WO1997030475A1

WO1997030475A1 - Adhesive sheet for semiconductor connecting substrate, adhesive-backed tape for tab, adhesive-backed tape for wire-bonding connection, semiconductor connecting substrate, and semiconductor device

Info

Publication number: WO1997030475A1
Application number: PCT/JP1997/000453
Authority: WO
Inventors: Yasushi Sawamura; Shoji Kigoshi; Taku Hatano; Yukitsuna Konishi; Yoshio Ando
Original assignee: Toray Industries, Inc.
Priority date: 1996-02-19
Filing date: 1997-02-19
Publication date: 1997-08-21
Also published as: EP1447843B1; KR100417776B1; TW340967B; EP1447843A2; EP0823729B1; US6303219B1; DE69732004T2; HK1064803A1; US6716529B2; ATE285623T1; EP0823729A1; EP0823729A4; ATE432531T1; EP1447843A3; DE69739429D1; DE69732004D1; US20020025431A1; KR19990007859A; HK1008913A1

Description

明細書

半導体接続基板用接着剤シ一卜、 TAB用接着剤付きテープ、ワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープ、半導体接続用基板および半導体装 S 技術分野

本発明は、半導体集積回路の実装に使用される半導体接続基板の接着剤層に適した接着剤シート、テープォ一卜メーテッドボンディング（TAB) 方式に用いられる接着剤付きテープ（以下 T A B用テープと称する）、ワイヤ一ボンディング接铙方式に用いられる接着剤付きテープ（以下 WB用テープと称する）、およびそれらを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置に関する。背景技術

従来の半導体集積回路（ I C) の実装技術は、以下のようなものである。

1 Cの実装には、 I Cの電極を金属製のリードフレームにワイヤ一ボンディングで接続し、樹脂で封止する方式がもっとも多く用いられている。このようにして製造される I c ケージは、スモールァゥ卜ラインパッケージ（SOP) 、クドフラ ⁰ッケ一ジ（Q FP) 等の形状が通常である。これに対し、電子機器の小型 ·轻量化に伴い、高密度実装化を目的として、パッケージの表面に接続端子を配列するボールグリッドアレイ ( B G A) が用いられるようになつてきた。（図 1 )

BGA方式は、接続基板の外部接続部として〖 Cのピン数にほぼ対応する半田ボールを格子上に有することを特徴としている。機器のプリン卜基板への接続は、半田ボール面を、すでに半田が印刷してある導体パターン上に一致するように乗せて、リフローにより半田を融解して行なわれる。最大の特徴は、従来の QF P等では周囲の辺しか接続端子の配列に使用できないのに対し、 B G Aでは接繞基板表面を使用できるため、より多くの接続端子を少ないスペースに配置できる二とにある。この小型化機能をさらに進めたものに、チップスケールパッケージ（ C S P ) があり、その類似性から — BGA (マイクロ BGA:) と称する場合がある（図 2 )

BGA方式では、半田ボール面の平面性を保ち、放熱を良くすることが必要であるため、 I Cを接铙する配線基板層に加えて、補強、放熱、電磁的シールドを目的とする金属板等の材料を、接着剤シートにより積層し、加熱硬化させて接続基板を製造する方法が一般的である。

B G A用接続基板を図 4を用いて説明すると、 BGA用接続基板は、〖 Cを接続するための配線基板層（絶縁体層 26および導体パターン 27から構成される。）と導体パターンが形成されていない層 29 (補強板、放熱板、シールド板等の機能を有する。）、およびこれらを積層するための接着剤層 28、をそれぞれ少なくとも 1層以上有する構成となつている。図 4において、 25は有機絶縁フイルム、 27はインナ一リード部、 30はソルダーレジス卜を示す。

ここでいう接着剤層（接着剂シ一卜）には、温度サイクルゃリフローの際に、プリン卜基板、半田ボール、配線基板層、導体パターンが形成されていない層等の異種材料の熱膨

1 差替え用紙（規則 26) 張係数差により生じる、熱応力を緩和する効果を得るために、熱可塑樹脂あるいはシリコーンエラス卜マ（特公平 6 - 5 0 4 4 8号公報）などが提案されている。

一方、配線基板層にはガラスエポキシ積層板（リジッド板）が先行して用いられてきたが、近年ではポリイミド等の有機絶縁性フィルムに I C接続用の導体パターンを形成した- 半導体接続基板を用いる方式が増加している。このようなテープ状の接続基板（パターンテープ）を用いるパッケージを一般に、 T C P (テープキャリアパッケージ）と称し、 B G A方式の場合は特に、 T A B— B G Aあるいは T— B G Aと称される。

T C Pは、長尺のパターンテープを用いて、連続的に突装を行うことで、大量かつ低コストのパッケージを製造できる利点がある。 I Cの接続方法では、接続基板のインナ一リ一ドに I Cのバンプ電極を熱圧着（ギャングボンディングあるいはシングルボイン卜ボンディング）するテープォートメ一テツドボンディング（T A B ) 方式が代表的であるが、接続基板の導体パッドと〖 Cの電極間をワイヤーボンディングで接続する方式（以下 W B 方式と称する）も採用されている。

T A B方式のパターンテープには、 T A B用テープが一般的に使用される。 T A B用テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フイルムに接着剤層および保護フィルム層である離型性を有するポリエステルフィルム等を積層した 3層構造である。通常、上記の接着剤層は有機絶縁性フィルム層より幅が狭い構成とするため、 T A B用テープは、一般的には、一旦接着剤シートを作成して、これを有機絶縁性フィルム層にラミネートする方法で製造される。

このようにして得られた T A B用テープは、 ①スプロケットおよびデバイス孔の穿孔、 ②銅箔との熱ラミネー卜および接着剤の加熱硬化、 ③ィンナ一リ一ド形成のための銅箔裏面処理、 ④パターン形成（レジス卜途布、エッチング、レジス卜除去、銅箔裏面処理剤の除去）、 ⑤スズまたは金メツキ処理などの加工工程を経て、接続基板（パターンテープ）に加工される。図 3にパターンテープの形状を示す。図 1に本発明の T C P型半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリード部 5を、〖 C 1の金バンプ 2 に熱圧着（インナ一リードボンディング）し、 I Cを搭載する。次いで、封止樹脂 1 0による樹脂封止工程を経て半導体装置が作成される。さらに、 T A B - B G Aの場合は、補強板、放熱板、シールド板等の機能を有する層を接着剤シートにより積層する工程、半田ボールを取り付ける工程、等を経る。

W B方式には、 T A B用テープと同一形状、同一製造方法ではあるが、接着剤特性がヮィヤーボンディングに適した、 W B用テープが用いられる。

W B用テープは、 ①スプロケッ卜およびデバイス孔の穿孔、 ②銅箔との熱ラミネートおよび接着剤の加熱硬化、 ③パターン形成（レジス卜塗布、エッチング、レジスト除去）、 ④スズまたは金メッキ処理などの加工工程を経て、接続基板（パターンテープ）に加工される（図 5 ) 。パターンテープはインナ一リード部を有さず、パターンテープの導体と^ 導体集積回路の金バンプとの間をワイヤーボンディングで接続する。最後に、 Τ Λ Β方式と同様に樹脂封止工程等を経て半導体装置を得る（図 6 ) 。

最後に、上記の T C P型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリードあるいは半田ボール 9を介して接続され、電子機 IIへの実装がなされる。

2 差替え用紙（規則 26) 発明の開示

半導体接続基板用接着剤シー卜における要求特性は以下の通りである。

( a ) リフロー条件（ 2 3 0 C以上）においても剥がれない高い接着力，（b ) 温度サイクルゃリフローの際に、接続基板を形成する異種材料間にかかる熱応力を緩和するための、適度な弾性率および線膨張係数特性，（ c ) 貼り合わせ、加熱キュアの低温、短時間プロセスが可能な易加工性，（d ) 配線上に積層する場合の絶縁性。

しかし、上述の特性のうち特に接着力に対して適度な弾性率および線膨張係数特性とのバランスをとることは困難であった。すなわち、従来の接着剤組成物では、接着力を向上させると高温での弾性率が低下し、総合的に必ずしも十分な特性が得られないことが課題であった。

一般的には接着剤の弾性率を低下させることにより、破壌エネルギーを増加させて、接着力を向上させることが可能であるが、このような方法では高温、高湿下で接着剤が軟化し、耐リフロー性および高温高湿での接着力が低下するという問題が生ずる。一方、耐リフロー性および高温高湿での接着力を向上させるため、接着剤の架橋度を増加させると、接着剤が脆性破壊しやすくなるとともに、硬化収縮による内部応力の増加を招き、接着力が低下するのでかえって好ましくない。さらに、温度差により生じる熱応力の緩和効果も失われる。

本発明の目的は、このような問題点を解決し、加工性、接着力、絶縁信頼性および耐久性に優れた新規な半導体接続基板用接着剤シ一トおよびそれを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置を提供することにある。

一方、前述の T A B用テープにおける課題は、以下の通りである。

T A B用テープを用いた T C P形態では、最終的に T A B用テープの接着剤層は、パッケージ内に残留するため、絶縁性、接着性、寸法安定性等の諸特性を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高密度化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターンピッチ（導体幅および導体間幅）が非常に狭くなつてきており、高い絶縁信頼性と狭い導体幅における銅箔接着力（以下、接着力と称する）を有する接着剤の必要性が高まっている。特に、絶縁信頼性の加速試験として、 1 3 0。C, 8 5。'0 R Hの高温高湿あるいは、 1 2 5 て〜 1 5 0ての高温で連続した電圧印加状態における絶縁抵抗の低下速度が重要視されるようになつた。

しかし、上述の絶縁信頼性および接着力において、従来の T A B用テープは必ずしも十分とはいえない。たとえば、高温高湿での連続した電圧印加状態における絶縁低下が早いため、絶縁信頼性が不足である。特に、高速動作する集積回路等で発熱量が大きい場合、重篤な事態をまねく。また、接着力が小さいため、パターン加工工程での導体の剥離や、 T A B方式に特有の、インナ一リードの剥離が生じ、製品化できないことがある。

本発明の別の目的は、このような問題点を解決し、絶縁耐久性および接着力に優れた新規な T A B用テープおよびそれを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置を提供する二とにある。

さらに、前述の W B用テープの課題は以下の通りである。

3 差替え用紙（規則 26) WB用テープを用いた T C P形態でも、 ΤΛΒ用テープと同様に接着剤層が、パッケ一ジ内に残留するため、狭いピッチでの高い絶縁信頼性（ 1 3 0て， 8 5 ^a0RHの高温高湿）と接着力が要求される。さらに、 WB方式では、ワイヤーボンディング時の加熱と超音波印加で接着剤層が軟化し、ワイヤーが接続できない場合があり、ワイヤーボンディング時の耐熱性（以下 WB特性と称する）が要求される。

しかし、上述の絶縁信頼性、接着力および WB特性において、従来の WB用テープは必ずしも十分とはいえない。たとえば、導体の接着力を高くすると、高温高湿での連続した電圧印加状態における絶縁低下が早く、絶縁信頼性が不足であるだけでなく、 W B特性も低下した。一方、絶縁信頼性と WB特性を向上させようとして耐熱性を上げると、接着力が低下し、パターン加工工程での導体の剥離や、 WB後の導体の剥離が生じた。

本発明のさらに別の目的は、このような問題点を解決し、絶縁耐久性、接着力および W B特性をいずれも満足する、新規な W B用テープおよびそれを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置を提供することにある。

