdehnungskoeffizienten richtig ausgewählt werden, wobei diese vorzugsweise 2 bis 500 μm, noch bevorzugter 20 bis 200 μm, beträgt.
  • Die Klebstoffzusammensetzung der erfindungsgemäßen Klebefolie enthält vorzugsweise zumindest einen oder mehr thermoplastische Harze bzw. hitzehärtbare Harze als essentielle Komponenten, ist jedoch nicht darauf beschränkt, vorausgesetzt, die Epoxidharz (B) umfassende Zusammensetzung weist ein Dicyclopentadienskelett enthaltendes Epoxidharz auf. Ein thermoplastisches Harz dient zur Verbesserung der Haftfähigkeit und der Flexibilität, zur Verminderung von Wärmespannung und zur Erhöhung der Isolierbarkeit aufgrund niedrigen Wasserabsorptionsvermögens; weiters wird ein thermoplastisches Harz benötigt, um das Gleichgewicht der physikalischen Eigenschaften wie etwa Hitzebeständigkeit, Isolierbarkeit bei hohen Temperaturen und Chemikalienbeständigkeit und Festigkeit der Klebeschicht zu erzielen.
  • Die hierin verwendbaren thermoplastischen Harz umfassen allgemein bekannte Harze, wie etwa Acrylnitril-Butadien-Copolymer (NBR), Acrylnitril-Butadienkautschuk-Styrol-Harz (ABS), Styrol-Butadien-Ethylen-Harz (SEBS), Acrylharz, Polyvinylbutyral, Polyamide, Polyester, Polyimide, Polyamidimide und Polyurethane. Diese Thermoplaste können funktionelle Gruppen aufweisen, die, wie später beschrieben, mit hitzehärtbaren Harzen reagieren können. Funktionelle Gruppen umfassen beispielsweise Aminogruppen, Carboxygruppen, Epoxygruppen, Hydroxygruppen, Methylolgruppen, Isocyanatgruppen, Vinylgruppen und Silanolgruppen. Diese funktionellen Gruppen verstärken zur Verbesserung der Hitzebeständigkeit das Binden mit dem hitzehärtbaren Harz. Als thermoplastisches Harz wird ein Copolymer (a1), das Butadien als wesentliches Comonomer umfasst, verwendet unter Berücksichtigung der Haftfähigkeit auf die Materialien von (C) und (D), der Flexibilität und der Wirkung zur Verminderung der Wärmespannung und kann aus einer Vielzahl von Butadien enthaltenden Harzen ausgewählt werden. Acrylnitril-Butadien-Copolymer (NBR) und Styrol-Butadien-Ethylen-Harz (SEBS) werden hinsichtlich Haftfähigkeit an Metalle, Chemikalienbeständigkeit und dergleichen insbesondere bevorzugt. Noch bevorzugter ist ein Copolymer (a2), das Butadien als wesentliches Comonomer und Carboxygruppen aufweist, welche aus beispielsweise NBR (NBR-C), SEBS (SEBS-C) und dergleichen ausgewählt werden können. NBR-C kann beispielsweise ein Copolymer-Kautschuk mit carboxylierten Endgruppen, welches mittels Copolymerisieren von Acrylnitril und Butadien in einem Molverhältnis von etwa 10/90~50/50 erhalten wird, oder ein ternärer Copolymer-Kautschuk aus Acrylnitril, Butadien und einem carboxygruppenhältigen polymerisierbaren Monomer, wie etwa Acrylsäure oder Maleinsäure, sein. Beispiele dafür umfassen PNR-1H (hergestellt von Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), „Nipol" 1072J, „Nipol" DN612, „Nipol" DN631 (jeweils von Nippon Zeon Co., Ltd., hergestellt). Zudem kann SEBS-C MX-073 (hergestellt von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.) sein.
  • Außerdem wird hinsichtlich Haftfähigkeit, Flexibilität und Isolierbarkeit ein Polyamidharz, das aus verschiedenen Polyamidharzen ausgewählt werden kann, bevorzugt. Insbesondere ist ein Harz (a3), das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen enthält (eine so genannte Dimersäure), insofern geeignet, als dass es der Klebeschicht Flexibilität verleiht und einen geringen Wasserabsorptionskoeffizienten aufweist, daher ausgezeichnete Isolierbarkeit aufweist. Ein Polyamidharz, das eine Dimersäure enthält, kann mittels Polykondensation einer Dimersäure mit einem Diamin gemäß einem herkömmlichen Verfahren erhalten werden, wobei in diesem Fall, abgesehen von einer Dimersäure, auch eine Dicarbonsäure, wie etwa Adipinsäure, Azelainsäure oder Sebacinsäure, als Comonomer vorliegen kann. Die hierin verwendbaren Diamine umfassen allgemein bekannte Diamine, wie beispielsweise Ethylendiamin, Hexamethylendiamin und Piperazin, wobei hinsichtlich Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen und Löslichkeit ein Gemisch aus zwei oder mehr Diaminen ebenfalls eingesetzt werden kann. Darüber hinaus weist ein aminogruppenhältiges Polymer (a4) ausgezeichnete Reaktion und Verträglichkeit mit Epoxidharzen auf und verbessert außerdem die Isolierbarkeit und Haftfähigkeit. Die Menge an Aminogruppen weist vorzugsweise einen Aminwert von 1 bis 3 auf. Wenn der Aminwert weniger als 1 beträgt, ist der Effekt zur Verbesserung der Isolierbarkeit und Haftfähigkeit zu gering, und bei mehr als 3 schreitet die Härtungsreaktion zu übermäßig voran, was die Verarbeitbarkeit unerwünschterweise verschlechtert. Das thermoplastische Harz (A) kann ein Polyamidharz (a3) und (a4) umfassen, wobei das Harz (a4) einen Aminwert von mehr als 1 und weniger als 3 aufweist.
  • Die hierin verwendbaren hitzehärtbaren Harze umfassen folgende allgemein bekannte Harze, wie beispielsweise Epoxidharze, Phenolharze, Melaminharze, Xylolharze, Furanharze und Cyanatharze, mit der Maßgabe, dass das hitzehärtbare Harz ein Epoxidharz (B) umfasst, das ein Dicyclopentadienskelett enthaltendes Epoxidharz ist. Epoxidharze und Phenolharze können geeignet verwendet werden, da sie über ausgezeichnete Isolierbarkeit verfügen. Diese Epoxid- und Phenolharze können zusammen eingesetzt werden.
  • Das Epoxidharz ist nicht speziell beschränkt, sofern es zwei oder mehr Epoxygruppen pro Molekül aufweist und zumindest ein oder mehr Dicyclopentadienskelett enthaltende, durch folgende allgemeine Formel (I) dargestellte Epoxidharze aufweist.
    Figure 00170001
    worin R1 bis R4 jeweils unabhängig voneinander für ein Wasserstoffatom, eine Niederalkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder ein Halogenatom stehen.
  • Zudem kann das Epoxidharz auch zusammen mit einem Glycidylether, wie etwa Bisphenol F, Bisphenol A, Bisphenol S, Resorcinol oder Trihydroxybenzol, oder mit einem anderen Epoxidharz, beispielsweise mit einem alizyklischen Epoxidharz, wie etwa epoxidierter Phenol-Novolak, epoxidierter Kresol-Novolak, epoxidiertes Trisphenylolmethan, epoxidiertes Tetraphenylolethan, epoxidiertes Metaxylendiamin oder Cyclohexanepoxid, einem bromierten Epoxidharz vom Copolymer-Typ aus Tetrabrombisphenol A und Bisphenol A, einem bromierten Epoxidharz vom Phenol-Novolak-Typ, und dergleichen verwendet werden.
  • Das hierin verwendbare Phenolharz (F) umfasst alle allgemein bekannten Phenolharze, wie etwa Phenolharze vom Novolaktyp und Phenolharze vom Resoltyp, wie beispielsweise Harze aus Phenol, aus alkylsubstituierten Phenolen, wie etwa Kresol, p-t-Butylphenol, Nonylphenol und p-Phenylphenol, zyklischen alkylmodifizierten Phenolen, wie etwa Terpen und Dicyclopentadien, Harze, die eine funktionelle Gruppe mit einem Heteroatom aufweisen, wie beispielsweise Nitrogruppen, Halogengruppen, Cyanogruppen oder Aminogruppen, Harze mit einem Skelett aus Naphthalin oder Anthracen und dergleichen und Harze mit einem polyfunktionellen Phenol, wie etwa Bisphenol F, Bisphenol A, Bisphenol S, Resorcinol oder Pyrogallol.
  • Die Menge an zugesetztem hitzehärtbarem Harz beträgt 5 bis 400 Gewichtsteile, vorzugsweise 50 bis 200 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des hitzehärtbaren Harzes. Die Menge an zugesetztem hitzehärtbarem Harz sollte nicht weniger als 5 Gewichtsteile betragen, da ansonsten der Elastizitätsmodul bei hoher Temperatur so stark abfällt, dass das die integrierte Halbleiterschaltung verbindende Substrat während des Betreibens der Vorrichtung, worauf die Halbleitervorrichtung angebracht ist, deformiert wird, und die Handhabung während der Verarbeitung verschlechtert wird. Wenn die Menge an verwendetem hitzehärtbarem Harz über 400 Gewichtsteilen steigt, wird der Elastizitätsmodul so hoch, dass der Längenausdehnungskoeffizient sich verringert, wodurch der Effekt zur Verminderung der Wärmespannung unerwünschterweise nachlässt.
  • Zur erfindungsgemäßen Klebeschicht können ein Härtungsmittel und Härtungsbeschleuniger für Epoxidharze und Phenolharze ohne jegliche Einschränkungen zugesetzt werden; diese können beispielsweise aus aromatischen Polyaminen, wie etwa 3,3',5,5'-Tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethan, 3,3',5,5'-Tetraethyl-4,4'-diaminodiphenylmethan, 3,3'-Dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethan, 3,3'-Dichlor-4,4'-diaminodiphenylmethan, 2,2',3,3'-Tetrachlor-4,4'-diaminodiphenylmethan, 4,4'-Diaminodiphenylsulfid, 3,3'- Diaminobenzophenone, 3,3'-Diaminodiphenylsulfon, 4,4'-Diaminodiphenylsulfon, 3,4'-Diaminodiphenylsulfon, 4,4'-Diaminobenzophenon und 3,4,4'-Triaminodiphenylsulfon, Aminkomplexen von Bortrifluorid, wie etwa ein Bortrifluoridtriethylamin-Komplex, Imidazolderivaten, wie etwa 2-Alkyl-4-methylimidazole und 2-Phenyl-4-alkylimidazole, organischen Säuren, wie etwa Phthalsäureanhydrid und Trimellithsäureanhydrid, Dicyandiamid und Triphenylphosphin ausgewählt sein. Es können ein oder mehr der vorangehenden Beispiele als Gemisch verwendet werden. Die davon zugesetzte Menge beträgt vorzugsweise 0,1 bis 50 Gewichtsteile bezogen auf 100 Gewichtsteile der Klebstoffzusammensetzung.