以上述べてきた目的は、以下の本発明により達成される。すなわち、本発明は、基板上に、接着剤層を有する積層体より構成された半導体接続基板用接着剤シ一卜であつて、前記接着剤層が、熱可塑性樹脂（A) およびエポキシ樹脂（B) を含有し、前記ェポキシ樹脂（B) 力く、（ I ) ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂、（ Π ) テルぺン骨格含有エポキシ樹脂、（ΠΙ) ビフヱニル骨格含有エポキシ樹脂、（IV) ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、から選ばれた少なくとも 1種のエポキシ樹脂（B) を必須成分として含有することを特徴とする半導体接続基板用接着剤シートおよびそれを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置であり、

絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層（C) 、導体パターンが形成されていない層（D) および接着剤層（E ) をそれぞれ少なくとも 1層以上有する半導体集積回路基板の接着剤層（E) を形成する半導体接続基板用接着剤シートであって、前記接着剤シ —ト力加熱硬化後に、 — 5 0〜 1 5 0 の温度範囲において、貯蔵弾性率が 0. 1〜 1 O O O OMP aであり、かつ線膨張係数が 0. 1 1 0 δ 0 1 0— ⁵。C— 'であることを特徴とする半導体接続基板用接着剤シートおよびそれを用いた半導体接銃基板ならびに半導体装置であり、また、

可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から構成される T A B用接着剤付きテープであって、硬化後の前記接着剤層の軟化温度力べ、 6 0〜 1 1 0てであり、かつ 1 3 0° (：、 85%RHの環境下で、直流 1 0 0 V印加し、放置した場合の絶縁抵抗低下時間が 5 0時間以上であることを特徵とする TA B用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置であり、さらに、可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から構成されるワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープであって、硬化後の前記接着剤層の軟化温度が、 1 2 0〜 2 0 0てであり、かつ 1 3 0て、 8 5 % R Hの環境下で、直流 1 0 0 V印加し、放置した場合の絶縁抵抗低下時間が 5 0時間以上であることを特徴とするワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体接続基板ならびに半導体装置である。

4 差替え用紙（規則 26) 図面の簡単な説明

図 1は本発明の半導体接続基板用接着剤シー卜を用いた半導体装置（TAB - B GA) の一態様の断面図を示す。

図 2は本発明の半導体接続基板用接着剤シ一トを用いた半導体装置（C S P) の一態様の断面図を示す。

図 3は本発明の半導体接続基板用接着剤シートを加工して得られた、 1 C搭載前の B G A用半導体接続基板（パターンテープ）の一態様の断面図を示す。

図 4は本発明の TAB用接着剤付きテープを加工して得られた、 I C搭載前の TA B用テープ（パターンテープ）の一態様の斜視図を示す。

図 5は本発明の WB用接着剤付きテープを加工して得られた、 I C搭載前の TAB用テープ（パターンテープ）の一態様の斜視図を示す。

図 6は本発明の半導体接統基板用接着剤シ一卜を用いた半導体装置（WB方式 B G A ) の一態様の断面図を示す。

図 7は絶緣抵抗測定用のくし型形状の評価用サンプルの図を示す。

図 8は本発明の半導体接続基板用接着剤シー卜の接着剤層の貯蔵弾性率 E' の測定結果の図を示す。

図 9は本発明の半導体接続基板用接着剤シー卜の接着剤層の線膨張係数の測定結果の図を示す。

図 1 0は本発明の T A B用接着剤付きテープの接着剤層の t a n 5の測定結果の図を示す。

図 1 1は本発明の TAB用接着剤付きテープの絶縁耐久性測定結果の図を示す。

図 1 2は本発明の WB用接着剤付きテープの接着剤層の貯蔵弾性率 E' の測定結果の図を示す。

図 1 3は本発明の WB用接着剤付きテープの接着剤層の t a η δの測定結果の図を示す _c 発明を実施する場合の最良の形態

本発明でいう半導体接続基板とは、シリコン等の半導体基板上に素子が形成された後、切り分けられた I C (ベアチップ）を接続するものであり、（C) 絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、（D) 導体パターンが形成されていない層、（E) 本発明の接着剤シー卜からなる接着剤層をそれぞれ少なくとも 1層以上有するものであれば、形状、材料および製造方法は特に限定されない。したがって、最も基本的なものは、 C/E/D の構成であるカ^ C/E ZD/ E /D等の多層構造もこれに含まれる。

(C) はベアチップの電極パッドとパッケージの外部（プリント基板等）を接続するための導体パターンを有する層であり、絶縁体層の片面または両面に導体パターンが形成されているものである。ここでいう絶緣体層には、ポリイミド、ポリエステル、ポリフエ二レンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ァラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる、厚さ 1 0~ 1 2 5 / mの可撓性を有する絶縁性フィルム、アル

5 差替え用紙（規則 26) ミナ、ジルコニァ、ソーダガラス、石英ガラス等のセラミック基板が好適であり、これらから選ばれる複数の層を積層して用いても良い。また必要に応じて、絶縁体層に、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コ一ティング処理等の表面処理を施すことができる。導体パターンの形成は、一般にサブトラクティブ法あるいはアディテイブ法のいずれかで行なわれるが、本発明ではいずれを用いてもよい。サブ卜ラクティブ法では、該絶縁体層に銅箔等の金属板を絶縁性接着剤（本発明の接着剤組成物も用いることができる。）により接着するか、あるいは金属板に該絶縁体層の前駆体を積層し、加熱処理などにより絶縁体層を形成する方法で作成した材料を、薬液処理でェッチングすることによりパターン形成する。ここでいう材料として具体的には、リジッドあるいはフレキシブルプリン卜基板用銅張り材料や T A Bテープ、 WB用テープを例示することができる。一方、アディティブ法では、該絶縁体層に無電解メツキ、電解メツキ、スパッタリング等により直接導体パターンを形成する。いずれの場合も、形成された導体に腐食防止のため耐食性の高い金属がメツキされていてもよい。このようにして作成された（C) の配線基板層には必要によりビアホールが形成され、メツキにより両面に形成された導体パターン間がメツキにより接続されていてもよい。

(D) は実質的に（C) または（E) とは独立した層であり、半導体接続基板の補強および寸法安定化、外部と I Cの電磁的なシールド、 I Cの放熱、半導体接続基板への難燃性の付与、半導体接続基板の形状的識別、等の機能を担持するものである。したがって、形状は層状だけでなく、たとえば放熱用としてはフィン構造を有する立体的なものでもよい。また、上記の機能を有するものであれば絶縁体、導電体のいずれであってもよく、材料も特に制限されず、金属としては銅、鉄、アルミニウム、金、銀、ニッケル、チタン等、無機材料としてはアルミナ、ジルコニァ、ソーダガラス、石英ガラス、カーボン等、有機材料としてはポリイミド系、ポリアミド系、ポリエステル系、ビニル系、フヱノール系、エポキシ系等のポリマ材料が例示される。また、これらの組合わせによる複合材料も使用できる。たとえば、ポリイミドフィルム上に薄い金厲メツキをした形状のもの、ポリマにカーボンを練り込んで導電性をもたせたもの、金属板に有機絶縁性ポリマをコ一ティングしたもの、等が例示できる。さらに、上記（C) と同様に種々の表面処理を行なうことは制限されない。

(E) は、（C) と（D) の接着に主として用いられる接着剤層である。しかし、（C) または（D) と他の部材（たとえば I Cやプリント基板等）との接着に用いることは何等制限されない。（E) は半導体接続基板に半硬化状態で積層される場合が通常であり、積層前あるいは積層後に 3 0〜2 0 0 °Cの温度で適当な時間予備硬化反応を行なわせて硬化度を調節する二とができる。

(E) は本発明の半導体接続基板用接着剤シート（以下接着剤シートと称する）から形成され、該接着剤シートは、加熱硬化後に、 - 5 0〜 1 5 0ての温度範囲において、貯蔵弾性率が好ましくは 0. l ~ 1 0 0 0 0 MP a、さらに好ましくは l〜 5 0 0 0 MP aであり、かつ線膨張係数が好ましくは 0. 1 X 1 0— ⁵〜 5 0 X 1 0— ⁵ CT さらに好ましくは 1〜30 X 1 0— ⁵°C— 'である。貯蔵弾性率が 0. I MP a未満の場合、接着剤の強度が低く、 I Cパッケージを実装した機器の使用中に半導体接続基板の変形が生じるとともに

6 差替え用紙（規則 26) 加工工程において取り扱いの作業性に欠けるので好ましくない。 1 O O O O MP aを越える場合、熱応力の緩和効果が小さく、半導体接続基板の反り、各層間の剥離、半田ボールクラックが生じるので好ましくない。線膨張係数が 0. 1 X 1 0— ⁵て—'未満の場合、熱応力の緩和効果が小さく好ましくない。 5 0 X 1 0— ⁵°C ¹を越える場合、接着剤自身が熱応力を生じる原因となり、一層好ましくない。

また、該接着剤シートは、加熱硬化後に、 2 5てにおける単位面積あたりの破壊エネルギ一（以下、破棄エネルギーと称する）カ、 5 x l 0⁵Nm ¹ 以上、さらに好ましくは 1 X 1 0⁶Nm ¹であると好ましい。破壊エネルギーは、接着剤層の凝集破壊モードにおいて、接着力と相関があると考えられる。破壊エネルギーは、引っ張り試験において応力—ひずみ曲線の下部の面積で求められる。破壊エネルギーが 5 X 1 0⁵!\^:m ^_1より低いと、接着力が低下するので好ましくない。

接着剤層の厚みは、弾性率および線膨張係数との関係で適宜選択できるが、 2〜 5 0 0 が好ましく、より好ましくは 2 0〜 2 0 0 /imである。

本発明の接着剤シ一卜において使用する接着剤組成物は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を必須成分としてそれぞれ少なくとも 1種類以上含むことが好ましいか、その種類は特に限定されない。熱可塑性樹脂は接着性、可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶緣性の向上等の機能を有し、熱硬化性樹脂は耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤層の強度等の物性のバランスを実現するために必要である。

熱可塑性樹脂としては、ァクリロ二トリルーブタジェン共重合体し \ B R ) 、ァクリロ二トリル一ブタジエンゴム一スチレン樹脂（A B S ) 、スチレンブタジエンエチレン樹脂（ S E B S ) 、アクリル、ポリビニルプチラール、ポリァミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシァネート基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。熱可塑性樹脂としては、（C ) 、（D) の素材との接着性、可撓性、熱応力の緩和効果の点からブタジエンを必須共重合成分とする共重合体が好ましく、種々のものが使用できる。特に、金属との接着性、耐薬品性等の観点からァクリロ二トリルーブタジェン共重合体（NB R) およびスチレンーブタジェンーェチレン樹脂（S E B S ) は好ましい。さらにブタジエンを必須共重合成分としかつカルボキシル基を有する共重合体はより好ましく、たとえば N B R ( B R - C ) および S E B S ( S E B S - C) 等が挙げられる。 N B R— Cとしては、例えばァクリロニ卜リルとブ夕ジェンを約 1 0 / 9 0 ~ 5 0 Z 5 0のモル比で共重合させた共重合ゴムの末端基をカルボキシル化したもの、あるいはアクリロニトリル、ブタジエンとアクリル酸、マレイン酸などのカルボキシル基含有重合性単量体の三元共重合ゴムなどが挙げられる。具体的には、 P N R - 1 H (日本合成ゴム（株）製）、 " 二ポール" 1 0 7 2 J、 " 二ポール" D N 6 1 2、 " 二ポール" DN 6 3 1 (以上日本ゼオン（株）製）、 " ハイカー" C T B N ( B Fグッドリッチ社製）等がある。また、 S E B S— Cとしては MX— 0 7 3 (旭化成（株）製）が例示できる。