  • Zusätzlich zu den obigen Inhaltsstoffen können ohne jegliche Einschränkungen auch organische und anorganische Inhaltsstoffe wie Antioxidantien und Ionenfänger zugesetzt werden, sofern die Eigenschaften des Klebstoffs nicht beeinträchtigt werden. Fein gemahlene anorganische Inhaltsstoffe umfassen Metallhydroxide, wie etwa Aluminiumhydroxid, Magnesiumhydroxid und Calciumaluminathydrat, Metalloxide, wie etwa Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Zirconiumdioxid, Zinkoxid, Antimontrioxid, Antimonpentoxid, Magnesiumoxid, Titanoxid, Eisenoxid, Cobaltoxid, Chromoxid und Talk, anorganische Salze, wie etwa Calciumcarbonat, fein gemahlene Körner aus Aluminium, Gold, Silber, Nickel, Eisen und dergleichen sowie Ruß und Glas, und organische Inhaltsstoffe umfassen vernetzte Polymere, wie etwa Styrol, NBR-Kautschuk, Acrylkautschuk, Polyamide, Polyimide und Silicon. Es können ein oder mehr der vorangehenden Beispiele als Gemisch verwendet werden. Die mittlere Korngröße der fein gemahlenen Inhaltsstoffe beträgt vorzugsweise 0,2 bis 5 μm, unter Berücksichtigung der Dispersionsstabilität. Eine geeignete Menge der zugesetzten Inhaltsstoffe beträgt 2 bis 50 Gewichtsteile bezogen auf 100 Gewichtsteile der gesamten Klebstoffzusammensetzung.
  • Wenn sich die erfindungsgemäße Klebeschicht auf der äußersten Schicht des die integrierte Halbleiterschaltung verbindenden Substrats befindet und zum Bonden an ein anderes Teil (z.B. IC oder gedruckte Leiterplatte etc.) verwendet wird, kann eine Schutzfilmschicht für die Klebeschicht bereitgestellt werden. Die Schutzfilmschicht ist nicht speziell eingeschränkt, sofern sie von der Klebstofffläche entfernt werden kann, ohne die Form des die integrierte Halbleiterschaltung verbindenden Substrats zu beeinträchtigen, bevor das die integrierte Halbleiterschaltung verbindende Substrat an ein anderes Teil (z.B. IC oder gedruckte Leiterplatte etc.) gebondet wird, wobei die Schutzfilmschicht beispielsweise eine mit einer Silicon- oder Fluorverbindung beschichtete Polyolefinfolie oder Polyesterfolie oder ein damit laminiertes Papier und dergleichen umfassen kann.
  • Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung stellt eine Vorrichtung dar, die das erfindungsgemäße Halbleiter verbindende Substrat einsetzt, wobei es keine Einschränkungen bezüglich Form oder Struktur gibt. Die Verbindung zwischen einem Halbleiter verbindenden Substrat und einer IC kann beliebig durch TAB, DB, Harzdichtungen mit montierten Flip-Chips, anisotropes leitfähiges Film(Klebstoff)bonden und dergleichen vorgenommen werden. Ein als CSP bezeichnetes Bauelement ist ebenfalls in der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung enthalten.
  • Im Folgenden werden Beispiele für Verfahren zur Herstellung einer Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat, zur Herstellung eines Halbleiter verbindenden Substrats und zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung beschrieben.
    • (1) Herstellung einer Leiterplattenschicht (C), umfassend eine Insulatorschicht und eine Leiterstruktur: ein Band für TAB mit einer dreischichtigen Struktur, umfassend eine auf eine Polyimidfolie laminierte Klebeschicht und Schutzfilmschicht, wird mit folgenden Schritten (a) bis (d) hergestellt: (a) Perforation der Perforations- und Vorrichtungslöcher, (b) thermische Lamination mit einer Kupferfolie, (c) Strukturbildung (Abdeckschicht, Ätzen, Resistentfernung) und (d) Verzinnung oder Vergoldung. 5 stellt ein Beispiel für eine Form des erhaltenen Bands für TAB (Strukturband) dar.
    • (2) Herstellung einer Schicht ohne ausgebildete Leiterstruktur (D): eine 0,05 bis 0,5 mm dicke Kupferfolie oder Edelstahlfolie (SUS304) wird mit Aceton entfettet.
    • (3) Herstellung einer Klebeschicht (E) gemäß folgenden Schritten (a) bis (c): (a) Eine Anstrichschicht mit einer in einem Lösungsmittel gelösten Klebstoffzusammensetzung wird auf eine entfernbare Polyesterfolie aufgebracht und getrocknet. Vorzugsweise bildet sich durch das Beschichten eine 10 bis 100 μm dicke Klebeschicht aus. Das Trocknen findet 1 bis 5 Minuten lang bei 100 bis 200°C statt. Das Lösungsmittel ist nicht speziell eingeschränkt, wobei es vorzugsweise aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, wie etwa Toluol, Xylol und Chlorbenzol, Ketonen, wie etwa Methylethylketon und Methylisobutylketon, aprotischen polaren Lösungsmitteln, wie etwa Dimethylformamid, Dimethylacetamid und N-Methylpyrrolidon, und Gemischen davon, ausgewählt werden kann. (b) Ein ablösbarer Polyester- oder Polyolefinschutzfilm, der im Gegensatz zu (a) eine niedrigere Ablösefestigkeit aufweist, wird auf die Folie von (a) auflaminiert, um eine Klebefolie zu erhalten. Um die Dicke des Klebstoffs zu erhöhen, kann die Klebefolie mehrere Male laminiert werden. Nach Beendigung der Lamination kann die Klebefolie bei etwa 40 bis 70°C etwa 20 bis 200 Stunden lang wärmebehandelt werden, um den Härtungsgrad einzustellen. (c) Der Schutzfilm der Klebefolie aus Schritt (b) wird entfernt, und der restliche Film wird auf die Edelstahlfolie (D) auflaminiert und getrocknet. Eine geeignete Laminationstemperatur liegt bei 20 bis 200°C und ein geeigneter Druck bei 0,1 bis 3 MPa. Zudem kann die Anstrichschicht direkt auf (D) aufgebracht und getrocknet und danach ein Schutzfilm laminiert werden.
    • (4) Herstellung eines Halbleiter verbindenden Substrats gemäß folgenden Schritten (a) bis (c): 3 stellt eine Beispiel für ein Halbleiter verbindendes Substrat dar. In 3 steht die Zahl 19 für eine Klebeschicht eines TAB-Bands; 20 für einen organischen Isolationsfilm; 21 für ein Perforationsloch; 22 für eine Leiterstruktur; 23 für einen Leiter an einer Lötkugelverbindungsstelle; und 24 für ein Vorrichtungsloch. (a) Die klebstoffbeschichtete (D) wird mit einer Matrize durchbohrt, und es wird beispielsweise eine quadratische Matrize verwendet, um ein klebstoffbeschichtetes Blech, das in der Mitte ein quadratisches Loch aufweist, herzustellen. (b) Aus dem klebstoffbeschichteten Blech wird eine Folie auf Polyesterbasis entfernt, und die restliche Folie wird auf das Strukturband von (C) entweder auf der Leiterstrukturfläche oder, wie oben in (3) beschrieben, auf der Unterseite der Polyimidfolienfläche auflaminiert, wobei das in der Mitte gelegene Loch des klebstoffbeschichteten Blechs genau mit dem Vorrichtungsloch von (C) übereinstimmt. (c) Das Laminat wird bei 80 bis 200°C etwa 15 bis 180 Minuten lang in einem Heißluftofen zur Härtung des Klebstoffs mittels Erhitzen nachgehärtet.
    • (5) Herstellung einer Halbleitervorrichtung: die Innenanschlüsse des Halbleiter verbindenden Substrats von (4) werden thermisch an die Goldhöcker einer IC druckgebondet (Innenanschluss-Bonding), um die IC zu montieren. Sodann wird ein Dichtungsharz zum Dichten verwendet, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen. Die Halbleitervorrichtung wird mit einer gedruckten Leiterplatte und dergleichen verbunden, worauf mittels Lötkugeln andere Teile angebracht sind, um in eine elektronische Vorrichtung eingebaut zu werden. Die 1 und 2 sind Schnittansichten, die Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung darstellen. In 1 steht die Zahl 1 für einen IC-Chip; 2 für einen Goldhöcker; 3 für einen organischen Isolationsfilm; 4 für ein klebstoffbeschichtetes TAB-Band; 5 für einen Innenanschluss; 6 für eine Klebeschicht eines Halbleiter verbindenden Substrats; 7 für eine Schicht ohne ausgebildete Leiterstruktur (Verstärkungsfolie); 8 für einen Lötresist; 9 für eine Lötkugel; und 10 für ein Dichtungsharz. In 2 steht die Zahl 11 für einen Schutzfilm; 12 für einen IC-Chip; 13 für einen Innenanschluss; 14 für einen organischen Isolationsfilm; 15 für ein Dichtungsharz; 16 für eine Klebeschicht eines TAB-Bands; 17 für eine Lötkugel; und 18 für einen Lötresist.
  • Die Erweichungstemperatur in der vorliegenden Erfindung ist durch die Peaktemperatur des tanδ (tanδ = Verlustelastizitätsmodul E''/Speicherelastizitätsmodul E') definiert, die mittels Messung der dynamischen Viskoelastizität erhalten wird. Bevorzugte Messbedingungen sind im Evaluationsverfahren (4) für die Beispiele angeführt. Von der Erweichungstemperatur wird angenommen, dass sie bei hoher Temperatur Beziehung mit der Maßgenauigkeit steht, und beträgt vorzugsweise 60 bis 110°C, noch bevorzugter 70 bis 90°C. Wenn die Erweichungstemperatur weniger als 60°C beträgt, ist die Klebefolie so weich, dass die Maßgenauigkeit, wie etwa die Position des Leiters, und die Isolierbarkeit unerwünschterweise abnimmt. Wenn sie über 110°C liegt, kann der Unterschied zwischen der Kupferfolie oder des Isolationsbasisfilms im Längenausdehnungskoeffizienten nicht aufgenommen werden, womit es zu Wölbungen kommt, was unerwünschterweise zu einer Minderung der Maßgenauigkeit führt.
  • Zudem weist die Klebefolie nach dem Härten durch Erhitzen eine Bruchenergie bei 25°C von vorzugsweise 5 × 105 Nm–1 oder mehr, noch bevorzugter von 8 × 105 Nm–1, auf. Wenn die Bruchenergie weniger als 5 × 105 Nm–1 beträgt, nimmt die Klebefestigkeit unerwünschterweise ab.
  • Der Isolationswiderstandswert und die Isolationswiderstand-Abfalldauer beziehen sich auf die unter beschleunigten Evaluationsbedingungen gemessenen Werte, nämlich auf die Bedingungen in den Evaluationsverfahren (5) und (6) für die Beispiele. Der Isolationswiderstandswert beträgt vorzugsweise 5 × 108 Ω oder mehr, noch bevorzugter 1 × 109 Ω oder mehr. Wenn der Isolationswiderstandswert weniger als 5 × 108 Ω beträgt, nimmt die Isolierbeständigkeit der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung unerwünschterweise ab.
  • Die Isolationswiderstand-Abfalldauer ist als die Zeit definiert, die vergeht, bis der Isolationswiderstandswert auf einen Bezugswert oder niedriger fällt, wenn die oben erwähnte Messung des Isolationswiderstands kontinuierlich ausgeführt wird. Wenn eine Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. angelegt wird, beträgt der Bezugswert 107 Ω, und wenn eine Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 150°C angelegt wird, liegt der Bezugswert bei 109 Ω.
  • Die Isolationswiderstand-Abfalldauer beträgt vorzugsweise 50 Stunden oder mehr, noch bevorzugter 100 Stunden oder mehr, insbesondere 300 Stunden oder mehr. Wenn die Dauer kürzer als 50 Stunden ist, nimmt das Isoliervermögen der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung unerwünschterweise ab.
  • Es ist allgemein angenommen worden, dass, wenn die Erweichungstemperatur oder Glastemperatur unter der Temperatur zur Messung der Isolierbarkeit liegt, der Isolationswiderstandswert geringer ist, während die Isolationswiderstand-Abfalldauer kürzer ist, da die Ionen im Klebstoff stark wandern. Obwohl die Erweichungstemperatur der erfindungsgemäßen Klebeschicht unter der Temperatur zur Messung der Isolierbarkeit liegt, ist der Isolationswiderstandswert dennoch hoch und die Isolationswiderstand-Abfalldauer lang, was als eigenartig angesehen werden kann. Obwohl der Mechanismus nicht bekannt ist, kann angenommen werden, dass eine Struktur vorhanden ist, welche die Wanderung der Ionen verhindert, auch wenn die Erweichungstemperatur so niedrig ist, dass die Klebeschicht weich gemacht wird.