差替え用紙（規則 26) また、同様に接着性、可揍性、絶縁性の点からポリアミド樹脂が好ましく、種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性を待たせ、かつ低吸水率のため絶緣性にすぐれる、炭衆数が 3 6であるジカルボン酸（いわゆるダイマ一酸）を含むものが好適である。ダイマー酸を含むボリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジァミンの重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、ァゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、へキサメチレンジァミン、ピべラジン、等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から 2種以上の混合でもよい。さらに、ポリマ中にアミノ基を有するものは、エポキシ樹脂との反応および相容性に «れ、絶緣性および接着性が向上するので、より好ましい。ァミノ基の好ましい置は、アミン価にして 1 ~ 3である。アミン価 1以下では絶縁性および接着力の向上効果が小さく、 3以上では硬化反応が進みすぎて加工性に欠けるので、いずれも好ましくない。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フヱノール樹脂、メラ ΐン樹脂、キシレン榭脂、フラン樹脂、シアン酸エステル樹脂、等公知のものが例示される。特に、エポキシ樹脂およびフヱノール樹脂は絶縁性に優れるので好適である。

エポキシ樹脂は 1分子內に 2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、式（ I ) で表される、ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂、式（Π ) で表される、テルペン骨格含有エポキシ樹脂、式（ΠΙ ) で表される、ビフニル骨格含有ェポキシ榭脂、式（IV ) で表される、ナフタレン骨格含有ェボキシ樹脂を少なくとも 1種以上含有することが好ましい。

( ( I ) 式中、 [？,〜！^は、水素原子、 C の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

(【【）

差替え用紙（規則 26) ((Π)式中、 R,~R<は、水素原子、 C の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

((ΙΠ)式中、 R' R,は、水素原子、 C の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

((IV)式中、 R,〜R,のうち 2個の基は 2. 3—エポキシプロポキシ基であり、残りの基は水素原子、 C,~C 4の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

また、ビスフエノール F、ビスフエノール A、ビスフエノール S、レゾルシノール、トリヒドロキシベンゼン等のグリシジルエーテル、エポキシ化フエノールノボラック、ェボキシ化クレゾ一ルノボラック、エポキシ化卜リスフエ二ロールメタン、エポキシ化テトラフエ二ロールエタン、エポキシ化メタキシレンジァミン、シク口へキサンェポキサイド等の脂環式エポキシ、テトラブロモビスフノール Aとビスフ iノール Aの共重合型奥紫化ェボキシ樹脂、具素化フニノールノボラック型ェポキシ樹脂等の他のエ^キシ樹脂と併用してもよい。

フエノール樹脂としては、ノボラック型フエノール樹脂、レゾール型フノール榭脂等の公知のフヱノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フメール、クレゾール、 p 一 t一ブチルフエノール、ノニルフヱノール、 p—フエ二ルフノール等のアルキル g换フエノール、テルペン、ジシクロペンタジェン等の環状アルキル変性フエノール、ニトロ基、ハロゲン基、シァノ基、アミノ基等のへテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフエノール F、ビスフエノール八、ビスフエノール S、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フエノールからなる樹脂が筝げられる。

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差替え用紙（規則 26) 熱硬化性樹脂の添加量は熱可塑性樹脂 1 0 0重量部に対して 5〜 4 0 0重量部、好ましくは 5 0〜 2 0 0重量部である。熱硬化性樹脂の添加量が 5重量部未満であると、高温での弾性率低下が著しく、半導体装置を実装した機器の使用中に半導体集積回路接続用基板の変形が生じるとともに加工工程において取り扱いの作業性に欠けるので好ましくない。熱硬化性樹脂の添加量が 4 0 0重量部を越えると弾性率が高く、線膨張係数が小さくなり熱応力の緩和効果が小さいので好ましくない。

本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフエノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、 3， 3 " 5 , 5 —テトラメチル— 4 , 4 ' 一ジァミノジフェニルメタン、 3 , 3 ' 5， 5 ' —テトラエチルー 4 , 1 ' —ジアミノジフエニルメタン、 3 , 3 — —ジメチル一 5 , 5 — _ジェチルー 4 , 4 —ジアミノジフニニルメタン、 3 , 3 —ジクロ口一 4 , 4 ージァミノジフエニルメタン、 2 , 2 3 , 3 — —テトラクロロー 4 , 4 一一ジァミノジフエ二ルメタン、 '4 , 4 ' ージアミノジフエニルスルフイド、 3， 3 ' —ジァミノべンゾフエノン、 3 , 3 —ジァミノジフエニルスルホン、 4 , 4 ' —ジアミノジフヱニルスルホン、 3 , ' —ジアミノジフエニルスルホン、 4 , 4 一一ジァミノべンゾフエノン、 3 , i , 4 一卜リアミノジフエニルスルホン等の芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素卜リェチルァミン錯体等の三フッ化ホウ素のァミン錯体、 2 —アルキル— 4 ーメチルイミダゾール、 2 —フヱニルー 4 _アルキルイミダゾール等のィミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、卜リフエニルフォスフィン等公知のものが使用できる。これらを単独または 2 種以上混合して用いても良い。添加量は接着剤組成物 1 0 0重量部に対して 0 . 1 ~ 5 0 重量部であると好ましい。

以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。微粒子状の無機成分としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、カルシウム 'アルミネー卜水和物等の金厲水酸化物、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、炭酸カルシウム等の無機塩、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄、等の金属微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラスが挙げられ、有機成分としてはスチレン、 N B Rゴム、アクリルゴム、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン等の架橋ポリマが例示される。これらを単独または 2種以上混合して用いても良い。微粒子状の成分の平均粒子径は分散安定性を考慮すると、 0 . 2〜 5 / が好ましい。また、配合量は接着剤組成物全体の 2〜 5 0重量部が適当である。

本発明の接着剤層が半導体集積回路接続用基板の最外層にあり、他の部材（たとえば I Cやプリント基板等）との接着に用いられる場合に、該接着剤層に保護フィルム層を設けてもよい。ここでいう保護フィルム層とは、半導体集積回路接続用基板と他の部材（たとえば I Cやプリン卜基板等）を接着する前に接着剤面から半導体集積回路接続用基板の形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコ一ティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラミネー卜した紙等が挙げられる。

10 差替え用紙（規則 26) 本発明でいう半導体装置とは本発明の半導体接続基板を用いたものをいい、特に形状や構造は限定されない。半導体接続基板と I Cとの接続方法は、 TA B方式、 WB方式、フリップチップ実装での樹脂封止、異方導電性フィルム（接着剤）接続等のいずれでもよい _c また、 C S Pと称されるパッケージも本発明の半導体装置に含まれる。

次に本発明の半導体接続基板用接着剤シートおよび半導体接続基板ならびにそれを用いた半導体装置の製造方法の例について説明する。

( 1 ) 絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層（C) の作成：ポリイミドフィノレ厶上に、接着剤層および保護フイルム層を積層した 3層構造の T Λ B用テープを下記の ( a ) 〜 ( d ) の工程により加工する。（a ) スプロケッ卜およびデバイス孔の穿孔、 ( b) 銅箔との熱ラミネート、（ c ) パターン形成（レジス卜塗布、エッチング、レジス卜除去）、（d ) スズまたは金—メツキ処理。図 5に得られた TABテープ（パターンテープ）の形状の例を示す。

( 2 ) 導体パターンが形成されていない層（D) の作成：厚さ 0. ϋ 5〜0. 5mmの銅板あるいはステンレス（ S U S 3 04 ) 板をァセトンにより脱脂する。

( 3 ) 接着剤層（E) の作成：下記の（a ) 〜（ c ) 工程により作成する。（ a ) 接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を、離型性を有するポリエステルフィルム上に塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は 1 0〜 1 0 0 izmとなるように塗布することが好ましい。乾燥条件は、 1 0 0〜2 0 0て、 1 ~ 5分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルァセ卜アミド、 Nメチルピロリドン等の非プロトン系極性溶剤単独あるいは混合物が好適である。（b) ( a ) のフィルムに上記よりさらに剥雜強度の弱い離型性を有するポリエステルあるいはポリオレフィン系の保護フィルムをラミネートして接着剤シートを得る。さらに接着剤厚みを増す場合は、該接着剤シ一卜を複数回積層すればよい。ラミネート後に、たとえば 4 0〜 7 0てで 2 0〜 20 0時間程度熱処理して硬化度を調節してもよい。（c ) (D) のステンレス板に（ b ) の接着剤シ一トを保護フィルムを剥がした後ラミネ一卜する。ラミネ一卜温度 2 0 - 2 0 0て、圧力 0. i〜3MP aが好適である。また、（D) に上記の塗料を直接塗布して乾燥させ、保護フィルムをラミネ一トしてもよい。

(4 ) 半導体接続基板の作成：下記の（a ) 〜（c ) 工程により工程で加工する。図 3に半導体接続基板の例を示す。図 3において 1 9は TABテープの接着剤層、 2 0は有機絶縁性フイルム、 2 1はスプロケット孔、 2 2は導体パターン、 2 3は半田ボール接続部の導体、 24はデバイス孔を示す。（a) 接着剤をラミネ一卜した（D) を、金型で打ち抜き、たとえば角型で中央にやはり角型の穴がある形状の接着剤付き金属板とする。（b ) 該接着剤付き金属板からポリエステルのべ一スフイルムを剥がし、（C) のパターンテープの導体パターン面または裏面のポリイミドフィルム面に、該接着剤付き金属板の中央の穴を（C) のデバイスホールに一致させ、上記（3 ) に準じてラミネ一卜する。（ c ) 熱風オーブン内で該接着剤の加熱硬化のため 80〜2 0 0てで 1 5〜 1 80分程度のボス卜キュアを行なう。

( 5 ) 半導体装置の作成：（·4 ) の半導体接続基板のインナ一リード部を、 I Cの金バン

11 差替え用紙（規則 26) プに熱圧着（ィンナ一リードボンディング）し、 I Cを搭載する。次いで、封止樹脂による樹脂封止工程を経て半導体装置を作成する。得られた半導体装置を、他の部品を搭載したプリント回路基板等と半田ボールを介して接続し、電子機器への実装をする。図 1および 2に本発明の半導体装置の一態様の断面図を示す。図 1において、 1は [ Cチップ、 2 は金バンプ、 3は有機絶縁性フィルム、 4は TABテープの接着剤、 5はインナーリード部、 6は半導体接続基板の接着剤層、 7は導体パターンが形成されていない層（補強板）、 8はソルダーレジス卜、 9は半田ボール、 1 0は封 ih樹脂を示す。図 2において、 1 1は保護膜、 1 2は I Cチップ、 1 3はィンナ一リ一ド部、 1 4は有機絶緣性フィル厶、 1 5 は封止樹脂、 1 6は TA Bテープの接着剤層、 1 7は半田ボール、 1 8はソルダーレジストを示す。

本発明でいう軟化温度は、動的粘弾性測定により求めた t a η δ ( t a n (5 =損失弾性率 E"Z貯蔵弾性率 E' ) のピーク温度で定義したものである。好ましい測定条件を実施例の評価方法（ 4 ) に示す。軟化温度は高温での寸法精度と相関があると考えられ、好ましくは 6 0〜 1 1 0て、さらに好ましくは 70〜9 0てである。 6 0 より低いと、柔らかすぎて導体の位置等の寸法精度が低下するとともに絶縁性が低いので好ましくない。また、 1 1 0てを越えると高温で銅箔あるいは絶縁性基材フイルムとの線膨張係数差を吸収できず、反りを生じ、寸法精度を低下させるので好ましくない。