  • Die Klebeschicht des erfindungsgemäßen Bands für TAB enthält ein thermoplastisches Harz (D) und ein hitzehärtbares Harz (E). Das thermoplastische Harz eignet sich zur Steuerung der Erweichungstemperatur und dient zur Verbesserung der Haftfähigkeit und Flexibilität, um die Wärmespannung zu vermindern und die Isolierbarkeit aufgrund des niedrigen Wasserabsorptionsvermögens zu erhöhen. Das hitzehärtbare Harz (E) wird benötigt, um das Gleichgewicht zwischen den physikalischen Eigenschaften, wie etwa Hitzebeständigkeit, Isolierbarkeit bei hohen Temperaturen, und Chemikalienbeständigkeit und Festigkeit der Klebeschicht zu realisieren.
  • Die Menge des zugesetzten thermoplastischen Harzes beträgt vorzugsweise 30 bis 60 Gew.-%, noch bevorzugter 35 bis 55 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht.
  • Das hierin verwendbare thermoplastische Harz umfasst allgemein bekannte Harze, wie etwa Acrylnitril-Butadien-Copolymer (NBR), Acrylnitril-Butadienkautschuk-Styrol (ABS), Styrol-Butadien-Ethylen-Harz (SEBS), Acrylharz, Polyvinylbutyral, Polyamide, Polyester, Polyimide, Polyamidimide und Polyurethane. Diese thermoplastischen Harze können funktionelle Gruppen aufweisen, die, wie später beschrieben, mit hitzehärtbaren Harzen wie Phenolharzen und Epoxidharzen reagieren können. Funktionelle Gruppen umfassen beispielsweise Aminogruppen, Carboxygruppen, Epoxygruppen, Hydroxygruppen, Methylolgruppen, Isocyanatgruppen, Vinylgruppen, Silanolgruppen und dergleichen. Diese funktionellen Gruppen verstärken das Binden mit dem hitzehärtbaren Harz und verbessern vorzugsweise die Hitzebeständigkeit.
  • Als thermoplastisches Harz wird hinsichtlich Haftfähigkeit auf Kupferfolie, Flexibilität und Isolierbarkeit ein Polyamidharz (a3), das aus verschiedenen Polyamidharzen ausgewählt werden kann, bevorzugt. Insbesondere geeignet ist ein Polyamidharz, das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen enthält (eine so genannte Dimersäure), welches der Klebeschicht Flexibilität verleihen kann und aufgrund eines geringen Wasserabsorptionskoeffizienten eine ausgezeichnete Isolierbarkeit aufweist. Ein Polyamidharz, das eine Dimersäure enthält, kann mittels Polykondensation einer Dimersäure mit einem Diamin gemäß einem herkömmlichen Verfahren erhalten werden, wobei in diesem Fall, abgesehen von einer Dimersäure, auch eine Dicarbonsäure, wie etwa Adipinsäure, Azelainsäure oder Sebacinsäure, als Comonomer vorliegen kann. Die Diamine können aus allgemein bekannten Diaminen, wie beispielsweise Ethylendiamin, Hexamethylendiamin und Piperazin, ausgewählt sein, wobei hinsichtlich Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen und Löslichkeit ein Gemisch aus zwei oder mehr Diaminen ebenfalls eingesetzt werden kann. Das Polyamidharz kann ein Polyamidharz (a3) und (a4) umfassen, wobei das Harz (a4) einen Aminwert von mehr als 1 und weniger als 3 aufweist.
  • Wenn ein allgemein bekanntes Epoxidharz zur erfindungsgemäßen Klebeschicht zugesetzt wird, kann es zu einer wünschenswerten Verbesserung der Klebefestigkeit kommen.
  • Das Epoxidharz ist nicht besonders eingeschränkt, so lange es zwei oder mehr Epoxygruppen pro Molekül aufweist, und enthält zumindest ein oder mehr Dicyclopentadienskelett enthaltende, durch folgende allgemeine Formel (I) dargestellte Epoxidharze.
  • Zudem kann das Epoxidharz auch zusammen mit einem Glycidylether, wie etwa Bisphenol F, Bisphenol A, Bisphenol S, Resorcinol oder Trihydroxybenzol, oder mit einem anderen Epoxidharz, beispielsweise mit einem alizyklischen Epoxidharz, wie etwa epoxidierter Phenol-Novolak, epoxidierter Kresol-Novolak, epoxidiertes Trisphenylolmethan, epoxidiertes Tetraphenylolethan, epoxidiertes Metaxylendiamin oder Cyclohexanepoxid, einem bromierten Epoxidharz vom Copolymer-Typ aus Tetrabrombisphenol A und Bisphenol A, einem bromierten Epoxidharz vom Phenol-Novolak-Typ, und dergleichen verwendet werden.
  • Die Menge an zugesetztem Epoxidharz beträgt vorzugsweise 2 bis 20 Gew.-%, noch bevorzugter 4 bis 15 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht, und 3 bis 70 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des thermoplastischen Harzes.
  • Wenn darüber hinaus der Klebeschicht ein Phenolharz (F) zugesetzt wird, können dadurch die Isolierzuverlässigkeit, die Chemikalienbeständigkeit und Festigkeit der Klebeschicht weiter verbessert werden.
  • Als Phenolharz (F) können alle allgemein bekannten Phenolharze, wie etwa Phenolharze vom Novolaktyp und Phenolharze vom Resoltyp, verwendet werden. Als Beispiele dienen Harze aus Phenol, aus alkylsubstituierten Phenolen, wie etwa Kresol, p-t-Butylphenol, Nonylphenol und p-Phenylphenol, zyklischen alkylmodifizierten Phenolen, wie etwa Terpen und Dicyclopentadien, Harze, die eine funktionelle Gruppe mit einem Heteroatom aufweisen, wie beispielsweise Nitrogruppen, Halogengruppen, Cyanogruppen oder Aminogruppen, Harze mit einem Skelett aus Naphthalin oder Anthracen und dergleichen und Harze mit einem polyfunktionellen Phenol, wie etwa Bisphenol F, Bisphenol A, Bisphenol S, Resorcinol oder Pyrogallol. Darunter ist ein Phenolharz vom Resoltyp geeignet, da es die Isolationswiderstand-Abfalldauer wirksam verbessert. Wenn die nachstehenden Komponenten f1 und f2 als Komponenten des Phenolharzes vom Resoltyp vorliegen, wird es bevorzugt, da die Erweichungstemperatur sehr wirksam gesenkt werden kann, um ein Gleichgewicht zwischen der Klebefestigkeit und Isolierbarkeit zu erzielen.
  • (F) ist ein bifunktionelles Phenolderivat (f1) mit zumindest einer oder mehr Alkylgruppen mit vorzugsweise 5 bis 12 Kohlenstoffatomen, noch bevorzugter 7 bis 10 Kohlenstoffatomen, sowie ein trifunktionelles oder höherfunktionelles Phenolderivat (f2).
  • Die Funktionalität bezieht sich in diesem Fall auf die Summe der Anzahl der Stellen (ortho- und para-Positionen), an denen Methylolgruppen und Phenolkerne miteinander verbunden werden können, wenn ein Phenolharz vom Resoltyp mittels Additionskondensationsreaktion selbstvernetzt wird. ortho-Kresol ist beispielsweise bifunktionell und meta-Kresol trifunktionell.
  • (f1) ist ein Inhaltsstoff zur Verbesserung der Flexibilität des Phenolharzes, wobei jedes beliebige ein- bis elfkernige Phenolderivat mit einer gesättigten oder ungesättigten Alkylgruppe mit 5 bis 12 Kohlenstoffen eingesetzt werden kann. Zudem ist vorzugsweise ein gesättigtes Alkylphenol chemisch stabil, wobei Octylphenol, Nonylphenol und Decylphenol noch bevorzugter sind, da sie ein gutes Gleichgewicht zwischen Isolierbarkeit und Flexibilität nach dem Härten bereitstellen.
  • (f2) ist ein Inhaltsstoff, der die geringe Vernetzung von (f1) ausgleicht sowie nicht speziell eingeschränkt ist, sofern dieser mittels Additionskondensation räumlich vernetzen kann, wobei hinsichtlich der Verträglichkeit mit dem Inhaltsstoff (f1) und der Löslichkeit in einem Lösungsmittel während der Verarbeitung Phenol, meta-Kresol, Bisphenol A oder Bisphenol F und dergleichen ebenfalls in Frage kommen. In dieser Kombination können die Phenolderivate von (f1) bzw. (f2) in Resolharze umgewandelt werden, um sodann vermischt zu werden, oder es kann ein Gemisch aus Phenolderivaten in ein Resolharz umgewandelt werden.
  • Die Menge an zugesetzten Phenolharzen beträgt vorzugsweise mehr als 35 bis weniger als 60 Gew.-%, noch bevorzugter 40 bis 50 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht, und 60 bis 20 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des thermoplastischen Harzes. Wenn die Menge 35 Gew.-% oder weniger beträgt, nimmt die Isolierbarkeit unerwünschterweise ab, während bei einem Wert über 60 Gew.-% oder mehr die Klebefestigkeit unerwünschterweise gemindert wird.
  • Das Gewichtsverhältnis der Phenolderivate (f1) und (f2) beträgt vorzugsweise f1/f2 = 0,05 bis 6,0, noch bevorzugter f1/f2 = 0,2 bis 4,0, oder f1/(f1 + f2) = 0,2~0,8.
  • Zur erfindungsgemäßen Klebeschicht können ein Härtungsmittel und Härtungsbeschleuniger für Epoxidharze und Phenolharze ohne jegliche Einschränkungen zugesetzt werden; als allgemein bekannte Harze kommen beispielsweise aromatische Polyamine, Aminkomplexe aus Bortrifluorid, wie etwa ein Bortrifluoridtriethylamin-Komplex, Imidazolderivate, wie etwa 2-Alkyl-4-methylimidazole und 2-Phenyl-4-alkylimidazole, organische Säuren, wie etwa Phthalsäureanhydrid und Trimellithsäureanhydrid, Dicyandiamid, Triphenylphosphin, Diazabicycloundecen und dergleichen in Frage. Die zugesetzte Menge davon beträgt vorzugsweise 0,1 bis 10 Gewichtsteile bezogen auf 100 Gewichtsteile der Klebeschicht.
  • Zusätzlich zu den obigen Inhaltsstoffen können ohne jegliche Einschränkungen auch organische und anorganische Inhaltsstoffe wie Antioxidantien auf Phenol- oder Aminbasis und und Ionenfänger wie Hydrotalkit zugesetzt werden, sofern die Eigenschaften des Klebstoffs nicht beeinträchtigt werden.
  • Der erfindungsgemäße flexible Isolationsfilm bezieht sich auf einen 25 bis 125 μm dicken Film, der aus einem Kunststoffmaterial, wie etwa Polyimid, Polyester, Polyphenylensulfid, Polyethersulfon, Polyetheretherketon, Aramid, Polycarbonat oder Polyarylat, oder aus einem Verbundmaterial, wie etwa einem mit Harz imprägnierten Glasgewebe, besteht. Ein Laminat, bestehend aus mehreren Schichten der im Vorangegangenen erwähnten Elemente, kann ebenfalls eingesetzt werden. Zudem kann die Schicht ein- oder beidseitig je nach Bedarf mittels Hydrolyse, Glimmentladung, Niedertemperaturplasma, physikalischen Aufrauens der Oberflächen oder Klebebeschichten und dergleichen behandelt werden.