また、該接着剤シートは、加熱硬化後に、 2 5てにおける破壌エネルギーが 5 1 0⁵ \ m— ¹以上、さらに好ましくは、 8 X 1 0⁵ΝΓΤΓ'であると好ましい。破壊エネルギーが、 5 X 1 0⁵ΝπΓ'より低いと、接着力が低下するので好ましくない。

絶縁抵抗値および絶縁抵抗低下時間は、促進評価条件におけるものであり、実施例の評価方法（ 5 ) および（ 6 ) の条件で測定されたものをいう。絶緣抵抗値は好ましくは 5 X 1 0⁸Ω以上、さらに好ましくは 1 X 1 0³ Ω以上である。 5 1 0⁸Ωより低い場合、本発明の半導体装置の絶縁耐久性が低下するので好ましくない。

絶縁抵抗低下時間とは、上記の絶縁抵抗値の測定を連続的に行った場合に、絶縁抵抗値が基準値以上に低下するのに要する時間で定義する。 1 30⁼C、 8 5 ¾RHの環境下で直流 1 0 0 V印加の場合は、基準値は 1 0⁷ Ω、 1 5 0ての環境下で直流 1 0 0 V印加の場合は、基準値は 1 0⁹ Ωである。

絶縁抵抗低下時間は、好ましくは 5 0時間以上、より好ましくは 1 0 0時間以上、さらに好ましくは 3 0 0時間以上である。 5 0時間より短い場合、本発明の半導体装置の絶縁信頼性が低下するので好ましくない。

従来、軟化温度あるいはガラス転移温度が絶縁性の測定条件温度より低いと、接着剤中のイオンの移動が著しいため、絶緣抵抗値が低く、絶縁抵抗低下時間も短いとする考えが一般的であった。しかし、本発明の接着剤層は、軟化温度が絶縁性の測定温度より低いにもかかわらず、絶縁抵抗値が高く、絶縁抵抗低下時間が長いことが特異な点である。機構は不明であるが、軟化温度が低く、柔軟ではあるが、イオンの移動が阻害される構造を有するものと考える。

本発明の T A Β用テープの接着剤層には、熱可塑性樹脂（D) および熱硬化性樹脂（E ) を含有させることが好ましい。熱可塑性樹脂（D) は軟化温度を制御するのに有効であり、

12 差替え用紙（規則 26) 接着力、可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有し、熱硬化性樹脂（E ) は耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤層の強度等の物性のバランスを実現するために必要である。

熱可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、好ましくは 3 0〜6 0重量 ¾、さらに好ましくは 3 5〜 5 5重量％である。

熱可塑性樹脂としては、アタリロニトリル—ブタジェン共重合体（X B R ) 、ァクリロ二トリル—ブタジェンゴム—スチレン樹脂（A B S ) 、スチレン—ブタジエン一エチレン樹脂（ S E B S ) 、アクリル、ポリビニルプチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述のフエノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシァネ一卜基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。

熱可塑性樹脂として銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からボリアミド樹脂が好ましく、種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素数が 3 6であるジカルボン酸（いわゆるダイマ一酸）を含むものが好適である。ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマ一酸とジァミンの重縮合により得られる力く、この際にダイマ一酸以外のアジピン酸、ァゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジァミンはェチレンジァミン、へキサメチレンジァミン、ピぺラジン、等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から 2種以上の混合でもよい。

本発明の接着剤層に公知のエポキシ樹脂を添加すると、接着力の向上が計れるので好ましい。

エポキシ樹脂は 1分子内に 2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、式（ I ) で表される、ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂、式（ Π ) で表される、テルペン骨格含有エポキシ樹脂、式（m ) で表される、ビフニル骨格含有ェポキシ樹脂、式（IV ) で表される、ナフ夕レン骨格含有エポキシ樹脂を少なくとも 1種以上含有することが好ましい。

また、ビスフエノール F、ビスフエノール A、ビスフエノール S、レゾルシノール、トリヒドロキシベンゼン等のグリシジルエーテル、エポキシ化フヱノールノボラック、ェポキシ化クレゾ一ルノボラック、エポキシ化卜リスフエ二ロールメ夕ン、エポキシ化テ卜ラフエ二ロールェタン、エポキシ化メタキシレンジァミン、シクロへキサンェポキサイド等の脂環式エポキシ、テ卜ラブロモビスフヱノール Aとビスフノール Aの共重合型臭素化エポキシ樹脂、臭素化フエノールノボラック型エポキシ樹脂等の他のエポキシ樹脂と併用してもよい。

エポキシ樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは 2〜 2 0重量％、さらに好ましくは 4〜 1 5重量％で、熱可塑性樹脂 1 0 0重量部に対して 3〜7 0重量部である。

さらに、接着剤層にフノール樹脂を添加することにより、一層絶縁信頼性、耐薬品性、接着剤層の強度を向上させることができる。

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- 差替え用紙（規則 26) フエノール樹脂としては、ノボラック型フエノール樹脂、レゾール型フエノール樹脂等の公知のフヱノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フエノール、クレゾール、 p 一 t —ブチルフエノール、ノニルフエノール、 p—フエニルフエノール等のアルキル置換フエノール、テルペン、ジシクロペン夕ジェン等の環状アルキル変性フヱノール、二卜口基、ハロゲン基、シァノ基、アミノ基等のへテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフヱノ一ルド、ビスフ丄ノール Λ、ビスフエノール S、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フヱノールからなる樹脂が举げられる。中でも、レゾール型フエノール樹脂は絶縁抵抗低下時間が向上させる効果があるのでより好適である。特に、レゾール型フヱノール樹脂の構成成分として、下記（F ) および（G ) をそれぞれ含有すると、軟化温度の低下による接着力と絶縁性のバランスを得るのに極めて有効であり、好ましい。

( F ) 好ましくは炭素数 5〜 1 2、さらに好ましくは 7〜 1 0のアルキル基を少なくとも 1個以上有する 2官能性以上のフエノール誘導体。

( G ) 3官能性以上のフエノール誘導体。

ここでいう官能性とは、レゾールフエノール樹脂が付加縮合反応をして自己架橋する際のメチロール基とフエノール核の結合可能な部位（オルトおよびパラ位）の数の総和をいう。たとえば、オルトクレゾ一ルは 2官能、メタクレゾールは 3官能である。

( F ) は、フヱノール樹脂の可撓性を改善する成分であり、 C ₅〜C _{1 2}の飽和または不飽和アルキル基を有する 1 ~ 1 0核体のフエノール誘導体がいずれも使用できる。中でも飽和アルキルフエノールは化学的に安定であり好ましく、特に、ォクチルフヱノール、ノニルフヱノール、デシルフヱノールは硬化後の絶縁性と可撓性のバランスがよく、さらに好ましい。

( G ) は（F ) の架橋の不足を補う成分であり、付加縮合により 3次元架橋する機能があれば特に限定されないが、（F ) の成分との相容性ゃ加工の際の溶剤への溶解性等を考慮すると、フエノール、メタクレゾ一ル、ビスフエノール A、ビスフヱノール F等が例示される。このような組み合わせは、（F ) および（G ) のフノール誘導体を、それぞれレゾ一ル樹脂化した後に混合しても、当初からフヱノール誘導体混合物をレゾール樹脂化しても、いずれでもよい。

フエノール樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは 3 5を越え、 6 0重量％未満、さらに好ましくは 4 0以上、 5 0重量％以下で、熱可塑性樹脂 1 0 0重量部に対して 6 0 ~ 2 0 0重量部である。 3 5重量％以下では絶縁性が低下するので好ましくなく、 6 0重量％を以上では接着力が低下するので、いずれも好ましくない。

また、上記（F ) および（G ) のフエノール誘導体の比率は、好ましくは重量比で、 ( F ) ノ（G ) = 0 . 0 5 - 6 . 0、さらに好ましくは（ F ) / ( G ) = 0 . 2〜 4 . 0 である。

本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリェチルァミン錯体等の三フッ化ホウ素のァミン錯体、 2—アルキル一 4ーメチルイミダゾ一ル、 2—フニル— 4 一アルキルィミダゾール等のィミダゾ一ル誘導体、無水フタル酸、無水

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' 差替え用紙（規則 26) トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフヱニルフォスフィン、ジァザビシクロウンデセン、等公知のものが使用できる。添加量は接着剤層 1 0 0重量部に対して 0 . 1〜 1 0重量部であると好ましい。

以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で、フエノール系あるいはアミン系酸化防止剤、ハイドロタルサイ卜等のイオン捕捉剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。

本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィルムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフエ二レンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ァラミド、ポリカ一ボネー卜、ポリアリレート、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる厚さ 2 5 ~ 1 2 5 ^のフィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理をその片面または両面に施すことができる。

本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミネー卜する前に接着剤面から半導体用接着剤付きテープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリォレフィンフィルム、およびこれらをラミネ一卜した紙が挙げられる。

次に Τ Λ B用テープの製造方法について説明する。

ポリイミド等の可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は 5〜 2 5 となるように塗布することが好ましい。乾燥条件は、 1 0 0〜 2 0 0 ° (：、 1〜 5分である。溶剤は特に限定されないが、トルェン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適である。このようにして得られたフィル厶に保護フィル厶をラミネートし、最後に 3 5 ~ 1 5 8 m m程度にスリッ卜する。また、保護フィルムに上記接着剤組成物を塗布、乾燥し、任意の幅にスリツ卜した後に絶縁性フィルムとラミネー卜する方法でもよく、接着剤層と絶緣性フィルムの幅を異なるようにする場合に好適である。

本発明の W B用テープに用いられる接着剤層は、通常未硬化状態で供され、銅箔ラミネート後に加熱により硬化、架橋可能なもので、軟化温度が 1 2 0〜 2 0 0てであり、かつ 1 5 0 °Cにおける貯蔵弾性率 E ' が、 2 0〜 1 0 0 M P a、さらに 1 3 0 、 8 5 % R H の環境下で、直流 1 0 0 V印加し、放置した場合の絶縁抵抗低下時間が 5 0時間以上であることをを必須とするが、その他の特性および化学構造は特に限定されない。

ここでいう硬化後の該接着剤層の軟化温度は、動的粘弾性測定により求めたものであり、 t a n 6 ( t a η δ =損失弾性率 E ' ' /貯蔵弾性率 E ' ) のピーク温度で定義したものである。好ましい測定条件を実施例の評価方法（4 ) に示す。

軟化温度および 1 5 0てにおける貯蔵弾性率は、 W B特性との相関があると考えられ、軟化点は、好ましくは 1 2 0 ~ 2 0 0て、さらに好ましくは 1 4 0〜 1 7 0 °Cである。また、 1 5 0てにおける貯蔵弾性率は、好ましくは 2 0〜 1 0 O M P a、さらに好ましくは 3 0〜 8 O M P aである。軟化点が 1 2 0てより低いかまたは、貯蔵弾性率が 2 0 M F a

15 差替え用紙（規則 26) より低いと、 W B時に柔らかすぎてワイヤーの接続ができないことがあり、好ましくない。また、軟化点が 2 0 0てを越えるかまたは、貯蔵弾性率が 1 0 O M P aを越えると銅箔との接着力の低下および可撓性が低下するので好ましくない。

絶縁抵抗値および絶縁抵抗低下時問は、促進評価条件におけるものであり、実施例の評価方法（ 5 ) および（ 6 ) の条件で測定されたものをいう。絶縁抵抗値は好ましくは 5 X 1 0 ^β Ω以上、さらに好ましくは 1 X 1 0 ⁹ Ω以上である。 5 X 1 0 ⁸ Ωより低い場合、本発明の半導体装置の絶縁耐久性が低下するので好ましくない。