  • Die erfindungsgemäße Schutzfilmschicht ist nicht speziell eingeschränkt, sofern sie von der Klebstofffläche entfernt werden kann, ohne die Form des klebstoffbeschichteten Bands zur Verbindung eines Halbleiters zu beeinträchtigen, bevor die Kupferfolie thermisch laminiert wird, wobei die Schutzfilmschicht beispielsweise eine mit einer Silicon- oder Fluorverbindung beschichtete Polyolefinfolie oder Polyesterfolie oder ein damit laminiertes Papier und dergleichen umfassen kann.
  • Im Folgenden ist das Verfahren zur Herstellung eines Bands für TAB beschrieben.
  • Ein flexibler Isolationsfilm eines Polyimids oder dergleichen wird mit einer Anstrichschicht beschichtet, wobei die Klebstoffzusammensetzung in einem Lösungsmittel gelöst ist, und anschließend getrocknet. Vorzugsweise bildet sich durch das Beschichten eine 5 bis 25 μm dicke Klebeschicht aus. Das Trocknen findet 1 bis 5 Minuten lang bei 100 bis 200°C statt. Das Lösungsmittel ist nicht speziell eingeschränkt, wobei vorzugsweise ein Gemisch aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, wie etwa Toluol, Xylol und Chlorbenzol, und einem Alkohol, wie beispielsweise Methanol, Ethanol oder Propanol, in Frage kommt. Auf den so erhaltenen Film wird ein Schutzfilm auflaminiert, und das Laminat wird schließlich aufgeschnitten, um eine Breite von etwa 35 bis 158 mm aufzuweisen. Alternativ dazu kann der Schutzfilm mit der Klebstoffzusammensetzung beschichtet und getrocknet, der beschichtete Film aufgeschnitten, um eine gewünschte Breite zu erhalten, und anschließend ein Isolationsfilm auflaminiert werden. Das letztere Verfahren eignet sich, wenn die Klebeschicht und der Isolationsfilm unterschiedliche Breiten besitzen.
  • Die im Band zum DB verwendete erfindungsgemäße Klebeschicht wird üblicherweise ungehärtet bereitgestellt, wobei diese nach der Lamination mit einer Kupferfolie durch Erhitzen gehärtet und vernetzt werden können muss. Die Klebeschicht weist eine Erweichungstemperatur von 120 bis 200°C, einen Speicherelastizitätsmodul E' von 20 bis 100 MPa bei 150°C und eine Isolationswiderstand-Abfalldauer von 50 Stunden oder mehr auf, nachdem sie unter einer Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. stehen gelassen worden ist, wobei sie hinsichtlich anderer Eigenschaften oder chemischer Struktur nicht eingeschränkt ist.
  • Die Erweichungstemperatur der Klebeschicht nach dem Härten wird mittels Messung der dynamischen Viskoelastizität erhalten und ist durch die Peaktemperatur des tanδ (tanδ = Verlustelastizitätsmodul E''/Speicherelastizitätsmodul E') definiert. Bevorzugte Messbedingungen sind im Evaluationsverfahren (4) für die Beispiele angeführt.
  • Von der Erweichungstemperatur und der Speicherelastizitätsmodul bei 150°C wird angenommen, dass sie mit der DB-Eigenschaft in Beziehung stehen. Der Erweichungspunkt liegt vorzugsweise in einem Bereich von 120 bis 200°C, noch bevorzugter in einem Bereich von 140 bis 170°C. Außerdem beträgt der Speicherelastizitätsmodul bei 150°C vorzugsweise 20 bis 100 MPa, noch bevorzugter 30 bis 80 MPa. Wenn der Erweichungspunkt unter 120°C oder der Speicherelastizitätsmodul unter 20 MPa liegt, ist dies nicht bevorzugt, da die Klebeschicht beim DB zu weich sein kann, wodurch das Drahtbonden nicht stattfinden kann. Wenn der Erweichungspunkt über 200°C liegt oder der Speicherelastizitätsmodul mehr als 100 MPa beträgt, nimmt die Klebefestigkeit zur Kupferfolie und die Flexibilität unerwünschterweise ab.
  • Der Isolationswiderstandswert und die Isolationswiderstand-Abfalldauer beziehen sich auf die unter beschleunigten Evaluationsbedingungen gemessenen Werte, nämlich auf die Bedingungen in den Evaluationsvertahren (5) und (6) für die Beispiele. Der Isolationswiderstandswert beträgt vorzugsweise 5 × 108 Ω oder mehr, noch bevorzugter 1 × 109 Ω oder mehr. Wenn der Isolationswiderstandswert weniger als 5 × 108 Ω beträgt, nimmt die Isolierbeständigkeit der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung unerwünschterweise ab.
  • Die Isolationswiderstand-Abfalldauer ist als die Zeit definiert, die vergeht, bis der Isolationswiderstandswert auf einen Bezugswert oder niedriger fällt, wenn die oben erwähnte Messung des Isolationswiderstands kontinuierlich ausgeführt wird. Wenn eine Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. angelegt wird, beträgt der Bezugswert 107 Ω, und wenn eine Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 150°C angelegt wird, liegt der Bezugswert bei 109 Ω.
  • Die Isolationswiderstand-Abfalldauer beträgt vorzugsweise 50 Stunden oder mehr, noch bevorzugter 100 Stunden oder mehr, insbesondere 300 Stunden oder mehr. Wenn die Dauer kürzer als 50 Stunden ist, nimmt das Isoliervermögen der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung unerwünschterweise ab.
  • Der Klebstofftyp für TAB kann nach dem Härten durch Erhitzen eine Bruchenergie bei 25°C von 5 × 105 Nm–1 oder mehr pro Flächeneinheit aufweisen.
  • Gewöhnlich ist die DB-Eigenschaft verbessert worden, indem die Erweichungstemperatur oder Glastemperatur erhöht und der Speicherelastizitätsmodul vergrößert wurde, und es ist allgemein üblich gewesen, ein thermoplastisches Harz mit hoher Vernetzungsdichte einzusetzen, wobei dadurch jedoch bei Raumtemperatur harte und brüchige Eigenschaften bewirkt werden und es zu einer Abnahme der Klebefestigkeit an die Kupferfolie und der Flexibilität kommt. Um diesem Nachteil entgegenzuwirken, wurde das Vermischen des Harzes untersucht, wobei die DB-Eigenschaft in gegensätzlichem Verhältnis zur Haftfähigkeit und Flexibilität steht. Es wird angenommen, dass der Grund dafür darin liegt, dass das hitzehärtbare Harz nicht mit dem thermoplastischen Harz verträglich ist. Die Verträglichkeit ist ein Faktor, der die Mikrophasen-getrennte Struktur des gehärteten Klebstoffs bestimmt, und es ist bekannt, dass die Viskoelastizität von der Mikrophasen-getrennten Struktur abhängt. Deshalb wird angenommen, dass im erfindungsgemäßen Band zum DB das Vermischen des thermoplastischen Harzes mit dem hitzehärtbaren Harz der Klebeschicht unter Berücksichtigung der Verträglichkeit die Mikrophasen-getrennte Struktur des gehärteten Klebstoffs optimiert und ein Gleichgewicht zwischen der DB-Eigenschaft sowie der Haftfähigkeit und Flexibilität herstellt.
  • Die erfindungsgemäße Klebeschicht für das Band zum DB weist vorzugsweise ein thermoplastisches Harz (D) und ein hitzehärtbares Harz (E) auf. Das thermoplastische Harz (D) eignet sich zur Steuerung der Erweichungstemperatur sowie des Speicherelastizitätsmoduls und dient zur Verbesserung der Haftfähigkeit und Flexibilität, um die Wärmespannung zu vermindern und die Isolierbarkeit aufgrund des niedrigen Wasserabsorptionsvermögens zu erhöhen. Das hitzehärtbare Harz (E) wird benötigt, um das Gleichgewicht der physikalischen Eigenschaften, wie etwa Hitzebeständigkeit, Isolierbarkeit bei hohen Temperaturen, und Chemikalienbeständigkeit und Festigkeit der Klebeschicht zu erzielen.
  • Die Menge des zugesetzten thermoplastischen Harzes (D) beträgt vorzugsweise 30 bis 60 Gew.-%, noch bevorzugter 35 bis 55 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht.
  • Die hierin verwendbaren thermoplastischen Harz umfassen allgemein bekannte Harze, wie etwa Acrylnitril-Butadien-Copolymer (NBR), Acrylnitril-Butadienkautschuk-Styrol (ABS), Styrol-Butadien-Ethylen-Harz (SEBS), Acrylharz, Polyvinylbutyral, Polyamide, Polyester, Polyimide, Polyamidimide und Polyurethane. Diese thermoplastischen Harze können funktionelle Gruppen aufweisen, die, wie später beschrieben, mit hitzehärtbaren Harzen wie Phenolharzen und Epoxidharzen reagieren können. Funktionelle Gruppen umfassen beispielsweise Aminogruppen, Carboxygruppen, Epoxygruppen, Hydroxygruppen, Methylolgruppen, Isocyanatgruppen, Vinylgruppen und Silanolgruppen. Diese funktionellen Gruppen verstärken das Binden mit dem hitzehärtbaren Harz und verbessern vorzugsweise die Hitzebeständigkeit.
  • Als thermoplastisches Harz wird hinsichtlich Haftfähigkeit auf Kupferfolie, Flexibilität und Isolierbarkeit ein Polyamidharz, das aus verschiedenen Polyamidharzen ausgewählt werden kann, bevorzugt. Insbesondere geeignet ist ein Harz (a3), das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen enthält (eine so genannte Dimersäure), da diese der Klebeschicht Flexibilität verleihen kann und einen geringen Wasserabsorptionskoeffizienten aufweist, und weist somit ausgezeichnete Isolierbarkeit auf. Ein Polyamidharz, das eine Dimersäure enthält, kann mittels Polykondensation einer Dimersäure mit einem Diamin gemäß einem herkömmlichen Verfahren erhalten werden, wobei in diesem Fall, abgesehen von einer Dimersäure, auch eine Dicarbonsäure, wie etwa Adipinsäure, Azelainsäure oder Sebacinsäure, als Comonomer vorliegen kann. Die hierin verwendbaren Diamine können aus allgemein bekannten Diaminen, wie beispielsweise Ethylendiamin, Hexamethylendiamin und Piperazin, ausgewählt sein, wobei hinsichtlich Feuchtigkeitsabsorptionsvermögen und Löslichkeit ein Gemisch aus zwei oder mehr Diaminen ebenfalls eingesetzt werden kann. Das hitzehärtbare Harz kann ein Polyamidharz (a3) und (a4) umfassen, wobei das Harz (a4) einen Aminwert von mehr als 1 und weniger als 3 aufweist.
  • Wenn ein allgemein bekanntes Epoxidharz zur erfindungsgemäßen Klebeschicht zugesetzt wird, kann die Klebefestigkeit erhöht werden.
  • Das Epoxidharz ist nicht besonders eingeschränkt, so lange es mehr als zwei oder mehr Epoxygruppen pro Molekül aufweist, und enthält zumindest ein aus Dicyclopentadienskelett enthaltenden Epoxidharzen ausgewähltes Epoxidharz (B), wobei die Verträglichkeit mit dem thermoplastischen Harz wichtig ist. Somit wird vorzugsweise ein Epoxidharz mit geeigneter Verträglichkeit ausgewählt. Die Verträglichkeit ist in diesem Fall durch die Trübung der Folie definiert, die durch Vermischen des thermoplastischen Harzes mit dem Epoxidharz bei einem Gewichtsverhältnis von 1/1 hergestellt wird. Ein spezifisches Messverfahren ist im Evaluationsverfahren (17) für die Beispiele angeführt. Die Trübung beträgt vorzugsweise 8 bis 45, noch bevorzugter 10 bis 35. Wenn die Trübung weniger als 8 beträgt, ist die Verträglichkeit zu gut, und es ist nicht erwünscht, da lediglich durchschnittliche Eigenschaften als einfaches Gemisch erhalten werden können. Bei mehr als 45 ist das Gemisch zu heterogen, und die Eigenschaften der jeweiligen Inhaltsstoffe sind unerwünschterweise zu stark manifestiert.
  • Die hier verwendbaren Epoxidharze sind Cyclopentadienskelett enthaltende Epoxidharze. Die durch die allgemeine Formel (I) dargestellten Dicyclopentadienskelett enthaltenden Epoxidharze sind insbesondere bevorzugt, da sie über gute Hitzebeständigkeit verfügen.
  • Zudem kann das Epoxidharz auch zusammen mit einem Glycidylether, wie etwa Bisphenol F, Bisphenol A, Bisphenol S, Trihydroxybenzol oder Dihydroxynaphthalin, oder mit einem anderen Epoxidharz, beispielsweise mit einem alizyklischen Epoxidharz, wie etwa epoxidierter Phenol-Novolak, epoxidierter Kresol-Novolak, epoxidiertes Trisphenylolmethan, epoxidiertes Tetraphenylolethan, epoxidiertes Metaxylendiamin oder Cyclohexanepoxid, einem bromierten Epoxidharz vom Copolymer-Typ aus Tetrabrombisphenol A und Bisphenol A, einem bromierten Epoxidharz vom Phenol-Novolak-Typ, und dergleichen verwendet werden.
  • Die Menge an zugesetztem Epoxidharz beträgt vorzugsweise 10 bis 40 Gew.-%, noch bevorzugter 15 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht, und 15 bis 140 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des thermoplastischen Harzes. Wenn die Menge weniger als 10 Gew.-% beträgt, sinkt der Erweichungspunkt, womit es zu einer Verschlechterung der DB-Eigenschaft und der Klebefestigkeit kommt. Bei mehr als 40 Gew.-% nimmt die Isolierbarkeit unerwünschterweise ab.
  • Wenn in der vorliegenden Erfindung der Klebeschicht ein Phenolharz (F) zugesetzt wird, können dadurch das Isoliervermögen, die Chemikalienbeständigkeit und Festigkeit der Klebeschicht weiter verbessert werden.
  • Wenn darüber hinaus ein allgemein bekanntes Phenolharz (F) als thermoplastisches Harz zugesetzt wird, können dadurch das Isoliervermögen, die Chemikalienbeständigkeit und Festigkeit der Klebeschicht zusätzlich verbessert werden.
  • Das hierin verwendbare Phenolharz (F) umfasst allgemein bekannte Phenolharze, wie etwa Phenolharze vom Novolaktyp und Phenolharze vom Resoltyp, wie beispielsweise Harze aus Phenol, aus alkylsubstituierten Phenolen, wie etwa Kresol, p-t-Butylphenol, Nonylphenol und p-Phenylphenol, zyklischen alkylmodifizierten Phenolen, wie etwa Terpen und Dicyclopentadien, Harze, die eine funktionelle Gruppe mit einem Heteroatom aufweisen, wie beispielsweise Nitrogruppen, Halogengruppen, Cyanogruppen und Aminogruppen, Harze mit einem Skelett aus Naphthalin oder Anthracen und dergleichen und Harze mit einem polyfunktionellen Phenol, wie etwa Bisphenol F, Bisphenol A, Bisphenol S, Resorcinol und Pyrogallol. Darunter ist ein Phenolharz vom Resoltyp geeigneter, da es die Isolationswiderstand-Abfalldauer wirksam verbessert.
  • Die Menge an zugesetztem Phenolharz beträgt vorzugsweise mehr als 35 bis weniger als 60 Gew.-%, noch bevorzugter 40 bis 50 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht, und 60 bis 200 Gewichtsteile, bezogen auf 100 Gewichtsteile des thermoplastischen Harzes. Wenn die Menge 35 Gew.-% oder weniger beträgt, nimmt die Isolierbarkeit unerwünschterweise ab, während bei einem Wert von 60 Gew.-% oder mehr die Klebefestigkeit unerwünschterweise gemindert wird.
  • Zur erfindungsgemäßen Klebeschicht können ein Härtungsmittel und Härtungsbeschleuniger für Epoxidharze und Phenolharze ohne jegliche Einschränkungen zugesetzt werden; als allgemein bekannte Harze kommen beispielsweise aromatische Polyamine, Aminkomplexe aus Bortrifluorid, wie etwa ein Bortrifluoridtriethylamin, Imidazolderivate, wie etwa 2-Alkyl-4-methylimidazole und 2-Phenyl-4-alkylimidazole, organische Säuren, wie etwa Phthalsäureanhydrid und Trimellithsäureanhydrid, Dicyandiamid, Triphenylphosphin, Diazabicycloundecen und dergleichen in Frage. Die davon zugesetzte Menge beträgt vorzugsweise 0,1 bis 10 Gewichtsteile bezogen auf 100 Gewichtsteile der Klebeschicht.
  • Zusätzlich zu den obigen Inhaltsstoffen können ohne jegliche Einschränkungen auch organische und anorganische Inhaltsstoffe wie Antioxidantien auf Phenol- oder Aminbasis und Ionenfänger, wie beispielsweise Hydrotalkit, zugesetzt werden, sofern die Eigenschaften des Klebstoffs nicht beeinträchtigt werden.
  • Der erfindungsgemäße flexible Isolationsfilm bezieht sich auf einen 25 bis 125 μm dicken Film, der aus einem Kunststoffmaterial, wie etwa Polyimid, Polyester, Polyphenylensulfid, Polyethersulfon, Polyetheretherketon, Aramid, Polycarbonat oder Polyarylat, oder aus einem Verbundmaterial, wie etwa einem mit Epoxidharz imprägnierten Glasgewebe, besteht. Ein Laminat, bestehend aus mehreren Schichten der im Vorangegangenen erwähnten Elemente, kann ebenfalls eingesetzt werden. Zudem kann die Isolatorschicht ein- oder beidseitig je nach Bedarf mittels Hydrolyse, Glimmentladung, Niedertemperaturplasma, physikalischen Aufrauens der Oberflächen oder Klebebeschichten und dergleichen behandelt werden.
  • Die erfindungsgemäße Schutzfilmschicht ist nicht speziell eingeschränkt, sofern sie von der Klebstofffläche entfernt werden kann, ohne die Form des klebstoffbeschichteten Bands zur Verbindung eines Halbleiters zu beeinträchtigen, bevor die Kupferfolie thermisch laminiert wird, wobei die Schutzfilmschicht beispielsweise eine mit einer Silicon- oder Fluorverbindung beschichtete Polyolefinfolie oder Polyesterfolie oder ein damit laminiertes Papier und dergleichen umfassen kann.
  • Im Folgenden ist das Verfahren zur Herstellung eines Bands zum DB beschrieben.
  • Ein flexibler Isolationsfilm eines Polyimids oder dergleichen wird mit einer Anstrichschicht beschichtet, wobei die Klebstoffzusammensetzung in einem Lösungsmittel gelöst ist, und anschließend getrocknet. Vorzugsweise bildet sich durch das Beschichten eine 5 bis 25 μm dicke Klebeschicht aus. Das Trocknen findet 1 bis 5 Minuten lang bei 100 bis 200°C statt. Das Lösungsmittel ist nicht speziell eingeschränkt, wobei vorzugsweise ein Gemisch aus aromatischen Kohlenwasserstoffen, wie etwa Toluol, Xylol und Chlorbenzol, und einem Alkohol, wie beispielsweise Methanol, Ethanol oder Propanol, in Frage kommt. Auf den so erhaltenen Film wird ein Schutzfilm auflaminiert, und das Laminat schließlich aufgeschnitten, um eine Breite von etwa 35 bis 158 mm aufzuweisen. Alternativ dazu kann der Schutzfilm mit der Klebstoffzusammensetzung beschichtet und getrocknet, der beschichtete Film aufgeschnitten werden, um eine gewünschte Breite zu erhalten, und anschließend wird ein Isolationsfilm auflaminiert. Das letztere Verfahren eignet sich, wenn die Klebeschicht und der Isolationsfilm unterschiedliche Breiten besitzen.
  • Im Folgenden sind erfindungsgemäße Ausführungsformen anhand von Beispielen beschrieben. Die Beispiele 1 bis 5 sind Beispiele gemäß der Erfindung, worin die Klebefolie ein Epoxidharz (B) mit einem Cyclopentadienskelett enthält. In den restlichen (Bezugs-)Beispielen enthält die Klebefolie ein anderes Epoxidharz, wobei diese Beispiele nur für Erklärungszwecke bereitgestellt werden. Bevor die Beispiele beschrieben werden, sind im Folgenden die Evaluationsverfahren erläutert.
  • (Evaluationsverfahren)
  • (1) Herstellung einer Leiterplatteschicht (C) eines Halbleiter verbindenden Substrats (Strukturband zur Evaluation)
  • Auf ein klebstoffbeschichtetes Band für TAB (31N0-00ES, hergestellt von Toray Industries, Inc.) wurde eine 18 μm dicke elektrolytische Kupferfolie (3EC-VLP, hergestellt von Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) bei 140°C unter 0,1 MPa auflaminiert. Anschließend wurde das Laminat zum Härten in einem Luftofen bei 80°C 3 Stunden lang, bei 100°C 5 Stunden lang erhitzt, um ein kupferfolienbeschichtetes Band für TAB herzustellen. Auf der Kupferfolienfläche des erhaltenen kupferfolienbeschichteten Bands für TAB wurde eine Photoresistschicht ausgebildet, gefolgt von Ätzen und Entfernen des Resists gemäß einem herkömmlichen Verfahren, um ein Strukturband zur Evaluation herzustellen.
  • (2) Herstellung einer Schicht (C) eines Halbleiter verbindenden Substrats (Verstärkungs- und Strahlenschutzfolie) ohne ausgebildete Leiterstruktur.
  • Auf eine 0,1 mm dicke Reinkupferfolie wurde eine 100 μm dicke Klebefolie bei 140°C unter 0,1 MPa auflaminiert und in ein 30 mm großes Quadrat geformt.
  • (3) Evaluation der Einbettbarkeit der Leiterstruktur und Schäumen beim Härten
  • Auf die Leiterstrukturfläche des Strukturbands zur Evaluation aus (1) wurde die klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie aus (2) bei 130°C unter 0,1 MPa auflaminiert, das Laminat erhitzt, um in einem Luftofen bei 150°C 2 Stunden lang gehärtet zu werden. Das Laminat wurde in ein hauptsächlich aus Eisen(III)-chlorid bestehendes Ätzmittel eingetaucht, um die Reinkupferfolie aufzulösen. Schließlich wurde die freigelegte Klebeschicht mittels eines Stereomikroskops in 30facher Vergrößerung beobachtet, um das Schäumen während des Härtens und die Einbettbarkeit der Leiterstruktur zu bewerten.
  • (4) Evaluation der Klebefestigkeit
  • Die wie in (2) beschriebene klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie wurde bei 130°C unter 0,1 MPa auf einen Polyimidfilm auflaminiert („Upilex" 75S, hergestellt von Ube Industries, Ltd.) und das Laminat in einem Luftofen zum Härten bei 150°C 2 Stunden lang erhitzt. Der als Probe erhaltene Polyimidfilm wurde auf eine Breite von 2 mm zusammengeschnitten und bei einer Geschwindigkeit von 50 mm/min in 90°-Richtung mittels eines Zugfestigkeitstesters (Modell UCT-100, hergestellt von K. K. Orientec) abgelöst und die Ablösekraft gemessen.