絶縁抵抗低下時間とは、上記の絶縁抵抗値の測定を連続的に行った場合に、絶縁抵抗値が基準値以上に低下するのに要する時間で定義する。 1 3 0て、 8 5 ¾ Κ Ηの環境下で直流 1 0 0 V印加の場合は、基準値は 1 0 ⁷ Ω、 1 5 0ての環境下で直流 1 0 () V印加の場合は、基準値は 1 0 ⁹ Ωである。

従来、 W B特性を向上させようとすると、軟化温度あるいはガラス転移温度を高くし、かつ貯蔵弾性率を増加さればよく、架橋密度の高い熱硬化樹脂系を使用する方法が一般的であった。しかし、この場合、常温で硬く、脆い特性となり、銅箔との接着力の低下および可撓性の低下が生じた。この点を改善するために、従来は熱可塑性樹脂を混合する方法が検討されているが、 W B特性と接着性、可換性は相反関係にある。これは、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との相容性が適正でないためと考える。相容性は、硬化後の接着剤のミクロ相分離構造を決定する因子であり、ポリマーブレンドにおいて、粘弾性特性がミクロ相分雜構造に依存することが知られている。したがって、本発明の W B用テープでは、接着剤層の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の相容性を制御して配合したことが、硬化後の接着剤のミクロ相分離構造を適正化し、 W B特性と接着性、可撓性とのバランスが実現できたものと考える。

本発明の W B用テープの接着剤層には、熱可塑性樹脂（D ) および熱硬化性樹脂（Ε ) を含有させることが好ましい。熱可塑性樹脂（D ) は軟化温度および貯蔵弾性率を制御するのに有効であり、接着力、可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶緣性の向上等の機能を有し、熱硬化性樹脂（Ε ) は耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤層の強度等の物性のバランスを実現するために必要である。

熱可塑性樹脂（D ) の添加量は接着剤層の、好ましくは 3 0〜 6 0重量？' 0、さらに好ましくは 3 5 ~ 5 5重量％である。

熱可塑性樹脂としては、ァクリロ二トリルーブタジェン共重合休（ヽ B R ) 、ァクリロニ卜リルーブタジエンゴム一スチレン樹脂（A B S ) 、スチレン—ブタジエンエチレン樹脂（ S E B S ) 、アクリル、ポリビニルプチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述のフエノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシァネート基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能

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- 差替え用紙（規則 26) 基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。

熱可塑性樹脂として銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からポリァミド樹脂が好ましく、種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素数が 3 6であるジカルボン酸（いわゆるダイマ一酸）を含むものが好適である。ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマ一酸とジァミンの重縮合により得られる力く、この際にダイマ一酸以外のアジピン酸、ァゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジァミンはェチレンジァミン、へキサメチレンジァミン、ピぺラジン、等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から 2種以上の混合でもよい。

熱可塑性樹脂として公知のエポキシ樹脂を添加すると、接着力の向上が計れるので好ましい。

エポキシ樹脂は 1分子内に 2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、熱可塑性樹脂との相容性が重要であり、適正な範囲のものを選択すると好適である。ここでいぅ相容性とは、熱可塑性樹脂とエポキシ樹脂を重量比で 1 Z 1に混合して作成したフィルムのヘイズで定義する。具体的な測定方法は実施例の評価方法（ 1 7 ) に示す。ヘイズは、好ましくは 8 ~ 4 5、さらに好ましくは 1 0 ~ 3 5である。 8以下では相容性が良好すぎて、単なる混合物としての平均的特性を得るにすぎないので好ましくない。また、 4 5以上では不均一すぎて、いずれか一方の成分の特性が強く発現されるので好ましくない。

具体的なエポキシ樹脂として、ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂、テルペン骨格含有エポキシ樹脂、ビフヱニル骨格含有エポキシ樹脂、レゾルシノールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシルエステル、エチレンオキサイド変性ビスフエノール Aジグリシジルエーテル（たとえば、 B E O— 6 0 E、新日本理化（株）製）、等が例示される。中でも、式（ I ) で表される、ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂、式（ Π ) で表される、テルペン骨格含有エポキシ樹脂、式（ΠΙ ) で表される、ビフエニル骨格含有ェポキシ樹脂は、耐熱性が良好であり、特に好ましい。

また、ビスフエノール F、ビスフエノール A、ビスフエノール S、トリヒドロキンベンゼン、ジヒドロキシナフタレン、等のグリシジルエーテル、エポキシ化フエノールノボラック、エポキシ化クレゾ一ルノボラック、エポキシ化卜リスフエ二ロールメタン、ェポキシ化テトラフヱ二ロールェタン、エポキシ化メタキシレンジァミン、シクロへキサンェポキサイド等の脂環式エポキシ、テ卜ラブロモビスフヱノール Aとビスフヱノール Aの共重合型臭素化エポキシ樹脂、臭素化フエノールノボラック型エポキシ樹脂等の他のエポキシ樹脂と併用してもよい。

エポキシ樹脂の添加量は、接着剤層の好ましくは 1 0〜4 0重量％、さらに好ましくは 1 5〜3 0重量％で、熱可塑性樹脂 1 0 0重量部に対して 1 5〜 1 4 0重量部である。 1 0重量％以下では軟化点が低く、 W B特性が低下し、接着力も低い。また、 4 0重量％以上では絶縁性が低下するので好ましくない。

本発明において、接着剤層にフニノール樹脂を添加することにより、一層絶縁信頼性、耐薬品性、接着剤層の強度を向上させることができる。

17 差替え用紙（規則 26) さらに、熱可塑性樹脂として公知のフエノール樹脂を添加すると、絶縁性、耐薬品性、接着剤層の強度の向上が計れるので一層好ましい。

フエノール樹脂としては、ノボラック型フヱノール樹脂、レゾ一ル型フヱノール樹脂等の公知のフエノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フヱノール、クレゾール、 p 一 t 一プチルフヱノール、ノニルフヱノール、 p—フニニルフエノール等のアルキル置換フエノール、テルペン、ジシクロペン夕ジェン等の環状アルキル変性フ Xノール、ニトロ基、ハロゲン基、シァノ基、アミノ基等のへテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフエノール F、ビスフエノール A、ビスフエノール S、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フノールからなる樹脂が挙げられる。中でも、レゾール型フエノール樹脂は絶緣抵抗低下時間を向上させる効果があるのでより好適である。

フユノール樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは 3 5を越え、 6 0重量％未満、さらに好ましくは 4 0以上、 5 0重量％以下で、熱可塑性樹脂 1 0 0重量部に対して 6 0〜 2 0 0重量部である。 3 5重量％以下ではと絶縁性が低下するので好ましくなく、 6 0重量％以上では接着力が低下するので、いずれも好ましくない。

本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフユノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリェチルァミン錯体等の三フッ化ホウ素のァミン錯体、 2 一アルキル— 4—メチルイミダゾール、 2—フヱニルー 4 一アルキルイミダゾ一ル等のイミダゾ一ル誘導体、無水フ夕ル酸、無水卜リメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、卜リフエニルフォスフィン、ジァザビシクロウンデセン、等公知のものが使用できる。添加量は接着剤層 1 0 0重量部に対して 0 . 1 - 1 0重量部であると好ましい。

本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィルムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフニ二レンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ァラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー卜、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる厚さ 2 5〜 1 2 5 μのつィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積屑して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理をその片面または両面に施すことができる。

本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミネー卜する前に接着剤面から半導体用接着剤付きテープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコ一ティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリォレフィンフィルム、およびこれらをラミネ一卜した紙が挙げられる。

次に W B用テープの製造方法について説明する。

ポリイミド等の可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は 5〜 2 5 となるように塗布することが好まし

18 差替え用紙（規則 26) い。乾燥条件は、 1 0 0~ 2 00。 (：、 1〜 5分である。溶剤は特に限定されないが、トルェン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適である。このようにして得られたフィル厶に保護フィルムをラミネートし、最後に 3 5〜 1 5 8 mm程度にスリッ卜する。また、保護フィルムに上記接着剤組成物を塗布、乾燥し、任意の幅にスリットした後に絶縁性フィルムとラミネ一卜する方法でもよく、接着剤層と絶縁性フィルムの幅を異なるようにする場合に好適である。

以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前に評価方法について述べる。

(評価方法）

( 1 ) 半導体接続基板の配線基板層（C) (評価用パターンテープ）の作成

T A B用接着剤付きテープ（3 1 N 0 - 0 0 E S、東レ（株）製）に、 1 8 mの電解銅箔（ 3 E C— V L P、三井金属鉱業（株）製）を、 1 4 0。 (：、 0. 1 P aの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で 8 0。 (：、 3時間、 1 0 0て、 5時間、 1 5 0 、 5 時間の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付き T A B用テープを作成した。得られた銅箔付き T A B用テープの銅箔面に常法によりフォ卜レジス卜膜形成、ェッチンク"、レジス卜剥離を行ない、評価用パターンテ一プを作成した。

(2) 半導体接続基板の導体パターンが形成されていない層（D) (補強、放熱板）の作成

厚さ 1 mmの純銅板に、厚さ 1 0 0 mの接着剤シートを、 1 4 0 、 0. I MP aの条件でラミネートした後、 3 0 mm角に成形した。

(3 ) 導体パターン埋め込み性およびキュア発泡の評価

を、（ 1 ) の評価用パターンテープの導体パターン面に、（ 2 ) の接着剤付き純銅板を 1 3 0 °C、 0. 1 MP aの条件でラミネートした後、エアオーブン中で 1 5 0て、 2時間加熱キュア処理を行なった。これを、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液中に浸潰し、前記純銅板を溶解した。最後に露出した接着剤層を、 3 0倍の実体顕微鏡にて観察してキユア時の発泡および導体パターンの埋め込み性を評価した。

(4 ) 接着力の評価

(2 ) と同一仕様の接着剤層付き純銅板を、ポリイミドフィルム（宇部興産（株）製 " ユーピレックス" 75 S ) に、 1 3 0て、 0. I MP aの条件でラミネー卜した後、エアオーブン中で 1 5 0° (：、 2時間加熱キュア処理を行なった。得られたサンプルのポリイミドフィルムを幅 2 mmになるように切断し、引張試験器（じ C T— 1 0 0型、（株）オリェンテック製）にて、 90。方向に 5 0 mmノ minの速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。

( 5 ) 絶縁信頼性

( 1 ) の評価用パターンテープの、導体幅 1 00 m、導体間距離 1 0 0〃 mのくし型形状の評価用サンプルの導体パターン面に、（2 ) と同一仕様の接着剤層付きの純銅板を、 1 3 0て、 0. I MP aの条件でラミネ一卜した後、エアオーブン中で 1 5 0て、 2時間加熱キュア処理を行なった。得られたサンプルを用いて、 8 5て， 8 5%RHの恒溫恒湿

19 差替え用紙（規則 26) 槽（ャマ卜科学（株）製、 I E - 2 1型）内で 1 0 0 Vの電圧を連続的に印加した状態において、測定直後と 2 0 0時間後の抵抗値を、超絶縁計（D SM - 8 1 0 1型、東亜電波

(株））により測定した。

(6 ) 半田耐熱性

上記（4 ) の方法で作成した 3 0 mm角のサンプルを、 8 5 C, 8 5% RHの雰囲気下で 4 8時間調湿した後、すみやかに半田浴上に 6 0秒間浮かべ、膨れおよび剥がれのない最高温度を測定した。

( 7 ) 熱サイクル試験

上記（ 4 ) の方法で作成した 3 0 mm角のサンプルを、熱サイクル試験器（タバイエスペック（株）製、 P L - 3型）中で、 — 20て〜 1 0 0て、最低および最高温度で各 1時間保持の条件で 6 00サイクル処理し、剥がれの発生を評価した。

( 8 ) 貯蔵弾性率測定

接着剤シ一卜を積層し、約 5 0 0 /mの厚みとした後 1 5 0°C、 2時間のボス卜キュアを行ない、サンプルを作成した。これを引張モードの動的粘弾性測定装置（R HE OV [ B ROK -DDV- Π ,/ ΙΠ - E A、（株）ォリエンテック製）にて周波数 3 5 H z、昇温速度 2て m i n で測定した。

( 9 ) 線膨張係数測定

(8 ) と同様の約 5 0 0 ^mの厚みのサンプルを 3枚積層した。これを微小定荷重熱膨張計（理学電機（株）製）にて圧縮モ一ドで 2 m i n— ¹で昇温し、基準温度 2 5ての線膨張率から線膨張係数を求めた。

( 1 0 ) 破壊エネルギー測定

( 8 ) と同様にして作成した、 1 50て、 2時間のポストキュア後の厚み約 1 0 0 m のサンプルを、引張試験器（じ C T— 1 0 0型、（株）オリエンテック製）にて、 5 0 m m/min の速度で引張試験を行い、破断に至るまでの応力 -ひずみ曲線を記錄し、その曲線下の面積から破壊エネルギーを求めた。

( 1 1 ) TAB用テープサンプルおよび WB用テープサンプルの作成方法

本発明の T A B用接着剤付きテープおよび WB用テープを用い、（ 1 ) と同一の方法で、評価用パターンテープをそれぞれ作成した。

( 1 2 ) メッキ処理

( 1 1 ) で得たサンプルに、ホウフッ酸系の無電解スズメツキ液（し T一 3 4、シプレ一 - ファーイ一スト製）に 7 0てで浸潰処理し、 0. 5 厚のスズメツキを施した。接着力測定用のサンプルは、導体幅 5 O i mとした。また、絶緣性測定用サンプルは、図 7の形状のものを用いた。図 7において 4 8は絶縁測定用パターンの導体部であり、 J 9は T A Bテープの接着剤層、 5 0は有機絶縁フィルムを示す。

( 1 6 ) のワイヤ一ボンディング特性測定用のサンプルは、 0. 1 m厚のニッケルメツキ下地の上に、 0. 5 m厚の電解金メッキ（ォゥ口ベル U P— 2 4、ジャパンロナ一ル（株）製）を行った。

( 1 3 ) TAB用テープおよび WB用テープの銅箔接着力の評価

( 1 1 ) および（ 1 2 ) の方法で得た、導体幅 5 0 mのサンプルの銅箔を、引張試験

20

" 差替え用紙（規則 26) 器（じ TM— 1 1— 5 HR (株）オリエンテック製）にて、 90⁼ 方向に 5 0 mmZ'min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。

( 1 4 ) 高温高湿絶縁信頼性

上記（ 1 1 ) および（ 1 2 ) の方法で得た、図 7に示す導体幅 2 5 、導体間距離 2 5 〃のくし型形状の評価用サンプルを用いて、恒温恒湿槽（タバイエスペック（株）製、 T P C - 2 1 1 D型）中で 1 3 0 C, 85 % R H , 直流 1 0 0 Vの電圧を連続的に印加した状態において、抵抗値が 1 0⁷ Ω以下となる絶縁抵抗低下時間を測定した。抵抗値は、超絶縁計（D SM— 8 1 0 1型、東亜電波（株））により測定した。

( 1 5 ) 高温絶縁信頼性

上記（ 1 4 ) と同形状の評価用サンプルを用いて、エアオーブン（ャマ卜科学（株）製、 I D— 2 1型）中で 1 5 0 C, 直流 1 0 0 Vの電圧を連続的に印加した状態において、抵抗値が 1 0⁹ Ω以下となる絶縁抵抗低下時問を測定した。

( 1 6 ) ワイヤーボンディング特性の評価

( I 1 ) および（ 1 2 ) の方法で作成した、 WB用テープ（金メッキパターンテープ）に、 1 8 0て、荷重 6 0 g、超音波周波数 58 k H zで、金ワイヤ一をボンディングした _c 引張強度試験器（マイクロテスター 2 2型、ディジ社製）にて引張強度試験を行った。

( 1 7 ) ヘイズ測定

熱可塑性樹脂およびエポキシ樹脂を重量で 1 / 1に混合し、両者の共通溶剤で濃度約 1 0重量？ /₀となるように溶解した後、キャスティング法により、乾燥後の膜厚約 1 2 i mとなるように製膜する。得られたサンプルを用いて、 J I S— K 7 1 0 5に準拠の方法でへィズを測定した。

( 1 8 ) 寸法精度（硬化時の反り ) 評価

7 5 / m厚の基材ポリイミドフイルムに 1 2 m厚の接着剤層を有する、 TA B用テ一プサンプルを、 3 5 mm X 6 mmに切り出し、カバーフィルムを取り除き、（ 1 ) と同一条件でポストキュアした。接着剤を内側にしてカールするので、これを平板上にアーチ状になるように置いて、平板からの最大高さをマイクロメータで測定した。

参考例 1 (ポリアミド樹脂の合成）

酸成分として、ダイマー酸（P R I POし 1 00 9、ュニケマ社製）、ァミン成分としてへキサメチレンジァミン（和光純薬（株）製）を用い、酸ノアミン比を 1. 1〜0. 9 の範囲で変えて、酸ノアミン反応物、消泡剤および 1 %以下のリン酸触媒を加え、ポリアミド反応体を調製した。このポリアミド反応体を、 1 4 0て， 1時間撹拌加熱後、 2 0 5 てまで昇温し、約 1. 5時間撹拌した。約 1 5mmH gの真空下で、 0. 5時間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添加し、アミン価 2. 5のポリアミド樹脂を取り出した。

参考例 2 (高分子量レゾールフノール可溶分の作成）

高分子量レゾールフヱノール（ベルパール S 89 5、鐘紡（株）製）を、クロルベンゼンに、重量約 1 0%となるように 6 0°Cで溶解する。溶液を、 0. 5 zmのフィルタ一で it過し、可溶分を取り出した。瀘過前後の固形分濃度の差から、求めた可溶分は 9 6%であった。

21 差.替え用紙（規則 26) 実施例 1

水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、 Π— 4 2 に）をトルエンと混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、： B R - C (日本合成ゴム（株）製、 Pヽ' R— 1 H) 、ビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シヱルエボキシ（株）製、 " ェピコ一卜'' 8 34、エポキシ当量 2 5 0 ) 、臭素化エポキシ樹脂（油化シヱルエポキシ（株）製、 '' ェピコート" 5 05 0、臭素含有率/！ 9°'ό、エポキシ当量 39 5 ) 、 4, 4 ' ージアミノジフエニルスルホンおよび分散液と等重量のメチルェチルケ卜ンをそれぞれ表 2の組成比となるように加え、 3 0 で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液をバーコ一夕で、シリコーン離型剤付きの厚さ 2 5 のポリエチレンテレフタレートフイルム（藤森工業（株）製 "フィルムバイナ" GT) に約 5 0 の乾燥厚さとなるように塗布し， 1 7 0°Cで 5分間乾燥した。これを接着剤面どうしを合せて 2枚積層し、接着剤厚み 1 0 0 の接着シートを作成した。この接着剤シートを厚さ 0. 1 mmの純銅板に 1 0 0て、 0. し M P aの条件でラミネートし、接着剤層付き純銅板を得た。特性を表 3に、貯蔵弾性率および線膨張係数の温度依存性を、図 8および図 9にそれぞれ示す。

上記の手順で得られた接着剤層付き純銅板を外形 3 0 mm角で中央に 20 mm角の穴が開いた形に打ち抜き加工した。一方、前述の評価方法（ 1 ) と同一の方法で図 7に示すパターンテープを作成した。ただし、導体パターン面に感光性ソルダーレジス卜（" P r o b i m e r " 7 1、チバガイギ一社製）を塗布、乾燥し、フォ卜マスクで露光、現像、熱硬化させ半田ボール接続用のパッド上はレジストを除去した。次いで、前記純銅板の穴がパターンテープのデバイスホールに対応するように位置を合せて、 1 3 0て、 0. I MP aの条件で導体パターンと反対面に熱圧着した後、エアオーブン中で 1 5 0て、 2時間加熱キュア処理を行ない、半導体接続基板を作成した。

さらに、この半導体接続基板のインナーリード部に 4 5 0 °C, 1分の条件でインナ一リ —ドボンディングを行ない、半導体集積回路を接続した。次いで、エポキシ系液状封止剤 (北陸塗料（株）製 "チップコート" 1 3 20— 6 1 7 ) で樹脂封止を行なった。半田ボ一ル接銃用のパッド上にクリーム半田印刷した後、直径 0. 3 mmの半田ボール（田中電子工業 (株）製）を配置し、 260てのリフロー炉中で加熱して、半導体装置を得た。図 1 は得られた半導体装置の断面を示したものである。

実施例 2

球状シリカ（トクャマ（株）製、 " ェクセリカ" ）をトルエンと混合した後、サンドミル処理してシリカ分散液を作成した。この分散液に、 XB R— C (日本合成ゴム（株）製、

PNR— 1 H) 、 S E B S— C (旭化成（株）製、 MX— 0 7 3) 、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂（大日本インキ化学（株）製、 "ェピクロン" H P 4 0 3 2、エポキシ当量

1 5 0 ) 、 4, 4 ジアミノジフエニルスルホン、および分散液と等重量のメチルェチルケトンをそれぞれ表 1の組成比となるように加え、 3 0てで撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて実施例 1と同様にして接着剤層付き純銅板を得た。特性を表 3に示す。

実施例 3 ~ 6

22 差替え用紙（規則 26) 実施例 1 と同様の方法で、それぞれ表 1に示した原料および表 2に示した組成比で調合した接着剤を用いて半導体接続基板用接着剤シー卜を得た。特性を同じく表 3に示す。比較例 1

水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、 H- 4 2 I ) をトルエンと混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、 XB R - C (日本合成ゴム（株）製、および分散液と等重量のメチルェチルケトンをそれぞれ表 2の組成比となるように加え、 3 0てで撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて実施例 1と同様にして接着剤層付き純銅板を得た。特性を表 3に示す。比較例 2

水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製、 H— 4 2 I ) をトルエンと混合した後、サンドミル処理して水酸化アルミニウム分散液を作成した。この分散液に、フエノールノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、 P S.M 4 26 1 ) 、へキサメチレンテトラミンおよび分散液と等重量のメチルェチルケトンをそれぞれ表 2の組成比となるように加え、 3 0てで撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を用いて実施例 1 と同様にして接着剤層付き純銅板を得た。特性を表 3に示す。

表 1および表 2の実施例および比較例から本発明により得られる半導体装置用接着剤組成物は、加工性、接着力、絶緣信頼性および耐久性に優れることがわかる

実施例 7

参考例 1で得たポリアミド樹脂（ァミン価 2. 5 ) 、エポキシ樹脂（大 H本インキ化学 (株）製、 "ェピクロン" H P 4 0 3 2、エポキシ当量 1 5 0 ) 、ノニルフェノール型レゾ一ルフヱノール樹脂（昭和高分子（株）製、 CRM 08 0 3 ) 、ストレー卜型フヱノールレゾール樹脂（住友デュレズ（株）製、 PR 50 0 87 ) 、 p— t — B u/ビスフエノ —ル A混合型（p— t— B uノビスフェノール A - 8/2 ) フエノ一ルレゾ一ル樹脂（昭和高分子（株）製、 C KM 9 3 5 ) 、 DBじをそれぞれ表 2の組成比となるように配合し、濃度 2 0重量％となるようにメタノール/モノクロルベンゼン混合溶媒に 3 0てで撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤をバーコ一夕で、保護フイルムである厚さ 2 5 //のポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製" ノレミラ一" ) に約 1 2 の乾燥厚さとなるように塗布し， 1 00て、 1分および 1 60てで 5分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成した。さらに、得られた接着剤シートを有機絶縁フィルムである厚さ 7 5 / のポリイミドフイルム（宇部興産（株）製 "ュ一ピレックス" 7 5 S ) に 1 2 0て、 1 k gノ c m²の条件でラミネートして T A B用接着剤付きテープを作成した。特性を表 4 に示す。また、図 1 0に t a n <5の温度依存性の測定結果を、図 1 1に 1 3 0て， 85 % RH, 直流 1 0 0 Vの条件下での絶縁抵抗測定結果をそれぞれ示す。