  • (5) Isoliervermögen
  • Auf die Leiterstrukturfläche des Strukturbands zur Evaluation aus (1) mit 100 μm Leiterbreite und 100 μm Distanz zwischen den Leitern wurde als kammförmige Probe zur Evaluation die klebstoffbeschichtete, wie in (2) beschriebene Reinkupferfolie bei 130°C unter 0,1 MPa auflaminiert und das Laminat zum Härten bei 150°C 2 Stunden lang erhitzt. Die erhaltene Probe wurde unter einer kontinuierlich angelegten Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 85°C und 85% r.F. in einen Thermo-Hygrostaten (Modell IE-21, hergestellt von Yamato Scientific Co., Ltd.) gestellt, der Widerstandswert unmittelbar danach und 200 Stunden später mittels eines Superisolierungs-Prüfgeräts (Modell DSM-8101, hergestellt von Toa Electronics Co., Ltd.) gemessen.
  • (6) Hitzebeständigkeit während des Lötens
  • Ein 30 mm großes Probenquadrat, das wie in (4) beschrieben hergestellt worden ist, wurde in einer Umgebung mit 85°C und 85% r.F. 48 Stunden lang konditioniert und unmittelbar danach auf einem Lötbad 60 Sekunden lang schwimmen gelassen, um die Höchsttemperatur zu messen, bei der es weder zu Aufwölbungen noch zu Ablösungen kam.
  • (7) Wärmekreisprozess-Test
  • Ein 30 mm großes Probenquadrat, das wie in (4) beschrieben hergestellt worden ist, wurde in einen Wärmekreisprozess-Tester (Modell PL-3, hergestellt von Tabai Espec Corp.) gestellt, um bei Aufrechterhaltung einer Mindesttemperatur von –20°C und einer Höchsttemperatur von 100°C jeweils 1 Stunde lang durch 600 Zyklen behandelt wurde, um das Ablösen zu bewerten.
  • (8) Messung des Speicherelastizitätsmoduls
  • Eine Klebeschicht wurde laminiert, um eine Gesamtdicke von etwa 500 μm zu ergeben, und das Laminat bei 150°C 2 Stunden lang zur Herstellung einer Probe nachgehärtet. Das Laminat wurde unter Einsatz eines Geräts zur Messung der dynamischen Viskoelastizität (RHEOVIBRON-DDV-II/III-EA, hergestellt von K. K. Orientec) im Zugmodus bei einer Frequenz von 35 Hz und einer Aufheizgeschwindigkeit von 2°C min–1 gemessen.
  • (9) Messung des Längenausdehnungskoeffizienten
  • Es wurden drei etwa 500 μm große Folien, die der aus (8) ähnlich sind, laminiert. Das Laminat wurde bei 2°C min–1 im Kompressionsmodus unter Einsatz eines thermischen Dilatometers mit geringer Konstantlast (hergestellt von Rigaku Denki K. K.) erhitzt und der Längenausdehnungskoeffizient aus dem linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten bei einer Bezugstemperatur von 25°C erhalten.
  • (10) Messung der Bruchenergie
  • Eine etwa 100 μm dicke Probe, die wie in (8) beschrieben hergestellt und bei 150°C 2 Stunden lang nachgehärtet worden ist, wurde mittels eines Zugfestigkeitstesters (Modell UCT-100, hergestellt von K. K. Orientec) bei einer Geschwindigkeit von 50 mm/min gemessen, um die Spannungs-Dehnungs-Kurve aufzuzeichnen, bis es zu Brüchen kam. Aus dem unterhalb der Kurve liegenden Bereich wurde die Bruchenergie erhalten.
  • (11) Verfahren zur Herstellung einer Bandprobe für TAB und einer Bandprobe zum DB
  • Ein erfindungsgemäßes klebstoffbeschichtetes Band für TAB und ein Band zum DB wurden eingesetzt, um Strukturbänder zur Evaluation, wie jeweils in (1) beschrieben, herzustellen.
  • (12) Plattieren
  • Die aus (11) erhaltene Probe wurde bei 70°C in eine Verzinnungslösung auf Borfluorsäurebasis (LT-34, hergestellt von Simplay Far East) eingetaucht, um mit Zinn zu einer Dicke von 0,5 μm plattiert zu werden. Die Probe zur Messung der Klebefestigkeit wies eine 50 μm große Leiterbreite auf. Die Probe zur Messung der Isolierbarkeit wurde wie in 7 ausgebildet. In 7 steht die Zahl 48 für einen Leiterteil einer Struktur zur Isolationsmessung; 49 für eine Klebeschicht eines TAB-Bands; und 50 für einen organischen Isolationsfilm.
  • Eine Probe zur Messung der DB-Eigenschaft von (16) wurde durch Elektroplattieren einer 0,1 μm dicken Nickelfläche mit Gold zu einer Dicke von 0,5 μm (Aurobel UP-24, hergestellt von Japan Ronal K. K.) erhalten.
  • (13) Evaluation der Kupferfolien-Klebefestigkeit eines Bands für TAB und eines Bands zum DB
  • Eine Kupferfolie mit einer Leiterbreite von 50 μm wurde, wie in (11) und (12) beschrieben, als Probe erhalten und bei einer Geschwindigkeit von 50 mm/min in 90°-Richtung mittels eines Zugfestigkeitstesters (UTM-11-5HR, hergestellt von K. K. Orientec) abgelöst und die Ablösekraft gemessen.
  • (14) Isoliervermögen bei hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit
  • Eine kammförmige Probe mit 25 μm Leiterbreite und 25 μm Distanz zwischen den Leitern wurde zur wie in 7 dargestellten Evaluation, wie in (11) und (12) beschrieben, erhalten und unter einer kontinuierlich angelegten Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. in einen Thermo-Hygrostaten (Modell TPC-211 D, hergestellt von Tabai Espec Corp.) gestellt und die Isolationswiderstand-Abfalltemperatur gemessen, um einen Widerstandswert von 107 Ω oder weniger zu erzielen. Der Widerstandswert wurde mittels eines Superisolierungs-Prüfgeräts (Modell DSM-8101, hergestellt von Toa Electronics Co., Ltd.) gemessen.
  • (15) Isoliervermögen bei hoher Temperatur
  • Eine Probe, welche dieselbe Form wie jene aus (14) aufweist, wurde zur Evaluation bei 150°C und einer kontinuierlichen Gleichspannung von 100 V in einen Luftofen (Modell ID-21, hergestellt von Yamato Scientific Co. Ltd.) gestellt und die Isolationswiderstand-Abfalltemperatur gemessen, um einen Widerstandswert von 109 Ω oder weniger zu erzielen.
  • (16) Evaluation der DB-Eigenschaft
  • Ein wie in (11) und (12) beschrieben hergestelltes Band zum DB (goldplattiertes Strukturband) wies Golddrähte auf, die bei 180°C, einer Last von 60 g und einer Ultraschallfrequenz von 58 kHz gebondet waren. Unter Einsatz eines Zugfestigkeitsmessers (Modell Microtester 22, hergestellt von Dage) wurde ein Zugversuch durchgeführt.
  • (17) Messung der Trübung
  • Ein thermoplastisches Harz und ein Epoxidharz wurden in einem Gewichtsverhältnis von 1/1 vermischt und das Gemisch in einem für beide herkömmlichen Lösungsmittel gelöst, um eine Konzentration von etwa 10 Gew.-% zu erzielen. Die Lösung wurde in eine Form gegossen, um einen Film von etwa 12 μm Trockenfilmdicke auszubilden. Die erhaltene Probe wurde verwendet, um die Trübung gemäß JIS K 7105 zu messen.
  • (18) Messung der Maßgenauigkeit (Wölbungen während des Härtens)
  • Eine Bandprobe für TAB mit einer 12 μm dicken Klebeschicht, die auf einer 75 μm dicken Polyimidfolienbasis liegt, wurde in einen 35 mm × 6 mm großen Prüfling geschnitten und der Überzugsfilm entfernt. Der restliche Film wurde unter denselben wie in (1) beschriebenen Bedingungen nachgehärtet. Da der Klebstoff enthaltende Film sich aufrollte, wurde dieser auf eine flache Folie platziert, um einen Bogen zu bilden, woraufhin mittels eines Mikrometers die von der flachen Folie abstehende Maximalhöhe gemessen wurde.
  • Herstellungsbeispiel 1 (Synthese des Polyamidharzes)
  • Eine Dimersäure (PRIPOL1009, hergestellt von Unichema) als Säurekomponente und Hexamethylendiamin (hergestellt von Wako Pure Chemical Industries Ltd.) als Aminkomponente wurden mit einem von 1,1 bis 0,9 geänderten Säure/Amin-Verhältnis eingesetzt, um ein Säure/Amin-Reaktionsprodukt zu erhalten. Das Säure/Amin-Reaktionsprodukt, Entschäumungsmittel und 1% oder weniger Phosphorsäurekatalysator wurden zusammengemischt, um ein Polyamidreaktionsprodukt zu erhalten. Das Polyamidreaktionsprodukt wurde bei einer Temperatur von 140°C 1 Stunde lang gerührt, auf 205°C erhitzt und bei dieser Temperatur etwa 1,5 Stunden lang gerührt, anschließend 0,5 Stunden lang in einem Vakuum von etwa 15 mmHg gehalten und die Temperatur gesenkt. Schließlich wurde ein Antioxidans zugesetzt und das Polyamidharz mit einem Aminwert von 2,5 entfernt.
  • Herstellungsbeispiel 2 (Herstellung eines löslichen Gehalts an hochmolekularem Resol-Phenol)
  • Ein hochmolekulares Resol-Phenol (Bell Pearl S895, hergestellt von Kanebo, Ltd.) wurde bei 60°C in Chlorbenzol gelöst, um eine Konzentration von etwa 10 Gew.-% zu erzielen. Die Lösung wurde mittels eines 0,5 μm großen Filters filtriert und der lösliche Gehalt entfernt. Aus der Differenz des Feststoffgehalts vor und nach dem Filtrieren ergab sich ein löslicher Gehalt von 96%.
  • Bezugsbeispiel 1
  • Aluminiumhydroxid (H-42I, hergestellt von Showa Denko K. K.) wurde mit Toluol vermischt und das Gemisch mittels Sandmühle behandelt, um eine Aluminiumhydroxiddispersion herzustellen. Der Dispersion wurden NBR-C (PNR-1H, hergestellt von Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), Epoxidharz vom Bisphenol-A-Typ („Epikote" 834, hergestellt von Yuka Shell Epoxy K. K., Epoxidäquivalent 250), bromiertes Epoxidharz („Epikote" 5050, hergestellt von Yuka Shell Epoxy K. K., Bromgehalt 49% und Epoxidäquivalent 395), 4,4'-Diaminodiphenylsulfon und Methylethylketon gewichtsäquivalent zur Dispersion zugesetzt, um ein wie in Tabelle 2 angeführtes Zusammensetzungsverhältnis zu erhalten, und das Gemisch wurde bei 30°C zur Herstellung einer Klebstofflösung gerührt. Die Klebstofflösung wurde auf einen Silicontrennmittel aufweisenden 25 μm dicken Polyethylenterephthalatfilm („Film Bina" GT, hergestellt von Fujimori Kogyo Co., Ltd.) mittels Vorstreichmaschine aufgebracht, um eine Trockenfilmdicke von etwa 50 μm zu erzielen, und bei 170°C 5 Minuten lang getrocknet. Es wurden zwei Folien des beschichteten Films laminiert, wobei die Klebstoffflächen so gehalten wurden, dass sie sich gegenüberlagen, um eine Klebefolie mit 100 μm Klebstoffdicke herzustellen. Die Klebefolie wurde bei 100°C und 0,1 MPa auf eine 0,1 mm dicke Reinkupferfolie aufgebracht, um eine klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie zu erhalten. Die Eigenschaften sind in Tabelle 3 angeführt, und die Temperaturabhängigkeit des Speicherelastizitätsmoduls und des Längenausdehnungskoeffizienten ist in den 8 und 9 dargestellt.