前述の評価方法（ 1 1 ) と同様の方法で、 I C接続用の導体回路を形成し、図 3に示す半導体接続用基板（パターンテープ）を得た。

上記のパターンテープを用いて、 4 5 0て， i分の条件でインナーリードボンディングを行ない、 I Cを接続した。しかるのちに、エポキシ系液状封止剤（北陸塗料（株）製 " チップコ一卜" 1 3 2 0— 6 1 7 ) で樹脂封止を行ない、半導体装置を得た。図 1は得られた半導体装置の断面を示したものである。

23 差替え用紙（規則 26) 実施例 8 ~ 1 1、および比較例 3〜 6

実施例 7と同様の方法で、それぞれ表☆に示した原料および組成比で調合した接着剤を用いて半導体用接着剤付きテープを得た。特性を同じく表 4に示す。また、比較例 1 および 2の t a n (5の測定結果を図 1 0に示す。

表 4の実施例および比較例から本発明により得られる T A B用接着剤付きテープは、接着力、寸法精度および絶縁信頼性に優れることがわかる。

実施例 1 2

参考例で得たポリアミド樹脂（アミン価 2. 5 ) 、エポキシ樹脂（東都化成（株）製、 Z X 1 2 5 7、エポキシ当量 26 0 ) 、 p— t — B uフヱノ一ル型レゾ一ルフェノ一ル樹脂（昭和高分子（株）製、 CKM 1 6 34 G) 、 p— t - B uノビスフエノール A混合型 ( p - t - B u/ビスフヱノール A= 8 / 2 ) フエノールレゾール樹脂（昭和高分子（株）製、 C KM 9 0 8 ) 、 D Bじをそれぞれ表 5の組成比となるように配合し、濃度 2 0重量 %となるようにメ夕ノール/モノクロルベンゼン混合溶媒に 3 0°Cで撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤をバーコ一夕で、保護フィルムである厚さ 2 5 のポリエチレンテレフ夕レ一トフイルム（東レ（株）製" ノレミラ一" ）に約 1 2〃の乾燥厚さとなるように塗布し， 1 0 0て、 1分および 1 6 0てで 5分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成した。さらに、得られた接着剤シ一卜を有機絶縁フィルムである厚さ 7 5 のポリィミドフイルム（宇部興產（株）製 "ユーピレックス" 7 5 S) に i 2 0° (：、 1 k gZc m²の条件でラミネートして WB用接着剤付きテープを作成した。特性を表 5に示す。また、図 1 2に、貯蔵弾性率 E ' 、図 1 3に t a n 5の温度依存性の測定結果を示す。

前述の評価方法（ 1 1 ) と同様の方法で、 I C接続用の導体回路を形成し、図 5に示す半導体接銃用基板（パターンテープ）を得た。図 5において、 3 1は WB用テープの接着剤層、 3 2は有機絶緣性フィルム、 3 3はスプロケット孔、 34は導体パターン、 3 5はハンダボール接続部の導体、 3 6は WB用導体パッドを示す。

上記のパターンテープを用いて、 4 5 0て， 1分の条件でインナ一リードボンディングを行ない、 I Cを接続した。しかるのちに、エポキシ系液状封止剤（北陸塗料（株）製 " チップコート" 1 3 2 0— 6 1 7 ) で樹脂封止を行ない、半導体装置を得た。図 6は得られた半導体装置の断面を示したものである。図 6において、 3 7は I Cチップ、 3 8は 1 C電極、 3 9は金ワイヤー、 4 0は有機絶縁フィルム、 4 1は WB用テープの接着剤層、 4 2はダイボンド接着剤層、 4 3はハングホール接続部の導体、 4 4はハンダボ一ル、 4 5は半導体接続基板の接着剤層、 4 6は導体パターンが形成されてない層（補強板）、 4 7は封止樹脂を示す。

実施例 1 3 ~ 1 5、および比較例 7〜 8

実施例 1 2と同様の方法で、それぞれ表 1に示した原料および表 5に示した組成比で調合した接着剤を用いて半導体用接着剤付きテープを得た。特性を同じく表 5に示す。また、比較例 1の t a η δの測定結果を図 1 3に示す。

表 5の実施例および比較例から本発明により得られる半導体用接着剤付きテープは、接着力および絶縁信頼性に優れることがわかる。

24 差替え用紙（規貝 G) 表 1

*1)ヘイズは参考例のボリアミド榭脂に対する値。測定法は jffi方法（ 1 7) による _£ *2)液状。実旌例中の配合 iは固形分表示。

*3)液状。実施例中の配合 iは固形分表示。

*4)参考例 2の方法で得た可 ¾成分。

25

差替え用紙（規則 2 表 2

表 3

実施比铰例抨 ffl項 s

1 2 3 4 5 6 1 2 パターン埋め込み性良好良好良好良好良好良好良好不良キュア発泡し Άし Άし ⁷よしなしなしなしあり录 ||離強度 /10，Ν πΓ' 1. 74 1. 53 1. 4 3 1. 35 - 4 1. 88 2. 5 1 0. 33

100 1 30 21 0 181 220 859 2 5000 絶緣信 ffi性 ΖΜί2

2001$間 93 1 20 90 175 207 848 短絡 2000 半田 W熱性 Z°c 260 260 240 260 260 230 21 0以下 270 熱サイクル轼！ * 續なし剁雜なしま擻なし釗 1»なしま |J«なしま (1離なし ¾雕¾生剝雕発生貯葳性率ノ MP a -4000 〜4 000 10〜 5~ 5〜 2〜 0. 0 ド 2000〜'

5000 4000 4000 2000 -220 1 0 000 張係数 /1 0 て-' 4- 1 9 ト 20 1〜 18 4〜 20 3〜 20 10〜25 60〜 6〜 1 0 则定不可

エネルギーノ 1 0⁵Ν π ' 38. 7 45. 3 31. 4 4 1. 5 35. 2 13. 4 4. 6 1. 2

啉^ λ a 表 4

実施例

項目

7 8 9 1 0 1 1 熱可塑性！《)» P A =】 00 P A = 1 0 0 P A = 1 00 p A = 1 00 p A = 1 0 0 フ ιノール 1 CRMO 8 0 3 C RMO 8 03 CRMO 803 C M 08 03 CRMO 8 03

=35 = 50 = 50 =7 0 = 7 0 フ： tノール脂 "> P R 5008 7 P 500 87 P R 50087 S ft 95 S> 8 u Q si S aii H&*yj}-

=30 = 50 = 50 =4 5 -45

フノール 3 CK 93 5 一 CK S 38 OA 一

=35 = 37

ェボ+シ H P 4032 H P 4032 YX 4000 H H P 7200 Y r fi 24 1

= 2 2 = 22 = 1 3 - 1 5 = 1 5

ほ化促 itW DB U= 0. 5 D B U = 0. 5 DB U= 0. 5 DB U= 0. 5 DB U= 0. 5 軟化度 Ό 86 80 87 90 85

¾エネルギー 1 0 'Ν π ' 8. 8 1 2. 2 9. 0 1 1 - 1 9. 7 接着力 / 1 0，N tn— ' 1. 1 5 1. 2 6 1. 0 1 1. 06 1. 1 5 高温高 ifi ί刀朋低 lit値 ΖΩ 2 l 0⁹ 1 1 0' 2 x 1 0 · 3 x 1 0 ' 2 1 0 ' *fe雜

緣低下 i M Zh 500以上 500以上 5 0 0以上 500以上 500以上萵温 inrn rn /Ω 1 x 1 0 7 1 0 * 1 x 1 0¹⁰ 1 1 0 " 1 x 1 0 " ½

½緣低下》問 /h 500以上 500以上 500以上 500以上 5 00以上硬化後の反り /mm 0. 1 1 0. 1 5 0. 2 1 0. 1 8 0. 2 0

表 4つづき

比 «

項目

3 4 •5 6 熱可塑性樹胞 p A = 1 00 p A = 1 n n P A = l n n

CRMO 8 03 CRMO 8 03 CKM 1 6 34 CRMO 8 0 3 = 20 一一《 — i n Π

7 f <ノ一 /■'w^uHa 2 PR 50087 p M 1 R ¾ d P R Π Ω ft 7

= 1 0 G= 80 = 30

フエノール樹胞 3 CKM9 3 5 CK S 38 0 A CKM9 3 5 - = 20 一 o u 一

' *、ャ Wfl曰 Π r 1 U li r 4 U a <: M r 4 U ^

= 1 0 =22 = 22 ほ化促進剤 DB U = 0. 5 DB U= 0. 5 DB U= 0. 5 DB U= 0. 5 軟化 ifi度 Z'C o 5 2 1 23 89 78

¾¾エネルギー / 1 0 ^SN m"¹ 4. 6 1 0. 1 1 0. 3 6. 3 接着力 /1 O 'N m— ' 1. 28 0. 4 2 0. 57 0. 88 萵瀠高逭初期抵抗値 /Ω 9 x 1 0 * 3 x 1 0 ' 2 x 1 0 " 8 x 1 0 ' 性

緣低下時間 / 20 5 00以上 50 0以上 4 0 高诅初期抵抗《1 ノ Ω 3 1 0 ' 1 X 1 0 " 8 1 0 * 5 1 0 * 腿性

絶縁低下時間 /h 5 5 00以上 4 20 1 4 0 ほ化後の反り /mm 0. 1 3 1. 1 2 0. 67 0. 1 1

表 5

実旄例比 « 例

項目

1 1 丄 7

P A= 1 00 P A= 100 PA- 1 00 P A= 100 Ρ Α= 1 00 PA = 1 00 フエノール CKM 1 636 C KM 1636 CKM 1 636 CKM 1636 C RMO 803 CK S 380 A

一 u = b U — o U し一 / t> = 2 U = 1 50 ノエノ——ノレ ftJJlB し KM 908 C K S 38 OA S 895可分 S 8 y 5 -可=溶分 P 5 u 087 P R 50087

= 50 = 50 =50 =75 = 10 = 1 50 フノール樹 ΪΒ3 一一一 ― CKM935 = 20 - エポキシ樹脂 ZX 1257 Z X 1257 Y L 624 1 Y X 4000 n H P 4032 H P 7200

= 50 = 50 =50 =70 = 1 5 0

S化促進刑 DD U = 0. 5 D B U = 0. 5 DB U= 0. 5 DB 0. 5 DB U= 0. 5 D B U = 0. 5 軟化 a度 /て 1 60 1 86 1 8 152 52 2 1 0

1 50°C貯¾5!iί性率/MPa 50. 4 58， 5 68. 7 70. 1 4. 2 82. 4 接着力 Z 1 0⁵N m"' U . 4 ί

WB強度 /N 1. 08 0. 95 1. 0 1 0. 85 WB不可 fig 0. 5 1 髙温高湿初朋抵沆通 /« 2 x 10 ' 1 x 1 0" 2x 1 0* 2x 10' 9 x 1 0 ' 3 x 1 0 " ½緣性