  • Die klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie, die als äußere Form ein 30 mm großes Quadrat darstellt, das gemäß obigem Verfahren erhalten worden ist, wurde durchlocht, um ein 20 mm großes quadratisches Loch in der Mitte zu öffnen. Außerdem wurde, wie im Evaluationsverfahren (1) beschrieben, ein in 7 dargestelltes Strukturband hergestellt, wobei die Leiterstrukturfläche mit einem lichtempfindlichen Lötresist („Probimer" 71, hergestellt von Ciba Geigy) beschichtet, sodann getrocknet, mit einer Photomaske belichtet, entwickelt und schließlich thermisch gehärtet wurde. Der Resist wurde auf den Anschlussflächen der Lötkugelverbindungen entfernt. Sodann wurden die Reinkupferfolie und das Strukturband bei 130°C und 0,1 MPa auf der der Leiterstruktur gegenüberliegenden Seite thermisch miteinander druckgebondet, wobei das Loch in der Reinkupferfolie mit dem Vorrichtungsloch im Strukturband genau übereinstimmt, wonach das Laminat erhitzt wurde, um bei 150°C 2 Stunden lang in einem Luftofen getrocknet zu werden, damit ein Halbleiter verbindendes Substrat hergestellt werden kann.
  • Darüber hinaus wurde in den Innenanschlüssen des Halbleiter verbindenden Substrats eine integrierte Halbleiterschaltung mittels Innenanschluss-Bonden bei 450°C 1 Minute lang verbunden. Danach wurde ein Flüssigdichtmittel auf Epoxidbasis („Chip Coat" 1320-617, hergestellt von Hokuriku Toryo K. K.) zwecks Dichten aufgebracht. Auf den Anschlussflächen der Lötkugelverbindungen wurde Lötcreme gedruckt und Lötkugeln (hergestellt von Tanaka Denshi Kogyo K. K.) mit 0,3 mm Durchmesser angeordnet. Die Anordnung wurde in einem 260°C-Reflow-Lötofen erhitzt, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten. 1 ist eine Schnittansicht, welche die erhaltene Halbleitervorrichtung darstellt.
  • Bezugsbeispiel 2
  • Kugelförmiges Silica („Ecseria", hergestellt von Tokuyama Corp.) wurde mit Toluol vermischt und das Gemisch mittels Sandmühle behandelt, um eine Dispersion herzustellen. Der Dispersion wurden NBR-C (PNR-1H, hergestellt von Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), SEBS-C (MX-073, hergestellt von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.), Naphthalinskelett enthaltendes Epoxidharz („Epiclon" HP4032, hergestellt von Danippon Ink & Chemicals, Inc., Epoxidäquivalent 150), 4,4'-Diaminodiphenylsulfon und Methylethylketon gewichtsäquivalent zur Dispersion zugesetzt, um ein wie in Tabelle 1 angeführtes Zusammensetzungsverhältnis zu erhalten, und das Gemisch wurde bei 30°C zur Herstellung einer Klebstofflösung gerührt. Die Klebstofflösung wurde eingesetzt, um eine wie im Bezugsbeispiel 1 beschriebene klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie zu erhalten. Die Eigenschaften sind in Tabelle 3 angeführt.
  • Beispiel 1 und Bezugsbeispiele 2 bis 5
  • Es wurden Klebstoffe, die unter Verwendung der in Tabelle 1 angeführten Rohmaterialien in den in Tabelle 2 angeführten Zusammensetzungsverhältnissen, wie in Bezugsbeispiel 1 beschrieben, hergestellt, um Klebefolien für Halbleiter verbindende Substrate zu erhalten. Die Eigenschaften sind ebenfalls in Tabelle 3 angeführt.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Aluminiumhydroxid (H-42I, hergestellt von Showa Denko K. K.) wurde mit Toluol vermischt und das Gemisch mittels Sandmühle behandelt, um eine Aluminiumhydroxiddispersion herzustellen. Der Dispersion wurden NBR-C (PNR-1H, hergestellt von Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) und Methylethylketon gewichtsäquivalent zur Dispersion zugesetzt, um ein wie in Tabelle 2 angeführtes Zusammensetzungsverhältnis zu erhalten, und das Gemisch wurde bei 30°C zur Herstellung einer Klebstofflösung gerührt. Die Klebstofflösung wurde eingesetzt, um eine wie im Bezugsbeispiel 1 beschriebene klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie zu erhalten. Die Eigenschaften sind in Tabelle 3 angeführt.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Aluminiumhydroxid (H-42I, hergestellt von Showa Denko K. K.) wurde mit Toluol vermischt und das Gemisch mittels Sandmühle behandelt, um eine Aluminiumhydroxiddispersion herzustellen. Der Dispersion wurden ein Phenol-Novolak-Harz (PSM4261, hergestellt von Gun-ein Chemical Industry Co., Ltd.) Hexamethylentetramin und Methylethylketon gewichtsäquivalent zur Dispersion zugesetzt, um ein wie in Tabelle 2 angeführtes Zusammensetzungsverhältnis zu erhalten, und das Gemisch wurde bei 30°C zur Herstellung einer Klebstofflösung gerührt. Die Klebstofflösung wurde eingesetzt, um eine wie im Bezugsbeispiel 1 beschriebene klebstoffbeschichtete Reinkupferfolie zu erhalten. Die Eigenschaften sind in Tabelle 3 angeführt.
  • Aus den in den Tabellen 1 und 2 angeführten Beispielen der vorliegenden Erfindung und Vergleichsbeispielen geht hervor, dass die für Halbleitervorrichtungen erhaltenen Klebstoffzusammensetzungen, die gemäß der vorliegenden Erfindung erhalten wurden, über ausgezeichnete Verarbeitbarkeit, Klebefestigkeit, Isolierbarkeit und Isolierbeständigkeit verfügen.
  • Bezugsbeispiel 6
  • Das im Bezugsbeispiel 1 erhaltene Polyamidharz (Aminwert 2,5), Epoxidharz („Epiclon" HP4032, hergestellt von Danippon Ink & Chemicals, Inc., Epoxidäquivalent 150), Resol-Phenolharz vom Nonylphenol-Typ (CRM0803, hergestellt von Showa High polymer Co., Ltd.), Phenol-Resolharz vom unverzweigten Typ (PR500087, hergestellt von Sumitomo Durez Co., Ltd.), gemischtes Phenol-Resolharz vom p-t-Bu/Bisphenol-A-Typ (p-t-Bu/Bisphenol A = 8/2) (CKM935, hergestellt von Showa High polymer Co., Ltd.) und DBU wurden vermischt, um ein wie in Tabelle 2 angeführtes Zusammensetzungsverhältnis zu erhalten, und das Gemisch wurde bei 30°C zur Herstellung einer Klebstofflösung in einem Lösungsmittelgemisch aus Methanol und Monochlorbenzol bis zu einer Konzentration von 20 Gew.-% gerührt. Der Klebstoff wurde auf einen 25 μm dicken als Schutzfilm eingesetzten Polyethylenterephthalatfilm („Lumirror", hergestellt von Toray Industries, Inc.) mittels Vorstreichmaschine aufgebracht, um eine Trockenfilmdicke von etwa 12 μm zu erzielen, und das Laminat wurde bei 100°C 1 Minute lang getrocknet, um eine Klebefolie herzustellen. Die erhaltene Klebefolie wurde bei 120°C unter 1 kg/cm2 auf einen als organischer Isolationsfilm verwendeten 75 μm dicken Polyimidfilm („Upilex" 75S, hergestellt von Ube Industries, Ltd.) auflaminiert, um ein klebstoffbeschichtetes Band für TAB herzustellen. Die Eigenschaften sind in Tabelle 4 angeführt. 10 stellt die Messergebnisse der Temperaturabhängigkeit von tanδ dar. 11 stellt die Messergebnisse des Isolationswiderstands unter einer Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. dar.
  • Gemäß dem im Evaluationsverfahren (11) beschriebenen Verfahren wurde eine Leiterschaltung für eine IC-Verbindung gebildet, um ein in 3 dargestelltes Halbleiter verbindendes Substrat (Strukturband) zu erhalten.
  • Das Strukturband wurde eingesetzt, um eine integrierte Halbleiterschaltung mittels Innenanschluss-Bonden bei 450°C 1 Minute lang zu verbinden. Danach wurde ein Flüssigdichtmittel auf Epoxidbasis („Chip Coat" 1320-617, hergestellt von Hokuriku Toryo K. K.) zwecks Dichten aufgebracht, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten. 1 ist eine Schnittansicht, welche die erhaltene Halbleitervorrichtung darstellt.
  • Beispiel 2 und Bezugsbeispiele 7 bis 13
  • Es wurden jeweils klebstoffbeschichtete Bänder zur Verbindung eines Halbleiters erhalten, indem die in Tabelle 4 angeführten Rohmaterialien und Zusammensetzungsverhältnisse, wie in Bezugsbeispiel 6 beschrieben, eingesetzt wurden. Die Eigenschaften sind ebenfalls in Tabelle 4 angeführt. Die Messergebnisse für tanδ der Vergleichsbeispiele 1 und 2 sind in 10 dargestellt.
  • Aus den in Tabelle 4 angeführten Beispielen der Erfindung und Bezugsbeispielen geht hervor, dass die jeweils klebstoffbeschichteten erfindungsgemäßen Bänder für TAB über ausgezeichnete Klebefestigkeit, Maßgenauigkeit und Isolierbarkeit verfügen.
  • Beispiel 3
  • Das in Bezugsbeispiel 1 erhaltene Polyamidharz (Aminwert 2,5), Epoxidharz (ZX1257, hergestellt von Toto Kasei K. K., Epoxidäquivalent 260), Resol-Phenolharz vom p-t-Bu-Phenol-Typ (CKM1634G, hergestellt von Showa High polymer Co., Ltd.), gemischtes Phenol-Resolharz vom p-t-Bu/Bisphenol-A-Typ (p-t-Bu/Bisphenol A = 8,2) (CKM908, hergestellt von Showa High polymer Co., Ltd.) und DBU wurden vermischt, um ein wie in Tabelle 5 angeführtes Zusammensetzungsverhältnis zu erhalten, und das Gemisch wurde bei 30°C zur Herstellung einer Klebstofflösung in einem Lösungsmittelgemisch aus Methanol und Monochlorbenzol bis zu einer Konzentration von 20 Gew.-% gerührt. Der Klebstoff wurde auf einen 25 μm dicken als Schutzfilm eingesetzten Polyethylenterephthalatfilm („Lumirror", hergestellt von Toray Industries, Inc.) mittels Vorstreichmaschine aufgebracht und bei 100°C 1 Minute lang und bei 160°C 5 Minuten lang getrocknet, um eine Klebefolie herzustellen. Die erhaltene Klebefolie wurde zudem bei 120°C unter 1 kg/cm2 auf einen als organischen Isolationsfilm verwendeten 75 μm dicken Polyimidfilm („Upilex" 75S, hergestellt von Ube Industries, Ltd.) auflaminiert, um ein klebstoffbeschichtetes Band zum DB herzustellen. Die Eigenschaften sind in Tabelle 5 angeführt. 12 stellt die Messergebnisse der Temperaturabhängigkeit vom Speicherelastizitätsmodul E' dar, während 13 die Messergebnisse der Temperaturabhängigkeit von tanδ darstellt.
  • Wie im Evaluationsverfahren (11) beschrieben, wurde eine Leiterschaltung für eine IC-Verbindung gebildet, um ein in 5 dargestelltes Halbleiter verbindendes Substrat (Strukturband) zu erhalten. In 5 steht die Zahl 31 für eine Klebeschicht eines Bands zum DB; 32 für einen organischen Isolationsfilm; 33 für ein Perforationsloch; 34 für eine Leiterstruktur; 35 für einen Leiter an einer Lötkugelverbindungsstelle; und 36 für eine Leiteranschlussfläche zum DB.