絶蝝低下時間 /h 500以上 500以上 500以上 500 上 20 50 0以ヒ初期抵抗 ffi /Ω 1 10¹⁰ 7 1 0* 1 x 1 0 " 1 10 " 3x 10" 1 X 1 0 ^,0 絶ほ性

ifeほ低下 1 龃 /h 500以上 500以上 500以上 500以上 5 500¾上

産業上の利用可能性

本発明は、半導体集積回路の実装に使用される半導体接続基板の接着剤層に適した接着剤シート、テープオートメ一テツドボンディング（T A B ) 方式に用いられる接着剤付きテープ（以下 T A B用テープと称する）、ワイヤ一ボンディング接続方式（以下 W B用テープと称する）に用いられる接着剤付きテープ、およびそれらを用いた半導体接基板ならびに半導体装置を工業的に提供するものであり、本発明によって高密度突装用の半導体装置の信頼性を向上させることができる。

31 差替え用紙（規則 26)

Claims

請求の範囲

1 · 基板上に、接着剤層を有する積層体より構成された半導体接铙基板用接着剤シートであって、前記接着剤層が、熟可塑性樹脂 ( Α) およびエポキシ樹脂（Β) を含有し、前記エポキシ樹脂（Β) が、下記（ I ) 、（Π) 、 (ΙΠ) および（IV) から選ばれた少なくとも 1種のエポキシ榭脂（Β) を必須成分として含有することを特徴とする半導体接铳基板用接着剤シート。

( I ) ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂。

(Π ) テルペン骨格含有エポキシ樹脂

(m) ビフユ二ル骨格含有エポキシ樹脂

(IV) ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂

2. ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂（b 1 ) が、次式（ I ) で表されることを特徴とする半導体接铙基板用接着剤シート。

( (【）式中、 ί^~ί^は、水素原子、 C ,〜(；の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

3. テルペン骨格含有エポキシ樹脂（b 2 ) が、次式（II) で表されることを特徴とする半導体接統基板用接着剤シート。

((Π)式中、 1^〜1^は、水素原子、 C の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

4. ビフエニル骨格含有エポキシ樹脂（b 3 ) 力、'、次式（ΠΙ) で表されることを特徴とする半導体接統基板用接着剤シー卜。

32 差替え用紙（規則 26)

((【11)式中、 Rt~R,は、水素原子、 C【~C<の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

5. ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂（b 4) 力 <、次式 (IV) で表されることを特徴とする半導体接铙基板用接着剤シート。

〔（IV)式中、 R,~R,のうち 2個の基は 2. 3 -エポキシプロボキシ基であり、残りの基は水素原子、 C ,〜（^の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

6. 請求項 1~ 5のいずれか S載の半導体接珐基板用接着剤シートを用いた半導体接铰用基板。

7. »求項 6記載の半導体接铳用基板を用いた半導体装置。

8. 艳»体層および導体パターンからなる配線碁板層（C) 、導体パターンが形成されていない層（D) および接》剤層（E) をそれぞれ少なくとも 1層以上有する半導体集積回路基板の接着剤層（E) を形成する半導体接镜基板用接着剤シートであって、前記接 «剤シート力^ 加熱硬化後に、 - 50~ 1 50ての温度範囲において、貯蔵弾性率が 0. 1 l O O O OMP aであり、かつ線彫張係数が 0. 1 x 1 0 ~ 50 x 1 0 てであることを特徴とする半導体接統基板用接着剤シー卜。

9. 接着剤シート力 < 加熱硬化後に、 25てにおける ¾¾エネルギーが、 5 x 1 0⁴N m 以上であることを特徴とする講求項 8記載の半導体接統基板用接着剤シ一卜。

1 0. 絶縁体暦および導体パターンからなる配線基板層（C) 、導体パターンが形成されていない層（D) および接着剤層（E) をそれぞれ少なくとも 1層以上有する半導体集 S 回路墓板の接着剤層（E) を形成する半導体接挠基板用接剤シートであって、前記接着剤シー卜が必須成分として熱可塑性樹脂（A) およびエポキシ樹脂（B) をそれぞれ少な

33

差替え用紙 (規則 26) くとも 1種類以上含有し、前記エポキシ樹脂（B) 力下記（ I ) 、（ Π) 、（ΠΙ) および（IV) から選ばれた少なくとも 1種のエポキシ樹脂 CB ) を必須成分として含有することを特徴とする半導体接続基板用接着剤シート。

( I ) ジシクロペン夕ジェン骨格含有エポキシ樹脂。

(II) テルペン骨格含有エポキシ樹脂

(ΠΙ) ビフエニル骨格含有エポキシ樹脂

(IV) ナフ夕レン骨格含有エポキシ樹脂

1 1. 熱可塑性樹脂（A) が、ブタジエンを必須共重合成分とする共重合体（ a 1 ) であることを特徴とする請求項 1 0記載の半導体接続基板用接着剤シ一卜。

1 2. 熱可塑性樹脂（A) 力 <、ブタジエンを必須共重合成分とし、かつカルボキシル基を有する共重合体（ a 2 ) を含むことを特徴とする請求項 1 0記載の半導体接続基板用接着剤シ一卜。

1 3. 熱可塑性樹脂（A) が、炭素数 3 6のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（a 3 ) であることを特徴とする請求項 1 0記載の半導体接続基板用接着剤シー卜。

1 4. 熱可塑性樹脂（A) 、炭素数 3 6のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（ a 3 ) であり、かつァミン価が 1以上 3未満のポリァミド樹脂（ a 4 ) である請求項 1 0記載の半導体接続基板用接着剤シート。

1 5. 接着剤シートが、さらにフエノール樹脂（F) を含むことを特徴とする請求項 1 0 記載の半導体接続基板用接着剤シート。

1 6. 請求項 8~ 1 5のいずれか記載の半導体接続基板用接着剤シー卜を用いた、絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層（C) 、導体パターンが形成されていない層

(D) および接着剤層（E) をそれぞれ少なくとも 1層以上有する半導体接続基板。

1 7. 請求項 1 6記載の半導体接続基板を用いた半導体装置。

1 8. 可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から構成される T A B用接着剤付きテープであつて、硬化後の前記接着剤層の軟化温度が、 6 0〜 1 1 0てであり、かつ 1 3 0て、 8 5 % R Hの環境下で、直流 1 0 0 V印加し、放置した場合の絶縁抵抗低下時間が 5 ()時間以上であることを特徴とする T A B用接着剤付きテープ。

1 9. 接着剤層が、加熱硬化後に、 2 5°Cにおける破壊エネルギーが 5 X 1 0⁵Ν π ' 以上であることを特徴とする請求項 1 8記載の T A Β用接着剤付きテープ。

2 0. 可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する積層体から構成される TAB用接着剤付きテープであって、接着剤層が、熱可塑性樹脂 (A) およびエポキシ樹脂 (B) を含有し、前記エポキシ樹脂（B) 力、ド記（〖）、 ( Π) 、（ΠΠ および（IV) から選ばれた少なくとも 1種のエポキシ樹脂（B ) を必須成分として含有することを特徵とする TAB用接着剤付きテープ。

( I ) ジシクロペン夕ジェン骨格含有エポキシ樹脂

( Π ) テルペン骨格含有エポキシ樹脂

(m) ビフヱニル骨格含有エポキシ樹脂

(IV) ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂

34 差替え招紙（規則 26)

2 1. 熱可塑性樹脂（A) 力^ 炭素数 3 6のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（a ) であることを特徴とする請求項 20記載の TAB用接着剤付きテープ。

2 2. 熱可塑性樹脂（A) が、炭素数 3 6のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（a であり、かつアミン価が 1以上 3未満のポリアミド樹脂（a' ) である請求項 2 0記載の T A B用接着剤付きテープ。

2 3. 接着剤層がさらにフエノール樹脂（ F) を含有することを特徴とする請求項 2 0U 載の T Λ B用接着剤付きテープ。

24. フヱノール樹脂（ F) が、該接着剤層の 3 5重量％を越え、 6 0重量％未満のレゾ一ル型フ _Λノール樹脂を含有することを特徴とする請求項 2 3¾載の Τ .\ Β用接着剤付きテープ。

2 5. レゾ一ル型フヱノール樹脂が、炭素数 5〜 1 2のアルキル基を少なくとも 1個以上有する 2官能性フヱノール誘導体（ f 1 ) および 3官能性以上のフヱノール誘導体（ ί 2 ) をそれぞれ必須成分とし、かつ、 f l ./ ( f l + f 2 ) = 0. 2〜 ϋ. 8であることを特徴とする請求項 24記載の TA B用接着剤付きテープ。

2 6. 有機絶縁性フィルムがポリイミドからなるフィル厶である二とを特徴とする諮-求項 1 8〜 2 5記載の TAB用接着剤付きテープ。

2 7. 請求項 1 8~26のいずれか記載の TAB用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。

28.請求項 2 7記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。

2 9. 可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム屑を有する積層体から構成されるワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープであって、硬化後の前記接着剤層の軟化温度が、 1 2 0〜2 0 0てであり、かつ 1 5 0てにおける貯蔵弾性率 E' 力、'、 2 0〜 1 0 0MP a、さらに 1 3 0て、 8 5 % R Hの環境下で、直流 1 00 V印加し、放置した場合の絶縁抵抗低下時間が 5 0時間以上であることを特徴とするワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープ。

3 0. 接着剤層が、熱可塑性樹脂（Λ) およびエポキシ樹脂（ B) を含有し、前記熱可塑性樹脂（A) とエポキシ樹脂（B) の 1 Z 1混合物からなるフィルムのヘイズが、 8〜！ 0であることを特徴とするワイヤ一ボンディング接続用接着剤付きテープ。

3 1. 接着剤層が、熱可塑性樹脂（A) およびエポキシ樹脂（B) を含有し、前記ェポキシ樹脂（B) が、下記（【）、（ Π ) および（ΙΠ) から選ばれた少なくとも 1種のェポキシ樹脂（B) を必須成分として含有することを特徴とするワイヤ一ボンディング接続用接着剤付きテープ。

( I ) ジシクロペンタジェン骨格含有エポキシ樹脂

(Π ) テルペン骨格含有エポキシ樹脂

(ΠΙ) ビフヱニル骨格含有エポキシ樹脂

3 2. エポキシ樹脂の含有量が、該接着材層の 1 0重量％以上、 4 0重量 ¾以下であることを特徴とする請求項 3 1記載のワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープ。

3 3. 熱可塑性樹脂（Λ) が、炭素数 3 6のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（ a j である二とを特徴とする請求項 3 1記載のワイヤーボンディング接続用接着

35 差替え用紙（規則 26) 剤付きテープ。

34. 熱可塑性樹脂（A) が、炭素数 3 6のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（a ) であり、かつアミン価が 1以上 3未満のポリアミド樹脂（a' ) である請求項 3 1記載のワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープ。

35. 接着剤層がさらにフエノール樹脂（F) を含有することを特徴とする請求項 3 1記載のワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープ。

3 6. フヱノール樹脂（F) 力^ 該接着剤層の 35重量 °'όを越え、 6 0重量％未満のレゾ —ル型フヱノール樹脂を含有することを特徴とする請求項 3 5記載のワイヤ一ボンディング接铳用接着剤付きテープ。

3 7. 有機絶縁性フィルムがポリイミドからなるフィルムであることを特徴とする請求項

2 9〜 36記載のワイヤ一ボンディング接较用接着剤付きテープ。

38. 請求項 2 9〜 3 6のいずれか記載のワイヤ一ボンディング接続用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。

3 9.請求項 3 8記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。

36 差替え用紙（規則 26)