  • Das Strukturband wurde eingesetzt, um eine IC mittels Innenanschluss-Bonden bei 450°C 1 Minute lang zu verbinden. Danach wurde ein Flüssigdichtmittel auf Epoxidbasis („Chip Coat" 1320-617, hergestellt von Hokuriku Toryo K. K.) zwecks Dichten aufgebracht, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten. 6 ist eine Schnittansicht, welche die erhaltene Halbleitervorrichtung darstellt. In 6 steht die Zahl 37 für einen IC-Chip; 38 für eine IC-Elektrode; 39 für einen Golddraht; 40 für einen organischen Isolationsfilm; 41 für eine Klebeschicht eines Bands zum DB; 42 für eine plättchengebondete Klebeschicht; 43 für einen Leiter an einer Lötkugelverbindungsstelle; 44 für eine Lötkugel; 45 für eine Klebeschicht eines Halbleiter verbindenden Substrats; 46 für eine Schicht ohne jegliche ausgebildete Leiterstruktur (Verstärkungsfolie); und 47 für ein Dichtungsharz.
  • Beispiele 4 und 5 und Bezugsbeispiele 14 bis 16
  • Es wurden jeweils klebstoffbeschichtete Bänder zur Verbindung eines Halbleiters erhalten, indem die in Tabelle 1 angeführten Rohmaterialien und die in Tabelle 5 angeführten Zusammensetzungsverhältnisse, wie in Beispiel 3 beschrieben, eingesetzt wurden. Die Eigenschaften sind ebenfalls in Tabelle 5 angeführt. Die Messergebnisse für tanδ des Vergleichsbeispiels 1 sind in 13 dargestellt.
  • Aus den in Tabelle 5 angeführten Beispielen der vorliegenden Erfindung und Vergleichsbeispielen geht hervor, dass die jeweils klebstoffbeschichteten erfindungsgemäßen Bänder über ausgezeichnete Klebefestigkeit und Isolierbarkeit verfügen.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung stellt gewerblich eine Klebefolie bereit, die als Klebeschicht für ein Halbleiter verbindendes Substrat geeignet ist, das verwendet wird, um einen integrierten Halbleiterschaltkreis, ein zum Tape Automated Bonding (TAB) verwendetes (im weiteren Verlauf als Band für TAB bezeichnet) klebstoffbeschichtetes Band, ein zum Draht-Bonden (DB) verwendetes (im weiteren Verlauf als Band zum DB bezeichnet) klebstoffbeschichtetes Band und ein Halbleiter verbindendes Substrat und eine Halbleitervorrichtung, die alle vorangehenden Elemente einsetzt, zu montieren. Die vorliegende Erfindung kann die Verlässlichkeit von Halbleitervorrichtungen mit hoher Packungsdichte verbessern.
  • TABELLE 1
    Figure 00520001
  • Figure 00530001
  • Figure 00540001
  • Figure 00550001
  • Figure 00560001
  • Figure 00570001

Claims (34)

  1. Klebefolie für ein Halbleiter verbindendes Substrat, wobei die Klebefolie ein Laminat aus einer Klebeschicht auf einer Substratschicht ist, worin die Klebeschicht ein thermoplastisches Harz (A) und ein Epoxidharz (B) umfasst, wobei das Epoxidharz (B) zumindest ein Epoxidharz (B) enthält, das aus Dicyclopentadienskelette enthaltenden Epoxidharzen ausgewählt ist.
  2. Klebefolie nach Anspruch 1, worin die Dicyclopentadienskelette enthaltenden Epoxidharze (b1) durch die folgende allgemeine Formel (I) dargestellt sind:
    Figure 00580001
    worin in Formel (1) R1 bis R4 für ein Wasserstoffatom, eine Niederalkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder ein Halogenatom stehen.
  3. Klebefolie nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das thermoplastische Harz (A) ein Copolymer (a1) ist, das Butadien als wesentliches Comonomer umfasst.
  4. Klebefolie nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das thermoplastische Harz (A) ein Copolymer (a2) enthält, das Butadien als wesentliches Comonomer und Carboxygruppen aufweist.
  5. Klebefolie nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das thermoplastische Harz (A) ein Polyamidharz (a3) ist, das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen als wesentliche Komponente enthält.
  6. Klebefolie nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das thermoplastische Harz (A) ein Polyamidharz (a3), das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen als wesentliche Komponente enthält, und ein Polyamidharz (a4) mit einem Aminwert von mehr als 1 und weniger als 3 ist.
  7. Klebefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 6, worin die Klebeschicht außerdem ein Phenolharz (F) enthält.
  8. Verwendung einer Klebefolie nach einem der Ansprüche 1 bis 7 bei der Herstellung eines Halbleiter verbindenden Substrats.
  9. Halbleiter verbindendes Substrat, umfassend eine Klebeschicht, die ein thermoplastisches Harz (A) und ein Epoxidharz (B) enthält, wobei das Epoxidharz (B) zumindest ein Epoxidharz (B) enthält, das aus Dicyclopentadienskelette enthaltenden Epoxidharzen ausgewählt ist.
  10. Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 9, worin die Klebeschicht eine Klebeschicht (E) einer integrierten Halbleiter-Leiterplatte mit zumindest jeweils einer Leiterplattenschicht (C) mit einer Isolatorschicht und einer Leiterstruktur, einer Schicht ohne ausgebildete Leiterstruktur (D) und einer Klebeschicht (E) bereitstellt.
  11. Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, worin das thermoplastische Harz (A) ein Copolymer (a1) ist, das Butadien als wesentliches Comonomer enthält.
  12. Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, worin das thermoplastische Harz (A) ein Copolymer (a2) enthält, das Butadien als wesentliches Comonomer und Carboxygruppen aufweist.
  13. Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, worin das thermoplastische Harz (A) ein Polyamidharz (a3) ist, das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen als wesentliche Komponente enthält.
  14. Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, worin das thermoplastische Harz (A) ein Polyamidharz (a3), das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen als wesentliche Komponente enthält, und ein Polyamidharz (a4) mit einem Aminwert von mehr als 1 und weniger als 3 ist.
  15. Halbleiter verbindendes Substrat nach einem der Ansprüche 9 bis 14, worin die Klebeschicht (E) außerdem ein Phenolharz (F) enthält.
  16. Halbleiter verbindendes Substrat nach einem der Ansprüche 9 bis 15, worin die Klebeschicht (E) nach dem Härten durch Erhitzen einen Speicherelastizitätmodul von 0,1 bis 10.000 MPa und einen Längenausdehnungskoeffizienten von 0,1 × 10–5~50 × 10–5°C–1 in einem Temperaturbereich von –50 bis 150°C aufweist.
  17. Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 16, das nach dem Härten durch Erhitzen eine Bruchenergie bei 25°C von 5 × 105 Nm–1 oder mehr pro Flächeneinheit aufweist.
  18. Verwendung eines Halbleiter verbindenden Substrats nach einem der Ansprüche 9 bis 17 bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements.
  19. Klebstoffbeschichtetes Band zum TAB- oder Drahtbonden, umfassend ein Laminat mit einer Klebeschicht und einer Schutzfilmschicht auf einem flexiblen organischen Isolationsfilm, worin die Klebeschicht ein thermoplastisches Harz (A) und ein Epoxidharz (B) enthält, wobei das Epoxidharz (B) zumindest ein Epoxidharz (B) enthält, das aus Dicyclopentadienskelette enthaltenden Epoxidharzen ausgewählt ist.
  20. Klebstoffbeschichtetes Band nach Anspruch 19, worin das thermoplastische Harz (A) ein Polyamidharz (a3) ist, das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen als wesentliche Komponente enthält.
  21. Klebstoffbeschichtetes Band nach Anspruch 19, worin das thermoplastische Harz (A) ein Polyamidharz (a3), das eine Dicarbonsäure mit 36 Kohlenstoffatomen als wesentliche Komponente enthält, und ein Polyamidharz (a4) mit einem Aminwert von 1 oder mehr und 3 oder weniger ist.
  22. Klebstoffbeschichtetes Band nach Anspruch 19, worin die Klebeschicht außerdem ein Phenolharz (F) enthält.
  23. Klebstoffbeschichtetes Band nach Anspruch 22, worin das Phenolharz (F), bezogen auf das Gewicht des Klebeschicht, mehr als 35 Gew.-% und weniger als 60 Gew.-% eines Phenolharzes vom Resoltyp enthält.
  24. Klebstoffbeschichtetes Band nach Anspruch 23, das für TAB geeignet ist, worin das Phenolharz vom Resoltyp ein bifunktionelles Phenolderivat (f1) mit zumindest einer Alkylgruppe mit 5 bis 12 Kohlenstoffatomen und ein trifunktionelles oder höherfunktionelles Phenolderivat (f2) als wesentliche Komponenten enthält, unter der Voraussetzung, dass f1/(f1 + f2) = 0,2~0,8 ist.
  25. Klebstoffbeschichtetes Band nach einem der Ansprüche 19 bis 24, das für TAB geeignet ist, worin die Klebeschicht nach dem Härten eine Erweichungstemperatur von 60 bis 110°C aufweist und eine Isolationswiderstand-Abfalldauer von 50 Stunden oder mehr aufweist, nachdem es unter einer Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. stehen gelassen wurde.
  26. Klebstoffbeschichtetes Band für TAB nach Anspruch 25, worin die Klebeschicht bei 25°C nach dem Härten durch Erhitzen eine Bruchenergie von 5 × 105 Nm–1 oder mehr pro Flächeneinheit aufweist.
  27. Klebstoffbeschichtetes Band nach einem der Ansprüche 19 bis 24, das zum Drahtbonden geeignet ist, worin die Klebeschicht nach dem Härten eine Erweichungstemperatur von 120 bis 200°C, einen Speicherelastizitätsmodul von 20 bis 100 MPa bei 150°C und eine Isolationswiderstand-Abfalldauer von 50 Stunden oder mehr aufweist, nachdem es unter einer Gleichspannung von 100 V in einer Umgebung mit 130°C und 85% r.F. stehen gelassen wurde.
  28. Klebstoffbeschichtetes Band zum Drahtbonden nach Anspruch 27, worin die Klebeschicht ein Film ist, der aus einem 1:1-Gemisch aus dem thermoplastischen Harz (A) und dem Epoxidharz (B) hergestellt wurde und eine Trübung von 8 bis 40 aufweist.
  29. Klebstoffbeschichtetes Band zum Drahtbonden nach Anspruch 27 oder Anspruch 28, worin der Epoxidharzgehalt, bezogen auf das Gewicht der Klebeschicht, 10 Gew.-% bis 40 Gew.-% beträgt.
  30. Verwendung eines klebstoffbeschichteten Bandes zum TAB- oder Drahtbonden nach einem der Ansprüche 19 bis 29 bei der Herstellung eines Halbleiter verbindenden Substrats.
  31. Halbleiter verbindendes Substrat, umfassend ein klebstoffbeschichtetes Band nach einem der Ansprüche 19 bis 29.
  32. Halbleiterbauelement, umfassend eine gehärtete Klebeschicht, die eine thermoplastische Schicht (A) und ein Epoxidharz (B) enthält, wobei das Epoxidharz (B) zumindest ein Epoxidharz (B) enthält, das aus Dicyclopentadienskelette enthaltenden Epoxidharzen ausgewählt ist.
  33. Halbleiterbauelement, umfassend ein Halbleiter verbindendes Substrat nach einem der Ansprüche 9 bis 17, worin die Klebeschicht in gehärtetem Zustand vorliegt.
  34. Halbleiterbauelement, umfassend ein flexibles Halbleiter verbindendes Substrat nach Anspruch 31.
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